CN108183173A - 一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

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CN108183173A CN201711341870.5A CN201711341870A CN108183173A CN 108183173 A CN108183173 A CN 108183173A CN 201711341870 A CN201711341870 A CN 201711341870A CN 108183173 A CN108183173 A CN 108183173A
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Abstract

本发明公开了一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法。它依次由透明导电玻璃层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属电极层层叠而成，所述的电子传输层为掺钇氧化锌纳米颗粒层，所述的掺钇氧化锌纳米颗粒中钇的摩尔百分比为2％～20％。本发明公开的量子点发光二极管通过溶液加工方法所制备，工艺简单可行；掺钇氧化锌纳米颗粒的工艺兼容于传统的溶胶凝胶法，实现容易，而且掺杂量可控，所得纳米颗粒电子迁移率调节范围宽，非常适合用于量子点发光器件中，以调节电子注入达到载流子平衡。

Description

一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管及其制 备方法
技术领域：
本发明属于半导体发光二极管技术领域，具体涉及一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术：
量子点发光二极管因其色彩饱和度高、发光颜色可调、耗能低等一系列优点，已成为下一代显示器件的有力竞争者。当前，相对于有机传输层结构的量子点发光器件，有机-无机杂化量子点发光二极管具有更佳的器件性能，这种性能的提高得益于高电子迁移率氧化锌纳米颗粒的应用。然而，氧化锌过高的电子迁移率容易造成过多的电子注入，导致量子点发光层出现电子积累的现象，尤其是在有机空穴传输层空穴迁移率较低情况下，空穴的注入不足更是加剧了这种载流子失衡。普遍认为，过多的电荷积累，会增大非发光复合的几率，如通过俄歇复合的过程损失能量，因而极大影响器件性能的稳定性。
调节传输层的载流子迁移率来实现注入的载流子平衡，是实现高效稳定发光二极管的必要选项。一方面可选用迁移率较高的有机小分子或导电聚合物，另一方面是通过界面方法限制氧化锌层的电子注入。但上述两种方法均有不同的缺点，如使用迁移率较高的导电聚合物一般价格昂贵，不利于商业推广，而界面方法限制电子注入工艺控制比较困难，不易实施。通过提高氧化锌纳米颗粒的导带能级位置，从而增大器件的电极-电子传输层间的势垒来限制电子注入，是综合成本工艺因素，实现高效量子点发光二极管的最佳方案之一。
近年来，关于氧化锌纳米颗粒的改性研究已有一些报道，这些报道一般是围绕纳米颗粒尺寸控制或者合金方法进行科学研究，能实现大范围的电子迁移率调节的改性氧化锌纳米颗粒，特别是应用在量子点发光二极管这一领域的实例还未有见诸报道。
发明内容：
本发明的目的是提供一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法，该掺钇氧化锌纳米颗粒导带底能级位置随着掺钇量的增大而逐渐提高，且能实现电子迁移率三个数量级的可调节范围，可以适配众多有机空穴传输层的迁移率，使得器件的载流子注入平衡的实现成为可能，对高亮度和高效率的量子点发光器件的研究和发展有着积极的促进意义。
本发明的第一个目的是提出一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管，包括依次连接的透明导电玻璃层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属电极层，所述的电子传输层为掺钇氧化锌纳米颗粒层，所述的掺钇氧化锌纳米颗粒中钇的摩尔百分比为2％～20％。掺钇氧化锌纳米颗粒的直径为2～10nm，钇的摩尔百分比，即钇/(钇+锌)的摩尔百分比为2％～20％。
所述的透明导电玻璃选自氧化铟锡玻璃(ITO)、氟掺杂氧化锡玻璃(FTO)和锡掺杂氧化锡玻璃(ATO)中的一种，所述的空穴注入层的材料选自PEDOT/PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)、MoO3和WO3中的一种，所述的空穴传输层的材料选自CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯)、TPD(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、Poly-TPD(4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物)、PVK(聚乙烯基咔唑)和TFB(聚[(N,N'-(4-正丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)])的一种，所述的量子点发光层的材料为II-VI、I-III-VI、III-V或IV族的半导体纳米晶，所述的金属电极层的材料为银、铝、金和铜中的一种。
进一步优选，所述的II-VI族纳米晶为CdSe/CdS、CdSe/ZnS或CdS/ZnS；所述的I-III-VI族纳米晶为CuInS2/ZnS或CuInSe2/ZnS；所述的III-V族纳米晶为InP/ZnS。
优选，所述的透明导电玻璃层的厚度为150～200nm、所述的空穴注入层的厚度为20～50nm、所述的空穴传输层的厚度为20～50nm、所述的量子点发光层的厚度为20～40nm、所述的电子传输层的厚度为20～100nm和所述的金属电极层的厚度为50～120nm。
优选，所述的掺钇氧化锌纳米颗粒的合成，包括以下步骤：
(1)将锌离子前驱体和钇离子前驱体依次加入第一溶剂中，搅拌使其溶解，制备得阳离子(Zn2+和Y3+)的摩尔浓度为0.05～0.2mol/L，钇/(钇+锌)的摩尔百分比为2％～20％；
(2)将阴离子前驱体加入第二溶剂中，使阴离子(OH-)的摩尔浓度为0.1～0.4mol/L，充分搅拌均匀待用；
(3)将步骤(2)得到的阴离子溶液缓慢加入步骤(1)制得的阳离子溶液中，充分搅拌反应持续0.5～24小时，阳离子溶液与阴离子溶液的体积比为3:1；
