CN116769479A - 一种基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法及其电致发光器件 - Google Patents

一种基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法及其电致发光器件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法及其电致发光器件。通过在前驱体溶液中掺杂碳酸铷和溴化亚锡的方法，碳酸铷中的铷离子能部分替代铯离子，而溴化亚锡中的二价锡离子可以部分替代铅离子，实现对量子点的掺杂，提高了量子点的晶体结构稳定性，同时降低了铅的毒性。最终实现纯蓝光发射的钙钛矿量子点，其化学成分为(CsxRb1‑x)PbySn1‑y(Br/Cl)3。同时，本发明提出CuSCN/TFB双空穴传输层结构，基于上述纯蓝光量子点设计了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuSCN/TFB/Pe‑QDs/TPBi/LiF/Al的发光器件，所制备的发光器件的发光效率和发光强度均得到了提升。

Description

一种基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法及其电致发 光器件
技术领域
本发明属于纳米功能材料制备及光电器件技术领域，具体涉及一种基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法及其电致发光器件。
背景技术
金属卤化物钙钛矿量子点因其具有较高的荧光量子产率、较窄的发射峰、发射波长连续可调等特点成为一种性能极佳的纳米发光材料，被学者广泛研究，有潜力成为下一代发光材料。钙钛矿量子点发光二极管(发光层由钙钛矿量子点制成)具有多层薄膜结构，钙钛矿量子点具有发光性能，然而存在一定的空穴寄生发生。同时，载流子是否平衡注入等都会影响器件的性能。在已有的报导中，孟凡源等人(Nanoscale,2019,11(3):1295-1303)通过Rb+掺杂策略有效实现了蓝光钙钛矿的发射，然而，性能较低，其最大外量子效率(EQE)仅为0.45％。专利CN114507519A《一种深蓝光钙钛矿量子点的常温绿色合成方法及其在制备钙钛矿发光二极管中的应用》采用PEDOT作为空穴传输层制备蓝光钙钛矿量子点发光二极管，然而，PEDOT的LUMO能级较浅，常用的电子传输层的载流子迁移率在10-3～10-4cm2V-1s-1范围内，远高于空穴传输层的载流子迁移率。这会导致不平衡的电子和空穴载流子注入和传输，通常激子会在空穴传输层和发光层界面聚集，从而导致激子因电荷在界面处的积累而猝灭。此外，钙钛矿的高铅含量对环境不友好，目前蓝光钙钛矿量子点中，铅的含量普遍较高，其他B位金属较难掺入。
发明内容
基于现有技术存在的问题，本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种蓝光钙钛矿量子点发光材料制备方法以及基于该量子点发光材料的电致发光器件的结构设计和制备。
本发明采用的技术方案如下：
一方面，本发明提供了一种蓝光钙钛矿量子点发光材料，所述蓝光钙钛矿量子点发光材料同时含有Rb和Sn元素，其化学式为(CsxRb1-x)PbySn1-y(Br/Cl)3，x的取值范围是0.5～1.0，y的取值范围是0.5～1.0。
上述一种蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法，包括如下步骤：
(1)将铯源、铷源和油酸溶剂相互混合，在100～150℃下搅拌20～30分钟，待溶液澄清透明后，获得铷-铯前驱液体溶液并静置降温；
(2)将溴化亚锡、溴化铅和四正辛基溴化铵混合在甲苯中，在室温条件下搅拌溶解，得到锡-铅前驱体溶液；
(3)将步骤(1)中的铷-铯前驱体溶液加入到步骤(2)所得的锡-铅前驱体溶液中，在室温下搅拌3～5分钟，然后加入双十二烷基二甲基溴化铵溶液，获得Rb+、Sn2+共掺的钙钛矿点量子点原液；
(4)将沉淀剂加入步骤(3)所得Rb+、Sn2+共掺的钙钛矿量子点原液中，离心取出沉淀物质，随后将非配位溶剂加至沉淀中再分散，得到绿光钙钛矿量子点；
(5)将含氯铵盐的甲苯溶液加入步骤(4)绿光钙钛矿量子点中进行搅拌，并加入沉淀剂离心取出沉淀物质，随后将非配位溶剂加至沉淀中再分散，重复离心，最后溶解在非配位溶剂中，获得纯蓝光钙钛矿量子点。
进一步地，步骤(1)中，铯源为硬脂酸铯、碳酸铯、醋酸铯和草酸铯中的一种；铷源为碳酸铷、醋酸铷中的一种。
进一步地，步骤(1)中，铷-铯前驱体溶液的浓度为0.05～0.15mmol/mL；铷源和铯源的投料摩尔比为1:1～1:9。
进一步地，步骤(2)中，锡-铅前驱体溶液中，总浓度为0.6～1.2mmol/mL；溴化亚锡和溴化铅的投料摩尔比为1:1～1:9。
进一步地，步骤(3)中铷-铯前驱体和锡-铅前驱体的体积比为1:10～1:15。
进一步地，步骤(4)中，对于1mL的功能化钙钛矿量子点原液，沉淀剂的添加量为0.3～5mL，沉淀剂和与溶剂的体积比为0.5～3：1。
