CN113707821A - 用于电子传输层的组合物及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于电子传输层的组合物及其制备方法和应用,所述组合物包括:ZnO;ZnCaO;以及第一溶剂。本发明以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层,相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层,可以有效地阻止电荷从量子点转移到电子传输层,有利于电子的传输并维持了量子点膜的电中性,使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子的快速传输,从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
Description
技术领域
本发明属于量子点电致发光器件技术领域,具体涉及一种用于电子传输层的组合物及其制备方法和应用。
背景技术
量子点具有能带可调等特性,通过控制量子点的尺寸以及组成成分就可以覆盖整个可见光区域,甚至包括近红外区域。以量子点为基础的量子点发光二极管材料,具有量子点独特的光电特性,是继LCD和OLED后最具有潜力的照明与显示技术。特别地,以量子点为基础的新一代核心显示技术,已经逐步开始了由实验室向商业化的推进。
量子点电致发光器件完全实现商业化还有很多的技术难题需要进一步的解决,其中一个重要的难题是如何提高电致发光器件效率。目前红、绿、蓝量子点量子产率都已经很高,但是基于这些量子点的电子发光器件的器件转换效率远低于其量子点的量子产率,主要的原因是器件内部电子和空穴传输平衡的问题未得到有效解决。
现有技术针对于量子点发光二极管电子传输层,比较主流的方法是采用电子迁移率较大的ZnO等金属氧化物作为电子传输层材料,但是ZnO电子传输层稳定性相对不高,ZnO表面缺陷态较多,ZnO与量子点层直接接触时,量子点与电子传输层ZnO之间电子的自发转移现象阻碍了器件效率的进一步提高,因此现有技术有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种用于电子传输层的组合物及其制备方法和应用。本发明以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层,相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层,可以有效地阻止电荷从量子点转移到电子传输层,有利于电子的传输并维持了量子点膜的电中性,使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子的快速传输,从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种用于电子传输层的组合物,根据本发明的实施例,所述用于电子传输层的组合物包括:
ZnO;
ZnCaO;以及
第一溶剂。
根据本发明实施例的用于电子传输层的组合物,Ca掺杂ZnO可以通过抬高导带来有效拓宽ZnO的带隙,由于量子点与ZnO导带的差异小,电子可以在量子点与ZnO的界面处容易发生自发的电荷转移现象,通过添加ZnCaO,具有较高导带的ZnCaO可以阻碍电子注入量子点层,从而可以轻松实现电子/空穴注入平衡。以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层,相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层,可以有效地阻止电子从量子点转移到电子传输层,有利于电子在器件中的传输并维持了量子点膜的电中性,使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子在器件中的快速传输,从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
另外,根据本发明上述实施例的用于电子传输层的组合物还可以具有如下附加的技术特征:
在本发明的一些实施例中,所述ZnO与所述ZnCaO的摩尔比例为1:(1-10)。
在本发明的一些实施例中,所述ZnO在所述组合物中的浓度为(0.1-100)mg/mL,优选(15-30)mg/mL。
在本发明的一些实施例中,所述ZnCaO在所述组合物中的浓度为(0.1-100)mg/mL,优选(15-30)mg/mL。
在本发明的一些实施例中,所述第一溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、己烷、庚烷、丙酮、乙酸乙酯、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的至少之一。
在本发明的再一个方面,本发明提出了一种制备上述用于电子传输层的组合物的方法。根据本发明的实施例,所述方法包括:
