CN103180993A - 有机电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有改进的光输出耦合的OLED器件，包括：基板（1）顶部上的电致发光层堆叠（2），其中，电致发光层堆叠（2）包括：具有一个或者多个有机层的有机发光层堆叠（6），所述有机发光层堆叠夹在面向基板（1）的第一电极（3）和第二电极（7）之间，以将驱动电压施加到有机发光层堆叠（6），并且第一电子传输层堆叠（4a）布置在有机发光层堆叠（6）和第二电极（7）之间，其中，电子传输层堆叠（4a）包括由具有低折射率的第一电子传输材料制成的电子传输层（41）和至少一个n掺杂层（40,42）。本发明还涉及一种制造这些OLED器件的方法。

Description

有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及具有改进的光输出耦合的有机电致发光器件的领域。
背景技术
有机电致发光二极管是器件（OLED），其中，当驱动电压施加到这种有机电致发光器件上时，有机分子发射光。OLED典型地包括具有电致发光层堆叠的透明基板，所述电致发光层堆叠沉积在基板顶部上，包括布置在两个电极层（典型地，在基板顶部上由氧化铟锡（ITO）制成的透明阳极和在有机层堆叠顶部上由铝制成的反射阴极）之间的有机发光层堆叠。因为有机分子对湿气和氧敏感，所以层堆叠由在基板顶部上密封的气密性罩盖来封装。为了操作OLED，施加几伏特（例如，2-15V）数量级的驱动电压。由于有机层和透明基板的光学属性以及在有机层与基板之间和在基板与空气之间的表面处因而得到的全反射，仅仅20%的在有机层内部所生成的光耦合出有机电致发光器件。大部分所生成的光限制在玻璃基板和有机层内部。理想的是，获得一种有机电致发光器件，其中，可以改进光输出耦合。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有改进的光输出耦合属性的OLED器件。
该目的是由一种有机电致发光器件来获得，所述有机电致发光器件包括在基板顶部上的电致发光层堆叠，其中，电致发光层堆叠包括:具有一个或者多个有机层的有机发光层堆叠，所述有机发光层堆叠夹在面向基板的第一电极和第二电极之间，以将驱动电压施加到有机发光层堆叠，并且第一电子传输层堆叠布置在有机发光层堆叠和第二电极之间，其中，电子传输层堆叠包括由具有低折射率的第一电子传输材料制成的电子传输层和至少一个n掺杂层。根据本发明，如果这些折射率接近透明材料的折射率，这些折射率被指示为低，其中光通过所述透明材料耦合出OLED器件。在所谓的底发射器的情况下，基板由透明材料制成，例如，具有大约1.5的折射率的玻璃。典型地，低折射率具有大约1.5的值。n掺杂层可以布置在电子传输层和有机发光层堆叠之间或者在电子传输层和第二电极之间。在另一个实施例中，存在布置在电子传输层堆叠内部的超过一个的n掺杂层。n掺杂层的材料可以是市场上可得到的n掺杂材料，例如，来自NOVALED的n掺杂材料。本电子传输层堆叠适于改进OLED器件的整体光输出耦合。作为示例，在底发射OLED的情况下，具有布置成接近第二电极（典型地，阴极）的低折射率的层将强烈地减少从电致发光层堆叠和透明基板之间的界面反射回来的光量，并且随后将改进耦合出OLED器件的光量。与不包括第一电子传输材料的OLED器件相比，限制在基板内的光量可能增加。然而，通过将已知的输出耦合结构应用到透明基板来进一步改进光输出耦合，限制在透明基板内的光可以耦合出来至环境中。因为OLED器件可以用于房间照明，所以在本发明内所给定或者所讨论的折射率的值涉及可见光谱内的波长。
