JP2018098024A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018098024A JP2018098024A JP2016240995A JP2016240995A JP2018098024A JP 2018098024 A JP2018098024 A JP 2018098024A JP 2016240995 A JP2016240995 A JP 2016240995A JP 2016240995 A JP2016240995 A JP 2016240995A JP 2018098024 A JP2018098024 A JP 2018098024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic layer
- light emitting
- electrode
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 223
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 222
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明者は、MC構造をMPE構造に適用する際に高輝度を得るための各層の膜厚の公差は、第2電極130に近い層ほど小さくなることを見出した。MC構造において要求される精度は、各層の膜厚そのものではなく、各層の光学的距離であることを考慮すると、各層の屈折率を小さくすれば、各層の膜厚の公差を大きくすることができる。したがって、各層の膜厚の公差を大きくするためには、第2電極130に近い層の屈折率は、小さくする必要がある。これに対して、有機層120から遠い層の屈折率は、必ずしも小さくする必要はない。これによって、MC構造をMPE構造に適用する際に高輝度を得るための各層の膜厚の公差を簡易な設計で大きくすることができる。
【選択図】図1
Description
透明反射層と、
反射層と、
前記透明反射層と前記反射層の間の有機層と、
を備え、
前記有機層は、
第1発光層と、
前記第1発光層と前記反射層の間の第2発光層と、
前記第2発光層と前記反射層の間の第1有機層と、
前記第1発光層と前記第2発光層の間の第2有機層と、
前記透明反射層と前記第1発光層の間の第3有機層と、
を含み、
前記第1有機層の屈折率は、前記第2有機層及び前記第3有機層のいずれの屈折率よりも小さい発光装置である。
透明反射層と、
前記透明反射層の第1面側に位置する有機層と、
前記有機層の前記透明反射層と反対側に位置する反射層と、
を備え、
前記有機層は、
前記透明反射層の前記第1面側に位置する第3有機層と、
前記第3有機層の前記透明反射層と反対側に位置する第1発光層と、
前記第1発光層の前記第3有機層と反対側に位置する第2有機層と、
前記第2有機層の前記第1発光層と反対側に位置する第2発光層と、
前記第2発光層の前記第2有機層と反対側に位置する第1有機層と、
を含み、
前記第1有機層の屈折率は、前記第2有機層及び前記第3有機層のいずれの屈折率よりも小さい発光装置である。
2L/λ+φ/(2π)=m (1)
ただし、φは、第2電極130と透明反射層140において生じる位相シフト量を示し、mは、1以上の整数を示す。光学的距離Lは、第2電極130と透明反射層140の間の各層の屈折率及び膜厚を調整することによって最適化される。
n=(n1d1+n2d2+・・・+nkdk)/(d1+d2+・・・+dk)
と定義することができる。ただし、n1からnkは、第1層から第k層の屈折率をそれぞれ示し、d1からdkは、第1層から第k層の膜厚をそれぞれ示す。上述した屈折率nは、有機層212が一様の屈折率nを有すると仮定した場合の有機層212の光学的距離n(d1+d2+・・・dk)と、第1層から第k層までの光学的距離の合計n1d1+n2d2+・・・+nkdkとを互いに等しいものとみなすことで導出することができる。
基板100 1.5
第1電極110 1.9
有機層212 1.8
EML222 1.85
有機層214 1.8
EML224 1.85
有機層216 1.8
基板100 1.5
第1電極110 1.9
有機層212 1.8
EML222 1.85
有機層214 1.7
EML224 1.85
有機層216 1.6
100 基板
102 第1面
102a 領域
102b 領域
102c 領域
104 第2面
110 第1電極
112 第1接続部
114 第1配線
120 有機層
130 第2電極
130a 端部
130b 端部
132 第2接続部
134 第2配線
140 透明反射層
152 発光部
154 透光部
160 絶縁層
160a 端部
160b 端部
162 開口
212 有機層
214 有機層
216 有機層
222 EML
224 EML
302 CGL
304 層
306 層
310 発光ユニット
320 発光ユニット
Claims (11)
- 透明反射層と、
反射層と、
前記透明反射層と前記反射層の間の有機層と、
を備え、
前記有機層は、
第1発光層と、
前記第1発光層と前記反射層の間の第2発光層と、
前記第2発光層と前記反射層の間の第1有機層と、
前記第1発光層と前記第2発光層の間の第2有機層と、
前記透明反射層と前記第1発光層の間の第3有機層と、
を含み、
前記第1有機層の屈折率は、前記第2有機層及び前記第3有機層のいずれの屈折率よりも小さい発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記第2有機層の屈折率は、前記第3有機層の屈折率より小さい発光装置。 - 請求項1又は2に記載の発光装置において、
前記第2有機層は、電荷発生層を含む発光装置。 - 請求項1から3までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記有機層は、第1発光ユニットと、第2発光ユニットと、を含み、
前記第1発光ユニットは、
前記第1発光層と、
前記透明反射層と前記第1発光層の間の第1正孔輸送層と、
前記第1発光層と前記第2発光層の間の第1電子輸送層と、
を含み、
前記第2発光ユニットは、
前記第2発光層と、
前記第1電子輸送層と前記第2発光層の間の第2正孔輸送層と、
前記第2発光層と前記反射層の間の第2電子輸送層と、
を含む発光装置。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載の発光装置において、
第1電極と、第2電極と、を備え、
前記有機層は、前記第1電極と前記第2電極の間に位置し、
前記第3有機層は、前記第1電極に接し、
前記第1有機層は、前記第2電極に接し、
前記第3有機層は、前記第1有機層より、正孔輸送性が高い材料を含み、
前記第1有機層は、前記第3有機層より、電子輸送性が高い材料を含む発光装置。 - 請求項5に記載の発光装置において、
前記第1電極は、透光性を有し、
前記第2電極は、遮光性を有する発光装置。 - 請求項5又は6に記載の発光装置において、
前記第1電極は、無機材料を含む発光装置。 - 請求項1から7までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記透明反射層は、金属膜からなる発光装置。 - 請求項8に記載の発光装置において、
前記金属膜は、50nm以下である発光装置。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第1発光層と前記第2発光層は、同一の発光材料を含む発光装置。 - 透明反射層と、
前記透明反射層の第1面側に位置する有機層と、
前記有機層の前記透明反射層と反対側に位置する反射層と、
を備え、
前記有機層は、
前記透明反射層の前記第1面側に位置する第3有機層と、
前記第3有機層の前記透明反射層と反対側に位置する第1発光層と、
前記第1発光層の前記第3有機層と反対側に位置する第2有機層と、
前記第2有機層の前記第1発光層と反対側に位置する第2発光層と、
前記第2発光層の前記第2有機層と反対側に位置する第1有機層と、