(1)制备ZnO;
(2)将含钙无机物、含锌无机物、第二溶剂以及碱混合,反应,以便得到ZnCaO;
(3)将所述ZnO、所述ZnCaO与第一溶剂混合,以便得到用于电子传输层的组合物。
根据本发明实施例的制备上述用于电子传输层的组合物的方法,Ca掺杂ZnO可以通过抬高导带来有效拓宽ZnO的带隙,由于量子点与ZnO导带的差异小,电子可以在量子点与ZnO的界面处容易发生自发的电荷转移现象,通过添加ZnCaO,具有较高导带的ZnCaO可以阻碍电子注入量子点层,从而可以轻松实现电子/空穴注入平衡。以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层,相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层,可以有效地阻止电子从量子点转移到电子传输层,有利于电子在器件中的传输并维持了量子点膜的电中性,使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子在器件中的快速传输,从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
另外,根据本发明上述实施例的制备上述用于电子传输层的组合物的方法还可以具有如下附加的技术特征:
在本发明的一些实施例中,在步骤(1)中,制备ZnO的具体过程如下:将碱与锌盐溶液进行反应,以便得到ZnO。
在本发明的一些实施例中,在步骤(1)中,所述碱选自四甲基氢氧化铵、氢氧化钾、氢氧化钠和氢氧化锂中的至少之一。
在本发明的一些实施例中,在步骤(1)中,所述锌盐溶液中的锌盐选自醋酸锌、硝酸锌和氯化锌中的至少之一。
在本发明的一些实施例中,在步骤(1)中,所述锌盐溶液中的溶剂选自二甲基亚砜、乙醇和乙酸乙酯中的至少之一。
在本发明的一些实施例中,在步骤(1)中,所述锌盐溶液中的Zn2+与所述碱中OH-的摩尔比例为1:(0.1-10)。
在本发明的一些实施例中,在步骤(1)中,所述锌盐溶液中的Zn2+的浓度为(0.1-100)mg/mL。
在本发明的一些实施例中,在步骤(2)中,所述含钙无机物与所述含锌无机物的摩尔比例为1:(0.01-100),优选1:(0.1-10)。
在本发明的一些实施例中,在步骤(2)中,所述含钙无机物与所述碱中OH-的摩尔比例为1:(2-10)。
在本发明的一些实施例中,在步骤(2)中,所述含钙无机物选自硝酸钙、氟化钙、氯化钙、溴化钙、碘化钙和硫酸钙中的至少之一。
在本发明的一些实施例中,在步骤(2)中,所述含锌无机物选自硝酸锌、氟化锌、氯化锌、溴化锌、碘化锌和硫酸锌中的至少之一。
在本发明的一些实施例中,在步骤(2)中,所述第二溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇和去离子水中的至少之一。
在本发明的一些实施例中,在步骤(2)中,所述碱选自氢氧化钠、氢氧化镁和氢氧化钾中的至少之一。
在本发明的第三个方面,本发明提出一种电子传输层。根据本发明的实施例,该电子传输层是采用上述用于电子传输层的组合物或者上述方法制备得到的用于电子传输层的组合物通过溶液旋涂法制备得到的。由此,以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层,相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层,可以有效地阻止电荷从量子点转移到电子传输层,从而实现电子/空穴注入平衡。
在本发明的第四个方面,本发明提出了一种量子点发光器件。根据本发明的实施例,所述量子点发光器件具有如上所述的电子传输层。由此,使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子在器件中的快速传输,从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本发明实施例的量子点发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种用于电子传输层的组合物,根据本发明的实施例,所述用于电子传输层的组合物包括:ZnO;ZnCaO;以及第一溶剂。由此,Ca掺杂ZnO可以通过抬高导带来有效拓宽ZnO的带隙,由于量子点与ZnO导带的差异小,电子可以在量子点与ZnO的界面处容易发生自发的电荷转移现象,通过添加ZnCaO,具有较高导带的ZnCaO可以阻碍电子注入量子点层,从而可以轻松实现电子/空穴注入平衡。以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层,相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层,可以有效地阻止电荷从量子点转移到电子传输层,有利于电子在器件中的传输并维持了量子点膜的电中性,使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子在器件中的快速传输,从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
