JP6801004B2 - 発光装置及び発光システム - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置及び発光システムに関する。
近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、有機層を有しており、この有機層は、有機エレクトロルミネッセンスにより光を発する発光層を含んでいる。ＯＬＥＤは、第１電極（例えば、アノード電極）及び第２電極（例えば、カソード電極）をさらに有しており、第１電極及び第２電極は、有機層を挟んで互いに対向している。ＯＬＥＤでは、第１電極及び第２電極を用いて有機層に電圧を印加することにより光が発せられる。
特許文献１には、ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、複数の発光部及び複数の透光部を備えており、複数の発光部及び複数の透光部は、交互に並んでいる。複数の発光部のそれぞれは、第１電極、有機層及び第２電極の積層構造を含んでいる。第２電極は、遮光部として機能している。透光部には第２電極が重なっておらず、このため、外部からの光は、透光部を透過することができる。
特開２０１３−２００９６４号公報
近年、例えば特許文献１に記載されているように、発光部及び透光部を有するＯＬＥＤが開発されている。このようなＯＬＥＤでは、発光部を基板の第１面側に設けることがある。この場合、発光部からの光が基板の第１面側から漏れることがある。ＯＬＥＤの使用目的によっては、第１面に対向する特定の位置から見て斜め方向にある発光部から当該位置へ向けて光が漏れることを防止することが要請されることがある。
本発明が解決しようとする課題としては、発光部及び透光部を有するＯＬＥＤにおいて発光部を基板の第１面側に設けた場合に、第１面に対向する特定の位置から見て斜め方向にある発光部から当該位置へ向けて光が漏れることを防止することが一例として挙げられる。
請求項１に記載の発明は、
厚さｄ及び屈折率ｎｓの基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
を備え、
前記複数の発光部は、第１位置から最も遠い第１発光部を含み、
前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部との間の角度θＬとすると、
前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の前記第１位置側の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光装置である。
請求項６に記載の発明は、
互いに反対の第１側及び第２側を有する基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
を備え、
前記複数の発光部は、前記複数の発光部の中で前記第１側に最も近い第１発光部を含み、
前記第１発光部の前記遮光層の前記第２側の端部は、前記第１発光部の端部から第１距離外側にあり、
前記第１距離は、
前記基板の厚さ１００μｍ以上３００μｍ以下及び屈折率１．５のとき、３０．８μｍ以上２５６．７μｍ以下、又は、
前記基板の厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下及び屈折率１．６のとき、２．９μｍ以上３９．６μｍ以下である発光装置である。
請求項７に記載の発明は、
互いに反対の第１側及び第２側を有する基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
を備え、
前記複数の発光部は、前記複数の発光部の中で前記第１側に最も近い第１発光部を含み、
前記第１発光部の前記遮光層の前記第２側の端部は、前記第１発光部の端部から第１距離外側にあり、
前記第１距離は、
５．８μｍ以上６．４μｍ以下、
８．１μｍ以上８．９μｍ以下、
１４．４μｍ以上１５．９μｍ以下、
３０．８μｍ以上３４．１μｍ以下、
４３．３μｍ以上４７．８μｍ以下又は
７７．４μｍ以上８５．６μｍ以下である発光装置である。
請求項８に記載の発明は、
第１位置と、
発光装置と、
を備え、
前記発光装置は、
厚さｄ及び屈折率ｎｓの基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
を備え、
前記複数の発光部は、第１位置から最も遠い第１発光部を含み、
前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部との間の角度θＬとすると、
前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光システムである。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態１に係る発光装置を示す平面図である。 図１に示した発光装置を示す平面図である。 図２から複数の第２電極を取り除いた図である。 図３から複数の絶縁層を取り除いた図である。 図２のＡ−Ａ断面図である。 図２〜図５に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 図１に示した第１位置に向けて光が漏れることを図５に示したオーバラップ領域によって防止可能な理由を説明するための図である。 図５に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの一例を示す図である。 図１に示した発光システムを自動車に用いた例を説明するための表である。 図１に示した発光システムを自動車に用いた例を説明するための表である。 図５の第１の変形例を示す図である。 図１１に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの一例を示す図である。 図５の第２の変形例を示す図である。 図１３に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの一例を示す図である。 図５の第３の変形例を示す図である。 図５の第４の変形例を示す図である。 実施形態２に係る発光システムを示す図である。 図１７に示した発光装置の領域αの断面図である。 図１７に示した発光装置の領域βの断面図である。 図１８及び図１９に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの第１例を示す図である。 図１８及び図１９に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの第２例を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る発光システム２０を示す図である。図２は、図１に示した発光装置１０を示す平面図である。図３は、図２から複数の第２電極１３０を取り除いた図である。図４は、図３から複数の絶縁層１４０を取り除いた図である。図５は、図２のＡ−Ａ断面図である。なお、説明のため、図２〜図４では、有機層１２０（図５）を図示していない。
図１及び図５を用いて発光システム２０の概要について説明する。発光システム２０は、第１位置Ｐ１及び発光装置１０を備えている。発光装置１０は、発光領域１５０を備えている。発光領域１５０は、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を含んでいる。複数の発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。基板１００は、第１側Ｓ１及び第２側Ｓ２を有している。第１側Ｓ１と第２側Ｓ２は、互いに反対にある。さらに、基板１００は、厚さｄ及び屈折率ｎｓを有している。複数の発光部１５２のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の順の積層構造を含んでいる。第２電極１３０は、遮光性を有しており、言い換えると、遮光層として機能している。複数の透光部１５４のそれぞれは、互いに隣接する発光部１５２の間に位置しており、言い換えると、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４は、交互に並んでいる。本図に示す例において、第１位置Ｐ１から基板１００の第１面１０２への垂線が基板１００の第１面１０２の位置Ｈで交わっており、発光領域１５０は、位置Ｈから第１側Ｓ１に向けて広がっている。第１位置Ｐ１は、位置Ｈから距離Ｄ離れている。複数の発光部１５２は、基板１００の第１側Ｓ１からｋ番目に第ｋの発光部１５２（ｋ）を含んでいる。第ｋの発光部１５２（ｋ）は、第１位置Ｐ１から見て角度θｌ（ｋ）の方向にある。言い換えると、第ｋの発光部１５２（ｋ）は、位置Ｈから距離ｌ（ｋ）離れた位置にあり、θｌ（ｋ）＝ａｒｃｔａｎ（ｌ（ｋ）／Ｄ）である。特に、角度θＬは、第１位置Ｐ１から位置Ｈへの垂線と、第１位置Ｐ１から最も遠い発光部１５２（第１発光部）との間の角度である。より具体的には、後述する図７に示すように、角度θＬ（図７の例では、θｌ（ｋ））は、第１位置Ｐ１から基板１００への垂線と、第１発光部の第１位置Ｐ１側と反対側の端部（端部１５２ａ）との間の角度である。
第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１位置Ｐ１側（すなわち、第２側Ｓ２）の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第１位置Ｐ１側の端部（端部１５２ｂ）から特定の距離（後述するオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）に相当）外側にある。幅ＷＲ（ｋ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ）））である。
幅ＷＲ（ｋ）がｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上である場合、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。一方、幅ＷＲ（ｋ）が３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以下である場合、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂに隣接する透光部１５４の幅が狭くなることを防止することができ、言い換えると、発光装置１０の光線透過率を高く維持することができる。
