JP6753419B2 - 発光素子、発光素子の製造方法、表示装置、及び照明装置 - Google Patents
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Description
本願は、2016年1月19日に、日本に出願された、特願2016−008197号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
また、上記発光素子を製造することが可能な製造方法を提供する。
また、上記発光素子を用いて、発光効率に優れた表示装置、及び照明装置を提供する。
[2] 前記透明部材が、複数の島状部から構成される、[1]に記載の発光素子。
[3] 前記透明部材が、複数の開口部が形成された層状部である、[1]に記載の発光素子。
[4] 前記第1電極層の面積に対する前記透明部材の面積の比率が、0.1以上0.9以下である、[1]乃至[3]のいずれか一項に記載の発光素子。
[5] 前記透明部材の平均高さが、12〜180nmである、[1]乃至[4]のいずれか一項に記載の発光素子。
[6] 前記第1電極層の、前記第2電極層と対向する側の表面が、平坦である、[1]乃至[5]のいずれか一項に記載の発光素子。
[7] 前記第1電極層の、前記基板と対向する側の表面が、平坦である、[1]乃至[6]のいずれか一項に記載の発光素子。
[8] 基板の一方の面側に第1電極層を形成する工程と、
前記第1電極層上に前記第1電極層の表面の一部を露出するように透明部材を形成して、前記第1電極層の表面に凹凸形状を設ける工程と、
前記透明部材の表面と、露出した第1電極層とを被覆するように、透明導電層、有機発光層、及び第2電極層、を順次積層する工程と、を備え、
前記透明導電層と、前記有機発光層と、前記第2電極層の、前記第1電極層と対向する側の表面とに、前記凹凸形状に対応する形状を設ける、発光素子の製造方法。
[9] 前記透明部材として、複数の島状部を形成する、[8]に記載の発光素子の製造方法。
[10] 前記透明部材として、複数の開口部が設けられた層状部を形成する、[8]に記載の発光素子の製造方法。
[11] 前記透明部材を形成する際、3Dプリント法、ナノインプリント法、ミクロ相分離、フォトリソグラフィ、及び粒子マスクのうち、いずれか1つ、又は2つ以上を用いる、[8]〜[10]のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
[12] 前記第1電極層を形成する際、前記第1電極層の、前記基板と反対側の表面を平坦とする、[8]乃至[11]のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
[13] 前記第1電極層を形成する際、前記第1電極層の、前記基板と対向する側の表面を平坦とする、[8]乃至[12]のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
[14] [1]乃至[7]のいずれか一項に記載の発光素子を複数備え、前記第1電極層が光反射性を有し、前記第2電極層が光透過性を有する、表示装置。
[15] 前記基板と前記第1電極層との間に、薄膜トランジスタ層を備える、[14]に記載の表示装置。
[16] [1]乃至[7]のいずれか一項に記載の発光素子を1以上備え、前記第1電極層が光透過性を有し、前記第2電極層が光反射性を有する、照明装置。
本発明の発光素子の製造方法は、上記発光素子を製造することができる。
本発明の表示装置、及び照明装置は、上記発光素子を用いるため、発光効率に優れる。
先ず、本発明を適用した第1の実施形態の発光素子、発光素子の製造方法、及び表示装置の構成について、説明する。
図1は、本発明を適用した第1実施形態である発光素子の断面模式図である。図2は、図1中に示すA−A線に沿った断面図である。
図1に示すように、本実施形態の発光素子20は、基板1と、薄膜トランジスタ層2と、第1電極層3と、画素分離層4と、透明部材5と、透明導電層6と、有機発光層7と、第2電極層8とを備え、これらが順次積層されて、概略構成されている。
本実施形態の発光素子20は、トップエミッション構造で、第1電極層3を陽極、第2電極層8を陰極とする構成を一例として説明する。この場合、第1電極層3は金属反射電極であり、第2電極層8は透明電極となるため、以下のトップエミッション構造に関する説明においては第1電極層を金属反射電極と記載し、第2電極層を透明電極と記載することもある。
