JP4582102B2 - 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置およびその製造方法ならびに電子機器に関する。

発光装置（フルカラー表示装置）として、画面を構成する複数の画素を有し、各画素は複数のサブ画素を有し、各サブ画素は有機ＥＬ（Electro Luminescent）素子や無機ＥＬ素子などのＥＬ素子を有し、画面にカラー画像を表示するものが開発されている。この種の発光装置としては、各画素が赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素を有するＲＧＢ発光装置と、各画素が赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素を有するＲＧＢＷ発光装置を例示することができる。

ＲＧＢ発光装置としては、各サブ画素の発光層が当該サブ画素の色の光を発するＥＬ材料で形成される第１装置、各サブ画素の発光層が白色の光を発するＥＬ材料で形成され、各サブ画素がその色に応じた特性のカラーフィルタを有する第２装置（特許文献１参照）、および、各サブ画素の発光層が青色の光を発するＥＬ材料で形成され、各画素の赤サブ画素および緑サブ画素がその色に応じた特性の色変換層を有する第３装置が挙げられる。

ＲＧＢＷ発光装置としては、各サブ画素の発光層が白色の光を発するＥＬ材料で形成され、各画素において、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々は、その色に応じた特性のカラーフィルタを有する第４装置が挙げられる。第４装置は、第２装置に白色画素を追加して得られるものであり、その各画素では、当該画素が白色を表す場合、その白サブ画素の発光層の発光が用いられる。
特開２００１−５７２９０号公報

第１装置では、外光反射を防ぐために偏光板が必須となるため、発光の利用効率が低く抑えられてしまう。第２装置では、発光のカラーフィルタによる損失が大きいため、発光の利用効率が低く抑えられてしまう。第３装置では、不要光の遮断のためにカラーフィルタを用いる必要があり、色変換層およびカラーフィルタにおいて発光の損失が生じるため、発光の利用効率が低く抑えられてしまう。このように、第１〜第３装置では、発光の利用効率が低く抑えられてしまう。このため、第１〜第３装置には、十分に高い表示品質を得るために消費電力を高くせざるを得ない、という問題がある。

第４装置では、画素が白色を表す場合、その白サブ画素において発光をそのまま射出すればよいから、発光の利用効率が十分に高くなる。しかし、画素が赤色、緑色または青色を表す場合、第４装置における発光の利用効率は、３０％や１０％といったように、第２装置と同様となる。つまり、第４装置では、白サブ画素における発光の利用効率は十分に高くなるが、他のサブ画素における発光の利用効率は低く抑えられてしまう。したがって、第４装置にも、十分に高い表示品質を得るために消費電力を高くせざるを得ない、という問題がある。

ここで、第４装置を変形して得られる第５装置を想定する。第５装置は、ＲＧＢW発光装置であり、各サブ画素の発光層が当該サブ画素の色の光を発するＥＬ材料で形成される。第５装置によれば、各サブ画素における発光の利用効率が十分に高くなる。しかし、第５装置では、その製造工程において、四種類のＥＬ材料を塗り分ける必要がある。つまり、第５装置には、その製造工程は複雑に過ぎる、という問題がある。

そこで、第５装置から白サブ画素を取り除いてＲＧＢ発光装置とした第６装置を想定する。第６装置でも、各サブ画素における発光の利用効率が十分に高くなる。また、第６装置の製造工程で塗り分けるべきＥＬ材料は三種類であるから、その製造工程は、第５装置の製造工程に比較して簡素となる。しかし、十分に簡素とは云い難い。また、第６装置には、画素が白色を表す場合、その三つのサブ画素を全て使う必要があり、発光の利用効率が低く抑えられてしまう、という問題もある。

そこで、本発明は、十分に簡素な製造工程で製造可能であり、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる発光装置およびその製造方法ならびに電子機器を提供することを解決課題とする。

本発明は、画面を構成する複数の画素を有する発光装置において、前記複数の画素の各々は、前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および残サブ画素であり、前記複数の画素の各々において、赤サブ画素は、赤色光の波長領域に存在する赤ピークと緑色光の波長領域に存在する緑ピークとの間および前記緑ピークと青色光の波長領域に存在する青ピークとの間が谷になっている発光スペクトルの３ピーク白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、緑サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、青サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、残サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有する、ことを特徴とする発光装置を提供する。各サブ画素は、一つの発光素子（例えば有機ＥＬ素子等のＥＬ素子）を含む。
この発光装置によれば、残サブ画素が表す色を適宜に定めることにより、各サブ画素における発光の利用効率が十分に高くなり、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。また、この発光装置では、全てのサブ画素の発光層が同種の材料で形成されており、その製造のために発光層について塗り分けるべき材料は一種類で足りる。したがって、この発光装置によれば、製造工程が十分に簡素となる。よって、この発光装置は、十分に簡素な製造工程で製造可能であり、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。

上記の発光装置において、前記複数の画素の各々において、残サブ画素は、その発光層に重なって桃色光を透過させるカラーフィルタを有する桃サブ画素である、ようにしてもよい（第1態様）。桃色は、赤色光の波長領域の光と青色光の波長領域の光とで表現可能であるから、この態様によれば、桃色光を透過させるカラーフィルタとして赤色光の波長領域の光および青色光の波長領域の光を透過させるカラーフィルタを採用することにより、桃サブ画素における発光の利用効率を十分に高くすることができる。したがって、この態様によれば、桃サブ画素および緑サブ画素で白色を表すときにも、発光の利用効率を十分に高くすることができる。また、一つの画素に白色を表示させる場合、前述の第6装置では、三つのサブ画素（赤、緑および青サブ画素）を発光させねばならないが、この態様では、二つの画素（桃および緑サブ画素）を発光させればよい。つまり、この態様には、第6装置に比較して、白色を表示するときの発光の利用効率が高い、という利点がある。

第1態様において、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、さらにこれら発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、赤サブ画素、青サブ画素および残サブ画素での前記透過層は、前記赤ピークと前記青ピークの波長の光が同時に干渉によって強められる共通の厚みを有し、緑サブ画素での前記透過層は、前記緑ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有する、ようにしてもよい。
この態様は、トップエミッション型である。この態様では、桃サブ画素の発光層と素子基板との間に反射層が存在する。加えて、この態様では、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および桃サブ画素において、光の干渉を考慮して、発光層と素子基板との間の透過層の厚みが定められている。よって、この態様によれば、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および桃サブ画素の輝度を上げることができる。桃サブ画素において、その発光層の発光スペクトルは広帯域に広がるから、その発光層の発光のうち一つの波長の光だけが干渉によって強められると、桃サブ画素が桃色以外の色を表してしまう虞があるが、この態様によれば、赤サブ画素、青サブ画素および桃サブ画素において、透過層の厚みが、赤ピークと青ピークの波長の光が同時に干渉によって強められる共通の厚みであるから、発光層からの発光のうち、赤ピークの波長の光および青ピークの波長の光が干渉によって強められる。これら二つの光は３ピーク白色光の三つの主要成分のうちの二つであり、桃サブ画素のカラーフィルタを透過して桃色光となる光であるから、この態様によれば、桃サブ画素の色純度の低下を抑制しつつ、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および桃サブ画素の輝度を上げることができる。