进一步地，步骤(4)和(5)中，所述非配位溶剂为甲苯、正己烷、环己烷、苯、辛烷中的一种；所述沉淀剂为乙酸甲酯、乙酸乙酯中的一种。
进一步地，步骤(5)中，含氯铵盐为双十二烷基二甲基氯化铵、甲基三辛基氯化铵、四丁基氯化铵、苯乙基氯化铵、二烯丙基二甲基氯化铵、9-十八烯基氯化胺的一种或几种。
第二方面，本发明提供了一种电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；其中，所述钙钛矿量子点发光层由如上所述的方法制备的蓝光钙钛矿量子点发光材料制成(即所述钙钛矿量子点发光层为蓝光钙钛矿量子点(CsxRb1-x)PbySn1-y(Br/Cl)3材料)。
进一步地，所述发光器件包含的空穴传输层为双层结构。
进一步地，所述阳极层为ITO基板、IZO基板、FTO基板中的一种。
进一步地，所述空穴注入层由PEDOT:PSS组成。
进一步地，PEDOT:PSS厚度为10nm～50nm。
进一步地，所述的空穴传输层包括但不限于：硫氰酸亚铜(CuSCN)、氧化镍纳米粒子(NiOx)、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)](TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)中的一种或者多种。
进一步优选地，所述的空穴传输层为CuSCN/TFB。
进一步地，所述钙钛矿量子点发光层的厚度为13～40nm。
进一步地，所述电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、8-羟基喹啉铝、富勒烯及其衍生物、氧化锌中的一种组成。
进一步优选地，所述电子传输层为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。
进一步地，所述电子传输层的厚度为30～40nm。
进一步地，所述电子注入层由氟化锂、氟化镁、氟化钠、氯化铯、氧化铝中的一种组成。
进一步优选地，所述电子注入层由氟化锂组成。
进一步地，所述电子注入层的厚度为0.5～1nm。
进一步地，所述阴极层由金属单质、合金、金属氧化物中的一种组成。
进一步地，所述阴极层的厚度为100～150nm。
上述基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)清洗阳极层材料并进行表面处理；
(2)将含PEDOT:PSS溶液涂覆在阳极层上，形成空穴注入层；
(3)将空穴传输材料涂覆在空穴注入层上，形成空穴传输层；
(4)将钙钛矿量子点发光材料涂覆在空穴传输层上，形成钙钛矿发光层；
(5)将电子传输层、电子注入层和阴极层依次蒸镀在钙钛矿发光层上，即得钙钛矿电致发光器件。
根据本发明，一种钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：
(1)清洗阳极基底并进行表面处理；
(2)制备空穴注入层：将PEDOT:PSS溶液过滤，再旋涂在阳极层上，进行退火；
(3)制备空穴传输层将CuSCN和TFB分别涂覆在空穴注入层上，进行退火，形成空穴传输层；
(4)将上述制备的钙钛矿量子点(CsxRb1-x)PbySn1-y(Br/Cl)3材料旋涂在空穴注入层上，进行退火，形成钙钛矿量子点发光层；
(5)将电子传输层、电子注入层和阴极层材料依次蒸镀在钙钛矿发光层上，即得钙钛矿量子点发光二极管。
进一步地，步骤(1)所述清洗的具体操作为：将阳极层依次置于四氢呋喃、异丙醇、半导体洗液、去离子水和异丙醇中进行超声清洗，每次超声时间为10～20分钟，烘干，再用UV或O2-Plasma进行10～15分钟的表面处理。
进一步地，步骤(2)所述旋涂的速度为2000～4000rpm，旋涂的时间为20～40s。
进一步地，步骤(2)所述退火在150～180℃下进行，退火时间为5～15分钟。
进一步地，步骤(3)所述CuSCN旋涂的速度为2000～5000rpm，旋涂的时间为30～60s。退火在80～120℃下进行，退火时间为10～20分钟。
进一步地，步骤(3)所述TFB旋涂的速度为2000～5000rpm，旋涂的时间为30～60s。退火在100～160℃下进行，退火时间为10～20分钟。
进一步地，步骤(4)所述旋涂的速度为1000～4000rpm，旋涂的时间为30～60s。退火在50～100℃下进行，退火时间为10～20分钟。
进一步地，步骤(4)所述钙钛矿量子点(CsxRb1-x)PbySn1-y(Br/Cl)3材料的浓度为5～150mg/mL；量子点的粒径尺寸为3～100nm，光致发射峰位置在450～480nm。
本发明通过在室温下合成Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点，解决了目前蓝光钙钛矿量子点高铅毒性、效率低下以及空穴寄生发射的技术问题，本发明制备的是一种无空穴寄生发射且具有较高外量子效率的纯蓝光钙钛矿发光二极管。
本发明的有益效果是：