基板1の材質は、特に限定されるものではなく、使用目的に応じて適宜選択することができる。基板1としては、例えば、サファイア、SiC、Si、MgAl2O4、LiTaO3、ZrB2、又はCrB2等の材料から成る板材を用いることができる。基板1としては、機械的安定性、熱安定性、光学安定性、化学的安定性の点で、サファイアが好ましい。
薄膜トランジスタ層2は、画素の発光を制御するために、基板1と金属反射電極(第1電極層)3との間に設けられている。具体的には、薄膜トランジスタ層2は、基板1に積層された薄膜トランジスタ回路9と、薄膜トランジスタ回路9と金属反射電極3との接続部10と、薄膜トランジスタ回路9及び接続部10を埋め込んで平坦化するための層間絶縁膜11とを有している。
金属反射電極(第1電極層)3は、基板1の一方の面1a側に、薄膜トランジスタ層2上に設けられた反射膜兼電極である。金属反射電極3は、図1に示すように、画素分離層4によって画素単位で区画、分離されている。
金属反射電極3の材料としては、特に限定されるものではなく、ほとんどの金属の単体または合金を用いることができるが、複素誘電率の実部が絶対値が大きな負の値を持つような材料が好ましい。かかる材料としては、例えば、金、銀、銅、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム等の単体や、金と銀との合金、銀と銅との合金、真鍮等の合金が挙げられる。また、金属反射電極3は、2層以上の積層構造であってもよい。
なお、発光素子20を構成する各層の厚さは、分光エリプソメーター、接触式段差計、AFM等により測定できる。
本実施形態の発光素子20は、基板1の表面1aが平坦であるため、薄膜トランジスタ回路9を高い精度で形成することができる。また、金属反射電極3の表面3aが平坦であるため、接続部10によって薄膜トランジスタ回路9と金属反射電極3とが確実に接続することができる。したがって、高画素化が進み、回路がより細密になった場合でも、高い加工精度、及び接続信頼性が得られる。
ここで言う平坦とは、AFMを用いてJIS B0601‘2001に準拠して測定した算術平均粗さRaの値が、2nm以下であることを意味する。なお、レーザー顕微鏡の測定データに、JIS B0633;2001に記載の触針式粗さ計の測定標準で規定されるフィルター処理を適用して抽出した粗さ曲線から、粗さパラメーターRaを求めることができる。
あるいは、ここで言う平坦とは、発光素子の断面TEMでの観察で基板の界面を粗さ曲線とみなし、粗さパラメーターRaの値が2nm以下であることを意味する。
画素分離層4は、画素と画素とを区画して分離するために設けられた隔壁である。図1及び図2に示すように、画素分離層4は、金属反射電極3の表面3bを露出させた状態で、薄膜トランジスタ層2及び金属反射電極3の端部を覆うように設けられている。画素分離層4の材料としては、絶縁膜として機能するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、高透明アクリル系樹脂等が挙げられる。
透明部材5は、図1及び図2に示すように、金属反射電極3の光反射機能を損なうことなく、上記金属反射電極3の表面3bに凹凸形状を付与するために設けられた、可視光を透過する透明体である。
透明体の材料としては、特に限定されるものではなく、可視光の範囲(波長380nm〜800nm)でスペクトルに偏りを与えず、透過率が70%以上、好ましくは80%以上、より好ましくは90%以上のものを用いることができる。
具体的には、透明体の材料としては、無機材料でも有機材料でもよく、それらの組み合わせでもよい。無機材料としては、たとえば、石英ガラス、無アルカリガラス、白板ガラス等の各種ガラス、マイカ等の透明無機鉱物などが挙げられる。有機材料としては、シクロオレフィン系フィルム、ポリエステル系フィルム等の樹脂フィルム、前記樹脂フィルム中にセルロースナノファイバー等の微細繊維を混入した繊維強化プラスチック素材などが挙げられる。
