WO2018116894A1 - 発光装置及び発光システム - Google Patents

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WO2018116894A1
WO2018116894A1 PCT/JP2017/044464 JP2017044464W WO2018116894A1 WO 2018116894 A1 WO2018116894 A1 WO 2018116894A1 JP 2017044464 W JP2017044464 W JP 2017044464W WO 2018116894 A1 WO2018116894 A1 WO 2018116894A1
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light
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吉田　綾子
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パイオニア株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a light emitting system.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • the OLED has an organic layer, and the organic layer includes a light emitting layer that emits light by organic electroluminescence.
  • the OLED further includes a first electrode (for example, an anode electrode) and a second electrode (for example, a cathode electrode), and the first electrode and the second electrode are opposed to each other with the organic layer interposed therebetween.
  • a first electrode for example, an anode electrode
  • a second electrode for example, a cathode electrode
  • Patent Document 1 describes an example of an OLED.
  • the OLED includes a plurality of light emitting units and a plurality of light transmitting units, and the plurality of light emitting units and the plurality of light transmitting units are alternately arranged.
  • Each of the plurality of light emitting units includes a stacked structure of a first electrode, an organic layer, and a second electrode.
  • the second electrode functions as a light shielding part.
  • the second electrode does not overlap the translucent part, so that light from the outside can pass through the translucent part.
  • an OLED having a light emitting part and a light transmitting part has been developed.
  • the light emitting part may be provided on the first surface side of the substrate.
  • light from the light emitting unit may leak from the first surface side of the substrate.
  • it may be required to prevent light from leaking from a light emitting portion in an oblique direction as viewed from a specific position facing the first surface toward the position.
  • the present invention in an OLED having a light emitting part and a light transmitting part, when the light emitting part is provided on the first surface side of the substrate, the oblique direction as viewed from a specific position facing the first surface As an example, it is possible to prevent light from leaking from the light emitting unit to the position.
  • the invention described in claim 1 A plurality of light emitting units located on the first surface side of the substrate of thickness d and refractive index ns, each including a light shielding layer; A translucent part located between the plurality of light emitting parts; With The plurality of light emitting units includes a first light emitting unit farthest from the first position, Assuming that the angle ⁇ L between the perpendicular from the first position to the substrate and the first light emitting unit, The first position side end of the light-shielding layer of the first light emitting unit is d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)) or more 3d ⁇ tan from the end of the first light emitting unit on the first position side. (Arcsin (sin ⁇ L / ns)) is a light emitting device on the outer side.
  • the invention described in claim 6 A plurality of light emitting units located on the first surface side of the substrate having the first side and the second side opposite to each other, each including a light shielding layer; A light-transmitting part positioned between the plurality of light-emitting parts adjacent to each other; With The plurality of light emitting units includes a first light emitting unit closest to the first side among the plurality of light emitting units, The second side end of the light shielding layer of the first light emitting unit is outside the first distance from the end of the first light emitting unit, The first distance is When the thickness of the substrate is 100 ⁇ m to 300 ⁇ m and the refractive index is 1.5, 30.8 ⁇ m to 256.7 ⁇ m, or The light-emitting device has a thickness of 2.9 ⁇ m to 39.6 ⁇ m when the thickness of the substrate is 10 ⁇ m to 50 ⁇ m and the refractive index is 1.6.
  • the invention described in claim 7 A plurality of light emitting units located on the first surface side of the substrate having the first side and the second side opposite to each other, each including a light shielding layer; A light-transmitting part positioned between the plurality of light-emitting parts adjacent to each other; With The plurality of light emitting units includes a first light emitting unit closest to the first side among the plurality of light emitting units, The second side end of the light shielding layer of the first light emitting unit is outside the first distance from the end of the first light emitting unit, The first distance is 5.8 ⁇ m or more and 6.4 ⁇ m or less, 8.1 ⁇ m or more and 8.9 ⁇ m or less, 14.4 ⁇ m or more and 15.9 ⁇ m or less, 30.8 ⁇ m to 34.1 ⁇ m,
  • the light-emitting device has a thickness of 43.3 ⁇ m to 47.8 ⁇ m, or 77.4 ⁇ m to 85.6 ⁇ m.
  • the invention according to claim 8 provides: A first position; A light emitting device; With The light emitting device A plurality of light emitting units located on the first surface side of the substrate of thickness d and refractive index ns, each including a light shielding layer; A light-transmitting part positioned between the plurality of light-emitting parts adjacent to each other; With The plurality of light emitting units includes a first light emitting unit farthest from the first position, Assuming that the angle ⁇ L between the perpendicular from the first position to the substrate and the first light emitting unit, An end of the first light emitting unit on the first position side of the light shielding layer is d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)) or more 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns) from the end of the first light emitting unit. )) Below is the light emitting system on the outside.
  • FIG. 1 is a plan view showing a light emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. It is a top view which shows the light-emitting device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram in which a plurality of second electrodes are removed from FIG. 2. It is the figure which removed the some insulating layer from FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining an example of the operation of the light emitting device shown in FIGS.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the reason why light can be prevented from leaking toward the first position shown in FIG. 1 by the overlap region shown in FIG. 5. It is a figure which shows an example of the plane layout of the light emission part shown in FIG. 5, and an overlap area
  • FIG. It is a figure which shows the light emission system which concerns on Embodiment 2.
  • FIG. It is sectional drawing of the area
  • region (beta) of the light-emitting device shown in FIG.
  • region (beta) of the light-emitting device shown in FIG.
  • region It is a figure which shows the 2nd example of the planar layout of the light emission part shown in FIG.18 and FIG.19, and an overlap area
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a light emitting system 20 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the light emitting device 10 shown in FIG.
  • FIG. 3 is a view in which a plurality of second electrodes 130 are removed from FIG. 2.
  • FIG. 4 is a diagram in which a plurality of insulating layers 140 are removed from FIG. 3.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the organic layer 120 FIG. 5 is not shown in FIGS.
  • the light emitting system 20 includes the first position P1 and the light emitting device 10.
  • the light emitting device 10 includes a light emitting region 150.
  • the light emitting region 150 includes a plurality of light emitting portions 152 and a plurality of light transmitting portions 154.
  • the plurality of light emitting units 152 are located on the first surface 102 side of the substrate 100.
  • the substrate 100 has a first side S1 and a second side S2.
  • the first side S1 and the second side S2 are opposite to each other.
  • the substrate 100 has a thickness d and a refractive index ns.
  • Each of the plurality of light emitting units 152 includes a stacked structure in the order of the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130.
  • the second electrode 130 has a light shielding property, in other words, functions as a light shielding layer.
  • Each of the plurality of light transmitting portions 154 is located between the light emitting portions 152 adjacent to each other. In other words, the plurality of light emitting portions 152 and the plurality of light transmitting portions 154 are alternately arranged.
  • a perpendicular line from the first position P1 to the first surface 102 of the substrate 100 intersects at the position H of the first surface 102 of the substrate 100, and the light emitting region 150 has a first side S1 from the position H.
  • the first position P1 is separated from the position H by a distance D.
  • the plurality of light emitting units 152 include the kth light emitting unit 152 (k) from the first side S1 of the substrate 100 to the kth.
  • the kth light emitter 152 (k) is in the direction of the angle ⁇ l (k) when viewed from the first position P1.
  • the angle ⁇ L is an angle between a perpendicular line from the first position P1 to the position H and the light emitting unit 152 (first light emitting unit) farthest from the first position P1. More specifically, as shown in FIG. 7 to be described later, the angle ⁇ L (in the example of FIG. 7, ⁇ l (k)) is a perpendicular line from the first position P1 to the substrate 100 and the first light emitting unit first. This is the angle between the position P1 side and the opposite end (end 152a).
  • the end portion (that is, the end portion 130b) on the first position P1 side (that is, the second side S2) of the second electrode 130 of the kth light emitting portion 152 (k) is the same as that of the kth light emitting portion 152 (k). It is outside a specific distance (corresponding to a width WR (k) of an overlap region OR described later) from the end (end 152b) on the first position P1 side.
  • the width WR (k) is not less than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) and not more than 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) (d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) ) / Ns)) ⁇ WR (k) ⁇ 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns))).
  • the width WR (k) is equal to or greater than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)), it is possible to prevent light from leaking from the kth light emitting unit 152 (k) toward the first position P1. Can do.
  • the width WR (k) is 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) or less, the width of the translucent portion 154 adjacent to the end portion 152b of the kth light emitting portion 152 (k) is Narrowing can be prevented, in other words, the light transmittance of the light emitting device 10 can be kept high.
  • the width WR (k) is equal to or greater than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)) and 3 d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L). / Ns)) or less (d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)) ⁇ WR (k) ⁇ 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns))).
  • the distance L is a distance between the position H and the first light emitting unit.
  • the first position P1 For the light emitting unit 152 (first light emitting unit) farthest from the first position P1, when the width WR (k) is equal to or greater than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)), the first position P1 from the first light emitting unit. It is possible to prevent light from leaking toward the camera. In particular, the first light emitting unit is farthest from the first position P1 among the plurality of light emitting units 152. Therefore, when an overlap region OR described later is not provided, light is directed toward the first position P1. Most likely to leak. In the configuration described above, it is possible to prevent such leakage of light from the first light emitting unit with high reliability.
  • the width WR (k) is 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)) or less for the first light emitting unit
  • the width of the light transmitting unit 154 adjacent to the end 152b of the first light emitting unit is narrow. In other words, the light transmittance of the light emitting device 10 can be kept high.
  • the width WR (k) is not less than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)) and not more than 3 d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)) (d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)). ns)) ⁇ WR (k) ⁇ 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns))).
  • the light emitting system 20 is used in an automobile.
  • the first position P1 is a driver's seat
  • the light emitting device 10 is attached to the rear part of the automobile, more specifically to the rear window.
  • the light emitting device 10 extends from the driver seat (first position P1) side to the opposite side of the driver seat (first position P1) (that is, the passenger seat side) in the rear part (rear window) of the automobile.
  • the light emitting device 10 functions as a high-mount stop lamp.
  • the light from the light emitting device 10 is mainly output to the second surface 104 (surface opposite to the first surface 102) side of the substrate 100, that is, to the outside of the automobile. In the example shown in FIG. 1, light from the light emitting device 10 is prevented from leaking toward the first position P1 (driver's seat).
  • the light emitting system 20 is viewed from a direction perpendicular to a plane including the first position P1 and the plurality of light emitting units 152.
  • the perpendicular from the first position P1 to the position H is a perpendicular when the light emitting system 20 is viewed from the above-described direction.
  • the light emitting system 20 is viewed from the top of the automobile in FIG.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of first electrodes 110, a plurality of first connection parts 112, a first wiring 114, a plurality of second electrodes 130, a plurality of second connection parts 132, a second wiring 134, and a plurality of An insulating layer 140 is provided.
  • the shape of the substrate 100 is a rectangle having a pair of long sides and a pair of short sides when viewed from a direction perpendicular to the first surface 102.
  • the shape of the substrate 100 is not limited to the example shown in this figure.
  • the shape of the substrate 100 may be, for example, a circle or a polygon other than a rectangle when viewed from a direction perpendicular to the first surface 102.
  • the plurality of first electrodes 110 are spaced apart from each other, and are specifically arranged in a line along the long side of the substrate 100. Each of the plurality of first electrodes 110 extends along the short side of the substrate 100.
  • Each of the plurality of first electrodes 110 is connected to the first wiring 114 via each of the plurality of first connection portions 112.
  • the plurality of first connection portions 112 are connected to each other by the first wiring 114.
  • the first wiring 114 extends along one of the pair of long sides of the substrate 100.
  • An external voltage is supplied to the first electrode 110 via the first wiring 114 and the first connection portion 112.
  • the first electrode 110 and the first connection portion 112 are integrated with each other.
  • the light emitting device 10 includes a conductive layer having a region functioning as the first electrode 110 and a region functioning as the first connection portion 112.
  • Each of the plurality of second electrodes 130 overlaps each of the plurality of first electrodes 110.
  • the plurality of second electrodes 130 are spaced apart from each other, specifically, aligned in a line along the long side of the substrate 100.
  • Each of the plurality of second electrodes 130 extends along the short side of the substrate 100, specifically, along a pair of long sides extending along the short side of the substrate 100 and a long side of the substrate 100. And a pair of short sides extending.
  • Each of the plurality of second electrodes 130 is connected to the second wiring 134 via each of the plurality of second connection portions 132.
  • the plurality of second connection portions 132 are connected to each other by the second wiring 134.
  • the second wiring 134 extends along the other of the pair of long sides of the substrate 100. An external voltage is supplied to the second electrode 130 via the second wiring 134 and the second connection portion 132.
  • Each of the plurality of insulating layers 140 overlaps each of the plurality of first electrodes 110.
  • the plurality of insulating layers 140 are spaced apart from each other, and specifically are arranged in a line along the long side of the substrate 100.
  • Each of the plurality of insulating layers 140 extends along the short side of the substrate 100, specifically, along the pair of long sides extending along the short side of the substrate 100 and the long side of the substrate 100. It has a pair of short sides that extend.
  • Each of the plurality of insulating layers 140 has an opening 142.
  • the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are regions that function as the light emitting unit 152 (the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 laminated structures).
  • the insulating layer 140 defines the light emitting portion 152.
  • the light emitting unit 152 extends along the short side of the substrate 100, specifically, along a pair of long sides extending along the short side of the substrate 100 and a long side of the substrate 100. It has a pair of short sides that extend.
  • the light emitting device 10 includes a light emitting region 150.
  • the light emitting region 150 includes a plurality of light emitting units 152 and a plurality of light transmitting units 154 that are alternately arranged.
  • the shape of the light emitting region 150 is a rectangle having a pair of long sides and a pair of short sides.
  • the light emitting device 10 has an overlap area OL and an overlap area OR.
  • the overlap region OL and the overlap region OR are on opposite sides of the light emitting unit 152.
  • the overlap region OL is shifted from the light emitting unit 152 to the first side S1 and overlaps the second electrode 130.