有机电致发光器件可以利用有机小分子或者聚合物，以在有机发光层堆叠内部产生光。因此，OLED可以称为小分子有机发光器件（SMOLED）或者聚合物发光器件（PLED）。然而，SMOLED是优选的，这是由于它们较好的光发射性能。发射通过基板的光的OLED指示为底发射器。底发射器的基板由透明材料（例如，玻璃或者塑料）制成，其具有两个基本平行的表面。发射通过与基板相对的OLED的侧面的光的OLED被指示为顶发射器。电致发光层堆叠包括为阳极和阴极的至少两个电极以及在它们之间的有机发光层堆叠。典型地，第一电极是阳极以及第二电极是阴极。有机发光层堆叠可以由单个发光层构成或者可以包括多个有机层，例如，空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、一个或者多个发光层，例如，包括具有嵌入式发光分子的基质材料。包括不同数量/类型的层的大量不同电致发光层堆叠对于本领域普通技术人员是已知的，其能够根据理想的应用来选择合适的电致发光层堆叠。在底发射器的情况下，沉积到基板顶部上的电极是作为第一电极的透明的阳极，例如，由氧化铟锡（ITO）制成。第二电极可以是铝。根据本发明的OLED器件可以是底发射器或者顶发射器。
电致发光层堆叠可以由罩盖来覆盖，以便于防止湿气或者氧透入有机发光层堆叠，从而提供具有足够寿命时间的OLED。罩盖由任何合适的刚性材料制成，其提供防备湿气和/或氧扩散进入罩盖和基板之间的封装容积的足够障碍。通过应用是足够气密的合适密封材料，罩盖密封在基板顶部上，至少防备湿气和氧，例如，玻璃料（非导电材料）或者导电的密封材料（例如，具有导电填充物的环氧胶）。术语“密封在基板顶部上”指示罩盖和基板之间的紧密连接。在基板顶部上具有附加层（例如，用于第一和/或第二电极的接触垫）的情况下，罩盖横过这些层密封到基板。罩盖具有内侧和外侧，其中，内侧指示罩盖面向（多个）电致发光层堆叠的侧面。外侧相应地是罩盖的另外的侧面。罩盖的形状适于在罩盖的内侧和电致发光层堆叠之间提供间隙。在另外的情况中，间隙可以填充有惰性流体。间隙将防止罩盖免受来自OLED器件外侧、到达电致发光层的任何机械冲击。吸气剂（getter）材料将布置在间隙内侧，典型地，附着到罩盖的内侧。罩盖和电致发光层堆叠之间的间隙可以具有高达几毫米的尺寸。典型地，间隙填充有气体，例如，干燥氮气。可替代的，间隙可以填充有干燥的环境气体。在顶发射OLED的情况下，罩盖必须是透明的，例如，是由玻璃制成的罩盖。
在一个实施例中，第一电子传输材料具有在1.3和1.65之间的折射率n，优选地在1.4和1.57之间的折射率。相邻层的对于在可见光谱内的波长的折射率典型地是：1.46-1.56（作为基板的硼硅酸盐或者冕牌玻璃），1.8-2.0（作为第一电极的ITO）以及用于有机层的1.8-1.9。第一电子传输材料应当具有接近基板折射率的折射率n，优选地，与基板相同的值n。与这些折射率相比较，低-n电子传输层的折射率低于其它有机层的折射率，与不具有这种低-n电子传输层的OLED器件相比，这在某驱动电压处导致了改进的光输出耦合和因此导致了具有改进亮度的OLED器件。进一步有益的是，利用具有低折射率的电子传输材料代替存在于电致发光层堆叠的其它层中的电子传输材料，例如，在有机发光层堆叠内部的电子传输层（ETL-层），因为这将降低所有有机层的平均折射率并且随后否则在第一电极/有机发光层堆叠中被导波（wave guide）的至少部分光能够透入玻璃基板。
在一个实施例中，第一电子传输材料是包括氟原子的有机化合物。与不包括氟原子的相应分子相比，该氟原子减少折射率。含有氟原子的电子传输（或者传导）材料具有低折射率。因此有益的是，使用氟化电子传输材料代替常见的电子传输（或者传导）材料。氟化电子传输材料典型地具有在1.3和1.65的范围内部变化的折射率。优选地，第一电子传输材料被完全氟化。在优选的实施例中，第一电子传输材料是具有以下化学式的2,4,6-三-（九氟联苯）-1,3,5-三嗪，其根据特定波长具有范围在1.53和1.57之间的折射率：
