JP6991709B2

JP6991709B2 - 発光装置

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Publication number: JP6991709B2
Application number: JP2016240987A
Authority: JP
Inventors: 和明荒井; 真一石塚
Original assignee: Pioneer Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2016-12-13
Filing date: 2016-12-13
Publication date: 2022-01-12
Anticipated expiration: 2036-12-13
Also published as: JP2022022360A; JP2018098023A

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年、透光性を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。特許文献１には、透光性ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、基板、第１電極、有機層及び複数の第２電極を備えている。第１電極及び有機層は、基板上で順に積層されている。複数の第２電極は、有機層上でストライプ状に配置されている。ＯＬＥＤの外部からの光は、隣り合う第２電極の間の領域を透過することができる。これにより、ＯＬＥＤは、透光性を有している。

さらに、特許文献２には、透光性ＯＬＥＤを自動車のリアウインドウに取り付けることが記載されている。このような透光性ＯＬＥＤは、自動車の標識灯、例えば、ハイマウントストップランプとして機能することができる。

特開２０１３－１４９３７６号公報特開２０１５－１９５１７３号公報

上述したように、近年、透光性を有するＯＬＥＤが発光装置として開発されている。このようなＯＬＥＤは、互いに反対側を向いた２つの面を有しており、ＯＬＥＤの発光部から出力された光は、これら２つの面のうちの一方の面（発光面）から主に出力されるようになっている。しかしながら、本発明者は、発光部から出力された光の一部が発光面の反対側へ漏れる場合があることを見出した。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
透光性の基板と、
前記基板に位置し、第１電極、有機層及び遮光性の第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第２電極は、前記発光素子の発光部の端部の外側に位置するギャップ部を有し、
前記基板の厚みが１．１ｍｍ以下、かつ前記ギャップ部の幅が１５ｎｍ以上である発光装置である。

請求項６に記載の発明は、
第１面及び前記第１面の反対側の第２面を有し、厚みＴの透光性の基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び遮光性の第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第２電極は、前記発光素子の発光部の端部の外側に位置する幅Ｇのギャップ部を有し、
前記第２面側における配光分布は、前記第２面に垂直な方向において第１光度を有し、
前記第１面側における配光分布は、前記第１面に垂直な方向から前記複数の発光素子の配列方向に沿って角度φ傾いた方向において第２光度を有し、
前記第１光度に対する前記第２光度の光度比Ｒ´が、以下の式（Ａ）によって定義される光度比Ｒの９５％以上１０５％であり、かつ０．０２以下である発光装置である。
Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．００５φＴ－０．００２（Ａ）

実施形態に係る発光装置を示す平面図である。図１のＡ－Ａ断面図である。発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量が基板の厚みに依存して変化する理由を説明するための図である。発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量がギャップ部の幅に依存して変化する理由を説明するための図である。図１及び図２に示した発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の方向を説明するための図である。発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第１例を示す図である。発光装置の発光面の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第２例を示す図である。角度φ＝１５°における式（Ａ）を示す直線の一例を説明するためのグラフである。角度φ＝２０°における式（Ａ）を示す直線の一例を説明するためのグラフである。実施例に係る発光装置を示す平面図である。図１０から有機層及び第２電極を取り除いた図である。図１１から絶縁層を取り除いた図である。図１０のＰ－Ｐ断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。

図２を用いて発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。基板１００は、透光性を有している。複数の発光素子１４０は、基板１００に位置している。複数の発光素子１４０のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。第２電極１３０は、遮光性、光反射性、または、光吸収性の少なくともいずれかを有している。第２電極１３０は、ギャップ部１３１を有している。ギャップ部１３１は、発光素子１４０の発光部１５２の端部の外側に位置している。複数の透光部１５４のそれぞれは、隣り合う発光素子１４０の間に位置している。

本発明者は、基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇのそれぞれを適当な値に調整することによって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができることを見出した。具体的には、図３を用いて後述するように、本発明者は、基板１００の厚みＴが薄いほど発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量をより抑えることができることを見出した。さらに、図４を用いて後述するように、本発明者は、ギャップ部１３１の幅Ｇが広いほど発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量をより抑えることができることを見出した。これらの知見に基づいて、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を一定の値以下に抑えることができる。