  • the overlap region OR is shifted from the light emitting unit 152 to the second side S2, and overlaps the second electrode 130.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100 (first substrate), a first electrode 110, an organic layer 120, a second electrode 130, and an insulating layer 140.
  • the substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104.
  • the second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102.
  • the first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, and the insulating layer 140 are all on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the substrate 100 has translucency.
  • the substrate 100 includes glass.
  • the substrate 100 may include a resin.
  • an inorganic layer for example, SiN x , SiON, or Al 2 O 3 . This inorganic layer functions as a moisture-proof film.
  • the first electrode 110 has translucency and conductivity.
  • the first electrode 110 includes a material having translucency and conductivity.
  • a metal oxide for example, ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide) are used. Contains at least one. Accordingly, light from the organic layer 120 can pass through the first electrode 110.
  • the organic layer 120 includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the hole injection layer and the hole transport layer are connected to the first electrode 110.
  • the electron transport layer and the electron injection layer are connected to the second electrode 130.
  • the light emitting layer emits light by a voltage between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the organic layer 120 extends outside the opening 142 of the insulating layer 140 and further extends outside the end of the insulating layer 140. In this way, the organic layer 120 covers the insulating layer 140. In another example, the organic layer 120 may not extend to the outside of the end portion of the insulating layer 140.
  • the second electrode 130 has light reflectivity and conductivity.
  • the second electrode 130 includes a material having light reflectivity, and includes, for example, a metal, specifically, for example, at least one of Al, Ag, and MgAg. Thereby, the light from the organic layer 120 is reflected by the second electrode 130 with hardly passing through the second electrode 130.
  • the second electrode 130 has a light shielding property. For this reason, in the example shown to this figure, it is suppressed that the light from the organic layer 120 leaks from the 2nd electrode 130.
  • the insulating layer 140 has translucency.
  • the insulating layer 140 includes an organic insulating material, specifically, for example, polyimide.
  • the insulating layer 140 may include an inorganic insulating material, specifically, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon oxynitride (SiON), or silicon nitride (SiN x ). Note that the insulating layer 140 may not have a light-transmitting property and may have a light-shielding property.
  • the insulating layer 140 has an opening 142.
  • the insulating layer 140 exposes a part of the first electrode 110 from the opening 142 and covers the end of the first electrode 110. In this way, the insulating layer 140 defines the light emitting portion 152 and prevents the end portion of the first electrode 110 from contacting the second electrode 130.
  • the side surface of the insulating layer 140 is inclined. More specifically, the side surface of the insulating layer 140 is inclined toward the inside of the insulating layer 140 from the lower end to the upper end of the insulating layer 140.
  • the light emitting device 10 may include a conductive portion (bus line).
  • the conductive portion includes a material having a higher conductivity than the material of the first electrode 110, and thus can function as an auxiliary electrode for the first electrode 110.
  • the conductive part is MAM (Mo / Al / Mo).
  • the conductive portion may be covered with the insulating layer 140 on the first electrode 110, or may be covered with the first electrode 110 on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the second electrode 130 has an end portion 130a and an end portion 130b
  • the insulating layer 140 has an end portion 140a and an end portion 140b.
  • the light emitting unit 152 has an end 152a and an end 152b.
  • the end portion 130a, the end portion 140a, and the end portion 152a face the first side S1 of the substrate 100.
  • the end portion 130b, the end portion 140b, and the end portion 152b face the second side S2 of the substrate 100, and are on opposite sides of the end portion 130a, the end portion 140a, and the end portion 152a, respectively.
  • the light emitting device 10 has an overlap area OL and an overlap area OR.
  • the overlap region OL extends from the end 152a of the light emitting unit 152 to the end 130a of the second electrode 130 in the direction from the second side S2 to the first side S1. In other words, in the overlap region OL, the end portion 130a of the second electrode 130 is outside the end portion 152a of the light emitting unit 152 by the width WL (k) of the overlap region OL.
  • the overlap region OR extends from the end 152b of the light emitting unit 152 to the end 130b of the second electrode 130 in the direction from the first side S1 to the second side S2. In other words, in the overlap region OR, the end portion 130b of the second electrode 130 is outside the end portion 152b of the light emitting unit 152 by the width WR (k) of the overlap region OR.
  • the width WL (k) and the width WR (k) are equal to each other.
  • the second electrode 130 (that is, the light shielding layer) is located above the first surface 102 of the substrate 100. For this reason, in the overlap region OL and the overlap region OR, even if light leaks from the first surface 102 of the substrate 100, most of this light is blocked by the second electrode 130.
  • the first surface 102 of the substrate 100 has a plurality of regions Ra, a plurality of regions Rb1, a plurality of regions Rb2, and a plurality of regions Rc.
  • Each of the plurality of regions Ra extends from a position overlapping the end portion 130a of the second electrode 130 to a position overlapping the end portion 130b.
  • Each of the plurality of regions Rb1 extends from a position overlapping the end portion 130a of the second electrode 130 to a position overlapping the end portion 140a of the insulating layer 140.
  • Each of the plurality of regions Rb2 extends from a position overlapping the end portion 130b of the second electrode 130 to a position overlapping the end portion 140b of the insulating layer 140.
  • Each of the plurality of regions Rc extends from a position overlapping one end 140a of one insulating layer 140 of two adjacent insulating layers 140 to a position overlapping the end 140b of the other insulating layer 140.
  • the region Ra overlaps with the second electrode 130. Therefore, the light emitting device 10 has the lowest light transmittance in the region overlapping with the region Ra among the regions Ra, Rb1, Rb2, and Rc. have.
  • the region Rc does not overlap with any of the second electrode 130 and the insulating layer 140. Therefore, the light emitting device 10 overlaps with the region Rc in the region overlapping with the region Ra, the region Rb1, the region Rb2, and the region Rc. It has the highest light transmittance in the region.
  • the region Rb1 does not overlap the second electrode 130 but overlaps the insulating layer 140.
  • the light emitting device 10 has higher light transmittance in the region overlapping the region Ra, and The light transmittance is lower than the light transmittance in a region overlapping with the region Rc.
  • the region Rb2 does not overlap the second electrode 130 but overlaps the insulating layer 140. Therefore, in the region overlapping the region Rb2, the light emitting device 10 has a light transmittance in the region overlapping the region Ra. The light transmittance is lower than the light transmittance in the region overlapping with the region Rc.
  • the first surface 102 of the substrate 100 may not have the region Rb1.
  • the end portion 130 a of the second electrode 130 may be located outside the end portion 140 a of the insulating layer 140, and further on the first surface 102 of the substrate 100 outside the end portion 140 a of the insulating layer 140. You may touch.
  • the first surface 102 of the substrate 100 may not have the region Rb2.
  • the end portion 130 b of the second electrode 130 may be positioned outside the end portion 140 b of the insulating layer 140, and further on the first surface 102 of the substrate 100 outside the end portion 140 b of the insulating layer 140. You may touch.
  • the light transmittance of the light emitting device 10 as a whole is high.
  • the width of the region having a high light transmittance that is, the width d3 of the region Rc is widened.
  • the width d3 of the region Rc is equal to the width d21 of the region Rb1. It is wider (d3> d21), and is wider than the width d22 of the region Rb2 (d3> d22). In this way, the light transmittance of the light emitting device 10 as a whole is high.
  • the light emitting device 10 is prevented from absorbing a large amount of light having a specific wavelength.
  • the width of the region where light is transmitted through the insulating layer 140 that is, the width d21 of the region Rb1 is narrow, and specifically, the width d21 of the region Rb1 is the region Rc. It is narrower than the width d3 of (d21 ⁇ d3).
  • the width of the region where light is transmitted through the insulating layer 140 and the width d22 of the region Rb2 are narrowed.
  • the width d22 of the region Rb2 is narrower than the width d3 of the region Rc. (D22 ⁇ d3).
  • the insulating layer 140 may absorb light having a specific wavelength. Even in such a case, the amount of light transmitted through the insulating layer 140 is small in the example shown in FIG. In this way, the light emitting device 10 is prevented from absorbing much light of a specific wavelength.
  • the ratio d21 / d1 of the width d21 of the region Rb1 to the width d1 of the region Ra is 0 or more and 0.2 or less (0 ⁇ d21 / d1 ⁇ 0.2), and the ratio of the region Rb2 to the width d1 of the region Ra is
  • the ratio d22 / d1 of the width d22 is 0 or more and 0.2 or less (0 ⁇ d22 / d1 ⁇ 0.2)
  • the ratio d3 / d1 of the width d3 of the region Rc to the width d1 of the region Ra is 0.3. It is 2 or less (0.3 ⁇ d3 / d1 ⁇ 2).
  • the width d1 of the region Ra is 50 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less
  • the width d21 of the region Rb1 is 0 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less
  • the width d22 of the region Rb2 is 0 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less
  • the width d3 of the region Rc is not less than 15 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m.
  • the light emitting region 150 is sealed by a sealing portion (not shown).
  • the sealing portion includes a sealing substrate and an adhesive layer.
  • the sealing substrate is bonded to the first surface 102 of the substrate 100 via an adhesive layer.
  • the sealing portion includes a glass can and a desiccant.
  • the glass can covers the light emitting region 150, and the desiccant is arranged so as not to overlap the light emitting unit 152.
  • the sealing portion includes an inorganic layer formed by, for example, ALD (Atomic Layer Deposition), CVD (Chemical Vapor Deposition), sputtering, vapor deposition, or coating.
  • the inorganic layer includes, for example, at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , AlN x , SiO x , SiON, SiN x , TiO x , SiCN, and SiOC.
  • the light emitting device 10 functions as a transflective OLED. Specifically, a region that does not overlap with the second electrode 130 functions as the light transmitting portion 154. In this way, in the light emitting device 10, the plurality of light emitting units 152 and the plurality of light transmitting units 154 are alternately arranged. When light is not emitted from the plurality of light emitting units 152, an object on the first surface 102 side can be seen through from the second surface 104 side, and an object on the second surface 104 side is visible on the first surface 102 side. See through. Furthermore, light from the plurality of light emitting units 152 is mainly output from the second surface 104 side, and is hardly output from the first surface 102 side. When light is emitted from the plurality of light emitting units 152, an object on the second surface 104 side can be seen through from the first surface 102 side in human vision.
  • the light emitting device 10 is manufactured as follows.
  • the first electrode 110, the first connection part 112, and the second connection part 132 are formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the first electrode 110, the first connection part 112, and the second connection part 132 are formed by patterning a conductive layer formed by sputtering.
  • the insulating layer 140 is formed.
  • the insulating layer 140 is formed by patterning a photosensitive resin applied on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the organic layer 120 is formed.
  • the organic layer 120 is formed by vapor deposition.
  • the second electrode 130 is formed.
  • the second electrode 130 is formed by vapor deposition.
  • the light emitting device 10 is manufactured.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining an example of the operation of the light emitting device 10 shown in FIGS.
  • the light from the light emitting unit 152 passes through the substrate 100.
  • the light reaches the second surface 104 of the substrate 100, a part of this light is emitted from the second surface 104, and the other part of this light is reflected by the second surface 104.
  • the light reflected by the second surface 104 is emitted from the first surface 102 of the substrate 100.
  • the second electrode 130 that is, the light blocking layer
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the reason why light can be prevented from leaking toward the first position P1 shown in FIG. 1 by the overlap region OR shown in FIG.
  • the width of the overlap area OR and the width of the overlap area OL are both substantially zero.
  • the first surface 102 of the substrate 100 is in contact with air (refractive index 1) outside the first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, and the insulating layer 140.
  • light from the light emitting unit 152 leaks toward the first position P1.
  • light is emitted from directly below the end portion 152b of the light emitting unit 152.
  • This light is reflected at the second surface 104 of the substrate 100 at the incident angle ⁇ ′ and the reflection angle ⁇ ′, and is incident on the first surface 102 of the substrate 100 at the incident angle ⁇ ′.
  • This light is emitted from the first surface 102 of the substrate 100 at a refraction angle ⁇ l ′ (k) and travels to the first position P1.
  • the light is emitted from a position away from the end portion 152 b of the light emitting unit 152 by a distance ⁇ in the width direction of the light emitting unit 152.
  • ns ⁇ sin ⁇ ′ 1 ⁇ sin ⁇ l ′ (k) holds based on Snell's law.
  • the distance ⁇ can be expressed as 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l ′ (k) / ns)).
  • the end 130 b of the second electrode 130 is a distance 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l ′ (k) / ns)) from the end 152 b of the light emitting unit 152.
  • the width WR (k) of the overlap region OR is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l ′ (k) / ns))
  • the light leaked from the first surface 102 of the substrate 100 Most of this can be blocked by the second electrode 130.
  • the end portion 130b of the second electrode 130 is When the distance is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) from the end 152b of the light emitting unit 152 (in other words, the width WR (k) of the overlap region OR is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l ( k) / ns))), most of the light leaking from the first surface 102 of the substrate 100 can be more reliably blocked by the second electrode 130.
  • the end 130 b of the second electrode 130 is outside the end 152 b of the light emitting unit 152 by a distance of 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)).
  • the width WR (k) of the overlap region OR is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns))
  • most of the light leaking from the first surface 102 of the substrate 100 is second. It can be blocked by the electrode 130.
  • the angle ⁇ L is equal to or larger than the angle ⁇ l (k) for any integer k.
  • the distance 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ L / ns)) is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) or more for any integer k. For this reason, most of the light leaking from the first surface 102 of the substrate 100 can be blocked by the second electrode 130.
  • the width of the overlap region OR can be changed according to the purpose.
  • the width of the overlap region OR is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l ′ (k) / ns)), 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) or 2 d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l ( It is not limited to k) / ns)).
  • the width of the overlap region OR can be d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)). In this example, approximately half of the light leaking from the first surface 102 can be blocked by the second electrode 130.
  • the width of the overlap region OR can be 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)). In this example, almost all of the light leaking from the first surface 102 can be reliably blocked by the second electrode 130 while maintaining the light transmittance of the light emitting device 10 high.
  • the width of the overlap region OR can be 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)).
  • the light transmittance of the light emitting device 10 leaks from the first surface 102 while maintaining the overlap area OR higher than the width of the overlap region OR of 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)). Almost all of the light can be blocked by the second electrode 130.