図1に示すように、透明部材5の平均高さは、12〜180nmであることが好ましく、15〜150nmであることがより好ましい。透明部材5の平均高さが上記好ましい範囲の下限値以上であれば、透明電極8の表面8aに対してプラズモニック効果による光取り出しに対して適切な高さを有する凹凸形状を確実に形成することができ、好ましい範囲の上限値以下であれば、透明部材5が設けられた金属反射電極3の表面3b上に、透明導電層6から透明電極8までを欠陥なく確実に成膜することができる。
透明部材5の平均高さは、島状部5aの高さを25個測定したときの平均値をいう。
円柱状の島状部5aの高さとは、金属反射電極3の表面3bから垂直方向にもっとも離れた部分の高さをいう。
円柱状の島状部5aの高さは、分光エリプソメーター、接触式段差計、レーザー顕微鏡、AFM等により測定できる。
複数の島状部5aの二次元的な配置の周期を特定の周波数の光の回折に適した周期とすることで、光の取り出し効率、或いは、光の取り込み効率を向上させることができる。または、複数の島状部5aの二次元的な配置の周期を発光素子内に発生する表面プラズモンの取り出しに適した周期とすることで、光取り出し効率の高い発光素子を得ることができる。
また、上記の「交差角度が60°の位置関係」とは、具体的には、以下の条件を満たす関係をいう。まず、1つの中心点t1から、隣接する中心点t2の方向に長さが最頻ピッチPと等しい長さの線分L1を引く。次いで中心点t1から、線分L1に対して、60゜の方向に、最頻ピッチPと等しい長さの線分L2を引く。中心点t1に隣接する中心点が、中心点t1と反対側における各線分L1の終点から、各々最頻ピッチPの15%以内の範囲にあれば、交差角度が60°の位置関係にある。交差角度が90度の位置関係とは、上述の「60°」との記載を「90°」と読み替えることで定義される。
また、中心点は以下のように定義する。AFM(原子間力顕微鏡)の測定結果に基づき、基準面と平行に各島状部5aについて20nm毎に複数の等高線を引き、各等高線の重心点(x座標とy座標で決定される点)を求める。これらの各重心点の平均位置(各x座標の平均とy座標の平均で決定される位点)が、島状部5aの中心点である。
まず、基板上における無作為に選択された領域で、一辺が最頻ピッチPの30〜40倍の正方形の領域について、AFMイメージを得る。例えば、最頻ピッチPが300nm程度の場合、9μm×9μm〜12μm×12μmの領域のイメージを得る。そして、このイメージをフーリエ変換により波形分離し、FFT像(高速フーリエ変換像)を得る。ついで、FFT像のプロファイルにおける0次ピークから1次ピークまでの距離を求める。
こうして求められた距離の逆数がこの領域における最頻ピッチPである。このような処理を無作為に選択された合計25カ所以上の同面積の領域について同様に行い、各領域における最頻ピッチを求める。こうして得られた25カ所以上の領域における最頻ピッチP1〜P25の平均値が最頻ピッチPである。なお、この際、各領域同士は、少なくとも1mm離れて選択されることが好ましく、より好ましくは5mm〜1cm離れて選択される。
この好ましい構造の一例としては、その高さ分布のスペクトル強度において、本実施形態の発光素子20が利用する周波数帯域の光の下限周波数を回折するのに適した波数から上限周波数を回折するのに適した波数までに対応した波数を含むように、高さ分布のスペクトル強度が調整された構造が挙げられる。より具体的には、本実施形態の発光素子20が利用する周波数帯域の光の下限周波数を回折するのに適した波数から上限周波数を回折するのに適した波数までに対応した波数スペクトル強度の積分値が、全スペクトル強度の35%以上となるように調整された構造であることがより好ましい。
図1に示すように、透明導電層6は、画素分離層4によって区画された領域において、透明部材5の表面(複数の島状部5aの全ての表面)と、露出した金属反射電極(第1電極層)3の表面3bとを被覆するように設けられている。露出した金属反射電極3の表面3bと透明導電層6とが接触する構成とすることで、本実施形態の発光素子20の電気抵抗を適切な範囲に調整することができる。
透明導電層6の形状は、金属反射電極3と透明部材5とによって設けられた凹凸形状を追従したものとなっている。
透明導電層6には、可視光を透過する透明導電体が用いられる。透明導電層6を構成する透明導電体は、特に限定されず、透明導電材料として公知のものが使用できる。たとえばインジウム−スズ酸化物(Indium Tin Oxide(ITO))、インジウム−亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide(IZO))、酸化亜鉛(Zinc Oxide(ZnO))、亜鉛−スズ酸化物(Zinc Tin Oxide(ZTO))等が挙げられる。