次に、図１を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。図１では、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）側から発光装置１０を見ている。発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。

図１に示す例において、基板１００の形状は、矩形である。ただし、基板１００の形状は矩形に限定されるものではなく、例えば、矩形以外の多角形であってもよい。

複数の発光素子１４０（発光部１５２）及び複数の透光部１５４は、交互に並んでおり、ストライプ状に配置されている。各発光素子１４０（発光部１５２）及び各透光部１５４は、基板１００の一対の辺に沿って延伸しており、複数の発光素子１４０（発光部１５２）及び複数の透光部１５４は、基板１００の他のもう一対の辺に沿って並んでいる。

次に、図２を用いて、発光装置１０の断面構造の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。

基板１００は、透光性を有している。このため、各発光素子１４０からの光は、基板１００を透過することができる。さらに、発光装置１０の外部からの光、基板１００の第１面１０２及び第２面の両方から来た光について透過することができる。特に、基板１００は、遮光性、反射性あるいは吸光性部材（例えば、第２電極１３０）によって覆われていない領域においては、透光部１５４として機能することができる。発光装置１０の外部からの光は、透光部１５４を透過することができる。

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。第２面１０４は、発光装置１０の発光面として機能しており、具体的には、複数の発光素子１４０からの光は、主に第２面１０４から出力される。

複数の発光素子１４０は、基板１００の第１面１０２上に位置している。各発光素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２から順に積層されている。

第１電極１１０は、透光性を有している。このため、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０を透過することができ、これにより、基板１００に入射することができる。

有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンスによって光を発する発光層を含んでいる。有機層１２０の発光層は、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発することができる。

第２電極１３０は、遮光性、光反射性、光吸収性の少なくともいずれかを有している。このため、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０を透過することなく、第２電極１３０によって反射されまたは吸収される。

各発光素子１４０は、発光部１５２を有している。発光素子１４０は、発光部１５２から光を発することができる。

各第２電極１３０は、２つのギャップ部１３１を有している。一方のギャップ部１３１は、発光部１５２の一方の端部の外側にあり、もう一方のギャップ部１３１は、発光部１５２のもう一方の端部の外側にある。

透光部１５４は、遮光性部材、具体的には第２電極１３０と重なっておらず、このため、発光装置１０の外部からの光は、透光部１５４を透過することができる。発光装置１０の光線透過率を高く維持する観点からすると、透光部１５４の幅は、第２電極１３０の幅よりも広いことが好ましい。ただし、透光部１５４の幅は、第２電極１３０の幅と等しくてもよいし、又は第２電極１３０の幅よりも狭くてもよい。

図３は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量が基板１００の厚みＴに依存して変化する理由を説明するための図である。図３（ａ）に示す例及び図３（ｂ）に示す例では、いずれも、発光部１５２の同一位置から同一の方向に光が発せられている。図３（ａ）に示す例と図３（ｂ）に示す例は、図３（ｂ）における基板１００の厚みＴが図３（ａ）における基板１００の厚みＴよりも薄い点を除いて、互いに共通している。

図３（ａ）及び図３（ｂ）の双方に示すように、発光部１５２から発せられた光は、フレネル反射によって、基板１００の第２面１０４で反射されることがある。図３（ａ）に示す例では、基板１００の厚みＴが厚く、このため、基板１００の第２面１０４で反射された光が基板１００の第２面１０４の反対側へ漏れている。これに対して、図３（ｂ）に示す例では、基板１００の厚みＴが薄く、このため、基板１００の第２面１０４で反射された光がギャップ部１３１によって遮られ、基板１００の第２面１０４の反対側へ漏れていない。このように、本発明者は、基板１００の厚みＴが薄いほど発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量をより抑えることができることを見出した。

図４は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量がギャップ部１３１の幅Ｇに依存して変化する理由を説明するための図である。図４（ａ）に示す例及び図４（ｂ）に示す例では、いずれも、発光部１５２の同一位置から同一の方向に光が発せられている。図４（ａ）に示す例と図４（ｂ）に示す例は、図４（ｂ）におけるギャップ部１３１の幅Ｇが図４（ａ）におけるギャップ部１３１の幅Ｇよりも広い点を除いて、互いに共通している。

