CN112531123A - 电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。该电子传输膜层的制备方法包括如下步骤：提供基板；将金属氧化物纳米颗粒溶于混合溶剂中，得到金属氧化物纳米颗粒溶液；其中，所述混合溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述金属氧化物纳米颗粒在所述第二溶剂中的溶解性大于在所述第一溶剂中的溶解性；将所述金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在所述基板上并经干燥处理后得到电子传输膜层。该制备方法过程中配置的金属氧化物纳米颗粒溶液具有很好的稳定性，不会受环境的温度、湿度影响，这样制得的电子传输膜层具有很好的成膜质量，可提高器件的性能和使用寿命。

Description

电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法

技术领域

本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)基于半导体量子点的发光二极管，具备颜色纯度高、发光波长可调、驱动效率高等特点，并且易于通过溶液方法制备，这样降低了发光二极管的制备成本和工艺复杂程度，是未来显示行业的重要发展技术。经过了将近25年的发展，量子点的效率已经由0.01％提升至超过20％，并且通过叠层等结构获得将27.6％(绿色)的外量子产率，从器件效率方面，量子点发光二极管已经相当接近有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)。然而，尽管量子点器件拥有上述的优势，目前器件的工作寿命仍未完全达到产业化的要求。

目前QLED的器件结构与OLED相似，通过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构，通过平衡电子和空穴的注入达到发光的效果。QLED器件将来需要通过溶液方法实现规模化量产，其中电子传输层在旋涂(或印刷打印)工艺中，它的成膜质量对于电子的注入和输入有重要的影响。

电子传输层材料为金属氧化物纳米颗粒，以醇类物质作为溶剂、通过溶液方法制备的QLED器件容易受到以下方面的影响：金属氧化物纳米颗粒在溶剂中的稳定性差，以纳米氧化锌为例，其尺寸大小约3到10nm之间，其在乙醇中的稳定性容易受到大气温度、湿度变化的影响，在室温中长时间放置容易出现浑浊甚至沉淀，因此，在旋涂(或印刷打印)工艺中影响成膜质量，进而降低器件性能和器件工作寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法，旨在解决金属氧化物纳米颗粒溶液稳定性差，从而影响电子传输膜层成膜质量的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一方面，本发明提供一种电子传输膜层的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

将金属氧化物纳米颗粒溶于混合溶剂中，得到金属氧化物纳米颗粒溶液；其中，所述混合溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述金属氧化物纳米颗粒在所述第二溶剂中的溶解性大于在所述第一溶剂中的溶解性；

将所述金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在所述基板上并进行干燥处理后得到电子传输膜层。

本发明提供的电子传输膜层的制备方法中，在配置用于制备电子传输膜层的金属氧化物纳米颗粒溶液时，在第一溶剂的基础上，还加入了第二溶剂，该第二溶剂可以使金属氧化物纳米颗粒在其中的溶解性大于在第一溶剂中的溶解性，这样可以使金属氧化物纳米颗粒更好地分散在混合溶剂中，使得金属氧化物纳米颗粒溶液具有很好的稳定性，不会受环境的温度、湿度影响，这样稳定的金属氧化物纳米颗粒溶液沉积后，会形成更加致密、平整的膜层，从而制得的电子传输膜层具有很好的成膜质量，用于量子点发光二极管中最终可提高器件的性能和使用寿命。

另一方面，本发明还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

利用本发明所述的电子传输膜层的制备方法在所述基板上制得电子传输层。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法中，其器件中的电子传输层采用本发明特有的电子传输膜层的制备方法制得，即该电子传输层制备过程中配置用于制备电子传输层的金属氧化物纳米颗粒溶液时，在第一溶剂的基础上，还加入了第二溶剂，该第二溶剂可以使金属氧化物纳米颗粒在其中的溶解性大于在第一溶剂中的溶解性，这样可以使金属氧化物纳米颗粒更好地分散在混合溶剂中，使得金属氧化物纳米颗粒溶液具有很好的稳定性，不会受环境的温度、湿度影响，这样稳定的金属氧化物纳米颗粒溶液沉积后，会形成更加致密、平整的膜层，从而制得的电子传输层具有很好的成膜质量，最终提高了器件的性能和使用寿命。

