CN112993178A - 一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法，属于量子点发光二极管器件技术领域。该二极管由下往上依次由底电极、空穴传输层、量子点钙钛矿发光层、电子传输层和金属顶电极层叠组成，其中，量子点钙钛矿发光层为锡掺杂铯铅溴量子点钙钛矿发光层。通过合理控制锡的掺杂量，使制备的量子点钙钛矿的光致发光量子效率从未掺杂时的21.0％提高到了40.4％，提高了1.9倍，且锡掺杂前后，光致发光峰位不变，仍为511nm。以该量子点钙钛矿层作为发光层的二极管的电致发光峰位为512nm，电致发光亮度为343.0cd/m²，是未掺杂铯铅溴量子点发光二极管亮度的2.5倍。该二极管制备工艺简单，易操作，适合扩大化生产。

Description

一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法

技术领域

本发明属于量子点发光二极管器件技术领域，具体涉及一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

全无机卤素钙钛矿绿光CsPbBr₃量子点因其荧光量子效率高和光谱半峰宽窄等优点而被广泛应用于激光、光电探测及发光二极管等领域。但CsPbBr₃量子点的电致发光效率还有待提高，如何提高量子点发光二极管的光电性能近年来的研究热点。目前采用低毒材料对CsPbBr₃量子点进行包覆，例如SiO₂，包覆后的量子点可有效避免卤素钙钛矿量子点中铅的释放，且发光性能优异，结构稳定，但SiO₂包覆材料的导电性能很差，在合成发光二极管器件时，不利于载流子的传输，导致电致发光很弱；另外，采用短链有机材料作为配体合成CsPbBr₃量子点，该方法可提高CsPbBr₃量子点发光二极管的电致发光性能，但会使得CsPbBr₃量子点结构不稳定，空气中易分解。因此，寻求提高铯铅溴量子点光电性能而不改变其发光颜色的技术至关重要。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的之一在于提供一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管；目的之二在于提供一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管的制备方法。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

1、一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管，所述二极管由下往上依次由底电极、空穴传输层、量子点钙钛矿发光层、电子传输层和金属顶电极层叠组成，所述量子点钙钛矿发光层为CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层，0.9≤a＜1，0＜b≤0.1，a+b＝1。

优选地，所述a＝0.9，b＝0.1。

优选地，所述CsPb_aSn_bBr₃量子点按如下方法制备：

1)向反应容器I中加入碳酸铯、十八烯和油酸，保护气氛下，于110-125℃下搅拌至去除所述反应容器I中水蒸气和氧气，获得油酸铯前驱液；

2)向反应容器II中加入溴化铅、溴化亚锡和十八烯，保护气氛下，于110-125℃下搅拌至去除所述反应容器II中水蒸气和氧气，然后迅速加入油胺和油酸，升温至170-200℃后，继续搅拌反应2-5min后，迅速加入步骤1)中制备的油酸铯前驱液，再搅拌反应5-10s后进行冰浴，直至反应结束，制得CsPb_aSn_bBr₃量子点胶体；

3)向步骤2)中制得的CsPb_aSn_bBr₃量子点胶体中加入正己烷，离心后取沉淀，将所述沉淀分散于正己烷中，加入乙酸甲酯后离心，再次取沉淀，重复分散-离心3-5次，制得CsPb_aSn_bBr₃量子点。

优选地，

步骤1)中，所述碳酸铯、十八烯和油酸的质量体积比为81.4:3.5-4.5:0.4-0.6，mg:mL:mL；

步骤2)中，所述溴化铅、溴化亚锡、十八烯、油胺、油酸和步骤1)中制备的油酸铯前驱液的质量体积比为66-73:0.6-5.6:8-12:0.8-1.5:0.8-1.5:0.8-0.9，mg:mg:mL:mL:mL:mL；

步骤3)中，用于分散胶体的正己烷与CsPb_aSn_bBr₃量子点胶体的体积比为1:1-1.5，用于分散沉淀的正己烷与乙酸甲酯的体积比为1:2-3。

优选地，所述底电极为ITO；所述空穴传输层由聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)和聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种制成；所述电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉中的一种制成；所述金属顶电极由氟化锂和金属铝制成。

2、所述的一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管的制备方法，所述方法如下：

(1)对底电极进行预处理；

(2)在经步骤(1)处理后的底电极上旋涂制备空穴传输层；

(3)在步骤(2)中空穴传输层上旋涂制备CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层，0.9≤a＜1，0＜b≤0.1，a+b＝1；

