JP6915874B2 - 有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび電子機器に関する。

有機電界発光素子を用いた有機電界発光装置（有機電界発光ディスプレイ）として、種々のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１７−０７２８１２号公報

ところで、有機電界発光装置では、一般的に、有機電界発光素子の正面輝度を向上させることが求められている。そのため、正面輝度を向上させることの可能な有機電界発光素子、ならびにそのような有機電界発光素子を備えた、有機電界発光パネルおよび電子機器を提供することが望ましい。

本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、基板上に、第１電極層、発光層、第２電極層、第１屈折率層および第２屈折率層をこの順に備えるとともに、基板上に、発光層よりも高い位置に上面を有するとともに、第１電極と対向する領域内に開口部を有する台座部を備えている。第１屈折率層および第２屈折率層は、互いに接する界面を有している。界面は、開口部と対向する領域内に凹面を有している。第１屈折率層の屈折率は第２屈折率層の屈折率よりも小さく、開口部のアスペクト比は、０．８以上となっている。

本開示の一実施の形態の有機電界発光パネルは、複数の画素を備えている。各画素は、上記の有機電界発光素子を有している。

本開示の一実施の形態の電子機器は、上記の有機電界発光パネルと、上記の有機電界発光パネルを駆動する駆動回路とを備えている。

本開示の一実施の形態の有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび電子機器では、第２電極層上の第１屈折率層および第２屈折率層の界面のうち、開口部と対向する領域内に凹面が設けられている。これにより、発光層から発せられた斜め方向への光を正面に立ち上げることが可能となる。

本開示の一実施の形態の有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび電子機器によれば、発光層から発せられた斜め方向への光を正面に立ち上げることができるようにしたので、正面輝度を向上させることができる。なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成例を表す図である。 図１の各画素に含まれる副画素の回路構成例を表す図である。 図１の有機電界発光パネルの概略構成例を表す図である。 図３の有機電界発光パネルのＡ−Ａ線での断面構成例を表す図である。 図３の有機電界発光パネルのＢ−Ｂ線での断面構成例を表す図である。 図３の有機電界発光パネルのＣ−Ｃ線での断面構成例を表す図である。 図１の有機電界発光パネルの概略構成の一変形例を表す図である。 図４の一部を拡大して表す図である。 保護層および封止層の屈折率と、レンズ効果なしのときの発光効率に対する、凹面のレンズ効果ありのときの発光効率の倍率（発光倍率）との関係の一例を表す図である。 開口部の深さと発光効率との関係の一例を表す図である。 開口部の深さと発光効率との関係の一例を表す図である。 封止層の屈折率と、赤色画素の発光効率との関係の一例を表す図である。 封止層の屈折率と、緑色画素の発光効率との関係の一例を表す図である。 封止層の屈折率と、青色画素の発光効率との関係の一例を表す図である。 赤色画素の長軸方向の視野角特性の一例を表す図である。 緑色画素の長軸方向の視野角特性の一例を表す図である。 青色画素の長軸方向の視野角特性の一例を表す図である。 赤色画素の短軸方向の視野角特性の一例を表す図である。 緑色画素の短軸方向の視野角特性の一例を表す図である。 青色画素の短軸方向の視野角特性の一例を表す図である。 図３の有機電界発光パネルのＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表す図である。 図３の有機電界発光パネルのＢ−Ｂ線での断面構成の一変形例を表す図である。 図３の有機電界発光パネルのＣ−Ｃ線での断面構成の一変形例を表す図である。 図２１〜図２３の副画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。 図２１〜図２３の副画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。 図２１〜図２３の副画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。 図１の有機電界発光パネルの概略構成の一変形例を表す図である。 図１の有機電界発光パネルの概略構成の一変形例を表す図である。 本開示の有機電界発光装置を備えた電子機器の外観の一例を斜視的に表す図である。 本開示の有機電界発光素子を備えた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。

以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

＜１．実施の形態＞
[構成]
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置１の概略構成例を表したものである。図２は、有機電界発光装置１に設けられた各画素１１に含まれる副画素１２の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置１は、例えば、有機電界発光パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。ドライバ３０は、例えば、有機電界発光パネル１０の外縁部分に実装されている。有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づいて、有機電界発光パネル１０（複数の画素１１）を駆動する。

（有機電界発光パネル１０）
有機電界発光パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。有機電界発光パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。

走査線ＷＳＬは、各画素１１の選択に用いられるものであり、各画素１１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧Ｖｓｉｇの、各画素１１への供給に用いられるものであり、信号電圧Ｖｓｉｇを含むデータパルスを各画素１１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１１に電力を供給するものである。

各画素１１は、例えば、赤色光を発する副画素１２、緑色光を発する副画素１２、および青色光を発する副画素１２を含んで構成されている。なお、各画素１１は、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する副画素１２を含んで構成されていてもよい。各画素１１において、複数の副画素１２は、例えば、所定の方向に一列に並んで配置されている。

各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。

各副画素１２は、画素回路１２−１と、有機電界発光素子１２−２とを有している。有機電界発光素子１２−２の構成については、後に詳述する。

画素回路１２−１は、有機電界発光素子１２−２の発光・消光を制御する。画素回路１２−１は、後述の書込走査によって各副画素１２に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１２−１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。

書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧Ｖｓｉｇの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１２−２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１２−２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子１２−２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１２−１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。

各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。

書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光素子２１−２の陽極２１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子２１−２側の端子に接続されている。

（ドライバ３０）
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧Ｖｓｉｇを、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の副画素１２を所定の単位ごとに走査する。

（コントローラ２０）
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Ｖｓｉｇを生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧Ｖｓｉｇを水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力された同期信号Ｔｉｎに応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。

次に、図３、図４、図５、図６を参照して、有機電界発光素子１２−２について説明する。図３は、有機電界発光パネル１０の概略構成例を表したものである。図４は、図３の有機電界発光パネル１０のＡ−Ａ線での断面構成例（つまり副画素１２（１２Ｒ）の行方向の断面構成例）を表したものである。図５は、図３の有機電界発光パネル１０のＢ−Ｂ線での断面構成例（つまり副画素１２（１２Ｒ）の列方向の断面構成例）を表したものである。図６は、図３の有機電界発光パネル１０のＣ−Ｃ線での断面構成例（つまり副画素１２（１２Ｒ）の列方向の断面構成例）を表したものである。なお、図５には、後述の桟部１４Ｂを避けた箇所での断面構成例が示されている。図６には、桟部１４Ｂを含む箇所での断面構成例が示されている。

有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。各画素１１は、例えば、上述したように、赤色光を発する副画素１２（１２Ｒ）、緑色光を発する副画素１２（１２Ｇ）、および青色光を発する副画素１２（１２Ｂ）を含んで構成されている。

副画素１２Ｒは、赤色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｒ）を含んで構成されている。副画素１２Ｇは、緑色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｇ）を含んで構成されている。副画素１２Ｂは、青色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｂ）を含んで構成されている。副画素１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、ストライプ配列となっている。各画素１１において、例えば、副画素１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、行方向に並んで配置されている。さらに、各画素行において、例えば、同一色の光を発する複数の副画素１２が、列方向に並んで配置されている。

有機電界発光パネル１０は、基板１６を有している。基板１６は、例えば、各有機電界発光素子１２−２、絶縁層１４、後述の各列規制部１４Ｃおよび後述の各行規制部１４Ｄなどを支持する基材と、その基材上に設けられた配線層とによって構成されている。基板１６内の基材は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスまたは石英などによって形成されている。基板１６内の基材は、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナなどによって形成されていてもよい。基板１６内の配線層には、例えば、各画素１１の画素回路１２−１が形成されている。

有機電界発光パネル１０は、さらに、基板１６上に絶縁層１４を有している。絶縁層１４は、本開示の「台座部」の一具体例に相当する。絶縁層１４は、各副画素１２を区画するためのものである。絶縁層１４の厚さの上限は、膜厚ばらつき、ボトム線幅の制御の観点から製造上形状制御の可能な範囲内となっていることが好ましく、１０μｍ以下となっていることが好ましい。また、絶縁層１４の厚さの上限は、露光工程での露光時間増大によるタクト増加を抑え、量産工程での生産性低下を抑えることの可能な範囲内となっていることがより好ましく、７μｍ以下となっていることがより好ましい。また、絶縁層１４の厚さの下限は、膜厚が薄くなるとともにボトム線幅を膜厚とほぼ同程度に補足する必要があることから、露光機および材料の解像度限界により決定される。絶縁層１４の厚さの下限は、半導体ステッパーを用いる場合には、１μｍ以上となっていることが好ましく、フラットパネル用のステッパーおよびスキャナーを用いる場合には、２μｍ以上となっていることが好ましい。従って、絶縁層１４の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下となっていることが好ましく、２μｍ以上７μｍ以下となっていることがより好ましい。