(4)向步骤(3)反应后的溶液中加入与反应后的溶液体积比为2:1～5:1的乙酸乙酯进行颗粒聚沉，待溶液由无色澄清逐渐变成乳白色，离心分离得到掺钇氧化锌纳米颗粒聚沉物，除掉掺钇氧化锌纳米颗粒聚沉物中的上清液后加入无水乙醇，进行再分散处理得到澄清纳米颗粒溶液；
(5)将步骤(4)得到的纳米颗粒溶液重复步骤(4)的处理2～3次，再加入乙醇胺，即得到掺钇氧化锌纳米颗粒；
其中，上述步骤(1)中所述的第一溶剂选自二甲基亚砜、二甲基甲酰胺中的一种，所述的锌离子前驱体选自二水乙酸锌、六水合硝酸锌和氯化锌中的一种，所述的钇离子前驱体选自四水合乙酸钇、氯化钇和六水硝酸钇中的一种；步骤(2)中所述的第二溶剂选自无水乙醇和甲醇中的一种，所述的阴离子前躯体选自四甲基氢氧化铵、氨水和氢氧化钠中的一种。乙酸乙酯的加入量为：每40mL的反应后的溶液，加入乙酸乙酯80～200mL，乙醇胺的加入量为：每40mL的反应后的溶液，加入乙醇胺100～200μL。
本发明的另一个目的是提供一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
(1)洗净后的透明导电玻璃进行紫外臭氧处理，利用旋涂工艺在经过紫外臭氧处理的透明导电玻璃表面制备空穴注入层，旋转速率3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，然后在50℃～150℃下热处理30分钟；利用旋涂工艺在所述的空穴注入层上制备空穴传输层，旋转速率3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，然后在150℃下热处理30分钟，利用旋涂工艺在所述的空穴传输层上制备量子点发光层，旋转速率3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，然后在70℃下热处理30分钟；
(2)利用旋涂工艺在所述的量子点发光层上制备掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层，然后在70℃下热处理30分钟，利用真空蒸镀将金属电极蒸镀在电子传输层上，由此得到基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管；
其中，步骤(2)所述的旋涂工艺的旋涂速度为1000～3000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，掺钇氧化锌纳米颗粒中钇的摩尔百分比为2％～20％。
所述的透明导电玻璃选自氧化铟锡玻璃(ITO)、氟掺杂氧化锡玻璃(FTO)和锡掺杂氧化锡玻璃(ATO)中的一种，所述的空穴注入层材料选自PEDOT/PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)、MoO3和WO3中的一种，所述的空穴传输层的材料选自CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯)、TPD(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、Poly-TPD(4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物)、PVK(聚乙烯基咔唑)和TFB(聚[(N,N'-(4-正丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)])的一种，所述的量子点发光层的材料为II-VI、I-III-VI、III-V或IV族的半导体纳米晶，所述的金属电极层的材料为银、铝、金和铜中的一种。
所述的透明导电玻璃依次使用甲醇、丙酮、无水乙醇和去离子水分别进行30分钟的超声清洗，清洗后的透明导电玻璃用经过过滤的干燥氮气吹干，再对干燥的透明导电玻璃进行紫外臭氧处理，改善透明导电玻璃的表面润湿性，增大透明导电玻璃层的功函数。
所述的透明导电玻璃层表面利用旋涂工艺制备空穴注入层，材料为PEDOT/PSS水溶液、MoO3乙醇溶液或WO3乙醇溶液，PEDOT/PSS水溶液的浓度为质量分数5％，MoO3乙醇溶液或WO3乙醇溶液的质量浓度为10mg/mL，旋涂转速为3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，在50℃～150℃下热处理30分钟。
所述的空穴注入层上利用旋涂工艺制备空穴传输层，材料为CBP、TPD、Poly-TPD、PVK、和TFB中的一种，上述材料的氯苯溶液、二氯苯溶液、邻二氯苯溶液、间二氯苯溶液或四氢呋喃溶液的质量浓度为5mg/mL，旋涂转速为3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，然后在150℃下热处理30分钟。
所述的空穴传输层上利用旋涂工艺制备量子点薄膜为量子点发光层，材料为CdSe/CdS、CdSe/ZnS、ZnCdS/ZnS、CuInS2/ZnS、CuInSe2/ZnS或InP/ZnS制备量子点发光层，所用量子点的正辛烷溶液、量子点的正己烷溶液或量子点的正葵烷溶液的质量浓度为20mg/mL，旋涂转速为3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，然后在70℃下热处理30分钟。
其中：上述核壳量子点的合成参照文献[Dai,X.；Zhang,Z.；Jin,Y.；Niu,Y.；Cao,H.；Liang,X.；Chen,L.；Wang,J.；Peng,X.,Solution-processed,high-performancelight-emitting diodes based on quantum dots.Nature 2014,515,96-99.]中公开的方法来完成。
掺钇氧化锌纳米颗粒溶于无水乙醇中，掺钇氧化锌纳米颗粒的质量浓度为20mg/mL，所述的量子点发光层上旋涂掺钇氧化锌纳米颗粒作为电子传输层，旋涂转速为1000～3000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，在70℃下热处理30分钟。
利用真空蒸镀法在电子传输层上制备金属薄膜为金属电极层(阴极)，真空度＜10-6torr，镀率为镀膜时间500s。
除非另有说明，本发明涉及的名词定义具有与本领域技术人员通常理解相同的含义。
与现有的技术相比，本发明的具有以下优点：
(1)本发明的量子点发光二极管制备方法为溶液处理，工艺实现简单可行，该制备方法同样适用于卷对卷或印刷技术的工业方法，利于实际生产应用。