  • the width of the overlap region OR can be not less than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) and 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)). . In another example, the width of the overlap region OR can be not less than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) and 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)).
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a planar layout of the light emitting unit 152, the overlap region OL, and the overlap region OR illustrated in FIG.
  • the width WL (k) of the overlap region OL and the width WR (k) of the overlap region OR are equal to each other at any integer k.
  • the luminance distribution of the light emitting region 150 is substantially constant from the first side S1 to the second side S2. Specifically, the widths w of the plurality of light emitting units 152 are equal to each other. Further, the pitch p of the plurality of light emitting units 152 (the distance between the centers of the light emitting units 152 adjacent to each other) is constant from the first side S1 to the second side S2. In this manner, the luminance distribution of the light emitting region 150 is substantially constant from the first side S1 to the second side S2.
  • 9 and 10 are tables for explaining an example in which the light emitting system 20 shown in FIG. 1 is used in an automobile.
  • Example 1-1 the distance 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) is 32.5 ⁇ m. Therefore, the width WR of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) (that is, the light emitting unit 152 closest to the first side S1 among the plurality of light emitting units 152 in the example illustrated in FIG. 1).
  • (1) is the distance described above, it is possible to prevent light from leaking from the first light emitting unit 152 (1) toward the first position P1.
  • width WR (1) of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) does not have to be exactly the same as the above distance, and 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns). )) To 95% to 105%, that is, 30.8 ⁇ m to 34.1 ⁇ m.
  • Example 1-2 the distance 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) is 45.5 ⁇ m. Therefore, the width WR of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) (that is, the light emitting unit 152 closest to the first side S1 among the plurality of light emitting units 152 in the example illustrated in FIG. 1).
  • (1) is the distance described above, it is possible to prevent light from leaking from the first light emitting unit 152 (1) toward the first position P1.
  • width WR (1) of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) does not have to be exactly the same as the above distance, and 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns). )) Of 95% to 105%, that is, 43.3 ⁇ m to 47.8 ⁇ m.
  • Example 1-3 the distance 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) is 81.5 ⁇ m. Therefore, the width WR of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) (that is, the light emitting unit 152 closest to the first side S1 among the plurality of light emitting units 152 in the example illustrated in FIG. 1).
  • (1) is the distance described above, it is possible to prevent light from leaking from the first light emitting unit 152 (1) toward the first position P1.
  • width WR (1) of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) does not have to be exactly the same as the above distance, and 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns). )) Of 95% to 105%, that is, 77.4 ⁇ m to 85.6 ⁇ m.
  • the width WR (1) of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) is such that the thickness d of the substrate 100 is 100 ⁇ m or more. When it is 300 ⁇ m or less and the refractive index ns of the substrate 100 is 1.5, it can be said that it may be 30.8 ⁇ m or more and 256.7 ⁇ m or less.
  • This numerical range is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) when the thickness d of the substrate 100 is 100 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less in Example 1-1, Example 1-2, and Example 1-3.
  • Minimum value ie 95% of 32.5 ⁇ m in Example 1-1: 30.8 ⁇ m
  • maximum value ie 105% of 3 times 81.5 ⁇ m in Example 1-3: 256.7 ⁇ m
  • Example 2-1 the distance 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) is 6.1 ⁇ m. Therefore, the width WR of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) (that is, the light emitting unit 152 closest to the first side S1 among the plurality of light emitting units 152 in the example illustrated in FIG. 1).
  • (1) is the distance described above, it is possible to prevent light from leaking from the first light emitting unit 152 (1) toward the first position P1.
  • width WR (1) of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) does not have to be exactly the same as the above distance, and 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns). )) Of 95% to 105%, that is, 5.8 ⁇ m to 6.4 ⁇ m.
  • Example 2-2 the distance 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) is 8.5 ⁇ m. Therefore, the width WR of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) (that is, the light emitting unit 152 closest to the first side S1 among the plurality of light emitting units 152 in the example illustrated in FIG. 1).
  • (1) is the distance described above, it is possible to prevent light from leaking from the first light emitting unit 152 (1) toward the first position P1.
  • width WR (1) of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) does not have to be exactly the same as the above distance, and 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns). )) Of 95% to 105%, that is, 8.1 ⁇ m to 8.9 ⁇ m.
  • Example 2-3 the distance 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) is 15.1 ⁇ m. Therefore, the width WR of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) (that is, the light emitting unit 152 closest to the first side S1 among the plurality of light emitting units 152 in the example illustrated in FIG. 1).
  • (1) is the distance described above, it is possible to prevent light from leaking from the first light emitting unit 152 (1) toward the first position P1.
  • width WR (1) of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) does not have to be exactly the same as the above distance, and 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns). )) Of 95% or more and 105% or less, that is, 14.4 ⁇ m or more and 15.9 ⁇ m or less.
  • the width WR (1) of the overlap region OR of the first light emitting unit 152 (1) is such that the thickness d of the substrate 100 is 10 ⁇ m or more. When it is 50 ⁇ m or less and the refractive index ns of the substrate 100 is 1.6, it can be said that it may be 2.9 ⁇ m or more and 39.6 ⁇ m or less.
  • This numerical range is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) when the thickness d of the substrate 100 is 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less in Example 2-1, Example 2-2, and Example 2-3.
  • the minimum value ie 95% of 1/2 times 6.1 ⁇ m of Example 2-1: 2.9 ⁇ m) to the maximum value (ie 5/2 times 15.1 ⁇ m of Example 2-3) 105%: 39.6 ⁇ m).
  • FIG. 11 is a diagram showing a first modification of FIG.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a planar layout of the light emitting unit 152, the overlap region OL, and the overlap region OR illustrated in FIG.
  • the end of the second electrode 130 of the kth light emitting unit 152 (k) on the first side S1 side is the end of the kth light emitting unit 152 (k).
  • the end portion on the second side S2 side of the second electrode 130 of the kth light emitting portion 152 (k) is outside the portion 152a by the width WL (k) of the overlap region OL.
  • the width WR (k) of the overlap region OR is outside the end 152b of the kth light emitting unit 152 (k).
  • the width WL (k) and the width WR (k) are different from each other. Specifically, the width WR (k) is wider than the width WL (k). In other words, the width (that is, the width WR (k)) on the side closer to the second side S2 (in other words, the side closer to the first position P1 (FIG. 1)) is closer to the first side S1 (in other words, It is wider than the width of the first position P1 (the side far from FIG. 1) (that is, WL (k)).
  • the overlap region OL is on the first side S1 side of the light emitting unit 152, and thus contributes to preventing light from the light emitting unit 152 from leaking to the first position P1 (FIG. 1). Not done.
  • the width of the overlap region OL does not have to be so wide, and the light transmittance of the light emitting device 10 is increased. Can be narrowed to some extent so as to increase.
  • the width of the overlap region OR is somewhat wide to prevent light from the light emitting unit 152 from leaking to the first position P1 (FIG. 1), specifically, the width of the overlap region OL. Is wider than. In this way, in the example shown in the figure, it is possible to prevent light from leaking from the light emitting unit 152 to the first position P1 (FIG. 1) while maintaining the light transmittance of the light emitting device 10 high.
  • the luminance distribution of the light emitting region 150 is substantially constant from the first side S1 to the second side S2. Specifically, the widths w of the plurality of light emitting units 152 are equal to each other. Further, the pitch p of the plurality of light emitting units 152 (the distance between the centers of the light emitting units 152 adjacent to each other) is constant from the first side S1 to the second side S2. In this manner, the luminance distribution of the light emitting region 150 is substantially constant from the first side S1 to the second side S2.
  • the light emitting device 10 shown in FIGS. 11 and 12 can be understood as follows. That is, the several light emission part 152 contains the following light emission parts 152 (1st light emission part).
  • the end 130a on the first side S1 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the first light emitting unit is at a first distance from the end 152a of the first light emitting unit, and the second electrode 130 (light shielding) of the first light emitting unit.
  • the end 130b of the second side S2 of the layer) is at a second distance from the end 152b of the first light emitting part.
  • the second distance is different from the first distance. In particular, in the example shown in FIGS. 11 and 12, the second distance is longer than the first distance.
  • FIG. 13 is a diagram showing a second modification of FIG.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a planar layout of the light emitting unit 152, the overlap region OL, and the overlap region OR illustrated in FIG.
  • the end on the second side S2 side of the second electrode 130 of the kth light emitting unit 152 (k) is the end of the kth light emitting unit 152 (k).
  • the end portion of the second electrode 130 of the second electrode 130 of the k + 1 light emitting portion 152 (k + 1) is outside the portion 152b by the width WR (k) of the overlap region OR.
  • the width WR (k + 1) of the overlap region OR is outside the end 152b of the (k + 1) th light emitting unit 152 (k + 1).
  • the width WR (k) and the width WR (k + 1) are different from each other. Specifically, the width WR (k + 1) is narrower than the width WR (k). In other words, the width of the side closer to the second side S2 (in other words, the side closer to the first position P1 (FIG. 1)) (that is, the width WR (k + 1)) is closer to the first side S1 (in other words, It is narrower than the width (that is, WR (k + 1)) of the first position P1 (the side far from the first position P1).
  • the width WR (k) of the overlap region OR of the kth light emitting unit 152 (k) is 2d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)). In this case, most of the light leaking from the first surface 102 of the substrate 100 can be blocked by the second electrode 130.
  • the width WR (k) for blocking most of the light leaking from the first surface 102 of the substrate 100 becomes smaller as the integer k becomes larger (that is, the angle ⁇ (k) becomes smaller). For this reason, from the viewpoint of preventing light from the light emitting unit 152 from leaking to the first position P1 (FIG. 1), the width WR (k + 1) does not need to be equal to the width WR (k), and the light emitting device 10 Can be narrowed to some extent so as to increase the light transmittance.
  • the width WR (k) is somewhat wide in order to prevent light from the light emitting unit 152 from leaking to the first position P1 (FIG. 1), specifically, than the width WL (k + 1). It is getting wider. In this way, in the example shown in the figure, it is possible to prevent light from leaking from the light emitting unit 152 to the first position P1 (FIG. 1) while maintaining the light transmittance of the light emitting device 10 high.
  • the widths of the plurality of overlap regions OR become narrower from the first side S1 toward the second side S2, and more specifically, for all integers k, WR (k)> WR (K + 1) holds (WR (1)> WR (2)>...> WR (k)>.
  • WR (k)> WR (k + 1) does not have to hold for all integers k.
  • W (a) is smaller than W (a-1) for integer a
  • WR (k) is equal to or greater than integer a.
  • the luminance distribution of the light emitting region 150 is substantially constant from the first side S1 to the second side S2. Specifically, the widths w of the plurality of light emitting units 152 are equal to each other. Further, the pitch p of the plurality of light emitting units 152 (the distance between the centers of the light emitting units 152 adjacent to each other) is constant from the first side S1 to the second side S2. In this manner, the luminance distribution of the light emitting region 150 is substantially constant from the first side S1 to the second side S2.
  • the light emitting device 10 shown in FIGS. 13 and 14 can be understood as follows. That is, the plurality of light emitting units 152 include the following two light emitting units 152 (first light emitting unit and second light emitting unit).
  • the end 130b on the second side S2 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the first light emitting unit is at a first distance from the end 152b of the first light emitting unit, and the second electrode 130 (light shielding) of the second light emitting unit.
  • the end 130b of the second side S2 of the layer) is at a second distance from the end 152b of the second light emitting part.
  • the second distance is different from the first distance. In particular, in the example shown in FIG. 14, when the first light emitting unit is closer to the first side S1 than the second light emitting unit, the second distance is shorter than the first distance.
  • the light emitting device 10 shown in FIGS. 13 and 14 can be understood as follows. That is, the plurality of light emitting units 152 include the following two light emitting units 152 (first light emitting unit and second light emitting unit).
  • the end 130a on the first side S1 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the first light emitting unit is at a first distance from the end 152a of the first light emitting unit, and the second electrode 130 (light shielding) of the first light emitting unit.
  • the end 130b of the second side S2 of the layer) is at a second distance from the end 152b of the first light emitting part.
  • the second distance is different from the first distance, and in particular, in the example shown in FIGS. 13 and 14, it is longer than the first distance.
  • the end 130b on the second side S2 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the second light emitting unit is at a third distance from the end 152b of the second light emitting unit.
  • the third distance is different from the second distance.
  • the third distance is shorter than the second distance. Yes.
  • the end 130a on the first side S1 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the second light emitting unit is at a fourth distance from the end 152a of the second light emitting unit.
  • the fourth distance is different from the third distance.
  • the fourth distance is shorter than the third distance.
  • FIG. 15 is a diagram showing a third modification of FIG.
  • the light emitting device 10 includes a light shielding layer 160.
  • the light shielding layer 160 covers the second electrode 130.
  • the width of the light shielding layer 160 is wider than the width of the second electrode 130.
  • the light emitting unit 152 includes a laminated structure in the order of the first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, and the light shielding layer 160.
  • the light shielding layer 160 has an end 160a and an end 160b.
  • the end 160a faces the first side S1.
  • the end 160b faces the second side S2, and is opposite to the first side S1.
  • the end 160a of the light shielding layer 160 is located outside the end 130a of the second electrode 130. Specifically, the end of the kth light emitting unit 152 (k) is provided. It is outside the width WL (k) of the overlap area OL from 152a. In other words, in the example shown in this drawing, the region overlapping with the light shielding layer 160 functions as the overlap region OL. Similarly, in the kth light emitting unit 152 (k), the end 160b of the light shielding layer 160 is located outside the end 130b of the second electrode 130. Specifically, the kth light emitting unit 152 (k) ) Outside the width WR (k) of the overlap region OR. In other words, in the example shown in this drawing, a region overlapping with the light shielding layer 160 functions as an overlap region OR.
  • the light shielding layer 160 is a black matrix layer.
  • the light shielding layer 160 includes, for example, chromium oxide or manganese oxide.
  • FIG. 16 is a diagram showing a fourth modification of FIG.
  • the light emitting device 10 includes a light shielding layer 160.
  • the light shielding layer 160 covers the second electrode 130.