特に、第１位置Ｐ１から最も遠い発光部１５２（第１発光部）については、幅ＷＲ（ｋ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ）））とすることができる。角度θＬは、θＬ＝ａｒｃｔａｎ（Ｌ／Ｄ）である。距離Ｌは、位置Ｈと第１発光部との間の距離である。
第１位置Ｐ１から最も遠い発光部１５２（第１発光部）について、幅ＷＲ（ｋ）がｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上である場合、当該第１発光部から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。特に、第１発光部は、複数の発光部１５２の中で、第１位置Ｐ１から最も遠くにあり、このため、後述するオーバラップ領域ＯＲを設けない場合は第１位置Ｐ１に向けて光が漏れる可能性が最も高い。上述した構成においては、このような第１発光部についての光の漏れを高い信頼性で防止することができる。一方、第１発光部について、幅ＷＲ（ｋ）が３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下である場合、当該第１発光部の端部１５２ｂに隣接する透光部１５４の幅が狭くなることを防止することができ、言い換えると、発光装置１０の光線透過率を高く維持することができる。
さらに、いずれの発光部１５２についても、幅ＷＲ（ｋ）は、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ）））としてもよい。この場合、第１位置Ｐ１から最も遠い発光部１５２（第１発光部）だけでなく、その他の発光部１５２からも第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。
一例において、発光システム２０は、自動車に用いられる。この例において、第１位置Ｐ１は運転席であり、発光装置１０は、自動車の後部、より具体的にはリアウインドウに取り付けられている。発光装置１０は、自動車の後部（リアウインドウ）において、運転席（第１位置Ｐ１）側から運転席（第１位置Ｐ１）の反対側（すなわち助手席側）に亘って広がっている。この例において、発光装置１０は、ハイマウントストップランプとして機能している。発光装置１０からの光は、主に、基板１００の第２面１０４（第１面１０２の反対側の面）側、すなわち、自動車の外部に出力される。図１に示す例では、発光装置１０からの光が第１位置Ｐ１（運転席）に向けて漏れることが防止されている。
なお、図１では、第１位置Ｐ１及び複数の発光部１５２を含む平面に垂直な方向から発光システム２０を見ている。言い換えると、各発光部１５２から第１位置Ｐ１に向けて漏れる光は、この平面に沿って漏れることになる。したがって、第１位置Ｐ１から位置Ｈへの垂線は、上述した方向から発光システム２０を見た場合における垂線である。一例において、発光システム２０が自動車に用いられている場合、図１では、自動車の上部から発光システム２０を見ている。
次に、図２〜図４を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１電極１１０、複数の第１接続部１１２、第１配線１１４、複数の第２電極１３０、複数の第２接続部１３２、第２配線１３４及び複数の絶縁層１４０を備えている。
基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、本図に示す例に限定されるものではない。基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、例えば円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。
複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸している。
複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続部１１２のそれぞれを介して、第１配線１１４に接続している。複数の第１接続部１１２は、第１配線１１４によって互いに接続している。第１配線１１４は、基板１００の一対の長辺の一方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第１配線１１４及び第１接続部１１２を介して第１電極１１０に供給される。なお、本図に示す例において、第１電極１１０及び第１接続部１１２は、互いに一体となっている。言い換えると、発光装置１０は、第１電極１１０として機能する領域及び第１接続部１１２として機能する領域を有する導電層を備えている。
複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。
複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続部１３２のそれぞれを介して、第２配線１３４に接続している。複数の第２接続部１３２は、第２配線１３４によって互いに接続している。第２配線１３４は、基板１００の一対の長辺の他方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第２配線１３４及び第２接続部１３２を介して第２電極１３０に供給される。
複数の絶縁層１４０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の絶縁層１４０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の絶縁層１４０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。
複数の絶縁層１４０のそれぞれは、開口１４２を有している。図５を用いて後述するように、開口１４２内において、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、発光部１５２として機能する領域（第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造）を有している。言い換えると、絶縁層１４０は、発光部１５２を画定している。発光部１５２（開口１４２）は、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。
発光装置１０は、発光領域１５０を備えている。発光領域１５０は、交互に並ぶ複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を含んでいる。本図に示す例において、発光領域１５０の形状は、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。
発光装置１０は、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲを有している。オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲは、発光部１５２を挟んで互いに反対側にある。オーバラップ領域ＯＬは、発光部１５２から第１側Ｓ１にずれており、第２電極１３０と重なっている。オーバラップ領域ＯＲは、発光部１５２から第２側Ｓ２にずれており、第２電極１３０と重なっている。
次に、図５を用いて、発光装置１０の断面の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００（第１基板）、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び絶縁層１４０を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び絶縁層１４０は、いずれも、基板１００の第１面１０２上にある。
基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラスを含んでいる。他の例において、基板１００は、樹脂を含んでいてもよい。基板１００が樹脂を含んでいる場合、基板１００の第１面１０２及び第２面１０４の一方又は双方は、無機層（例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ又はＡｌ２Ｏ３）によってコーティングされる。この無機層は、防湿膜として機能する。
第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。具体的には、第１電極１１０は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属酸化物、具体的には例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第１電極１１０を透過することができる。
有機層１２０は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を含んでいる。正孔注入層及び正孔輸送層は、第１電極１１０に接続している。電子輸送層及び電子注入層は、第２電極１３０に接続している。発光層は、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発する。
本図に示す例において、有機層１２０は、絶縁層１４０の開口１４２の外側に広がっており、さらに、絶縁層１４０の端部の外側に広がっている。このようにして、有機層１２０は、絶縁層１４０を覆っている。他の例においては、有機層１２０は、絶縁層１４０の端部の外側まで広がっていなくてもよい。
第２電極１３０は、光反射性及び導電性を有している。具体的には、第２電極１３０は、光反射性を有する材料を含んでおり、例えば金属、具体的には例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第２電極１３０で反射される。
なお、第２電極１３０の光反射性に起因して、第２電極１３０は、遮光性を有している。このため、本図に示す例では、有機層１２０からの光が第２電極１３０から漏れることが抑制されている。
絶縁層１４０は、透光性を有している。一例において、絶縁層１４０は、有機絶縁材料、具体的には例えばポリイミドを含んでいる。他の例において、絶縁層１４０は、無機絶縁材料、具体的には例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）又はシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含んでいてもよい。なお、絶縁層１４０は、透光性を有していなくてもよく、遮光性を有していてもよい。