(4)在步骤(3)中CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层上蒸镀电子传输层；

(5)在步骤(4)中电子传输层上蒸镀金属顶电极，即可。

优选地，步骤(1)中，按如下方法对底电极进行预处理：将底电极依次置于肥皂水、去离子水、酒精、丙酮和异丙醇中分别超声清洗20-40min，N₂吹干后，采用臭氧及紫外光照射处理20-40min，即可。

优选地，步骤(2)中，以聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)和聚(9-乙烯基咔唑)为原料制备空穴传输层的方法如下：将聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)水溶液滴加到经步骤(1)处理后的底电极上，然后以3500-4500rpm的转速旋涂20-30s，随后在140-160℃下退火10-25min，制得PEDOT:PSS/底电极复合层，将PEDOT:PSS/底电极复合层移至手套箱内，将聚(9-乙烯基咔唑)溶液滴加到PEDOT:PSS层上，以2000-3000rpm的转速旋涂30-40s，最后在110-130℃下退火20-30min，即可。

优选地，步骤(3)中，旋涂制备CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层的方法如下：将CsPb_aSn_bBr₃量子点分散于正己烷中，然后滴加到步骤(2)中空穴传输层上，以2000-2500rpm的转速旋涂30-60s，最后在40-60℃下退火5-10min，即可。

优选地，步骤(4)中，以1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯为原料制备电子传输层的方法如下：真空度在10^-5Pa以下后，在200-230℃下加热有机蒸发源，以0.04-0.06nm/s的沉积速率在步骤(3)中CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层上沉积40-50nm厚的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯层，即可。

优选地，步骤(5)中，以氟化锂和金属铝为原料制备金属顶电极的方法如下：真空度在10^-5Pa以下后，对氟化锂无机源施加12-14A的电流，以0.005-0.01nm/s的沉积速率在步骤(4)中电子传输层上蒸镀1-2nm厚的氟化锂层，然后对铝无机源施加21.7-24.2A的电流，以0.05-0.15nm/s的沉积速率在在氟化锂层上蒸镀80-120nm厚的铝层，即可。

本发明的有益效果在于：本发明提供了一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法，通过合理控制锡的掺杂量，使制备的CsPb_aSn_bBr₃(0.9≤a＜1，0＜b≤0.1，a+b＝1)量子点的光致发光量子效率(PLQY)从未掺杂时的21.0％提高到了40.4％，提高了1.9倍，且锡掺杂前后，光致发光峰位不变，仍为511nm。以CsPb_aSn_bBr₃(0.9≤a＜1，0＜b≤0.1，a+b＝1)量子点钙钛矿层作为发光层的二极管的电致发光峰位为512nm，电致发光亮度为343.0cd/m²，是未掺杂铯铅溴量子点发光二极管亮度(135cd/m²)的2.5倍。而若锡的掺杂量过多，由于Sn²⁺半径比Pb²⁺半径小，锡部分替代铅后，量子点尺寸减小，随着锡掺杂量的增加，XRD衍射峰中会出现了明显的杂相，其中包括PbBr₂、CsBr和SnBr₂的衍射峰，锡掺杂量越大，其杂质峰越多，过量的锡掺杂会引起CsPbBr₃量子点晶体结构发生较大畸变，导致CsPbBr₃结构不稳定，致使CsPbBr₃发生分解，从而丧失发光性能；而若锡掺杂量过小，则不能部分替代Pb，只有当锡掺杂量合适时，锡少部分替代了CsPbBr₃量子点的铅位置，而多余的SnBr₂对CsPbBr₃量子点表面缺陷具有钝化作用，降低了量子点表面缺陷，从而增强了量子点的发光性能。该二极管制备工艺简单，易操作，能够在保证了其发光颜色的同时还提高了亮度和光致发光量子效率，适合扩大化生产。

本发明的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作优选的详细描述，其中：

图1为实施例1至实施例3中制备的发光二极管的结构示意图；

图2为实施例1至实施例3、对比实施例中制备的钙钛矿量子点的晶体结构图；

图3为实施例1至实施例3、对比实施例中制备的钙钛矿量子点的紫外-可见吸收光谱图及在激发波长为365nm下的光致发光光谱图(图3中(a)为各钙钛矿量子点的紫外-可见吸收光谱图，图3中(b)为各钙钛矿量子点在激发波长为365nm下的光致发光光谱图)；