(2)本发明中运用溶胶凝胶方法制备得到的掺钇氧化锌纳米颗粒，具有大范围电子迁移率的调节能力，因而能与多种有机小分子和导电聚合物的空穴迁移率相匹配，在发光器件中形成载流子的注入平衡，提高发光效率；该纳米颗粒应用于量子点发光二极管更是技术领域上一个新的突破，对高亮度和高效率的量子点发光器件的研究和发展有着积极的促进意义。
附图说明：
图1为本发明制备的正置结构量子点发光二极管的结构示意图；
图2为本发明的实施例2制备的掺钇氧化锌纳米颗粒的透射电子显微镜图；
图3为本发明的实施例制备的基于掺钇氧化锌量子点发光二极管的电流密度-电压-亮度(J-V-L)关系曲线图；
图4为本实施例制备的以掺钇氧化锌作为单电子传输器件所得到的电流密度-电压关系图；
附图标记说明：11、透明导电玻璃层；12、空穴注入层；13、空穴传输层；14、量子点发光层、15、掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层；16、金属电极层。
具体实施方式：
为了描述本发明，以下列出了实施例。但需要理解，本发明不限于这些实施例，只是提供实践本发明的方法。
在这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并不意在成为所描述的技术的限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式的“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指定存在叙述的特征、整体、步骤、操作和/或他们的组合。
除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与描述的技术所述领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里明确定义，否则术语(诸如常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与术语在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并不将以理想化或过于形式的含义解释它们。
除特别说明，本发明使用的试剂均为本领域技术人员使用的试剂，CdSe/CdS、CdSe/ZnS、ZnCdS/ZnS、CuInS2/ZnS、CuInSe2/ZnS和InP/ZnS核壳量子点的合成参照文献[Dai,X.；Zhang,Z.；Jin,Y.；Niu,Y.；Cao,H.；Liang,X.；Chen,L.；Wang,J.；Peng,X.,Solution-processed,high-performance light-emitting diodes based on quantumdots.Nature 2014,515,96-99.]中公开的方法来完成。
图1是本发明提供的量子点发光二极管的结构示意图，结构由下而上分别为：
透明导电玻璃层11，可以用氧化铟锡玻璃(ITO)、氟掺杂氧化锡玻璃(FTO)或锡掺杂氧化锡玻璃(ATO)；
空穴注入层12，材料可以为PEDOT/PSS、MoO3和WO3中的一种；
空穴传输层13，材料可以为CBP、TPD、Poly-TPD、PVK和TFB的一种；
量子点发光层14，材料可以为CdSe/CdS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CuInS2/ZnS、CuInSe2/ZnS或InP/ZnS；
掺钇氧化锌纳米颗粒电子电子传输层15，掺钇氧化锌纳米颗粒中钇的摩尔百分比为2％～20％。
金属电极层16，可以是银、铝、金或铜。
实施例1：
如图1所示，本实施制备所得的量子点发光二极管，结构由下而上分别为沉积在ITO玻璃上的空穴注入层12、空穴传输层13、量子点发光层14、掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层15和金属电极层16。其制备包括以下步骤：
(1)ITO玻璃的清洗处理：依次用甲醇、丙酮、无水乙醇和去离子水分别对ITO玻璃进行30分钟的超声清洗，清洗后的ITO玻璃片用经过过滤的干燥氮气吹干，对干燥后的ITO玻璃片进行紫外臭氧处理，紫外臭氧处理的作用是改善ITO玻璃片表面润湿性，增大该透明导电薄膜的功函数；
(2)PEDOT/PSS水溶液旋涂在经过紫外臭氧处理后的ITO玻璃表面制备空穴注入层，PEDOT/PSS水溶液的浓度为质量分数5％，PEDOT/PSS水溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为0.5分钟，旋涂好的PEDOT/PSS导电薄膜在150℃下热处理30分钟，得到空穴注入层，空穴注入层的厚度为50nm；
(3)CBP溶于氯苯中形成CBP氯苯溶液，CBP氯苯溶液旋涂在空穴注入层上制备空穴传输层，CBP氯苯溶液的质量浓度为5mg/mL，CBP氯苯溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为0.5分钟，旋涂好的CBP薄膜在150℃下热处理30分钟，得到空穴传输层，空穴传输层的厚度为50nm；
(4)CdSe/CdS核壳量子点溶于正辛烷形成CdSe/CdS正辛烷溶液，CdSe/CdS正辛烷溶液旋涂在空穴传输层上制备量子点发光层，CdSe/CdS正辛烷溶液的质量浓度为20mg/mL，CdSe/CdS正辛烷溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为0.5分钟，旋涂好的CdSe/CdS量子点薄膜在70℃下热处理30分钟，得到量子点发光层，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)掺钇氧化锌纳米颗粒溶于无水乙醇形成掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂在量子点发光层上制备掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液的质量浓度为20mg/mL，旋涂时间为0.5分钟，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂好的掺钇氧化锌纳米颗粒薄膜在70℃下热处理30分钟，得到电子传输层，电子传输层的厚度为100nm；
(6)利用真空蒸镀法在电子传输层上制备银金属薄膜为金属电极层(阴极)，真空度＜10-6torr，镀率为镀膜时间500s，银金属层厚度为50nm。
其中步骤(5)中掺钇氧化锌纳米颗粒的合成，包含以下步骤：