附图说明

图1为本发明实施例提供的电子传输膜层的制备方法流程示意图；

图2为本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

本发明实施例一方面提供了一种电子传输膜层的制备方法，如图1所示，该制备方法包括如下步骤：

S01：提供基板；

S02：将金属氧化物纳米颗粒溶于混合溶剂中，得到金属氧化物纳米颗粒溶液；其中，所述混合溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述第一溶剂为醇溶剂，所述金属氧化物纳米颗粒在所述第二溶剂中的溶解性大于在所述第一溶剂中的溶解性；

S03：将所述金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在所述基板上并经干燥处理后得到电子传输膜层。

本发明实施例提供的电子传输膜层的制备方法中，在配置用于制备电子传输膜层的金属氧化物纳米颗粒溶液时，在第一溶剂的基础上，还加入了第二溶剂，该第二溶剂可以使金属氧化物纳米颗粒在其中的溶解性大于在第二溶剂中的溶解性，这样可以使金属氧化物纳米颗粒更好地分散在混合溶剂中，使得金属氧化物纳米颗粒溶液具有很好的稳定性，不会受环境的温度、湿度影响，这样稳定的金属氧化物纳米颗粒溶液沉积后，会形成更加致密、平整的膜层，从而制得的电子传输膜层具有很好的成膜质量，用于量子点发光二极管可提高器件的性能和使用寿命。

在一实施例中，该第一溶剂作为主溶剂用于配制金属氧化物纳米颗粒溶液，具体为醇溶剂，醇溶剂作为主溶剂，具有低粘度和低接触角的特点，有利于金属氧化物纳米颗粒溶液的液态膜在成膜过程中铺展开。所述第一溶剂的醇溶剂选自一元醇和多元醇(如二元醇、三元醇等)中的至少一种，具体可以是一元醇也可以是多元醇的一种组分，或者可以是一元醇和多元醇的两者组合，优选一元醇。具体地，所述一元醇选自甲醇、乙醇、丙醇和丁醇(正丁醇)中的至少一种，可以是甲醇、乙醇、丙醇和丁醇中的一种组分，也可以是甲醇、乙醇、丙醇和丁醇中的两种组分，如甲醇和乙醇、甲醇和丙醇、乙醇和丁醇等，也可以是甲醇、乙醇、丙醇和丁醇中的三种组分，如甲醇、乙醇和丙醇组合，等等；其中乙醇的效果最佳；所述多元醇选自乙二醇、丙二醇和丙三醇中的至少一种，具体可以是乙二醇、丙二醇和丙三醇中的一种组分，也可以是自乙二醇、丙二醇和丙三醇中的两种组分，如自乙二醇和丙二醇、乙二醇和丙三醇等，也可以是自乙二醇、丙二醇和丙三醇中的三种组分的组合，等等。

在一实施例中，所述第二溶剂选自二甲基亚砜。金属氧化物纳米颗粒表面往往含有羟基作为表面配体，表面覆盖有羟基的金属氧化物纳米颗粒在二甲基亚砜中的溶解度高于醇类溶剂，从而提高金属氧化物纳米颗粒溶液在室温空气下的稳定性，在室温(一般指20-25℃)中长时间放置不易浑浊或沉淀。

二甲基亚砜的沸点高达189℃，不容易挥发，这样高沸点的二甲基亚砜溶剂使得稳定的金属氧化物纳米颗粒溶液沉积时成膜时间较长，从而使得膜层更加致密，而醇类溶剂相对二甲基亚砜具有低粘度和低接触角的特点，这样更有利于金属氧化物纳米颗粒溶液的液态膜在成膜过程中铺展开，因此通过加入二甲基亚砜、合理控制二甲基亚砜和醇类溶剂的比例所形成的混合溶剂，既可以利用二甲基亚砜提高金属氧化物纳米颗粒在混合溶剂中的稳定性，又可以结合醇类溶剂有利于溶液铺展成膜，从而最终可以形成致密、平整的金属氧化物纳米颗粒膜层即电子传输膜层；因此，上述混合溶剂形成的金属氧化物纳米颗粒溶液可以提升电子传输膜层的成膜性，提高电子传输膜层的成膜质量。优选地，二甲基亚砜和乙醇搭配形成的混合溶剂，对电子传输膜层的成膜质量效果更佳。