1.本发明制备的Rb+、Sn2+共掺钙钛矿量子点，一方面可以提高钙钛矿量子点辐射复合几率，减少缺陷，提高发光效率；另一方面通过A位和B位金属元素的共掺杂，改善了蓝光钙钛矿的容忍因子，提高了蓝光钙钛矿量子点的结构稳定性，同时还可以减少钙钛矿量子点中铅的含量，减弱毒性。此外，通过该方案，可以实现室温下的蓝光钙钛矿量子点合成，无需惰性气体氛围。
2.本发明采用Rb+、Sn2+共掺钙钛矿量子点作为发光层，得到的钙钛矿发光二极管在开启电压、发光亮度、电流效率、光谱稳定性、使用寿命等方面均得到了改善。
3.本发明采用硫氰酸亚铜和TFB双空穴传输层可以降低空穴传输层的注入势垒，提高空穴传输层的载流子迁移率，增强空穴的注入，有利于器件的载流子平衡，进而可以提高器件的发光亮度和效率。此外，高效的空穴注入避免了载流子大量堆积在空穴传输层一侧，延缓了空穴传输层的老化。
4.本发明的钙钛矿量子点发光二极管的制备工艺简单，重复性好，操作简便，掺杂材料来源广且价格便宜，便于工业化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明蓝光钙钛矿量子点发光材料的合成流程示意图。
图2为对比例1和实施例1～3钙钛矿量子点的透射电镜形貌图。
图3为对比例1和实施例1～3钙钛矿量子点的粒径分布图。
图4为对比例1～2和实施例1～4中钙钛矿量子点的X射线衍射谱图。
图5为对比例1～2和实施例1～4的钙钛矿发光二极管的电致发光光谱图。
图6为对比例1～2和实施例1～4的钙钛矿发光二极管的电压-电流密度-亮度曲线。
图7为对比例1～2和实施例1～4的钙钛矿发光二极管的电流密度-电流效率曲线。
图8为实施例6～8的钙钛矿发光二极管的电压-电流密度-亮度曲线。
图9为实施例6～8的钙钛矿发光二极管的电流密度-电流效率曲线。
图10为实施例2钙钛矿量子点薄膜的紫外-可见吸收光谱。
具体实施方式
为便于理解本发明，下面结合附图以具体实施例对本发明作进一步解释说明，且具体实施例并不构成对本发明实施例的限定。
对比例1
本例为一种基于室温合成Rb+掺杂纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法，其制备方法包括以下步骤：
1.Rb+掺杂蓝光钙钛矿量子点的合成
(1)将0.02608g碳酸铯、0.00462g碳酸铷和1mL油酸混合，在120℃搅拌10分钟至溶解完全后得到铷-铯前驱体溶液，冷却至室温备用；
(2)将0.9mmol溴化铅、1.8mmol四辛基溴化铵和9mL甲苯在进样瓶中搅拌溶解，得到铅前驱体溶液，并保持700rpm匀速搅拌，取1mL冷却好的铷-铯前驱体溶液，快速注入到铅前驱体溶液中，持续匀速搅拌5分钟后，加入3mL浓度为10mg/mL双十烷基二甲基溴化铵的甲苯溶液搅拌3分钟，得到(Cs0.8Rb0.2)PbBr3量子点粗溶液；
(3)采用乙酸乙酯为沉淀剂，甲苯为溶剂，取3mL粗溶液移至容量为10mL离心管中，加入3mL的沉淀剂，置于涡旋搅拌器中充分搅拌后置于离心机中。在6000rpm的转速下离心3分钟，保留沉淀，去除上层清液；
(4)配体调控后处理：将1mL甲苯滴入第一步纯化后的下层沉淀中，置于涡旋搅拌器中充分搅拌使得沉淀重新分散，接着加入426μL二甲基二癸基氯化铵的甲苯溶液(浓度为15mg/mL)，迅速至于涡旋搅拌器中搅拌，得到(Cs0.8Rb0.2)Pb(Br/Cl)3量子点粗溶液；
(5)将配体调控处理后的溶液加入3mL沉淀剂，置于涡旋搅拌器搅拌后至于离心机中，在8000rpm的转速下离心3分钟，保留沉淀，去除上层清液；
(6)将1mL甲苯滴入第二步纯化后的下层沉淀中，置于涡旋搅拌器中充分搅拌使得沉淀重新分散，加入3mL沉淀剂，置于涡旋搅拌器搅拌后至于离心机中，在8000rpm的转速下离心3分钟，去除上层清液；
(7)制备量子点溶液：在沉淀物中滴加0.5mL正辛烷，置于涡旋搅拌器中搅拌分散，用有机相孔径0.22μm的针式过滤头过滤，最后得到Cs0.8Rb0.2Pb(Br/Cl)3量子点材料。
2.TFB空穴传输层的Rb+掺杂蓝光钙钛矿量子点发光二极管的制备
(1)将ITO基板依次置于四氢呋喃、异丙醇、微米级半导体专用洗液(ZT-3电子洗液和去离子水按照体积比1:100组成)、去离子水和异丙醇中进行超声清洗，每次超声时间为15分钟，再将ITO基板置于烘箱内烘干，再用UV处理10分钟；
(2)将质量分数1.5％的PEDOT:PSS水溶液用孔径0.22μm的水性过滤头过滤，再旋涂在ITO基板上，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为30s，再在空气中150℃退火10分钟，形成厚度30nm的空穴注入层；
(3)将4mg/mL TFB的氯苯溶液旋涂在PEDOT:PSS上旋涂速度为4000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中140℃退火10分钟，形成厚度19nm的空穴传输层；
(4)将1中所制备的蓝光钙钛矿量子点旋涂在TFB上，旋涂速度为2000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中60℃退火10分钟，形成32nm厚的发光层；