(1)将1.5mmol的二水乙酸锌和0.06mmol的氯化钇依次加入30mL的二甲基甲酰胺溶剂中，搅拌使其溶解，制备得阳离子溶液(阳离子包括Zn2+和Y3+)，阳离子溶液的摩尔浓度为0.1mol/L，其中掺杂量钇/(钇+锌)的摩尔百分比为2％；
(2)将1mmol的氢氧化钠加入10mL的无水乙醇中，搅拌均匀，得到阴离子溶液(阴离子为OH-)，阴离子溶液的摩尔浓度0.1mol/L；
(3)将步骤(2)制得阴离子溶液缓慢加入步骤(1)制得的阳离子溶液中，充分搅拌反应0.5小时；
(4)向反应后的溶液中加入200mL的乙酸乙酯进行颗粒聚沉，经离心处理，再加入5mL无水乙醇在超声的条件下进行分散；
(5)重复步骤(4)的处理2～3次，加入100μL乙醇胺作为稳定剂，得到掺钇氧化锌纳米颗粒。
实施例2：
本实施制备所得的量子点发光二极管，其制备包括以下步骤：
(1)FTO玻璃的清洗处理：依次用甲醇、丙酮、无水乙醇和去离子水分别对FTO玻璃进行30分钟的超声清洗，清洗后的FTO玻璃片用经过过滤的干燥氮气吹干，对干燥后的FTO玻璃片进行紫外臭氧处理；
(2)MoO3溶于无水乙醇中形成MoO3乙醇溶液，MoO3乙醇溶液旋涂在经过紫外臭氧处理后的FTO玻璃表面制备空穴注入层，MoO3乙醇溶液的质量浓度为10mg/mL，MoO3乙醇溶液旋涂的旋涂速度为3500rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的MoO3导电薄膜在50℃下热处理30分钟，得到空穴注入层，空穴注入层的厚度为40nm；
(3)TPD溶于二氯苯中形成TPD二氯苯溶液，TPD二氯苯溶液旋涂在空穴注入层上制备空穴传输层，TPD二氯苯溶液的质量浓度为5mg/mL，TPD二氯苯溶液旋涂的旋涂速度为3500rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的TPD薄膜并在150℃下热处理30分钟，得到空穴传输层，空穴传输层的厚度为45nm；
(4)CdSe/ZnS核壳量子点溶于正己烷形成CdS/ZnS正己烷溶液，CdSe/ZnS正己烷溶液旋涂在空穴传输层上制备量子点发光层，CdSe/ZnS正己烷溶液的质量浓度为20mg/mL，CdSe/ZnS正己烷溶液旋涂的旋涂速度为3500rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的CdSe/ZnS量子点薄膜在70℃下热处理30分钟，得到量子点发光层，量子点发光层的厚度为35nm；
(5)掺钇氧化锌纳米颗粒溶于无水乙醇形成掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂在量子点发光层上制备掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液的质量浓度为20mg/mL，旋涂时间为1分钟，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂的旋涂速度为1500rpm，旋涂好的掺钇氧化锌纳米颗粒薄膜在70℃下热处理30分钟，得到电子传输层，电子传输层的厚度为60nm；
(6)利用真空蒸镀法在电子传输层上制备铝金属薄膜为金属电极层(阴极)，真空度＜10-6torr，镀率为镀膜时间500s，铝金属层厚度为75nm。
其中步骤(5)中掺钇氧化锌纳米颗粒的合成，包含以下步骤：
(1)将2.94mmol的六水合硝酸锌和0.06mmol的氯化钇依次加入30mL的二甲基甲酰胺溶剂中，搅拌使其溶解，制备得阳离子溶液(阳离子包括Zn2+和Y3+)，阳离子溶液的摩尔浓度为0.1mol/L，其中掺杂量钇/(钇+锌)的摩尔百分比为2％；
(2)将2mmol的氢氧化钠加入10mL的甲醇中，搅拌均匀，得到阴离子溶液(阴离子为OH-)，阴离子溶液的摩尔浓度0.2mol/L；
(3)将步骤(2)制得阴离子溶液缓慢加入步骤(1)制得的阳离子溶液中，充分搅拌，反应3小时；
(4)向反应后的溶液中加入150mL的乙酸乙酯进行颗粒聚沉，经离心处理，再加入8mL无水乙醇在超声的条件下进行分散；
(5)重复步骤(4)的处理2～3次，加入120μL乙醇胺作为稳定剂，得到掺钇氧化锌纳米颗粒。
对本实施例制备的掺钇氧化锌纳米颗粒进行透射电子显微镜表征，表征结果如图2所示，由图2可知，钇掺杂纳米颗粒尺寸均匀，大小约3～5nm，且掺钇氧化锌纳米颗粒的分散性良好。对制得的量子点发光二极管的性能进行电流密度-电压-亮度(J-V-L)测试，测试结果如图3所示，以本实施例提出的掺钇氧化锌纳米颗粒作为单电子传输器件所得到的电流密度-电压关系如图4所示。
实施例3：
本实施制备所得的量子点发光二极管，其制备包括以下步骤：
(1)ATO玻璃的清洗处理：依次用甲醇、丙酮、无水乙醇和去离子水分别对ATO玻璃进行30分钟的超声清洗，清洗后的ATO玻璃片用经过过滤的干燥氮气吹干，对干燥后的ATO玻璃片进行紫外臭氧处理；
(2)WO3溶于无水乙醇中形成WO3乙醇溶液旋涂在经过紫外臭氧处理后的ATO玻璃表面制备空穴注入层，WO3乙醇溶液的质量浓度为10mg/mL，WO3乙醇溶液旋涂的旋涂速度为4000rpm，旋涂时间为2分钟，旋涂好的WO3导电薄膜在50℃下热处理30分钟，得到空穴注入层，空穴注入层的厚度为30nm；
(3)Poly-TPD溶于邻二氯苯中形成Poly-TPD邻二氯苯溶液，Poly-TPD邻二氯苯溶液旋涂在空穴注入层上制备空穴传输层，Poly-TPD邻二氯苯溶液的质量浓度为5mg/mL，Poly-TPD邻二氯苯溶液旋涂的旋涂速度为4000rpm，旋涂时间为2分钟，旋涂好的Poly-TPD薄膜在150℃下热处理30分钟，得到空穴传输层，空穴传输层的厚度为30nm；
(4)CdS/ZnS核壳量子点溶于正己烷形成ZnCdS正己烷溶液，CdS/ZnS正己烷溶液旋涂在空穴传输层上制备量子点发光层，CdS/ZnS核壳正己烷溶液的质量浓度为20mg/mL，CdS/ZnS核壳正己烷溶液旋涂的旋涂速度为4000rpm，旋涂时间为2分钟，旋涂好的CdS/ZnS核壳量子点薄膜在70℃下热处理30分钟，得到量子点发光层，量子点发光层的厚度为25nm；
(5)掺钇氧化锌纳米颗粒溶于无水乙醇形成掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂在量子点发光层上制备掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液的质量浓度为20mg/mL，旋涂时间为2分钟，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂的旋涂速度为2000rpm，旋涂好的掺钇氧化锌纳米颗粒薄膜在70℃下热处理30分钟，得到电子传输层，电子传输层的厚度为45nm；