絶縁層１４０は、開口１４２を有している。絶縁層１４０は、開口１４２から第１電極１１０の一部を露出し、第１電極１１０の端部を覆っている。このようにして、絶縁層１４０は、発光部１５２を画定するとともに、第１電極１１０の端部が第２電極１３０に接触することを防止している。
本図に示す例において、絶縁層１４０の側面は傾斜している。より具体的には、絶縁層１４０の側面は、絶縁層１４０の下端から上端に向かうにつれて絶縁層１４０の内側に向けて傾斜している。
なお、発光装置１０は、導電部（バスライン）を備えていてもよい。導電部は、第１電極１１０の材料よりも導電率の高い材料を含んでおり、このため、第１電極１１０の補助電極として機能することができる。一例において、導電部は、ＭＡＭ（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）である。導電部は、第１電極１１０上で絶縁層１４０に覆われていてもよいし、又は基板１００の第１面１０２上で第１電極１１０に覆われていてもよい。
本図に示すように、第２電極１３０は端部１３０ａ及び端部１３０ｂを有し、絶縁層１４０は端部１４０ａ及び端部１４０ｂを有している。発光部１５２は端部１５２ａ及び端部１５２ｂを有している。端部１３０ａ、端部１４０ａ及び端部１５２ａは、基板１００の第１側Ｓ１を向いている。端部１３０ｂ、端部１４０ｂ及び端部１５２ｂは、基板１００の第２側Ｓ２を向いており、それぞれ、端部１３０ａ、端部１４０ａ及び端部１５２ａの反対側にある。
発光装置１０は、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲを有している。オーバラップ領域ＯＬは、第２側Ｓ２から第１側Ｓ１に向かう方向において、発光部１５２の端部１５２ａから第２電極１３０の端部１３０ａにかけて広がっている。言い換えると、オーバラップ領域ＯＬでは、第２電極１３０の端部１３０ａが発光部１５２の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）だけ外側にある。オーバラップ領域ＯＲは、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に向かう方向において、発光部１５２の端部１５２ｂから第２電極１３０の端部１３０ｂにかけて広がっている。言い換えると、オーバラップ領域ＯＲでは、第２電極１３０の端部１３０ｂが発光部１５２の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にある。
なお、本図に示す例において、幅ＷＬ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ）は、互いに等しくなっている。
オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲのいずれにおいても、基板１００の第１面１０２の上方には、第２電極１３０（すなわち、遮光層）が位置している。このため、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲにおいては、基板１００の第１面１０２から光が漏れても、この光のほとんどは、第２電極１３０によって遮られる。
基板１００の第１面１０２は、複数の領域Ｒａ、複数の領域Ｒｂ１、複数の領域Ｒｂ２及び複数の領域Ｒｃを有している。複数の領域Ｒａのそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ａと重なる位置から端部１３０ｂと重なる位置まで広がっている。複数の領域Ｒｂ１のそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ａと重なる位置から絶縁層１４０の端部１４０ａと重なる位置まで広がっている。複数の領域Ｒｂ２のそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ｂと重なる位置から絶縁層１４０の端部１４０ｂと重なる位置まで広がっている。複数の領域Ｒｃのそれぞれは、互いに隣接する２つの絶縁層１４０のうちの一方の絶縁層１４０の端部１４０ａと重なる位置から他方の絶縁層１４０の端部１４０ｂと重なる位置まで広がっている。
領域Ｒａは、第２電極１３０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域Ｒａ、領域Ｒｂ１、領域Ｒｂ２及び領域Ｒｃと重なる領域の中では、領域Ｒａと重なる領域で最も低い光線透過率を有している。領域Ｒｃは、第２電極１３０及び絶縁層１４０のいずれとも重なっておらず、このため、発光装置１０は、領域Ｒａ、領域Ｒｂ１、領域Ｒｂ２及び領域Ｒｃと重なる領域の中では、領域Ｒｃと重なる領域で最も高い光線透過率を有している。領域Ｒｂ１は、第２電極１３０と重ならず絶縁層１４０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域Ｒｂ１と重なる領域においては、領域Ｒａと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域Ｒｃと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。同様にして、領域Ｒｂ２は、第２電極１３０と重ならず絶縁層１４０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域Ｒｂ２と重なる領域においては、領域Ｒａと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域Ｒｃと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。
なお、基板１００の第１面１０２は、領域Ｒｂ１を有していなくてもよい。言い換えると、第２電極１３０の端部１３０ａは、絶縁層１４０の端部１４０ａの外側に位置していてもよく、さらに、絶縁層１４０の端部１４０ａの外側で基板１００の第１面１０２に接していてもよい。同様にして、基板１００の第１面１０２は、領域Ｒｂ２を有していなくてもよい。言い換えると、第２電極１３０の端部１３０ｂは、絶縁層１４０の端部１４０ｂの外側に位置していてもよく、さらに、絶縁層１４０の端部１４０ｂの外側で基板１００の第１面１０２に接していてもよい。
本図に示す例では、発光装置１０の全体としての光線透過率が高いものとなっている。詳細には、本図に示す例では、光線透過率の高い領域の幅、すなわち、領域Ｒｃの幅ｄ３が広くなっており、具体的には、領域Ｒｃの幅ｄ３は、領域Ｒｂ１の幅ｄ２１よりも広くなっており（ｄ３＞ｄ２１）、さらに領域Ｒｂ２の幅ｄ２２よりも広くなっている（ｄ３＞ｄ２２）。このようにして、発光装置１０の全体としての光線透過率は、高いものとなっている。
本図に示す例では、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。詳細には、本図に示す例では、光が絶縁層１４０を透過する領域の幅、すなわち、領域Ｒｂ１の幅ｄ２１が狭くなっており、具体的には、領域Ｒｂ１の幅ｄ２１は、領域Ｒｃの幅ｄ３よりも狭くなっている（ｄ２１＜ｄ３）。同様にして、光が絶縁層１４０を透過する領域の幅、領域Ｒｂ２の幅ｄ２２が狭くなっており、具体的には、領域Ｒｂ２の幅ｄ２２は、領域Ｒｃの幅ｄ３よりも狭くなっている（ｄ２２＜ｄ３）。絶縁層１４０は、特定の波長の光を吸収することがある。このような場合においても、本図に示す例では、絶縁層１４０を透過する光の量が少ない。このようにして、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。
なお、領域Ｒｃの幅ｄ３は、領域Ｒａの幅ｄ１よりも広くてもよいし（ｄ３＞ｄ１）、領域Ｒａの幅ｄ１よりも狭くてもよいし（ｄ３＜ｄ１）、又は領域Ｒａの幅ｄ１と等しくてもよい（ｄ３＝ｄ１）。
一例において、領域Ｒａの幅ｄ１に対する領域Ｒｂ１の幅ｄ２１の比ｄ２１／ｄ１は、０以上０．２以下であり（０≦ｄ２１／ｄ１≦０．２）、領域Ｒａの幅ｄ１に対する領域Ｒｂ２の幅ｄ２２の比ｄ２２／ｄ１は、０以上０．２以下であり（０≦ｄ２２／ｄ１≦０．２）、領域Ｒａの幅ｄ１に対する領域Ｒｃの幅ｄ３の比ｄ３／ｄ１は、０．３以上２以下である（０．３≦ｄ３／ｄ１≦２）。より具体的には、一例において、領域Ｒａの幅ｄ１は、５０μｍ以上１０００μｍ以下であり、領域Ｒｂ１の幅ｄ２１は、０μｍ以上２００μｍ以下であり、領域Ｒｂ２の幅ｄ２２は、０μｍ以上２００μｍ以下であり、領域Ｒｃの幅ｄ３は、１５μｍ以上１０００μｍ以下である。
なお、発光領域１５０は、封止部（不図示）によって封止されている。一例において、封止部は、封止基板及び接着層を有している。この例において、封止基板は、接着層を介して基板１００の第１面１０２に接着される。他の例において、封止部は、ガラス缶及び乾燥剤を有している。この例において、ガラス缶は、発光領域１５０を覆い、乾燥剤は、発光部１５２と重ならないように配置される。さらに他の例において、封止部は、例えば、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタ、蒸着又は塗布によって形成された無機層を有している。無機層は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＳｉＣＮ及びＳｉＯＣからなる群から選択される少なくとも一つを含んでいる。
本図に示す例において、発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤとして機能している。具体的には、第２電極１３０と重ならない領域は、透光部１５４として機能している。このようにして、発光装置１０では、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４が交互に並んでいる。複数の発光部１５２から光が発せられていない場合、人間の視覚では、第１面１０２側の物体が第２面１０４側から透けて見え、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。さらに、複数の発光部１５２からの光は、第２面１０４側から主に出力され、第１面１０２側からはほとんど出力されない。複数の発光部１５２から光が発せられている場合、人間の視覚では、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。