(5)将器件放入真空蒸镀仓，在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层，电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯组成，厚度40nm；电子注入层由氟化锂组成，厚度为1nm；阴极层为铝层，厚度100nm；再将整个器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装，即得钙钛矿量子点发光二极管。
本例所制备得到的钙钛矿量子点发光二极管具有较为严重的空穴寄生发射，电流效率和发光亮度分别为0.8cd/A和171cd/m2。
对比例2
本例为一种基于室温合成Sn2+掺杂纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法，其制备方法包括以下步骤：
1.Sn2+掺杂蓝光钙钛矿量子点的合成
(1)将0.0326g碳酸铯和1mL油酸混合，在120℃搅拌10分钟至溶解完全后得到铯前驱体溶液，冷却至室温备用；
(2)将0.72mmol溴化铅、0.18mmol溴化锡(II)和1.8mmol四辛基溴化铵、9mL甲苯在进样瓶中搅拌溶解(即溴化锡(II)和溴化铅的摩尔比为1：4)，得到锡-铅前驱体溶液，并保持700rpm的匀速搅拌，取1mL冷却好的铯前驱体溶液，快速注入到铅前驱体溶液中，持续匀速搅拌5分钟后，加入3mL浓度为10mg/mL双十烷基二甲基溴化铵的甲苯溶液搅拌3分钟，得到CsPb0.8Sn0.2(Br/Cl)3量子点粗溶液；
(3)采用乙酸乙酯为沉淀剂，甲苯为溶剂，取3mL粗溶液移至容量为10mL离心管中，加入3mL的沉淀剂，置于涡旋搅拌器中充分搅拌后置于离心机中。在6000rpm的转速下离心3分钟，保留沉淀，去除上层清液；
(4)配体调控后处理：将1mL甲苯滴入第一步纯化后的下层沉淀中，置于涡旋搅拌器中充分搅拌使得沉淀重新分散，接着加入426μL二甲基二癸基氯化铵的甲苯溶液(浓度为15mg/mL)，迅速至于涡旋搅拌器中搅拌，得到CsPb0.8Sn0.2(Br/Cl)3量子点粗溶液；
(5)将配体调控处理后的溶液加入3mL沉淀剂，置于涡旋搅拌器搅拌后至于离心机中，在8000rpm的转速下离心3分钟，保留沉淀，去除上层清液；
(6)将1mL甲苯滴入第二步纯化后的下层沉淀中，置于涡旋搅拌器中充分搅拌使得沉淀重新分散，加入3mL沉淀剂，置于涡旋搅拌器搅拌后至于离心机中，在8000rpm的转速下离心3分钟，去除上层清液；
(7)制备量子点溶液：在沉淀物中滴加0.5mL正辛烷，置于涡旋搅拌器中搅拌分散，用有机相孔径0.22μm的针式过滤头过滤，最后得到CsPb0.8Sn0.2(Br/Cl)3量子点材料。
2.TFB空穴传输层的Sn2+掺杂蓝光钙钛矿量子点发光二极管的制备
(1)将ITO基板依次置于四氢呋喃、异丙醇、微米级半导体专用洗液(ZT-3电子洗液和去离子水按照体积比1:100组成)、去离子水和异丙醇中进行超声清洗，每次超声时间为15分钟，再将ITO基板置于烘箱内烘干，再用UV处理10分钟；
(2)将质量分数1.5％的PEDOT:PSS水溶液用孔径0.22μm的水性过滤头过滤，再旋涂在ITO基板上，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为30s，再在空气中150℃退火10分钟，形成厚度30nm的空穴注入层；
(3)将4mg/mL TFB的氯苯溶液旋涂在PEDOT:PSS上旋涂速度为4000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中140℃退火10分钟，形成厚度19nm的空穴传输层；
(4)将1中所制备的蓝光钙钛矿量子点旋涂在TFB上，旋涂速度为2000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中60℃退火10分钟，形成32nm厚的发光层；
(5)将器件放入真空蒸镀仓，在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层，电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯组成，厚度40nm；电子注入层由氟化锂组成，厚度为1nm；阴极层为铝层，厚度100nm；再将整个器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装，即得钙钛矿量子点发光二极管。
本例所制备得到的钙钛矿量子点发光二极管存在较为明显的空穴寄生发射现象，电流效率和发光亮度分别为0.7cd/A和165cd/m2，最大EQE为0.82％。
实施例1
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法，该蓝光钙钛矿量子点合成流程示意图如图1所示，具体包括以下步骤。