絶縁層１４は、各副画素１２を区画する複数の列規制部１４Ｃおよび複数の行規制部１４Ｄを有している。各列規制部１４Ｃは列方向に延在しており、各行規制部１４Ｄは行方向に延在している。複数の列規制部１４Ｃは、列方向に延在するとともに、行方向に所定の間隙を介して並列配置されている。複数の行規制部１４Ｄは、行方向に延在するとともに、列方向に所定の間隙を介して並列配置されている。複数の列規制部１４Ｃおよび複数の行規制部１４Ｄは、互いに交差（例えば直交）しており、格子状のレイアウトとなっている。各副画素１２は、互いに隣接する２つの列規制部１４Ｃと、互いに隣接する２つの行規制部１４Ｄとによって囲まれている。従って、互いに隣接する２つの列規制部１４Ｃと、互いに隣接する２つの行規制部１４Ｄとによって、各副画素１２が区画されている。

絶縁層１４は、副画素１２ごとに、列方向に延在する複数（例えば２つ）の桟部１４Ｂを有している。複数の桟部１４Ｂは、列方向に延在するとともに、行方向に所定の間隙を介して並列配置されている。さらに、絶縁層１４は、互いに隣接する２つの列規制部１４Ｃと、互いに隣接する２つの行規制部１４Ｄとによって囲まれた領域内であって、かつ、各桟部１４Ｂの未形成の箇所に、複数（例えば３つ）のスリット状の開口部１４Ａを有している。各開口部１４Ａの底面には、後述の陽極２１の表面が露出している。そのため、各開口部１４Ａの底面に露出した陽極２１から供給される正孔と、後述の陰極２７から供給される電子とが、後述の発光層２４で再結合することにより、後述の発光層２４で発光が生じる。従って、後述の発光層２４のうち、開口部１４Ａと対向する領域が、発光領域２４Ａとなる。言い換えると、発光領域２４Ａは、後述の陽極２１と対向する領域内に生じる。このとき、副画素１２において、発光層２４は、島状の複数の発光領域２４Ａを有しており、絶縁層１４（列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄおよび桟部１４Ｂ）各発光領域２４Ａを取り囲むように設けられている。

各桟部１４Ｂは、例えば、図３〜図６に示したように、互いに隣接する２つの行規制部１４Ｄをまたぐように形成されていてもよいし、例えば、図７に示したように、互いに隣接する２つの行規制部１４Ｄから離れた箇所に形成されていてもよい。図７は、有機電界発光パネル１０の概略構成例を表したものである。

列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄおよび桟部１４Ｂは、発光領域２４Ａの周囲に設けられており、かつ、発光領域２４Ａよりも高い位置に上面を有している。行規制部１４Ｄの高さ（基板１６からの高さ）は、例えば、図３〜図７に示したように、列規制部１４Ｃの高さよりも低くなっている。このとき、列方向に並ぶ複数の副画素１２は、これらの副画素１２の左右の２つの列規制部１４Ｃによって形成された帯状の溝部１５の中に配置されており、例えば、後述の発光層２４を互いに共有している。なお、行規制部１４Ｄの高さが、列規制部１４Ｃの高さと同じ高さとなっていてもよい。このとき、各副画素１２は、互いに隣接する２つの列規制部１４Ｃと、互いに隣接する２つの行規制部１４Ｄとによって形成された窪みの中に配置されており、例えば、それぞれ別個に発光層２４を有している。

各開口部１４Ａの行方向の断面は、例えば、図４に示したように、上方に拡幅した台形形状となっている。また、各開口部１４Ａの列方向の断面は、例えば、図５に示したように、上方に拡幅した台形形状となっている。つまり、各開口部１４Ａの側面は、後述の発光層２４(発光領域２４Ａ)から発せられた光を基板１６の法線方向寄りに立ち上げる反射面となっている。後述の保護層２８Ａの屈折率をｎ₁、絶縁層１４の屈折率をｎ₂とすると、ｎ₁、ｎ₂は、以下の式を満たす。ｎ₂は、１．４以上、１．６以下となっていることが好ましい。これにより、後述の発光層２４から発せられた光の、外部への取り出し効率が向上する。
１．１≦ｎ₁≦１．８…（１）
｜ｎ₁−ｎ₂｜≧０．２０…（２）

また、さらに、各開口部１４Ａの深さＤ（つまり、絶縁層１４の厚さ）、絶縁層１４の上面側の開口幅Ｗｈ、絶縁層１４の下面側の開口幅ＷＬは、以下の式（３），（４）を満たすことが好ましい。
０．５≦ＷＬ／Ｗｈ≦０．８…（３）
０．５≦Ｄ／ＷＬ≦２．０…（４）

係る形状、屈折率条件とすることにより、絶縁層１４の開口部１４Ａによるリフレクタ構造により、発光層２４からの光取り出し効率を向上させることができる。その結果、発明者らの検討によると、リフレクタ構造が無い場合に対し副画素１２あたりの輝度を１．２〜１．５倍に増加させることができる。

絶縁層１４は、例えば、絶縁性の有機材料によって形成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが挙げられる。絶縁層１４は、例えば、耐熱性、溶媒に対する耐性を持つ絶縁性樹脂によって形成されていることが好ましい。列規制部１４Ｃおよび行規制部１４Ｄは、例えば、絶縁性樹脂をフォトリソグラフィおよび現像によって所望のパターンに加工することによって形成される。列規制部１４Ｃの断面形状は、例えば、図４に示したような順テーパ型でとなっている。行規制部１４Ｄの断面形状は、例えば、図５に示したような順テーパ型でとなっている。

有機電界発光パネル１０は、例えば、絶縁層１４上に、複数のラインバンク１３を有している。各ラインバンク１３は、列方向に延在しており、列規制部１４Ｃの上面に接して配置されている。各ラインバンク１３は、撥液性を有している。従って、各ラインバンク１３は、基板１６上に有機電界発光素子１２−２を作る際に、インクが別色の副画素１２内に流れ込むのを防止する。

各有機電界発光素子１２−２は、例えば、基板１６上に、陽極２１、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、電子注入層２６および陰極２７をこの順に備えたものである。陽極２１が本開示の「第１電極」の一具体例に相当する。発光層２４が本開示の「発光層」の一具体例に相当する。陰極２７が本開示の「第２電極」の一具体例に相当する。

有機電界発光素子１２−２は、例えば、発光層２４と、発光層２４を挟み込むように配置された、陽極２１および陰極２７を備えている。有機電界発光素子１２−２は、例えば、さらに、陽極２１と、発光層２４との間に、正孔注入層２２および正孔輸送層２３を陽極２１側からこの順に備えている。なお、正孔注入層２２および正孔輸送層２３のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。有機電界発光素子１２−２は、例えば、さらに、発光層２４と、陰極２７との間に、電子輸送層２５および電子注入層２６を発光層２４側からこの順に備えている。なお、電子輸送層２５および電子注入層２６のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。有機電界発光素子１２−２は、例えば、陽極２１、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、電子注入層２６および陰極２７を基板１６側からこの順に含んで構成された素子構造となっている。有機電界発光素子１２−２において、さらに他の機能層が含まれていてもよい。

正孔注入層２２は、正孔注入効率を高めるための層である。正孔輸送層２３は、陽極２１から注入された正孔を発光層２４へ輸送するための層である。発光層２４は、電子と正孔との再結合により、所定の色の光を発する層である。電子輸送層２５は、陰極２７から注入された電子を発光層２４へ輸送するための層である。電子注入層２６は、電子注入効率を高めるための層である。正孔注入層２２および電子注入層２６のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。各有機電界発光素子１２−２は、上述以外の層をさらに有していてもよい。

陽極２１は、例えば、基板１６の上に形成されている。陽極２１の端縁が列規制部１４Ｃおよび行規制部１４Ｄ内に埋め込まれていてもよいし、列規制部１４Ｃおよび行規制部１４Ｄを避けて形成されていてもよい。陽極２１は、反射性を有する反射電極である。陽極２１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）もしくはアルミニウム合金等の導電性材料からなる反射導電膜である。この場合には、陽極２１の反射面が、アノード反射面となっている。陽極２１は、例えば、透明電極の上に反射電極が積層されたものであってもよい。