图4为实施例1至实施例3、对比实施例中制备的钙钛矿量子点的光致发光衰减及光致发光量子产率表征结果图；

图5为实施例1和对比实施例中制备的钙钛矿量子点的TEM图和粒径统计图(图5中(a)为对比实施例中制备的CsPbBr₃量子点的TEM图，图5中(b)为实施例1中制备的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点的TEM图，图5中(c)为对比实施例中制备的CsPbBr₃量子点的粒径统计图，图5中(d)为实施例1中制备的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点的粒径统计图)；

图6为实施例1和对比实施例中制备的钙钛矿量子点在紫外光波长365nm照射下的光致发光图；

图7为实施例1和对比实施例中制备的发光二极管的电致发光性能测试结果图、电流密度-电压特性图和亮度-电压特性图(图7中(a)为对比实施例中制备的发光二极管的电致发光性能测试结果图，图7中(b)为实施例1中制备的发光二极管的电致发光性能测试结果图，图7中(c)为实施例1和对比实施例中制备的发光二极管的电流密度-电压特性曲线图，图7中(d)为实施例1和对比实施例中制备的亮度-电压特性曲线图)；

图8为实施例1和对比实施例中制备的发光二极管的国际照明委员会(CIE)色坐标图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

实施例1

制备基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管

1)向三颈烧瓶I中加入81.4mg碳酸铯、4mL十八烯和0.5mL油酸，氮气气氛下，于120℃下搅拌1h以去除三颈烧瓶I中水蒸气和氧气，获得油酸铯前驱液；

2)向三颈烧瓶II中加入66.06mg溴化铅、5.57mg溴化亚锡和10mL十八烯，氮气气氛下，于120℃下搅拌1h以去除三颈烧瓶II中水蒸气和氧气，然后迅速加入1mL油胺和1mL油酸，升温至180℃后，继续搅拌反应2min后，迅速加入0.85mL步骤1)中制备的油酸铯前驱液，再搅拌反应5s后移至冰水混合溶液中进行冰浴，直至反应结束，制得CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点胶体；

3)向步骤2)中制得的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点胶体中加入等体积的正己烷，离心后取沉淀，将沉淀分散于正己烷中，加入用于分散胶体的正己烷2倍体积的乙酸甲酯后离心，再次取沉淀，重复分散-离心3次，制得CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点；

4)将ITO依次置于肥皂水、去离子水、酒精、丙酮和异丙醇中分别超声清洗30min，N₂吹干后，采用臭氧及紫外光照射处理30min，备用；

5)将聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)水溶液滴加到经步骤(1)处理后的ITO上，然后以4000rpm的转速旋涂20s，随后在150℃下退火15min，制得PEDOT:PSS/ITO复合层，将PEDOT:PSS/ITO复合层移至手套箱内，将浓度为6mg/mL的聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)溶液滴加到PEDOT:PSS层上，以2000rpm的转速旋涂30s，最后在120℃下退火20min，制得空穴传输层(PEDOT:PSS/PVK层)；

6)将步骤3)中制备的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点分散于正己烷中，然后滴加到步骤5)中空穴传输层上，以2000rpm的转速旋涂30s，最后在50℃下退火10min，制得CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点钙钛矿发光层(QDs层)；

7)真空度在10^-5Pa以下后，在200℃下加热有机蒸发源，以0.04nm/s的沉积速率在步骤6)中CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点钙钛矿发光层上沉积45nm厚的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯层，制得电子传输层(TPBi层)；

8)真空度在10^-5Pa以下后，对氟化锂无机源施加12.9A的电流，以0.01nm/s的沉积速率在步骤7)中电子传输层上蒸镀1nm厚的氟化锂层(LiF层)，然后对铝无机源施加23.9A的电流，以0.1nm/s的沉积速率在氟化锂层上蒸镀100nm厚的铝层，制得基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管。

实施例2

与实施例1的区别在于，步骤2)中，加入58.7mg溴化铅、11.14mg溴化亚锡，最终制得CsPb_0.8Sn_0.2Br₃量子点，再以该量子点制备基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管。

实施例3

与实施例1的区别在于，步骤2)中，加入44.04mg溴化铅、22.28mg溴化亚锡，最终制得CsPb_0.6Sn_0.4Br₃量子点，再以该量子点制备基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管。

对比实施例

与实施例1的区别在于，步骤2)中，加入73.4mg溴化铅、0mg溴化亚锡，最终制得CsPbBr₃量子点，再以该量子点制备基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管。

