JP6332265B2 - 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 - Google Patents
表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6332265B2 JP6332265B2 JP2015506692A JP2015506692A JP6332265B2 JP 6332265 B2 JP6332265 B2 JP 6332265B2 JP 2015506692 A JP2015506692 A JP 2015506692A JP 2015506692 A JP2015506692 A JP 2015506692A JP 6332265 B2 JP6332265 B2 JP 6332265B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- pixels
- display device
- insulating film
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 86
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(5-methylfuran-2-yl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=C(C)O1 KELHQGOVULCJSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- -1 8-quinolinol aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNDSQRGJJHSKCQ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-dicarbonitrile Chemical compound C1=CC=C2C(C#N)=CC=CC2=C1C#N WNDSQRGJJHSKCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XRADHEAKQRNYQQ-UHFFFAOYSA-K trifluoroneodymium Chemical compound F[Nd](F)F XRADHEAKQRNYQQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
1.実施の形態
1−1.基本構成
1−2.表示装置の全体構成
1−3.製造方法
1−4.作用・効果
2.変形例
変形例1(開口率を画素ごとに調整した例)
変形例2(画素形状の例)
変形例3(絶縁膜の反射率を調整した例)
3.実施例
4.適用例(電子機器の例)
図1は、本開示の一実施の形態に係る表示装置(表示装置1A)の平面構成の一例を表したものである。この表示装置1Aは、カメラのファインダーやヘッドマウントディスプレイ等に用いられるものであり、表示領域110に複数の画素2を例えばドット状に配置した構成を有している。各画素2は、例えば、赤画素2R,緑画素2Gおよび青画素2Bの3色の副画素から構成されており、各副画素2R,2G,2Bにはそれぞれ対応する単色光を発生する発光素子(赤色の単色光を発生する赤色発光素子10R(赤画素2R)、緑色の単色光を発生する緑色発光素子10G(緑画素2G)および青色の単色光を発生する青色発光素子10B(青画素2B))が設けられている(いずれも図2参照)。
図2は、図1に示した一つの画素2の断面構成を表したものである。画素2は、ここでは上記のように赤画素2R,緑画素2Gおよび青画素2Bの3色の副画素から構成され、それぞれ絶縁膜13(13RG,13GB,13BR)によって区画された発光領域を有している。ここでは各副画素2R,2G,2Bの発光領域は、例えば図1に示したように円形形状を有している。
(数式)θ=90−φ/2(°)・・・・・・(1)
図6は、表示装置1Aの構成を表したものである。この表示装置1Aは、上述したように発光素子10R,10G,10Bとして有機EL素子を備えたカメラのファインダー等の中小型の表示装置として用いられるものであり、例えば、表示領域110の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130を有している。
次に、表示装置1Aの製造方法を図8A〜図8Cおよび図9を用いて説明する。
本実施の形態では、各副画素2R,2G,2Bを分離する絶縁膜13の側面を発光層14Cから射出される光の反射面とし、その反射面の角度(反射面角度(θ))を各副画素2R,2G,2Bごとに設定するようにした。各副画素2R,2G,2Bごとに異なる反射面角度(θ)を有する絶縁膜13は、各画素2R,2G,2Bに対応する位置に所定の光透過率を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィを行うことによって形成が可能となる。これにより、各発光素子10R,10G,10Bの発光光のうち、特に波長ごとに射出方向の異なる発光強度の高い発光光を任意の方向に反射させることが可能となる。具体的には、各副画素2R,2G,2B間において発光強度の高い発光光が略同一方向に反射されるようになる。
次に、上記実施の形態に係る変形例について説明する。以下では、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
図10Aは変形例1に係る表示装置1Cを構成する画素4(副画素4R,4G,4B)の断面構成を、図10Bは各副画素4R,4G,4Bの発光領域、即ち開口部13AR,13AG,13ABの開口の大きさを模式的に表したものである。この表示装置1Cは発光素子10R,10G,10Bの発光領域、即ち各画素4R,4G,4Bの開口部13AR,13AG,13ABの開口率がそれぞれ異なる以外は、上記表示装置1A,1Bと同様の構成を有する。
図11は上記表示装置1A〜1Cを構成する画素2〜4の画素形状の他の例を模式的に表したものである。上記実施の形態および変形例1では画素2の形状、即ち発光領域を円形として説明したがこれに限らない。例えば図11(A)に示したように楕円形状、または図11(B),(C)に示したような矩形形状あるいは図11(D)に示したような略矩形形状としてもよい。上記実施の形態のような円形状では各画素をドット上に配置したが、図11(C)のように画素2を縦長の矩形とした場合には、例えば図12に示したように格子状(マトリクス状)に配置される。
なお、上記表示装置1A〜1Cを構成する絶縁膜13は、反射面角度(θ)を副画素2R,2G,2Bごとに設計する他に、絶縁膜の構成材料を変える、例えば屈折率の異なる材料を用いて絶縁膜を形成することによって各発光層14CR,14CG,14CBからの発光光の射出方向を調整してもよい。
以下、本開示の表示装置に係る実施例について説明する。
本実施例では、標準サンプルとして上記実施の形態において説明した画素構成にて表示装置1Aを作成した。具体的には、発光素子10R,10G,10Bは、発光層14Cを含む各層の膜厚を各副画素2R,2G,2Bにおいて共通とした。この条件で、各画素2R,2G,2B間において絶縁膜13の反射面角度(θ)が共通のサンプル1(比較例)と、絶縁膜13の反射面角度(θ)を各副画素2R,2G,2Bごとに調整、具体的には、緑画素2Gにおける絶縁膜13の反射面角度(θ)を70°とし、赤画素2Rおよび青画素2Bの反射面角度(θ)を80°としたサンプル2(実施例)とを作成した。このサンプル1およびサンプル2はそれぞれ各視野角における輝度を測定した。