Figure 2011800540184100002DEST_PATH_IMAGE001
而且，2，4，6-三-（九氟联苯）-1，3，5-三嗪是稳定的化合物，其对于OLED器件提供良好的寿命时间属性。
在一个实施例中，第一电子传输层堆叠还包括两个n掺杂层，其中，电子传输层布置在两个n掺杂层之间，以改进电子传输层堆叠的光输出耦合属性。
在另一个实施例中，有机电致发光器件还包括：布置在第一电极和有机发光层堆叠之间的第一电荷生成层堆叠，其中，第一电荷生成层堆叠至少包括：面向第一电极的n掺杂层和面向有机发光层堆叠的p掺杂层，并且至少第二电子传输层堆叠布置在第一电荷生成层堆叠和第一电极之间，所述第二电子传输层堆叠包括由第一电子传输材料制成的至少另一个电子传输层。第一电荷生成层堆叠的n掺杂层和p掺杂层的材料可以是市场上可得到的材料，例如，来自NOVALED的n和p掺杂材料。面向电子传输材料的电荷生成层的n掺杂层同时充当作为第二电子传输层堆叠的一部分的n掺杂层。因此，第二电子传输层堆叠可以被视为还包括至少一个n掺杂层的层堆叠，正如已经被指定用于第一电子传输层的。
通常，电子传输层（ETL）和空穴传输层（HTL）可以仅仅用在OLED堆叠的阴极侧（ETL）或者阳极侧（HTL）。出于光学输出耦合的原因，在发光侧使用具有低折射率的材料允许来自有机层的光进入玻璃基板的进一步改进的输出耦合并且随后从玻璃中输出到OLED器件的环境中。根据本发明布置在第二电子传输层堆叠中的第一电子传输材料具有能够进一步改进光输出耦合的足够低的折射率。为了发射光，布置在发光侧的电极必须是透明的。足够导电并且同时是透明的材料是金属氧化物，例如，通常用作阳极的ITO。第二电极必须是反射的，以便于提供仅仅向一侧发射光的OLED并且因此可以由具有适合形成阴极的良好导电属性的金属制成。为了能够将第二电子传输层堆叠布置接近透明阳极（第一电极），第一电荷生成层堆叠必须布置在有机发光层堆叠和在电极的阳极侧包括第一电子传输材料的电子传输层堆叠之间。 第一电荷生成层堆叠以此方式工作为反向工作的pn结，以使得由于能带弯曲，电子能够从最高被占用分子轨道（HOMO）隧穿到最低被占用分子轨道（LUMO）。该隧穿过程为堆叠的OLED供给了载流子（电子或者空穴），在第一电荷生成层在阳极侧处的情况下，供给的载流子是空穴。该概念还可以用于堆叠，以使得对于堆叠中的n个OLED，（n-1）个电荷生成层是必须的。电荷生成层可以在它们的功能方面与金属的中间电极相比较，因为它们供给载流子。利用该第一电荷生成层堆叠，具有低折射率的第一电子传输材料的光学属性还可以用在是阳极的第一电极的侧面，如果被应用为第二电子传输层堆叠的话。在底发射OLED的情况下，被布置成接近阳极、具有低折射率的层将强烈地减少从界面反射到透明基板的光量，并且随后将改进耦合出OLED器件的光量。与不包括第一电子传输材料的OLED器件相比较，限制在基板内的光量可能增加。然而，通过将已知的输出耦合结构应用到透明基板来进一步改进光输出耦合，限制在透明基板内的光可以耦合出来到环境中。因为OLED器件可以用于房间照明，在本发明内所给出的或者所讨论的折射率的值涉及的是可见光谱内的波长。
附加地，第一电荷生成层从ITO阳极的功函数中去耦合（de-couple）OLED堆叠的电荷注入属性，从而维持OLED器件的良好电荷注入属性。特别地，从作为第一电极的ITO阳极注入空穴关键取决于ITO材料的功函数。在沉积之前清洁ITO层或者ITO表面的制备可以对ITO的功函数以及因此对注入势垒起强烈的影响。使用包括面向第一电极的n掺杂层和面向有机发光层堆叠的p掺杂层的电荷生成层堆叠实现在用于电荷传输的空穴和电子传输之间切换。在施加驱动电压和因此施加跨越电致发光层的电场之后，电荷生成层堆叠分离电子和空穴。阳极侧（此处为第一电极）的电子可以容易地到达阳极，而不经历能量势垒。该技术从电致发光层堆叠的剩余层去耦合（de-couple）第一电极。