根据本发明的一个具体实施例,所述ZnO与所述ZnCaO的摩尔比例为1:(1-10),例如1:1、1:3、1:5、1:7、1:10等,由此,在该比例范围内,能维持较快电子传输的同时,还较好地维持了膜的电中性。发明人发现,如果ZnCaO的含量过少,会造成阻碍电子注入量子点层的能力弱,会有更多的电子从电子传输层自发转移到量子点发光层,量子点层难以维持电中性,电子与空穴传输不平衡,从而影响器件效率;如果ZnCaO含量过多,因为ZnCaO的电子传输率要小于ZnO,那么会导致电子传输率过低,也会影响器件的效率。
根据本发明的再一个具体实施例,所述ZnO在所述组合物中的浓度为(0.1-100)mg/mL(例如0.1mg/mL、10mg/mL、20mg/mL、40mg/mL、60mg/mL、80mg/mL、100mg/mL等),优选(15-30)mg/mL,由此,进一步有利于电子的传递。发明人发现,如果ZnO在所述组合物中的浓度过高或者过低都不利于电子的传递,其浓度过高,会造成电子传递过快,其浓度过低,则造成电子传递过慢。
根据本发明的再一个具体实施例,所述ZnCaO在所述组合物中的浓度为(0.1-100)mg/mL(例如0.1mg/mL、10mg/mL、20mg/mL、40mg/mL、60mg/mL、80mg/mL、100mg/mL等),优选(15-30)mg/mL。发明人发现,如果ZnCaO在所述组合物中的浓度过低,会造成ZnCaO的含量过少,从而造成更多的电子从电子传输层自发转移到量子点发光层,量子点层难以维持电中性,电子与空穴传输不平衡,影响器件效率;如果ZnCaO在所述组合物中的浓度过高,会造成ZnCaO含量过多,因为ZnCaO的电子传输率要小于ZnO,那么会导致电子传输率过低,从而影响器件的效率。
在本发明的实施例中,上述第一溶剂是指能够分散ZnO和ZnCaO并且不会分解ZnO和ZnCaO的有机溶剂,其具体种类并不受特别限制,本领域人员可根据实际情况随意选择,作为一种优选的方案,所述第一溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、己烷、庚烷、丙酮、乙酸乙酯、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的至少之一,更优选乙醇。
在本发明的再一个方面,本发明提出了一种制备上述用于电子传输层的组合物的方法。根据本发明的实施例,所述方法包括:
S100:制备ZnO
在该步骤中,将碱与锌盐溶液进行反应,以便得到ZnO,反应温度为室温,反应环境为大气环境。进一步地,制备的ZnO会使用特定试剂进行清洗,所述的特定试剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、己烷、庚烷、丙酮、乙酸乙酯、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷、氯苯等不限于此中的至少一种;其中,优选乙酸乙酯和庚烷。
在本发明的实施例中,上述碱的具体种类并不受特别限制,本领域人员可根据实际需要随意选择,作为一种优选的方案,所述碱选自四甲基氢氧化铵、氢氧化钾、氢氧化钠和氢氧化锂中的至少之一。
在本发明的实施例中,上述锌盐溶液中的锌盐的具体种类并不受特别限制,本领域人员可根据实际需要随意选择,作为一种优选的方案,所述锌盐溶液中的锌盐选自醋酸锌、硝酸锌和氯化锌中的至少之一。
在本发明的实施例中,上述锌盐溶液中的溶剂的具体种类并不受特别限制,本领域人员可根据实际需要随意选择,作为一种优选的方案,所述锌盐溶液中的溶剂选自二甲基亚砜、乙醇和乙酸乙酯中的至少之一。
根据本发明的一个具体实施例,所述锌盐溶液中的Zn2+与所述碱中OH-的摩尔比例为1:(0.1-10),例如1:0.1、1:0.5、1:1、1:5、1:10等,由此,能够有效控制尺寸的比例。
根据本发明的再一个具体实施例,所述锌盐溶液中的Zn2+的浓度为(0.1-100)mg/mL(例如0.1mg/mL、10mg/mL、20mg/mL、40mg/mL、60mg/mL、80mg/mL、100mg/mL等)。
S200:将含钙无机物、含锌无机物、第二溶剂以及碱混合,反应,以便得到ZnCaO
在该步骤中,将含钙无机物、含锌无机物、第二溶剂以及碱混合,反应,以便得到ZnCaO,反应温度为室温,反应环境为大气环境。将含钙无机物、含锌无机物、第二溶剂以及碱混合的顺序并不受特别限制,可以先将含钙无机物、含锌无机物与第二溶剂混合物再加入碱混合,也可以先将碱与第二溶剂混合物再加入含钙无机物、含锌无机物混合。优选地,将含钙无机物和含锌无机物以一定摩尔比溶解在适量的第二溶剂中,制备混合液体,再向混合液体中滴加适量的含碱水溶液,制备ZnCaO。