有機発光層7は、画素分離層4によって区画された領域において、透明導電層6上に設けられている。また、有機発光層7の端部は、画素分離層4の端部を覆うように設けられている。
有機発光層7の形状は、透明導電層6に設けられた凹凸形状を追従したものとなっている。
有機発光層7は、少なくとも、有機発光材料を含有する発光層を含む層であり、発光層のみから構成されてもよいが、一般的には発光層以外の他の層が含まれる。他の層は、発光層の機能を損なわない限り、有機材料から構成されるものであっても無機材料から構成されるものであってもよい。
たとえば、金属反射電極3に近い側から、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層の5層から構成することができる。これらの層の中で最も重要なものは発光層であり、たとえばホール注入層や電子注入層は層構成によっては省略できる。また、電子輸送層は発光層を兼ねることもできる。これらの層を構成する材質は、特に限定されず、公知のものが使用できる。
有機発光材料としては、たとえば、Tris[1−phenylisoquinoline−C2,N]iridium(III)(Ir(piq)3)、1,4−bis[4−(N,N−diphenylaminostyrylbenzene)](DPAVB)、Bis[2−(2−benzoxazolyl)phenolato]Zinc(II)(ZnPBO)等の色素化合物が挙げられる。また、蛍光性色素化合物やりん光発光性材料を他の物質(ホスト材料)にドープしたものを用いてもよい。この場合、ホスト材料としては、ホール輸送材料、電子輸送材料等が挙げられる。
透明電極(第2電極層)8は、有機発光層7上と、有機発光層7から露出する画素分離層4上とにわたって設けられている。
透明電極8の、金属反射電極3と対向する側の表面8aの形状は、有機発光層7に設けられた凹凸形状を追従したものとなっている。すなわち、透明電極8の表面8aは、金属反射電極3の表面3b上に設けられた透明部材5の存在箇所に対応する凹凸形状を有する。
一方、透明電極8の表面8aと反対側の表面は、少なくとも画素分離層4によって区画された領域において、平坦であることが好ましい。上記構成により、画素分離層上に形成された第2電極層の界面では、表面プラズモンポラリトンの取り出しが起こらない。画素分離層上において表面プラズモンポラリトンの取り出しによる発光を抑制することによって、画素の滲みを防止することができる。
次に、上述した本実施形態の発光素子20の製造方法について、説明する。
本実施形態の発光素子20の製造方法は、基板1の一方の表面1a上に薄膜トランジスタ層2を形成する工程と、薄膜トランジスタ層2上に金属反射電極(第1電極層)3を形成する工程と、金属反射電極3の表面3b上に金属反射電極3の表面3bの一部を露出するように透明部材5を形成して、金属反射電極3の表面3bに凹凸形状を設ける工程と、金属反射電極3の表面3bを露出させた状態で、薄膜トランジスタ層2と金属反射電極3の端部とを覆うように画素分離層4を形成する工程と、透明部材5の表面と露出した金属反射電極3の表面3bとを被覆するように、透明導電層6、有機発光層7、及び第2電極層8を順次積層する工程と、を備えて、概略構成されている。
次に、基板1の表面1a上に、薄膜トランジスタ回路9を埋め込むようにして層間絶縁膜11を形成した後、層間絶縁膜11の上面を平坦化する。
次に、薄膜トランジスタ回路9が露出するように層間絶縁膜11の上面から貫通孔を形成した後、貫通孔内を導電性材料で充填して接続部10を形成する。次いで、層間絶縁膜11の上面の平坦化処理を行い、薄膜トランジスタ層2を形成する。
金属反射電極3を形成する際、基板1と対向する側の表面3aを平坦とすることが好ましい。これにより、薄膜トランジスタ層2を構成する接続部10との接続信頼性を高めることができる。
また、金属反射電極3を形成する際、基板1と反対側の表面3bを平坦とすることが好ましい。これにより、後述する透明部材5のピッチや高さを精密に制御して形成することができる。
なお、金属反射電極3の形状は、薄膜トランジスタ層2の表面形状に追従するため、薄膜トランジスタ層2の表面が平坦であれば、金属反射電極3の表面3a及び表面3bも平坦となる。