在另一个实施例中，第二电子传输层堆叠还包括：布置在第一电子传输层和第一电极之间的n掺杂层，以进一步地改进第二电子传输层堆叠的光输出耦合属性。该n掺杂层还用来进一步地改进电子从电子传输层注入第一电极。合适的掺杂级别典型地为：3-10%。
该（多个）电子传输层堆叠至少降低了所有有机层的平均折射率，并且随后否则在第一电极/有机发光层堆叠中被导波的光的至少一部分能够透入玻璃基板。
在另一个实施例中，电致发光层堆叠还包括：布置在第一电子传输层堆叠和第二电极之间的第二电荷生成层堆叠，其中，第二电荷生成层堆叠包括n掺杂层和p掺杂层，其中，p掺杂层面向第二电极。使用第二电荷生成层堆叠能够将用于电荷传输的空穴传输层用在阴极侧上。它还从作为阴极的第二电极的功函数去耦合OLED堆叠的电荷注入属性，从而进一步改进OLED器件的电荷注入属性。在将驱动电压以及因此将电场施加跨越电致发光层时，第二电荷生成层堆叠也分离电子和空穴。来自阴极侧（此处为第二电极）处p掺杂层的空穴可以容易地到达阴极，而不经历能量势垒。该技术从电致发光层堆叠的剩余层去耦合第二电极。第二电荷生成层堆叠的n掺杂和p掺杂层材料可以是市场上可得到的材料，例如，来自NOVALED的n和p掺杂材料。在优选的实施例中，第二空穴传输层布置在第二电荷生成层堆叠和第二电极之间，优选地，附加地，p掺杂中间层布置在空穴传输层和第二电极之间。第二空穴传输层进一步改进了该第二电荷生成层的效果。
在本发明可替代的实施例中，布置在有机发光层堆叠和第二电极之间的第一电子传输层堆叠可以由第二电荷生成层和空穴传输层来代替，所述空穴传输层布置在第二电荷生成层和第二电极之间，还具有可与第一电子传输材料的折射率进行比较的低折射率。该可替代的实施例还提供具有改进的光输出耦合属性的OLED器件。为了能够将空穴传输层应用到是阴极的情况下的第二电极的侧面，需要电荷生成层，以用于与之前描述用于第一电荷生成层能够在是阳极的第一电极侧面使用电子传输层的相同目的。
在另一个实施例中，第一电荷生成层堆叠和/或第二电荷生成层堆叠还包括n和p掺杂层之间的势垒层，以便于至少阻碍n掺杂剂扩散进p掺杂层和/或p掺杂剂扩散进n掺杂层。势垒层具有典型地1-10nm的厚度。合适的势垒层例如是来自NOVALED的pentacen或者NET-39。
本发明还涉及制造如本发明所要求保护的具有电致发光层堆叠的有机电致发光器件的方法，包括以下步骤：
- 提供覆盖有至少第一电极的基板；
- 至少将有机发光层堆叠沉积到第一电极顶部上；
- 将包括由具有低折射率的第一电子传输材料制成的电子传输层和至少一个n掺杂层的第一电子传输层堆叠沉积到有机发光层堆叠顶部上；以及
- 将第二电极沉积到第一电子传输层堆叠顶部上。
根据本发明，如以上所要求保护的层堆叠提供了一种顶发射OLED器件。附加地，电致发光层堆叠可以例如，由罩盖来封装。罩盖可以装备有吸气剂材料。有机层可以通过热蒸发来沉积。在空穴传输层的情况下，这些层可以可替代地由旋涂来沉积。
在一个实施例中，沉积第一电子传输层堆叠的步骤包括以下步骤：
- 将n掺杂层沉积到有机发光层堆叠顶部上；
- 将电子传输层沉积到n掺杂层顶部上；以及
- 将另一个n掺杂层沉积到第一电子传输层顶部上。
作为示例，n掺杂层可以利用与之前描述相同的沉积技术来沉积。
在另一个实施例中，方法还包括以下步骤：
- 将包括由第一电子传输材料制成的至少另一个电子传输层的第二电子传输层堆叠沉积到第一电极顶部上；以及
- 将第一电荷生成层堆叠沉积到第二电子传输层堆叠顶部上，其中，第一电荷生成层堆叠至少包括：n掺杂层和面向有机发光层堆叠的p掺杂层。
在另一个实施例中，沉积第二电子传输层堆叠的步骤还包括以下步骤：将n掺杂层沉积到电子传输层和第一电极之间。作为示例，n掺杂层可以利用与之前描述相同的沉积技术来沉积。