上記の発光装置において、前記複数の画素の各々において、残サブ画素は、白色を表す白サブ画素である、ようにしてもよい（第２態様）。白サブ画素の発光層の発光は白色光であるから、この態様によれば、発光層の発光がそのまま出射するように白サブ画素を構成することができる。つまり、この態様によれば、白サブ画素における発光の利用効率をさらに上げることができる。

第２態様において、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、さらにこれら発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、赤サブ画素での前記透過層は、前記赤ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、緑サブ画素での前記透過層は、前記緑ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、青サブ画素での前記透過層は、前記青ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、残サブ画素の透過層は、厚みが互いに異なる三つの部分を有し、第1の部分は、前記赤ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、第２の部分は、前記緑ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、第３の部分は、前記青ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有する、ようにしてもよい。
この態様は、トップエミッション型である。この態様では、白サブ画素の発光層と素子基板との間に反射層が存在する。加えて、この態様では、光の干渉を考慮して、発光層と素子基板との間の透過層の厚みが定められている。よって、この態様によれば、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素の輝度を上げることができる。白サブ画素において、その発光層の発光スペクトルは広帯域に広がるから、その発光層の発光のうち一つの波長の光だけが干渉によって強められると、白サブ画素が白色以外の色を表してしまう虞があるが、この態様によれば、白サブ画素において、透過層の三つの部分の厚みが互いに異なり、第1の部分は、赤ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、第２の部分は、緑ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、第３の部分は、青ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有するから、発光層からの発光のうち、赤ピークの波長の光、緑ピークの波長の光および青ピークの波長の光が干渉によって強められる。これら三つの光は３ピーク白色光の三つの主要成分そのものであり、白サブ画素のカラーフィルタを透過して白色光となる光であるから、この態様によれば、白サブ画素の色純度の低下を抑制しつつ、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素の輝度を上げることができる。

上記の発光装置、第１態様または第２態様において、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記素子基板下に形成されて光を吸収する光吸収層を有する、ようにしてもよい。この態様は、発光層の発光が素子基板の反対側から出射するトップエミッション型である。この態様には、光吸収層が存在するため、光透過性の素子基板を用いてもコントラストが低下しない、という利点がある。

上記の発光装置、第１態様または第２態様において、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々のカラーフィルタはその発光層と前記素子基板との間に挟まれ、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々はその発光層とそのカラーフィルタとの間に光透過性かつ光反射性の半反射層を有する、ようにしてもよい。この態様は、発光層の発光が素子基板を透過して出射するボトムエミッション型である。この態様によれば、十分に簡素な製造工程で製造可能であり、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。この態様において、複数の画素の各々の赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々において、その半反射層は、その電極として機能する、ようにしてもよい。

上記の発光装置または各態様において、前記複数の画素の各々において、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および残サブ画素は、共通の発光層を有する、ようにしてもよい。この態様によれば、その製造工程において、各画素について、その全てのサブ画素の発光層を容易に一括形成することができる。なお、赤サブ画素。緑サブ画素、青サブ画素および残サブ画素において、発光層以外の有機層をも共通としてもよいし、透過層をも共通としてもよい。

本発明は、上記の発光装置または各態様に係る発光装置を有する電子機器を提供する。この電子機器によれば、この電子機器が有する発光装置により得られる効果と同様の効果を得ることができる。

本発明は、画面を構成する複数の画素を有する発光装置において、前記複数の画素の各々は、前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および残サブ画素であり、前記複数の画素の各々において、赤サブ画素は、赤色光の波長領域に存在する赤ピークと緑色光の波長領域に存在する緑ピークとの間および前記緑ピークと青色光の波長領域に存在する青ピークとの間が谷になっている発光スペクトルの３ピーク白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、緑サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、青サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、残サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有する発光装置の製造方法であって、前記画面に沿って延在する素子基板上に、前記複数の画素の各々について、赤サブ画素の発光層と青サブ画素の発光層と残サブ画素の発光層を前記白発光材料で一括して形成する、ことを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。
この製造方法によって製造される発光装置によれば、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。また、この製造方法では、各画素について、その全てのサブ画素の発光層が一括して形成される。よって、この製造方法によれば、十分に簡素な製造工程で、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる発光装置を製造することができる。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態を説明する。これらの図面においては、各層や各部材の寸法の比率は、実際のものとは適宜に異なっている。

＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１０の平面図である。発光装置１０は、長方形の画面Ｓを構成する複数の画素Ｐを有するフルカラー表示装置である。複数の画素Ｐは、画面Ｓに沿ってマトリクス状に配列されている。画素Ｐは、画面Ｓを構成する四つのサブ画素１を有する。これら四つのサブ画素１は、赤色光を射出して赤色を表す赤サブ画素１Ｒ、緑色光を射出して緑色を表す緑サブ画素１Ｇ、青色光を射出して青色を表す青サブ画素１Ｂおよび桃色光を射出して桃色を表す桃サブ画素１Ｐであり、画面Ｓに沿ってストライプ状に配列されている。各画素Ｐでは、桃サブ画素１Ｐおよび緑サブ画素１Ｇで白色が表される。

図２は、発光装置１０を構成する画素Ｐの平面図であり、図３は、画素Ｐの断面図である。これらの図において、共通する要部には同一のハッチングを施してある。図３に示すように、発光装置１０は、素子基板１１を有する。素子基板１１は、複数の発光素子ＥＷが形成される平板状の基板である。発光素子ＥＷは、具体的には有機ＥＬ素子である。発光素子ＥＷはサブ画素１と１対１で対応しており、各発光素子ＥＷは対応するサブ画素１に含まれている。具体的には、赤サブ画素１Ｒには白発光素子ＥＷ１が、桃サブ画素１Ｐには白発光素子ＥＷ２が、青サブ画素１Ｂには白発光素子ＥＷ３が、緑サブ画素１Ｇには白発光素子ＥＷ４が含まれている。

素子基板１１は、その上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の能動素子を形成可能であり、例えばガラス、セラミックまたは金属で形成されている。素子基板１１上には、光を全反射する反射層１２が、サブ画素１毎に形成されている。反射層１２の形成材料は、例えば、銀であってもよいし、アルミニウムであってもよいし、銀またはアルミニウムの一方または両方を含む合金であってもよい。図示を略すが、素子基板１１および反射層１２上には、図示しないパシベーション層が形成されている。このパシベーション層は、その厚みが例えば２００ｎｍであり、例えば窒化珪素で形成されている。また、素子基板１１および反射層１２上（すなわちパシベーション層上）には、発光素子ＥＷが、サブ画素１毎に形成されている。以下、具体的に述べる。