3Dプリント法は、インクジェットプリンタ等によって金属反射電極3の表面3b上に複数の島状部5aを直接形成する方法である。
ナノインプリント法は、金属反射電極3の表面3b上に未硬化の紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂などの液状樹脂を塗布し、透明部材5(複数の島状部5a)の反転型を液状樹脂の表面に押し付けて、紫外線や電子線の照射、或いは加熱によって樹脂を硬化させた後、上記反転型を取り除くことによって複数の島状部5aを形成する方法である。
ナノインプリント法で金属反射電極3の表面3b上に複数の島状部5aを形成した場合、島状部5a以外の金属反射電極3の表面3bに薄い樹脂層が形成される場合がある。その場合は、島状部5aが所望の形状として残る程度にエッチング処理を行い、島状部5aが設けられた場所以外の金属反射電極3の表面3bに存在する樹脂層を除去することが好ましい。
ナノインプリント法において使用される反転型は、以下の方法で作られた凹凸形状から、電鋳などの公知の方法によってナノインプリント用の型を形成することができる。
ミクロ相分離は、非相溶の2つの成分を混合分散液または混合溶融物とし、基材上に塗布して固化することにより、ミクロン単位の相分離構造を形成するものである。非相溶の2つの成分の内、一方を溶剤やエッチングにより除去することによって凹凸形状を形成することができる。
フォトリソグラフィは、基材上に形成したフォトレジスト材料層に所望のパターンを露光処理した後、現像液によって、所望する残存パターン以外のフォトレジスト材料層を除去する技術である。前記残存パターンをマスクとして基材をエッチングし、凹凸形状を形成することができる。
粒子マスクは、基材上に粒子の層を形成する技術である。前記粒子をマスクとして基材をエッチングし、凹凸形状を形成することができる。
これらの中でも、本実施形態では、先ず、粒子マスクによって凹凸形状を形成した後、電鋳法によってナノインプリント用の反転型を形成し、上記反転型を用いたナノインプリント法によって、反射電極3の表面3aに複数の島状部5aからなる凹凸形状を形成することが好ましい。
各層の積層方法としては、特に限定されるものではなく、スパッタやCVD等の蒸着法を用いてもよいし、塗布によって形成してもよい。
反射電極3の表面3aに、透明導電層6、有機発光層7、及び第2電極層8を順次積層することにより、上記表面3aに設けられた複数の島状部5aからなる凹凸形状に対応する凹凸形状を、透明導電層6と、有機発光層7と、透明電極8の表面8aとに、順次形成することができる。以上の方法により、本実施形態の発光素子20を製造することができる。
本実施形態の表示装置は、上述した発光素子20を複数備えるものである。基板1側に光反射性を有する金属反射電極3を備えたトップエミッション構造であり、金属反射電極3と透明電極8は、電圧を印加できるようになっている。金属反射電極3と透明電極8との間に電圧を印加することで、有機発光層7に電子とホールが注入され、これらが結合することで光が発生する。発生した光は、透明電極8を直接透過して素子外部に取り出されるか、金属反射電極3で一度反射して素子外部に取り出される。
本実施形態の表示装置は、画素ごとに上述した発光素子20を用いて構成されている。したがって、発光素子20の発光効率の向上によって、本実施形態の表示装置の発光効率も優れたものとなる。
したがって、本実施形態の表示装置は、視認性が高く、信頼性の高いものであり、高画素化に対応が可能である。
透明導電層6、有機発光層7、及び透明電極8を順次積層することで、透明導電層6と、有機発光層7と、透明電極8の表面8aとに原型となる凹凸形状に対応する凹凸形状を形成する構成であるため、上述した発光素子20を製造することができる。
また、金属反射電極(第1電極層)3及び透明電極(第2電極層)8は、一方が陽極であり、他方が陰極であれば、いずれの構成であってもよい。
透明部材25、35の平均高さは、層状部25b,35bの高さを25箇所測定したときの平均値をいう。
透明部材25、35の平均高さは、層状部25b,35bの高さは、分光エリプソメーター、レーザー顕微鏡、接触式段差計、AFM等により測定できる。