陰極２７は、半透過性を有する反射電極となっている。陰極２７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金により構成されている。この場合には、陰極２７の反射面が、カソード半透過面となっている。陰極２７は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料からなる透明導電膜と、その透明導電膜の表面上に形成されたＡｌ薄膜とにより構成されていてもよい。このように、陽極２１が反射性を有し、陰極２７が透光性を有しているので、有機電界発光素子１２−２は、陰極２７側から光を放出するトップエミッション構造となっている。

正孔注入層２２は、陽極２１から発光層２４へ正孔の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層２２は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料によって構成されている。正孔注入層２２は、単層で構成されていてもよいし、複数の層が積層された構造となっていてもよい。

正孔輸送層２３は、陽極２１から注入された正孔を発光層２４へ輸送する機能を有する。正孔輸送層２３は、例えば、塗布膜である。正孔輸送層２３は、例えば、正孔輸送性を有する有機材料（以下、「正孔輸送性材料２３Ｍ」と称する。）を溶質の主成分とする溶液を塗布および乾燥することにより形成されている。正孔輸送層２３は、正孔輸送性材料２３Ｍを主成分として含んで構成されている。

正孔輸送層２３の原料（材料）である正孔輸送性材料２３Ｍは、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料である。正孔輸送性材料２３Ｍは、さらに、例えば、溶解性および不溶化の機能のために、その分子構造中に、可溶性基と、熱解離可溶性基、架橋性基または脱離性保護基などの不溶化基とを有している。

発光層２４は、陽極２１から注入された正孔と、陰極２７から注入された電子とが、発光層２４内で再結合することで励起子が生成されて発光する層である。発光層２４は、例えば、塗布膜である。発光層２４は、正孔と電子との再結合により励起子を生成し発光する有機材料（以下、「有機発光材料２４Ｍ」と称する。）を溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。発光層２４は、有機発光材料２４Ｍを主成分として含んで構成されている。副画素１２Ｒに含まれる有機電界発光素子１２ｒでは、有機発光材料２４Ｍが赤色有機発光材料を含んで構成されている。副画素１２Ｇに含まれる有機電界発光素子１２ｇでは、有機発光材料２４Ｍが緑色有機発光材料を含んで構成されている。副画素１２Ｂに含まれる有機電界発光素子１２ｂでは、有機発光材料２４Ｍが青色有機発光材料を含んで構成されている。

発光層２４は、例えば、単層の有機発光層、または、積層された複数の有機発光層によって構成されている。発光層２４が積層された複数の有機発光層によって構成されている場合には、発光層２４は、例えば、主成分が互いに共通の複数の有機発光層を積層したものである。このとき、複数の有機発光層は、ともに、塗布膜である。複数の有機発光層は、ともに、有機発光材料２４Ｍを溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。

発光層２４の原料（材料）である有機発光材料２４Ｍは、例えば、ドーパント材料単独であってもよいが、より好ましくは、ホスト材料とドーパント材料との組み合わせがよい。つまり、発光層２４は、有機発光材料２４Ｍとして、ホスト材料およびドーパント材料を含んで構成されている。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は１種類のみに限られるものではなく、２種類以上の組み合わせであってもよい。ドーパント材料の量は、ホスト材料に対して、０．０１重量％以上３０重量％以下であるとよく、より好ましくは、０．０１重量％以上１０重量％以下である。

発光層２４のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。

また、発光層２４のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、発光層２４のドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、レニウム（Ｒｅ）、もしくは、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。

電子輸送層２５は、陰極２７から注入された電子を発光層２４へ輸送する機能を有する。電子輸送層２５は、電子輸送性を有する有機材料（以下、「電子輸送性材料２５Ｍ」と称する。）を主成分として含んで構成されている。電子輸送層２５は、例えば、蒸着膜またはスパッタ膜で構成されている。電子輸送層２５は、発光層２４から陰極２７への電荷（本実施の形態では正孔）の突き抜けを抑制する電荷ブロック機能や、発光層２４の励起状態の消光を抑制する機能等を有していることが好ましい。

電子輸送層２５の原料（材料）である電子輸送性材料２５Ｍは、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。また、電子輸送層２５は、電子輸送性を有する金属を含んでもよい。電子輸送層２５は、電子輸送性を有する金属を含むことで、電子輸送層２５の電子輸送性を向上できる。電子輸送層２５に含まれる金属としては、例えば、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルビジウム（Ｒｂ）、イットリビウム（Ｙｂ）等を用いることができる。

電子注入層２６は、陰極２７から注入された電子を電子輸送層２５、発光層２４へ注入する機能を有する。電子注入層２６は、例えば、陰極２７から電子輸送層２５、発光層２４への電子の注入を促進させる機能を有する材料（電子注入性材料）によって構成されている。上記の電子注入性材料は、例えば、電子注入性を有する有機材料に、電子注入性を有する金属がドープされたものであってもよい。電子注入層２６に含まれるドープ金属は、例えば、電子輸送層２５に含まれるドープ金属と同じ金属である。電子輸送層２５は、例えば、蒸着膜またはスパッタ膜で構成されている。

本実施の形態では、有機電界発光素子１２−２内の一部の層（例えば、正孔注入層２２、正孔輸送層２３および発光層２４）が、互いに隣接する２つの列規制部１４Ｃによって囲まれた領域（溝部１５）に設けられた各副画素１２によって共有されている。つまり、有機電界発光素子１２−２を構成する一部の層（例えば、正孔注入層２２、正孔輸送層２３および発光層２４）が、例えば、図３〜図６に示したように、溝部１５内において、列方向に延在して形成されており、行規制部１４Ｄをまたいで、各副画素１２に渡って連続して設けられている。

また、本実施の形態では、有機電界発光素子１２−２内の一部の層（例えば、正孔注入層２２、正孔輸送層２３および発光層２４）が、１つの画素１１内の各副画素１２で共有されておらず、１つの画素１１内の副画素１２ごとに別個に形成されている。つまり、有機電界発光素子１２−２内の一部の層（例えば、正孔注入層２２、正孔輸送層２３および発光層２４）は、例えば、図４に示したように、列規制部１４Ｃを避けて形成されている。また、本実施の形態では、有機電界発光素子１２−２内の一部の層（例えば、電子輸送層２５および電子注入層２６）が、１つの画素１１内の各副画素１２で共有されている。つまり、有機電界発光素子１２−２内の一部の層（例えば、電子輸送層２５および電子注入層２６）は、例えば、図４に示したように、列規制部１４Ｃを乗り越えて形成されている。

また、本実施の形態では、陰極２７は、有機電界発光パネル１０の画素領域全体に渡って形成されている。具体的には、陰極２７は、電子注入層２６、列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄおよびラインバンク１３の表面全体に渡って連続して形成されている。

有機電界発光素子１２−２は、さらに、例えば、図４〜図６に示したように、有機電界発光素子１２−２を保護および封止する層（保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂ）を有している。保護層２８Ａが本開示の「第１屈折率層」の一具体例に相当する。封止層２８Ｂが本開示の「第２屈折率層」の一具体例に相当する。

保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂは、有機電界発光パネル１０の画素領域全体に渡って形成されている。具体的には、保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂは、陰極２７の上に形成されている。保護層２８Ａは、例えば、陰極２７の上面に接して形成されており、封止層２８Ｂは、例えば、保護層２８Ａの上面に接して形成されている。保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂは、互いに接する界面２８Ｓを有している。各副画素１２において、界面２８Ｓは、発光領域２４Ａと対向する領域内に１または複数の凹面２８Ｓ１を有している。各副画素１２において、保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂが複数の凹面２８Ｓ１で共有されている。ここで、発光領域２４Ａとは、発光層２４のうち、開口部１４Ａの底面と対向する領域を指している。凹面２８Ｓ１は、桟部１４Ｂ、列規制部１４Ｃおよび行規制部１４Ｄの表面に倣っている。凹面２８Ｓ１は、基板１６とは反対側に盛り上がった凸面状の側面を有している。凹面２８Ｓ１は、例えば、スパッタまたはＣＶＤ（chemical vapor deposition）により、陰極２７の表面に、無機材料を成膜することにより形成される。このようにして形成された凹面２８Ｓ１は、陰極２７の表面形状に倣った表面形状となっており、さらに、絶縁層１４（列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄ、桟部１４Ｂ）の表面形状に倣った表面形状となっている。封止層２８Ｂの上面（保護層２８Ａとは反対側の表面）は、例えば、基板１６の表面と平行な平坦面となっている。