図４（ａ）及び図４（ｂ）の双方に示すように、発光部１５２から発せられた光は、フレネル反射によって、基板１００の第２面１０４で反射されることがある。図４（ａ）に示す例では、ギャップ部１３１の幅Ｇが狭く、このため、基板１００の第２面１０４で反射された光が基板１００の第２面１０４の反対側へ漏れている。これに対して、図４（ｂ）に示す例では、ギャップ部１３１の幅Ｇが広く、このため、基板１００の第２面１０４で反射された光がギャップ部１３１によって遮られ、基板１００の第２面１０４の反対側へ漏れていない。このように、本発明者は、ギャップ部１３１の幅Ｇが広いほど発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量をより抑えることができることを見出した。

図５は、図１及び図２に示した発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の方向を説明するための図である。図５に示す例では、複数の発光部１５２から光が発せられており、基板１００の第１面１０２側及び基板１００の第２面１０４側のそれぞれに配光分布が生成されている。

基板１００の第２面１０４（発光装置１０の発光面）側における配光分布は、第２面１０４に垂直な方向、または、法線方向である第１方向において第１光度Ｌ１を有しており、さらに、基板１００の第１面１０２（発光装置１０の発光面とは反対側の面）側における配光分布は、第１面１０２に垂直な方向から複数の発光素子１４０（複数の発光部１５２）の配列方向に沿って角度φ傾いた方向である第２方向において第２光度Ｌ２を有している。特に図５に示す例では、第２光度Ｌ２は、２つの直線ｌ１及びｌ２を含む円Ｃの周上における光度である。直線ｌ１は、複数の発光部１５２の配列方向に沿って基板１００の中心を通過する直線であり、直線ｌ２は、基板１００の法線方向に沿って基板１００の中心を通過する直線である。

図６は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第１例を示す図である。図７は、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果の第２例を示す図である。

まず、図６及び図７に示すシミュレーション結果から導かれる好ましい構成の一例の概要について説明する。発光装置１０から光が発せられる場合、基板１００の第２面１０４（発光装置１０の発光面）側における配光分布は、第２面１０４に垂直な方向において第１光度Ｌ１´を有し、さらに、基板１００の第１面１０２（発光装置１０の発光面とは反対側の面）側における配光分布は、第１面１０２に垂直な方向から複数の発光素子１４０（複数の発光部１５２）の配列方向に沿って角度φ傾いた方向において第２光度Ｌ２´を有する。本発明者は、第１光度Ｌ１´に対する第２光度Ｌ２´の光度比Ｒ´（Ｌ２´／Ｌ１´）は、以下の式（Ａ）によって定義される光度比Ｒと実質的に等しくなること、一例において光度比Ｒの９５％以上１０５％以下（０．９５≦Ｒ´／Ｒ≦１．０５）となることを見出した。
Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．００５φＴ－０．００２（Ａ）

式（Ａ）から明らかなように、基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇのそれぞれを適当な値に調整することによって、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量（すなわち、光度比Ｒ及び光度比Ｒ´）を抑えることができる。一例において、基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇのそれぞれを適当な値に調整することによって、光度比Ｒを小さくしたり、当該光度比Ｒを小さくするための基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇの組み合わせバランスを確認できる。その結果、光度比Ｒの目標値を例えば０．０２以下に抑えることができ、これにより、光度比Ｒ´も小さくしたり、目標値（例えば０．０２）以下に抑えることができる。ここで、光度比Ｒ´の目標値は、基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇの関係のみで目標値以下にする必要はない。なぜなら、光度比Ｒ´は例えば、発光部１５２の発光面（第２面１０４）に対する発光光度の半値角など様々な要因によっても変化するからである。言い換えると、発光装置１０としての光度比Ｒ´の目標値（例えば、０．０２）を達成するために、基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇの関係による寄与度を式（Ａ）に従うことで確認することができる。