素子基板１１および反射層１２上（すなわちパシベーション層上）には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性の透明電極（透過層）１３が、サブ画素１毎に、反射層１２を覆って形成されている。画素Ｐは四つの透明電極１３を有する。これら四つの透明電極１３は、赤透明電極１３Ｒ、緑透明電極１３Ｇ、青透明電極１３Ｂおよび桃透明電極１３Ｐである。赤透明電極１３Ｒ、青透明電極１３Ｂおよび桃透明電極１３Ｐの厚みは共通である。緑透明電極１３Ｇの厚みは例えば１１０ｎｍである。透明電極１３は発光素子ＥＷの陽極として機能する。

素子基板１１および透明電極１３上（すなわちパシベーション層および透明電極１３上）には、透明電極１３と協働して、全ての発光素子ＥＷについて有機層領域を画定する隔壁１４が形成されている。画素Ｐにおける有機層領域の数は一つであり、この有機層領域には、白正孔注入層１５Ｗが形成され、その上に白発光層１６Ｗが形成され、その上に白電子注入層（図示略）が形成されている。

画素Ｐにおいて、白発光層１６Ｗは、全てのサブ画素１に共通している。つまり、白発光層１６Ｗは、赤サブ画素１Ｒ、桃サブ画素１Ｐ、青サブ画素１Ｂおよび緑サブ画素１Ｇ発光層（赤発光層、桃発光層、青発光層および緑発光層）を含んでいる。各サブ画素の発光層は、画面Ｓ（素子基板１１）に沿って広がっており、その厚みは例えば３０ｎｍである。また、白正孔注入層１５Wの厚みは例えば８０ｎｍであり、白電子注入層の厚みは例えば２０ｎｍである。正孔注入層および正孔輸送層など、直接発光しない有機機能層については全画素共通で形成してもよい

以上の説明から明らかなように、画素Ｐの四つのサブ画素１の各々は、その発光層と素子基板１１との間に光透過性の透過層（透明電極１３）を有し、画素Ｐの各サブ画素１は、その透過層（透明電極１３）と素子基板１１との間に反射層１２を有する。また、白発光層１６Ｗは白色光を発する有機ＥＬ材料（以降、「白発光材料」）で形成されている。白発光材料の発光は３ピーク白色光であり、その発光スペクトルは、赤色光の波長領域（５９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下）に存在する赤ピーク、緑色光の波長領域（５００以上５７０ｎｍ以下）に存在する緑ピークおよび青色光の波長領域に存在する青ピーク（４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）を有し、赤ピークと緑ピークとの間、および緑ピークと青ピークとの間が谷になっている。

白電子注入層上には、全ての発光素子ＥＷに共通し、全ての発光素子ＥＷの陰極として機能する共通電極１７が形成されている。共通電極１７は、光透過性かつ光反射性の半反射層であり、その厚みが例えば１０ｎｍであり、例えばマグネシウム銀で形成されている。以上説明したことから明らかなように、素子基板１１上には、サブ画素１毎に、反射層１２および発光素子ＥＷが形成されている。

透明電極１３の厚みは、各発光素子ＥＷにおいて、直下の反射層１２と共通電極１７との光学的距離が、その発光層の発光のうち、そのサブ画素１が表す色の光が、光の干渉によって強まる距離となるように定められている。具体的には、赤透明電極１３Ｒ、青透明電極１３Ｂおよび桃透明電極１３Ｐの厚みは、共通であり、上記の光学的距離が、波長が赤色光領域（５９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下）にある光（好適には波長が６２０ｎｍ付近の光）と波長が青色光領域（４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）にある光（好適には波長が４８０ｎｍ付近の光）がそれぞれ干渉によって強まる距離となるように定められている。また、緑透明電極１３Ｇの厚みは、上記の光学的距離が、波長が緑色光領域（５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下）にある光（好適には波長が５３０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まる距離となるように定められている。

素子基板１１および共通電極１７上には、全ての発光素子ＥＷを覆うように封止層１８が形成されている。封止層１８は、発光素子ＥＷを封止して保護するための層であり、光透過性の材料（例えば窒酸化珪素または酸化珪素）で形成されている。封止層１８上には、カラーフィルタ基板１９が張り合わせられている。カラーフィルタ基板１９は、平板状かつ光透過性の透明基板１９１と、サブ画素１と１対１で対応するカラーフィルタ１９２と、遮光性のブラックマトリクス１９３とを有する。

カラーフィルタ１９２は、透明基板１９１上に形成された層であり、基本的には、特定の色の光のみを透過させる。例えば、赤カラーフィルタ１９２Ｒは赤色光のみ、青カラーフィルタ１９２Ｂは青色光のみ、桃カラーフィルタ１９２Ｐは桃色光（赤色光および青色光）のみ、緑カラーフィルタ１９２Ｇは緑色光のみを透過させる。ブラックマトリクス１９３は、透明基板１９１上に形成された層であり、カラーフィルタ１９２間の隙間を埋めるように配置されている。

封止層１８には、カラーフィルタ基板１９のカラーフィルタ１９２側の面が接触している。画素Ｐにおいて、赤カラーフィルタ１９２Ｒは赤発光層に、桃カラーフィルタ１９２Ｐは桃発光層に、青カラーフィルタ１９２Ｂは青発光層に、緑カラーフィルタ１９２Ｇは緑発光層に重なっている。つまり、画素Ｐにおいて、各サブ画素１の発光層は、素子基板１１上に形成され、対応するカラーフィルタ１９２と素子基板１１との間に挟まれている。

つまり、画素Ｐにおいて、赤サブ画素１Ｒは、赤発光層と赤発光層に重なっている赤カラーフィルタ１９２Ｒとを有し、桃サブ画素１Ｐは、桃発光層と桃発光層に重なっている桃カラーフィルタ１９２Ｐとを有し、青サブ画素１Ｂは、青発光層と青発光層に重なっている青カラーフィルタ１９２Ｂとを有し、緑サブ画素１Ｇは、緑発光層と緑発光層に重なっている緑カラーフィルタ１９２Ｇとを有する。

以上の説明から明らかなように、発光装置１０は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。したがって、発光層の発光は、素子基板１１の反対側、すなわちカラーフィルタ基板１９側から出射する。出射光の光路上にはカラーフィルタ１９２が存在するから、赤サブ画素１Ｒの出射光（Ｒ光）の色は赤となり、桃サブ画素１Ｐの出射光（Ｐ光）の色は桃となり、青サブ画素１Ｂの出射光（Ｂ光）の色は青となり、緑サブ画素１Ｇの出射光（Ｇ光）の色は緑となる。