(6)利用真空蒸镀法在电子传输层上制备铝金属薄膜为金电极层(阴极)，真空度＜10-6torr，镀率为镀膜时间500s，金膜层厚度为90nm。
本实施的掺钇氧化锌纳米颗粒的合成，包含以下步骤：
(1)将4.275mmol的氯化锌和0.225mmol的六水硝酸钇依次加入30mL的二甲基亚砜溶剂中，搅拌使其溶解，制备得阳离子溶液(阳离子包括Zn2+和Y3+)，阳离子溶液的摩尔浓度为0.15mol/L，其中掺杂量钇/(钇+锌)的摩尔百分比为5％；
(2)将3mmol的氨水加入10mL的无水乙醇中，搅拌均匀，得到阴离子溶液(阴离子为OH-)，阴离子溶液的摩尔浓度0.3mol/L；
(3)将步骤(2)制得阴离子溶液缓慢加入步骤(1)制得的阳离子溶液中，充分搅拌，反应6小时后；
(4)向反应后的溶液中加入150mL的乙酸乙酯进行颗粒聚沉，经离心处理，再加入10mL无水乙醇在超声的条件下进行分散；
(5)重复步骤(4)的处理2～3次，加入200μL乙醇胺作为稳定剂，得到掺钇氧化锌纳米颗粒。
实施例4：
本实施制备所得的量子点发光二极管，其制备包括以下步骤：
(1)ITO玻璃的清洗处理：与实施例1步骤(1)相同；
(2)PEDOT/PSS水溶液旋涂在经过紫外臭氧处理后的ITO玻璃表面制备空穴注入层，PEDOT/PSS水溶液的质量浓度为质量分数5％，PEDOT/PSS水溶液旋涂的旋涂速度为5000rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的PEDOT/PSS导电薄膜在150℃下热处理30分钟，得到空穴注入层，空穴注入层的厚度为20nm；
(3)PVK溶于间二氯苯中形成PVK间二氯苯溶液，PVK间二氯苯溶液旋涂在空穴注入层上制备空穴传输层，PVK间二氯苯溶液的质量浓度为5mg/mL，PVK间二氯苯溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的PVK薄膜在150℃下热处理30分钟，得到空穴传输层，空穴传输层的厚度为20nm；
(4)CuInS2/ZnS核壳量子点溶于正葵烷形成CdSe/CdS正葵烷溶液，CuInS2/ZnS正葵烷溶液旋涂在空穴传输层上制备量子点发光层，CuInS2/ZnS正葵烷溶液的质量浓度为20mg/mL，CuInS2/ZnS正葵烷溶液旋涂的旋涂速度为5000rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的CuInS2/ZnS量子点薄膜在70℃下热处理30分钟，得到量子点发光层，量子点发光层的厚度为20nm；
(5)掺钇氧化锌纳米颗粒溶于无水乙醇形成掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂在量子点发光层上制备掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液的质量浓度为20mg/mL，旋涂时间为1分钟，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂的旋涂速度为2500rpm，旋涂好的掺钇氧化锌纳米颗粒薄膜在70℃下热处理30分钟，得到电子传输层，电子传输层的厚度为30nm；
(6)利用真空蒸镀法在电子传输层上制备铜金属薄膜为金属电极层(阴极)，镀率为镀膜时间500s，铜金属层厚度为100nm。
其中步骤(5)的掺钇氧化锌纳米颗粒的合成，包含以下步骤：
(1)将4.05mmol的氯化锌和0.45mmol的六水硝酸钇依次加入30mL的二甲基亚砜溶剂中，搅拌使其溶解，制备得阳离子溶液(阳离子包括Zn2+和Y3+)，阳离子溶液的摩尔浓度为0.15mol/L，其中掺杂量钇/(钇+锌)的摩尔百分比为10％；
(2)将3mmol的氨水加入10mL的无水甲醇中，搅拌均匀，得到阴离子溶液(阴离子为OH-)，阴离子溶液的摩尔浓度0.3mol/L；
(3)将步骤(2)制得阴离子溶液缓慢加入步骤(1)制得的阳离子溶液中，充分搅拌，反应12小时；
(4)向反应后的溶液中加入100mL的乙酸乙酯进行颗粒聚沉，经离心处理，再加入8mL无水乙醇在超声的条件下进行分散；
(5)重复步骤(4)的处理2～3次，加入100μL乙醇胺作为稳定剂，得到掺钇氧化锌纳米颗粒。
实施例5：
本实施制备所得的量子点发光二极管，其制备包括以下步骤：
(1)ITO玻璃的清洗处理：与实施例1步骤(1)相同；
(2)PEDOT/PSS水溶液旋涂在经过紫外臭氧处理后的ITO玻璃表面制备空穴注入层，PEDOT/PSS水溶液的质量浓度为质量分数5％，PEDOT/PSS水溶液旋涂的旋涂速度为3500rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的PEDOT/PSS导电薄膜在150℃下热处理30分钟，得到空穴注入层，空穴注入层的厚度为35nm；
(3)TFB溶于甲苯中形成TFB甲苯溶液，TFB甲苯溶液旋涂在空穴注入层上制备空穴传输层，TFB甲苯溶液的质量浓度为5mg/mL，TFB甲苯溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的TFB薄膜在150℃下热处理30分钟，得到空穴传输层，空穴传输层的厚度为50nm；
(4)CuInSe2/ZnS核壳量子点溶于正葵烷形成CuInSe2/ZnS正葵烷溶液，CuInSe2/ZnS正葵烷溶液旋涂在空穴传输层上制备量子点发光层，CuInSe2/ZnS正葵烷溶液的质量浓度为20mg/mL，CuInSe2/ZnS正葵烷溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的CuInSe2/ZnS量子点薄膜在70℃下热处理30分钟，得到量子点发光层，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)掺钇氧化锌纳米颗粒溶于无水乙醇形成掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂在量子点发光层上制备掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液的质量浓度为20mg/mL，旋涂时间为1分钟，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂好的掺钇氧化锌纳米颗粒薄膜在70℃下热处理30分钟，得到电子传输层，电子传输层的厚度为20nm；
(6)利用真空蒸镀法在电子传输层上制备银金属薄膜为金属电极层(阴极)，镀率为镀膜时间500s，银金属层厚度为120nm。