次に、図６及び図７に示すシミュレーションの詳細について説明する。

基板１００は、ガラス基板とした。基板１００の形状は、９ｍｍ×１０ｍｍの矩形とした。１４個の発光素子１４０を基板１００の長辺（１０ｍｍの長さを有する辺）に沿って等間隔に並べた。

各発光部１５２の幅は、０．２ｍｍとした。隣り合う発光部１５２の中心間距離（言い換えると、発光部１５２のピッチ）は、０．７１４ｍｍとした。

有機層１２０の厚みは、０．０００１ｍｍとした。第２電極１３０の厚みは、０．０００１ｍｍとした。なお、このシミュレーションでは、第１電極１１０は考慮しなかった。言い換えると、第１電極１１０の厚みはゼロとみなした。

シミュレーションでは、光度比Ｒを算出した。光度比Ｒは、第１光度Ｌ１に対する第２光度Ｌ２の光度比Ｌ２／Ｌ１である。図５を用いて説明したように、第１光度Ｌ１は、第２面１０４に垂直な方向における光度であり、第２光度Ｌ２は、第１面１０２に垂直な方向から複数の発光素子１４０（複数の発光部１５２）の配列方向に沿って角度φ傾いた方向における光度である。

図６は、角度φ＝５°（図５）における光度比Ｒのシミュレーション結果を示している。図６に示す例では、いずれの厚みＴにおいても、光度比Ｒは、ギャップ部１３１の幅Ｇが広がるにつれて、減少している。特に、厚みＴ＝１．１ｍｍにおける光度比Ｒは、Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０２５９に近似することができ、厚みＴ＝０．９ｍｍにおける光度比Ｒは、Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０２１４に近似することができ、厚みＴ＝０．７ｍｍにおける光度比Ｒは、Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０１６５に近似することができ、厚みＴ＝０．５ｍｍにおける光度比Ｒは、Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０１１２に近似することができる。これらの結果から、角度φ＝５°では、光度比Ｒは、少なくとも０．５ｍｍ≦Ｔ≦１．１ｍｍにおいて、
Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０２５Ｔ－０．００２（１）
と置くことができる。なお、厚みＴ＝０．１ｍｍにおける光度比Ｒ及び厚みＴ＝０．３ｍｍにおける光度比Ｒは、式（１）に従わなかった。

図７は、角度φ＝１０°（図５）における光度比Ｒのシミュレーション結果を示している。図７に示す例では、いずれの厚みＴにおいても、光度比Ｒは、ギャップ部１３１の幅Ｇが広がるにつれて、減少している。特に、厚みＴ＝０．９ｍｍにおける光度比Ｒは、Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０４に近似することができ、厚みＴ＝０．７ｍｍにおける光度比Ｒは、Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０３３２に近似することができ、厚みＴ＝０．５ｍｍにおける光度比Ｒは、Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０２３２に近似することができ、厚みＴ＝０．３ｍｍにおける光度比Ｒは、Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０１４に近似することができる。これらの結果から、角度φ＝１０°では、光度比Ｒは、少なくとも０．３ｍｍ≦Ｔ≦０．９ｍｍにおいて、
Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０５Ｔ－０．００２（２）
と置くことができる。なお、厚みＴ＝０．１ｍｍにおける光度比Ｒ及び厚みＴ＝１．１ｍｍにおける光度比Ｒは、式（２）に従わなかった。厚みＴ＝１．１ｍｍで光度比Ｒが式（２）に従わなかったのは、基板１００の厚みが大きくなるになることで、発光部１５２の発光が隣の発光部１５２の第２電極１３０またはそのギャップ部１３１によって遮られる光線があるためである。つまり、基板の厚みが一定以上大きくなると強度比Ｒが小さくなる方に作用する。

式（１）及び式（２）から、光度比Ｒは、以下の式（３）に示すように、幅Ｇ、厚みＴ及び角度φを変数とする関数にすることができる。
Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．００５φＴ－０．００２（３）
式（３）は、上述した式（Ａ）と同値である。このようにして、式（Ａ）が導出される。さらに、上述した光度比Ｒ´が光度比Ｒと実質的に等しい場合、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができるといえる。