以上説明したように、発光装置１０は、複数の画素Ｐを有し、各画素Ｐは、四つのサブ画素１を有し、各画素Ｐのサブ画素１の各々は、赤サブ画素１Ｒ、桃サブ画素１Ｐ、青サブ画素１Ｂおよび緑サブ画素１Ｇであり、各画素において、赤サブ画素１Ｒは、赤ピーク、緑ピークおよび青ピークを有する発光スペクトルの白発光材料で形成された赤発光層と、赤発光層に重なっている赤カラーフィルタ１９２Ｒとを有し、桃サブ画素１Ｐは、白発光材料で形成された桃発光層と、桃発光層に重なっている桃カラーフィルタ１９２Ｐとを有し、青サブ画素１Ｂは、白発光材料で形成された青発光層と、青発光層に重なっている青カラーフィルタ１９２Ｂとを有し、緑サブ画素１Ｇは、白発光材料で形成された緑発光層と、緑発光層に重なっている緑カラーフィルタ１９２Ｇとを有する。

したがって、発光装置１０によれば、各サブ画素において、発光層の発光の利用効率が十分に高くなるから、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。また、発光装置１０では、各サブ画素の発光層が同種の材料（白発光材料）で形成されており、その製造のために発光層について用いる材料は一種類で足りる。したがって、発光装置１０によれば、製造工程が簡素となる。よって、発光装置１０によれば、十分に簡素な製造工程で製造可能であり、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。

上述したように、発光装置１０は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、素子基板１１を有し、各画素Ｐにおいて、各サブ画素１の発光層は、素子基板１１上に形成され、そのカラーフィルタ１９２と素子基板１１との間に挟まれ、各サブ画素１はその発光層と素子基板１１との間に光透過性の透過層（透明電極１３）を有し、各サブ画素１は、その透過層と素子基板１１との間に反射層１２を有する。また、上述したように、発光装置１０では、各発光素子ＥＷにおいて、直下の反射層１２と共通電極１７との光学的距離が、その発光層の発光のうち、そのサブ画素１が表す色の光が、光の干渉によって強まる距離となっている。よって、発光装置１０によれば、各サブ画素１において、その輝度を上げることができる。

図４は、発光装置１０の赤サブ画素１Ｒ、青サブ画素１Ｂおよび桃サブ画素１Ｐにおける発光の利用効率を示すグラフである。このグラフには、赤サブ画素１Ｒ、青サブ画素１Ｂおよび桃サブ画素１Ｐの各々について、その発光層の発光スペクトルと、そのカラーフィルタ１９２の透過特性と、その出射光（Ｒ光、Ｂ光またはＰ光）のスペクトルが示されている。このグラフから、赤サブ画素１Ｒおよび青サブ画素１Ｂにおいて、発光の利用効率が６０〜８０％程度となること、すなわち十分に高い利用効率となることが分かる。赤色および青色は、緑色に比較して、人間に認識され難い色であるから、赤色および青色について発光の利用効率が十分に高いことは、消費電力の低減に直結する。また、このグラフから、桃サブ画素１Ｐにおいて、発光の利用効率が十分に高くなることが分かる。また、このグラフから、発光装置１０によれば、桃サブ画素１Ｐにおいて、人間に認識され易い緑色光が桃カラーフィルタ１９２Ｐにより遮られ、これによって外光反射が十分に抑制される、ということが分かる。

図５は、発光装置１０の緑サブ画素１Ｇにおける発光の利用効率を示すグラフである。このグラフには、緑サブ画素１Ｇについて、その発光層の発光スペクトルと、その緑カラーフィルタ１９２Ｇの透過特性と、その出射光（Ｇ光）のスペクトルが示されている。このグラフから、緑サブ画素１Ｇにおいて、発光の利用効率が５０％程度となること、すなわち十分に高い利用効率となることが分かる。

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。
まず、図６に示すように、素子基板１１上に、反射層１２を、サブ画素１毎に形成し、素子基板１１および反射層１２上にパシベーション層（図示略）を形成し、その上に、透明電極１３を、サブ画素１毎に、反射層１２を覆うように形成し、パシベーション層（図示略）および透明電極１３上に隔壁１４を形成して全ての画素Ｐについて有機層領域を形成し、各有機層領域内に正孔注入層１５Ｗを製膜により形成する。正孔注入層１５等の有機機能層の製膜方法としては、蒸着法や、塗布法、スパッタ法、ＣＶＤ法等を採用可能である。透明電極１３を形成する工程では、形成する透明電極１３の厚みを、サブ画素１の種類（赤サブ画素１Ｒ，青サブ画素１Ｂ，桃サブ画素１Ｐ／緑サブ画素１Ｇ）に応じた厚みとする必要がある。このような厚みの制御は、例えば製膜を繰り返すことにより実現可能である。

次に、図７に示すように、各画素Ｐについて、その有機層領域内に白発光材料で製膜して白発光層１６Ｗを形成する。これにより、各画素Ｐでは、その全てのサブ画素１の発光層が形成される。次に、図８に示すように、各有機層領域内に電子注入層（図示略）を形成し、形成した電子注入層および隔壁１４上に共通電極１７を形成し、共通電極１７および素子基板１１上に封止層１８を形成し、その上にカラーフィルタ基板１９を張り合わせる。こうして、図３に示す発光装置１０が完成する。以上の説明からも、製造工程が複雑化しないことが分かる。

＜第２の実施の形態＞
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ２の断面図である。画素Ｐ２は発光装置１０における画素Ｐに相当する。この図に示す発光装置が発光装置１０と異なる点は、桃サブ画素１Ｐに代えて桃サブ画素２Ｐを有する点と、素子基板１１の下に光を吸収する光吸収層２４が形成されている点と、素子基板１１の形成材料が光透過性の材料（例えば、ガラス）に限られる点である。桃サブ画素２Ｐが桃サブ画素１Ｐと異なる点は、反射層１２を備えていない点と、桃透明電極１３Ｐに代えて桃透明電極２３Ｐを備えている点である。桃透明電極２３Ｐが桃透明電極１３Ｐと異なる点は、反射層１２の不在に起因する形状の相違のみである。なお、桃透明電極２３Ｐは、遮光性の材料で形成されてもよい。