本実施例では、第1電極12の厚みを発光素子ごとに変えた点が上記実施例と異なる。図14Aは比較例としてのサンプル3の視野角と輝度との関係を表した特性図であり、図14Bは実施例としてのサンプル4の視野角と輝度との関係を表した特性図である。なお、サンプル4の各画素2R,2G,2Bにおける絶縁膜13の反射面角度(θ)はそれぞれ80°,70°,70°とした。
本実施例では、発光層14Cの膜厚を変えた点が上記実施例と異なる。図15Aは比較例としてのサンプル5の視野角と輝度との関係を表した特性図であり、図15Bは実施例としてのサンプル6の視野角と輝度との関係を表した特性図である。なお、サンプル6の各画素2R,2G,2Bにおける絶縁膜13の反射面角度(θ)はそれぞれ70°,70°,80°とした。
本実施例(サンプル7)では、サンプル6の発光領域の大きさを画素ごとに調整した。具体的には、サンプル6の赤画素2Rの発光領域を3%大きく、青画素2Bの発光領域を3%小さくした。図16はサンプル7の視野角と輝度との関係を表した特性図である。
上記実施の形態および変形例1〜3において説明した画素2〜4を備えた表示装置1A〜1Cは、特に、カメラのファインダーやヘッドマウントディスプレイの表示装置に用いることが好ましいが、例えば次に示したような、画像(あるいは映像)表示を行う、あらゆる分野の電子機器に搭載することもできる。
(1)互いに異なる発光光を発する複数の画素と、前記複数の画素間に設けられると共に、前記発光光に対する反射面を有する絶縁膜とを備え、前記絶縁膜の反射面の角度は前記画素ごとに設定されている表示装置。
(2)赤画素、緑画素および青画素を有し、前記反射面角度(θ)は互いに異なる、前記(1)に記載の表示装置。
(3)赤画素、緑画素または青画素からなる第1画素と、前記第1画素とは異なる色の第2画素とを有し、前記第1画素の前記反射面角度(θ)は前記第2画素とは異なる、前記(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)前記反射面角度(θ)は前記発光光のうち発光強度が強い角度(φ)を用いて決定される、前記(1)乃至(3)に記載の表示装置。
(5)前記複数の画素はそれぞれ開口率が異なる、前記(1)乃至(4)に記載の表示装置。
(6)前記絶縁膜の反射面は前記複数の画素ごとに屈折率が異なる、前記(1)乃至(5)に記載の表示装置。
(7)互いに異なる発光光を発する複数の画素を配置することと、前記複数の画素間に、前記発光光に対する反射面を有すると共に、前記反射面の角度が前記画素ごとに設定された絶縁膜を形成することとを含む表示装置の製造方法。
(8)前記絶縁膜の前記反射面の角度は光透過率が段階的に異なるフォトマスクを用いたフォトリソグラフィを用いて調整する、前記(7)に記載の表示装置の製造方法。
(9)表示装置を備え、前記表示装置は、互いに異なる発光光を発する複数の画素と、前記複数の画素間に設けられると共に、前記発光光に対する反射面を有する絶縁膜とを備え、前記絶縁膜の反射面の角度は前記画素ごとに設定されている電子機器。
Claims (11)
- 互いに異なる発光光を発する複数の画素と、
前記複数の画素間に設けられると共に、前記発光光に対する反射面を有する絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜の反射面の角度(θ)は、前記画素ごとに設定されると共に、前記発光光のうち発光強度が強い角度(φ)を用いて決定される
表示装置。 - 赤画素、緑画素および青画素を有し、前記反射面の角度(θ)は互いに異なる、請求項1に記載の表示装置。
- 赤画素、緑画素または青画素からなる第1画素と、前記第1画素とは異なる色の第2画素とを有し、前記第1画素の前記反射面の角度(θ)は前記第2画素とは異なる、請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記複数の画素はそれぞれ開口率が異なる、請求項1乃至3のいずれかに記載の表示装置。
- 前記絶縁膜の反射面は前記複数の画素ごとに屈折率が異なる、請求項1乃至4のいずれかに記載の表示装置。
- 互いに異なる発光光を発する複数の画素と、
前記複数の画素間に設けられると共に、前記発光光に対する反射面を有する絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜の反射面の角度(θ)は前記画素ごとに設定され、
前記絶縁膜の反射面は前記複数の画素ごとに屈折率が異なる
表示装置。
- 互いに異なる発光光を発する複数の画素を配置することと、
前記複数の画素間に、前記発光光に対する反射面を有し、前記反射面の角度(θ)が前記画素ごとに設定されると共に、前記発光光のうち発光強度が強い角度(φ)を用いて決定される絶縁膜を形成することと
を含む表示装置の製造方法。 - 前記絶縁膜の前記反射面の角度は光透過率が段階的に異なるフォトマスクを用いたフォトリソグラフィを用いて調整する、請求項7に記載の表示装置の製造方法。
- 互いに異なる発光光を発する複数の画素を配置することと、
前記複数の画素間に、前記発光光に対する反射面を有し、前記反射面の角度(θ)が前記画素ごとに設定されると共に、前記反射面の屈折率が前記複数の画素ごとに異なる絶縁膜を形成することと
を含む表示装置の製造方法。 - 表示装置を備え、
前記表示装置は、
互いに異なる発光光を発する複数の画素と、
前記複数の画素間に設けられると共に、前記発光光に対する反射面を有する絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜の反射面の角度(θ)は、前記画素ごとに設定されると共に、前記発光光のうち発光強度が強い角度(φ)を用いて決定される
電子機器。 - 表示装置を備え、
前記表示装置は、
互いに異なる発光光を発する複数の画素と、
前記複数の画素間に設けられると共に、前記発光光に対する反射面を有する絶縁膜とを備え、
前記絶縁膜の反射面の角度(θ)は前記画素ごとに設定され、
前記絶縁膜の反射面は前記複数の画素ごとに屈折率が異なる
電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013058492 | 2013-03-21 | ||
JP2013058492 | 2013-03-21 | ||
PCT/JP2014/055675 WO2014148263A1 (ja) | 2013-03-21 | 2014-03-05 | 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014148263A1 JPWO2014148263A1 (ja) | 2017-02-16 |
JP6332265B2 true JP6332265B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=51579952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015506692A Active JP6332265B2 (ja) | 2013-03-21 | 2014-03-05 | 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10334692B2 (ja) |