図８は、角度φ＝１５°における式（Ａ）を示す直線の一例を説明するためのグラフである。図９は、角度φ＝２０°における式（Ａ）を示す直線の一例を説明するためのグラフである。図８に示す例では、基板１００の厚みＴ＝０．１ｍｍ、０．３ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、０．９ｍｍ及び１．１ｍｍのそれぞれについて、式（Ａ）を示す直線が引かれている。図９に示す例では、基板１００の厚みＴ＝０．１ｍｍ、０．３ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、０．９ｍｍ及び１．１ｍｍのそれぞれについて、式（Ａ）を示す直線が引かれている。

本発明者は、図６から図９までの結果に基づいて、光度比Ｒ´が０．０２以下となる条件を検討した。本発明者が検討したところ、発光装置１０全体として光度比Ｒ´が０．０２以下である場合、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量が十分に抑えられていることが明らかとなった。ここで、光度比Ｒ´の目標値は、図６乃至図９までの結果に基づく基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇの関係のみで達成する必要はない。なぜなら、光度比Ｒ´は基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇの関係だけでなく、例えば、発光部１５２の発光面（第２面１０４）に対する発光光度の半値角など様々な要因によっても変化するからである。発光装置１０としての光度比Ｒ´の目標値（０．０２）を達成するために、基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇの関係による寄与度を式（１）（２）（３）に従うことで確認することができる。すなわち、図６から図９までの結果に基づいて効果の期待できる光度比Ｒ´の許容値は０．０２以下であると一番好ましいが、０．０５以下程度の範囲までとみなすことができる。

図６に示すように、角度φ＝５°では、基板１００の厚みＴが１．１ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが３５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０２以下となっている。あるいは、基板１００の厚みＴが０．９ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０２以下となっている。また、基板１００の厚みＴが１．１ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０５以下となっている。このため、角度φ＝５°では、基板１００の厚みＴが１．１ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、より好ましくは、基板１００の厚みＴが１．１ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが３５ｎｍ以上であるか、基板１００の厚みＴが０．９ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を十分に抑えることができる。

図７に示すように、角度φ＝１０°では、基板１００の厚みＴが１．１ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０５以下となっている。基板１００の厚みＴが０．５ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが２５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０２以下となっている。このため、角度φ＝１０°では、基板１００の厚みＴが１．１ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、より好ましくは基板１００の厚みＴが０．５ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが２５ｎｍ以上であるとき、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を十分に抑えることができる。

図８に示すように、角度φ＝１５°では、基板１００の厚みＴが０．７ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０５以下となっている。基板１００の厚みＴが０．３ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０２以下となっている。このため、角度φ＝１５°では、基板１００の厚みＴが０．７ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、より好ましくは基板１００の厚みＴが０．３ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を十分に抑えることができる。

図９に示すように、角度φ＝２０°では、基板１００の厚みＴが０．５ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０５以下となっている。基板１００の厚みＴが０．３ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが４５ｎｍ以上であるとき、光度比Ｒが０．０２以下となっている。このため、角度φ＝２０°では、基板１００の厚みＴが０．５ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが１５ｎｍ以上であるとき、より好ましくは基板１００の厚みＴが０．３ｍｍ以下であり、かつギャップ部１３１の幅Ｇが４５ｎｍ以上であるとき、発光面（第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を十分に抑えることができる。

以上、本実施形態によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。より具体的には、基板１００の厚みＴを薄くし、又はギャップ部１３１の幅Ｇを広くすることによって、発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに本実施形態においては、ギャップ部１３１の幅Ｇの広さによる発光装置１０の光線透過率の低下を抑えつつ、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。詳細には、ギャップ部１３１の幅Ｇを広くするほど発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる一方で、ギャップ部１３１の幅Ｇを広くするほど発光装置１０の光線透過率が低下する。しかしながら、本実施形態においては、発光装置１０の光線透過率が大きく低下する程度までギャップ部１３１の幅Ｇを広くしなくても、基板１００の厚みＴを薄くすることによって、発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。このようにして、本実施形態では、ギャップ部１３１の幅Ｇの広さによる発光装置１０の光線透過率の低下を抑えつつ、発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