次に、図２〜図５に示した発光装置１０の製造方法について説明する。発光装置１０は、以下のようにして発光装置製造される。
まず、基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２を形成する。一例において、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２は、スパッタリングにより形成された導電層をパターニングすることにより形成される。
次いで、絶縁層１４０を形成する。一例において、絶縁層１４０は、基板１００の第１面１０２上に塗布された感光性樹脂をパターニングすることにより形成される。
次いで、有機層１２０を形成する。一例において、有機層１２０は、蒸着によって形成される。
次いで、第２電極１３０を形成する。一例において、第２電極１３０は、蒸着によって形成される。
このようにして、発光装置１０が製造される。
図６は、図２〜図５に示した発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。本図に示すように、発光部１５２からの光は、基板１００を透過する。光は基板１００の第２面１０４に達し、この光の一部は第２面１０４から射出され、この光の他の一部は第２面１０４で反射される。第２面１０４で反射した光は、基板１００の第１面１０２から射出される。このように第１面１０２から光が射出されても、オーバラップ領域ＯＲにおいては、この光は、第２電極１３０（すなわち、遮光層）によって遮られる。このようにして、基板１００の第１面１０２側へ光が漏れることを防止することができる。
図７は、図１に示した第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを図５に示したオーバラップ領域ＯＲによって防止可能な理由を説明するための図である。本図に示す例では、説明のため、オーバラップ領域ＯＲの幅及びオーバラップ領域ＯＬの幅は、いずれもほぼゼロになっている。さらに、基板１００の第１面１０２は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び絶縁層１４０の外側で空気（屈折率１）に接している。
本図に示す例では、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１に向けて漏れている。具体的には、本図に示す例では、発光部１５２の端部１５２ｂの直下から光が射出されている。この光は、基板１００の第２面１０４において、入射角θ´及び反射角θ´で反射し、基板１００の第１面１０２に入射角θ´で入射している。この光は、屈折角θｌ´（ｋ）で基板１００の第１面１０２から射出され、第１位置Ｐ１に向かう。この場合、光は、発光部１５２の幅方向において、発光部１５２の端部１５２ｂから距離Δ離れた位置から射出されている。
本図に示す例において、距離Δは、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））となる（Δ＝２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ）））。具体的には、距離Δは、角度θ´を用いて、２ｄ×ｔａｎθ´と表すことができる（Δ＝２ｄ×ｔａｎθ´）。さらに、基板１００の第１面１０２と空気の界面では、スネルの法則に基づいて、ｎｓ×ｓｉｎθ´＝１×ｓｉｎθｌ´（ｋ）が成り立つ。この式を用いて、距離Δは、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））と表すことができる。
上記した説明から明らかなように、図５に示した例において、第２電極１３０の端部１３０ｂが発光部１５２の端部１５２ｂから距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））外側にある場合（言い換えると、オーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）が２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））である場合）、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によって遮ることができる。さらに、角度θｌ（ｋ）は、角度θｌ´（ｋ）よりも大きい（θｌ（ｋ）＞θｌ´（ｋ））ことから、図５に示した例において、第２電極１３０の端部１３０ｂが発光部１５２の端部１５２ｂから距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））外側にある場合（言い換えると、オーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）が２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））である場合）、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によってより確実に遮ることができる。
さらに、図１に示した例において、複数の発光部１５２のいずれについても、第２電極１３０の端部１３０ｂが発光部１５２の端部１５２ｂから距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））外側にある場合（言い換えると、オーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）が２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））である場合）、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によって遮ることができる。具体的には、角度θＬは、いずれの整数ｋについても、角度θｌ（ｋ）以上である。このため、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））は、いずれの整数ｋについても、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上となる。このため、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によって遮ることができる。
図５に示した例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、目的に応じて変動させることができる。言い換えると、オーバラップ領域ＯＲの幅は、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））又は２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））に限定されるものではない。
一例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。この例においては、第１面１０２から漏れる光のおおよそ半分を第２電極１３０によって遮ることができる。
他の例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。この例においては、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、第１面１０２から漏れる光のほぼすべてを第２電極１３０によって確実に遮ることができる。
他の例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。この例においては、発光装置１０の光線透過率を、オーバラップ領域ＯＲの幅が３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の場合よりも高く維持したまま、第１面１０２から漏れる光のほぼすべてを第２電極１３０によって遮ることができる。
このようにして、一例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。他の例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。
図８は、図５に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの一例を示す図である。
本図に示す例では、いずれの整数ｋにおいても、オーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）とオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）は、互いに等しくなっている。
本図に示す例において、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、互いに等しくなっている（ＷＬ（１）＝ＷＬ（２）＝・・・ＷＬ（ｋ）＝・・・）。同様にして、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、互いに等しくなっている（ＷＲ（１）＝ＷＲ（２）＝・・・＝ＷＲ（ｋ）＝・・・）。
発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。具体的には、複数の発光部１５２の幅ｗは、互いに等しくなっている。さらに、複数の発光部１５２のピッチｐ（互いに隣接する発光部１５２の中心間距離）は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘って一定である。このようにして、発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。
図９及び図１０は、図１に示した発光システム２０を自動車に用いた例を説明するための表である。本図に示す例では、Ｌ＝７９５ｍｍ及びＤ＝３２１０ｍｍの自動車（例１−１及び例２−１）、Ｌ＝７４５ｍｍ及びＤ＝２１１０ｍｍの自動車（例１−２及び例２−２）並びにＬ＝６２５ｍｍ及びＤ＝９１０ｍｍの自動車（例１−３及び例２−３）に発光システム２０を使用している。さらに、これら３種類の自動車それぞれについて、ｄ＝１００μｍ及びｎｓ＝１．５の基板１００（例１−１、例１−２及び例１−３）並びにｄ＝２０μｍ及びｎｓ＝１．６の基板１００（例２−１、例２−２及び例２−３）を使用している。
例１−１において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、３２．５μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、３０．８μｍ以上３４．１μｍ以下とすることができる。
