WO2016143045A1 - 発光装置 - Google Patents

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青木 謙治
則和 水戸
結城 敏尚
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パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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    • H10K77/111Flexible substrates

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • This light-emitting device is used as a lighting device or a display device, and has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode.
  • a transparent material is used for the first electrode
  • a metal material is used for the second electrode.
  • Patent Document 1 describes that the second electrode is formed in a linear shape so that a display device using an organic EL has light transmittance. If it does in this way, the part in which the 2nd electrode is provided will light-emit, and external light will permeate
  • Patent Document 2 describes that in a display device using an organic EL, a region through which external light is transmitted is provided next to a pixel. More specifically, a plurality of pixels are arranged in the first direction. A region through which external light is transmitted is provided next to each of the plurality of pixels.
  • a region that transmits external light may be provided in the light-emitting device.
  • the ratio (area efficiency) occupied by the region where the light emitting portion is formed in the light emitting device is reduced.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent the area efficiency of the light emitting device from being lowered while the light emitting device has light transparency.
  • the invention according to claim 1 is a substrate that transmits visible light; A plurality of light emitting regions provided on the substrate and arranged in a first direction; A non-light emitting region provided between the plurality of light emitting regions; With The non-light emitting region transmits visible light; The light emitting region has a plurality of light emitting portions arranged in the first direction,
  • the light emitting unit is a light emitting device having a first electrode, a second electrode, and an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Modification Example 1.
  • FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Modification 2.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device 10 according to an embodiment.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting regions 142, and a non-light emitting region 144.
  • the substrate 100 transmits visible light.
  • the plurality of light emitting regions 142 are provided in the substrate 100 and are arranged in the first direction (the vertical direction in FIG. 1).
  • the non-light emitting region 144 is provided between each of the plurality of light emitting regions 142 and transmits visible light.
  • the light emitting area 142 includes a plurality of light emitting units 140.
  • the light emitting units 140 are arranged in the first direction described above.
  • the light emitting unit 140 includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130.
  • the organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130. Details will be described below.
  • the light emitting device 10 is a so-called bottom emission type lighting device that takes out light emitted from the organic layer 120 through the substrate 100.
  • the substrate 100 is a substrate that transmits visible light, such as a glass substrate or a resin substrate. Further, the substrate 100 may have flexibility. In this case, the light emitting device 10 can be used with the substrate 100 being curved. In the case of flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less. When the glass substrate is flexible, the thickness of the glass substrate is preferably 300 ⁇ m or less.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle.
  • the substrate 100 is a resin substrate
  • the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide.
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PES polyethersulfone
  • PET polyethylene terephthalate
  • polyimide polyimide
  • SiN x , SiON, or the like is formed on at least a surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 on which the organic layer 120 is formed.
  • An inorganic barrier film is formed.
  • a planarization layer for example, an organic layer
  • the substrate 100 is repeatedly provided with a light emitting region 142 along the first direction.
  • Each of the plurality of light emitting regions 142 includes a plurality of light emitting units 140.
  • the light emitting unit 140 has a configuration in which the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked in this order.
  • the first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency.
  • the material of the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide).
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.
  • the organic layer 120 has a light emitting layer.
  • the organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order.
  • a hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer.
  • an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer.
  • the organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method.
  • at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition.
  • all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply
  • the second electrode 130 is made of a material that does not transmit visible light, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or the first group. It includes a metal layer made of an alloy of selected metals.
  • the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method using a mask.
  • the second electrodes 130 of the light emitting units 140 belonging to the same light emitting region 142 are connected to each other.
  • one second electrode 130 is provided for each light emitting region 142. This is to reduce the wiring resistance of the light emitting device 10.
  • the second electrode 130 may be provided individually for each light emitting unit 140.
  • a conductive portion 170 is formed on the first electrode 110.
  • the conductive portion 170 is, for example, an auxiliary electrode for the first electrode 110 and is in contact with the first electrode 110.
  • the conductive portion 170 is formed of a material having a lower resistance value than that of the first electrode 110, and is formed using, for example, at least one metal layer.
  • the conductive portion 170 has a configuration in which, for example, a first metal layer such as Mo or Mo alloy, a second metal layer such as Al or Al alloy, and a third metal layer such as Mo or Mo alloy are stacked in this order. Yes. Of these three metal layers, the second metal layer is the thickest.