1.Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点产品的合成
(1)将0.02608g碳酸铯、0.00462g碳酸铷和1mL油酸混合(即碳酸铷和碳酸铯的摩尔比为1：9)，在120℃搅拌10分钟至溶解完全后得到铷-铯前驱体溶液，冷却至室温备用；
(2)将0.81mmol溴化铅、0.09mmol溴化锡(II)和1.8mmol四辛基溴化铵、9mL甲苯在进样瓶中搅拌溶解(即溴化锡(II)和溴化铅的摩尔比为1：9)，得到锡-铅前驱体溶液，并保持700rpm的匀速搅拌，取1mL冷却好的铷-铯前驱体溶液，快速注入到铅前驱体溶液中，持续匀速搅拌5分钟后，加入3mL浓度为10mg/mL双十烷基二甲基溴化铵的甲苯溶液搅拌3分钟，得到(Cs0.8Rb0.2)Pb0.92Sn0.08Br3量子点粗溶液；
(3)采用乙酸乙酯为沉淀剂，甲苯为溶剂，取3mL粗溶液移至容量为10mL离心管中，加入3mL的沉淀剂，置于涡旋搅拌器中充分搅拌后置于离心机中。在6000rpm的转速下离心3分钟，保留沉淀，去除上层清液；
(4)配体调控后处理：将1mL甲苯滴入第一步纯化后的下层沉淀中，置于涡旋搅拌器中充分搅拌使得沉淀重新分散，接着加入426μL二甲基二癸基氯化铵的甲苯溶液(浓度为15mg/mL)，迅速至于涡旋搅拌器中搅拌，得到(Cs0.8Rb0.2)Pb0.9Sn0.1(Br/Cl)3量子点粗溶液；
(5)将配体调控后处理后的溶液加入3mL沉淀剂，置于涡旋搅拌器搅拌后至于离心机中，在8000rpm的转速下离心3分钟，保留沉淀，去除上层清液；
(6)将1mL甲苯滴入第二步纯化后的下层沉淀中，置于涡旋搅拌器中充分搅拌使得沉淀重新分散，加入3mL沉淀剂，置于涡旋搅拌器搅拌后至于离心机中，在8000rpm的转速下离心3分钟，去除上层清液；
(7)在沉淀物中滴加0.5mL正辛烷，置于涡旋搅拌器中搅拌分散，用有机相孔径0.22μm的针式过滤头过滤，获得干净的(Cs0.8Rb0.2)Pb0.92Sn0.08(Br/Cl)3量子点材料。
2.TFB空穴传输层的Rb+、Sn2+共掺蓝光钙钛矿量子点发光二极管的制备
(1)将ITO基板依次置于四氢呋喃、异丙醇、微米级半导体专用洗液(ZT-3电子洗液和去离子水按照体积比1:100组成)、去离子水和异丙醇中进行超声清洗，每次超声时间为15分钟，再将ITO基板置于烘箱内烘干，再用UV处理10分钟；
(2)将质量分数1.5％的PEDOT:PSS水溶液用孔径0.22μm的水性过滤头过滤，再旋涂在ITO基板上，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为30s，再在空气中150℃退火10分钟，形成厚度30nm的空穴注入层；
(3)将4mg/mL TFB的氯苯溶液旋涂在PEDOT:PSS上旋涂速度为4000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中140℃退火10分钟，形成厚度19nm的空穴传输层；
(4)将1中所制备的蓝光钙钛矿量子点产品旋涂在TFB上，旋涂速度为2000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中60℃退火10分钟，形成32nm厚的发光层；
(5)将器件放入真空蒸镀仓，在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层，电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯组成，厚度40nm，电子注入层由氟化锂组成，厚度1nm，阴极层为铝层，厚度100nm，再将整个器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装，即得钙钛矿量子点发光二极管。
实施例2
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法。
制备方法步骤与实施例1基本相同，不同在于：步骤1的(2)中锡-铅前驱体溶液的投料量为0.72mmol溴化铅、0.18mmol溴化锡(II)和1.8mmol四辛基溴化铵、9mL甲苯(即溴化锡(II)和溴化铅的摩尔比为1：4)。通过以上实施步骤，获得(Cs0.8Rb0.2)Pb0.84Sn0.16(Br/Cl)3量子点材料。
实施例3
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法。
制备方法步骤与实施例1基本相同，不同在于：步骤1的(2)中锡-铅前驱体溶液的投料量为0.27mmol溴化铅、0.63mmol溴化锡(II)和1.8mmol四辛基溴化铵、9mL甲苯(即溴化锡(II)和溴化铅的摩尔比为3：7)。通过以上实施步骤，获得(Cs0.8Rb0.2)Pb0.73Sn0.27(Br/Cl)3量子点材料。
实施例4
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法。