さらに本実施形態においては、基板１００の厚みＴの薄さによる発光装置１０の強度の低下を抑えつつ、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。詳細には、基板１００の厚みＴを薄くするほど発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる一方で、基板１００の厚みＴを薄くするほど発光装置１０の強度が低下する。しかしながら、本実施形態においては、発光装置１０の強度が大きく低下する程度まで基板１００の厚みＴを薄くしなくても、ギャップ部１３１の幅Ｇを広くすることによって、発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。このようにして、本実施形態では、基板１００の厚みＴの薄さによる発光装置１０の強度の低下を抑えつつ、発光面の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

図１０は、実施例に係る発光装置１０を示す平面図である。図１１は、図１０から有機層１２０及び第２電極１３０を取り除いた図である。図１２は、図１１から絶縁層１６０を取り除いた図である。図１３は、図１０のＰ－Ｐ断面図である。

図１３を用いて発光装置１０の概要について説明する。実施形態と同様にして、発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。基板１００は、透光性を有している。複数の発光素子１４０は、基板１００に位置している。複数の発光素子１４０のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。第２電極１３０は、遮光性を有している。第２電極１３０は、ギャップ部１３１を有している。ギャップ部１３１は、発光素子１４０の発光部１５２の端部の外側に位置している。特に図１３に示す例では、ギャップ部１３１は、絶縁層１６０の開口１６２の外側かつ絶縁層１６０上に位置している。複数の透光部１５４のそれぞれは、隣り合う発光素子１４０の間に位置している。実施形態と同様にして、基板１００の厚みＴ及びギャップ部１３１の幅Ｇのそれぞれを適当な値に調整することによって、発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

次に、図１０から図１２を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１接続部１１２、第１配線１１４、複数の第２接続部１３２、第２配線１３４、複数の発光素子１４０及び複数の絶縁層１６０を備えている。複数の発光素子１４０のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。

基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、矩形に限定されるものではない。基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、例えば円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。

複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸している。

複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続部１１２のそれぞれを介して、第１配線１１４に接続している。第１配線１１４は、基板１００の一対の長辺の一方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第１配線１１４及び第１接続部１１２を介して第１電極１１０に供給される。なお、図１２に示す例において、第１電極１１０及び第１接続部１１２は、互いに一体となっている。言い換えると、発光装置１０は、第１電極１１０として機能する領域及び第１接続部１１２として機能する領域を有する導電層を備えている。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続部１３２のそれぞれを介して、第２配線１３４に接続している。第２配線１３４は、基板１００の一対の長辺の他方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第２配線１３４及び第２接続部１３２を介して第２電極１３０に供給される。

複数の絶縁層１６０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の絶縁層１６０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の絶縁層１６０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。

複数の絶縁層１６０のそれぞれは、開口１６２を有している。図１３を用いて後述するように、開口１６２内において、発光素子１４０は、発光部１５２として機能する領域を有している。言い換えると、絶縁層１６０は、発光部１５２を画定している。発光部１５２（開口１６２）は、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。

次に、図１３を用いて、発光装置１０の断面の詳細を説明する。発光装置１０は、基板１００、発光素子１４０及び絶縁層１６０を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。発光素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。発光素子１４０及び絶縁層１６０は、基板１００の第１面１０２上にある。絶縁層１６０の開口１６２内において、発光素子１４０は、発光部１５２として機能する領域を有している。

基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラスを含んでいる。他の例において、基板１００は、樹脂を含んでいてもよい。

第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。具体的には、第１電極１１０は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属酸化物、具体的には例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）の少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第１電極１１０を透過することができる。

有機層１２０は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を含んでいる。正孔注入層及び正孔輸送層は、第１電極１１０に接続している。電子輸送層及び電子注入層は、第２電極１３０に接続している。発光層は、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発する。

第２電極１３０は、遮光性、光反射性を有し、さらに、導電性を有している。具体的には、第２電極１３０は、光反射性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属、具体的には例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第２電極１３０で反射される。

第２電極１３０は、２つのギャップ部１３１を有している。一方のギャップ部１３１は、発光部１５２の一方の端部の外側にあり、もう一方のギャップ部１３１は、発光部１５２のもう一方の端部の外側にある。

絶縁層１６０は、透光性を有している。一例において、絶縁層１６０は、有機絶縁材料、具体的には例えばポリイミドを含んでいる。他の例において、絶縁層１６０は、無機絶縁材料、具体的には例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）又はシリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）を含んでいてもよい。

第２電極１３０は端部１３０ａ及び端部１３０ｂを有し、絶縁層１６０は端部１６０ａ及び端部１６０ｂを有している。端部１３０ａ及び端部１６０ａは、互いに同じ方向を向いている。端部１３０ｂ及び端部１６０ｂは、互いに同じ方向を向いており、それぞれ、端部１３０ａ及び端部１６０ａの反対側にある。

第１面１０２に垂直な方向から見た場合、基板１００の第１面１０２は、平面視からみて互いに重ならない複数の領域１０２ａ、複数の領域１０２ｂ複数の領域１０２ｃを有している。複数の領域１０２ａのそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ａと重なる位置から端部１３０ｂと重なる位置まで広がっている。複数の領域１０２ｂのそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ａと重なる位置から絶縁層１６０の端部１６０ａと重なる位置まで（又は第２電極１３０の端部１３０ｂと重なる位置から絶縁層１６０の端部１６０ｂと重なる位置まで）広がっている。複数の領域１０２ｃのそれぞれは、互いに隣接する２つの絶縁層１６０のうちの一方の絶縁層１６０の端部１６０ａと重なる位置から他方の絶縁層１６０の端部１６０ｂと重なる位置まで広がっている。

領域１０２ａは、第２電極１３０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域１０２ａ、領域１０２ｂ及び領域１０２ｃと重なる領域のうち、領域１０２ａと重なる領域で最も低い光線透過率を有している。領域１０２ｃは、第２電極１３０及び絶縁層１６０のいずれとも重なっておらず、このため、発光装置１０は、領域１０２ａ、領域１０２ｂ及び領域１０２ｃと重なる領域のうち、領域１０２ｃと重なる領域で最も高い光線透過率を有している。領域１０２ｂは、第２電極１３０と重ならず絶縁層１６０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域１０２ｂと重なる領域においては、領域１０２ａと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域１０２ｃと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。

上述した構成においては、発光装置１０の全体としての光線透過率が高いものとなっている。詳細には、光線透過率の高い領域の幅、すなわち、領域１０２ｃの幅ｄ３が広くなっており、具体的には、領域１０２ｃの幅ｄ３は、領域１０２ｂの幅ｄ２よりも広くなっている（ｄ３＞ｄ２）。このようにして、発光装置１０の全体としての光線透過率は、高いものとなっている。

上述した構成においては、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。詳細には、光が絶縁層１６０を透過する領域の幅、すなわち、領域１０２ｂの幅ｄ２が狭くなっており、具体的には、領域１０２ｂの幅ｄ２は、領域１０２ｃの幅ｄ３よりも狭くなっている（ｄ２＜ｄ３）。絶縁層１６０は、有機系、無機系問わないが、有機絶縁材料を用いた場合に特に特定の波長の光を吸収することがある。このような場合においても、上述した構成においては、絶縁層１６０を透過する光の量を少なくすることができる。このようにして、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。

なお、領域１０２ｃの幅ｄ３は、領域１０２ａの幅ｄ１よりも広くてもよいし（ｄ３＞ｄ１）、領域１０２ａの幅ｄ１よりも狭くてもよいし（ｄ３＜ｄ１）、又は領域１０２ａの幅ｄ１と等しくてもよい（ｄ３＝ｄ１）。

一例において、領域１０２ａの幅ｄ１に対する領域１０２ｂの幅ｄ２の比ｄ２／ｄ１は、０以上０．２以下であり（０≦ｄ２／ｄ１≦０．２）、領域１０２ａの幅ｄ１に対する領域１０２ｃの幅ｄ３の比ｄ３／ｄ１は、０．３以上２以下である（０．３≦ｄ３／ｄ１≦２）。より具体的には、一例において、領域１０２ａの幅ｄ１は、５０μｍ以上５００μｍ以下であり、領域１０２ｂの幅ｄ２は、０μｍ以上１００μｍ以下であり、領域１０２ｃの幅ｄ３は、１５μｍ以上１０００μｍ以下である。