  • the width of the light shielding layer 160 is narrower than the width of the second electrode 130. More specifically, the end 160a of the light shielding layer 160 is on the inner side of the end 130a of the second electrode 130, and the end 160b of the light shielding layer 160 is on the inner side of the end 130b of the second electrode 130.
  • the second electrode 130 may have a light shielding property or may not have a light shielding property.
  • the second electrode 130 does not have a light shielding property but has a light transmitting property. Therefore, the second electrode 130 does not function as a light shielding layer.
  • the first side S1 end portion of the overlap region OL is determined not by the end portion 130a of the second electrode 130 but by the end portion 160a of the light shielding layer 160, and the second side S2 end of the overlap region OR.
  • the portion is determined not by the end portion 130 b of the second electrode 130 but by the end portion 160 b of the light shielding layer 160.
  • the width of the light shielding layer 160 may be equal to the width of the second electrode 130. Further, in this case, the end portion 160 a and the end portion 160 b of the light shielding layer 160 may be aligned with the end portion 130 a and the end portion 130 b of the second electrode 130.
  • the end portion (that is, the end portion 130b) on the first position P1 side (that is, the second side S2) of the second electrode 130 of the kth light emitting portion 152 (k) is It is more than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) outside the end 152b of the k light emitting unit 152 (k). For this reason, it is possible to prevent light from leaking from the kth light emitting unit 152 (k) toward the first position P1.
  • the width WL of the overlap region OL and the width WR of the overlap region OR may be different from each other. In this case, it is possible to prevent light from leaking from the light emitting unit 152 to the first position P1 while keeping the light transmittance of the light emitting device 10 high.
  • the width of the overlap region OR of one light emitting unit 152 and the width of the overlap region OR of another light emitting unit 152 may be different from each other. In this case, it is possible to prevent light from leaking from the light emitting unit 152 to the first position P1 while keeping the light transmittance of the light emitting device 10 high.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating the light emitting system 20 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 1 of the first embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the region ⁇ of the light emitting device 10 shown in FIG. 19 is a cross-sectional view of the region ⁇ of the light emitting device 10 shown in FIG.
  • the light emitting system 20 according to the present embodiment is the same as the light emitting system 20 according to the first embodiment except for the following points.
  • the perpendicular line from the first position P1 to the first surface 102 of the substrate 100 intersects at the position H of the first surface 102 of the substrate 100, and the light emitting region 150 includes the first side S1 and the first side S1 from the position H. It spreads toward both the second side S2. More specifically, in the example shown in the drawing, the position H is on the center of the light emitting region 150.
  • the plurality of light emitting units 152 include the kth light emitting unit 152 (k) from the first side S1 of the substrate 100 to the kth.
  • the kth light emitter 152 (k) is in the direction of the angle ⁇ l (k) when viewed from the first position P1.
  • the plurality of light emitting units 152 include the lth light emitting unit 152 (l) first from the second side S2 of the substrate 100.
  • the l-th light emitting unit 152 (l) is in the direction of the angle ⁇ l (l) when viewed from the first position P1.
  • the end (that is, the end portion 130 b) of the second electrode 130 of the kth light emitting unit 152 (k) on the first position P1 side (that is, the position H side) is the kth light emission. It is outside the width WR (k) of the overlap region OR from the end 152b of the portion 152 (k).
  • the width WR (k) is not less than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) and not more than 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns)) (d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) ) / Ns)) ⁇ WR (k) ⁇ 3d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (k) / ns))). Accordingly, similarly to the first embodiment, it is possible to prevent light from leaking from the kth light emitting unit 152 (k) toward the first position P1, and to maintain the light transmittance of the light emitting device 10 high. can do.
  • the end of the second electrode 130 of the kth light emitting unit 152 (k) on the first side S1 side extends from the end 152a of the kth light emitting unit 152 (k) to the overlap region OL.
  • the end of the kth light emitting portion 152 (k) on the position H side of the second electrode 130 is outside the width WL (k) of the kth light emitting portion 152 (k).
  • the width WR (k) of the overlap region OR is on the outer side from the end 152b.
  • the width WL (k) and the width WR (k) are different from each other. Specifically, the width WR (k) is wider than the width WL (k). This prevents light from leaking from the light emitting unit 152 to the first position P1 (FIG. 17) while maintaining the light transmittance of the light emitting device 10 high, as in the example described with reference to FIG. Can do.
  • the end portion (that is, the end portion 130b) of the kth light emitting unit 152 (k) on the position H side of the second electrode 130 is overlapped with the overlap region OR from the end 152b of the kth light emitting unit 152 (k).
  • the (k + 1) th light emitting portion 152 (k + 1) on the position H side of the second electrode 130 (ie, the end portion 130b) is the (k + 1) th light emitting portion 152 (k + 1).
  • the width WR (k + 1) of the overlap region OR is outside the end portion 152b of the overlap region OR.
  • the width WR (k) and the width WR (k + 1) are different from each other. Specifically, the width WR (k + 1) is narrower than the width WR (k). This prevents light from leaking from the light emitting unit 152 to the first position P1 (FIG. 17) while keeping the light transmittance of the light emitting device 10 high, as in the example described with reference to FIG. Can do.
  • the end (that is, the end portion 130a) on the first position P1 side (that is, the position H side) of the second electrode 130 of the l-th light emitting unit 152 (l) is the lth light emission. It is outside the width WL (l) of the overlap region OL from the end 152a of the portion 152 (l).
  • the width WL (l) is not less than d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (l) / ns)) and not more than 3 d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (l) / ns)) (d ⁇ tan (arcsin (sin ⁇ l (l)).
  • the end portion (that is, the end portion 130b) on the second side S2 side of the second electrode 130 of the lth light emitting portion 152 (l) is overlapped with the overlap region OR from the end portion 152b of the lth light emitting portion 152 (l).
  • the first light-emitting portion 152 (l) on the position H side of the second electrode 130 ie, the end portion 130a
  • the lth light-emitting portion 152 (l) is outside the overlap region OL by the width WL (l).
  • the width WL (l) and the width WR (l) are different from each other. Specifically, the width WL (l) is wider than the width WR (l). This prevents light from leaking from the light emitting unit 152 to the first position P1 (FIG. 17) while maintaining the light transmittance of the light emitting device 10 high, as in the example described with reference to FIG. Can do.
  • the end H side of the second electrode 130 of the first light emitting unit 152 (l) extends from the end 152a of the first light emitting unit 152 (l) to the overlap region OL.
  • the (1 + 1) th light emitting portion 152 (l + 1) on the position H side of the second electrode 130 (that is, the end portion 130a) is the l + 1th light emitting portion 152 (l + 1).
  • the width 152 (l + 1) of the overlap region OL is on the outer side from the end 152a.
  • the width WL (l) and the width WL (l + 1) are different from each other, specifically, the width WL (l + 1) is narrower than the width WL (l). This prevents light from leaking from the light emitting unit 152 to the first position P1 (FIG. 17) while keeping the light transmittance of the light emitting device 10 high, as in the example described with reference to FIG. Can do.
  • FIG. 20 is a diagram illustrating a first example of a planar layout of the light emitting unit 152, the overlap region OL, and the overlap region OR illustrated in FIGS. 18 and 19.
  • the region ⁇ and the region ⁇ are on opposite sides of the center C of the light emitting region 150.
  • the width of the plurality of overlap regions OR becomes narrower from the first side S1 toward the second side S2, and more specifically, for all integers k, WR ( k)> WR (k + 1) holds (WR (1)> WR (2)>...> WR (k)>). Note that WR (k)> WR (k + 1) does not have to hold for all integers k in the same manner as the example described with reference to FIG.
  • the widths of the plurality of overlap regions OL become narrower from the second side S2 toward the first side S1, and more specifically, WL ( l)> WL (l + 1) holds (WL (1)> WL (2)>...> WL (l)>. Note that WR (l)> WR (l + 1) does not have to be satisfied for all integers l as in the example described with reference to FIG.
  • the width of each of the plurality of overlap regions OR in the region ⁇ and the width of each of the plurality of overlap regions OL in the region ⁇ become narrower from the first side S1 toward the center C, and It becomes wider toward the second side S2.
  • the overlap region OR in the region ⁇ includes an overlap region OR having a width WR (k1) and an overlap having a width WR (k2) (k2> k1) smaller than the width WR (k1). And an area OR. Furthermore, the plurality of overlap regions OL in the region ⁇ includes an overlap region OL having a width WL (l1) wider than the width WR (k2).
  • the luminance distribution of the light emitting region 150 is substantially constant from the first side S1 to the second side S2. Specifically, the widths w of the plurality of light emitting units 152 are equal to each other. Further, the pitch p of the plurality of light emitting units 152 (the distance between the centers of the light emitting units 152 adjacent to each other) is constant from the first side S1 to the second side S2. In this manner, the luminance distribution of the light emitting region 150 is substantially constant from the first side S1 to the second side S2.
  • the overlap region OR prevents light from the light emitting unit 152 from leaking to the first position P1 (FIG. 17).
  • the overlap region OL prevents light from the light emitting unit 152 from leaking to the first position P1 (FIG. 17).
  • the light emitting device 10 shown in FIG. 20 can be understood as follows. That is, the plurality of light emitting units 152 includes the following three light emitting units 152 (first light emitting unit, second light emitting unit, and third light emitting unit).
  • the end 130b on the second side S2 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the first light emitting unit is at a first distance from the end 152b of the first light emitting unit, and the second electrode 130 (light shielding) of the second light emitting unit.
  • End 130b of the second side S2 of the layer is at a second distance from the end 152b of the second light emitting unit, and the end 130a of the first side S1 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the third light emitting unit. Is at a third distance from the end 152a of the third light emitter.
  • the second distance is different from the first distance.
  • the first light emitting unit and the second light emitting unit are located on the first side S1 from the center C of the light emitting region 150, and the first light emitting is performed.
  • the part is closer to the first side S1 than the second light emitting part, the part is shorter than the first distance.
  • the third distance is equal to the second distance when the third light emitting unit is located on the second side S2 from the center C of the light emitting region 150 and is farther from the center C of the light emitting region 150 than the second light emitting unit. It is getting longer.
  • the light emitting device 10 shown in FIG. 20 can be understood as follows. That is, the plurality of light emitting units 152 includes the following three light emitting units 152 (first light emitting unit, second light emitting unit, and third light emitting unit).
  • the end 130a on the first side S1 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the first light emitting unit is at a first distance from the end 152a of the first light emitting unit, and the second electrode 130 (light shielding) of the first light emitting unit.
  • the end 130b of the second side S2 of the layer) is at a second distance from the end 152b of the first light emitting part.
  • the second distance is different from the first distance.
  • the first light emitting unit is located on the first side S1 from the center C of the light emitting region 150, the second distance is longer than the first distance.
  • the 1st light emission part is located in the 2nd side S2 from the center C of the light emission area
  • the end 130b on the second side S2 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the second light emitting unit is at a third distance from the end 152b of the second light emitting unit.
  • the third distance is different from the second distance.
  • the first light emitting unit and the second light emitting unit are located on the first side S1 from the center C of the light emitting region 150, and the first light emitting unit. When the part is closer to the first side S1 than the second light emitting part, it is shorter than the second distance.
  • the end 130a on the first side S1 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the second light emitting unit is at a fourth distance from the end 152a of the second light emitting unit.
  • the fourth distance is different from the third distance.
  • the second light emitting unit when the second light emitting unit is located on the first side S1 from the center C of the light emitting region 150, the fourth distance is shorter than the third distance.
  • the 2nd light emission part is located in the 2nd side S2 from the center C of the light emission area
  • the end 130a on the first side S1 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the third light emitting unit is at a fifth distance from the end 152a of the third light emitting unit.
  • the third light emitting unit is closer to the second side S2 than the first light emitting unit and the second light emitting unit.
  • the fifth distance is different from the third distance.
  • the second light emitting unit is located on the first side S1 from the center C of the light emitting region
  • the third light emitting unit is the center C of the light emitting region.
  • the end 130b on the second side S2 of the second electrode 130 (light shielding layer) of the third light emitting unit is at a sixth distance from the end 152b of the third light emitting unit.
  • the sixth distance is different from the fifth distance.
  • FIG. 21 is a diagram illustrating a second example of a planar layout of the light emitting unit 152, the overlap region OL, and the overlap region OR illustrated in FIGS. 18 and 19.
  • the second example is the same as the first example described with reference to FIG. 20 except for the following points.
  • the substrate 100 includes a first substrate 100a and a second substrate 100b.
  • the first substrate 100a has a side S11 and a side S12, and the side S11 functions as the first side S1.
  • Side S12 is opposite to side S11.
  • the second substrate 100b has a side S21 and a side S22.
  • the side S21 functions as the second side S2.
  • Side S22 is opposite to side S21.
  • the first substrate 100a and the second substrate 100b are arranged so that the side S12 of the first substrate 100a and the side S22 of the second substrate 100b face each other.
  • the side S12 of the first substrate 100a and the side S22 of the second substrate 100b may be bonded to each other.
  • the planar layout shown in FIG. 20 is realized by using the first substrate 100a and the second substrate 100b. Specifically, the plurality of light emitting units 152 in the region ⁇ are located in the first substrate 100a. On the other hand, the plurality of light emitting units 152 in the region ⁇ are located in the second substrate 100b.
  • a light emitting region 150 similar to the light emitting region 150 shown in FIG. 20 is formed from the first side S1 to the second side S2. .
  • the light from the light emitting part 152 to the first position P1 (FIG. 17) is increased while increasing the light transmittance at the center C of the light emitting region 150 and the periphery thereof. Can be prevented from leaking.