在另一个实施例中，方法还包括以下步骤：将第二电荷生成层堆叠沉积到第一电子传输层堆叠和第二电极之间，其中，第二电荷生成层堆叠包括：n掺杂层和p掺杂层，其中，p掺杂层面向第二电极。第二电荷生成层堆叠可以以与第一电荷生成层堆叠相同的方式来沉积。
在本方法的可替代实施例中，将包括由具有低折射率的第一电子传输材料制成的电子传输层和至少一个n掺杂层的第一电子传输层堆叠沉积到有机发光层堆叠顶部上的步骤可以由将电荷生成层堆叠沉积到有机发光层堆叠和第二电极之间的步骤来代替，其中，该电荷生成层堆叠包括n掺杂层和p掺杂层，其中，p掺杂层面向第二电极。该电荷生成层堆叠可以以与第二电荷生成层堆叠相同的方式来沉积。而且，将空穴传输层或者空穴传输层堆叠沉积在电荷生成层堆叠和第二电极之间，其中，根据本发明，空穴传输层由具有低折射率的空穴传输材料制成。
附图说明
参考以下所述的实施例，本发明的这些和其它方面将是清晰的并且被阐述。
在图中：
图1：根据本发明的有机电致发光器件的实施例。
图2：根据本发明的有机电致发光器件的另一个实施例，其具有布置在n掺杂层之间的第一电子传输层堆叠的电子传输层。
图3：根据本发明的有机电致发光器件的另一个实施例，其具有电荷生成层堆叠以及布置在电荷生成层堆叠和第一电极之间的附加的第二电子层堆叠。
图4：根据图3的有机电致发光器件的另一个实施例，其具有在面向第一电极的第二电子传输层堆叠内部的附加的n掺杂层。
图5：根据本发明的有机电致发光器件的另一个实施例，其具有在第一电子传输层堆叠和第二电极之间的第二电荷生成层堆叠。
图6：可替代的实施例，其中，第一电子传输层堆叠被电荷生成层堆叠和由低折射率材料制成的空穴传输层来代替。
具体实施方式
图1示出了根据本发明的OLED的实施例，其中，电致发光层堆叠2沉积在透明的硼硅酸盐玻璃基板1顶部上，其中，电致发光层堆叠2包括：具有空穴传输层61（例如，α-NPD）、发光层62（例如，α-NPD：Ir（MDQ）2acac），以及电子传输层63（例如，Alq3）的有机发光层堆叠6，其夹在朝向玻璃基板1的由ITO制成的第一电极3和由铝制成的第二电极7之间，从而将典型地在2-15V之间的驱动电压施加到有机发光层堆叠6。而且，第一电子传输层堆叠4a布置在有机发光层堆叠6和第二电极7之间，其中，电子传输层堆叠4a包括：由具有低折射率的第一电子传输材料制成的电子传输层41和至少一个n掺杂层。第一电子传输材料可以由包括氟原子的有机化合物组成，以便于获得低折射率。优选地，第一电子传输材料具有折射率n≤1.6，更优选地，折射率≤1.5。图1中以及以下图中所示出的OLED器件示出为所谓的底发射器，因为光10发射通过透明基板。然而，在另一个实施例中，光还可以发射通过第二电极。在优选的实施例中，第一电子传输材料是具有以下化学式的2，4，6三-（九氟联苯）-1，3，5三嗪，其根据特定的波长具有范围在1.53和1.57之间的折射率：
Figure 940908DEST_PATH_IMAGE002
电致发光层堆叠内的层的典型厚度可以在3nm和300nm之间变化。在另一个实施例中，附加的p掺杂中间层（此处未示出）可以布置在空穴传输层61和第一电极3之间。
图2示出了根据本发明的有机电致发光器件的另一个实施例，其中，第一电子传输层堆叠4b的电子传输层41布置在n掺杂层40、42之间。
图3示出了根据本发明的有机电致发光器件的另一个实施例，其中，电荷生成层堆叠5和附加的第二电子传输层堆叠4b布置在电荷生成层堆叠5和第一电极3之间。第一电荷生成层堆叠5至少包括面向第一电极3的n掺杂层51和面向有机发光层堆叠6的p掺杂层53。此处，n掺杂层51具有还充当作为第二电子传输层堆叠4b的一部分的n掺杂层的双重功能。而且，势垒层52布置在n和p掺杂层51、53之间，以便于至少阻碍n掺杂剂扩散进p掺杂层53，和/或p掺杂剂扩散进n掺杂层51。第二电子传输层堆叠4b可以包括如存在于第一电子传输层堆叠4a中的由第一电子传输材料制成的相同电子传输层。