例１−２において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、４５．５μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、４３．３μｍ以上４７．８μｍ以下とすることができる。
例１−３において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、８１．５μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、７７．４μｍ以上８５．６μｍ以下とすることができる。
例１−１、例１−２及び例１−３より、一例において、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、基板１００の厚さｄが１００μｍ以上３００μｍ以下であり、かつ基板１００の屈折率ｎｓが１．５のとき、３０．８μｍ以上２５６．７μｍ以下としてもよいといえる。この数値範囲は、例１−１、例１−２及び例１−３において基板１００の厚さｄが１００μ以上３００μｍ以下であるときに２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））が取り得る値の最小値（すなわち、例１−１の３２．５μｍの９５％：３０．８μｍ）から最大値（すなわち、例１−３の８１．５μｍの３倍の１０５％：２５６．７μｍ）までである。
例２−１において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、６．１μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、５．８μｍ以上６．４μｍ以下とすることができる。
例２−２において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、８．５μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、８．１μｍ以上８．９μｍ以下とすることができる。
例２−３において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、１５．１μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、１４．４μｍ以上１５．９μｍ以下とすることができる。
例２−１、例２−２及び例２−３より、一例において、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、基板１００の厚さｄが１０μ以上５０μｍ以下であり、かつ基板１００の屈折率ｎｓが１．６のとき、２．９μｍ以上３９．６μｍ以下としてもよいといえる。この数値範囲は、例２−１、例２−２及び例２−３において基板１００の厚さｄが１０μ以上５０μｍ以下であるときに２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））が取り得る値の最小値（すなわち、例２−１の６．１μｍの１／２倍の９５％：２．９μｍ）から最大値（すなわち、例２−３の１５．１μｍの５／２倍の１０５％：３９．６μｍ）までである。
図１１は、図５の第１の変形例を示す図である。図１２は、図１１に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの一例を示す図である。
図１１に示す例において、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１側Ｓ１側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）だけ外側にあり、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第２側Ｓ２側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にある。
幅ＷＬ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ）は、互いに異なっている。具体的には、幅ＷＲ（ｋ）は、幅ＷＬ（ｋ）よりも広くなっている。言い換えると、第２側Ｓ２に近い側（言い換えると、第１位置Ｐ１（図１）に近い側）の幅（すなわち、幅ＷＲ（ｋ））が、第１側Ｓ１に近い側（言い換えると、第１位置Ｐ１（図１）から遠い側）の幅（すなわち、ＷＬ（ｋ））よりも広くなっている。
本図に示す例においては、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１）へ光が漏れることを防止することができる。具体的には、オーバラップ領域ＯＬは、発光部１５２の第１側Ｓ１側にあり、このため、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止することに寄与していない。このため、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止する観点からすると、オーバラップ領域ＯＬの幅は、それほど広くある必要はなく、発光装置１０の光線透過率が高くなるようにある程度狭くすることができる。これに対して、オーバラップ領域ＯＲの幅は、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止するため、ある程度広く、具体的には、オーバラップ領域ＯＬの幅よりも広くなっている。このようにして、本図に示す例では、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１）へ光が漏れることを防止することができる。
図１２に示す例において、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、互いに等しくなっている（ＷＬ（１）＝ＷＬ（２）＝・・・ＷＬ（ｋ）＝・・・）。同様にして、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、互いに等しくなっている（ＷＲ（１）＝ＷＲ（２）＝・・・＝ＷＲ（ｋ）＝・・・）。
発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。具体的には、複数の発光部１５２の幅ｗは、互いに等しくなっている。さらに、複数の発光部１５２のピッチｐ（互いに隣接する発光部１５２の中心間距離）は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘って一定である。このようにして、発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。
一例において、図１１及び図１２に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の発光部１５２（第１発光部）を含んでいる。
第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第１発光部の端部１５２ａから第１距離にあり、第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第２距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図１１及び図１２に示す例では、第１距離より長くなっている。
図１３は、図５の第２の変形例を示す図である。図１４は、図１３に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの一例を示す図である。
図１３に示す例において、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第２側Ｓ２側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にあり、第ｋ＋１の発光部１５２（ｋ＋１）の第２電極１３０の第２側Ｓ２側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋ＋１の発光部１５２（ｋ＋１）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ＋１）だけ外側にある。
幅ＷＲ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ＋１）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＲ（ｋ＋１）は、幅ＷＲ（ｋ）よりも狭くなっている。言い換えると、第２側Ｓ２に近い側（言い換えると、第１位置Ｐ１（図１）に近い側）の幅（すなわち、幅ＷＲ（ｋ＋１））が、第１側Ｓ１に近い側（言い換えると、第１位置Ｐ１（図１）から遠い側）の幅（すなわち、ＷＲ（ｋ＋１））よりも狭くなっている。
本図に示す例においては、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１）へ光が漏れることを防止することができる。具体的には、図７を用いて説明したように、第ｋの発光部１５２（ｋ）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）が２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））である場合、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によって遮ることができる。言い換えると、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを遮るための幅ＷＲ（ｋ）は、整数ｋが大きくなるほど（つまり、角度θ（ｋ）が小さくなるほど）、小さくなる。このため、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止する観点からすると、幅ＷＲ（ｋ＋１）は、幅ＷＲ（ｋ）と等しくある必要はなく、発光装置１０の光線透過率が高くなるようにある程度狭くすることができる。これに対して、幅ＷＲ（ｋ）は、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止するため、ある程度広く、具体的には、幅ＷＬ（ｋ＋１）よりも広くなっている。このようにして、本図に示す例では、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１）へ光が漏れることを防止することができる。