  • the conductive portion 170 is covered with the insulating layer 150. For this reason, the conductive part 170 is not directly connected to either the organic layer 120 or the second electrode 130.
  • the light emitting units 140 belonging to the same light emitting region 142 emit light of different colors.
  • three light emitting units 140 (light emitting units 140 a, 140 b, 140 c) are provided in one light emitting region 142.
  • the light emitting unit 140a emits, for example, blue light
  • the light emitting unit 140b emits, for example, green light
  • the light emitting unit 140c emits, for example, red light.
  • the light emitting units 140 belonging to the same light emitting region 142 may emit light of the same color.
  • the edge of the first electrode 110 is covered with an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is made of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that becomes a light emitting region of the light emitting unit 140. By providing the insulating layer 150, it is possible to suppress a short circuit between the first electrode 110 and the second electrode 130 at the edge of the first electrode 110. In the example shown in the figure, the interval between the adjacent first electrodes 110 is, for example, not less than 30 ⁇ m and not more than 300 ⁇ m. For this reason, the space between the adjacent first electrodes 110 is filled with the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed, for example, by applying a resin material to be the insulating layer 150 and then exposing and developing the resin material.
  • a non-light emitting area 144 is provided between the plurality of light emitting areas 142.
  • the non-light emitting region 144 is a region where the light emitting unit 140 and the insulating layer 150 are not provided, and transmits visible light.
  • the first electrode 110 and the second electrode 130 are not provided in the non-light emitting region 144, but the organic layer 120 is also provided in the non-light emitting region 144.
  • the width of the non-light emitting region 144 is larger than both the width of the light emitting unit 140 and the interval between the adjacent light emitting units 140, for example, 350 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less. Note that the width of the non-light emitting region 144 is defined as, for example, the distance from the end of the insulating layer 150 provided in a certain light emitting region 142 to the end of the insulating layer 150 provided in the adjacent light emitting region 142. it can.
  • FIG. 2 is a plan view of the light emitting device 10. 1 corresponds to the AA cross section of FIG.
  • the light emitting unit 140, the light emitting region 142, and the non-light emitting region 144 extend in a straight line (y direction in FIG. 2).
  • the light emitting regions 142 and the non-light emitting regions 144 are alternately and repeatedly provided in a direction orthogonal to the direction in which the light emitting unit 140 extends (the x direction in FIG. 2).
  • a non-light emitting region 144 is preferably provided in any region between the adjacent light emitting regions 142. However, the non-light emitting region 144 may not be provided in the region between any of the light emitting regions 142.
  • each of the light emitting units 140 extends in a direction intersecting with the first direction (for example, an orthogonal direction: y direction).
  • the widths of the light emitting portions 140a, 140b, 140c may be different from each other.
  • the ratio of these widths is preferably an inverse ratio of the luminance of each light emitting unit 140 when the same voltage is applied or a value close thereto.
  • the width of the light emitting unit 140a that emits blue light is wider than the light emitting units 140b and 140c of other colors. If it does in this way, in the light-emitting device 10, it can suppress that the brightness
  • variety (namely, width
  • the first electrode 110 is formed on the substrate 100 by using, for example, a sputtering method.
  • the first electrode 110 is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method.
  • the insulating layer 150 is formed on the edge of the first electrode 110.
  • the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order.
  • the organic layer 120 includes a layer formed by an evaporation method, this layer is formed in a predetermined pattern using, for example, a mask.
  • FIG. 1 when the organic layer 120 is formed also in the non-light-emitting region 144, it is not necessary to pattern the organic layer 120, so that the cost for forming the organic layer 120 can be reduced. .
  • the non-light emitting region 144 is provided between the adjacent light emitting regions 142.
  • one non-light emitting region 144 is provided for each of the plurality of light emitting units 140.
  • the number of boundaries between the light-emitting portions 140 and the non-light-emitting regions 144 is reduced.
  • the light emitting unit 140 can be widened.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the first modification, and corresponds to FIG. 1 in the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this modification has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment, except that the second electrode 130 is individually provided for each of the light emitting units 140.
  • the non-light emitting region 144 is made wider or the light emitting unit 140 is made wider than the case where the non-light emitting region 144 is provided for each of the plurality of light emitting units 140. be able to.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the second modification.
  • the light emitting device 10 according to this modification is the same as the light emitting device 10 according to the embodiment or modification 1 except that the organic layer 120 is not formed in at least a part (for example, all) of the non-light emitting region 144. It is a configuration. This figure shows a case similar to the embodiment.
  • the non-light emitting region 144 is made wider or the light emitting unit 140 is made wider than the case where the non-light emitting region 144 is provided for each of the plurality of light emitting units 140. be able to.
  • the organic layer 120 is not formed in at least a part of the non-light emitting region 144, the light transmittance of the non-light emitting region 144 is improved.

Abstract

 基板(100)は可視光を透過する。複数の発光領域(142)は基板(100)に設けられており、第1の方向に並んでいる。非発光領域(144)は複数の発光領域(142)の間のそれぞれに設けられており、可視光を透過する。また、発光領域(142)は複数の発光部(140)を有している。発光部(140)は、上記した第1の方向に並んでいる。また、発光部(140)は第1電極(110)、有機層(120)、及び第2電極(130)を有している。有機層(120)は、第1電極(110)と第2電極(130)の間に位置している。

Description

発光装置
 本発明は、発光装置に関する。
 近年は有機ELを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第1電極と第2電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第1電極には透明材料が用いられており、第2電極には金属材料が用いられている。
 有機ELを利用した発光装置において、外光を透過すること(光透過性)が求められる場合がある。例えば、特許文献1では、有機ELを利用した表示装置に光透過性を持たせるために、第2電極を線状にすることが記載されている。このようにすると、第2電極が設けられている部分が発光し、かつ、第2電極が設けられていない部分を外光が透過する。
 また特許文献2には、有機ELを用いた表示装置において、画素の隣に、外光が透過する領域を設けることが記載されている。より詳細には、第1の方向に複数の画素が並んでいる。そして、複数の画素それぞれの隣に、外光が透過する領域が設けられている。
特開2013-149376号公報 特開2012-234798号公報
 有機ELを利用した発光装置に光透過性を持たせるためには、特許文献1,2に記載されているように、発光装置に外光を透過する領域を設ければよい。しかし、この領域には発光部が形成されないため、発光装置のうち発光部が形成されている領域が占める割合(面積効率)が低下してしまう。
 本発明が解決しようとする課題としては、発光装置に光透過性を持たせつつ、発光装置の面積効率が低下しないようにすることが一例として挙げられる。
 請求項1に記載の発明は、可視光を透過する基板と、
 前記基板に設けられ、第1の方向に並んでいる複数の発光領域と、
 前記複数の発光領域の間に設けられた非発光領域と、
を備え、
 前記非発光領域は可視光を透過し、
 前記発光領域は、前記第1の方向に並んだ複数の発光部を有し、
 前記発光部は、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を有する発光装置である。
 上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 発光装置の平面図である。 変形例1に係る発光装置の構成を示す断面図である。 変形例2に係る発光装置の構成を示す断面図である。
 以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
 図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置10は、基板100、複数の発光領域142、及び非発光領域144を備えている。基板100は可視光を透過する。複数の発光領域142は基板100に設けられており、第1の方向(図1における縦方向)に並んでいる。非発光領域144は複数の発光領域142の間のそれぞれに設けられており、可視光を透過する。また、発光領域142は複数の発光部140を有している。発光部140は、上記した第1の方向に並んでいる。また、発光部140は第1電極110、有機層120、及び第2電極130を有している。有機層120は、第1電極110と第2電極130の間に位置している。以下、詳細に説明する。
 発光装置10は基板100を透過して有機層120の発光を取出す、いわゆるボトムエミッション型の照明装置である。そして、基板100は、例えばガラス基板や樹脂基板などの可視光を透過する基板である。また、基板100は可撓性を有していてもよい。この場合、基板100が湾曲した状態で発光装置10を使用することができる。可撓性を有している場合、基板100の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。ガラス基板で可撓性を持たせる場合、ガラス基板の厚みは300μm以下であるのが好ましい。基板100は、例えば矩形などの多角形である。基板100が樹脂基板である場合、基板100は、例えばPEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタラート)、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板100が樹脂基板である場合、水分が基板100を透過することを抑制するために、基板100の少なくとも有機層120が形成される面(好ましくは両面)に、SiNやSiONなどの無機バリア膜が形成されている。なお、この無機バリア膜と基板100の間に、平坦化層(例えば有機層)が設けられていてもよい。
 基板100には、発光領域142が第1の方向に沿って繰り返し設けられている。複数の発光領域142は、いずれも複数の発光部140を有している。発光部140は、第1電極110、有機層120、及び第2電極130をこの順に積層させた構成を有している。
 第1電極110は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)等の金属酸化物である。第1電極110の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。第1電極110は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第1電極110は、カーボンナノチューブ、又はPEDOT/PSSなどの導電性有機材料であってもよい。
 有機層120は発光層を有している。有機層120は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層120は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層120のうち少なくとも一つの層、例えば第1電極110と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層120の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層120のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
 第2電極130は、可視光を透過しない材料、例えば、Al、Au、Ag、Pt、Mg、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。第2電極130の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。ただし、第2電極130は、第1電極110の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第2電極130は、例えばマスクを用いたスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
 なお、本図に示す例において、同一の発光領域142に属する発光部140の第2電極130は、互いに繋がっている。言い換えると、第2電極130は、一つの発光領域142につき1つずつ設けられている。これは発光装置10の配線抵抗を低くするためである。ただし、第2電極130は発光部140それぞれに個別に設けられていてもよい。
 また、第1電極110の上には、導電部170が形成されている。導電部170は例えば第1電極110の補助電極であり、第1電極110に接触している。導電部170は第1電極110よりも抵抗値が低い材料によって形成されており、例えば少なくとも一つの金属層を用いて形成されている。導電部170は、例えばMo又はMo合金などの第1金属層、Al又はAl合金などの第2金属層、及びMo又はMo合金などの第3金属層をこの順に積層させた構成を有している。これら3つの金属層のうち第2金属層が最も厚い。そして導電部170は、絶縁層150によって覆われている。このため、導電部170は有機層120及び第2電極130のいずれにも直接接続していない。
 同一の発光領域142に属する発光部140は、互いに異なる色の光を発光する。例えば図1に示す例において、一つの発光領域142には3つの発光部140(発光部140a,140b,140c)が設けられている。発光部140aは、例えば青色の光を発光し、発光部140bは、例えば緑色の光を発光し、発光部140cは、例えば赤色の光を発光する。ただし、同一の発光領域142に属する発光部140は、同一の色の光を発行してもよい。
 第1電極110の縁は、絶縁層150によって覆われている。絶縁層150は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第1電極110のうち発光部140の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層150を設けることにより、第1電極110の縁において第1電極110と第2電極130が短絡することを抑制できる。本図に示す例において、隣り合う第1電極110の間隔は、例えば30μm以上300μm以下である。このため、隣り合う第1電極110の間は、絶縁層150によって埋められている。絶縁層150は、例えば、絶縁層150となる樹脂材料を塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。
 複数の発光領域142の間には、非発光領域144が設けられている。非発光領域144は、発光部140及び絶縁層150が設けられていない領域であり、可視光を透過する。なお、本図に示す例において、第1電極110及び第2電極130は非発光領域144に設けられていないが、有機層120は非発光領域144にも設けられている。
 非発光領域144の幅は、発光部140の幅、及び隣り合う発光部140の間隔のいずれよりも大きく、例えば350μm以上1000μm以下である。なお、非発光領域144の幅は、例えば、ある発光領域142に設けられた絶縁層150の端から、その隣の発光領域142に設けられた絶縁層150の端までの距離と定義することができる。
 図2は発光装置10の平面図である。なお、図1は図2のA-A断面に対応している。本図に示す例において、発光部140、発光領域142、及び非発光領域144は、直線状(図2におけるy方向)に延在している。そして、発光部140が延在する方向に直交する方向(図2におけるx方向)に、発光領域142及び非発光領域144は交互に繰り返し設けられている。
 なお、隣り合う発光領域142の間の領域には、いずれも非発光領域144が設けられているのが好ましい。ただし、いずれかの発光領域142の間の領域において、非発光領域144は設けられていなくてもよい。
 また、図2に示す例において、発光部140は、いずれも第1の方向に交わる方向(例えば直交する方向:y方向)に延在している。そして、第1の方向に平行な断面(図1に示した断面)において、発光部140a,140b,140cの幅は、互いに異なっていてもよい。これらの幅の比は、同一の電圧を印加した場合における各発光部140の輝度の逆比又はこれに近い値になっているのが好ましい。例えば青色の光を発光する発光部140aの幅は、他の色の発光部140b、140cよりも広い。このようにすると、発光装置10において、各色の輝度がばらつくことを抑制できる。なお、上記した発光部140の幅(すなわち第1電極110、有機層120、及び第2電極130が重なっている部分の幅)は、例えば150μm以上400μm以下である。
 次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100に第1電極110を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第1電極110を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第1電極110の縁の上に絶縁層150を形成する。例えば絶縁層150が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁層150は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層120及び第2電極130をこの順に形成する。有機層120が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。なお、図1に示すように非発光領域144にも有機層120が形成されている場合、有機層120をパターニングする必要がないため、有機層120を形成するときのコストを低くすることができる。
 以上、本実施形態によれば、非発光領域144は隣り合う発光領域142の間に設けられている。言い換えると、非発光領域144は、複数の発光部140につき1つずつ設けられている。このため、非発光領域144を複数の発光部140のそれぞれに対して設ける場合と比較して、発光部140と非発光領域144の境界の数が少なくなるため、非発光領域144を広くするか、又は発光部140を広くすることができる。