なお、「開口部25a,35aが周期的に二次元に配置」している場合の状態と中心点は、上述の第1実施形態の定義における「島状部5a」を「開口部25a,35a」と読み替えることで同様に定義可能である。
次に、本発明を適用した第2の実施形態の発光素子、発光素子の製造方法、及び照明装置の構成について、説明する。
図5は、本発明を適用した第2実施形態である発光素子の断面模式図である。
図5に示すように、本実施形態の発光素子40は、透明基板41と、第1電極層43と、画素分離層4と、透明部材5と、透明導電層6と、有機発光層7と、第2電極層48とを備え、これらが順次積層されて、概略構成されている。
本実施形態の発光素子40は、ボトムエミッション構造で、第1電極層43を陽極、第2電極層48を陰極とする構成を一例として説明する。この場合、第1電極層43は透明電極であり、第2電極層48は金属反射電極となる。
透明基板41の材質としては、上述した第1実施形態に適用可能な基板1として説明した、可視光を透過する透明体を用いることができる。
第1電極層43の材質としては、上述した第1実施形態に適用可能な透明電極8として説明したものを用いることができる。
第2電極層48の材質としては、上述した第1実施形態に適用可能な金属反射電極3として説明したものを用いることができる。
また、透明基板1上に、透明電極43、及び透明部材5を設ける構成であるため、本実施形態の発光素子40によれば、有機発光層7において発生した光の透過を妨げることがない。
本実施形態の発光素子40は、上述した第1実施形態の発光素子20の製造方法を以下のように変更することで製造することができる。
すなわち、本実施形態の発光素子40の製造方法は、基板41の一方の表面41a上に透明電極(第1電極層)43を形成する工程と、透明電極43の表面43b上に透明電極43の表面43bの一部を露出するように透明部材5を形成して、透明電極43の表面43bに凹凸形状を設ける工程と、透明電極43の表面43bを露出させた状態で、透明電極43の端部を覆うように画素分離層4を形成する工程と、透明部材5の表面と露出した透明電極43の表面43bとを被覆するように、透明導電層6、有機発光層7、及び第2電極層48を順次積層する工程と、を備えて、概略構成されている。
なお、上記各工程は、上述した第1実施形態の発光素子20の製造方法の各工程と対応するものであるため、詳細な説明を省略する。
本実施形態の証明装置は、上述した発光素子40を1以上備えるものである。基板1側に光透過性を有する透明電極43を備えたボトムエミッション構造であり、透明電極43と金属反射電極48は、電圧を印加できるようになっている。透明電極43と金属反射電極48との間に電圧を印加することで、有機発光層7に電子とホールが注入され、これらが結合することで光が発生する。発生した光は、透明導電層6、透明部材5(柱状部5a)、透明電極43及び透明基板41を透過して素子外部に取り出されるか、金属反射電極48で一度反射して素子外部に取り出される。
本実施形態の照明装置は、上述した発光素子40を用いているため、発光効率に優れたものである。
1a・・・表面
2・・・薄膜トランジスタ層
3・・・金属反射電極(第1電極層)
3a,3b・・・表面
4・・・画素分離層
5,25,35・・・透明部材
5a・・・柱状部
6・・・透明導電層
7・・・有機発光層
8・・・透明電極(第2電極層)
8a・・・表面
9・・・薄膜トランジスタ回路
10・・・接続部
11・・・層間絶縁膜
20,40・・・発光素子
25a,35a・・・開口部
25b,35b・・・層状部
41・・・透明基板
43・・・透明電極(第1電極層)
48・・・金属反射電極(第2電極層)
Claims (16)
- 基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第1電極層と、
画素と画素とを区画して分離する隔壁であり、前記第1電極層の表面を露出させた状態で、前記第1電極層の端部を覆うように設けられた画素分離層と、
前記第1電極層上に前記第1電極層の表面の一部を露出させた状態で設けられた透明部材と、
前記透明部材の表面と、露出した第1電極層とを被覆する透明導電層と、
前記透明導電層上に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層の前記第1電極層と反対側に設けられた第2電極層と、を備え、
前記有機発光層の端部は、前記画素分離層の端部を覆うように設けられ、