制备方法步骤与实施例1基本相同，不同在于：步骤1的(2)中锡-铅前驱体溶液的投料量为0.45mmol溴化铅、0.45mmol溴化锡(II)和1.8mmol四辛基溴化铵、9mL甲苯(即溴化锡(II)和溴化铅的摩尔比为1：1)。通过以上实施步骤，获得(Cs0.8Rb0.2)Pb0.56Sn0.47(Br/Cl)3量子点材料。
实施例5
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法。
制备方法步骤与实施例1基本相同，不同在于：将0.02934g碳酸铯、0.00231g碳酸铷和1mL油酸混合(即碳酸铷和碳酸铯的摩尔比为1：4)。
实施例6
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺的纯蓝光钙钛矿量子点及其采用CuSCN/TFB双空穴传输层的发光二极管制备方法，制备方法包括以下步骤：
CuSCN/TFB双空穴传输层蓝光钙钛矿量子点发光二极管的制备
(1)将ITO基板依次置于四氢呋喃、异丙醇、微米级半导体专用洗液(ZT-3电子洗液和去离子水按照体积比1:100组成)、去离子水和异丙醇中进行超声清洗，每次超声时间为15分钟，再将ITO基板置于烘箱内烘干，再用UV处理10分钟；
(2)将质量分数1.5％的PEDOT:PSS水溶液用孔径0.22μm的水性过滤头过滤，再旋涂在ITO基板上，旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为30s，再在空气中150℃退火10分钟，形成厚度30nm的空穴注入层；
(3)将4mg/mL CuSCN的二乙硫醚溶液旋涂在PEDOT:PSS上旋涂速度为4000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中100℃退火10分钟，形成厚度20nm的空穴传输层；
(4)将4mg/mL TFB的氯苯溶液旋涂在CuSCN上旋涂速度为4000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中140℃退火10分钟，形成厚度19nm的空穴传输层；
(5)将实施例1中制备的蓝光钙钛矿量子点(Cs0.8Rb0.2)Pb0.86Sn0.14(Br/Cl)3量子点材料旋涂在TFB上，旋涂速度为2000rpm，旋涂时间为30s，再在氮气氛围中60℃退火10分钟，形成32nm厚的发光层；
(6)将器件放入真空蒸镀仓，在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层，电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯组成，厚度40nm，电子注入层由氟化锂组成，厚度为1nm，阴极层为铝层，厚度为100nm，再将器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装，即可获得钙钛矿量子点发光二极管。
本例所制备得到的钙钛矿量子点发光二极管无空穴寄生发射，电流效率和发光亮度分别为1.93cd/A和508cd/m2，最大EQE为3.16％。
实施例7
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺的纯蓝光钙钛矿量子点及其采用CuSCN/TFB双空穴传输层的发光二极管制备方法。
制备方法步骤与实施例6基本相同，不同在于：步骤(2)中CuSCN薄膜退火温度为80℃。
本例所制备得到的钙钛矿量子点发光二极管无空穴寄生发射，电流效率和发光亮度分别为1.47cd/A和470cd/m2，最大EQE为2.32％。
实施例8
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺的纯蓝光钙钛矿量子点及其采用CuSCN/TFB双空穴传输层的发光二极管制备方法。
其制备方法步骤与实施例6基本相同，不同在于：步骤(2)中CuSCN薄膜退火温度为120℃。
本例所制备得到的钙钛矿量子点发光二极管无空穴寄生发射，电流效率和发光亮度分别为1.71cd/A和440cd/m2，最大EQE为2.78％。
实施例9
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法。
制备方法步骤与实施例1基本相同，不同在于：步骤1的(7)中正辛烷加入量0.1mL，获得浓度为150mg/mL的钙钛矿量子点溶液。
实施例10
本例为一种基于室温合成Rb+、Sn2+共掺纯蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管制备方法。
制备方法步骤与实施例1基本相同，不同在于：步骤1的(7)中正辛烷加入量2mL，获得浓度为5mg/mL的钙钛矿量子点溶液。
性能测试：
(1)对对比例1和实施例1～3的钙钛矿量子点进行TEM测试，图2给出了量子点尺寸及粒径分布，图3给出了尺寸分布图；图4给出了对比例1～2和实施例1～4的XRD图谱。