图1为实施例1至实施例3中制备的发光二极管的结构示意图。

图2为实施例1至实施例3、对比实施例中制备的钙钛矿量子点的晶体结构图，图中衍射峰与No.18-0364号PDF卡片相符，属于斜方晶系。

图3为实施例1至实施例3、对比实施例中制备的钙钛矿量子点的紫外-可见吸收光谱图及在激发波长为365nm下的光致发光光谱图，图3中(a)为各钙钛矿量子点的紫外-可见吸收光谱图，可知各钙钛矿量子点在500nm附近出现了明显的吸收峰；图3中(b)为各钙钛矿量子点在激发波长为365nm下的光致发光光谱图，可知各钙钛矿量子点的光致发光光谱(PL)峰位几乎没变化，均位于511nm，其半峰宽均为18.5nm，其中实施例1中制备的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点的PL峰最强，即发光强度最强，而随着锡掺杂量的增加，PL峰强度则开始下降，低于对比实施例中制备的CsPbBr₃量子点的PL峰强度，实施例3中制备的CsPb_0.6Sn_0.4Br₃量子点的PL峰强度降到最低。

图4为实施例1至实施例3、对比实施例中制备的钙钛矿量子点的光致发光衰减及光致发光量子产率表征结果图，根据该图统计的数据见表1，可知实施例1中制备的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点的光致发光寿命及PLQY最高，与对比实施例中制备的CsPbBr₃量子点相比，光致发光寿命由9.0ns提高到了19.3ns，提高了2.1倍，PLQY由21.0％提高到了40.4％，提高了1.9倍。随着锡掺杂量的增加，光致发光寿命及PLQY均迅速降低，实施例3中制备的CsPb_0.6Sn_0.4Br₃量子点的光致发光寿命及PLQY均最低，与对比实施例中制备的CsPbBr₃量子点相比，光致发光量子寿命由9.0ns降至2.7ns，降低了3.3倍，PLQY由21.0％降低到了10.4％，降低了2倍。

表1各钙钛矿量子点光致发光衰减拟合参数及PLQY

图5为实施例1和对比实施例中制备的钙钛矿量子点的TEM图和粒径统计图，图5中(a)为对比实施例中制备的CsPbBr₃量子点的TEM图，图5中(b)为实施例1中制备的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点的TEM图，可知两种钙钛矿量子点形貌均呈四方体结构，大小均匀；图5中(c)为对比实施例中制备的CsPbBr₃量子点的粒径统计图，图5中(d)为实施例1中制备的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点的粒径统计图，可知CsPbBr₃量子点的平均粒径约为13.02nm，CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点的平均粒径约为11.90nm，比CsPbBr₃量子点的平均粒径减小了1.12nm，这主要是由于离子半径小于Pb²⁺的Sn²⁺部分替代Pb²⁺，导致晶粒尺寸减小，该结果与图2的XRD结果一致，证明部分Sn²⁺离子进入了CsPbBr₃晶格，并部分替代了CsPbBr₃晶格中的Pb²⁺位置。

图6为实施例1和对比实施例中制备的钙钛矿量子点在紫外光波长365nm照射下的光致发光图，图中左边为实施例1中制备的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点在紫外光波长365nm照射下的光致发光图，图中右边为对比实施例中制备的CsPbBr₃量子点在紫外光波长365nm照射下的光致发光图，可知CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点较CsPbBr₃量子点的荧光强。

图7为实施例1和对比实施例中制备的发光二极管的电致发光性能测试结果图、电流密度-电压特性图和亮度-电压特性图，图7中(a)为对比实施例中制备的发光二极管的电致发光性能测试结果图，图7中(b)为实施例1中制备的发光二极管的电致发光性能测试结果图，图7中(c)为实施例1和对比实施例中制备的发光二极管的电流密度-电压特性曲线图，图7中(d)为实施例1和对比实施例中制备的亮度-电压特性曲线图。由图7可知，当施加电压为5V时，两种二极管开始发光，随着电压增加，发光强度逐渐增大，两种二极管电流密度随电压的变化趋势与两种二极管电流密度-电压特性曲线相似(如图7中(c)所示)；当施加的电压达到7V时，两种发光二极管的电致发光亮度最强，电致发光峰位均位于512nm附近(如图7中(a)、图7中(b)所示)；以少量锡掺杂的CsPb_0.9Sn_0.1Br₃量子点为发光层制备的发光二极管的光致发光亮度比以未掺杂CsPbBr₃量子点为发光层的二极管更强，由未掺杂CsPbBr₃量子点为发光层的二极管的135cd/m²增大到了343.0cd/m²(如图7中(d)所示)。

图8为实施例1和对比实施例中制备的发光二极管的国际照明委员会(CIE)色坐标图，由图8可知，对应的CIE色坐标分别为(0.092，0.702)和(0.067，0.664)，均属于绿光发射。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (10)