进一步地,制备的ZnCaO会使用特定试剂进行清洗,所述的特定试剂选自去离子水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等不限于此中的至少一种;其中,优选去离子水和乙醇。
根据本发明的再一个具体实施例,所述含钙无机物与所述含锌无机物的摩尔比例为1:(0.01-100),例如,1:0.01、1:0.1、1:1、1:10、1:50、1:100,优选1:(0.1-10),由此,进一步有效控制掺杂比例。发明人发现,如果含钙无机物的含量过高,会造成ZnCaO导带过高,不利于电子传递,如果含钙无机物的含量过低,则会造成ZnCaO与ZnO导带差别过小,起不到提升导带的作用。
根据本发明的再一个具体实施例,所述含钙无机物与所述碱中OH-的摩尔比例为1:(2-10)。
在本发明的实施例中,上述含钙无机物的具体种类并不受特别限制,本领域人员可根据实际情况随意选择,作为一种优选的方案,所述含钙无机物选自硝酸钙、氟化钙、氯化钙、溴化钙、碘化钙和硫酸钙中的至少之一。
在本发明的实施例中,上述含锌无机物的具体种类并不受特别限制,本领域人员可根据实际情况随意选择,作为一种优选的方案,所述含锌无机物选自硝酸锌、氟化锌、氯化锌、溴化锌、碘化锌和硫酸锌中的至少之一。
在本发明的实施例中,上述第二溶剂的具体种类并不受特别限制,本领域人员可根据实际情况随意选择,作为一种优选的方案,所述第二溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇和去离子水中的至少之一。
在本发明的实施例中,上述碱的具体种类并不受特别限制,本领域人员可根据实际情况随意选择,作为一种优选的方案,所述碱选自氢氧化钠、氢氧化镁和氢氧化钾中的至少之一。
S300:将所述ZnO、所述ZnCaO与第一溶剂混合,以便得到用于电子传输层的组合物
在该步骤中,将所述ZnO、所述ZnCaO与第一溶剂混合,以便得到用于电子传输层的组合物,用于制备电子传输层。所述ZnO、所述ZnCaO与第一溶剂混合的具体过程并不受特别限制,可以将ZnO和ZnCaO一起加入到第一溶剂中混合,也可以先将ZnO加入到部分第一溶剂中形成第一混合液,再将ZnCaO加入到其余部分的第一溶剂中形成第二混合液,然后将第一混合液与第二混合液进行混合得到用于电子传输层的组合物,优选后者的混合方式。
根据本发明实施例的制备上述用于电子传输层的组合物的方法,Ca掺杂ZnO可以通过抬高导带来有效拓宽ZnO的带隙,由于量子点与ZnO导带的差异小,电子可以在量子点与ZnO的界面处容易发生自发的电荷转移现象,通过添加ZnCaO,具有较高导带的ZnCaO可以阻碍电子注入量子点层,从而可以轻松实现电子/空穴注入平衡。以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层,相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层,可以有效地阻止电荷从量子点转移到电子传输层,有利于电子在器件中的传输并维持了量子点膜的电中性,使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子在器件中的快速传输,从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
在本发明的第三个方面,本发明提出一种电子传输层。根据本发明的实施例,该电子传输层是采用上述用于电子传输层的组合物或者上述方法制备得到的用于电子传输层的组合物通过溶液旋涂法制备得到的。由此,以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层,相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层,可以有效地阻止电荷从量子点转移到电子传输层,从而实现电子/空穴注入平衡。
在本发明的第四个方面,本发明提出了一种量子点发光器件。根据本发明的实施例,所述量子点发光器件具有如上所述的电子传输层。由此,使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子在器件中的快速传输,从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
在本发明的实施例中,上述量子点发光器件的量子点可以包括但不限于II-V族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的至少一种。作为一个具体示例,所述量子点发光层的材料可以包括但不限于ZnSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si、Ge。进一步地,油溶性量子点表面的配体包括油酸(OA)、油胺(OAm)、辛胺,三辛基磷(TOP)、三辛基氧磷(TOPO)、十八烷基磷酸(ODPA)和十四烷基磷酸(TDPA)等,不限于此。