図１４に示す例において、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、互いに等しくなっている（ＷＬ（１）＝ＷＬ（２）＝・・・ＷＬ（ｋ）＝・・・）。これに対して、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に向かうにつれて狭くなっており、より具体的には、すべての整数ｋについて、ＷＲ（ｋ）＞ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っている（ＷＲ（１）＞ＷＲ（２）＞・・・＞ＷＲ（ｋ）＞・・・）。
なお、すべての整数ｋについて、ＷＲ（ｋ）＞ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っていなくてもよい。一例において、複数の発光部１５２の中の一部でＷＲ（ｋ）＝ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っていてもよい。一例として、整数１から整数ａ−１までＷＲ（ｋ）が互いに等しく、整数ａについてＷ（ａ）がＷ（ａ−１）より小さくなっており、整数ａ以上でＷＲ（ｋ）が互いに等しくなっている場合（ＷＲ（１）＝ＷＲ（２）＝・・・＝ＷＲ（ａ−１）＞ＷＲ（ａ）＝ＷＲ（ａ＋１）＝・・・）がある。
発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。具体的には、複数の発光部１５２の幅ｗは、互いに等しくなっている。さらに、複数の発光部１５２のピッチｐ（互いに隣接する発光部１５２の中心間距離）は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘って一定である。このようにして、発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。
一例において、図１３及び図１４に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の２つの発光部１５２（第１発光部及び第２発光部）を含んでいる。
第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第１距離にあり、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第２発光部の端部１５２ｂから第２距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図１４に示す例では、第１発光部が第２発光部よりも第１側Ｓ１に近いとき、第１距離より短くなっている。
他の例において、図１３及び図１４に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の２つの発光部１５２（第１発光部及び第２発光部）を含んでいる。
第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第１発光部の端部１５２ａから第１距離にあり、第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第２距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図１３及び図１４に示す例では、第１距離より長くなっている。
さらに、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第２発光部の端部１５２ｂから第３距離にある。第３距離は、第２距離と異なっており、特に図１３及び図１４に示す例では、第１発光部が第２発光部よりも第１側Ｓ１に近いとき、第２距離より短くなっている。
さらに、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第２発光部の端部１５２ａから第４距離にある。第４距離は、第３距離と異なっており、特に図１３及び図１４に示す例では、第３距離より短くなっている。
図１５は、図５の第３の変形例を示す図である。本図に示す例において、発光装置１０は、遮光層１６０を備えている。遮光層１６０は、第２電極１３０を覆っている。特に本図に示す例では、遮光層１６０の幅は、第２電極１３０の幅より広くなっている。このようにして、発光部１５２は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び遮光層１６０の順の積層構造を含んでいる。遮光層１６０は、端部１６０ａ及び端部１６０ｂを有している。端部１６０ａは、第１側Ｓ１を向いている。端部１６０ｂは、第２側Ｓ２を向いており、第１側Ｓ１の反対にある。
第ｋの発光部１５２（ｋ）において、遮光層１６０の端部１６０ａは、第２電極１３０の端部１３０ａより外側にあり、具体的には、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）外側にある。言い換えると、本図に示す例では、遮光層１６０と重なる領域がオーバラップ領域ＯＬとして機能している。同様にして、第ｋの発光部１５２（ｋ）において、遮光層１６０の端部１６０ｂは、第２電極１３０の端部１３０ｂより外側にあり、具体的には、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）外側にある。言い換えると、本図に示す例では、遮光層１６０と重なる領域がオーバラップ領域ＯＲとして機能している。
一例において、遮光層１６０は、ブラックマトリクス層である。この例において、遮光層１６０は、例えば、クロム酸化物又はマンガン酸化物を含んでいる。
図１６は、図５の第４の変形例を示す図である。本図に示す例において、発光装置１０は、遮光層１６０を備えている。遮光層１６０は、第２電極１３０を覆っている。特に本図に示す例では、遮光層１６０の幅は、第２電極１３０の幅より狭くなっている。より具体的には、遮光層１６０の端部１６０ａは、第２電極１３０の端部１３０ａより内側にあり、遮光層１６０の端部１６０ｂは、第２電極１３０の端部１３０ｂより内側にある。
第２電極１３０は、遮光性を有していてもよいし、又は遮光性を有していなくてもよい。特に本図に示す例では、第２電極１３０は、遮光性を有しておらず、透光性を有している。したがって、第２電極１３０は、遮光層として機能していない。このため、オーバラップ領域ＯＬの第１側Ｓ１端部は、第２電極１３０の端部１３０ａではなく、遮光層１６０の端部１６０ａによって決定されており、オーバラップ領域ＯＲの第２側Ｓ２端部は、第２電極１３０の端部１３０ｂではなく、遮光層１６０の端部１６０ｂによって決定されている。
なお、遮光層１６０の幅は、第２電極１３０の幅と等しくてもよい。さらにこの場合、遮光層１６０の端部１６０ａ及び端部１６０ｂは、第２電極１３０の端部１３０ａ及び端部１３０ｂと揃っていてもよい。
以上、本実施形態によれば、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１位置Ｐ１側（すなわち、第２側Ｓ２）の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上外側にある。このため、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。
さらに、本実施形態によれば、一の発光部１５２において、オーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬとオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲは、互いに異なっていてもよい。この場合、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１へ光が漏れることを防止することができる。
さらに、本実施形態によれば、一の発光部１５２のオーバラップ領域ＯＲの幅と他の発光部１５２のオーバラップ領域ＯＲの幅は、互いに異なっていてもよい。この場合、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１へ光が漏れることを防止することができる。
（実施形態２）
図１７は、実施形態２に係る発光システム２０を示す図であり、実施形態１の図１に対応する。図１８は、図１７に示した発光装置１０の領域αの断面図である。図１９は、図１７に示した発光装置１０の領域βの断面図である。本実施形態に係る発光システム２０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光システム２０と同様である。
図１７に示す例において第１位置Ｐ１から基板１００の第１面１０２への垂線が基板１００の第１面１０２の位置Ｈで交わっており、発光領域１５０は、位置Ｈから第１側Ｓ１及び第２側Ｓ２の双方に向けて広がっている。より具体的には、本図に示す例において、位置Ｈは、発光領域１５０の中心上にある。
複数の発光部１５２は、基板１００の第１側Ｓ１からｋ番目に第ｋの発光部１５２（ｋ）を含んでいる。第ｋの発光部１５２（ｋ）は、第１位置Ｐ１から見て角度θｌ（ｋ）の方向にある。言い換えると、第ｋの発光部１５２（ｋ）は、位置Ｈから距離ｌ（ｋ）離れた位置にあり、θｌ（ｋ）＝ａｒｃｔａｎ（ｌ（ｋ）／Ｄ）である。
複数の発光部１５２は、基板１００の第２側Ｓ２からｌ番目に第ｌの発光部１５２（ｌ）を含んでいる。第ｌの発光部１５２（ｌ）は、第１位置Ｐ１から見て角度θｌ（ｌ）の方向にある。言い換えると、第ｌの発光部１５２（ｌ）は、位置Ｈから距離Ｌ（ｌ）離れた位置にあり、θｌ（ｌ）＝ａｒｃｔａｎ（ｌ（ｌ）／Ｄ）である。
図１８に示すように、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１位置Ｐ１側（すなわち、位置Ｈ側）の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）外側にある。幅ＷＲ（ｋ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ）））である。これにより、実施形態１と同様にして、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができるとともに、発光装置１０の光線透過率を高く維持することができる。