由图2和图3可以看出：对比例1的钙钛矿量子点的平均粒径为9.34nm，实施例1的钙钛矿量子点的平均粒径为9.14nm，实施例2的钙钛矿量子点的平均粒径为8.10nm，实施例3的钙钛矿量子点的平均粒径为14.49nm。与对比例1相比，实施例1～3经过Rb+和Sn2+共掺之后，钙钛矿量子点的尺寸有一定收缩且分布更为均匀。
由图4可以看出：相比于对比例，实施例2中(100)和(200)晶面的衍射峰向大衍射方向移动，其中(100)晶面的衍射角(15.03°)移动了0.086°，(200)晶面的衍射角(31.08°)移动了0.261°，并未出现明显的其他相的峰。实施例3和实施例4中出现较多的杂峰。经过适量Rb+和Sn2+共掺之后，仍为具有较好发光性能的立方相的钙钛矿结构，其结构未发生改变，而实施例3和4中杂峰的出现意味着过量Sn2+的掺杂产生了非发光相。
(2)对对比例1～2和实施例1～4的钙钛矿量子点发光二极管的电流密度、电压、亮度、电流效率和色坐标等电学性能进行测试，发光光谱如图5所示，得到的电压-电流密度-亮度曲线如图6所示，电流密度-电流效率曲线如图7所示。
由图5可知：钙钛矿量子点发光二极管的光致发射峰位置在450nm～480nm。对比例1和对比例2在443nm处有额外的发射峰，而实施例1的该寄生发射现象明显受到抑制，实施例2～4中并未出现。表明适量Rb+、Sn2+共掺之后，TFB引起的空穴寄生发射能够得到明显的抑制。
由图6可知：对比例1中，注入电压为2.8V，最大发光亮度为171cd/m2；对比例2中，注入电压为2.7V，最大发光亮度为165cd/m2；实施例1中，注入电压2.5V，最大发光亮度为267cd/m2；实施例2中，注入电压2.6V，最大发光亮度为235cd/m2；实施例3中，注入电压为2.4V，最大发光亮度为70cd/m2。实施例4中，注入电压为3.4V，最大发光亮度为44.6cd/m2。表明经过适量Rb+、Sn2+共掺之后，钙钛矿量子点发光二极管的最大亮度、漏电流均有所改善。
由图7可知：对比例1～2和实施例1～4中，最大电流效率分别为0.8cd/A、0.7cd/A、1.6cd/A、1.3cd/A、0.7cd/A和0.08cd/A，对应最大EQE分别为：0.9％、0.8％、2.2％，1.7％、1.1％和0.13％。说明钙钛矿发光二极管经过适量Rb+、Sn2+共掺之后，外量子效率显著提高，然而过量则效率降低。
(3)对实施例6～8的钙钛矿量子点发光二极管的电流密度、电压、亮度、电流效率和色坐标等电学性能进行测试，得到的电压-电流密度-亮度曲线如图8所示，电流密度-电流效率曲线如图9所示。
由图8可知：实施例6的注入电压为1.8V，最大亮度为508cd/m2；实施例7的注入电压为2.8V，最大亮度为470cd/m2；实施例8的注入电压为2.2V，最大亮度为440cd/m2。实施例6～8的在较低电压时即可注入，采用CuSCN/TFB双空穴传输层后，空穴更容易注入，同时具有后较亮的亮度，同时实施例6为最佳退火条件。
由图9可知：实施例6～8中，最大电流效率分别为1.93cd/A、1.47cd/A、1.71cd/A，对应最大EQE分别为：3.16％、2.4％，2.78％。采用CuSCN/TFB双空穴传输层后，效率有所提高，同时实施例6为最佳退火条件。
图10为实施例2钙钛矿量子点薄膜的紫外-可见吸收光谱，可以看出吸收峰位于456nm处，发射峰位于469nm处，半峰宽为17nm。
下表汇总了近年来的减铅蓝光钙钛矿量子点研究成果，可以看到，本发明实施例2的(Cs0.8Rb0.2)Pb0.86Sn0.14(Br/Cl)3量子点的发光性能在近年相关同类型工作中处于较高水平。
表1蓝光钙钛矿量子点电致发光器件的发光效率和发光强度对比
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种蓝光钙钛矿量子点发光材料，其特征在于，所述蓝光钙钛矿量子点发光材料同时含有Rb和Sn元素，其化学式为(CsxRb1-x)PbySn1-y(Br/Cl)3，x的取值范围是0.5～1.0，y的取值范围是0.5～1.0。
2.权利要求1所述的蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将铯源、铷源和油酸溶剂相互混合，在100～150℃下搅拌20～30分钟，待溶液澄清透明后，获得铷-铯前驱体溶液；
(2)将溴化亚锡、溴化铅和四正辛基溴化铵混合在甲苯中，在室温条件下搅拌溶解，得到锡-铅前驱体溶液；
(3)将步骤(1)中的铷-铯前驱体溶液加入到步骤(2)所得的锡-铅前驱体溶液中，在室温下搅拌3～5分钟，然后加入双十二烷基二甲基溴化铵溶液，获得Rb+、Sn2+共掺的钙钛矿量子点原液；
(4)将沉淀剂加入步骤(3)所得Rb+、Sn2+共掺的钙钛矿量子点原液中，离心取出沉淀物质，随后将非配位溶剂加至沉淀中再分散，得到绿光钙钛矿量子点；
(5)将含氯铵盐的甲苯溶液加入步骤(4)绿光钙钛矿量子点中进行搅拌，并加入沉淀剂离心取出沉淀物质，随后将非配位溶剂加至沉淀中再分散，重复离心，最后溶解在非配位溶剂中，获得纯蓝光钙钛矿量子点。