この発光装置では、桃サブ画素２Ｐが反射層１２を備えていないから、第１の実施の形態に比較して、桃サブ画素１Ｐにおける発光の利用効率が低くなるが、桃サブ画素２Ｐの発光層の発光のうち特定の一つの波長の光が干渉により強められてＰ光の色味が変わってしまう事態が生じ難い。したがって、この発光装置によれば、桃サブ画素２Ｐが表す色の純度を低下させずに済む。また、この発光装置によれば、不要な光が光吸収層２４で吸収されるから、光透過性の素子基板１１を用いているにも関わらず、桃サブ画素２Ｐのコントラストを低下させずに済む。

この発光装置のように、第１の実施の形態に比較して、桃サブ画素における発光の利用効率が低くなってもよいのであれば、他の形態も考えられる。例えば、第１の実施の形態を変形し、桃透明電極１３Ｐの厚みを、７０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の範囲内の任意の長さとしてもよい。さらに、この例において、桃透明電極１３Ｐの厚みを、直下の反射層１２と共通電極１７との光学的距離が、波長が青色光領域（４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）にある光（好適には波長が４８０ｎｍ付近の光）、または波長が赤色光領域（５９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下）にある光（好適には波長が６２０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まる距離となるように定めてもよい。ただし、この場合、桃サブ画素において、特定の波長の光（青色光または赤色光）が干渉により強められてＰ光の色味が変わってしまう事態が生じ得る。この事態を回避可能であり、かつ、第１の実施の形態とは異なる形態について、次に説明する。

＜第３の実施の形態＞
図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ３の断面図であり、図１１は、画素Ｐ３の平面図である。画素Ｐ３は発光装置１０における画素Ｐに相当する。この図に示す発光装置が発光装置１０と異なる点は、赤サブ画素１Ｒ、桃サブ画素１Ｐ、青サブ画素１Ｂおよび緑サブ画素１Ｇに代えて、赤サブ画素３Ｒ、桃サブ画素３Ｐ、青サブ画素３Ｂおよび緑サブ画素３Ｇを有する点である。

赤サブ画素３Ｒ、桃サブ画素３Ｐおよび青サブ画素３Ｂが、赤サブ画素１Ｒ、桃サブ画素１Ｐおよび青サブ画素１Ｂと大きく異なる点は、厚みが共通の赤透明電極１３Ｒ、桃透明電極１３Ｐおよび青透明電極１３Ｂに代えて、厚みが互いに異なる赤透明電極３３Ｒ（透過層）、桃透明電極３３Ｐ（透過層）および青透明電極３３Ｂ（透過層）を有する点である。赤透明電極３３Ｒの厚みは例えば１３０ｎｍ、青透明電極３３Ｂの厚みは例えば８５ｎｍである。桃透明電極３３Ｐは、厚みが互いに異なる部分３３１Ｐおよび部分３３２Ｐを有する。部分３３１Ｐの厚みは波長が赤色光領域（５９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下）にある光（好適には波長が６２０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まるように、部分３３２Ｐの厚みは波長が青色光領域（４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）にある光（好適には波長が４８０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まるように定められている。

赤透明電極３３Ｒの厚みは、波長が赤色光領域（５９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下）にある光（好適には波長が６２０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まるように定められている。青透明電極３３Ｂの厚みは、波長が青色光領域（４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）にある光（好適には波長が４８０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まるように定められている。赤透明電極３３Ｒ、桃透明電極３３Ｐおよび赤透明電極３３Ｂの形状が、赤透明電極１３Ｒ、桃透明電極１３Ｐおよび赤透明電極１３Ｂの形状と異なることに起因して、本実施の形態では、白正孔注入層、白発光層、白電子注入層（図示略）、共通電極および封止層の形状が、第1の実施の形態における形状と異なっている。これが、緑サブ画素３Ｇが緑サブ画素１Ｇと大きく異なる点である。

この発光装置では、赤サブ画素３Ｒ、桃サブ画素３Ｐおよび青サブ画素３Ｂにおいて、その発光層の発光のうち特定の波長の光が干渉により強められる。したがって、この発光装置によれば、赤サブ画素３Ｒ、桃サブ画素３Ｐおよび青サブ画素３Ｂの輝度を上げることができる。また、桃サブ画素３Ｐでは、その発光層の発光スペクトルの三つのピークのうち赤ピークおよび青ピークの波長の光（赤色光および青色光）が光の干渉によって強められるから、特定の波長の光が干渉により強められてＰ光の色味が変わってしまう事態が生じ難い。したがって、この発光装置によれば、桃サブ画素が表す色の純度を低下させずに済む。

次に、この発光装置の製造方法について説明する。
まず、図１２に示すように、素子基板１１上に、反射層１２を、サブ画素３毎に形成し、素子基板１１および反射層１２上にパシベーション層（図示略）を形成する。次に、図１２〜図１５に示すように、パシベーション層（図示略）上に、透明電極３３を、サブ画素３毎に、反射層１２を覆うように形成する。

透明電極３３の形成工程は次の通りである。
まず、図１３に示すように、透明電極３３の形成材料（透明材料）で、パシベーション層（図示略）上に、サブ透過層Ａ１およびサブ透過層Ａ２を一括して形成する。具体的には、まず、全ての反射層１２を覆うように厚みがＡのサブ透過層を形成し（形成ステップ）、次に、このサブ透過層の不要な部分をエッチングによって除去する（除去ステップ）。残った部分が、サブ透過層Ａ１およびサブ透過層Ａ２となる。サブ透過層Ａ１は赤サブ画素３Ｒの反射層１２を、サブ透過層Ａ２は桃サブ画素３Ｐの反射層１２の一部（桃サブ画素３Ｐの素子基板１１に平行な断面）を覆っている。

その上に、図１４に示すように、透明電極３３の形成材料で、サブ透過層Ｂ１〜Ｂ３を一括して形成する。具体的には、まず、全ての反射層１２を覆うように厚みがＢのサブ透過層を形成し、次に、このサブ透過層の不要な部分をエッチングによって除去する。残った部分が、サブ透過層Ｂ１〜Ｂ３となる。サブ透過層Ｂ１は赤サブ画素３Ｒの反射層１２を、サブ透過層Ｂ２は桃サブ画素３Ｐの反射層１２の一部（桃サブ画素３Ｐの素子基板１１に平行な断面）を、サブ透過層Ｂ３は緑サブ画素３Ｇの反射層１２を覆っている。

その上に、図１５に示すように、透明電極３３の形成材料で、サブ透過層Ｃ１〜Ｃ４を一括して形成する。具体的には、まず、全ての反射層１２を覆うように厚みがＣのサブ透過層を形成し、次に、このサブ透過層の不要な部分をエッチングによって除去する。残った部分が、サブ透過層Ｃ１〜Ｃ４となる。サブ透過層Ｃ１は赤サブ画素３Ｒの反射層１２を、サブ透過層Ｃ２は桃サブ画素３Ｐの反射層１２（桃サブ画素３Ｐの素子基板１１に平行な断面）を、サブ透過層Ｃ３は青サブ画素３Ｂの反射層１２を、サブ透過層Ｃ４は緑サブ画素３Ｇの反射層１２を覆っている。