保護層２８Ａの屈折率は、封止層２８Ｂの屈折率よりも小さくなっている。保護層２８Ａの屈折率は、例えば、１．６８程度であり、封止層２８Ｂの屈折率は、例えば、１．７５程度である。保護層２８Ａは、無機材料からなり、封止層２８Ｂは、樹脂材料からなる。保護層２８Ａに用いられる無機材料としては、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ₂などが挙げられる。封止層２８Ｂに用いられる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂や、ビニル系樹脂などが挙げられる。凹面２８Ｓ１は、発光領域２４Ａから発せられた光に対して凸レンズとして機能する。

凹面２８Ｓ１の最も深い箇所は、桟部１４Ｂ、列規制部１４Ｃおよび行規制部１４Ｄの上面よりも深い位置にあることが好ましい。凹面２８Ｓ１がこのような形状となっていることにより、凸レンズの集光機能を高めることができる。

次に、凹面２８Ｓ１の形状を規定する開口部１４Ａのアスペクト比について説明する。開口部１４Ａのアスペクト比とは、例えば、図８に示したように、開口部１４Ａの底面（陽極２１のうち、開口部１４Ａ内に露出している面）の幅Ｗと、絶縁層１４の最上部と開口部１４Ａの底面（陽極２１のうち、開口部１４Ａ内に露出している面）との距離（深さＤ）とを用いて、Ｄ／Ｗで表されるものである。

図９は、保護層２８Ａの屈折率ｎ₁および封止層２８Ｂの屈折率ｎ₂と、レンズ効果なしのときの発光効率に対する、凹面２８Ｓ１のレンズ効果ありのときの発光効率の倍率（発光倍率）との関係の一例を表したものである。図９には、開口部１４Ａの底面の幅Ｗを５μｍとし、保護層２８Ａの厚さを５μｍとし、開口部１４Ａのアスペクト比を１．２とし、絶縁層１４の、波長５３０ｎｍのときの屈折率を１．５５としたときのシミュレーション結果が示されている。図９から、保護層２８Ａの屈折率ｎ₁と封止層２８Ｂの屈折率ｎ₂との屈折率差Δｎ（＝ｎ₂−ｎ₁）が０．０３以上０．１０以下となっているとき、発光倍率が大きいことがわかる。

図１０は、開口部１４Ａの深さＤ（＝凹面２８Ｓ１の深さ）と発光効率との関係の一例を表したものである。図１０には、開口部１４Ａの底面の幅Ｗを５μｍとし、絶縁層１４の、波長５３０ｎｍのときの屈折率を１．５５とし、保護層２８Ａの、波長５３０ｎｍのときの屈折率を１．６８とし、封止層２８Ｂの、波長５３０ｎｍのときの屈折率を１．７２としたときのシミュレーション結果が示されている。

図１０から、開口部１４Ａの深さＤ（＝凹面２８Ｓ１の深さ）は、正面輝度（レンズ効果）の観点から、３μｍ以上となっていることが好ましい。このとき、開口部１４Ａのアスペクト比は、３μｍ／５μｍ（＝０．６）以上となっている。また、図１０から、開口部１４Ａの深さＤ（＝凹面２８Ｓ１の深さ）は、発光効率（反射効果）の観点から、４μｍ以上となっていることが好ましい。このとき、開口部１４Ａのアスペクト比は、４μｍ／５μｍ（＝０．８）以上となっている。

図１１は、開口部１４Ａの深さＤ（＝凹面２８Ｓ１の深さ）と発光効率との関係の一例を表したものである。図１１には、発光層２４に膜厚分布があるときの結果が示されている。ここで、「膜厚分布」とは、発光層２４における、発光領域２４Ａの中心からの膜厚差が１０％以内となる箇所の幅（以下、「有効幅」と称する。）が、開口部１４Ａの底面の幅Ｗの４０％となっていることを指している。なお、図１１には、開口部１４Ａの底面の幅Ｗを５μｍとし、絶縁層１４の、波長５３０ｎｍのときの屈折率を１．５５とし、保護層２８Ａの、波長５３０ｎｍのときの屈折率を１．６８とし、封止層２８Ｂの、波長５３０ｎｍのときの屈折率を１．７２としたときのシミュレーション結果が示されている。

図１１から、開口部１４Ａの深さＤ（＝凹面２８Ｓ１の深さ）は、例えば、図１１に示したように、正面輝度（レンズ効果）の観点から、４μｍ以上となっていることが好ましい。このとき、開口部１４Ａのアスペクト比は、４μｍ／５μｍ（＝０．８）以上となっている。また、図１１から、開口部１４Ａの深さＤ（＝凹面２８Ｓ１の深さ）は、発光効率（反射効果）の観点から、４μｍ以上となっていることが好ましい。このとき、開口部１４Ａのアスペクト比は、４μｍ／５μｍ（＝０．８）以上となっている。

図１２、図１３、図１４は、封止層２８Ｂの屈折率と発光効率との関係の一例を表したものである。図１２には、封止層２８Ｂの屈折率と、赤色の副画素１２Ｒの発光効率との関係の一例が示されている。図１３には、封止層２８Ｂの屈折率と、緑色の副画素１２Ｇの発光効率との関係の一例が示されている。図１４には、封止層２８Ｂの屈折率と、青色の副画素１２Ｂの発光効率との関係の一例が示されている。

図１２〜図１４から、各色とも、封止層２８Ｂの屈折率が１．７５付近において、発光効率が最大となることがわかる。また、各色とも、封止層２８Ｂの屈折率が１．７を下回ると、発光効率が急激に下がることがわかる。また、発光効率の変化が、色ごとに大きく異なっておらず、発光効率の変化の色依存性が低いこともわかる。

図１５、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０は、副画素１２の視野角特性の一例を表したものである。図１５には、赤色の副画素１２Ｒの長軸方向の視野角特性の一例が示されている。図１６には、緑色の副画素１２Ｇの長軸方向の視野角特性の一例が示されている。図１７には、青色の副画素１２Ｂの長軸方向の視野角特性の一例が示されている。図１８には、赤色の副画素１２Ｒの短軸方向の視野角特性の一例が示されている。図１９には、緑色の副画素１２Ｇの短軸方向の視野角特性の一例が示されている。図２０には、青色の副画素１２Ｂの短方向の視野角特性の一例が示されている。

図１５〜図１７から、長軸方向では、レンズ効果により封止層２８Ｂの屈折率が１．７５付近をピークに、一様に、発光効率が上がることがわかる。また、図１５〜図１７から、長軸方向では、発光効率の変化が、色ごとに大きく異なっておらず、発光効率の変化の色依存性が低いこともわかる。また、図１８〜図２０から、短軸方向では、レンズ効果により、封止層２８Ｂの屈折率が１．７５以上のときには、正面輝度が上昇し、斜め方向の効率が低下する。一方で、図１８〜図２０から、短軸方向では、封止層２８Ｂの屈折率が１．７５未満のときには、正面輝度が低下し、斜め方向の効率が上昇する。

[効果]
次に、本実施の形態の有機電界発光パネル１０およびそれを備えた有機電界発光装置１の効果について説明する。

本実施の形態では、陰極２７上の保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂの界面２８Ｓのうち、発光領域２４Ａと対向する領域内に凹面２８Ｓ１が設けられている。これにより、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光を正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

また、本実施の形態では、保護層２８Ａの屈折率が封止層２８Ｂの屈折率よりも小さくなっている。これにより、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光を正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

また、本実施の形態において、保護層２８Ａが、無機材料からなり、封止層２８Ｂは、樹脂材料からなる場合には、例えば、保護層２８ＡをスパッタまたはＣＶＤにより形成することにより、凹面２８Ｓ１を下地の形状にならった形状にし、凹面２８Ｓ１を封止層２８Ｂで埋め込むことにより、封止層２８Ｂの上面を平坦にすることができる。従って、製造プロセスでもって正面輝度を比較的容易に制御することができる。

また、本実施の形態では、列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄおよび桟部１４Ｂは、基板１６上であって、かつ発光領域２４Ａの周囲に、発光領域２４Ａよりも高い位置に上面が設けられており、凹面２８Ｓ１は、列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄおよび桟部１４Ｂの表面に倣っている。これにより、例えば、スパッタにより、列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄおよび桟部１４Ｂを含む表面全体に保護層２８Ａを形成することで、凹面２８Ｓ１を形成することができる。従って、製造プロセスでもって正面輝度を比較的容易に制御することができる。