第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１側Ｓ１側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）だけ外側にあり、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にある。
幅ＷＬ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＲ（ｋ）は、幅ＷＬ（ｋ）よりも広くなっている。これにより、図１１を用いて説明した例と同様にして、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
さらに、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にあり、第ｋ＋１の発光部１５２（ｋ＋１）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋ＋１の発光部１５２（ｋ＋１）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ＋１）だけ外側にある。
幅ＷＲ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ＋１）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＲ（ｋ＋１）は、幅ＷＲ（ｋ）よりも狭くなっている。これにより、図１３を用いて説明した例と同様にして、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
図１９に示すように、第ｌの発光部１５２（ｌ）の第２電極１３０の第１位置Ｐ１側（すなわち、位置Ｈ側）の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｌの発光部１５２（ｌ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｌ）外側にある。幅ＷＬ（ｌ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｌ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｌ）／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｌ）／ｎｓ））≦ＷＬ（ｌ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｌ）／ｎｓ）））である。これにより、実施形態１と同様にして、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができるとともに、発光装置１０の光線透過率を高く維持することができる。
第ｌの発光部１５２（ｌ）の第２電極１３０の第２側Ｓ２側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｌの発光部１５２（ｌ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｌ）だけ外側にあり、第ｌの発光部１５２（ｌ）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｌの発光部１５２（ｌ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｌ）だけ外側にある。
幅ＷＬ（ｌ）と幅ＷＲ（ｌ）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＬ（ｌ）は、幅ＷＲ（ｌ）よりも広くなっている。これにより、図１１を用いて説明した例と同様にして、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
さらに、第ｌの発光部１５２（ｌ）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｌの発光部１５２（ｌ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｌ）だけ外側にあり、第ｌ＋１の発光部１５２（ｌ＋１）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｌ＋１の発光部１５２（ｌ＋１）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｌ＋１）だけ外側にある。
幅ＷＬ（ｌ）と幅ＷＬ（ｌ＋１）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＬ（ｌ＋１）は、幅ＷＬ（ｌ）よりも狭くなっている。これにより、図１３を用いて説明した例と同様にして、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
図２０は、図１８及び図１９に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの第１例を示す図である。本図に示す例において、領域αと領域βは、発光領域１５０の中心Ｃを挟んで互いに反対側にある。
領域αでは、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、互いに等しくなっている（ＷＬ（１）＝ＷＬ（２）＝・・・ＷＬ（ｋ）＝・・・）。これに対して、領域αでは、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に向かうにつれて狭くなっており、より具体的には、すべての整数ｋについて、ＷＲ（ｋ）＞ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っている（ＷＲ（１）＞ＷＲ（２）＞・・・＞ＷＲ（ｋ）＞・・・）。なお、図１４を用いて説明した例と同様にして、すべての整数ｋについて、ＷＲ（ｋ）＞ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っていなくてもよい。
領域βでは、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、互いに等しくなっている（ＷＲ（１）＝ＷＲ（２）＝・・・ＷＲ（ｌ）＝・・・）。これに対して、領域βでは、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、第２側Ｓ２から第１側Ｓ１に向かうにつれて狭くなっており、より具体的には、すべての整数ｌについて、ＷＬ（ｌ）＞ＷＬ（ｌ＋１）が成り立っている（ＷＬ（１）＞ＷＬ（２）＞・・・＞ＷＬ（ｌ）＞・・・）。なお、図１４を用いて説明した例と同様にして、すべての整数ｌについて、ＷＲ（ｌ）＞ＷＲ（ｌ＋１）が成り立っていなくてもよい。
さらに、領域α中の複数のオーバラップ領域ＯＲのそれぞれの幅及び領域β中の複数のオーバラップ領域ＯＬのそれぞれの幅は、第１側Ｓ１から中心Ｃに向かうにつれて狭くなり、中心Ｃから第２側Ｓ２に向かうにつれて広くなっている。特に本図に示す例では、領域α中のＫ個のオーバラップ領域ＯＲのそれぞれの幅ＷＲ（１）〜ＷＲ（Ｋ）及び領域β中のＬ個のオーバラップ領域ＯＬのそれぞれの幅ＷＬ（１）〜ＷＬ（Ｌ）は、ＷＲ（１）＞ＷＲ（２）＞・・・＞ＷＲ（Ｋ）＝ＷＬ（Ｌ）＜・・・＜ＷＬ（２）＜ＷＬ（１）となっている。このようにして、領域α中のオーバラップ領域ＯＲは、幅ＷＲ（ｋ１）を有するオーバラップ領域ＯＲと、幅ＷＲ（ｋ１）よりも狭い幅ＷＲ（ｋ２）（ｋ２＞ｋ１）を有するオーバラップ領域ＯＲとを含んでいる。さらに、領域β中の複数のオーバラップ領域ＯＬは、幅ＷＲ（ｋ２）よりも広い幅ＷＬ（ｌ１）を有するオーバラップ領域ＯＬを含んでいる。
発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。具体的には、複数の発光部１５２の幅ｗは、互いに等しくなっている。さらに、複数の発光部１５２のピッチｐ（互いに隣接する発光部１５２の中心間距離）は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘って一定である。このようにして、発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。
本図に示す例では、発光領域１５０の中心Ｃ及びその周辺の光線透過率を高くしつつ、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。具体的には、本図に示す例では、透光部１５４が占める面積の割合は、発光領域１５０の中心に向かうほど大きくなっている。このため、発光領域１５０の中心Ｃ及びその周辺の光線透過率を高くすることができる。一方、第１側Ｓ１の近くでは、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１７）へ漏れることがオーバラップ領域ＯＲによって防止されている。第２側Ｓ２の近くでは、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１７）へ漏れることがオーバラップ領域ＯＬによって防止されている。
一例において、図２０に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の３つの発光部１５２（第１発光部、第２発光部及び第３発光部）を含んでいる。
第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第１距離にあり、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第２発光部の端部１５２ｂから第２距離にあり、第３発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第３発光部の端部１５２ａから第３距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第１発光部及び第２発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置し、かつ第１発光部が第２発光部よりも第１側Ｓ１に近いとき、第１距離より短くなっている。この場合、第３距離は、第３発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第２側Ｓ２に位置し、かつ第２発光部よりも発光領域１５０の中心Ｃから離れているとき、第２距離より長くなっている。