こうして、全ての透明電極３３が形成される。
以上の説明から明らかなように、赤透明電極３３Ｒの厚みはＡ＋Ｂ＋Ｃ、緑透明電極３３Ｇの厚みはＢ＋Ｃ、青透明電極３３Ｂの厚みはＣとなる。また、桃透明電極３３Ｐにおいて、部分３３１Ｐの厚みはＡ＋Ｂ＋Ｃ、部分３３２Ｇの厚みはＣとなる。したがって、サブ透過層の形成工程において、Ａ、ＢおよびＣは、赤透明電極３３Ｒの理想的な厚みをＸ、緑透明電極３３Ｇの理想的な厚みをＹ、青透明電極３３Ｂの理想的な厚みをＺとしたとき、Ａ＝Ｘ−Ｙ、Ｂ＝Ｙ−Ｚ、Ｃ＝Ｚ−０＝Ｚとなるように定められる。つまり、ｎ番目に形成されるサブ透過層の厚みは、ｎ番目に厚い透明電極３３の厚みとｎ＋１番目に厚い透明電極３３の厚みとの差分に一致する。ただし、存在しないサブ透過層の厚みは０として扱われる。

本実施の形態に係る発光装置の製造方法では、桃サブ画素３Ｐの素子基板１１に平行な断面を覆うサブ透過層を光透過性の材料で形成する形成ステップと、この形成ステップで形成されたサブ透過層の一部を除去する除去ステップとが繰り返し行われる。したがって、この発光装置によれば、蒸着マスクでは形成困難な微細な構造、具体的には桃サブ画素３Ｐの桃透明電極３３Ｐにおける厚みが互いに異なる複数の部分３３１Ｐおよび３３２Ｐを形成することができる。

＜第４の実施の形態＞
図１６は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ４の断面図である。画素Ｐ４は、図１０の画素Ｐ３に相当する。画素Ｐ４が画素Ｐ３と異なる点は、赤サブ画素３Ｒ、桃サブ画素３Ｐ、青サブ画素３Ｂおよび緑サブ画素３Ｇに代えて、赤サブ画素４Ｒ、桃サブ画素４Ｐ、青サブ画素４Ｂおよび緑サブ画素４Ｇを有する点である。

桃サブ画素４Ｐが桃サブ画素３Ｐと大きく異なる点は、桃透明電極３３Ｐに代えて桃透明電極（透過層）４３Ｐを有する点である。桃透明電極４３Ｐは、部分３３２Ｐと等厚の部分４３１Ｐと、部分３３１Ｐと等厚の部分４３２Ｐとを有する。桃透明電極３３Ｐでは、最も厚い部分３３１Ｐが赤サブ画素３Ｒ側に存在するのに対し、桃透明電極４３Ｐでは、最も薄い部分４３２Ｐが赤サブ画素４Ｒ側に存在する。

桃透明電極４３Ｐの形状が桃透明電極３３Ｐの形状と異なることに起因して、本実施の形態では、白正孔注入層、白発光層、電子注入層（図示略）、共通電極および封止層の形状が、第３の実施の形態における形状と異なっている。これが、赤サブ画素４Ｒ、青サブ画素４Ｂおよび緑サブ画素４Ｇが、赤サブ画素３Ｒ、青サブ画素３Ｂおよび緑サブ画素３Ｇと大きく異なる点である。

この発光装置でも、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。このことから明らかなように、本発明では、桃透明電極の断面形状は図示の形状に限られない。例えば、二つの部分が図１６の紙面垂直方向に並んだ形状であってもよい。

＜第５の実施の形態＞
図１７は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ５の断面図である。画素Ｐ５は、図１０の画素Ｐ３に相当する。画素Ｐ５が画素Ｐ３と異なる点は、赤サブ画素３Ｒ、桃サブ画素３Ｐ、青サブ画素３Ｂおよび緑サブ画素３Ｇに代えて、赤サブ画素５Ｒ、白サブ画素５Ｗ、青サブ画素５Ｂおよび緑サブ画素５Ｇを有する点である。白サブ画素５Ｗは、白色を表すサブ画素であり、Ｗ光を射出する。したがって、本実施の形態に係る発光装置では、白色は、白サブ画素５Ｗのみで表される。

白サブ画素５Ｗが桃サブ画素３Ｐと大きく異なる点は、カラーフィルタ１９２Ｐに代えて白色光を透過させるカラーフィルタ（透光層）５９２Ｗを有する点と、桃透明電極３３Ｐに代えて白透明電極（透過層）５３Ｗを有する点である。カラーフィルタ５９２Ｗは、全ての波長の可視光を透過させる光透過性の材料で形成されている。白透明電極５３Ｗは、厚みが互いに異なる三つの部分５３１Ｗ、５３２Ｗおよび５３３Ｗを有する。部分５３１Ｗの厚みは、、波長が赤色光領域（５９０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下）にある光（好適には波長が６２０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まるように定められている。部分５３２Ｗの厚みは、波長が緑色光領域（５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下）にある光（好適には波長が５３０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まるように定められている。部分５３３Ｗの厚みは、波長が青色光領域（４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）にある光（好適には波長が４８０ｎｍ付近の光）が干渉によって強まるように定められている。

この発光装置では、白サブ画素５Ｗにおいて、その発光層の発光のうち特定の波長の光が干渉により強められる。したがって、この発光装置によれば、白サブ画素５Ｗの輝度を上げることができる。また、白サブ画素５Ｗでは、その発光層の発光スペクトルの三つのピークの各々の波長の光（赤色光、緑色光および青色光）が光の干渉によって強められるから、特定の波長の光が干渉により強められてＷ光の色味が変わってしまう事態が生じ難い。したがって、この発光装置によれば、白サブ画素５Ｗが表す色の純度を低下させずに済む。なお、本実施の形態を変形し、三つの部分が図１７の紙面垂直方向に並ぶようにしてもよいし、部分５３１Ｗ〜５３３Ｗのうち部分５３２Ｗまたは部分５３３Ｗが最も赤サブ画素５Ｒ側に位置するようにしてもよい。

＜第６の実施の形態＞
図１８は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ６の断面図である。この発光装置はボトムエミッション型の発光装置である。したがって、素子基板１１の形成材料は、光透過性の材料（例えば、ガラス）に限られている。また、この発光装置は、ボトムエミション型であるから、反射層１２およびカラーフィルタ基板１９を持たない代わりに、素子基板１１と透明電極１３との間にカラーフィルタ１９２およびブラックマトリクス１９３を有する。