(変形例1)
 図3は、変形例1に係る発光装置10の構成を示す断面図であり、実施形態における図1に対応している。本変形例に係る発光装置10は、第2電極130が発光部140のそれぞれに個別に設けられている点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
 本変形例によっても、実施形態と同様に、非発光領域144を複数の発光部140のそれぞれに対して設ける場合と比較して、非発光領域144を広くするか、又は発光部140を広くすることができる。
(変形例2)
 図4は、変形例2に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置10は、非発光領域144の少なくとも一部(例えば全部)に有機層120が形成されていない点を除いて、実施形態又は変形例1に係る発光装置10と同様の構成である。本図は、実施形態と同様の場合を示している。
 本変形例によっても、実施形態と同様に、非発光領域144を複数の発光部140のそれぞれに対して設ける場合と比較して、非発光領域144を広くするか、又は発光部140を広くすることができる。また、非発光領域144の少なくとも一部には有機層120が形成されていないため、非発光領域144の透光率は向上する。
 以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (8)

  1.  可視光を透過する基板と、
     前記基板に設けられ、第1の方向に並んでいる複数の発光領域と、
     前記複数の発光領域の間に設けられた非発光領域と、
    を備え、
     前記非発光領域は可視光を透過し、
     前記発光領域は、前記第1の方向に並んだ複数の発光部を有し、
     前記発光部は、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を有する発光装置。
  2.  請求項1に記載の発光装置において、
     同一の前記発光領域に位置する前記複数の発光部の間には絶縁層が設けられており、
     前記非発光領域には前記絶縁層が設けられていない発光装置。
  3.  請求項2に記載の発光装置において、
     前記非発光領域には前記第1電極及び前記第2電極が設けられていない発光装置。
  4.  請求項3に記載の発光装置において、
     前記非発光領域は前記有機層を有している発光装置。
  5.  請求項1~4のいずれか一項に記載の発光装置において、
     前記非発光領域の幅は前記発光部の幅よりも大きい発光装置。
  6.  請求項1~5のいずれか一項に記載の発光装置において、
     同一の前記発光領域に属する前記複数の発光部それぞれの発光色は、互いに異なる発光装置。
  7.  請求項6に記載の発光装置において、
     同一の前記発光領域に属する前記複数の発光部の数は3である発光装置。
  8.  請求項6又は7に記載の発光装置において、
     同一の前記発光領域に属する前記複数の発光部の幅は、互いに異なる発光装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11335890B2 (en) * 2016-12-19 2022-05-17 Pioneer Corporation Light-emitting device and light-emitting system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010230797A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 表示装置、および電子機器
JP2012221811A (ja) * 2011-04-11 2012-11-12 Canon Inc 表示装置
JP2014154211A (ja) * 2013-02-04 2014-08-25 Toshiba Corp 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
JP2014199812A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 有機発光表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4582102B2 (ja) * 2007-03-08 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器
KR20110101980A (ko) 2010-03-10 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101482628B1 (ko) 2011-05-03 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
JP5758314B2 (ja) 2012-01-17 2015-08-05 株式会社東芝 有機電界発光素子、及び照明装置
KR101931176B1 (ko) 2012-06-11 2018-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
CN103219359A (zh) 2013-03-29 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光阵列基板及其制作方法、显示装置
JP6223210B2 (ja) * 2014-01-30 2017-11-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010230797A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 表示装置、および電子機器
JP2012221811A (ja) * 2011-04-11 2012-11-12 Canon Inc 表示装置
JP2014154211A (ja) * 2013-02-04 2014-08-25 Toshiba Corp 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
JP2014199812A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 有機発光表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11335890B2 (en) * 2016-12-19 2022-05-17 Pioneer Corporation Light-emitting device and light-emitting system

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