3.根据权利要求2所述的蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，铯源为硬脂酸铯、碳酸铯、醋酸铯和草酸铯中的一种；铷源为碳酸铷、醋酸铷中的一种；铷-铯前驱体溶液的浓度为0.05～0.15mmol/mL；铷源和铯源的投料摩尔比为1:1～1:9。
4.根据权利要求2所述的蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，锡-铅前驱体溶液的浓度为0.6～1.2mmol/mL；溴化亚锡和溴化铅的投料摩尔比为1:1～1:9。
5.根据权利要求2所述的蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)和(5)中，所述非配位溶剂为甲苯、正己烷、环己烷、苯、辛烷中的一种；所述沉淀剂为乙酸甲酯、乙酸乙酯中的一种。
6.根据权利要求2所述的蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，含氯铵盐为双十二烷基二甲基氯化铵、甲基三辛基氯化铵、四丁基氯化铵、苯乙基氯化铵、二烯丙基二甲基氯化铵、9-十八烯基氯化胺的一种或几种。
7.一种电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；其中，所述钙钛矿量子点发光层由如权利要求2～7任一项所述的方法制备的蓝光钙钛矿量子点发光材料制成。
8.根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包含的空穴传输层为双层结构。
9.根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述阳极层为ITO基板、IZO基板、FTO基板中的一种；所述空穴注入层由PEDOT:PSS组成；所述空穴传输层为硫氰酸亚铜、氧化镍纳米粒子、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]、聚乙烯咔唑、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的一种或者多种；所述电子传输层由1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、8-羟基喹啉铝、富勒烯及其衍生物、氧化锌中的一种组成；所述电子注入层由氟化锂、氟化镁、氟化钠、氯化铯、氧化铝中的一种组成；所述阴极层由金属单质、合金、金属氧化物中的一种组成。
10.根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述钙钛矿量子点发光层中，钙钛矿量子点的浓度为5～150mg/mL；量子点的粒径尺寸为3～100nm，光致发射峰位置在450～480nm。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108793234A (zh) * 2018-06-11 2018-11-13 南京理工大学 一种CsPbX3量子点室温合成法
CN112993178A (zh) * 2021-02-07 2021-06-18 凯里学院 一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法
CN114032099A (zh) * 2021-11-26 2022-02-11 四川省新材料研究中心 钙钛矿量子点的合成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108793234A (zh) * 2018-06-11 2018-11-13 南京理工大学 一种CsPbX3量子点室温合成法
CN112993178A (zh) * 2021-02-07 2021-06-18 凯里学院 一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法
CN114032099A (zh) * 2021-11-26 2022-02-11 四川省新材料研究中心 钙钛矿量子点的合成方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YANGBIN ZHU ET AL.: "Fast-response, high-stability, and high-efficiency full-color quantum dot light-emitting diodes with charge storage layer", 《SCI CHINA MATER》, vol. 65, no. 4, 29 October 2021 (2021-10-29), pages 1012 - 1019 *
肖毅 等: "共掺Rb+和Zn2+蓝光钙钛矿量子点及其发光二极管", 《发光学报》, vol. 43, no. 6, 30 June 2022 (2022-06-30), pages 901 - 910 *

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