图4示出了根据图3的有机电致发光器件的另一个实施例，其中，第二电子传输层堆叠4b内部的附加的n掺杂层40面向第一电极3，以便于将电子传输层41夹在两个n掺杂层40、42（51）之间。
图5示出了根据本发明的有机电致发光器件的另一个实施例，其中，第二电荷生成层堆叠9在第一电子传输层堆叠4a和作为阴极的第二电极7之间，以便于将阴极从剩余的电致发光层堆叠中去耦合。在该实例中，空穴传输层8布置在第二电荷生成层堆叠9和阴极7之间。在另一个实施例中，附加的p掺杂中间层（此处未示出）可以布置在空穴传输层和第二电极7之间。
图6示出了可替代的实施例，其中，第一电子传输层堆叠4a由电荷生成层堆叠9和由低折射率材料制成的空穴传输层8来代替。此处，OLED器件可以包括仅仅一个电荷生成层堆叠9。根据图6的OLED器件的可替代实施例可以附加地包括第一电荷生成层堆叠5和第二电子传输层堆叠4b，正如图4和5中所示出的。
在根据本发明的有机电致发光器件的另一个可替代实施例中，电致发光层堆叠可以布置为顶发射器，其中，光被发射通过与基板侧相对的侧面。与如前图所示出的作为底发射器的OLED器件相反，顶发射OLED器件包括透明的第二电极和不必是透明的第一电极。基板不必是透明的，例如，是金属基板。电致发光层堆叠2被封装以防止湿气和/或者氧透入电致发光层2。在顶发射OLED器件的情况中，该封装必须是透明的，例如，为由玻璃制成的罩盖。
虽然本发明已经在图和在先的描述中被图示和描述，但是这种图示和描述将被考虑为图示性的或者实例性的并且不是限制性的；本发明不限于所公开的实施例。通过研究图、公开内容和所附权利要求，对于所公开的实施例的其它变型可以由本领域普通技术人员在实践所要求保护的发明时理解和实施。在权利要求中，单词“包括”不排除其它元件或者步骤，以及不定冠词“一”不排除多个。在相互不同的从属权利要求中陈述某些方法的仅有事实不指示这些方法的结合不能被使用以获益。权利要求中的任何附图标记不解释为限制范围。
附图标记列表
1    基板
2    电致发光层堆叠
3    第一电极
4a   第一电子传输层堆叠
4b   第二电子传输层堆叠
40   第一/第二电子传输层堆叠的n掺杂层
41   由第一/第二电子传输层堆叠的第一电子传输材料制成的电子传输层
42   第一/第二电子传输层堆叠的n掺杂层
5    第一电荷生成层堆叠
51   第一电荷生成层堆叠的n掺杂层
52   第一电荷生成层堆叠的势垒层
53   第一电荷生成层堆叠的p掺杂层
6    有机发光层堆叠
61   空穴传输层
62   发光层
63   电子传输层
7    第二电极
8    第二空穴传输层
9    第二电荷生成层堆叠
91   第二电荷生成层堆叠的n掺杂层
92   第二电荷生成层堆叠的势垒层
93   第二电荷生成层堆叠的p掺杂层
10   从OLED器件发射的光

Claims (15)

1.一种有机电致发光器件，包括：基板（1）顶部上的电致发光层堆叠（2），其中，电致发光层堆叠（2）包括，具有一个或者多个有机层的有机发光层堆叠（6），所述有机发光层堆叠夹在面向基板（1）的第一电极（3）和第二电极（7）之间，以将驱动电压施加到有机发光层堆叠（6），并且第一电子传输层堆叠（4a）布置在有机发光层堆叠（6）和第二电极（7）之间，其中，电子传输层堆叠（4a）包括由具有低折射率的第一电子传输材料制成的电子传输层（41）和至少一个n掺杂层（40,42）。
2.如权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于，第一电子传输材料具有1.3和1.65之间的折射率n，优选地1.4和1.57之间的折射率n。
3.如权利要求1或者2的有机电致发光器件，其特征在于，第一电子传输层材料是包括氟原子的有机化合物，优选地，第一电子传输材料是完全氟化的。