また、本実施の形態において、凹面２８Ｓ１の最も深い箇所は、列規制部１４Ｃおよび桟部１４Ｂの上面よりも深い位置にある場合には、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光をより正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

また、本実施の形態では、凹面２８Ｓ１は、基板１６とは反対側に盛り上がった凸面状の側面を有している。これにより、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光をより正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

また、本実施の形態において、開口部１４Ａのアスペクト比が０．８以上となっている場合には、開口部１４Ａに倣った形状となっている凹面２８Ｓ１によって、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光をより正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

また、本実施の形態において、列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄおよび桟部１４Ｂの側面に、発光領域２４Ａから発せられた光を基板１６の法線方向寄りに反射する反射面が設けられている場合には、その反射面による反射により、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光をより正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

また、本実施の形態において、各副画素１２において、界面２８Ｓに、複数の凹面２８Ｓ１が設けられるとともに、保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂが複数の凹面２８Ｓ１で共有されている。これにより、簡易な製造方法で、正面輝度を向上させることができる。また、光を立ち上げる凹面２８Ｓ１の数が増えることで、より正面輝度を向上させることができる。

また、本実施の形態の各副画素１２において、発光層２４が、帯状の複数の発光領域２４Ａを有しており、桟部１４Ｂが互いに隣接する２つの発光領域２４Ａの間に設けられている場合には、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光であって、かつ桟部１４Ｂの延在方向と交差する方向への光をより正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

また、本実施の形態の各副画素１２において、発光層２４が、島状の複数の発光領域２４Ａを有しており、列規制部１４Ｃ、行規制部１４Ｄおよび桟部１４Ｂが各発光領域２４Ａを取り囲むように設けられている場合には、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向をより正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

＜２．変形例＞
次に、上記実施の形態に係る有機電界発光装置１の変形例について説明する。

[変形例Ａ]
図２１は、図３の有機電界発光パネル１０のＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。図２２は、図３の有機電界発光パネル１０のＢ−Ｂ線での断面構成の一変形例を表したものである。図２３は、図３の有機電界発光パネル１０のＣ−Ｃ線での断面構成の一変形例を表したものである。図２１〜図２３には、配光制御層２９が設けられている場合が例示されている。

本変形例では、有機電界発光パネル１０は、陰極２７と保護層２８Ａとの間に、陰極２７の上面に接する配光制御層２９を有している。配光制御層２９は、例えば、図２４に示したように、光透過層２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃを陰極２７側からこの順に積層して構成された複合層となっている。光透過層２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃは、例えば、透明導電性材料または透明誘電体材料によって形成されている。

光透過層２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃに用いられる透明導電性材料としては、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯ等が挙げられる。光透過層２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃに用いられる透明誘電体材料としては、例えば酸化ケイ素（例えばＳｉＯ₂），酸窒化ケイ素（例えばＳｉＯＮ）または窒化ケイ素（例えばＳｉＮ）等が挙げられる。光透過層２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃは、陰極２７としての機能を有していてもよく、あるいは、パッシベーション膜として機能するようになっていてもよい。光透過層２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃは、例えば、ＭｇＦまたはＮａＦなどの低屈折率材料によって形成されていてもよい。

陽極２１と光透過層２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃとによって共振器構造が構成される。本変形例では、保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂは、集光レンズとしての機能の他に、陽極２１と光透過層２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃとの間で構成される共振器構造への外部からの干渉を防ぐ機能も有している。

陽極２１の上面には、陽極２１と、陽極２１の上面に接する層（正孔注入層２２もしくは正孔輸送層２３）との屈折率差によって反射面Ｓ１が形成されている。反射面Ｓ１は、発光層２４の発光中心２４ａから光学距離Ｌ１の位置に配置されている。光学距離Ｌ１は、発光層２４の発光スペクトルの中心波長λ１の光を、反射面Ｓ１と、発光中心２４ａとの間における干渉によって強め合うように設定されている。具体的には、光学距離Ｌ１は、以下の式（１），（２）を満たすように構成されている。なお、式（１），（２）において、Ｌ１，λ１，λ１１の単位は、ｎｍとなっている。

（２Ｌ１／λ１１）＋（ａ１／２π）＝ｍ１…（１）
λ１−１５０＜λ１１＜λ１＋８０…（２）
ａ１：発光層２４から出射された光が反射面Ｓ１で反射する際の位相変化
λ１１：式（２）を満たす波長
ｍ１：０以上の整数

ａ１は、陽極２１の複素屈折率Ｎ＝ｎ０-ｊｋ（ｎ０：屈折率、ｋ：消衰係数）のｎ０、ｋと、発光層２４の屈折率とを用いて計算することができる（例えば、Principles of Optics, Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS)などを参照）。陽極２１の複素屈折率や発光層２４の屈折率は、例えば、分光エリプソメトリー測定装置を用いて測定することができる。

ｍ１の値が大きいといわゆるマイクロキャビティ（微小共振器）効果が得られないため、ｍ１＝０であることが好ましい。例えば、光学距離Ｌ１１は、以下の式（３），（４）を共に満たしていることが好ましい。なお、式（２）において、λ１＝６００ｎｍとなっている。

（２Ｌ１／λ１１）＋（ａ１／２π）＝０…（３）
λ１−１５０＝４５０＜λ１１＝６００＜λ１＋８０＝６８０…（４）

式（３）を満たす反射面Ｓ１は、０次の干渉の位置に設けられているので、広い波長帯域にわたって、高い透過率を示す。このため、式（４）に示したように、λ１１を中心波長λ１から大きくずらすことも可能である。

陰極２７の上面には、陰極２７と、陰極２７の上面に接する層（光透過層２９Ａ）との屈折率差によって反射面Ｓ２が形成されている。反射面Ｓ２は、発光層２４の発光中心２４ａから光学距離Ｌ２の位置に配置されている。光学距離Ｌ２は、発光層２４の発光スペクトルの中心波長λ１の光を、反射面Ｓ２と、発光中心２４ａとの間における干渉によって強め合うように設定されている。具体的には、光学距離Ｌ２は、以下の式（５），（６）を満たすように構成されている。なお、式（５），（６）において、Ｌ２，λ１，λ１２の単位は、ｎｍとなっている。

（２Ｌ２／λ１２）＋（ａ２／２π）＝ｍ２…（５）
λ１−８０＜λ１２＜λ１＋８０…（６）
ａ２：発光層２４から出射された光が反射面Ｓ２で反射する際の位相変化
λ１２：式（６）を満たす波長
ｍ２：０以上の整数

ａ２は、光透過層２９Ａの複素屈折率Ｎ＝ｎ０-ｊｋ（ｎ０：屈折率、ｋ：消衰係数）のｎ０、ｋと、発光層２４の屈折率とを用いて計算することができる。光透過層２９Ａの複素屈折率や発光層２４の屈折率は、例えば、分光エリプソメトリー測定装置を用いて測定することができる。

ｍ２の値が大きいといわゆるマイクロキャビティ（微小共振器）効果が得られないため、ｍ２＝１であることが好ましい。

反射面Ｓ１，Ｓ２ｈａ，はともに、発光層２４で発生した光を、発光中心２４ａとの間で強め合うように構成されている。この増幅効果により、６２０ｎｍ付近に透過率のピークが発生する。

なお、例えば、図２５に示したように、陰極２７を設けずに、光透過層２９Ａに陰極２７の役割を持たせ、かつ、反射面Ｓ２を、電子輸送層２５もしくは電子注入層２６と光透過層２９Ａとの屈折率差によって形成するようにしてもよい。

また、例えば、図２６に示したように、光透過層２９Ａと光透過層２９Ｂとの間に光透過層２９Ｄを設けて、この光透過層２９Ｄと光透過層２９Ａとの屈折率差によって反射面Ｓ２を形成するようにしてもよい。