在本发明的实施例中,上述量子点发光器件的常规封装方式为框胶封装即UV胶与量子点发光器件的电极(阴极)不接触,如附图1所示,量子点发光器件包括ITO(阳极)、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、ZnCaO:ZnO电子传输层和阴极。
下面详细描述本发明的实施例,需要说明的是下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。另外,如果没有明确说明,在下面的实施例中所采用的所有试剂均为市场上可以购得的,或者可以按照本文或已知的方法合成的,对于没有列出的反应条件,也均为本领域技术人员容易获得的。
实施例1
本实施例以PVK、CdSe/ZnS绿色量子点为例进行详细描述:
1)制备ZnO
浓度为3M的四甲基氢氧化铵乙醇溶液,在室温条件下逐渐滴加到浓度为3.8M的醋酸锌二甲基亚砜(DMSO)溶液中,搅拌30min后,使用乙酸乙酯、庚烷清洗,得到ZnO。
将ZnO以20mg/mL的浓度分散在用于制备电子传输层的乙醇溶剂中。取ZnO和乙醇,配制ZnO电子传输层混合液。
2)制备ZnCaO
将浓度为0.4M的硝酸锌水溶液与浓度为0.1M的硝酸钙水溶液混合,向混合溶液中加入1M的氢氧化钠水溶液搅拌,直至形成乳白色。
将沉淀物用去离子水和乙醇各清洗三次,干燥后配制浓度为20mg/mL的ZnCaO电子传输层混合液,溶剂为乙醇。
3)将ZnO与ZnCaO混合,采用常规的溶液旋涂法制备量子点器件
将ZnO电子传输层混合液与ZnCaO电子传输层混合液以1:2的体积比混合,制备ZnO和ZnCaO电子传输层混合液。
将经过滤的PEDPOT:PSS(AI4083)溶液以3500rpm的转速在清洗干净的ITO玻璃基片上旋涂40s,紧接着以150℃退火20min。将空穴传输层PVK氯苯溶液(6mg/mL)以1800rpm的转速旋涂在PEDPOT:PSS(AI4083)上,时间40s,110℃退火10min。将制备好的一定浓度的CdSe/ZnS绿色量子点溶液(30mg/mL,辛烷)和以转速2000rpm、时间为60s条件旋涂,60℃退火30min。将电子传输层ZnCaO和ZnO混合液以转速2500rpm、时间为60s条件旋涂,60℃退火30min。最后在高真空2×104Pa压强下通过一个掩膜版采用热蒸的形式沉积150nm厚的铝电极,制备的QLED器件面积为4cm2。
对比例1
该对比例的电子传输层采用ZnO混合液进行旋涂,其他内容均与实施例1相同。
将上述实施例1和对比例1制备好的QLED器件采用相同的测试方式测试器件效率(EQE),结果如表1所示,从表1中可以看出,实施例1的器件效率高于对比例1的器件效率,有接近12%的提升。
表1
器件类别 | 器件效率(EQE) |
对比例1 | 9.5% |
实施例1 | 10.6% |
实施例2
本实施例以PVK,InP/ZnSe/ZnS红色量子点为例进行详细描述:
1)制备ZnO
浓度为3M的四甲基氢氧化铵乙醇溶液,在室温条件下逐渐滴加到浓度为3.8M的醋酸锌二甲基亚砜(DMSO)溶液中,搅拌30min后,使用乙酸乙酯、庚烷清洗,得到ZnO。
将ZnO以10mg/mL的浓度分散在用于制备电子传输层的乙醇溶剂中。取ZnO和乙醇,配制ZnO电子传输层混合液。
2)制备ZnCaO
将浓度为0.6M的硝酸锌水溶液与浓度为0.1M的硝酸钙水溶液混合,向混合溶液中加入1M的氢氧化钠水溶液搅拌,直至形成乳白色。
将沉淀物用去离子水和乙醇各清洗三次,干燥后配制浓度为8mg/mL的ZnCaO电子传输层混合液,溶剂为乙醇。
3)将ZnO与ZnCaO混合,采用常规的溶液旋涂法制备量子点器件
将ZnO电子传输层混合液与ZnCaO电子传输层混合液以1:2的体积比混合,制备ZnO和ZnCaO电子传输层混合液。
将经过滤的PEDPOT:PSS(AI4083)溶液以3500rpm的转速在清洗干净的ITO玻璃基片上旋涂40s,紧接着以150℃退火20min。将空穴传输层PVK氯苯溶液(6mg/mL)以1800rpm的转速旋涂在PEDPOT:PSS(AI4083)上,时间40s,110℃退火10min。将制备好的一定浓度的InP/ZnSe/ZnS红色量子点溶液(30mg/mL,辛烷)和以转速2000rpm、时间为60s条件旋涂,60℃退火30min。将电子传输层ZnCaO:ZnO以转速2500rpm、时间为60s条件旋涂,60℃退火30min。最后在高真空2×104Pa压强下通过一个掩膜版采用热蒸的形式沉积150nm厚的铝电极,制备的QLED器件面积为4cm2。
对比例2
该对比例的电子传输层采用ZnO混合液进行旋涂,其他内容均与实施例2相同。
将上述实施例2和对比例2制备好的QLED器件采用相同的测试方式测试器件效率(EQE),结果如表2所示,从表2中可以看出,实施例2的器件效率高于对比例2的器件效率。
表2
器件类别 | 器件效率(EQE) |
A | 11.9% |