JP (1) | JP6332265B2 (ja) |
KR (2) | KR20190143465A (ja) |
CN (1) | CN105191501B (ja) |
TW (1) | TW201442226A (ja) |
WO (1) | WO2014148263A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI674671B (zh) * | 2013-05-28 | 2019-10-11 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置及電子機器 |
KR102114398B1 (ko) * | 2013-07-01 | 2020-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
EP3002797B1 (en) * | 2014-09-30 | 2020-04-29 | Novaled GmbH | A light emitting organic device and an active OLED display |
KR102331566B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2021-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR102408938B1 (ko) * | 2015-07-17 | 2022-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6689977B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2020-04-28 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
TWI744383B (zh) | 2016-10-19 | 2021-11-01 | 日商索尼股份有限公司 | 液晶顯示裝置及投射型顯示裝置 |
CN106897691B (zh) * | 2017-02-22 | 2021-01-01 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示模组和电子设备 |
KR102599232B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2023-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2019114484A (ja) | 2017-12-26 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示素子、及び電子機器 |
JP6915874B2 (ja) * | 2018-04-09 | 2021-08-04 | 株式会社Joled | 有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび電子機器 |
KR102579252B1 (ko) * | 2018-06-27 | 2023-09-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
FR3085232B1 (fr) * | 2018-08-21 | 2020-07-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Pixel d’un micro-ecran a diodes electroluminescentes organiques |
KR102075728B1 (ko) * | 2018-12-17 | 2020-02-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
US20200266389A1 (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-20 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting panel |
WO2020195273A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、電子機器および表示装置の製造方法 |
EP4214757A1 (en) * | 2020-09-21 | 2023-07-26 | Applied Materials, Inc. | Organic electroluminescent devices with improved optical out-coupling efficiencies |
CN112436043A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-02 | 合肥视涯技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
US11456443B2 (en) * | 2020-12-01 | 2022-09-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | High on-axis brightness and low colour shift QD-LED pixel with equal layer thicknesses between colour pixels |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4260126B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2009-04-30 | 三洋電機株式会社 | カラー有機el表示装置 |
JP4252297B2 (ja) * | 2002-12-12 | 2009-04-08 | 株式会社日立製作所 | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 |
JP2004205974A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 2次元マトリクス素子、2次元マトリクス平面表示素子及びその駆動方法 |
KR101066411B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2011-09-21 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
JP2006030250A (ja) | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 無線機能付メモリモジュールを含む装置 |
US20070145892A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-06-28 | Kuang-Jung Chen | Electro-luminescent display panel and electronic device using the same |
CN102067727B (zh) | 2008-08-29 | 2013-02-27 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示屏及其制造方法 |