光透過層２９Ａの上面には、光透過層２９Ａと、光透過層２９Ａの上面に接する層（光透過層２９Ｂ）との屈折率差によって反射面Ｓ３が形成されている。反射面Ｓ３は、発光層２４の発光中心２４ａから光学距離Ｌ３の位置に配置されている。赤色の副画素１２（１２Ｒ）において、光学距離Ｌ３は、発光層２４の発光スペクトルの中心波長λ１（λ１Ｒ）の光を、反射面Ｓ３と、発光中心２４ａとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。青色の副画素１２（１２Ｂ）において、光学距離Ｌ３は、発光層２４の発光スペクトルの中心波長λ１（λ１Ｂ）の光を、反射面Ｓ３と、発光中心２４ａとの間における干渉によって強め合うように設定されている。具体的には、赤色の副画素１２（１２Ｒ）において、光学距離Ｌ３は、以下の式（７），（８）を満たすように構成されている。青色の副画素１２（１２Ｂ）において、光学距離Ｌ３は、以下の式（９），（１０）を満たすように構成されている。なお、式（７），（８），（９），（１０）において、Ｌ３，λ１，λ１３の単位は、ｎｍとなっている。

（２Ｌ３／λ１３）＋（ａ３／２π）＝ｍ３＋１／２…（７）
λ１Ｒ−１５０＜λ１３＜λ１Ｒ＋１５０…（８）
（２Ｌ３／λ２３）＋（ａ３／２π）＝ｎ３…（９）
λ１Ｂ−１５０＜λ２３＜λ１Ｂ＋１５０…（１０）
ａ３：発光層２４から出射された光が反射面Ｓ３で反射する際の位相変化
λ１３：式（８）を満たす波長
λ２３：式（１０）を満たす波長
ｍ３，ｎ３：０以上の整数

光透過層２９Ｂの上面には、光透過層２９Ｂと、光透過層２９Ｂの上面に接する層（光透過層２９Ｃ）との屈折率差によって反射面Ｓ４が形成されている。反射面Ｓ４は、発光層２４の発光中心２４ａから光学距離Ｌ４の位置に配置されている。赤色の副画素１２（１２Ｒ）において、光学距離Ｌ４は、発光層２４の発光スペクトルの中心波長λ１（λ１Ｒ）の光を、反射面Ｓ４と、発光中心２４ａとの間における干渉によって弱め合うように設定されている。青色の副画素１２（１２Ｂ）において、光学距離Ｌ４は、発光層２４の発光スペクトルの中心波長λ１（λ１Ｂ）の光を、反射面Ｓ４と、発光中心２４ａとの間における干渉によって強め合うように設定されている。具体的には、赤色の副画素１２（１２Ｒ）において、光学距離Ｌ４は、以下の式（１１），（１２）を満たすように構成されている。青色の副画素１２（１２Ｂ）において、光学距離Ｌ４は、以下の式（１３），（１４）を満たすように構成されている。なお、式（１１），（１２），（１３），（１４）において、Ｌ４，λ１，λ１４の単位は、ｎｍとなっている。

（２Ｌ４／λ１４）＋（ａ４／２π）＝ｍ４＋１／２…（１１）
λ１Ｒ−１５０＜λ１４＜λ１Ｒ＋１５０…（１２）
（２Ｌ４／λ２４）＋（ａ３／２π）＝ｎ４…（１３）
λ１Ｂ−１５０＜λ２４＜λ１Ｂ＋１５０…（１４）
ａ４：発光層２４から出射された光が反射面Ｓ４で反射する際の位相変化
λ１４：式（１１）を満たす波長
λ２４：式（１３）を満たす波長
ｍ４，ｎ４：０以上の整数

ａ３は、光透過層２９Ｂの複素屈折率Ｎ＝ｎ０-ｊｋ（ｎ０：屈折率、ｋ：消衰係数）のｎ０、ｋと、発光層２４の屈折率とを用いて計算することができる。ａ４は、光透過層２９Ｃの複素屈折率Ｎ＝ｎ０-ｊｋ（ｎ０：屈折率、ｋ：消衰係数）のｎ０、ｋと、発光層２４の屈折率とを用いて計算することができる。光透過層２９Ｂ，２９Ｃの複素屈折率や発光層２４の屈折率は、例えば、分光エリプソメトリー測定装置を用いて測定することができる。

詳細は後述するが、このように反射面Ｓ３，Ｓ４での反射条件を、赤色の副画素１２Ｒと青色の副画素１２Ｂとで異ならせることができるので、副画素１２毎に、発光状態を調整することができる。

反射面Ｓ３での反射が加わることにより、赤色の発光層２４で発生した光が弱められ、スペクトルの半値幅が広がっている。また、反射面Ｓ４での反射が加わることにより、赤色の発光層２４で発生した光が更に弱められ、スペクトルの半値幅がより広がっている。このようにスペクトルのピーク近傍をなだらかにすることにより、角度による輝度および色相の急激な変化を抑えることができる。また、反射面Ｓ４での反射が加わることにより、青色の発光層２４で発生した光が強められ、ピークが大きくなっている。このように、急峻なピークをもたせることにより、光取出効率を高めることができる。また、色度点を向上させることも可能である。反射面Ｓ１、Ｓ２で形成されるスペクトルのピークの位置と、反射面Ｓ３，Ｓ４で形成されるスペクトルのピークの位置とを合わせるようにしてもよいし、これらをずらすようにしてもよい。反射面Ｓ１、Ｓ２で形成されるスペクトルのピークの位置と、反射面Ｓ３，Ｓ４で形成されるスペクトルのピークの位置とをずらした場合には、共振器構造の効果が得られる波長帯域を拡大させ、また急峻な輝度および色相の変化を抑えることができる。

次に、本変形例に係る有機電界発光装置１の作用・効果について説明する。

本変形例では、発光層２４から出射された光は、反射面Ｓ１と反射面Ｓ４との間で多重反射され、光取出面ＳＤＲから取り出される。ところで、一般的な有機電界発光装置では、配光特性を向上させることが容易ではない。

例えば、所望の波長の光が共振するように、光透過性電極と反射性電極の間の膜厚を設定し、これにより発光効率を高める方法が提案されている（例えば、国際公開ＷＯ０１／０３９５５４号パンフレット）。また、例えば、有機層の膜厚を制御することにより、三原色（赤色、緑色、青色）の減衰のバランスをコントロールし、白色の色度点の視野角特性を高める試みもなされている（例えば、特開２０１１−１５９４３３号公報）。

しかし、これらの構成では、有機電界発光素子の積層構造が、取り出される光のスペクトルに対して、半値幅の狭い干渉フィルタとして機能する。そのため、光取出面を斜め方向から見た場合には、光の波長が大きくシフトする。このため、視野角によって発光強度の低下等が生じ、視野角依存性が高くなってしまう。

また、例えば、特開２００６−２４４７１３号公報では、視野角による色相変化を低減するための構造が提案されている。しかし、この構造では、単色に適用し、輝度の視野角依存性を低減することは可能かもしれないが、十分に広い波長帯域に適用することが困難である。適用可能な波長帯域を広げるために、反射率をあげることも考え得るが、この場合には、光取出効率が著しく低下する。

上記のように、有機電界発光素子の積層構造内の位置関係および発光位置等を調整することにより角度依存性を低減する方法が考え得るものの、この方法では調整が困難となる場合がある。例えば、各発光層から出射される光のスペクトルによって、屈折率の波長分散が生じる場合である。屈折率の波長分散では、構成材料の屈折率が各波長によって異なるため、赤色有機電界発光素子，緑色有機電界発光素子，青色有機電界発光素子間で、共振器構造の効果に差異が生じる。例えば、赤色有機電界発光素子では、取り出される赤色光のピークが急峻になり過ぎ、青色有機電界発光素子では、取り出される青色光のピークがなだらかになり過ぎる。このように、素子領域毎に共振器構造の効果が大きく異なると、輝度および色相の角度依存性が大きくなり、配光特性が低下する。

これに対して、本変形例では、赤色の発光層２４で発生した光に対して、反射面Ｓ３，Ｓ４が及ぼす影響と、青色の発光層２４で発生した光に対して反射面Ｓ３，Ｓ４が及ぼす影響とが互いに異なっている。具体的には、赤色の発光層２４で発生した光および青色の発光層２４で発生した光は以下のようになる。

赤色の発光層２４で発生した光は、赤色の発光層２４の発光中心２４ａと赤色の副画素１２Ｒの反射面Ｓ３，Ｓ４との間における干渉によって弱められる。一方、青色の発光層２４で発生した光は、青色の発光層２４の発光中心２４ａと青色の副画素１２Ｂの反射面Ｓ３，Ｓ４との間における干渉によって強められる。