B | 12.3% |
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种用于电子传输层的组合物,其特征在于,包括:
ZnO;
ZnCaO;以及
第一溶剂。
2.根据权利要求1所述的用于电子传输层的组合物,其特征在于,所述ZnO与所述ZnCaO的摩尔比例为1:(1-10)。
3.根据权利要求1所述的用于电子传输层的组合物,其特征在于,所述ZnO在所述组合物中的浓度为(0.1-100)mg/mL,优选(15-30)mg/mL;
任选地,所述ZnCaO在所述组合物中的浓度为(0.1-100)mg/mL,优选(15-30)mg/mL。
4.根据权利要求1所述的用于电子传输层的组合物,其特征在于,所述第一溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、己烷、庚烷、丙酮、乙酸乙酯、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的至少之一。
5.一种制备权利要求1-4任一项所述的用于电子传输层的组合物的方法,其特征在于,包括:
(1)制备ZnO;
(2)将含钙无机物、含锌无机物、第二溶剂以及碱混合,反应,以便得到ZnCaO;
(3)将所述ZnO、所述ZnCaO与第一溶剂混合,以便得到用于电子传输层的组合物。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在步骤(1)中,制备ZnO的具体过程如下:
将碱与锌盐溶液进行反应,以便得到ZnO;
任选地,在步骤(1)中,所述碱选自四甲基氢氧化铵、氢氧化钾、氢氧化钠和氢氧化锂中的至少之一;
任选地,在步骤(1)中,所述锌盐溶液中的锌盐选自醋酸锌、硝酸锌和氯化锌中的至少之一;
任选地,在步骤(1)中,所述锌盐溶液中的溶剂选自二甲基亚砜、乙醇和乙酸乙酯中的至少之一;
任选地,在步骤(1)中,所述锌盐溶液中的Zn2+与所述碱中OH-的摩尔比例为1:(0.1-10);
任选地,在步骤(1)中,所述锌盐溶液中的Zn2+的浓度为(0.1-100)mg/mL。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在步骤(2)中,所述含钙无机物与所述含锌无机物的摩尔比例为1:(0.01-100),优选1:(0.1-10);
任选地,在步骤(2)中,所述含钙无机物与所述碱中OH-的摩尔比例为1:(2-10)。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在步骤(2)中,所述含钙无机物选自硝酸钙、氟化钙、氯化钙、溴化钙、碘化钙和硫酸钙中的至少之一;
任选地,在步骤(2)中,所述含锌无机物选自硝酸锌、氟化锌、氯化锌、溴化锌、碘化锌和硫酸锌中的至少之一;
任选地,在步骤(2)中,所述第二溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇和去离子水中的至少之一;
任选地,在步骤(2)中,所述碱选自氢氧化钠、氢氧化镁和氢氧化钾中的至少之一。
9.一种电子传输层,其特征在于,所述电子传输层是采用权利要求1-4任一项所述的组合物或者权利要求5-8任一项所述的方法制备得到的组合物通过溶液旋涂法制备得到的。
10.一种量子点发光器件,其特征在于,所述量子点发光器件具有权利要求9所述的电子传输层。
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100122828A (ko) * | 2009-05-13 | 2010-11-23 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
US20110284825A1 (en) * | 2010-05-24 | 2011-11-24 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Organic light-emitting diodes |
CN103180993A (zh) * | 2010-11-09 | 2013-06-26 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有机电致发光器件 |
CN106410051A (zh) * | 2016-07-29 | 2017-02-15 | 宁波工程学院 | 一种金属元素掺杂ZnO纳米材料在发光二极管中的应用 |
CN109817815A (zh) * | 2017-11-20 | 2019-05-28 | 三星电子株式会社 | 量子点器件和显示设备 |
CN110526277A (zh) * | 2019-10-09 | 2019-12-03 | 纳晶科技股份有限公司 | 掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件 |