本实施的掺钇氧化锌纳米颗粒的合成，包含以下步骤：
(1)将4.8mmol的二水乙酸锌和1.2mmol的四水合乙酸钇依次加入30mL的二甲基亚砜溶剂中，搅拌使其溶解，制备得阳离子溶液(阳离子包括Zn2+和Y3+)，阳离子溶液的摩尔浓度为0.2mol/L，其中掺杂量钇/(钇+锌)的摩尔百分比为20％；
(2)将4mmol的四甲基氢氧化铵加入10mL的无水乙醇中，搅拌均匀，得到阴离子溶液(阴离子为OH-)，阴离子溶液的摩尔浓度0.4mol/L；
(3)将步骤(2)制得阴离子溶液缓慢加入步骤(1)制得的阳离子溶液中，充分搅拌，反应24小时；
(4)向反应后的溶液中加入80mL的乙酸乙酯进行颗粒聚沉，经离心处理，再加入8mL无水乙醇在超声的条件下进行分散；
(5)重复步骤(4)的处理2～3次，加入120μL乙醇胺作为稳定剂，得到掺钇氧化锌纳米颗粒。
实施例6：
本实施制备所得的量子点发光二极管，其制备包括以下步骤：
(1)ITO玻璃的清洗处理：与实施例1步骤(1)相同；
(2)PEDOT/PSS水溶液旋涂在经过紫外臭氧处理后的ITO玻璃表面制备空穴注入层，PEDOT/PSS水溶液的质量浓度为质量分数5％，PEDOT/PSS水溶液旋涂的旋涂速度为3500rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的PEDOT/PSS导电薄膜在50℃下热处理30分钟，得到空穴注入层，空穴注入层的厚度为35nm；
(3)Poly-TPD溶于二甲苯中形成TPD/Poly-TPD二甲苯溶液，TPD/Poly-TPD二甲苯溶液旋涂在空穴注入层上制备空穴传输层，TPD/Poly-TPD二甲苯溶液的质量浓度为5mg/mL的Poly-TPD二甲苯溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的TPD/Poly-TPD复合薄膜在150℃下热处理30分钟，得到空穴传输层，空穴传输层的厚度为50nm；
(4)InP/ZnS核壳量子点溶于正辛烷形成InP/ZnS正辛烷溶液，InP/ZnS正辛烷溶液旋涂在空穴传输层上制备量子点发光层，InP/ZnS正辛烷溶液的质量浓度为20mg/mL，InP/ZnS正辛烷溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂时间为1分钟，旋涂好的InP/ZnS量子点薄膜在70℃下热处理30分钟，得到量子点发光层，量子点发光层的厚度为40nm；
(5)掺钇氧化锌纳米颗粒溶于无水乙醇形成掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂在量子点发光层上制备掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液的质量浓度为20mg/mL，旋涂时间为1分钟，掺钇氧化锌纳米颗粒乙醇溶液旋涂的旋涂速度为3000rpm，旋涂好的掺钇氧化锌纳米颗粒薄膜在70℃下热处理30分钟，得到电子传输层，电子传输层的厚度为20nm；
(6)利用真空蒸镀法在电子传输层上制备银金属薄膜为金属电极层(阴极)，镀率为镀膜时间500s，银金属层厚度为120nm。
按实施例2所述的掺钇氧化锌纳米颗粒合成步骤，可得到步骤(5)中掺钇氧化锌纳米颗粒。
实施例7：
与实施例2相同，不同之处在于：
掺杂量钇/(钇+锌)的摩尔百分比为5％。
对制得的量子点发光二极管的性能进行电流密度-电压-亮度(J-V-L)测试，测试结果如图3所示，以本实施例提出的掺钇氧化锌纳米颗粒作为单电子传输器件所得到的电流密度-电压关系如图4所示。
实施例8：
与实施例2相同，不同之处在于：
掺杂量钇/(钇+锌)的摩尔百分比为10％。
对制得的量子点发光二极管的性能进行电流密度-电压-亮度(J-V-L)测试，测试结果如图3所示，以本实施例提出的掺钇氧化锌纳米颗粒作为单电子传输器件所得到的电流密度-电压关系如图4所示。
实施例9：
与实施例2相同，不同之处在于：
掺杂量钇/(钇+锌)的摩尔百分比为20％。
对制得的量子点发光二极管的性能进行电流密度-电压-亮度(J-V-L)测试，测试结果如图3所示，以本实施例提出的掺钇氧化锌纳米颗粒作为单电子传输器件所得到的电流密度-电压关系如图4所示。
对比例1：
与实施例2相同，不同之处在于：
电子传输层为氧化锌纳米颗粒。以本对比例制得的量子点发光二极管的性能进行电流密度-电压-亮度(J-V-L)测试，测试结果如图3所示，以本对比例提出的掺钇氧化锌纳米颗粒作为单电子传输器件所得到的电流密度-电压关系如图4所示。
图3给出了量子点发光二极管的器件测试图；由图3可知，随着掺钇量的增加，可见器件电流密度随之逐渐下降，证实掺钇氧化锌对电流注入的有效控制；然而器件发光亮度随着掺杂量有呈现提升的趋势，说明控制电子注入能够有效地提高器件的发光性能；当氧化锌掺杂量为20％时，其器件发光亮度开始出现衰减，说明掺杂量有一个适当的优化范围值。
图4显示了以不同掺钇氧化锌纳米颗粒作为单电子传输器件所得到的电流密度-电压关系图，可见随着掺钇量的增加，电子电流密度随之逐渐下降，进一步提高掺杂量，如在掺钇量为20％(掺钇量为钇/(钇+锌))时，电子电流密度与掺杂量为10％的相近，说明掺杂量大于10％时，掺杂氧化锌对电子电流密度的改变不大，结合器件发光性能的测量结果来看，钇的最佳掺量杂范围为5％～10％。

Claims (8)

1.一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管，其特征在于，依次由透明导电玻璃层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属电极层层叠而成，所述的电子传输层为掺钇氧化锌纳米颗粒层，所述的掺钇氧化锌纳米颗粒中钇的摩尔百分比为2％～20％。
2.根据权利要求1所述的基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管，其特征在于，所述的透明导电玻璃选自氧化铟锡玻璃、氟掺杂氧化锡玻璃和锡掺杂氧化锡玻璃中的一种，所述的空穴注入层的材料选自PEDOT/PSS、MoO3和WO3中的一种，所述的空穴传输层的材料选自CBP、TPD、Poly-TPD、PVK和TFB的一种或两种，所述的量子点发光层的材料为II-VI、I-III-VI、III-V或IV族的半导体纳米晶，所述的金属电极层的材料为银、铝、金和铜中的一种。
3.根据权利要求2所述的基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管，其特征在于，所述的II-VI族纳米晶为CdSe/CdS、CdSe/ZnS或ZnCdS/ZnS；所述的I-III-VI族纳米晶为CuInS2/ZnS或CuInSe2/ZnS；所述的III-V族纳米晶为InP/ZnS。