4.如权利要求3的有机电致发光器件，其特征在于，第一电子传输材料是：2，4，6-三-（九氟联苯）-1，3，5-三嗪。
5.如前述权利要求中任何一个的有机电致发光器件，其特征在于，第一电子传输层堆叠（4a）还包括两个n掺杂层（40,42），其中，电子传输层（41）布置在两个n掺杂层（40,42）之间。
6.如前述权利要求中任何一个的有机电致发光器件，其特征在于，有机电致发光器件还包括：布置在第一电极（3）和有机发光层堆叠（6）之间的第一电荷生成层堆叠（5），其中，第一电荷生成层堆叠（5）至少包括面向第一电极（3）的n掺杂层（51）和面向有机发光层堆叠（6）的p掺杂层（53），并且至少第二电子传输层堆叠（4b）布置在第一电荷生成层堆叠（5）和第一电极（3）之间，所述第二电子传输层堆叠包括由第一电子传输材料制成的至少另一个电子传输层（41）。
7.如权利要求6的有机电致发光器件，其特征在于，第二电子传输层堆叠（4b）还包括：布置在电子传输层（41）和第一电极（3）之间的n掺杂层（40）。
8.如前述权利要求中任何一个的有机电致发光器件，其特征在于，电致发光层堆叠（2）还包括：布置在第一电子传输层堆叠（4a）和第二电极（7）之间的第二电荷生成层堆叠（9），其中，第二电荷生成层堆叠（9）包括：n掺杂层（91）和p掺杂层（93），其中，p掺杂层（93）面向第二电极（7）。
9.如权利要求8的有机电致发光器件，其特征在于，第二空穴传输层（8）布置在第二电荷生成层堆叠（9）和第二电极（7）之间，优选地，附加地，p掺杂中间层布置在空穴传输层（8）和第二电极（7）之间。
10.如权利要求1或者8的有机电致发光器件，其特征在于，第一电荷生成层堆叠（5）和/或第二电荷生成（9）层堆叠还包括：n和p掺杂层（51,53,91,93）之间的势垒层（52,92），以便于至少阻碍n掺杂剂扩散进p掺杂层（53,93）和/或p掺杂剂扩散进n掺杂层（51,91）。
11.一种制造如权利要求1所述具有电致发光层堆叠（2）的有机电致发光器件的方法，包括以下步骤：
- 提供覆盖有至少第一电极（3）的基板（1）；
- 至少将有机发光层堆叠（6）沉积到第一电极（3）顶部上；
- 将包括由具有低折射率的第一电子传输材料制成的电子传输层（41）和至少一个n掺杂层（40,42）的第一电子传输层堆叠（4a）沉积到有机发光层堆叠（6）顶部上；以及
- 将第二电极（7）沉积到第一电子传输层堆叠（4a）顶部上。
12.如权利要求11的方法，其特征在于，沉积第一电子传输层堆叠（4a）的步骤包括以下步骤：
- 将n掺杂层（40）沉积到有机发光层堆叠（6）顶部上；
- 将电子传输层（41）沉积到n掺杂层（40）顶部上；以及
- 将另一个n掺杂层（42）沉积到第一电子传输层（41）顶部上。
13.如权利要求11或者12的方法，还包括以下步骤：
- 将包括由第一电子传输材料制成的至少另一个电子传输层（41）的第二电子传输层堆叠（4b）沉积到第一电极（3）顶部上；以及
- 将第一电荷生成层堆叠（5）沉积到第二电子传输层堆叠（4b）顶部上，其中，第一电荷生成层堆叠（5）至少包括：n掺杂层（51）和面向有机发光层堆叠（6）的p掺杂层（53）。
14.如权利要求13的方法，其特征在于，沉积第二电子传输层堆叠（4b）的步骤还包括以下步骤：将n掺杂层（40）沉积到电子传输层（41）和第一电极（3）之间。
15.如权利要求11到14中任何一个的方法，还包括如下步骤：将第二电荷生成层堆叠（9）沉积到第一电子传输层堆叠（4a）和第二电极（7）之间，其中，第二电荷生成层堆叠（9）包括：n掺杂层（91）和p掺杂层（93），其中，p掺杂层（93）面向第二电极（7）。
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