  • the ratio of the area occupied by the light transmitting portion 154 may increase toward the center of the light emitting region 150. Therefore, the light transmittance of the center C of the light emission area

Abstract

第ｋの発光部（１５２（ｋ））の第２電極（１３０）の第２側（Ｓ２）の端部（すなわち、端部（１３０ｂ））は、第ｋの発光部（１５２（ｋ））の端部（１５２ｂ）からオーバラップ領域（ＯＲ）の幅ＷＲ（ｋ）外側にある。幅ＷＲ（ｋ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ）））である。

Description

発光装置及び発光システム
　本発明は、発光装置及び発光システムに関する。
　近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、有機層を有しており、この有機層は、有機エレクトロルミネッセンスにより光を発する発光層を含んでいる。ＯＬＥＤは、第１電極（例えば、アノード電極）及び第２電極（例えば、カソード電極）をさらに有しており、第１電極及び第２電極は、有機層を挟んで互いに対向している。ＯＬＥＤでは、第１電極及び第２電極を用いて有機層に電圧を印加することにより光が発せられる。
　特許文献１には、ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、複数の発光部及び複数の透光部を備えており、複数の発光部及び複数の透光部は、交互に並んでいる。複数の発光部のそれぞれは、第１電極、有機層及び第２電極の積層構造を含んでいる。第２電極は、遮光部として機能している。透光部には第２電極が重なっておらず、このため、外部からの光は、透光部を透過することができる。
特開２０１３－２００９６４号公報
　近年、例えば特許文献１に記載されているように、発光部及び透光部を有するＯＬＥＤが開発されている。このようなＯＬＥＤでは、発光部を基板の第１面側に設けることがある。この場合、発光部からの光が基板の第１面側から漏れることがある。ＯＬＥＤの使用目的によっては、第１面に対向する特定の位置から見て斜め方向にある発光部から当該位置へ向けて光が漏れることを防止することが要請されることがある。
　本発明が解決しようとする課題としては、発光部及び透光部を有するＯＬＥＤにおいて発光部を基板の第１面側に設けた場合に、第１面に対向する特定の位置から見て斜め方向にある発光部から当該位置へ向けて光が漏れることを防止することが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、
　厚さｄ及び屈折率ｎｓの基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
　前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
を備え、
　前記複数の発光部は、第１位置から最も遠い第１発光部を含み、
　前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部との間の角度θＬとすると、
　前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の前記第１位置側の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光装置である。
　請求項６に記載の発明は、
　互いに反対の第１側及び第２側を有する基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
　互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
を備え、
　前記複数の発光部は、前記複数の発光部の中で前記第１側に最も近い第１発光部を含み、
　前記第１発光部の前記遮光層の前記第２側の端部は、前記第１発光部の端部から第１距離外側にあり、
　前記第１距離は、
　　前記基板の厚さ１００μｍ以上３００μｍ以下及び屈折率１．５のとき、３０．８μｍ以上２５６．７μｍ以下、又は、
　　前記基板の厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下及び屈折率１．６のとき、２．９μｍ以上３９．６μｍ以下である発光装置である。
　請求項７に記載の発明は、
　互いに反対の第１側及び第２側を有する基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
　互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
を備え、
　前記複数の発光部は、前記複数の発光部の中で前記第１側に最も近い第１発光部を含み、
　前記第１発光部の前記遮光層の前記第２側の端部は、前記第１発光部の端部から第１距離外側にあり、
　前記第１距離は、
　　５．８μｍ以上６．４μｍ以下、
　　８．１μｍ以上８．９μｍ以下、
　　１４．４μｍ以上１５．９μｍ以下、
　　３０．８μｍ以上３４．１μｍ以下、
　　４３．３μｍ以上４７．８μｍ以下又は
　　７７．４μｍ以上８５．６μｍ以下である発光装置である。
　請求項８に記載の発明は、
　第１位置と、
　発光装置と、
を備え、
　前記発光装置は、
　　厚さｄ及び屈折率ｎｓの基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
　　互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
を備え、
　前記複数の発光部は、第１位置から最も遠い第１発光部を含み、
　前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部との間の角度θＬとすると、
　前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光システムである。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態１に係る発光装置を示す平面図である。 図１に示した発光装置を示す平面図である。 図２から複数の第２電極を取り除いた図である。 図３から複数の絶縁層を取り除いた図である。 図２のＡ－Ａ断面図である。 図２～図５に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 図１に示した第１位置に向けて光が漏れることを図５に示したオーバラップ領域によって防止可能な理由を説明するための図である。 図５に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの一例を示す図である。 図１に示した発光システムを自動車に用いた例を説明するための表である。 図１に示した発光システムを自動車に用いた例を説明するための表である。 図５の第１の変形例を示す図である。 図１１に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの一例を示す図である。 図５の第２の変形例を示す図である。 図１３に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの一例を示す図である。 図５の第３の変形例を示す図である。 図５の第４の変形例を示す図である。 実施形態２に係る発光システムを示す図である。 図１７に示した発光装置の領域αの断面図である。 図１７に示した発光装置の領域βの断面図である。 図１８及び図１９に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの第１例を示す図である。 図１８及び図１９に示した発光部及びオーバラップ領域の平面レイアウトの第２例を示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（実施形態１）
　図１は、実施形態１に係る発光システム２０を示す図である。図２は、図１に示した発光装置１０を示す平面図である。図３は、図２から複数の第２電極１３０を取り除いた図である。図４は、図３から複数の絶縁層１４０を取り除いた図である。図５は、図２のＡ－Ａ断面図である。なお、説明のため、図２～図４では、有機層１２０（図５）を図示していない。
　図１及び図５を用いて発光システム２０の概要について説明する。発光システム２０は、第１位置Ｐ１及び発光装置１０を備えている。発光装置１０は、発光領域１５０を備えている。発光領域１５０は、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を含んでいる。複数の発光部１５２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。基板１００は、第１側Ｓ１及び第２側Ｓ２を有している。第１側Ｓ１と第２側Ｓ２は、互いに反対にある。さらに、基板１００は、厚さｄ及び屈折率ｎｓを有している。複数の発光部１５２のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の順の積層構造を含んでいる。第２電極１３０は、遮光性を有しており、言い換えると、遮光層として機能している。複数の透光部１５４のそれぞれは、互いに隣接する発光部１５２の間に位置しており、言い換えると、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４は、交互に並んでいる。本図に示す例において、第１位置Ｐ１から基板１００の第１面１０２への垂線が基板１００の第１面１０２の位置Ｈで交わっており、発光領域１５０は、位置Ｈから第１側Ｓ１に向けて広がっている。第１位置Ｐ１は、位置Ｈから距離Ｄ離れている。複数の発光部１５２は、基板１００の第１側Ｓ１からｋ番目に第ｋの発光部１５２（ｋ）を含んでいる。第ｋの発光部１５２（ｋ）は、第１位置Ｐ１から見て角度θｌ（ｋ）の方向にある。言い換えると、第ｋの発光部１５２（ｋ）は、位置Ｈから距離ｌ（ｋ）離れた位置にあり、θｌ（ｋ）＝ａｒｃｔａｎ（ｌ（ｋ）／Ｄ）である。特に、角度θＬは、第１位置Ｐ１から位置Ｈへの垂線と、第１位置Ｐ１から最も遠い発光部１５２（第１発光部）との間の角度である。より具体的には、後述する図７に示すように、角度θＬ（図７の例では、θｌ（ｋ））は、第１位置Ｐ１から基板１００への垂線と、第１発光部の第１位置Ｐ１側と反対側の端部（端部１５２ａ）との間の角度である。
　第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１位置Ｐ１側（すなわち、第２側Ｓ２）の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第１位置Ｐ１側の端部（端部１５２ｂ）から特定の距離（後述するオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）に相当）外側にある。幅ＷＲ（ｋ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ）））である。
　幅ＷＲ（ｋ）がｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上である場合、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。一方、幅ＷＲ（ｋ）が３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以下である場合、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂに隣接する透光部１５４の幅が狭くなることを防止することができ、言い換えると、発光装置１０の光線透過率を高く維持することができる。
　特に、第１位置Ｐ１から最も遠い発光部１５２（第１発光部）については、幅ＷＲ（ｋ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ）））とすることができる。角度θＬは、θＬ＝ａｒｃｔａｎ（Ｌ／Ｄ）である。距離Ｌは、位置Ｈと第１発光部との間の距離である。
　第１位置Ｐ１から最も遠い発光部１５２（第１発光部）について、幅ＷＲ（ｋ）がｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上である場合、当該第１発光部から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。特に、第１発光部は、複数の発光部１５２の中で、第１位置Ｐ１から最も遠くにあり、このため、後述するオーバラップ領域ＯＲを設けない場合は第１位置Ｐ１に向けて光が漏れる可能性が最も高い。上述した構成においては、このような第１発光部についての光の漏れを高い信頼性で防止することができる。一方、第１発光部について、幅ＷＲ（ｋ）が３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下である場合、当該第１発光部の端部１５２ｂに隣接する透光部１５４の幅が狭くなることを防止することができ、言い換えると、発光装置１０の光線透過率を高く維持することができる。
　さらに、いずれの発光部１５２についても、幅ＷＲ（ｋ）は、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ）））としてもよい。この場合、第１位置Ｐ１から最も遠い発光部１５２（第１発光部）だけでなく、その他の発光部１５２からも第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。
　一例において、発光システム２０は、自動車に用いられる。この例において、第１位置Ｐ１は運転席であり、発光装置１０は、自動車の後部、より具体的にはリアウインドウに取り付けられている。発光装置１０は、自動車の後部（リアウインドウ）において、運転席（第１位置Ｐ１）側から運転席（第１位置Ｐ１）の反対側（すなわち助手席側）に亘って広がっている。この例において、発光装置１０は、ハイマウントストップランプとして機能している。発光装置１０からの光は、主に、基板１００の第２面１０４（第１面１０２の反対側の面）側、すなわち、自動車の外部に出力される。図１に示す例では、発光装置１０からの光が第１位置Ｐ１（運転席）に向けて漏れることが防止されている。
　なお、図１では、第１位置Ｐ１及び複数の発光部１５２を含む平面に垂直な方向から発光システム２０を見ている。言い換えると、各発光部１５２から第１位置Ｐ１に向けて漏れる光は、この平面に沿って漏れることになる。したがって、第１位置Ｐ１から位置Ｈへの垂線は、上述した方向から発光システム２０を見た場合における垂線である。一例において、発光システム２０が自動車に用いられている場合、図１では、自動車の上部から発光システム２０を見ている。
　次に、図２～図４を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１電極１１０、複数の第１接続部１１２、第１配線１１４、複数の第２電極１３０、複数の第２接続部１３２、第２配線１３４及び複数の絶縁層１４０を備えている。
　基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、本図に示す例に限定されるものではない。基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、例えば円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。
　複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸している。
　複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続部１１２のそれぞれを介して、第１配線１１４に接続している。複数の第１接続部１１２は、第１配線１１４によって互いに接続している。第１配線１１４は、基板１００の一対の長辺の一方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第１配線１１４及び第１接続部１１２を介して第１電極１１０に供給される。なお、本図に示す例において、第１電極１１０及び第１接続部１１２は、互いに一体となっている。言い換えると、発光装置１０は、第１電極１１０として機能する領域及び第１接続部１１２として機能する領域を有する導電層を備えている。
　複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。
　複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続部１３２のそれぞれを介して、第２配線１３４に接続している。複数の第２接続部１３２は、第２配線１３４によって互いに接続している。第２配線１３４は、基板１００の一対の長辺の他方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第２配線１３４及び第２接続部１３２を介して第２電極１３０に供給される。
　複数の絶縁層１４０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の絶縁層１４０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の絶縁層１４０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。
　複数の絶縁層１４０のそれぞれは、開口１４２を有している。図５を用いて後述するように、開口１４２内において、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、発光部１５２として機能する領域（第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造）を有している。言い換えると、絶縁層１４０は、発光部１５２を画定している。発光部１５２（開口１４２）は、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。
　発光装置１０は、発光領域１５０を備えている。発光領域１５０は、交互に並ぶ複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を含んでいる。本図に示す例において、発光領域１５０の形状は、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。
　発光装置１０は、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲを有している。オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲは、発光部１５２を挟んで互いに反対側にある。オーバラップ領域ＯＬは、発光部１５２から第１側Ｓ１にずれており、第２電極１３０と重なっている。オーバラップ領域ＯＲは、発光部１５２から第２側Ｓ２にずれており、第２電極１３０と重なっている。
　次に、図５を用いて、発光装置１０の断面の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００（第１基板）、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び絶縁層１４０を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び絶縁層１４０は、いずれも、基板１００の第１面１０２上にある。
　基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラスを含んでいる。他の例において、基板１００は、樹脂を含んでいてもよい。基板１００が樹脂を含んでいる場合、基板１００の第１面１０２及び第２面１０４の一方又は双方は、無機層（例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ又はＡｌ２Ｏ３）によってコーティングされる。この無機層は、防湿膜として機能する。
　第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。具体的には、第１電極１１０は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属酸化物、具体的には例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第１電極１１０を透過することができる。
　有機層１２０は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を含んでいる。正孔注入層及び正孔輸送層は、第１電極１１０に接続している。電子輸送層及び電子注入層は、第２電極１３０に接続している。発光層は、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発する。
　本図に示す例において、有機層１２０は、絶縁層１４０の開口１４２の外側に広がっており、さらに、絶縁層１４０の端部の外側に広がっている。このようにして、有機層１２０は、絶縁層１４０を覆っている。他の例においては、有機層１２０は、絶縁層１４０の端部の外側まで広がっていなくてもよい。