これにより、赤色の副画素１２Ｒでは、光取出面ＳＤＲからピーク近傍がなだらかな赤色光が取り出され、青色の副画素１２Ｂでは、光取出面ＳＤＢから急峻なピークを有する青色光が取り出される。したがって、赤色の副画素１２Ｒの共振器構造の効果と、青色の副画素１２Ｂの共振器構造の効果との違いが小さくなり、輝度および色相の角度依存性が小さくなる。よって、配光特性を向上させることができる。また、高い配光特性を有する有機電界発光装置１は、高い画品位を要する表示装置にも好適であり、表示装置の生産性を向上させることができる。

本変形例に係る有機電界発光装置１では、４５°の視野角においても、Δｕｖ≦０．０１５、輝度６０％以上を維持することができ、高画質を実現することができる。

以上のように、本変形例に係る有機電界発光装置１では、赤色の副画素１２Ｒの反射面Ｓ３，Ｓ４が、赤色の発光層２４で発生した光を弱め合うように設けられているのに対し、青色の副画素１２Ｂの反射面Ｓ３，Ｓ４が、青色の発光層２４で発生した光を強め合うように設けられている。これにより、副画素１２ごとに、共振器構造の効果を調整することができるので、配光特性を向上させることが可能となる。

また、広い波長帯域にわたって、高い光透過率が得られるので光取出効率を向上させることができる。これにより、消費電力を抑えることも可能となる。

なお、反射面Ｓ３，Ｓ４を厚み５ｎｍ以上の金属薄膜を積層させて形成した場合には、広い波長帯域にわたって、高い光透過率を得ることが可能となる。

また、本変形例に係る有機電界発光装置１は、発光層２４が印刷層である場合に好適である。発光層２４は、乾燥工程を経ることなどによって、領域による厚みの大小が生じやすい。即ち、発光層２４に膜厚分布が生じやすい。本変形例に係る有機電界発光装置１では、この膜厚分布に起因した、副画素１２ごとの共振器構造の効果の違いを調整することができる。

[変形例Ｂ]
上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光装置１において、有機電界発光パネル１０は、例えば、図２７に示したように、基板１６上に、絶縁層１４の代わりに、列方向に延在する複数のラインバンク１７と、行方向に延在する複数のバンク１８とを有していてもよい。ラインバンク１７およびバンク１８は、本開示の「台座部」の一具体例に相当する。複数のラインバンク１７および複数のバンク１８は、各副画素１２を区画する。複数のラインバンク１７は、各画素１１において、各副画素１２を区画する。複数のバンク１８は、各画素列において、各画素１１を区画する。各バンク１８は、互いに隣接する２つのラインバンク１７の間に設けられている。各バンク１８の両端部が、互いに隣接する２つのラインバンク１７に連結されている。つまり、各副画素１２は、互いに隣接する２つのラインバンク１７と、互いに隣接する２つのバンク１８とによって区画されている。

有機電界発光パネル１０は、さらに、例えば、互いに隣接する２つのラインバンク１７と、互いに隣接する２つのバンク１８とによって囲まれた領域内に、開口部１４Ａを有している。各副画素１２において、開口部１４Ａの底面には、陽極２１の表面が露出している。そのため、開口部１４Ａの底面に露出した陽極２１から供給される正孔と、後述の陰極２７から供給される電子とが、発光層２４で再結合することにより、発光層２４で発光が生じる。従って、発光層２４のうち、底面に陽極２１が露出している開口部１４Ａと対向する領域が、発光領域２４Ａとなる。

ラインバンク１７およびバンク１８は、発光領域２４Ａの周囲に設けられており、かつ、発光領域２４Ａよりも高い位置に上面を有している。バンク１８の高さ（基板１６からの高さ）は、例えば、ラインバンク１７の高さ（基板１６からの高さ）よりも低くなっている。バンク１８の高さ（基板１６からの高さ）は、例えば、有機電界発光素子１２−２における陽極２１および陰極２７の距離の半分以下の高さとなっている。このとき、列方向に並ぶ複数の副画素１２は、これらの副画素１２の左右の２つのラインバンク１７によって形成された帯状の溝部１５の中に配置されており、例えば、発光層２４を互いに共有している。さらに、列方向に並ぶ複数の副画素１２は、これらの副画素１２の左右の２つのラインバンク１７によって形成された帯状の溝部１５の中に配置されており、例えば、発光層２４を互いに共有している。つまり、発光層２４は、バンク１８をまたいで、互いに隣り合う２つの副画素１２の一方から他方に渡って設けられるとともに、バンク１８をまたいで、互いに隣り合う２つの副画素１２の一方から他方に渡って設けられている。言い換えると、発光層２４は、バンク１８をまたいで、互いに隣り合う２つの副画素１２において互いに共有されており、さらに、バンク１８をまたいで、互いに隣り合う２つの副画素１２において互いに共有されている。

凹面２８Ｓ１は、ラインバンク１７およびバンク１８の表面に倣っている。凹面２８Ｓ１は、基板１６とは反対側に盛り上がった凸面状の側面を有している。凹面２８Ｓ１は、例えば、スパッタにより、陰極２７の表面に、無機材料を成膜することにより形成される。このようにして形成された凹面２８Ｓ１は、陰極２７の表面形状に倣った表面形状となっており、さらに、ラインバンク１７およびバンク１８の表面形状に倣った表面形状となっている。封止層２８Ｂの上面（保護層２８Ａとは反対側の表面）は、例えば、基板１６の表面と平行な平坦面となっている。

ラインバンク１７およびバンク１８は、例えば、絶縁性の有機材料によって形成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが挙げられる。ラインバンク１７およびバンク１８は、例えば、耐熱性、溶媒に対する耐性を持つ絶縁性樹脂によって形成されていることが好ましい。ラインバンク１７およびバンク１８は、例えば、絶縁性樹脂をフォトリソグラフィおよび現像によって所望のパターンに加工することによって形成される。ラインバンク１７の断面形状は、例えば、順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。バンク１８の断面形状は、例えば、順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。

本変形例では、上記実施の形態と同様、陰極２７上の保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂの界面２８Ｓのうち、発光領域２４Ａと対向する領域内に凹面２８Ｓ１が設けられている。これにより、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光を正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

[変形例Ｃ]
上記変形例Ｂに係る有機電界発光装置１において、有機電界発光パネル１０は、基板１６上に、ラインバンク１７およびバンク１８の代わりに、例えば、図２８に示したように、副画素１２ごとに開口部１４Ａを有するピクセルバンク１９を有していてもよい。

ピクセルバンク１９は、各画素１１の周囲に設けられている。ピクセルバンク１９は、各画素１１を区画するとともに、各画素１１において各副画素１２を区画する。ピクセルバンク１９によって囲まれた領域が、副画素１２なっている。各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２が１つずつ配置されている。つまり、各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２は、ピクセルバンク１９によって囲まれた領域の中に１つずつ配置されている。

本変形例では、上記実施の形態と同様、陰極２７上の保護層２８Ａおよび封止層２８Ｂの界面２８Ｓのうち、発光領域２４Ａと対向する領域内に凹面２８Ｓ１が設けられている。これにより、発光領域２４Ａから発せられた斜め方向への光を正面に立ち上げることが可能となる。従って、正面輝度を向上させることができる。

＜３．適用例＞
[適用例その１]
以下では、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光装置１の適用例について説明する。上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、シート状のパーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

図２９は、本適用例に係る電子機器２の外観を斜視的に表したものである。電子機器２は、例えば、筐体３１０の主面に表示面３２０を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器２は、電子機器２の表示面３２０に、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光装置１を備えている。上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光装置１は、有機電界発光パネル１０が外側を向くように配置されている。本適用例では、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光装置１が表示面３２０に設けられているので、発光効率の高い電子機器２を実現することができる。

[適用例その２]
以下では、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子１２−２の適用例について説明する。上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子１２−２は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。

図３０は、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子１２−２が適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、上記実施の形態およびその変形例に係る１または複数の有機電界発光素子１２−２を含んで構成された照明部４１０を有している。照明部４１０は、建造物の天井４２０に適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部４１０は、用途に応じて、天井４２０に限らず、壁４３０または床（図示せず）など任意の場所に設置することが可能である。

これらの照明装置では、上記実施の形態およびその変形例に係る有機電界発光素子１２−２からの光により、照明が行われる。これにより、発光効率の高い照明装置を実現することができる。