発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤとして機能している。具体的には、第２電極１３０と重ならない領域は、透光部１５４として機能している。このようにして、発光装置１０では、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４が交互に並んでいる。複数の発光部１５２から光が発せられていない場合、人間の視覚では、第１面１０２側の物体が第２面１０４側から透けて見え、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。さらに、複数の発光部１５２からの光は、第２面１０４側から主に出力され、第１面１０２側からはほとんど出力されない。複数の発光部１５２から光が発せられている場合、人間の視覚では、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。

一例において、発光装置１０は、自動車のハイマウントストップランプとして用いることができる。この場合、発光装置１０は、自動車のリアウインドウに貼り付けることができる。さらに、この場合、発光装置１０は、例えば、赤色の光を発する。

次に、図１０から図１３に示した発光装置１０の製造方法について説明する。

まず、基板１００の第１面１０２上に、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２を形成する。一例において、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２は、スパッタリングにより形成された導電層をパターニングすることにより形成される。

次いで、絶縁層１６０を形成する。一例において、絶縁層１６０は、基板１００の第１面１０２上に塗布された感光性樹脂をパターニングすることにより形成される。

次いで、有機層１２０を形成する。一例において、有機層１２０は、蒸着により形成される。他の例において、有機層１２０は、塗布により形成されてもよい。この場合、絶縁層１６０の開口１６２内に有機層１２０の材料を塗布する。

次いで、第２電極１３０を形成する。一例において、第２電極１３０は、マスクを用いた真空蒸着により形成される。

このようにして、図１０から図１３に示した発光装置１０が製造される。

本実施例によれば、実施形態と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０発光装置
１００基板
１０２第１面
１０２ａ領域
１０２ｂ領域
１０２ｃ領域
１０４第２面
１１０第１電極
１１２第１接続部
１１４第１配線
１２０有機層
１３０第２電極
１３０ａ端部
１３０ｂ端部
１３１ギャップ部
１３２第２接続部
１３４第２配線
１４０発光素子
１５２発光部
１５４透光部
１６０絶縁層
１６０ａ端部
１６０ｂ端部
１６２開口

Claims

第１面を有する透光性の基板と、
前記基板の前記第１面に位置し、前記第１面から順に積層された第１電極、有機層及び遮光性の第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第２電極は、前記発光素子の発光部の端部の外側に位置するギャップ部を有し、
前記基板の厚みが０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下、かつ前記ギャップ部の幅が２５ｎｍ以上５５ｎｍ以下である発光装置。
第１面を有する厚みＴの透光性の基板と、
前記基板の前記第１面に位置し、前記第１面から順に積層された第１電極、有機層及び遮光性の第２電極をそれぞれ含む複数の発光素子と、
隣り合う発光素子の間にそれぞれ位置する複数の透光部と、
を備え、
前記第２電極は、前記発光素子の発光部の端部の外側に位置する幅Ｇのギャップ部を有し、
以下の式（１）によって定義される光度比Ｒと、以下の式（２）によって定義される光度比Ｒと、の少なくとも一方が０．０２以下である発光装置。
Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０２５Ｔ－０．００２（０．５ｍｍ≦Ｔ≦１．１ｍｍ）（１）
Ｒ＝－０．０００２Ｇ＋０．０５Ｔ－０．００２（０．３ｍｍ≦Ｔ≦０．９ｍｍ）（２）
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記発光素子の発光は、前記基板を介して、前記基板の前記第１面及び前記第１面とは反対側の第２面から射出され、前記第２面の発光光度が第１面での発光光度よりも大きい発光装置。
請求項１から３までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記複数の発光素子は、第１発光素子を含み、
前記複数の透光部は、前記第１発光素子に隣接する第１透光部を含み、
前記第１透光部の幅は、前記第１発光素子の前記第２電極の幅よりも広い発光装置。