他の例において、図２０に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の３つの発光部１５２（第１発光部、第２発光部及び第３発光部）を含んでいる。
第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第１発光部の端部１５２ａから第１距離にあり、第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第２距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第１発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置するときは、第１距離より長くなっており、第１発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第２側Ｓ２に位置するときは、第１距離より短くなっている。
さらに、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第２発光部の端部１５２ｂから第３距離にある。第３距離は、第２距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第１発光部及び第２発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置し、かつ第１発光部が第２発光部よりも第１側Ｓ１に近いときは、第２距離より短くなっている。
さらに、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第２発光部の端部１５２ａから第４距離にある。第４距離は、第３距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第２発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置するときは、第３距離より短くなっており、第２発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第２側Ｓ２に位置するときは、第３距離より長くなっている。
さらに、第３発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第３発光部の端部１５２ａから第５距離にある。第３発光部は、第１発光部及び第２発光部よりも、第２側Ｓ２に近くにある。第５距離は、第３距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第２発光部が発光領域の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置し、第３発光部が発光領域の中心Ｃより第２側Ｓ２に位置し、かつ第３発光部が第２発光部より発光領域の中心Ｃから離れているときは、第３距離より長くなっている。
さらに、第３発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第３発光部の端部１５２ｂから第６距離にある。第６距離は、第５距離と異なっている。
図２１は、図１８及び図１９に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの第２例を示す図である。この第２例は、以下の点を除いて、図２０を用いて説明した第１例と同様である。
基板１００は、第１基板１００ａ及び第２基板１００ｂを有している。第１基板１００ａは、側Ｓ１１及び側Ｓ１２を有している、側Ｓ１１は、第１側Ｓ１として機能している。側Ｓ１２は、側Ｓ１１の反対にある。第２基板１００ｂは、側Ｓ２１及び側Ｓ２２を有している。側Ｓ２１は、第２側Ｓ２として機能している。側Ｓ２２は、側Ｓ２１の反対にある。第１基板１００ａと第２基板１００ｂは、第１基板１００ａの側Ｓ１２と第２基板１００ｂの側Ｓ２２が互いに対向するように並んでいる。一例において、第１基板１００ａの側Ｓ１２と第２基板１００ｂの側Ｓ２２は、互いに接合されていてもよい。
本図に示す例では、第１基板１００ａ及び第２基板１００ｂを用いて、図２０に示した平面レイアウトが実現されている。具体的には、領域α中の複数の発光部１５２は、第１基板１００ａ内に位置している。これに対して、領域β中の複数の発光部１５２は、第２基板１００ｂ内に位置している。第１基板１００ａの側Ｓ１２と第２基板１００ｂの側Ｓ２２が互いに対向する場合、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２にかけて、図２０に示した発光領域１５０と同様の発光領域１５０が形成される。
本図に示す例でも、図２０に示した例と同様にして、発光領域１５０の中心Ｃ及びその周辺の光線透過率を高くしつつ、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
以上、本実施形態によれば、実施形態１と同様にして、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができるとともに、第ｌの発光部１５２（ｌ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。
さらに、本実施形態によれば、透光部１５４が占める面積の割合は、発光領域１５０の中心に向かうほど大きくなっていてもよい。これにより、発光領域１５０の中心Ｃ及びその周辺の光線透過率を高くすることができる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
この出願は、２０１６年１２月１９日に出願された日本出願特願２０１６−２４５７８９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (9)

  1. 第１位置から離れた位置に設けられる発光装置であって、
    厚さｄ及び屈折率ｎｓの基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
    を備え、
    前記複数の発光部は、前記第１位置から最も遠い第１発光部を含み、
    前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部との間の角度θＬとすると、
    前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の前記第１位置側の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光装置。
  2. 請求項１に記載の発光装置において、
    前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光装置。
  3. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
    前記複数の発光部は、第１電極、有機層及び前記遮光層の順の積層構造をそれぞれ含む発光装置。
  4. 請求項３に記載の発光装置において、
    前記遮光層は、第２電極として機能している発光装置。
  5. 請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置において、
    前記角度θＬは、前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部の第１位置側と反対の端部との間の角度である発光装置。
  6. 互いに反対の第１側及び第２側を有する基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
    互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
    を備え、
    前記複数の発光部は、前記複数の発光部の中で前記第１側に最も近い第１発光部を含み、
    前記第１発光部の前記遮光層の前記第２側の端部は、前記第１発光部の端部から第１距離外側にあり、
    前記第１距離は、
    前記基板の厚さ１００μｍ以上３００μｍ以下及び屈折率１．５のとき、３０．８μｍ以上２５６．７μｍ以下、又は、
    前記基板の厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下及び屈折率１．６のとき、２．９μｍ以上３９．６μｍ以下である発光装置。
  7. 互いに反対の第１側及び第２側を有する基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
    互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
    を備え、
    前記複数の発光部は、前記複数の発光部の中で前記第１側に最も近い第１発光部を含み、
    前記第１発光部の前記遮光層の前記第２側の端部は、前記第１発光部の端部から第１距離外側にあり、
    前記第１距離は、
    ５．８μｍ以上６．４μｍ以下、
    ８．１μｍ以上８．９μｍ以下、
    １４．４μｍ以上１５．９μｍ以下、
    ３０．８μｍ以上３４．１μｍ以下、
    ４３．３μｍ以上４７．８μｍ以下又は
    ７７．４μｍ以上８５．６μｍ以下である発光装置。
  8. 第１位置と、
    発光装置と、
    を備え、
    前記発光装置は、
    厚さｄ及び屈折率ｎｓの基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
    互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
    を備え、
    前記複数の発光部は、前記第１位置から最も遠い第１発光部を含み、
    前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部との間の角度θＬとすると、
    前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光システム。
  9. 請求項８に記載の発光システムにおいて、
    前記第１位置は、自動車の運転席であり、
    前記発光装置は、前記自動車の後部に取り付けられている発光システム。
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