つまり、各画素Ｐ６について、各サブ画素６の発光層は素子基板１１上に形成され、赤サブ画素６Ｒ、桃サブ画素６Ｐ、青サブ画素６Ｂおよび緑サブ画素６Ｇの各々のカラーフィルタ１９２は、その発光層と素子基板１１との間に挟まれている。なお、素子基板１１上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の能動素子を有する形態を採る場合、これらの能動素子は、その姿が隠れるように、ブラックマトリクス１９３上に形成されるべきこととなる。

画素Ｐ６は、図９の画素Ｐ２に相当し、赤サブ画素６Ｒ、桃サブ画素６Ｐ、青サブ画素６Ｂおよび緑サブ画素６Ｇは、図９の赤サブ画素１Ｒ、桃サブ画素２Ｐ、青サブ画素１Ｂおよび緑サブ画素１Ｇに相当する。共通電極６７および封止層６８は、図９の共通電極１７および封止層１８に相当し、共通電極１７および封止層１８と同様に透明な材料で形成されている。本実施の形態を変形し、共通電極６７および封止層６８が遮光性の材料で形成された形態としてもよい。

このように、本発明は、ボトムエミッション型の発光装置にも適用可能である。さらに、この発光装置を変形し、第１〜第５の各実施の形態で得られる効果と同様の効果を得ることができるようにしてもよい。例えば、共通電極７７を光反射性の材料で形成し、光の干渉によって出射光を強めるようにしてもよいし、さらに、カラーフィルタ１９２およびブラックマトリクス１９３上に例えば窒化珪素でパシベーション層を形成し、このパシベーション層上に、銀またはアルミニウムなどの反射率の高い材料で５〜１５ｎｍ程度の薄膜層を形成して光透過性かつ光反射性の半反射層（ハーフミラー）とし、その上に透明電極を形成するようにしてもよい。この場合、半反射層と反射層（共通電極）との間の光学的距離は、透明電極の厚み、または透明電極の厚み及び有機機能層の厚みを適宜に定めることにより調節可能である。また例えば、透明電極を金や銀の薄膜で形成して半反射層として機能させるようにしてもよい。この場合、半反射層と反射層との間の光学的距離は、透明電極の厚み、または透明電極の厚み及び有機機能層の厚みを適宜に定めることにより調節可能である。つまり、赤サブ画素、青サブ画素および緑サブ画素の各々がその発光層とそのカラーフィルタとの間に半反射層を有する、ようにしてもよい。なお、この場合、補助陽極としてＩＴＯを用いてもよい。また例えば、半反射層を桃サブ画素に設け、桃透明電極が、互いに厚みが異なる複数の部分を有するようにしてもよい。

＜他の変形＞
以下に列記するように、上述した各実施の形態を変形してもよい。これらの変形例もまた、本発明の範囲に含まれる。
例えば、反射層と半反射層との間に透明電極と窒化珪素や窒酸化珪素等の透明材料で形成されたパシベーション層が存在する場合には、反射層と半反射層との間の光学的距離を、透明電極の厚み及びパシベーション層の厚みで調節するようにしてもよい。

また例えば、白色光を透過させるカラーフィルタ５９２Ｗに代えて、図１９に示すように、素通し窓ＴＷを設けてもよい。素通し窓ＴＷは、その実体が透明な気体（例えば空気）の層であり、白色光を透過させるカラーフィルタとして機能する。この例の発光装置は、桃サブ画素ではなく、白サブ画素を有し、白サブ画素のみを用いて白色を表すことになる。なお、この例に限らず、白サブ画素は、桃サブ画素と同様に、赤サブ画素でも緑サブ画素でも青サブ画素でもない「残サブ画素」である。

また、本発明は、画面を構成する複数の画素を有し、前記複数の画素の各々は、前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および残サブ画素であり、前記複数の画素の各々において、赤サブ画素は、赤色光の波長領域に存在する赤ピークと緑色光の波長領域に存在する緑ピークとの間および前記緑ピークと青色光の波長領域に存在する青ピークとの間が谷になっている発光スペクトルの３ピーク白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、緑サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、青サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、残サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有し、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、前記複数の画素の各々の残サブ画素は、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、前記複数の画素の各々の残サブ画素の透過層は、厚みが互いに異なる複数の部分を有する発光装置の製造方法であって、前記複数の画素の各々において、残サブ画素の前記素子基板に平行な断面を覆うサブ透過層を光透過性の材料で形成する形成ステップと、前記形成ステップで形成されたサブ透過層の一部を除去する除去ステップとを繰り返し行う、ことを特徴とする製造方法として把握可能である。

この製造方法によって製造される発光装置によれば、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。また、この製造方法によれば、エッチングを採用可能であり、蒸着マスクでは形成困難な微細な構造、具体的には残サブ画素の透過層における厚みが互いに異なる複数の部分を形成することができる。つまり、この製造方法によって製造される発光装置では、残サブ画素の色純度の低下が抑制され、かつ、残サブ画素の輝度が上がる。以上より、この製造方法によれば、十分に簡素な製造工程で、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる発光装置を製造することができる。

また例えば、図２０（Ａ）に例示するように、全てのサブ画素をマトリクス状に配列してもよいし、図２０（Ｂ）に例示するように、図２０（Ａ）の配列パターンを崩した配列パターンで全てのサブ画素を配列してもよい。後者の配列パターンでは、奇数行のサブ画素の位置と偶数行のサブ画素の位置とが列方向において揃っていない。なお、図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）において、Ｒは赤サブ画素を、Ｇは緑サブ画素を、Ｂは青サブ画素を、Ｐは桃サブ画素を示す。

また例えば、有機ＥＬ素子の一対の電極のうち、素子基板に近い電極を陰極、素子基板から遠い電極を陽極としてもよい。
また例えば、発光素子として有機ＥＬ素子以外のＥＬ素子（すなわち無機ＥＬ素子）を採用してもよい。
また例えば、白サブ画素を有し、特定の波長の光が干渉により強められる形態において、三つのピークのうちいずれか二つのピークの波長の光が強められるようにしてもよい。つまり、白サブ画素の発光層において厚みが互いに異なる複数の部分の数は２であってもよい。一方、桃サブ画素を有し、特定の波長の光が干渉により強められる形態において、三つのピークの波長の光がいずれも強められるようにしてもよい。つまり、桃サブ画素の発光層において厚みが互いに異なる複数の部分の数は３であってもよい。

＜応用＞
上述した各種の発光装置は、様々な電子機器に応用可能である。発光装置１０を表示装置として備える電子機器を、図２１〜図２３に例示する。
図２１は、発光装置１０を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置２００３（発光装置１０）と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。

図２２は、発光装置１０を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置３００３（発光装置１０）を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１０に表示される画面がスクロールされる。