　第２電極１３０は、光反射性及び導電性を有している。具体的には、第２電極１３０は、光反射性を有する材料を含んでおり、例えば金属、具体的には例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第２電極１３０で反射される。
　なお、第２電極１３０の光反射性に起因して、第２電極１３０は、遮光性を有している。このため、本図に示す例では、有機層１２０からの光が第２電極１３０から漏れることが抑制されている。
　絶縁層１４０は、透光性を有している。一例において、絶縁層１４０は、有機絶縁材料、具体的には例えばポリイミドを含んでいる。他の例において、絶縁層１４０は、無機絶縁材料、具体的には例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）又はシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含んでいてもよい。なお、絶縁層１４０は、透光性を有していなくてもよく、遮光性を有していてもよい。
　絶縁層１４０は、開口１４２を有している。絶縁層１４０は、開口１４２から第１電極１１０の一部を露出し、第１電極１１０の端部を覆っている。このようにして、絶縁層１４０は、発光部１５２を画定するとともに、第１電極１１０の端部が第２電極１３０に接触することを防止している。
　本図に示す例において、絶縁層１４０の側面は傾斜している。より具体的には、絶縁層１４０の側面は、絶縁層１４０の下端から上端に向かうにつれて絶縁層１４０の内側に向けて傾斜している。
　なお、発光装置１０は、導電部（バスライン）を備えていてもよい。導電部は、第１電極１１０の材料よりも導電率の高い材料を含んでおり、このため、第１電極１１０の補助電極として機能することができる。一例において、導電部は、ＭＡＭ（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）である。導電部は、第１電極１１０上で絶縁層１４０に覆われていてもよいし、又は基板１００の第１面１０２上で第１電極１１０に覆われていてもよい。
　本図に示すように、第２電極１３０は端部１３０ａ及び端部１３０ｂを有し、絶縁層１４０は端部１４０ａ及び端部１４０ｂを有している。発光部１５２は端部１５２ａ及び端部１５２ｂを有している。端部１３０ａ、端部１４０ａ及び端部１５２ａは、基板１００の第１側Ｓ１を向いている。端部１３０ｂ、端部１４０ｂ及び端部１５２ｂは、基板１００の第２側Ｓ２を向いており、それぞれ、端部１３０ａ、端部１４０ａ及び端部１５２ａの反対側にある。
　発光装置１０は、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲを有している。オーバラップ領域ＯＬは、第２側Ｓ２から第１側Ｓ１に向かう方向において、発光部１５２の端部１５２ａから第２電極１３０の端部１３０ａにかけて広がっている。言い換えると、オーバラップ領域ＯＬでは、第２電極１３０の端部１３０ａが発光部１５２の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）だけ外側にある。オーバラップ領域ＯＲは、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に向かう方向において、発光部１５２の端部１５２ｂから第２電極１３０の端部１３０ｂにかけて広がっている。言い換えると、オーバラップ領域ＯＲでは、第２電極１３０の端部１３０ｂが発光部１５２の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にある。
　なお、本図に示す例において、幅ＷＬ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ）は、互いに等しくなっている。
　オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲのいずれにおいても、基板１００の第１面１０２の上方には、第２電極１３０（すなわち、遮光層）が位置している。このため、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲにおいては、基板１００の第１面１０２から光が漏れても、この光のほとんどは、第２電極１３０によって遮られる。
　基板１００の第１面１０２は、複数の領域Ｒａ、複数の領域Ｒｂ１、複数の領域Ｒｂ２及び複数の領域Ｒｃを有している。複数の領域Ｒａのそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ａと重なる位置から端部１３０ｂと重なる位置まで広がっている。複数の領域Ｒｂ１のそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ａと重なる位置から絶縁層１４０の端部１４０ａと重なる位置まで広がっている。複数の領域Ｒｂ２のそれぞれは、第２電極１３０の端部１３０ｂと重なる位置から絶縁層１４０の端部１４０ｂと重なる位置まで広がっている。複数の領域Ｒｃのそれぞれは、互いに隣接する２つの絶縁層１４０のうちの一方の絶縁層１４０の端部１４０ａと重なる位置から他方の絶縁層１４０の端部１４０ｂと重なる位置まで広がっている。
　領域Ｒａは、第２電極１３０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域Ｒａ、領域Ｒｂ１、領域Ｒｂ２及び領域Ｒｃと重なる領域の中では、領域Ｒａと重なる領域で最も低い光線透過率を有している。領域Ｒｃは、第２電極１３０及び絶縁層１４０のいずれとも重なっておらず、このため、発光装置１０は、領域Ｒａ、領域Ｒｂ１、領域Ｒｂ２及び領域Ｒｃと重なる領域の中では、領域Ｒｃと重なる領域で最も高い光線透過率を有している。領域Ｒｂ１は、第２電極１３０と重ならず絶縁層１４０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域Ｒｂ１と重なる領域においては、領域Ｒａと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域Ｒｃと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。同様にして、領域Ｒｂ２は、第２電極１３０と重ならず絶縁層１４０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域Ｒｂ２と重なる領域においては、領域Ｒａと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域Ｒｃと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。
　なお、基板１００の第１面１０２は、領域Ｒｂ１を有していなくてもよい。言い換えると、第２電極１３０の端部１３０ａは、絶縁層１４０の端部１４０ａの外側に位置していてもよく、さらに、絶縁層１４０の端部１４０ａの外側で基板１００の第１面１０２に接していてもよい。同様にして、基板１００の第１面１０２は、領域Ｒｂ２を有していなくてもよい。言い換えると、第２電極１３０の端部１３０ｂは、絶縁層１４０の端部１４０ｂの外側に位置していてもよく、さらに、絶縁層１４０の端部１４０ｂの外側で基板１００の第１面１０２に接していてもよい。
　本図に示す例では、発光装置１０の全体としての光線透過率が高いものとなっている。詳細には、本図に示す例では、光線透過率の高い領域の幅、すなわち、領域Ｒｃの幅ｄ３が広くなっており、具体的には、領域Ｒｃの幅ｄ３は、領域Ｒｂ１の幅ｄ２１よりも広くなっており（ｄ３＞ｄ２１）、さらに領域Ｒｂ２の幅ｄ２２よりも広くなっている（ｄ３＞ｄ２２）。このようにして、発光装置１０の全体としての光線透過率は、高いものとなっている。
　本図に示す例では、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。詳細には、本図に示す例では、光が絶縁層１４０を透過する領域の幅、すなわち、領域Ｒｂ１の幅ｄ２１が狭くなっており、具体的には、領域Ｒｂ１の幅ｄ２１は、領域Ｒｃの幅ｄ３よりも狭くなっている（ｄ２１＜ｄ３）。同様にして、光が絶縁層１４０を透過する領域の幅、領域Ｒｂ２の幅ｄ２２が狭くなっており、具体的には、領域Ｒｂ２の幅ｄ２２は、領域Ｒｃの幅ｄ３よりも狭くなっている（ｄ２２＜ｄ３）。絶縁層１４０は、特定の波長の光を吸収することがある。このような場合においても、本図に示す例では、絶縁層１４０を透過する光の量が少ない。このようにして、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。
　なお、領域Ｒｃの幅ｄ３は、領域Ｒａの幅ｄ１よりも広くてもよいし（ｄ３＞ｄ１）、領域Ｒａの幅ｄ１よりも狭くてもよいし（ｄ３＜ｄ１）、又は領域Ｒａの幅ｄ１と等しくてもよい（ｄ３＝ｄ１）。
　一例において、領域Ｒａの幅ｄ１に対する領域Ｒｂ１の幅ｄ２１の比ｄ２１／ｄ１は、０以上０．２以下であり（０≦ｄ２１／ｄ１≦０．２）、領域Ｒａの幅ｄ１に対する領域Ｒｂ２の幅ｄ２２の比ｄ２２／ｄ１は、０以上０．２以下であり（０≦ｄ２２／ｄ１≦０．２）、領域Ｒａの幅ｄ１に対する領域Ｒｃの幅ｄ３の比ｄ３／ｄ１は、０．３以上２以下である（０．３≦ｄ３／ｄ１≦２）。より具体的には、一例において、領域Ｒａの幅ｄ１は、５０μｍ以上１０００μｍ以下であり、領域Ｒｂ１の幅ｄ２１は、０μｍ以上２００μｍ以下であり、領域Ｒｂ２の幅ｄ２２は、０μｍ以上２００μｍ以下であり、領域Ｒｃの幅ｄ３は、１５μｍ以上１０００μｍ以下である。
　なお、発光領域１５０は、封止部（不図示）によって封止されている。一例において、封止部は、封止基板及び接着層を有している。この例において、封止基板は、接着層を介して基板１００の第１面１０２に接着される。他の例において、封止部は、ガラス缶及び乾燥剤を有している。この例において、ガラス缶は、発光領域１５０を覆い、乾燥剤は、発光部１５２と重ならないように配置される。さらに他の例において、封止部は、例えば、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタ、蒸着又は塗布によって形成された無機層を有している。無機層は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＳｉＣＮ及びＳｉＯＣからなる群から選択される少なくとも一つを含んでいる。
　本図に示す例において、発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤとして機能している。具体的には、第２電極１３０と重ならない領域は、透光部１５４として機能している。このようにして、発光装置１０では、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４が交互に並んでいる。複数の発光部１５２から光が発せられていない場合、人間の視覚では、第１面１０２側の物体が第２面１０４側から透けて見え、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。さらに、複数の発光部１５２からの光は、第２面１０４側から主に出力され、第１面１０２側からはほとんど出力されない。複数の発光部１５２から光が発せられている場合、人間の視覚では、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。
　次に、図２～図５に示した発光装置１０の製造方法について説明する。発光装置１０は、以下のようにして発光装置製造される。
　まず、基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２を形成する。一例において、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２は、スパッタリングにより形成された導電層をパターニングすることにより形成される。
　次いで、絶縁層１４０を形成する。一例において、絶縁層１４０は、基板１００の第１面１０２上に塗布された感光性樹脂をパターニングすることにより形成される。
　次いで、有機層１２０を形成する。一例において、有機層１２０は、蒸着によって形成される。
　次いで、第２電極１３０を形成する。一例において、第２電極１３０は、蒸着によって形成される。
　このようにして、発光装置１０が製造される。
　図６は、図２～図５に示した発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。本図に示すように、発光部１５２からの光は、基板１００を透過する。光は基板１００の第２面１０４に達し、この光の一部は第２面１０４から射出され、この光の他の一部は第２面１０４で反射される。第２面１０４で反射した光は、基板１００の第１面１０２から射出される。このように第１面１０２から光が射出されても、オーバラップ領域ＯＲにおいては、この光は、第２電極１３０（すなわち、遮光層）によって遮られる。このようにして、基板１００の第１面１０２側へ光が漏れることを防止することができる。
　図７は、図１に示した第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを図５に示したオーバラップ領域ＯＲによって防止可能な理由を説明するための図である。本図に示す例では、説明のため、オーバラップ領域ＯＲの幅及びオーバラップ領域ＯＬの幅は、いずれもほぼゼロになっている。さらに、基板１００の第１面１０２は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び絶縁層１４０の外側で空気（屈折率１）に接している。
　本図に示す例では、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１に向けて漏れている。具体的には、本図に示す例では、発光部１５２の端部１５２ｂの直下から光が射出されている。この光は、基板１００の第２面１０４において、入射角θ´及び反射角θ´で反射し、基板１００の第１面１０２に入射角θ´で入射している。この光は、屈折角θｌ´（ｋ）で基板１００の第１面１０２から射出され、第１位置Ｐ１に向かう。この場合、光は、発光部１５２の幅方向において、発光部１５２の端部１５２ｂから距離Δ離れた位置から射出されている。
　本図に示す例において、距離Δは、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））となる（Δ＝２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ）））。具体的には、距離Δは、角度θ´を用いて、２ｄ×ｔａｎθ´と表すことができる（Δ＝２ｄ×ｔａｎθ´）。さらに、基板１００の第１面１０２と空気の界面では、スネルの法則に基づいて、ｎｓ×ｓｉｎθ´＝１×ｓｉｎθｌ´（ｋ）が成り立つ。この式を用いて、距離Δは、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））と表すことができる。
　上記した説明から明らかなように、図５に示した例において、第２電極１３０の端部１３０ｂが発光部１５２の端部１５２ｂから距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））外側にある場合（言い換えると、オーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）が２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））である場合）、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によって遮ることができる。さらに、角度θｌ（ｋ）は、角度θｌ´（ｋ）よりも大きい（θｌ（ｋ）＞θｌ´（ｋ））ことから、図５に示した例において、第２電極１３０の端部１３０ｂが発光部１５２の端部１５２ｂから距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））外側にある場合（言い換えると、オーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）が２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））である場合）、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によってより確実に遮ることができる。
　さらに、図１に示した例において、複数の発光部１５２のいずれについても、第２電極１３０の端部１３０ｂが発光部１５２の端部１５２ｂから距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））外側にある場合（言い換えると、オーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）が２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））である場合）、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によって遮ることができる。具体的には、角度θＬは、いずれの整数ｋについても、角度θｌ（ｋ）以上である。このため、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））は、いずれの整数ｋについても、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上となる。このため、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によって遮ることができる。
　図５に示した例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、目的に応じて変動させることができる。言い換えると、オーバラップ領域ＯＲの幅は、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ´（ｋ）／ｎｓ））、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））又は２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））に限定されるものではない。
　一例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。この例においては、第１面１０２から漏れる光のおおよそ半分を第２電極１３０によって遮ることができる。
　他の例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。この例においては、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、第１面１０２から漏れる光のほぼすべてを第２電極１３０によって確実に遮ることができる。
　他の例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。この例においては、発光装置１０の光線透過率を、オーバラップ領域ＯＲの幅が３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の場合よりも高く維持したまま、第１面１０２から漏れる光のほぼすべてを第２電極１３０によって遮ることができる。
　このようにして、一例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。他の例において、オーバラップ領域ＯＲの幅は、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））とすることができる。
　図８は、図５に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの一例を示す図である。
　本図に示す例では、いずれの整数ｋにおいても、オーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）とオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）は、互いに等しくなっている。
　本図に示す例において、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、互いに等しくなっている（ＷＬ（１）＝ＷＬ（２）＝・・・ＷＬ（ｋ）＝・・・）。同様にして、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、互いに等しくなっている（ＷＲ（１）＝ＷＲ（２）＝・・・＝ＷＲ（ｋ）＝・・・）。
　発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。具体的には、複数の発光部１５２の幅ｗは、互いに等しくなっている。さらに、複数の発光部１５２のピッチｐ（互いに隣接する発光部１５２の中心間距離）は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘って一定である。このようにして、発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。