1.一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管，所述二极管由下往上依次由底电极、空穴传输层、量子点钙钛矿发光层、电子传输层和金属顶电极层叠组成，其特征在于，所述量子点钙钛矿发光层为CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层，0.9≤a＜1，0＜b≤0.1，a+b＝1。

2.如权利要求1所述的一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管，其特征在于，所述a＝0.9，b＝0.1。

3.如权利要求1所述的一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管，其特征在于，所述CsPb_aSn_bBr₃量子点按如下方法制备：

1)向反应容器I中加入碳酸铯、十八烯和油酸，保护气氛下，于110-125℃下搅拌至去除所述反应容器I中水蒸气和氧气，获得油酸铯前驱液；

2)向反应容器II中加入溴化铅、溴化亚锡和十八烯，保护气氛下，于110-125℃下搅拌至去除所述反应容器II中水蒸气和氧气，然后迅速加入油胺和油酸，升温至170-200℃后，继续搅拌反应2-5min后，迅速加入步骤1)中制备的油酸铯前驱液，再搅拌反应5-10s后进行冰浴，直至反应结束，制得CsPb_aSn_bBr₃量子点胶体；

3)向步骤2)中制得的CsPb_aSn_bBr₃量子点胶体中加入正己烷，离心后取沉淀，将所述沉淀分散于正己烷中，加入乙酸甲酯后离心，再次取沉淀，重复分散-离心3-5次，制得CsPb_aSn_bBr₃量子点。

4.如权利要求3所述的一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管，其特征在于，

步骤1)中，所述碳酸铯、十八烯和油酸的质量体积比为81.4:3.5-4.5:0.4-0.6，mg:mL:mL；步骤2)中，所述溴化铅、溴化亚锡、十八烯、油胺、油酸和步骤1)中制备的油酸铯前驱液的质量体积比为66-73:0.6-5.6:8-12:0.8-1.5:0.8-1.5:0.8-0.9，mg:mg:mL:mL:mL:mL；

步骤3)中，用于分散胶体的正己烷与CsPb_aSn_bBr₃量子点胶体的体积比为1:1-1.5，用于分散沉淀的正己烷与乙酸甲酯的体积比为1:2-3。

5.如权利要求1-4任一项所述的一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为ITO；所述空穴传输层由聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)和聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种制成；所述电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉中的一种制成；所述金属顶电极由氟化锂和金属铝制成。

6.权利要求1所述的一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法如下：

(1)对底电极进行预处理；

(2)在经步骤(1)处理后的底电极上旋涂制备空穴传输层；

(3)在步骤(2)中空穴传输层上旋涂制备CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层，0.9≤a＜1，0＜b≤0.1，a+b＝1；

(4)在步骤(3)中CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层上蒸镀电子传输层；

(5)在步骤(4)中电子传输层上蒸镀金属顶电极，即可。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，以聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)和聚(9-乙烯基咔唑)为原料制备空穴传输层的方法如下：将聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)水溶液滴加到经步骤(1)处理后的底电极上，然后以3500-4500rpm的转速旋涂20-30s，随后在140-160℃下退火10-25min，制得PEDOT:PSS/底电极复合层，将PEDOT:PSS/底电极复合层移至手套箱内，将聚(9-乙烯基咔唑)溶液滴加到PEDOT:PSS层上，以2000-3000rpm的转速旋涂30-40s，最后在110-130℃下退火20-30min，即可。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，旋涂制备CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层的方法如下：将CsPb_aSn_bBr₃量子点分散于正己烷中，然后滴加到步骤(2)中空穴传输层上，以2000-2500rpm的转速旋涂30-60s，最后在40-60℃下退火5-10min，即可。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，以1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯为原料制备电子传输层的方法如下：真空度在10^-5Pa以下后，在200-230℃下加热有机蒸发源，以0.04-0.06nm/s的沉积速率在步骤(3)中CsPb_aSn_bBr₃量子点钙钛矿发光层上沉积40-50nm厚的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯层，即可。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤(5)中，以氟化锂和金属铝为原料制备金属顶电极的方法如下：真空度在10^-5Pa以下后，对氟化锂无机源施加12-14A的电流，以0.005-0.01nm/s的沉积速率在步骤(4)中电子传输层上蒸镀1-2nm厚的氟化锂层，然后对铝无机源施加21.7-24.2A的电流，以0.05-0.15nm/s的沉积速率在在氟化锂层上蒸镀80-120nm厚的铝层，即可。

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