4.根据权利要求1所述的基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管，其特征在于，所述的透明导电玻璃层的厚度为150～200nm、所述的空穴注入层的厚度为20～50nm、所述的空穴传输层的厚度为20～50nm、所述的量子点发光层的厚度为20～40nm、所述的电子传输层的厚度为20～100nm和所述的金属电极层的厚度为50～120nm。
5.根据权利要求1所述的基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管，其特征在于，所述的掺钇氧化锌纳米颗粒的制备，包括以下步骤：
(1)将锌离子前驱体和钇离子前驱体依次加入第一溶剂中，搅拌使其溶解，制备得阳离子的摩尔浓度为0.05～0.2mol/L，钇的摩尔百分比为2％～20％；
(2)将阴离子前驱体加入第二溶剂中，使阴离子的摩尔浓度为0.1～0.4mol/L，充分搅拌均匀待用；
(3)将步骤(2)得到的阴离子溶液缓慢加入步骤(1)制得的阳离子溶液中，充分搅拌反应持续0.5～24小时，阳离子溶液与阴离子溶液的体积比为3:1；
(4)向步骤(3)反应后的溶液中加入与反应后的溶液体积比为2:1～5:1的乙酸乙酯进行颗粒聚沉，待溶液变成乳白色，离心分离得到掺钇氧化锌纳米颗粒聚沉物，除掉掺钇氧化锌纳米颗粒聚沉物中的上清液后加入无水乙醇，进行再分散处理得到纳米颗粒溶液；
(5)将步骤(4)得到的纳米颗粒溶液重复步骤(4)的处理2～3次，再加入乙醇胺，得到掺钇氧化锌纳米颗粒；
其中，上述步骤(1)中所述的第一溶剂选自二甲基亚砜和二甲基甲酰胺中的一种，步骤(2)中所述的第二溶剂选自无水乙醇和甲醇中的一种。
6.根据权利要求5所述的基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管，其特征在于，步骤(1)中所述的锌离子前驱体选自二水乙酸锌、六水合硝酸锌和氯化锌中的一种，所述的钇离子前驱体选自四水合乙酸钇、氯化钇和六水硝酸钇中的一种；步骤(2)中所述的阴离子前躯体选自四甲基氢氧化铵、氨水和氢氧化钠中的一种。
7.根据权利要求1所述的基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管，其特征在于，所述的掺钇氧化锌纳米颗粒直径为2～10nm。
8.一种权利要求1～7任一项所述的基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)洗净后的透明导电玻璃进行紫外臭氧处理，利用旋涂工艺在经过紫外臭氧处理的透明导电玻璃表面运用旋转涂布法制备空穴注入层，旋转速率3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，然后在50℃～150℃下热处理30分钟；利用旋涂工艺在所述的空穴注入层上制备空穴传输层，旋转速率3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，然后在150℃下热处理30分钟，利用旋涂工艺在所述的空穴传输层上制备量子点发光层，旋转速率3000～5000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，然后在70℃下热处理30分钟；
(2)利用旋涂工艺在所述的量子点发光层上制备掺钇氧化锌纳米颗粒电子传输层，然后在70℃下热处理30分钟，利用真空蒸镀将金属电极蒸镀在电子传输层上，由此得到基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管；其中，步骤(2)所述的旋涂工艺的旋涂速度为1000～3000rpm，旋涂时间为0.5～2分钟，掺钇氧化锌纳米颗粒中钇的摩尔百分比为2％～20％。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110526277A (zh) * 2019-10-09 2019-12-03 纳晶科技股份有限公司 掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件
CN110718636A (zh) * 2018-07-11 2020-01-21 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN110828684A (zh) * 2019-11-15 2020-02-21 淮阴工学院 一种倒置qled器件及其制备方法
CN111584767A (zh) * 2020-05-27 2020-08-25 合肥福纳科技有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111584731A (zh) * 2020-05-29 2020-08-25 合肥福纳科技有限公司 电子传输材料、薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
CN111952472A (zh) * 2020-08-18 2020-11-17 福州大学 基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法
CN112117383A (zh) * 2020-09-11 2020-12-22 东北师范大学 一种结构可调节的电子传输层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法
CN112531123A (zh) * 2019-09-19 2021-03-19 Tcl集团股份有限公司 电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
CN112812765A (zh) * 2021-01-26 2021-05-18 阳明量子科技(深圳)有限公司 一种新型极性大带隙氧化锌量子点合成方法与应用
CN113066933A (zh) * 2021-03-11 2021-07-02 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置
CN113120947A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN114242921A (zh) * 2021-12-09 2022-03-25 广东省科学院半导体研究所 一种发光场效应晶体管及其制备方法