在一具体实施例中，所述金属氧化物纳米颗粒溶液中，所述第一溶剂和第二溶剂的体积比为(4-16)：1，上述体积比范围内组成的混合溶剂均能很好地起到提升金属氧化物纳米颗粒稳定性的效果，其中，8：1为最佳混合比例。在一优选实施例中，混合溶剂为体积比为8：1的乙醇和二甲基亚砜组成的混合溶剂。

在一实施例中，所述金属氧化物纳米颗粒为电子传输材料，是具有电子传输能力的带隙大于发光材料带隙的氧化物半导体纳米颗粒材料，具体选自ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的至少一种，具体可以是ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的一种组分，也可以是ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的两种组分，如ZnO和TiO₂，ZnO和和SnO₂，ZnO和Ta₂O₃等组合，也可以是ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的三种组分，如ZnO、TiO₂和ZrO₂，ZnO、TiO₂和组合，等等。上述金属氧化物纳米颗粒具有很好的电子传输功能，可制作电子传输层。具体地，所述金属氧化物纳米颗粒溶液中，金属氧化物纳米颗粒的浓度为15-60mg/mL，该浓度范围内金属氧化物纳米颗粒分散效果更佳。

在一实施例中，将金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在基板上，进行干燥处理的温度为60-140℃；干燥处理的时间为5min-2h。上述干燥条件可以很好地形成金属氧化物纳米颗粒电子传输膜层。

本发明实施例另一方面还提供一种量子点发光二极管的制备方法，其中利用了本发明实施例上述的电子传输膜层的制备方法制备该器件中的电子传输层，如图2所示，其制备方法包括如下步骤：

T01：提供基板；

T02：将金属氧化物纳米颗粒溶于混合溶剂中，得到金属氧化物纳米颗粒溶液；其中，所述混合溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述金属氧化物纳米颗粒在所述第二溶剂中的溶解性大于在所述第一溶剂中的溶解性；

T03：将所述金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在所述基板上并经干燥处理后得到电子传输层。

本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法中，其器件中的电子传输层采用本发明实施例特有的电子传输膜层的制备方法制得，该制备方法中配置用于制备电子传输层的金属氧化物纳米颗粒溶液时，在第一溶剂剂的基础上，还加入了第二溶剂，该第二溶剂可以使金属氧化物纳米颗粒在其中的溶解性大于在第一溶剂中的溶解性，这样可以使金属氧化物纳米颗粒更好地分散在混合溶剂中，使得金属氧化物纳米颗粒溶液具有很好的稳定性，不会受环境的温度、湿度影响，这样稳定的金属氧化物纳米颗粒溶液沉积后，会形成更加致密、平整的膜层，从而制得的电子传输层具有很好的成膜质量，最终提高了器件的性能和使用寿命。

具体地，上述量子点发光二极管中的电子传输层制备所用的材料和工艺参数上文已详细阐述。

在一实施例中，该制备方法为正置型量子点发光二极管的制备方法，所述基板为阳极基板，在所述基板上制得所述电子传输层之后，还包括：在所述电子传输层上制备阴极。具体地，阳极基板表面设置有量子点发光层，在量子点发光层的上依次制备电子传输层、阴极。进一步地，阳极基板表面依次层叠设置有空穴功能层和量子点发光层，在量子点发光层上依次制备电子传输层、阴极。其中，空穴功能层可以是空穴传输层，或者层叠设置的空穴注入层和空穴传输层。更进一步地，在制备阴极之前，可以在电子传输层与阴极之间制备电子注入层。

在一实施例中，该制备方法为反置型量子点发光二极管的制备方法，所述基板为阴极基板，在所述基板上制得所述电子传输层之后，还包括：在所述电子传输层上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备空穴功能层，在所述空穴功能层上制备阳极。其中，空穴功能层可以是空穴传输层，或者层叠设置的空穴注入层和空穴传输层。更进一步地，在制备电子传输层之前，可以在阴极与电子传输层之间制备电子注入层。