　図９及び図１０は、図１に示した発光システム２０を自動車に用いた例を説明するための表である。本図に示す例では、Ｌ＝７９５ｍｍ及びＤ＝３２１０ｍｍの自動車（例１－１及び例２－１）、Ｌ＝７４５ｍｍ及びＤ＝２１１０ｍｍの自動車（例１－２及び例２－２）並びにＬ＝６２５ｍｍ及びＤ＝９１０ｍｍの自動車（例１－３及び例２－３）に発光システム２０を使用している。さらに、これら３種類の自動車それぞれについて、ｄ＝１００μｍ及びｎｓ＝１．５の基板１００（例１－１、例１－２及び例１－３）並びにｄ＝２０μｍ及びｎｓ＝１．６の基板１００（例２－１、例２－２及び例２－３）を使用している。
　例１－１において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、３２．５μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、３０．８μｍ以上３４．１μｍ以下とすることができる。
　例１－２において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、４５．５μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、４３．３μｍ以上４７．８μｍ以下とすることができる。
　例１－３において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、８１．５μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、７７．４μｍ以上８５．６μｍ以下とすることができる。
　例１－１、例１－２及び例１－３より、一例において、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、基板１００の厚さｄが１００μｍ以上３００μｍ以下であり、かつ基板１００の屈折率ｎｓが１．５のとき、３０．８μｍ以上２５６．７μｍ以下としてもよいといえる。この数値範囲は、例１－１、例１－２及び例１－３において基板１００の厚さｄが１００μ以上３００μｍ以下であるときに２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））が取り得る値の最小値（すなわち、例１－１の３２．５μｍの９５％：３０．８μｍ）から最大値（すなわち、例１－３の８１．５μｍの３倍の１０５％：２５６．７μｍ）までである。
　例２－１において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、６．１μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、５．８μｍ以上６．４μｍ以下とすることができる。
　例２－２において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、８．５μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、８．１μｍ以上８．９μｍ以下とすることができる。
　例２－３において、距離２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））は、１５．１μｍである。このため、第１の発光部１５２（１）（すなわち、図１に示した例において、複数の発光部１５２の中で第１側Ｓ１に最も近い発光部１５２）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）が上記した距離であるとき、第１の発光部１５２（１）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。なお、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、上記した距離に厳密に一致している必要はなく、２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））の９５％以上１０５％以下、すなわち、１４．４μｍ以上１５．９μｍ以下とすることができる。
　例２－１、例２－２及び例２－３より、一例において、第１の発光部１５２（１）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（１）は、基板１００の厚さｄが１０μ以上５０μｍ以下であり、かつ基板１００の屈折率ｎｓが１．６のとき、２．９μｍ以上３９．６μｍ以下としてもよいといえる。この数値範囲は、例２－１、例２－２及び例２－３において基板１００の厚さｄが１０μ以上５０μｍ以下であるときに２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））が取り得る値の最小値（すなわち、例２－１の６．１μｍの１／２倍の９５％：２．９μｍ）から最大値（すなわち、例２－３の１５．１μｍの５／２倍の１０５％：３９．６μｍ）までである。
　図１１は、図５の第１の変形例を示す図である。図１２は、図１１に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの一例を示す図である。
　図１１に示す例において、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１側Ｓ１側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）だけ外側にあり、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第２側Ｓ２側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にある。
　幅ＷＬ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ）は、互いに異なっている。具体的には、幅ＷＲ（ｋ）は、幅ＷＬ（ｋ）よりも広くなっている。言い換えると、第２側Ｓ２に近い側（言い換えると、第１位置Ｐ１（図１）に近い側）の幅（すなわち、幅ＷＲ（ｋ））が、第１側Ｓ１に近い側（言い換えると、第１位置Ｐ１（図１）から遠い側）の幅（すなわち、ＷＬ（ｋ））よりも広くなっている。
　本図に示す例においては、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１）へ光が漏れることを防止することができる。具体的には、オーバラップ領域ＯＬは、発光部１５２の第１側Ｓ１側にあり、このため、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止することに寄与していない。このため、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止する観点からすると、オーバラップ領域ＯＬの幅は、それほど広くある必要はなく、発光装置１０の光線透過率が高くなるようにある程度狭くすることができる。これに対して、オーバラップ領域ＯＲの幅は、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止するため、ある程度広く、具体的には、オーバラップ領域ＯＬの幅よりも広くなっている。このようにして、本図に示す例では、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１）へ光が漏れることを防止することができる。
　図１２に示す例において、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、互いに等しくなっている（ＷＬ（１）＝ＷＬ（２）＝・・・ＷＬ（ｋ）＝・・・）。同様にして、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、互いに等しくなっている（ＷＲ（１）＝ＷＲ（２）＝・・・＝ＷＲ（ｋ）＝・・・）。
　発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。具体的には、複数の発光部１５２の幅ｗは、互いに等しくなっている。さらに、複数の発光部１５２のピッチｐ（互いに隣接する発光部１５２の中心間距離）は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘って一定である。このようにして、発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。
　一例において、図１１及び図１２に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の発光部１５２（第１発光部）を含んでいる。
　第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第１発光部の端部１５２ａから第１距離にあり、第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第２距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図１１及び図１２に示す例では、第１距離より長くなっている。
　図１３は、図５の第２の変形例を示す図である。図１４は、図１３に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの一例を示す図である。
　図１３に示す例において、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第２側Ｓ２側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にあり、第ｋ＋１の発光部１５２（ｋ＋１）の第２電極１３０の第２側Ｓ２側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋ＋１の発光部１５２（ｋ＋１）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ＋１）だけ外側にある。
　幅ＷＲ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ＋１）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＲ（ｋ＋１）は、幅ＷＲ（ｋ）よりも狭くなっている。言い換えると、第２側Ｓ２に近い側（言い換えると、第１位置Ｐ１（図１）に近い側）の幅（すなわち、幅ＷＲ（ｋ＋１））が、第１側Ｓ１に近い側（言い換えると、第１位置Ｐ１（図１）から遠い側）の幅（すなわち、ＷＲ（ｋ＋１））よりも狭くなっている。
　本図に示す例においては、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１）へ光が漏れることを防止することができる。具体的には、図７を用いて説明したように、第ｋの発光部１５２（ｋ）のオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）が２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））である場合、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを第２電極１３０によって遮ることができる。言い換えると、基板１００の第１面１０２から漏れた光のほとんどを遮るための幅ＷＲ（ｋ）は、整数ｋが大きくなるほど（つまり、角度θ（ｋ）が小さくなるほど）、小さくなる。このため、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止する観点からすると、幅ＷＲ（ｋ＋１）は、幅ＷＲ（ｋ）と等しくある必要はなく、発光装置１０の光線透過率が高くなるようにある程度狭くすることができる。これに対して、幅ＷＲ（ｋ）は、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１）に漏れることを防止するため、ある程度広く、具体的には、幅ＷＬ（ｋ＋１）よりも広くなっている。このようにして、本図に示す例では、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１）へ光が漏れることを防止することができる。
　図１４に示す例において、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、互いに等しくなっている（ＷＬ（１）＝ＷＬ（２）＝・・・ＷＬ（ｋ）＝・・・）。これに対して、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に向かうにつれて狭くなっており、より具体的には、すべての整数ｋについて、ＷＲ（ｋ）＞ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っている（ＷＲ（１）＞ＷＲ（２）＞・・・＞ＷＲ（ｋ）＞・・・）。
　なお、すべての整数ｋについて、ＷＲ（ｋ）＞ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っていなくてもよい。一例において、複数の発光部１５２の中の一部でＷＲ（ｋ）＝ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っていてもよい。一例として、整数１から整数ａ－１までＷＲ（ｋ）が互いに等しく、整数ａについてＷ（ａ）がＷ（ａ－１）より小さくなっており、整数ａ以上でＷＲ（ｋ）が互いに等しくなっている場合（ＷＲ（１）＝ＷＲ（２）＝・・・＝ＷＲ（ａ－１）＞ＷＲ（ａ）＝ＷＲ（ａ＋１）＝・・・）がある。
　発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。具体的には、複数の発光部１５２の幅ｗは、互いに等しくなっている。さらに、複数の発光部１５２のピッチｐ（互いに隣接する発光部１５２の中心間距離）は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘って一定である。このようにして、発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。
　一例において、図１３及び図１４に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の２つの発光部１５２（第１発光部及び第２発光部）を含んでいる。
　第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第１距離にあり、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第２発光部の端部１５２ｂから第２距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図１４に示す例では、第１発光部が第２発光部よりも第１側Ｓ１に近いとき、第１距離より短くなっている。
　他の例において、図１３及び図１４に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の２つの発光部１５２（第１発光部及び第２発光部）を含んでいる。
　第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第１発光部の端部１５２ａから第１距離にあり、第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第２距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図１３及び図１４に示す例では、第１距離より長くなっている。
　さらに、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第２発光部の端部１５２ｂから第３距離にある。第３距離は、第２距離と異なっており、特に図１３及び図１４に示す例では、第１発光部が第２発光部よりも第１側Ｓ１に近いとき、第２距離より短くなっている。
　さらに、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第２発光部の端部１５２ａから第４距離にある。第４距離は、第３距離と異なっており、特に図１３及び図１４に示す例では、第３距離より短くなっている。
　図１５は、図５の第３の変形例を示す図である。本図に示す例において、発光装置１０は、遮光層１６０を備えている。遮光層１６０は、第２電極１３０を覆っている。特に本図に示す例では、遮光層１６０の幅は、第２電極１３０の幅より広くなっている。このようにして、発光部１５２は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び遮光層１６０の順の積層構造を含んでいる。遮光層１６０は、端部１６０ａ及び端部１６０ｂを有している。端部１６０ａは、第１側Ｓ１を向いている。端部１６０ｂは、第２側Ｓ２を向いており、第１側Ｓ１の反対にある。
　第ｋの発光部１５２（ｋ）において、遮光層１６０の端部１６０ａは、第２電極１３０の端部１３０ａより外側にあり、具体的には、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）外側にある。言い換えると、本図に示す例では、遮光層１６０と重なる領域がオーバラップ領域ＯＬとして機能している。同様にして、第ｋの発光部１５２（ｋ）において、遮光層１６０の端部１６０ｂは、第２電極１３０の端部１３０ｂより外側にあり、具体的には、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）外側にある。言い換えると、本図に示す例では、遮光層１６０と重なる領域がオーバラップ領域ＯＲとして機能している。
　一例において、遮光層１６０は、ブラックマトリクス層である。この例において、遮光層１６０は、例えば、クロム酸化物又はマンガン酸化物を含んでいる。
　図１６は、図５の第４の変形例を示す図である。本図に示す例において、発光装置１０は、遮光層１６０を備えている。遮光層１６０は、第２電極１３０を覆っている。特に本図に示す例では、遮光層１６０の幅は、第２電極１３０の幅より狭くなっている。より具体的には、遮光層１６０の端部１６０ａは、第２電極１３０の端部１３０ａより内側にあり、遮光層１６０の端部１６０ｂは、第２電極１３０の端部１３０ｂより内側にある。
　第２電極１３０は、遮光性を有していてもよいし、又は遮光性を有していなくてもよい。特に本図に示す例では、第２電極１３０は、遮光性を有しておらず、透光性を有している。したがって、第２電極１３０は、遮光層として機能していない。このため、オーバラップ領域ＯＬの第１側Ｓ１端部は、第２電極１３０の端部１３０ａではなく、遮光層１６０の端部１６０ａによって決定されており、オーバラップ領域ＯＲの第２側Ｓ２端部は、第２電極１３０の端部１３０ｂではなく、遮光層１６０の端部１６０ｂによって決定されている。
　なお、遮光層１６０の幅は、第２電極１３０の幅と等しくてもよい。さらにこの場合、遮光層１６０の端部１６０ａ及び端部１６０ｂは、第２電極１３０の端部１３０ａ及び端部１３０ｂと揃っていてもよい。
　以上、本実施形態によれば、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１位置Ｐ１側（すなわち、第２側Ｓ２）の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上外側にある。このため、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。
　さらに、本実施形態によれば、一の発光部１５２において、オーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬとオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲは、互いに異なっていてもよい。この場合、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１へ光が漏れることを防止することができる。
　さらに、本実施形態によれば、一の発光部１５２のオーバラップ領域ＯＲの幅と他の発光部１５２のオーバラップ領域ＯＲの幅は、互いに異なっていてもよい。この場合、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１へ光が漏れることを防止することができる。
（実施形態２）
　図１７は、実施形態２に係る発光システム２０を示す図であり、実施形態１の図１に対応する。図１８は、図１７に示した発光装置１０の領域αの断面図である。図１９は、図１７に示した発光装置１０の領域βの断面図である。本実施形態に係る発光システム２０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る発光システム２０と同様である。
　図１７に示す例において第１位置Ｐ１から基板１００の第１面１０２への垂線が基板１００の第１面１０２の位置Ｈで交わっており、発光領域１５０は、位置Ｈから第１側Ｓ１及び第２側Ｓ２の双方に向けて広がっている。より具体的には、本図に示す例において、位置Ｈは、発光領域１５０の中心上にある。
　複数の発光部１５２は、基板１００の第１側Ｓ１からｋ番目に第ｋの発光部１５２（ｋ）を含んでいる。第ｋの発光部１５２（ｋ）は、第１位置Ｐ１から見て角度θｌ（ｋ）の方向にある。言い換えると、第ｋの発光部１５２（ｋ）は、位置Ｈから距離ｌ（ｋ）離れた位置にあり、θｌ（ｋ）＝ａｒｃｔａｎ（ｌ（ｋ）／Ｄ）である。