を含み、
前記第1有機層の屈折率は、前記第2有機層及び前記第3有機層のいずれの屈折率よりも小さい発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016240995A JP2018098024A (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016240995A JP2018098024A (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018098024A true JP2018098024A (ja) | 2018-06-21 |
Family
ID=62632354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016240995A Pending JP2018098024A (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018098024A (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212187A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
JP2012182125A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR20130132843A (ko) * | 2010-11-09 | 2013-12-05 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 유기 전계발광 소자 |
WO2015037182A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | ロック技研工業株式会社 | 透明導電性基材及び透明導電性基材の製造方法 |
JP2016096137A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置 |
JP2016110978A (ja) * | 2014-05-13 | 2016-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器、および照明装置 |
WO2018211377A1 (ja) * | 2017-05-19 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置 |
JP2019114780A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子デバイス、発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 |
-
2016
- 2016-12-13 JP JP2016240995A patent/JP2018098024A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212187A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
KR20130132843A (ko) * | 2010-11-09 | 2013-12-05 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 유기 전계발광 소자 |
JP2012182125A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
WO2015037182A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | ロック技研工業株式会社 | 透明導電性基材及び透明導電性基材の製造方法 |
JP2016110978A (ja) * | 2014-05-13 | 2016-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器、および照明装置 |
JP2016096137A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器、及び照明装置 |
WO2018211377A1 (ja) * | 2017-05-19 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置 |
JP2019114780A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子デバイス、発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200035770A1 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
JP4001692B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
US20070096112A1 (en) | Area light emitting device | |
JP4832781B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
US8283858B2 (en) | Illumination device and method for manufacturing same | |
KR20060122742A (ko) | 투명 발광 소자 | |
WO2018061102A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2012204250A (ja) | 有機el素子 | |
JP2018098024A (ja) | 発光装置 | |
KR102608318B1 (ko) | 유기발광장치 | |
JP7434511B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2016035830A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US11038150B1 (en) | QLED/OLED pixel having reflective cavity electrode configuration | |
WO2018139426A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2018098089A (ja) | 発光装置 | |
JP7392076B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6991709B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6801004B2 (ja) | 発光装置及び発光システム | |
JP2018120691A (ja) | 発光装置 | |
US11316135B2 (en) | High-efficiency QLED structures | |
JP2018101505A (ja) | 発光装置 | |
JP2018101504A (ja) | 発光装置 | |
JP2018098135A (ja) | 発光装置 | |
JP6924589B2 (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
JP6644486B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20201224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210224 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210706 |