図２３は、発光装置１０を表示装置として採用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）の構成を示す図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置４００３（発光装置１０）を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置１０に表示される。

なお、上述した各種の発光装置が応用される電子機器としては、図２１〜図２３に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。

本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１０の平面図である。 発光装置１０を構成する画素Ｐの平面図である。 画素Ｐの断面図である。 発光装置１０の赤サブ画素１Ｒ、青サブ画素１Ｂおよび桃サブ画素１Ｐにおける発光の利用効率を示すグラフである。 発光装置１０の緑サブ画素１Ｇにおける発光の利用効率を示すグラフである。 発光装置１０の最初の製造工程を示す断面図である。 図６の次の製造工程を示す断面図である。 図７の次の製造工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ２の断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ３の断面図である。 画素Ｐ３の平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の最初の製造工程を示す断面図である。 図１２の次の製造工程を示す断面図である。 図１３の次の製造工程を示す断面図である。 図１４の次の製造工程を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ４の断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ５の断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ６の断面図である。 本発明の各実施の形態の変形例の一例を説明するための図である。 本発明の各実施の形態の変形例の別の例を説明するための図である。 発光装置１０を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す図である。 発光装置１０を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す図である。 発光装置１０を表示装置として採用した携帯情報端末の構成を示す図である。

符号の説明

１〜６…サブ画素、１Ｒ，３Ｒ〜６Ｒ…赤サブ画素、１Ｇ，３Ｇ〜６Ｇ…緑サブ画素、１Ｂ，３Ｂ〜６Ｂ…青サブ画素、１Ｐ〜４Ｐ，６Ｐ…桃サブ画素（残サブ画素）、５Ｗ…白サブ画素（残サブ画素）、１０…発光装置、１１…素子基板、１２…反射層、１３，２３，３３，４３，５３，６３…透明電極、１３Ｒ，３３Ｒ，６３Ｒ…赤透明電極、１３Ｇ，６３Ｇ…緑透明電極、１３Ｂ，３３Ｂ，６３Ｂ…青透明電極、１３Ｐ，２３Ｐ，３３Ｐ，４３Ｐ…桃透明電極、１６Ｗ，３６Ｗ，４６Ｗ，５６Ｗ…白発光層、１９２…カラーフィルタ、１９２Ｒ…赤カラーフィルタ、１９２Ｇ…緑カラーフィルタ、１９２Ｂ…青カラーフィルタ、１９２Ｐ…桃カラーフィルタ、５９２Ｗ…白カラーフィルタ、２４…光吸収層、３３１Ｐ，３３２Ｐ，５３１Ｐ，５３２Ｐ…部分、ＥＷ…発光素子、ＥＷ１〜ＥＷ４…白発光素子、Ｐ，Ｐ２〜Ｐ６…画素、ＴＷ…素通し窓。

Claims (6)

1. 素子基板上に配置された複数の画素を有する発光装置において、
   前記複数の画素の各々は、四つのサブ画素を有し、
   前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素であり、
   前記複数の画素の各々において、
   前記赤サブ画素は、赤色光の波長領域に存在する赤ピークと緑色光の波長領域に存在する緑ピークとの間および前記緑ピークと青色光の波長領域に存在する青ピークとの間が谷になっている発光スペクトルの３ピーク白色光を発する白発光材料で形成されて前記素子基板上に配置された第１の発光層と、前記第１の発光層に重なって赤色光を透過させる第１のカラーフィルタとを有し、
   前記緑サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記素子基板上に配置された第２の発光層と、前記第２の発光層に重なって緑色光を透過させる第２のカラーフィルタとを有し、
   前記青サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記素子基板上に配置された第３の発光層と、前記第３の発光層に重なって青色光を透過させる第３のカラーフィルタとを有し、
   前記白サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記前記素子基板上に配置された第４の発光層を有し、
   前記第１の発光層、前記第２の発光層及び前記第３の発光層はそれぞれ前記第１のカラーフィルタ、前記第２のカラーフィルタ及び前記第３のカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、
   前記赤サブ画素での前記透過層は、前記赤ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、
   前記緑サブ画素での前記透過層は、前記緑ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、
   前記青サブ画素での前記透過層は、前記青ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、
   前記白サブ画素の前記透過層は、厚みが互いに異なる三つの部分を有し、第１の部分は、前記赤ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、第２の部分は、前記緑ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、第３の部分は、前記青ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有する、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 平板状の前記素子基板を有し、
   前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、前記赤サブ画素、前記緑サブ画素および前記青サブ画素の各々の前記第１の発光層、前記第２の発光層及び前記第３の発光層はそれぞれ前記第１のカラーフィルタ、第２のカラーフィルタ及び第３のカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、
   前記素子基板下に形成されて光を吸収する光吸収層を有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 平板状の前記素子基板を有し、
   前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、前記赤サブ画素、前記緑サブ画素および前記青サブ画素の各々の前記第１のカラーフィルタ、前記第２のカラーフィルタ及び前記第３のカラーフィルタはそれぞれ前記第１の発光層、前記第２の発光層及び前記第３の発光層と前記素子基板との間に挟まれ、前記赤サブ画素、前記緑サブ画素および前記青サブ画素の各々は前記第１の発光層と前記第１のカラーフィルタ、前記第２の発光層と前記第２のカラーフィルタ及び前記第３の発光層と前記第３のカラーフィルタとの間にそれぞれ光透過性かつ光反射性の半反射層を有する、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記複数の画素の各々において、前記赤サブ画素、前記緑サブ画素、前記青サブ画素および前記白サブ画素は、共通の発光層を有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置を有する電子機器。
6. 画面を構成する複数の画素を有する発光装置において、
   前記複数の画素の各々は、前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、
   前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素であり、
   前記複数の画素の各々において、前記赤サブ画素は、赤色光の波長領域に存在する赤ピークと緑色光の波長領域に存在する緑ピークとの間および前記緑ピークと青色光の波長領域に存在する青ピークとの間が谷になっている発光スペクトルの３ピーク白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、前記緑サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、前記青サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、前記白サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有する発光装置の製造方法であって、
   前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、
   前記赤サブ画素での前記透過層は、前記赤ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、
   前記緑サブ画素での前記透過層は、前記緑ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、
   前記青サブ画素での前記透過層は、前記青ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、
   前記白サブ画素の前記透過層は、厚みが互いに異なる三つの部分を有し、第１の部分は、前記赤ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、第２の部分は、前記緑ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、第３の部分は、前記青ピークの波長の光が干渉によって強められる厚みを有し、
   前記画面に沿って延在する素子基板上に、前記複数の画素の各々について、前記赤サブ画素の発光層と前記青サブ画素の発光層と前記白サブ画素の発光層を前記白発光材料で一括して形成する、
   ことを特徴とする発光装置の製造方法。

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