　複数の発光部１５２は、基板１００の第２側Ｓ２からｌ番目に第ｌの発光部１５２（ｌ）を含んでいる。第ｌの発光部１５２（ｌ）は、第１位置Ｐ１から見て角度θｌ（ｌ）の方向にある。言い換えると、第ｌの発光部１５２（ｌ）は、位置Ｈから距離Ｌ（ｌ）離れた位置にあり、θｌ（ｌ）＝ａｒｃｔａｎ（ｌ（ｌ）／Ｄ）である。
　図１８に示すように、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１位置Ｐ１側（すなわち、位置Ｈ側）の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）外側にある。幅ＷＲ（ｋ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ））≦ＷＲ（ｋ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｋ）／ｎｓ）））である。これにより、実施形態１と同様にして、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができるとともに、発光装置１０の光線透過率を高く維持することができる。
　第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の第１側Ｓ１側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｋ）だけ外側にあり、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にある。
　幅ＷＬ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＲ（ｋ）は、幅ＷＬ（ｋ）よりも広くなっている。これにより、図１１を用いて説明した例と同様にして、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
　さらに、第ｋの発光部１５２（ｋ）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋの発光部１５２（ｋ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ）だけ外側にあり、第ｋ＋１の発光部１５２（ｋ＋１）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｋ＋１の発光部１５２（ｋ＋１）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｋ＋１）だけ外側にある。
　幅ＷＲ（ｋ）と幅ＷＲ（ｋ＋１）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＲ（ｋ＋１）は、幅ＷＲ（ｋ）よりも狭くなっている。これにより、図１３を用いて説明した例と同様にして、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
　図１９に示すように、第ｌの発光部１５２（ｌ）の第２電極１３０の第１位置Ｐ１側（すなわち、位置Ｈ側）の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｌの発光部１５２（ｌ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｌ）外側にある。幅ＷＬ（ｌ）は、一例において、ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｌ）／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｌ）／ｎｓ））以下（ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｌ）／ｎｓ））≦ＷＬ（ｌ）≦３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθｌ（ｌ）／ｎｓ）））である。これにより、実施形態１と同様にして、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができるとともに、発光装置１０の光線透過率を高く維持することができる。
　第ｌの発光部１５２（ｌ）の第２電極１３０の第２側Ｓ２側の端部（すなわち、端部１３０ｂ）は、第ｌの発光部１５２（ｌ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＲの幅ＷＲ（ｌ）だけ外側にあり、第ｌの発光部１５２（ｌ）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｌの発光部１５２（ｌ）の端部１５２ｂからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｌ）だけ外側にある。
　幅ＷＬ（ｌ）と幅ＷＲ（ｌ）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＬ（ｌ）は、幅ＷＲ（ｌ）よりも広くなっている。これにより、図１１を用いて説明した例と同様にして、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
　さらに、第ｌの発光部１５２（ｌ）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｌの発光部１５２（ｌ）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｌ）だけ外側にあり、第ｌ＋１の発光部１５２（ｌ＋１）の第２電極１３０の位置Ｈ側の端部（すなわち、端部１３０ａ）は、第ｌ＋１の発光部１５２（ｌ＋１）の端部１５２ａからオーバラップ領域ＯＬの幅ＷＬ（ｌ＋１）だけ外側にある。
　幅ＷＬ（ｌ）と幅ＷＬ（ｌ＋１）は、互いに異なっており、具体的には、幅ＷＬ（ｌ＋１）は、幅ＷＬ（ｌ）よりも狭くなっている。これにより、図１３を用いて説明した例と同様にして、発光装置１０の光線透過率を高く維持したまま、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
　図２０は、図１８及び図１９に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの第１例を示す図である。本図に示す例において、領域αと領域βは、発光領域１５０の中心Ｃを挟んで互いに反対側にある。
　領域αでは、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、互いに等しくなっている（ＷＬ（１）＝ＷＬ（２）＝・・・ＷＬ（ｋ）＝・・・）。これに対して、領域αでは、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に向かうにつれて狭くなっており、より具体的には、すべての整数ｋについて、ＷＲ（ｋ）＞ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っている（ＷＲ（１）＞ＷＲ（２）＞・・・＞ＷＲ（ｋ）＞・・・）。なお、図１４を用いて説明した例と同様にして、すべての整数ｋについて、ＷＲ（ｋ）＞ＷＲ（ｋ＋１）が成り立っていなくてもよい。
　領域βでは、複数のオーバラップ領域ＯＲの幅は、互いに等しくなっている（ＷＲ（１）＝ＷＲ（２）＝・・・ＷＲ（ｌ）＝・・・）。これに対して、領域βでは、複数のオーバラップ領域ＯＬの幅は、第２側Ｓ２から第１側Ｓ１に向かうにつれて狭くなっており、より具体的には、すべての整数ｌについて、ＷＬ（ｌ）＞ＷＬ（ｌ＋１）が成り立っている（ＷＬ（１）＞ＷＬ（２）＞・・・＞ＷＬ（ｌ）＞・・・）。なお、図１４を用いて説明した例と同様にして、すべての整数ｌについて、ＷＲ（ｌ）＞ＷＲ（ｌ＋１）が成り立っていなくてもよい。
　さらに、領域α中の複数のオーバラップ領域ＯＲのそれぞれの幅及び領域β中の複数のオーバラップ領域ＯＬのそれぞれの幅は、第１側Ｓ１から中心Ｃに向かうにつれて狭くなり、中心Ｃから第２側Ｓ２に向かうにつれて広くなっている。特に本図に示す例では、領域α中のＫ個のオーバラップ領域ＯＲのそれぞれの幅ＷＲ（１）～ＷＲ（Ｋ）及び領域β中のＬ個のオーバラップ領域ＯＬのそれぞれの幅ＷＬ（１）～ＷＬ（Ｌ）は、ＷＲ（１）＞ＷＲ（２）＞・・・＞ＷＲ（Ｋ）＝ＷＬ（Ｌ）＜・・・＜ＷＬ（２）＜ＷＬ（１）となっている。このようにして、領域α中のオーバラップ領域ＯＲは、幅ＷＲ（ｋ１）を有するオーバラップ領域ＯＲと、幅ＷＲ（ｋ１）よりも狭い幅ＷＲ（ｋ２）（ｋ２＞ｋ１）を有するオーバラップ領域ＯＲとを含んでいる。さらに、領域β中の複数のオーバラップ領域ＯＬは、幅ＷＲ（ｋ２）よりも広い幅ＷＬ（ｌ１）を有するオーバラップ領域ＯＬを含んでいる。
　発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。具体的には、複数の発光部１５２の幅ｗは、互いに等しくなっている。さらに、複数の発光部１５２のピッチｐ（互いに隣接する発光部１５２の中心間距離）は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘って一定である。このようにして、発光領域１５０の輝度分布は、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２に亘ってほぼ一定となっている。
　本図に示す例では、発光領域１５０の中心Ｃ及びその周辺の光線透過率を高くしつつ、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。具体的には、本図に示す例では、透光部１５４が占める面積の割合は、発光領域１５０の中心に向かうほど大きくなっている。このため、発光領域１５０の中心Ｃ及びその周辺の光線透過率を高くすることができる。一方、第１側Ｓ１の近くでは、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１７）へ漏れることがオーバラップ領域ＯＲによって防止されている。第２側Ｓ２の近くでは、発光部１５２からの光が第１位置Ｐ１（図１７）へ漏れることがオーバラップ領域ＯＬによって防止されている。
　一例において、図２０に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の３つの発光部１５２（第１発光部、第２発光部及び第３発光部）を含んでいる。
　第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第１距離にあり、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第２発光部の端部１５２ｂから第２距離にあり、第３発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第３発光部の端部１５２ａから第３距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第１発光部及び第２発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置し、かつ第１発光部が第２発光部よりも第１側Ｓ１に近いとき、第１距離より短くなっている。この場合、第３距離は、第３発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第２側Ｓ２に位置し、かつ第２発光部よりも発光領域１５０の中心Ｃから離れているとき、第２距離より長くなっている。
　他の例において、図２０に示した発光装置１０は、次のように理解することもできる。すなわち、複数の発光部１５２が以下の３つの発光部１５２（第１発光部、第２発光部及び第３発光部）を含んでいる。
　第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第１発光部の端部１５２ａから第１距離にあり、第１発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第１発光部の端部１５２ｂから第２距離にある。第２距離は、第１距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第１発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置するときは、第１距離より長くなっており、第１発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第２側Ｓ２に位置するときは、第１距離より短くなっている。
　さらに、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第２発光部の端部１５２ｂから第３距離にある。第３距離は、第２距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第１発光部及び第２発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置し、かつ第１発光部が第２発光部よりも第１側Ｓ１に近いときは、第２距離より短くなっている。
　さらに、第２発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第２発光部の端部１５２ａから第４距離にある。第４距離は、第３距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第２発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置するときは、第３距離より短くなっており、第２発光部が発光領域１５０の中心Ｃより第２側Ｓ２に位置するときは、第３距離より長くなっている。
　さらに、第３発光部の第２電極１３０（遮光層）の第１側Ｓ１の端部１３０ａは、第３発光部の端部１５２ａから第５距離にある。第３発光部は、第１発光部及び第２発光部よりも、第２側Ｓ２に近くにある。第５距離は、第３距離と異なっており、特に図２０に示す例では、第２発光部が発光領域の中心Ｃより第１側Ｓ１に位置し、第３発光部が発光領域の中心Ｃより第２側Ｓ２に位置し、かつ第３発光部が第２発光部より発光領域の中心Ｃから離れているときは、第３距離より長くなっている。
　さらに、第３発光部の第２電極１３０（遮光層）の第２側Ｓ２の端部１３０ｂは、第３発光部の端部１５２ｂから第６距離にある。第６距離は、第５距離と異なっている。
　図２１は、図１８及び図１９に示した発光部１５２、オーバラップ領域ＯＬ及びオーバラップ領域ＯＲの平面レイアウトの第２例を示す図である。この第２例は、以下の点を除いて、図２０を用いて説明した第１例と同様である。
　基板１００は、第１基板１００ａ及び第２基板１００ｂを有している。第１基板１００ａは、側Ｓ１１及び側Ｓ１２を有している、側Ｓ１１は、第１側Ｓ１として機能している。側Ｓ１２は、側Ｓ１１の反対にある。第２基板１００ｂは、側Ｓ２１及び側Ｓ２２を有している。側Ｓ２１は、第２側Ｓ２として機能している。側Ｓ２２は、側Ｓ２１の反対にある。第１基板１００ａと第２基板１００ｂは、第１基板１００ａの側Ｓ１２と第２基板１００ｂの側Ｓ２２が互いに対向するように並んでいる。一例において、第１基板１００ａの側Ｓ１２と第２基板１００ｂの側Ｓ２２は、互いに接合されていてもよい。
　本図に示す例では、第１基板１００ａ及び第２基板１００ｂを用いて、図２０に示した平面レイアウトが実現されている。具体的には、領域α中の複数の発光部１５２は、第１基板１００ａ内に位置している。これに対して、領域β中の複数の発光部１５２は、第２基板１００ｂ内に位置している。第１基板１００ａの側Ｓ１２と第２基板１００ｂの側Ｓ２２が互いに対向する場合、第１側Ｓ１から第２側Ｓ２にかけて、図２０に示した発光領域１５０と同様の発光領域１５０が形成される。
　本図に示す例でも、図２０に示した例と同様にして、発光領域１５０の中心Ｃ及びその周辺の光線透過率を高くしつつ、発光部１５２から第１位置Ｐ１（図１７）へ光が漏れることを防止することができる。
　以上、本実施形態によれば、実施形態１と同様にして、第ｋの発光部１５２（ｋ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができるとともに、第ｌの発光部１５２（ｌ）から第１位置Ｐ１に向けて光が漏れることを防止することができる。
　さらに、本実施形態によれば、透光部１５４が占める面積の割合は、発光領域１５０の中心に向かうほど大きくなっていてもよい。これにより、発光領域１５０の中心Ｃ及びその周辺の光線透過率を高くすることができる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
　この出願は、２０１６年１２月１９日に出願された日本出願特願２０１６－２４５７８９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (9)

  1. 　厚さｄ及び屈折率ｎｓの基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
    　前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
    を備え、
    　前記複数の発光部は、第１位置から最も遠い第１発光部を含み、
    　前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部との間の角度θＬとすると、
    　前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の前記第１位置側の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上２ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の発光装置において、
    　前記複数の発光部は、第１電極、有機層及び前記遮光層の順の積層構造をそれぞれ含む発光装置。
  4. 　請求項３に記載の発光装置において、
    　前記遮光層は、第２電極として機能している発光装置。
  5. 　請求項１～４のいずれかに記載の発光装置において、
    　前記角度θＬは、前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部の第１位置側と反対の端部との間の角度である発光装置。
  6. 　互いに反対の第１側及び第２側を有する基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
    　互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
    を備え、
    　前記複数の発光部は、前記複数の発光部の中で前記第１側に最も近い第１発光部を含み、
    　前記第１発光部の前記遮光層の前記第２側の端部は、前記第１発光部の端部から第１距離外側にあり、
    　前記第１距離は、
    　　前記基板の厚さ１００μｍ以上３００μｍ以下及び屈折率１．５のとき、３０．８μｍ以上２５６．７μｍ以下、又は、
    　　前記基板の厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下及び屈折率１．６のとき、２．９μｍ以上３９．６μｍ以下である発光装置。
  7. 　互いに反対の第１側及び第２側を有する基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
    　互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
    を備え、
    　前記複数の発光部は、前記複数の発光部の中で前記第１側に最も近い第１発光部を含み、
    　前記第１発光部の前記遮光層の前記第２側の端部は、前記第１発光部の端部から第１距離外側にあり、
    　前記第１距離は、
    　　５．８μｍ以上６．４μｍ以下、
    　　８．１μｍ以上８．９μｍ以下、
    　　１４．４μｍ以上１５．９μｍ以下、
    　　３０．８μｍ以上３４．１μｍ以下、
    　　４３．３μｍ以上４７．８μｍ以下又は
    　　７７．４μｍ以上８５．６μｍ以下である発光装置。
  8. 　第１位置と、
    　発光装置と、
    を備え、
    　前記発光装置は、
    　　厚さｄ及び屈折率ｎｓの基板の第１面側に位置し、遮光層をそれぞれ含む複数の発光部と、
    　　互いに隣接する前記複数の発光部の間に位置する透光部と、
    を備え、
    　前記複数の発光部は、第１位置から最も遠い第１発光部を含み、
    　前記第１位置から前記基板への垂線と、前記第１発光部との間の角度θＬとすると、
    　前記第１発光部の前記遮光層の前記第１位置側の端部は、前記第１発光部の端部からｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以上３ｄ×ｔａｎ（ａｒｃｓｉｎ（ｓｉｎθＬ／ｎｓ））以下外側にある発光システム。
  9. 　請求項８に記載の発光システムにおいて、
    　前記第１位置は、自動車の運転席であり、
    　前記発光装置は、前記自動車の後部に取り付けられている発光システム。
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