WO2024139715A1 (zh) * 2022-12-27 2024-07-04 Tcl科技集团股份有限公司 氧化锌镁的制备方法以及包含氧化锌镁的发光器件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114759A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法
CN101426948A (zh) * 2006-04-26 2009-05-06 三菱麻铁里亚尔株式会社 ZnO蒸镀材料及由其形成的ZnO膜
US20150028305A1 (en) * 2012-01-06 2015-01-29 Qd Vision, Inc. Light emitting device including blue emitting quantum dots and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114759A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法
CN101426948A (zh) * 2006-04-26 2009-05-06 三菱麻铁里亚尔株式会社 ZnO蒸镀材料及由其形成的ZnO膜
US20150028305A1 (en) * 2012-01-06 2015-01-29 Qd Vision, Inc. Light emitting device including blue emitting quantum dots and method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JINGLING LI等: ""Improved performance of quantum dot light emitting diode by modulating electron injection with yttrium-doped ZnO nanoparticles"", 《JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》 *

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110718636A (zh) * 2018-07-11 2020-01-21 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN112531123A (zh) * 2019-09-19 2021-03-19 Tcl集团股份有限公司 电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
CN110526277A (zh) * 2019-10-09 2019-12-03 纳晶科技股份有限公司 掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件
CN110828684A (zh) * 2019-11-15 2020-02-21 淮阴工学院 一种倒置qled器件及其制备方法
CN113120947A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN111584767A (zh) * 2020-05-27 2020-08-25 合肥福纳科技有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111584767B (zh) * 2020-05-27 2022-12-02 合肥福纳科技有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111584731A (zh) * 2020-05-29 2020-08-25 合肥福纳科技有限公司 电子传输材料、薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
CN111584731B (zh) * 2020-05-29 2022-09-16 合肥福纳科技有限公司 电子传输材料、薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
CN111952472A (zh) * 2020-08-18 2020-11-17 福州大学 基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法
CN112117383B (zh) * 2020-09-11 2022-07-05 东北师范大学 一种结构可调节的电子传输层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法
CN112117383A (zh) * 2020-09-11 2020-12-22 东北师范大学 一种结构可调节的电子传输层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法
CN112812765A (zh) * 2021-01-26 2021-05-18 阳明量子科技(深圳)有限公司 一种新型极性大带隙氧化锌量子点合成方法与应用
CN112812765B (zh) * 2021-01-26 2024-08-16 阳明量子科技(深圳)有限公司 一种极性大带隙氧化锌量子点合成方法与应用
CN113066933A (zh) * 2021-03-11 2021-07-02 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置
CN113066933B (zh) * 2021-03-11 2024-03-01 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置
CN114242921A (zh) * 2021-12-09 2022-03-25 广东省科学院半导体研究所 一种发光场效应晶体管及其制备方法
CN114242921B (zh) * 2021-12-09 2024-02-20 广东省科学院半导体研究所 一种发光场效应晶体管及其制备方法
WO2024139715A1 (zh) * 2022-12-27 2024-07-04 Tcl科技集团股份有限公司 氧化锌镁的制备方法以及包含氧化锌镁的发光器件

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