前記第2電極層は、前記有機発光層上と、前記有機発光層から露出する前記画素分離層上とにわたって設けられ、
前記第2電極層の、前記第1電極層と対向する側の表面が、前記透明部材の存在箇所に対応する凹凸形状を有し、
前記第2電極層の、前記第1電極層と対向する側の表面と反対側の表面が、少なくとも前記画素分離層によって区画された領域において平坦であり、
前記第2電極層の、前記第1電極層と対向する側の表面と反対側の表面に、前記有機発光層の端部と前記画素分離層の端部との重なりに対応する凸部を有する、発光素子。 - 前記透明部材が、複数の島状部から構成される、請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明部材が、複数の開口部が形成された層状部である、請求項1に記載の発光素子。
- 前記第1電極層の面積に対する前記透明部材の面積の比率が、0.1以上0.9以下である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記透明部材の平均高さが、12〜180nmである、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1電極層の、前記第2電極層と対向する側の表面が、平坦である、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1電極層の、前記基板と対向する側の表面が、平坦である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光素子。
- 基板の一方の面側に第1電極層を形成する工程と、
前記第1電極層上に前記第1電極層の表面の一部を露出するように透明部材を形成して、前記第1電極層の表面に凹凸形状を設ける工程と、
前記第1電極層の表面を露出させた状態で、前記第1電極層の端部を覆うように画素分離層を形成する工程と、
前記透明部材の表面と、露出した第1電極層とを被覆するように、透明導電層、有機発光層、及び第2電極層、を順次積層する工程と、を備え、
前記有機発光層を積層する際、前記有機発光層の端部が、前記画素分離層の端部を覆うように積層し、
前記第2電極層を積層する際、前記有機発光層上と、前記有機発光層から露出する前記画素分離層上とにわたって積層し、
前記透明導電層と、前記有機発光層と、前記第2電極層の、前記第1電極層と対向する側の表面とに、前記凹凸形状に対応する形状を設け、
前記第2電極層の、前記第1電極層と対応する側の表面と反対側の表面を、少なくとも前記画素分離層によって区画された領域を平坦とし、
前記第2電極層の、前記第1電極層と対応する側の表面に、前記有機発光層の端部と前記画素分離層の端部との重なりに対応する凸部を設ける、発光素子の製造方法。 - 前記透明部材として、複数の島状部を形成する、請求項8に記載の発光素子の製造方法。
- 前記透明部材として、複数の開口部が設けられた層状部を形成する、請求項8に記載の発光素子の製造方法。
- 前記透明部材を形成する際、3Dプリント法、ナノインプリント法、ミクロ相分離、フォトリソグラフィ、及び粒子マスクのうち、いずれか1つ、又は2つ以上を用いる、請求項8〜10のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1電極層を形成する際、前記第1電極層の、前記基板と反対側の表面を平坦とする、請求項8乃至11のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1電極層を形成する際、前記第1電極層の、前記基板と対向する側の表面を平坦とする、請求項8乃至12のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光素子を複数備え、
前記第1電極層が光反射性を有し、前記第2電極層が光透過性を有する、表示装置。 - 前記基板と前記第1電極層との間に、薄膜トランジスタ層を備える、請求項14に記載の表示装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光素子を1以上備え、
前記第1電極層が光透過性を有し、前記第2電極層が光反射性を有する、照明装置。
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