CN111244298A (zh) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种发光器件及显示器 |
US20200321548A1 (en) * | 2017-12-28 | 2020-10-08 | Tcl Technology Group Corporation | Electron transport material and formation method and quantum dot light emitting diode |
CN112447920A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | 乐金显示有限公司 | 发光二极管以及包括该发光二极管的发光装置 |
CN112531123A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | Tcl集团股份有限公司 | 电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法 |
CN112687818A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-20 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 量子点电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
-
2021
- 2021-07-08 CN CN202110771996.6A patent/CN113707821A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100122828A (ko) * | 2009-05-13 | 2010-11-23 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
US20110284825A1 (en) * | 2010-05-24 | 2011-11-24 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Organic light-emitting diodes |
CN103180993A (zh) * | 2010-11-09 | 2013-06-26 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有机电致发光器件 |
CN106410051A (zh) * | 2016-07-29 | 2017-02-15 | 宁波工程学院 | 一种金属元素掺杂ZnO纳米材料在发光二极管中的应用 |
CN109817815A (zh) * | 2017-11-20 | 2019-05-28 | 三星电子株式会社 | 量子点器件和显示设备 |
US20200321548A1 (en) * | 2017-12-28 | 2020-10-08 | Tcl Technology Group Corporation | Electron transport material and formation method and quantum dot light emitting diode |
CN111244298A (zh) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种发光器件及显示器 |
CN112447920A (zh) * | 2019-09-04 | 2021-03-05 | 乐金显示有限公司 | 发光二极管以及包括该发光二极管的发光装置 |
CN112531123A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | Tcl集团股份有限公司 | 电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法 |
CN110526277A (zh) * | 2019-10-09 | 2019-12-03 | 纳晶科技股份有限公司 | 掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件 |
CN112687818A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-20 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 量子点电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
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