在一具体实施例中，一种正置型底发射结构的QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1：在透明阳极衬底上，沉积空穴注入层；

步骤S2：在空穴注入层上，沉积空穴传输层；

步骤S3：在空穴传输层上，沉积量子点发光层；

步骤S4：在量子点发光层上，沉积金属氧化物纳米颗粒溶液(溶剂包括两类，一类是醇溶剂，一类是二甲基亚砜)，得到电子传输层；

步骤S5：在电子传输层上，沉积金属阴极，阴极对可见光反射不低于98％。

在一具体实施例中，一种正置型顶发射结构的QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1：在透明阳极衬底上，沉积空穴注入层；

步骤S2：在空穴注入层上，沉积空穴传输层；

步骤S3：在空穴传输层上，沉积量子点发光层；

步骤S4：在量子点发光层上，沉积氧化物电子传输层；

步骤S5：在电子传输层上，沉积金属氧化物纳米颗粒溶液(溶剂包括两类，一类是醇溶剂，一类是二甲基亚砜)，得到电子传输层；

步骤S6：在电子传输层上沉积阴极，阴极对可见光的透射不低于90％。

在一具体实施例中，一种倒置型底发射结构的QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1：在阴极衬底上，通过蒸镀的方式沉积一层金属层(<10nm)；

步骤S2：在金属层上，沉积金属氧化物纳米颗粒溶液(溶剂包括两类，一类是醇溶剂，一类是二甲基亚砜)，得到电子传输层；

步骤S3：在电子传输层上，沉积量子点发光层；

步骤S4：在量子点发光层上，沉积空穴传输层；

步骤S5：在空穴传输层上，沉积空穴注入层；

步骤S6：在空穴注入层上沉积金属阳极，阳极对可见光反射不低于98％。

在一具体实施例中，一种倒置型顶发射结构的QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1：在阴极衬底上，通过蒸镀的方式沉积一层金属层(<10nm)；

步骤S2：在金属层上，沉积金属氧化物纳米颗粒溶液(溶剂包括两类，一类是醇溶剂，一类是二甲基亚砜)，得到电子传输层；

步骤S3：在电子传输层上，沉积量子点发光层；

步骤S4：在量子点发光层上，沉积空穴传输层；

步骤S5：在空穴传输层上，沉积空穴注入层；

步骤S6：在空穴注入层上沉积阳极，阳极可见光的透射不低于90％。

上述步骤中，空穴注入层和空穴传输层的材料选择：在底发射结构中，空穴注入层和空穴传输层可采用蒸镀或者旋涂的方式沉积，空穴注入层和空穴传输层的光学带隙不能小于量子点材料的光学带隙，否则会严重影响出光效率。空穴注入层材料包括但不限于：PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。其中，所述过渡金属氧化物包括NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种。所述金属硫系化合物包括MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的一种或多种。空穴传输层材料包括但不限于：聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯、C60中的至少一种。作为另一个实施例，所述空穴传输层选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的至少一种。

量子点发光层的材料选择：具备发光能力的直接带隙化合物半导体，包括但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地，所述量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物；所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。其中，所述的量子点发光层材料还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；具体地，所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl^-、Br^-、I^-；所述的有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH₃(CH₂)_n-2NH₃ ⁺(n≥2)或NH₃(CH₂)_nNH₃ ²⁺(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体MX₆ ^4-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX₆ ^4-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl^-、Br^-、I^-。

顶发射结构中，顶部电极的透光要求和材料选择：包括但不限于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种。其中，所述金属材料包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种。所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种。所述金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂中的一种或多种。上述金属或金属复合电极，金属部分厚度不应超过20nm，对可见光透光率不应低于90％。

本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。

实施例1

一种正置顶发射的QLED器件，其结构从下到上依次包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。该器件的制备过程如下：

步骤S1：在ITO衬底上，旋涂PEDOT：PSS，转速5000r/min，时间30秒，随后150℃加热15分钟，得到空穴注入层；

步骤S2：在空穴注入层上旋涂TFB(8mg/mL)，转速3000r/min，时间30秒，随后150℃加热30分钟，得到空穴传输层；

步骤S3：在空穴传输层上旋涂量子点(20mg/mL)，转速2000r/min，时间30秒，得到量子点发光层；

步骤S4：在量子点发光层上旋涂ZnO溶液(浓度为30mg/mL，将ZnO纳米颗粒溶于体积比为1:8的二甲基亚砜和乙醇混合溶剂中得到)，转速3000r/min，时间30秒，随后80℃加热30分钟，得到电子传输层；

步骤S5：在电子传输层上通过热蒸发蒸镀Ag，真空度不高于3x10^-4Pa，速度为1埃/秒，时间200秒，得到厚度为20nm的阴极；

通过上述步骤，最终得到顶发射的正置型量子点发光二极管。

实施例2

一种倒置底发射的QLED器件，其结构从下到上依次包括：阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴注入层、空穴传输层和阳极。该器件的制备过程如下：

步骤S1：在衬底上，通过热蒸发蒸镀Al，真空度不高于3x10^-4Pa，速度为1埃/秒，时间100秒，得到厚度为10nm的阴极；

步骤S2：在阴极上旋涂ZnO溶液(浓度为30mg/mL，将ZnO纳米颗粒溶于体积比为1:8的二甲基亚砜和乙醇混合溶剂中得到)，转速3000r/min，时间30秒，随后80℃加热30分钟，得到电子传输层；

步骤S3：在电子传输层上旋涂量子点(20mg/mL)，转速2000r/min，时间30秒，得到量子点发光层；

步骤S4：在量子点发光层上旋涂PVK(8mg/mL)，转速3000r/min，时间30秒，随后100℃加热10分钟，得到空穴传输层；

步骤S5：在空穴传输层上旋涂PMAH(8mg/mL)，转速3000r/min，时间30秒，随后100℃加热10分钟，得到空穴注入层；

步骤S6：在空穴注入层上通过热蒸发蒸镀Ag，真空度不高于3x10^-4Pa，速度为1埃/秒，时间700秒，得到厚度为70nm的阳极。

通过上述步骤，最终得到底发射的倒置型量子点发光二极管。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子传输膜层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；

将金属氧化物纳米颗粒溶于混合溶剂中，得到金属氧化物纳米颗粒溶液；其中，所述混合溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述金属氧化物纳米颗粒在所述第二溶剂中的溶解性大于在所述第一溶剂中的溶解性；

将所述金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在所述基板上并经干燥处理后得到电子传输膜层。

2.如权利要求1所述的电子传输膜层的制备方法，其特征在于，所述第二溶剂选自二甲基亚砜。

3.如权利要求1所述的电子传输膜层的制备方法，其特征在于，所述第一溶剂选自醇溶剂。

4.如权利要求3所述的电子传输膜层的制备方法，其特征在于，所述第一溶剂选自一元醇和多元醇中的至少一种。

5.如权利要求4所述的电子传输膜层的制备方法，其特征在于，所述一元醇选自甲醇、乙醇、丙醇和丁醇中的至少一种；和/或，

所述多元醇选自乙二醇、丙二醇和丙三醇中的至少一种。

6.如权利要求1所述的电子传输膜层的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒选自ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的至少一种。

7.如权利要求1-6任一项所述的电子传输膜层的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒溶液中，金属氧化物纳米颗粒的浓度为15-60mg/mL；和/或，

所述金属氧化物纳米颗粒溶液中，所述第一溶剂和所述第二溶剂的体积比为(4-16):1。

8.如权利要求1-6任一项所述的电子传输膜层的制备方法，其特征在于，所述干燥处理的温度为60-140℃；和/或，

所述干燥处理的时间为5min-2h。

9.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；

利用权利要求1-8任一项所述的电子传输膜层的制备方法在所述基板上制得电子传输层。

10.如权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述基板为阳极基板，在所述基板上制得所述电子传输层之后，还包括：在所述电子传输层上制备阴极；或者，

所述基板为阴极基板，在所述基板上制得所述电子传输层之后，还包括：在所述电子传输层上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备空穴功能层，在所述空穴功能层上制备阳极。

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