以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。

また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
基板上に、第１電極層、発光層、第２電極層、第１屈折率層および第２屈折率層をこの順に備え、
前記第１屈折率層および前記第２屈折率層は、互いに接する界面を有し、
前記発光層は、前記第１電極層と対向する領域内に発光領域を有し、
前記界面は、前記発光領域と対向する領域内に凹面を有する
有機電界発光素子。
（２）
前記第１屈折率層の屈折率は、前記第２屈折率層の屈折率よりも小さい
（１）に記載の有機電界発光素子。
（３）
前記第１屈折率層は、無機材料からなり、
前記第２屈折率層は、樹脂材料からなる
（１）または（２）に記載の有機電界発光素子。
（４）
前記基板上であって、かつ前記発光領域の周囲に、前記発光領域よりも高い位置に上面を有する台座部を更に備え、
前記凹面は、前記台座部の表面に倣っている
（１）から（３）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（５）
前記凹面の最も深い箇所は、前記台座部の前記上面よりも深い位置にある
（４）に記載の有機電界発光素子。
（６）
前記凹面は、前記基板とは反対側に盛り上がった凸面状の側面を有する
（１）から（５）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（７）
前記台座部は、前記発光領域と対向する位置に開口部を有し、
前記開口部のアスペクト比は、０．８以上となっている
（１）から（６）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（８）
前記台座部は、前記発光領域から発せられた光を前記基板の法線方向寄りに反射する反射面を側面に有する
（１）から（７）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（９）
複数の画素を備え、
各前記画素は、有機電界発光素子を有し、
前記有機電界発光素子は、
基板上に、第１電極層、発光層、第２電極層、第１屈折率層および第２屈折率層をこの順に有し、
前記第１屈折率層および前記第２屈折率層は、互いに接する界面を有し、
前記発光層は、前記第１電極層と対向する領域内に１または複数の発光領域を有し、
前記界面は、前記発光領域と対向する領域内に１または複数の凹面を有する
有機電界発光パネル。
（１０）
各前記画素において、前記界面は、複数の前記凹面を有し、
各前記画素において、前記第１屈折率層および前記第２屈折率層は、複数の前記凹面で共有されている
（９）に記載の有機電界発光パネル。
（１１）
各前記画素は、前記発光領域の周囲に、前記発光領域よりも高い位置に上面を有する台座部を有し、
前記凹面は、前記台座部の表面に倣っており、
前記凹面の最も深い箇所は、前記台座部の前記上面よりも深い位置にある
（９）または（１０）に記載の有機電界発光パネル。
（１２）
各前記画素において、前記発光層は、島状の複数の前記発光領域を有し、
前記台座部は、各前記発光領域を取り囲むように設けられている
（９）から（１１）のいずれか１つに記載の有機電界発光パネル。
（１３）
有機電界発光パネルと、前記有機電界発光パネルを駆動する駆動回路とを備え、
前記有機電界発光パネルは、複数の画素を有し、
各前記画素は、有機電界発光素子を有し、
前記有機電界発光素子は、
基板上に、第１電極層、発光層、第２電極層、第１屈折率層および第２屈折率層をこの順に有し、
前記第１屈折率層および前記第２屈折率層は、互いに接する界面を有し、
前記発光層は、前記第１電極層と対向する領域内に発光領域を有し、
前記界面は、前記発光領域と対向する領域内に凹面を有する
電子機器。

１…有機電界発光装置、２…電子機器、１０…有機電界発光パネル、１１…画素、１２，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…副画素、１２−１…画素回路、１２−２…有機電界発光素子、１３…ラインバンク、１４…絶縁層、１４Ａ…開口部、１４Ｂ…桟部、１４Ｃ…列規制部、１４Ｄ…行規制部、１５…溝部、１６…基板、１７…ラインバンク、１８…バンク、１９…ピクセルバンク、２０…コントローラ、２１…陽極、２２…正孔注入層、２３…正孔輸送層、２４…発光層、２４Ａ…発光領域、２５…電子輸送層、２６…電子注入層、２７…陰極、２８Ａ…保護層、２８Ｂ…封止層、２８Ｓ…界面、２８Ｓ１…凹面、２９…配光制御層、２９Ａ…光透過層、２９Ｂ…光透過層、２９Ｃ光透過層、２９Ｄ…光透過層、３０…ドライバ、３１…水平セレクタ、３２…ライトスキャナ、３１０…筐体、３２０…表示面、４１０…照明部、４２０…天井、４３０…壁、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…選択トランジスタ、Ｃｓ…保持容量、ＤＳＬ…電源線、ＤＴＬ…信号線、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４…反射界面、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｖｓｉｇ…信号電圧、ＷＳＬ…選択線。

Claims (12)

1. 基板上に、第１電極層、発光層、第２電極層、第１屈折率層および第２屈折率層をこの順に備えるとともに、前記基板上に、前記発光層よりも高い位置に上面を有するとともに、前記第１電極と対向する領域内に開口部を有する台座部を備え、
   前記第１屈折率層および前記第２屈折率層は、互いに接する界面を有し、
   前記界面は、前記開口部と対向する領域内に凹面を有し、
   前記第１屈折率層の屈折率は、前記第２屈折率層の屈折率よりも小さく、
   前記開口部のアスペクト比は、０．８以上となっている
   有機電界発光素子。
2. 前記第１屈折率層は、無機材料からなり、
   前記第２屈折率層は、樹脂材料からなり、
   前記第２屈折率層の上面は、前記基板の表面と平行な平坦面となっている
   請求項１に記載の有機電界発光素子。
3. 前記凹面の最も深い箇所は、前記台座部の上面よりも深い位置にある
   請求項１または請求項２に記載の有機電界発光素子。
4. 前記凹面は、前記基板とは反対側に盛り上がった凸面状の側面を有する
   請求項３に記載の有機電界発光素子。
5. 前記台座部は、前記発光層から発せられた光を前記基板の法線方向寄りに反射する反射面を側面に有する
   請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
6. 複数の画素を備え、
   各前記画素は、有機電界発光素子を有し、
   前記有機電界発光素子は、
   基板上に、第１電極層、発光層、第２電極層、第１屈折率層および第２屈折率層をこの順に有するとともに、前記基板上に、前記発光層よりも高い位置に上面を有するとともに、前記第１電極と対向する領域内に１または複数の開口部を有する台座部を有し、
   前記第１屈折率層および前記第２屈折率層は、互いに接する界面を有し、
   前記界面は、前記開口部と対向する領域内に凹面を有し、
   前記第１屈折率層の屈折率は、前記第２屈折率層の屈折率よりも小さく、
   前記開口部のアスペクト比は、０．８以上となっている
   有機電界発光パネル。
7. 各前記画素において、前記台座部は、複数の前記開口部を有し、
   各前記画素において、前記界面は、複数の前記凹面を有し、
   各前記画素において、前記第１屈折率層および前記第２屈折率層は、複数の前記凹面で共有されている
   請求項６に記載の有機電界発光パネル。
8. 前記凹面の最も深い箇所は、前記台座部の上面よりも深い位置にある
   請求項６または請求項７に記載の有機電界発光パネル。
9. 前記開口部は、帯状の形状となっており、
   前記台座部は、互いに隣接する２つの前記開口部の間にも設けられている
   請求項６に記載の有機電界発光パネル。
10. 各前記画素において、前記台座部は、１つの前記開口部を有し、
    各前記画素において、前記界面は、１つの前記凹面を有する
    請求項６に記載の有機電界発光パネル。
11. 前記台座部は、１つの前記開口部を有し、さらに、前記開口部内に１または複数の島状台座部を有し、
    前記開口部は、前記１または複数の島状台座部を取り囲むように設けられている
    請求項６に記載の有機電界発光パネル。
12. 有機電界発光パネルと、前記有機電界発光パネルを駆動する駆動回路とを備え、
    前記有機電界発光パネルは、複数の画素を有し、
    各前記画素は、有機電界発光素子を有し、
    前記有機電界発光素子は、
    基板上に、第１電極層、発光層、第２電極層、第１屈折率層および第２屈折率層をこの順に有するとともに、前記基板上に、前記発光層よりも高い位置に上面を有するとともに、前記第１電極と対向する領域内に開口部を有する台座部を有し、
    前記第１屈折率層および前記第２屈折率層は、互いに接する界面を有し、
    前記界面は、前記開口部と対向する領域内に凹面を有し、
    前記第１屈折率層の屈折率は、前記第２屈折率層の屈折率よりも小さく、
    前記開口部のアスペクト比は、０．８以上となっている
    電子機器。

Images