KR20100043011A (ko) | 2008-10-17 | 2010-04-27 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 el 장치, 유기 el 장치의 제조 방법, 전자 기기 |
JP2010153127A (ja) | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sony Corp | 表示装置 |
US9240435B2 (en) | 2009-06-11 | 2016-01-19 | Joled Inc | Organic EL display |
US8729534B2 (en) * | 2009-06-29 | 2014-05-20 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel |
WO2011077479A1 (ja) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | パナソニック株式会社 | 表示装置とその製造方法 |
JP5649371B2 (ja) | 2010-08-25 | 2015-01-07 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置および画像形成方法 |
WO2012049716A1 (ja) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
WO2012049719A1 (ja) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
KR20150113302A (ko) | 2014-03-27 | 2015-10-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 노이즈 검출 회로 및 이를 이용한 반도체 시스템 |
-
2014
- 2014-02-19 TW TW103105531A patent/TW201442226A/zh unknown
- 2014-03-05 US US14/771,557 patent/US10334692B2/en active Active
- 2014-03-05 JP JP2015506692A patent/JP6332265B2/ja active Active
- 2014-03-05 CN CN201480014944.2A patent/CN105191501B/zh active Active
- 2014-03-05 KR KR1020197037597A patent/KR20190143465A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-03-05 WO PCT/JP2014/055675 patent/WO2014148263A1/ja active Application Filing
- 2014-03-05 KR KR1020157024456A patent/KR102060219B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-01 US US15/968,076 patent/US10368418B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-24 US US16/450,434 patent/US11284483B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11284483B2 (en) | 2022-03-22 |
US20220167474A1 (en) | 2022-05-26 |
US20190327815A1 (en) | 2019-10-24 |
KR20150133184A (ko) | 2015-11-27 |
US10334692B2 (en) | 2019-06-25 |
KR102060219B1 (ko) | 2019-12-27 |
CN105191501B (zh) | 2017-12-22 |
US20160021718A1 (en) | 2016-01-21 |
US10368418B2 (en) | 2019-07-30 |
CN105191501A (zh) | 2015-12-23 |
WO2014148263A1 (ja) | 2014-09-25 |
TW201442226A (zh) | 2014-11-01 |
KR20190143465A (ko) | 2019-12-30 |
US20180263092A1 (en) | 2018-09-13 |
JPWO2014148263A1 (ja) | 2017-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6332265B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 | |
KR102143299B1 (ko) | 표시장치 및 전자기기 | |
US11056554B2 (en) | Display device | |
JP5293497B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6183744B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
WO2016056364A1 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 | |
JP2015146304A (ja) | 表示装置、および電子機器 | |
JP5720887B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2008225179A (ja) | 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器 | |
JP2009259416A (ja) | 表示素子およびその製造方法、ならびに表示装置 | |
JP2010062067A (ja) | 表示装置の製造方法および表示装置 | |
JP2009064703A (ja) | 有機発光表示装置 | |
JP6387555B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
US11968754B2 (en) | Display unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
JP2012156136A (ja) | 有機発光表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170220 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180416 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6332265 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |