WO2018143161A1 - 光装置 - Google Patents

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WO2018143161A1
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和明 荒井
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パイオニア株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an optical device.
  • Patent Documents 1 and 2 describe examples of translucent OLEDs.
  • the OLED includes a substrate, a first electrode, an organic layer, and a plurality of second electrodes.
  • the first electrode and the organic layer are sequentially stacked on the substrate.
  • the plurality of second electrodes are arranged in stripes on the organic layer. Light from the outside of the OLED can pass through the region between the adjacent second electrodes. Thereby, OLED has translucency.
  • Patent Document 3 describes that a translucent OLED is attached to a rear window of an automobile. Such a translucent OLED can function as an automobile marker lamp, for example, a high-mount stop lamp.
  • OLEDs having translucency have been developed as light emitting devices.
  • such light emitting devices may be used in conjunction with devices (eg, photosensors or imaging devices) having light receiving elements (eg, photodiodes (PD)).
  • PD photodiodes
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress erroneous detection of a light receiving element due to light emitted from a light emitting device.
  • the invention described in claim 1 A substrate, A plurality of light emitting units located on the substrate, each including a first electrode, an organic layer and a second electrode; A translucent insulating layer that covers an end portion of each first electrode between adjacent light emitting portions of the plurality of light emitting portions; A light receiving element; With The insulating layer is continuously located from the end of one first electrode of the adjacent light emitting unit to the end of the other first electrode, An end portion of each second electrode between adjacent light emitting portions is located on the insulating layer, The region overlapping with the insulating layer is an optical device including a region functioning as a light-transmitting region.
  • the invention described in claim 7 A substrate, A light emitting unit located on the substrate and including a first electrode, an organic layer and a second electrode; A translucent first insulating layer that covers the end of the first electrode between the adjacent light emitting units among the plurality of light emitting units and has a tapered surface; A translucent second insulating layer located on the opposite side of the light emitting portion from the substrate, covering the first insulating layer and having a surface along the substrate; A light receiving element; Is an optical device.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the optical device according to the first embodiment.
  • 6 is a diagram for explaining an optical device according to Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a plan view showing a light emitting device according to Embodiment 3.
  • FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 3. It is a figure for demonstrating an example of operation
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to Embodiment 4.
  • FIG. It is a figure for demonstrating an example of operation
  • FIG. 16 is a sectional view taken along line BB in FIG.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an optical device 30 according to the first embodiment.
  • the optical device 30 includes a light emitting device 10 and a sensor device 20 (light receiving element 220).
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting elements 140, and a plurality of light transmitting portions 154.
  • the substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104.
  • the second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102.
  • the plurality of light emitting elements 140 are located on the first surface 102 side of the substrate 100.
  • Each of the plurality of light transmitting portions 154 is located between adjacent light emitting elements 140.
  • the light emitting device 10 has translucency due to the plurality of translucent portions 154.
  • the light-emitting device 10 shown in FIG. 1 has the same configuration as the light-emitting device 10 described in detail later with reference to FIG.
  • the light from the plurality of light emitting elements 140 is mainly output from the second surface 104 of the substrate 100, as will be described in detail later with reference to FIG.
  • the amount of light emitted from each light emitting element 140 and leaking from the first surface 102 side of the substrate 100 is suppressed.
  • the sensor device 20 is provided around the light emitting device 10.
  • the sensor device 20 is in front of the first surface 102 of the substrate 100, specifically, the first surface 102 side when viewed from a direction parallel to the substrate 100 and the substrate 100. It is located at a position that does not overlap the first surface 102 or the second surface 104 when viewed from a direction perpendicular to the first surface 102.
  • the sensor device 20 may be in front of the first surface 102 of the substrate 100, or may be on the side between the first surface 102 and the second surface 104 of the substrate 100.
  • the sensor device 20 may be obliquely in front of the second surface 104 of the substrate 100, and specifically, the second surface 104 of the substrate 100 when viewed from a direction parallel to the substrate 100.
  • the first surface 102 or the second surface 104 when viewed from the side and the direction perpendicular to the substrate 100 may be located.
  • the sensor device 20 performs optical sensing for acquiring information around the optical device 30.
  • the sensor device 20 includes a light emitting element 210 and a light receiving element 220.
  • the sensor device 20 can be a distance measuring sensor, in particular a LiDAR (Light Detection And Ranging).
  • the light emitting element 210 emits light toward the outside of the sensor device 20, and the light receiving element 220 receives light emitted from the light emitting element 210 and reflected by the object.
  • the light emitting element 210 can be an element that can convert electrical energy into light energy, such as a laser diode (LD), and the light receiving element 220 can be an element that can convert light energy into electrical energy, such as It can be a photodiode (PD).
  • the sensor device 20 can detect the distance from the sensor device 20 to the object based on the time from when the light is emitted from the light emitting element 210 to when it is received by the light receiving element 220.
  • the light receiving element 220 of the sensor device 20 detects light from outside the sensor device 20. Therefore, in order to prevent erroneous detection of the light receiving element 220, it is desirable to suppress the light emitted from the light emitting device 10 from entering the light receiving element 220 as much as possible.
  • the light device 30 can be used for light emitting and light sensing applications, for example, a tail lamp with a distance measuring sensor of an automobile.
  • the light emitting device 10 realizes a light emitting function
  • the sensor device 20 realizes a light sensing function.
  • erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting device 10 can be suppressed.
  • the amount of light emitted from each light emitting element 140 and leaking from the first surface 102 side of the substrate 100 is suppressed. Therefore, the light emitted from the light emitting device 10 can be prevented from entering the device 20 (light receiving element 220). Therefore, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting device 10 can be suppressed.
  • the device 20 (light receiving element 220) is in front of or obliquely in front of the first surface 102 of the substrate 100, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting device 10 can be suppressed. it can.
  • the amount of light emitted from each light emitting element 140 and leaking from the first surface 102 side of the substrate 100 is suppressed. Therefore, the leakage of the light emitted from the light emitting device 10 to the front or obliquely front side of the first surface 102 of the substrate 100 can be suppressed.
  • the device 20 (light receiving element 220) is in front of or obliquely in front of the first surface 102 of the substrate 100, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting device 10 can be suppressed.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the optical device 30 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 1 of the first embodiment.
  • the optical device 30 according to the present embodiment is the same as the optical device 30 according to the first embodiment except for the following points.
  • the sensor device 20 performs optical sensing for acquiring information around the optical device 30.
  • the sensor device 20 includes a plurality of light receiving elements 220.
  • the sensor device 20 can be an imaging sensor.
  • the plurality of light receiving elements 220 may be elements capable of converting an image into an electric signal, for example, a charge coupled device (CCD) image sensor or a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor.
  • CCD charge coupled device
  • CMOS complementary metal-oxide-semiconductor
  • each light receiving element 220 can be an element capable of converting light energy into electrical energy, such as a photodiode (PD).
  • PD photodiode
  • the sensor device 20 can detect an image of an object outside the sensor device 20 by the plurality of light receiving elements 220.
  • the light receiving element 220 of the sensor device 20 detects light from outside the sensor device 20. Therefore, in order to prevent erroneous detection of the light receiving element 220, it is desirable to suppress the amount of light emitted from the light emitting device 10 and incident on the light receiving element 220 as much as possible.
  • the optical device 30 can be used for light emission and optical sensing, for example, a tail lamp with an image sensor of an automobile.
  • the light emitting device 10 realizes a light emitting function
  • the sensor device 20 realizes a light sensing function.
  • FIG. 3 is a plan view showing the light emitting device 10 according to the third embodiment. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the Y direction is defined as the longitudinal direction of the light emitting unit 142
  • the X direction is defined as the direction intersecting with the Y direction, more specifically as the direction orthogonal to the Y direction
  • the light emitting unit 142 is along the short direction.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting units 142, and an insulating layer 160.
  • the plurality of light emitting units 142 are located on the substrate 100, and each light emitting unit 142 includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130.
  • the insulating layer 160 covers the end portions of the first electrodes 110 between the adjacent light emitting portions 142 among the plurality of light emitting portions 142.
  • the insulating layer 160 has translucency, and is continuously located from the end of one first electrode 110 to the end of the other first electrode 110 in the adjacent light emitting units 142.
  • An end portion of each second electrode 130 between adjacent light emitting portions 142 is located on the insulating layer 160.
  • a region overlapping with the insulating layer 160 includes a region functioning as the light-transmitting region 152.
  • the amount of light leaking to the opposite side of the light emitting surface of the light emitting device 10 can be suppressed.
  • the insulating layer 160 is continuously located from the end of one first electrode 110 to the end of the other first electrode 110 in the adjacent light emitting units 142. Yes.
  • the insulating layer 160 has a surface S exposed from each second electrode 130 between the adjacent light emitting portions 142.
  • the surface S can be along the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface 104 of the substrate 100). In this case, as will be described later with reference to FIGS.
  • the light emitted from the light emitting unit 142 and reflected by total reflection on the light emitting surface of the light emitting device 10 When reaching the medium on the surface S side, the incident angle of this light becomes large. Therefore, this light is reflected toward the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface 104 of the substrate 100) by total reflection.
  • the light emitted from the light emitting unit 142 and reflected by Fresnel reflection on the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface 104 of the substrate 100) reaches the medium on the surface S side of the insulating layer 160, this Fresnel reflected light.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting units 142 (a plurality of light emitting elements 140), and a plurality of light transmitting regions 152.
  • the plurality of light emitting units 142 are aligned along the X direction and extend in the Y direction. In this way, the plurality of light emitting units 142 are arranged in stripes. In particular, in the example illustrated in FIG. 3, the plurality of light emitting units 142 are arranged at equal intervals.
  • Each of the plurality of light transmitting regions 152 is located between the adjacent light emitting portions 142. In this way, the plurality of light transmissive regions 152 and the plurality of light emitting units 142 are alternately arranged along the X direction.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting elements 140, and an insulating layer 160.
  • Each light emitting element 140 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130 in order from the substrate 100.
  • the substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104.
  • the plurality of light emitting elements 140 and the insulating layer 160 are located on the first surface 102 side of the substrate 100.
  • the second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102.
  • the second surface 104 functions as a light emitting surface of the light emitting device 10, and light from the plurality of light emitting elements 140 is mainly output from the second surface 104. That is, the light flux on the second surface 104 side of the light emitted from the light emitting device 10 is larger than the light flux on the first surface 102 side of the light emitted from the light emitting device 10.
  • the substrate 100 has translucency. Therefore, light emitted from each light emitting element 140 can pass through the substrate 100. Furthermore, light that has arrived from the outside of the light emitting device 10 can pass through the substrate 100, and more specifically, is transmitted from the first surface 102 side of the substrate 100 toward the second surface 104 side of the substrate 100. In addition, the light can be transmitted from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the first surface 102 side of the substrate 100.
  • the substrate 100 includes a light-transmitting material, and in one example includes glass or resin.
  • the first electrode 110 has translucency. For this reason, the light emitted from the organic layer 120 can pass through the first electrode 110, thereby entering the substrate 100.
  • the first electrode 110 includes a material having translucency and conductivity.
  • the first electrode 110 is a metal oxide, specifically, for example, at least one of ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide). Is included.
  • the organic layer 120 can emit light by organic electroluminescence (EL).
  • the organic layer 120 includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL).
  • HIL hole injection layer
  • HTL hole transport layer
  • EML electron transport layer
  • EIL electron injection layer
  • the EML emits light by recombination of holes injected from the first electrode 110 via HIL and HTL and electrons injected from the second electrode 130 via EIL and ETL.
  • the organic layer 120 extends over the plurality of light emitting elements 140 and covers the surface S of the insulating layer 160 between the adjacent light emitting portions 142.
  • the plurality of light emitting elements 140 have a common organic layer 120.
  • the second electrode 130 is located facing the first electrode 110.
  • the second electrode 130 has a light shielding property, and specifically has a light reflecting property and a light absorbing property. For this reason, the light emitted from the organic layer 120 is reflected or absorbed by the second electrode 130 without passing through the second electrode 130.
  • the second electrode 130 may have transparency. By doing so, the overall transmittance of the light emitting device 10 is increased. Further, the transmittance of the second electrode 130 may be changed for each location of the light emitting device 10.
  • the second electrode 130 includes a conductive material.
  • the second electrode 130 includes, for example, a metal, specifically, for example, at least one of Al, Ag, and MgAg.
  • the second electrode 130 can be formed by forming a thin film of the material (for example, 100 nm or less) or using the material of the first electrode 110 described above.
  • the insulating layer 160 defines the light emitting portion 142 of the light emitting element 140. Specifically, the insulating layer 160 covers the end of each first electrode 110 so that a part of each first electrode 110 is exposed.
  • the insulating layer 160 has a side surface SS1 that intersects the surface of the first electrode 110, and the organic layer 120 and the second electrode 130 are stacked on the first electrode 110 inside the side surface SS1.
  • the light emitting element 140 has a region functioning as the light emitting portion 142, that is, a stacked body of the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130.
  • the insulating layer 160 includes a light-transmitting insulating material, for example, an organic insulating material (for example, polyimide) or an inorganic insulating material (for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN), or silicon) Oxynitride (SiON)).
  • a light-transmitting insulating material for example, an organic insulating material (for example, polyimide) or an inorganic insulating material (for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN), or silicon) Oxynitride (SiON)).
  • the insulating layer 160 preferably contains an inorganic insulating material from the viewpoint of light transmittance.
  • the light emitting device 10 has a plurality of light transmitting regions 152 and a plurality of light shielding regions 154. Each translucent region 152 is exposed from the light shielding member, specifically, the second electrode 130. Each light shielding region 154 overlaps the light shielding member, specifically, the second electrode 130. Light from the outside of the light emitting device 10 can pass through the light transmitting region 152, and specifically, can pass from the first surface 102 side of the substrate 100 toward the second surface 104 side of the substrate 100. In addition, the light can be transmitted from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the first surface 102 side of the substrate 100.
  • the insulating layer 160 has a surface S exposed from each second electrode 130 in the light-transmitting region 152. The surface S is along the second surface 104 of the substrate 100, specifically, parallel to the second surface 104 of the substrate 100. Light from the outside cannot pass through the light shielding region 154 by the second electrode 130.
  • the light-emitting device 10 can function as a transflective OLED by the plurality of light-transmitting regions 152. Specifically, when light is not emitted from the plurality of light emitting units 142, an object on the first surface 102 side can be seen through from the second surface 104 side in human vision by the plurality of light transmitting regions 152, An object on the second surface 104 side is seen through from the first surface 102 side. Furthermore, light from the plurality of light emitting units 142 is mainly output from the second surface 104 side and is hardly output from the first surface 102 side. When light is emitted from the plurality of light emitting units 142, an object on the second surface 104 side can be seen through the first surface 102 side by human vision by the plurality of light transmitting regions 152.
  • the width d1 of the light transmitting region 152 is preferably wider to some extent.
  • the width d2 of the light shielding region 154 (that is, the width of the second electrode 130). It can be widened (d1> d2).
  • FIG. 5 is a diagram for explaining an example of the operation of the light emitting device 10 shown in FIG. 3 and FIG.
  • FIG. 6 is an enlarged view of the region ⁇ in FIG.
  • the medium M ⁇ b> 1 is located on the second surface 104 side of the substrate 100
  • the medium M ⁇ b> 2 is located on the first surface 102 side of the substrate 100.
  • the medium M1 and the medium M2 are the same medium, specifically air.
  • the light emitted from the light emitting unit 142 is reflected at the interface between the second surface 104 of the substrate 100 and the medium M1 by total reflection. This light passes through the substrate 100 and the insulating layer 160 and reaches the surface S of the insulating layer 160. As shown in FIG. 6, this light is incident on the interface between the organic layer 120 and the medium M2 at an incident angle ⁇ i in the region ⁇ .
  • the amount of light leaking to the opposite side of the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface 104 of the substrate 100) via the surface S of the insulating layer 160 can be suppressed.
  • the surface S is along the second surface 104 of the substrate 100, and specifically, is parallel to the second surface 104 of the substrate 100.
  • the reflected light totally reflected at the interface between the substrate 100 and the medium M1 can be totally reflected by the surface S of the insulating layer 160, and light (leakage light) toward the first surface 102 of the light emitting device 10 on the substrate 100 side. Can be prevented.
  • the Fresnel reflected light that is Fresnel-reflected at the interface between the substrate 100 and the medium M1 the light that has entered at an angle that totally reflects the surface S of the insulating layer 160 is the surface S, or the organic layer 120 and the medium M2. It is possible to totally reflect at the interface and to reduce leakage light. In this way, the amount of light leaking via the surface S of the insulating layer 160 to the opposite side of the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface 104 of the substrate 100) can be suppressed.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a light emitting device 10 according to a comparative example, and corresponds to FIG. 4 of the third embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the comparative example is the same as the light emitting device 10 according to the third embodiment except for the following points.
  • the insulating layers 160 that define the light-emitting portions 142 are separated from each other.
  • the first surface 102 of the substrate 100 is exposed from the insulating layer 160 between the adjacent insulating layers 160 and is covered with the organic layer 120.
  • Each insulating layer 160 has a side surface SS2 opposite to the side surface SS1.
  • the side surface SS2 is not along the second surface 104 of the substrate 100, but is along a direction inclined from the second surface 104 of the substrate 100.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining an example of the operation of the light emitting device 10 shown in FIG.
  • FIG. 9 is an enlarged view of the region ⁇ in FIG.
  • the medium M ⁇ b> 1 is located on the second surface 104 side of the substrate 100
  • the medium M ⁇ b> 2 is located on the first surface 102 side of the substrate 100.
  • the medium M1 and the medium M2 are the same medium, specifically air.
  • the light emitted from the light emitting unit 142 is reflected at the interface between the second surface 104 of the substrate 100 and the medium M1 by total reflection.
  • this light is reflected at the interface between the organic layer 120 and the medium M ⁇ b> 1 between the adjacent light emitting units 142 by total reflection, and further, from the second surface 104 of the substrate 100 by total reflection. Reflected at the interface of the medium M1. As shown in FIG. 9, this light enters the interface between the organic layer 120 and the medium M2 at an incident angle ⁇ i in the region ⁇ .
  • the amount of light leaking to the opposite side of the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface 104 of the substrate 100) via the side surface SS2 of the insulating layer 160 is large.
  • the side surface SS ⁇ b> 2 is not along the second surface 104 of the substrate 100, and specifically, is inclined from the second surface 104 of the substrate 100 and is along the direction.
  • the transmittance in the transmissive portion 152 is high in the portion where the insulating film 160 is not formed. Therefore, in the light emitting device 10, the insulating film 160 may be formed so as to have the surface S in part, and the insulating film may be divided in other parts. The designer can design appropriately considering the amount of transmittance and leakage effect. For example, in the vicinity of the center of the light emitting device 10, the insulating film 160 may be divided and provided in order to increase the transmittance, and the surface S may be formed in order to reduce leakage light in the surrounding area.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the details of the light distribution of the light emitting device 10.
  • the light distribution of the light emitting device 10 has the luminous intensity L1 (first luminous intensity) in the front direction of the second surface 104 (that is, the direction perpendicular to the second surface 104). It has a light intensity L2 (second light intensity) in a direction inclined by an angle ⁇ from the front direction of the first surface 102 (that is, the direction perpendicular to the first surface 102).
  • FIG. 11 shows the light leaking to the opposite side of the light emitting surface (the second surface 104 of the substrate 100) for each of the light emitting device 10 according to the third embodiment (FIG. 4) and the light emitting device 10 according to the comparative example (FIG. 7). It is a figure which shows the simulation result of quantity.
  • the vertical axis of the graph of FIG. 11 represents the luminous intensity ratio R of the luminous intensity L2 (FIG. 10) to the luminous intensity L1 (FIG. 10), and the horizontal axis of the graph of FIG. 11 represents the angle ⁇ (FIG. 10) of the luminous intensity L2. Show.
  • the conditions of the light emitting device 10 according to Embodiment 3 and the light emitting device 10 according to the comparative example in the simulation of FIG. 11 are as follows.
  • the substrate 100 was a glass substrate (refractive index: 1.52).
  • the shape of the substrate 100 was a rectangle having a short side of 10 mm along the X direction and a long side of 40 mm along the Y direction.
  • the thickness of the substrate 100 was 0.2 mm.
  • the number of light emitting elements 140 was seven.
  • the seven light emitting portions 142 were arranged at a pitch p of 0.714 mm.
  • the width of each light emitting portion 142 was 0.2 mm, and the width of the second electrode 130 of each light emitting portion 142 (the width d2 of the light shielding region 154) was 0.25 mm.
  • the thickness of the insulating layer 160 was 0.7 ⁇ m.
  • the refractive index of the insulating layer 160 was 1.65.
  • the luminous intensity ratio R is suppressed to substantially the same degree in both the embodiment 3 and the comparative example.
  • the luminous intensity ratio R of the comparative example is slightly larger than the luminous intensity ratio R of the third embodiment.
  • the angle ⁇ is 65 ° or more and 85 ° or less
  • the luminous intensity ratio R of the third embodiment is suppressed to 10% or less, more specifically, approximately 5% or less, whereas the luminous intensity ratio R of the comparative example. Is over 10%.
  • the angle ⁇ is 70 ° or more and 80 ° or less
  • the luminous intensity ratio R of the comparative example is considerably larger than the luminous intensity ratio R of the third embodiment, and specifically exceeds 15%.
  • the luminous intensity ratio R of Embodiment 3 is kept low in any direction.
  • the angle ⁇ is 10% or less at any of 0 ° to 90 °, In particular, it is about 5% or less.
  • the reason why the luminous intensity ratio R of Embodiment 3 is kept low in any direction is that the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface of the substrate 100) as described with reference to FIGS. 5 and 6. This is presumably because the amount of light leaking to the opposite side of 104) via the surface S of the insulating layer 160 can be suppressed.
  • the reason why the luminous intensity ratio R of the comparative example is high in some directions is as described with reference to FIGS. 8 and 9. This is presumably because the amount of light leaking to the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) via the side surface SS2 of the insulating layer 160 is large.
  • the amount of light leaking to the opposite side of the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface 104 of the substrate 100) can be suppressed.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device 10 according to the fourth embodiment, and corresponds to FIG. 4 of the third embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment is the same as the light emitting device 10 according to the third embodiment except for the following points.
  • the insulating layers 160 that define the light-emitting portions 142 are separated from each other.
  • the first surface 102 of the substrate 100 is exposed from the insulating layer 160 between the adjacent insulating layers 160 and is covered with the organic layer 120.
  • Each insulating layer 160 has a side surface SS1 and a side surface SS2.
  • the side surface SS1 and the side surface SS2 are tapered surfaces.
  • the side surface SS1 is not along the second surface 104 of the substrate 100, but is along a direction inclined from the second surface 104 of the substrate 100.
  • the side surface SS2 is on the side opposite to the side surface SS1.
  • the side surface SS2 is not along the second surface 104 of the substrate 100, but is along a direction inclined from the second surface 104 of the substrate 100.
  • the light emitting device 10 includes an insulating layer 170.
  • the insulating layer 170 extends over the plurality of light emitting elements 140 and covers the plurality of light emitting elements 140.
  • the insulating layer 170 has a light-transmitting property.
  • the insulating layer 170 has a surface S.
  • the surface S faces the side opposite to the second surface 104 of the substrate 100.
  • the surface S is along the substrate 100, specifically, the second surface 104 of the substrate 100, and more specifically, is parallel to the second surface 104 of the substrate 100.
  • the surface S is along the second surface 104 of the substrate 100 in each light-transmitting region 152, and specifically, is parallel to the second surface 104 of the substrate 100 in each light-transmitting region 152.
  • the material of the insulating layer 170 is preferably the same material as the insulating layer 160, but may be a different material.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining an example of the operation of the light emitting device 10 shown in FIG. 12, and corresponds to FIG. 5 of the third embodiment.
  • the medium M ⁇ b> 1 is located on the second surface 104 side of the substrate 100
  • the medium M ⁇ b> 2 is located on the first surface 102 side of the substrate 100. is doing.
  • the medium M1 and the medium M2 are the same medium, specifically air.
  • the light emitted from the light emitting unit 142 is reflected at the interface between the second surface 104 of the substrate 100 and the medium M1 by total reflection. This light passes through the substrate 100 and the insulating layer 160 and reaches the surface S of the insulating layer 160. This light reaches the interface between the insulating layer 170 and the medium M2.
  • the surface opposite to the light emitting surface of the light emitting device 10 passes through the surface S of the insulating layer 170.
  • the amount of light leaking can be suppressed.
  • the surface S is along the second surface 104 of the substrate 100, and specifically, is parallel to the second surface 104 of the substrate 100.
  • the reflected light totally reflected by the second surface 104 of the substrate 100 can be totally reflected also by the surface S.
  • the incident angle of light at the interface between the insulating layer 170 and the medium M2 can be increased to an angle for total reflection. Therefore, similarly to the example shown in FIGS.
  • the reflected light totally reflected by the second surface 104 of the substrate 100 enters the insulating layer 170 through the insulating layer 160, no refraction occurs at the interface between the insulating layer 160 and the insulating layer 170. Therefore, as a result, the reflected light through the insulating layer 160 can enter the insulating layer 170 at an angle at which the light is totally reflected by the surface S.
  • FIG. 14 shows the light leaking to the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) for each of the light emitting device 10 according to the fourth embodiment (FIG. 12) and the light emitting device 10 according to the comparative example (FIG. 7). It is a figure which shows the simulation result of quantity, and respond
  • the conditions of the light emitting device 10 according to the fourth embodiment in the simulation of FIG. 14 are the same as the conditions of the light emitting device 10 according to the third embodiment in the simulation of FIG. 11 except that the thickness of the insulating layer 170 is 1 ⁇ m. .
  • the luminous intensity ratio R of the fourth embodiment is kept low in any direction in the same manner as the luminous intensity ratio R of the third embodiment shown in FIG. In any case of 90 ° or less, it is 10% or less, particularly about 5% or less.
  • the reason why the luminous intensity ratio R of Embodiment 4 is kept low in any direction is that the light emitting surface of the light emitting device 10 (the second surface 104 of the substrate 100) as described with reference to FIG. 13. This is presumably because the amount of light leaking to the opposite side via the surface S of the insulating layer 170 can be suppressed.
  • the amount of light leaking to the opposite side of the light emitting surface of the light emitting device 10 can be suppressed.
  • FIG. 15 is a plan view showing the light emitting device 10 according to the embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. 15.
  • FIG. 17 is a diagram in which the insulating layer 160 is removed from FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 19 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
  • a cross-sectional view along AA in FIG. 15 is as shown in FIG.
  • the organic layer 120 shown in FIGS. 4, 18, and 19 is removed from each of FIGS. 15 to 17.
  • the light emitting device 10 includes a plurality of first electrodes 110, a plurality of first connection terminals 112, a plurality of second electrodes 130, a plurality of second connection terminals 132, and an insulating layer 160.
  • the plurality of first electrodes 110 extend in the Y direction and are arranged along the X direction. Each of the plurality of first electrodes 110 is connected to each of the plurality of first connection terminals 112. In particular, in the example shown in FIG. 17, the first electrode 110 and the first connection terminal 112 are integrated.
  • Each of the plurality of second electrodes 130 overlaps each of the plurality of first electrodes 110.
  • the plurality of second electrodes 130 extend in the Y direction and are arranged along the X direction.
  • Each of the plurality of second electrodes 130 is connected to each of the plurality of second connection terminals 132.
  • a common wiring can be connected to the plurality of first connection terminals 112, and a common wiring can be connected to the plurality of second connection terminals 132. With such a configuration, a plurality of light emitting elements 140 arranged along the X direction can be connected in parallel.
  • the insulating layer 160 extends over the plurality of first electrodes 110 and has a plurality of openings 162. Each of the plurality of openings 162 overlaps each of the plurality of first electrodes 110.
  • the plurality of openings 162 extend in the Y direction and are arranged along the X direction. Each opening 162 has an edge extending in the Y direction, and this edge functions as the side surface SS ⁇ b> 1 of the insulating layer 160.
  • the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked in the opening 162 of the insulating layer 160. In this manner, the light emitting element 140 has a region that functions as the light emitting unit 142.
  • the first electrode 110 has an end portion facing the second connection terminal 132
  • the second connection terminal 132 has an end portion facing the first electrode 110, and these ends
  • the part is covered with an insulating layer 160.
  • the second electrode 130 extends from the first electrode 110 side to the second connection terminal 132 side via the region above the insulating layer 160. In this way, the insulating layer 160 prevents direct contact between the first electrode 110 and the second electrode 130, that is, short circuit between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the first electrode 110 extends toward the first connection terminal 112 via the region below the insulating layer 160 and is connected to the first connection terminal 112.
  • the end of the second electrode 130 is located on the insulating layer 160.
  • the insulating layer 160 is in direct contact between the first electrode 110 (first connection terminal 112) and the second electrode 130, that is, a short circuit between the first electrode 110 (first connection terminal 112) and the second electrode 130. Is preventing.
  • the insulating layer 160 has a surface S as shown in FIG.
  • the surface S is along the second surface 104 of the substrate 100, specifically, parallel to the second surface 104 of the substrate 100.
  • a substrate A plurality of light emitting units located on the substrate, each including a first electrode, an organic layer and a second electrode; A translucent insulating layer that covers an end portion of each first electrode between adjacent light emitting portions of the plurality of light emitting portions; With The insulating layer is continuously located from the end of one first electrode of the adjacent light emitting unit to the end of the other first electrode, An end portion of each second electrode between adjacent light emitting portions is located on the insulating layer, The region overlapping with the insulating layer includes a region functioning as a light-transmitting region. 2.
  • the substrate has a first surface and a second surface opposite to the first surface;
  • the plurality of light emitting units are located on the first surface side,
  • the insulating layer has a surface exposed from each second electrode between adjacent light emitting portions, The light emitting device, wherein the surface of the insulating layer is along the second surface of the substrate. 3.
  • the light emitting device described in The light emitting device having a larger luminous flux on the second surface side of the light emitted from the light emitting device than the luminous flux on the first surface side of the light emitted from the light emitting device. 4). 2. Or 3.
  • Each light emitting unit includes the first electrode, the organic layer, and the second electrode in order from the first surface of the substrate. 5). 1. In the light emitting device according to any one of 1 to 4, The plurality of light emitting units include light emitting units adjacent along the first direction, The width of the region exposed from each second electrode between adjacent light emitting units is wider than the width of each second electrode of adjacent light emitting units in the first direction. 6). 2.
  • the light distribution of the light emitting device has a first luminous intensity in a direction perpendicular to the second surface, and a second luminous intensity in a direction inclined by an angle ⁇ from the direction perpendicular to the first surface,
  • the luminous intensity ratio of the second luminous intensity to the first luminous intensity is 10% or less at any angle of 0 ° to 90 ° with respect to the angle ⁇ . 7).
  • a substrate A light emitting unit located on the substrate and including a first electrode, an organic layer and a second electrode; A translucent first insulating layer that covers the end of the first electrode between the adjacent light emitting units among the plurality of light emitting units and has a tapered surface; A translucent second insulating layer located on the opposite side of the light emitting portion from the substrate, covering the first insulating layer and having a surface along the substrate; A light emitting device comprising: 8). 7).
  • the substrate has a first surface and a second surface opposite to the first surface;
  • the plurality of light emitting units are located on the first surface side,
  • the second insulating layer has the surface in each light-transmitting region;
  • the light emitting device, wherein the surface of the second insulating layer is along the second surface of the substrate.
  • the light emitting device wherein the first insulating layer includes the same material as the second insulating layer. 11. 10. In the light-emitting device described in The light emitting device in which the first insulating layer and the second insulating layer have the same refractive index. 12 7). In the light emitting device according to any one of 1 to 11, Each light emitting unit includes the first electrode, the organic layer, and the second electrode in order from the first surface of the substrate. 13. 7).
  • the light distribution of the light emitting device has a first luminous intensity in a direction perpendicular to the second surface, and a second luminous intensity in a direction inclined by an angle ⁇ from the direction perpendicular to the first surface,
  • the luminous intensity ratio of the second luminous intensity to the first luminous intensity is 10% or less at any angle of 0 ° to 90 ° with respect to the angle ⁇ .

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Abstract

光装置（３０）は、発光装置（１０）及びセンサ装置（２０）（受光素子（２２０））を備えている。発光装置（１０）は、基板（１００）、複数の発光素子（１４０）及び複数の透光部（１５４）を備えている。基板（１００）は、第１面（１０２）及び第２面（１０４）を有している。第２面（１０４）は、第１面（１０２）の反対側にある。複数の発光素子（１４０）は、基板（１００）の第１面（１０２）側に位置している。複数の透光部（１５４）のそれぞれは、隣り合う発光素子（１４０）の間に位置している。発光装置（１０）は、複数の透光部（１５４）によって透光性を有している。複数の発光素子（１４０）からの光は、基板（１００）の第２面（１０４）から主に出力される。各発光素子（１４０）から発せられて基板（１００）の第１面（１０２）の外側へ向けて漏れる光の量が抑えられている。

Description

光装置
　本発明は、光装置に関する。
　近年、透光性を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。特許文献１及び２には、透光性ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、基板、第１電極、有機層及び複数の第２電極を備えている。第１電極及び有機層は、基板上で順に積層されている。複数の第２電極は、有機層上でストライプ状に配置されている。ＯＬＥＤの外部からの光は、隣り合う第２電極の間の領域を透過することができる。これにより、ＯＬＥＤは、透光性を有している。
　特許文献３には、透光性ＯＬＥＤを自動車のリアウインドウに取り付けることが記載されている。このような透光性ＯＬＥＤは、自動車の標識灯、例えば、ハイマウントストップランプとして機能することができる。
特開２０１３－１４９３７６号公報 特開２０１３－１９７０６８号公報 特開２０１５－１９５１７３号公報
　上述したように、近年、透光性を有するＯＬＥＤが発光装置として開発されている。一定の用途（例えば、自動車のテールランプ）においては、このような発光装置が、受光素子（例えば、フォトダイオード（ＰＤ））を有する装置（例えば、光センサ又は撮像装置）と一緒に用いられる場合がある。この場合、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を可能な限り抑える必要がある。
　本発明が解決しようとする課題としては、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑えることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、
　基板と、
　前記基板に位置し、それぞれが第１電極、有機層及び第２電極を含む複数の発光部と、
　前記複数の発光部のうちの隣り合う発光部の間で各第１電極の端部を覆う透光性の絶縁層と、
　受光素子と、
を備え、
　前記絶縁層は、隣り合う発光部の一方の第１電極の端部から他方の第１電極の端部まで連続して位置し、
　隣り合う発光部の間の各第２電極の端部は、前記絶縁層上に位置し、
　前記絶縁層と重なる領域は、透光領域として機能する領域を含む光装置である。
　請求項７に記載の発明は、
　基板と、
　前記基板に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
　複数の前記発光部のうち、隣り合う前記発光部の間で第１電極の端部を覆いテーパー面を有する透光性の第１絶縁層と、
　前記発光部の前記基板と反対側に位置し、前記第１絶縁層を覆い前記基板と沿う面を有する透光性の第２絶縁層と、
　受光素子と、
を備える光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態１に係る光装置を説明するための図である。 実施形態２に係る光装置を説明するための図である。 実施形態３に係る発光装置を示す平面図である。 図３のＡ－Ａ断面図である。 図３及び図３に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 図５の領域αを拡大した図である。 比較例に係る発光装置を示す断面図である。 図７に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 図８の領域βを拡大した図である。 発光装置の配光分布の詳細を説明するための図である。 実施形態３に係る発光装置（図４）及び比較例に係る発光装置（図７）の各々に関して、発光面の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果を示す図である。 実施形態４に係る発光装置を示す断面図である。 図１２に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 実施形態４に係る発光装置（図１２）及び比較例に係る発光装置（図７）の各々に関して、発光面の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果を示す図である。 実施例に係る発光装置を示す平面図である。 図１５から第２電極を取り除いた図である。 図１６から絶縁層を取り除いた図である。 図１５のＢ－Ｂ断面図である。 図１５のＣ－Ｃ断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（実施形態１）
　図１は、実施形態１に係る光装置３０を説明するための図である。
　光装置３０は、発光装置１０及びセンサ装置２０（受光素子２２０）を備えている。
　発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び複数の透光部１５４を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。複数の発光素子１４０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。複数の透光部１５４のそれぞれは、隣り合う発光素子１４０の間に位置している。発光装置１０は、複数の透光部１５４によって透光性を有している。
　図１に示す発光装置１０は、図３以降の図を用いて詳細を後述する発光装置１０と同様の構成を有している。図３以降の図を用いて詳細を後述するように、複数の発光素子１４０からの光は、基板１００の第２面１０４から主に出力される。特に本実施形態では、各発光素子１４０から発せられて基板１００の第１面１０２側から漏れる光の量が抑えられている。
　センサ装置２０は、発光装置１０の周囲に設けられている。図１に示す例では、センサ装置２０は、基板１００の第１面１０２の斜め前にあり、具体的には、基板１００に平行な方向から見たときの第１面１０２側かつ、基板１００に垂直な方向から見たときの第１面１０２又は第２面１０４と重ならない位置に位置している。他の例において、センサ装置２０は、基板１００の第１面１０２の正面にあってもよいし、又は基板１００の第１面１０２と第２面１０４の間の側方にあってもよい。さらに他の例において、センサ装置２０は、基板１００の第２面１０４の斜め前にあってもよく、具体的には、基板１００に平行な方向から見たときの基板１００の第２面１０４側かつ、基板１００に垂直な方向から見たときの第１面１０２又は第２面１０４と重ならない位置に位置していてもよい。
　センサ装置２０は、光装置３０の周囲の情報を取得するための光センシングを行う。図１に示す例において、センサ装置２０は、発光素子２１０及び受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、測距センサ、特にＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　Ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）にすることができる。この例において、発光素子２１０は、センサ装置２０の外部に向けて光を発し、受光素子２２０は、発光素子２１０から発せられて対象物によって反射された光を受ける。一例において、発光素子２１０は、電気的エネルギーを光エネルギーに変換可能な素子、例えばレーザダイオード（ＬＤ）にすることができ、受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、光が発光素子２１０から発せられてから受光素子２２０によって受けられるまでの時間に基づいて、センサ装置２０から対象物までの距離を検出することができる。
　センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられた光が受光素子２２０に入射されることを可能な限り抑えることが望ましい。
　光装置３０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、測距センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置２０が光センシングの機能を実現する。
　上述した構成によれば、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。具体的には、上述したように、本実施形態では、各発光素子１４０から発せられて基板１００の第１面１０２側から漏れる光の量が抑えられている。したがって、発光装置１０から発せられる光の装置２０（受光素子２２０）へ入射されることを抑えることができる。したがって、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
　特に本実施形態においては、装置２０（受光素子２２０）が基板１００の第１面１０２の正面又は斜め前にあっても、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。上述したように、本実施形態では、各発光素子１４０から発せられて基板１００の第１面１０２側から漏れる光の量が抑えられている。したがって、発光装置１０から発せられた光の基板１００の第１面１０２の正面又は斜め前への漏れを抑えることができる。したがって、装置２０（受光素子２２０）が基板１００の第１面１０２の正面又は斜め前にあっても、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
（実施形態２）
　図２は、実施形態２に係る光装置３０を説明するための図であり、実施形態１の図１に対応する。本実施形態に係る光装置３０は、以下の点を除いて、実施形態１に係る光装置３０と同様である。
　センサ装置２０は、光装置３０の周囲の情報を取得するための光センシングを行う。図２に示す例において、センサ装置２０は、複数の受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、撮像センサにすることができる。この例において、複数の受光素子２２０は、画像を電気信号に変換可能な素子、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサにすることができる。一例において、各受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、複数の受光素子２２０によって、センサ装置２０の外部の対象物の像を検出することができる。
　センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられて受光素子２２０に入射される光の量を可能な限り抑えることが望ましい。
　光装置３０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、撮像センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置２０が光センシングの機能を実現する。
　本実施形態においても、実施形態１と同様にして、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
（実施形態３）
　図３は、実施形態３に係る発光装置１０を示す平面図である。図４は、図３のＡ－Ａ断面図である。図３では、Ｙ方向は、発光部１４２の長手方向として規定されており、Ｘ方向は、Ｙ方向に交わる方向として、より具体的にはＹ方向に直交する方向として規定されており、特に図３に示す例では、発光部１４２の短手方向に沿っている。
　図４を用いて、発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１４２及び絶縁層１６０を備えている。複数の発光部１４２は、基板１００に位置しており、各発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。絶縁層１６０は、複数の発光部１４２のうちの隣り合う発光部１４２の間で各第１電極１１０の端部を覆っている。絶縁層１６０は、透光性を有しており、隣り合う発光部１４２のうちの一方の第１電極１１０の端部から他方の第１電極１１０の端部まで連続して位置している。隣り合う発光部１４２の間の各第２電極１３０の端部は、絶縁層１６０上に位置している。絶縁層１６０と重なる領域は、透光領域１５２として機能する領域を含んでいる。
　上述した構成によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、絶縁層１６０は、隣り合う発光部１４２のうちの一方の第１電極１１０の端部から他方の第１電極１１０の端部まで連続して位置している。絶縁層１６０は、隣り合う発光部１４２の間で各第２電極１３０から露出した面Ｓを有している。上述した構成においては、面Ｓは、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）に沿うようにすることができる。この場合、図５及び図６を用いて後述するように、発光部１４２から出射されて発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）で全反射によって反射した光が絶縁層１６０の面Ｓ側の媒質に達したとき、この光の入射角が大きいものとなる。したがって、この光は、全反射によって発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）に向けて反射する。また、発光部１４２から出射されて発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）でフレネル反射によって反射した光が絶縁層１６０の面Ｓ側の媒質に達したとき、このフレネル反射光のうちの入射角が大きいものは、全反射によって発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）に向けて反射する。このようにして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。
　次に、図３を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１４２（複数の発光素子１４０）及び複数の透光領域１５２を備えている。
　複数の発光部１４２は、Ｘ方向に沿って並び、Ｙ方向に延伸している。このようにして、複数の発光部１４２は、ストライプ状に並んでいる。特に図３に示す例では、複数の発光部１４２は、等間隔で配置されている。
　複数の透光領域１５２のそれぞれは、隣り合う発光部１４２の間に位置している。このようにして、複数の透光領域１５２及び複数の発光部１４２は、Ｘ方向に沿って交互に並んでいる。
　次に、図４を用いて、発光装置１０の断面構造の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の発光素子１４０及び絶縁層１６０を備えている。各発光素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を基板１００から順に有している。
　基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。複数の発光素子１４０及び絶縁層１６０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。第２面１０４は、発光装置１０の発光面として機能しており、複数の発光素子１４０からの光は、主に第２面１０４から出力される。つまり、発光装置１０から発せられる光の第２面１０４側における光束は、発光装置１０から発せられる光の第１面１０２側における光束よりも大きくなっている。
　基板１００は、透光性を有している。したがって、各発光素子１４０から発せられた光は、基板１００を透過することができる。さらに、発光装置１０の外部から届いた光は、基板１００を透過することができ、より具体的には、基板１００の第１面１０２側から基板１００の第２面１０４側に向かって透過することができるとともに、基板１００の第２面１０４側から基板１００の第１面１０２側に向かって透過することができる。
　基板１００は、透光性を有する材料を含んでおり、一例において、ガラス又は樹脂を含んでいる。
　第１電極１１０は、透光性を有している。このため、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０を透過することができ、これにより、基板１００に入射することができる。
　第１電極１１０は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、一例において、金属酸化物、具体的には例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも１つを含んでいる。
　有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって光を発することができる。一例において、有機層１２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。ＥＭＬは、第１電極１１０からＨＩＬ及びＨＴＬを経由して注入された正孔及び第２電極１３０からＥＩＬ及びＥＴＬを経由して注入された電子の再結合によって光を発する。
　図４に示す例では、有機層１２０は、複数の発光素子１４０に亘って広がっており、隣り合う発光部１４２の間で、絶縁層１６０の面Ｓを覆っている。言い換えると、複数の発光素子１４０は、共通の有機層１２０を有している。
　第２電極１３０は、第１電極１１０と向かい合って位置している。例えば、第２電極１３０は、遮光性を有しており、具体的には、光反射性及び光吸収性を有している。このため、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０を透過することなく、第２電極１３０によって反射され、又は吸収される。一方で、第２電極１３０が透過性を有していてもよい。このようにすることで、発光装置１０の全体の透過率が上がる。また、第２電極１３０の透過率が発光装置１０の場所ごとに変わっていてもよい。
　第２電極１３０は、導電性を有する材料を含んでおり、第２電極１３０が遮光性を有する場合は例えば金属、具体的には例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。また、第２電極１３０が透光性を有する場合は上記材料を薄く製膜する（例えば１００ｎｍ以下）ことや、上述した第１電極１１０の材料を用いることで第２電極１３０を形成できる。
　絶縁層１６０は、発光素子１４０の発光部１４２を画定している。具体的には、絶縁層１６０は、各第１電極１１０の一部を露出するように各第１電極１１０の端部を覆っている。絶縁層１６０は、第１電極１１０の表面に交わる側面ＳＳ１を有しており、有機層１２０及び第２電極１３０は、側面ＳＳ１よりも内側で第１電極１１０に積層されている。このようにして、発光素子１４０は、発光部１４２として機能する領域、すなわち、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層体を有している。
　絶縁層１６０は、透光性を有する絶縁材料を含んでおり、例えば、有機絶縁材料（例えば、ポリイミド）又は無機絶縁材料（例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）又はシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ））を含んでいる。特に、光透過性の観点から絶縁層１６０が無機絶縁材料を含むことが好ましい。
　発光装置１０は、複数の透光領域１５２及び複数の遮光領域１５４を有している。各透光領域１５２は、遮光部材、具体的には、第２電極１３０から露出している。各遮光領域１５４は、遮光部材、具体的には、第２電極１３０と重なっている。発光装置１０の外部からの光は、透光領域１５２を透過することができ、具体的には、基板１００の第１面１０２側から基板１００の第２面１０４側に向かって透過することができるとともに、基板１００の第２面１０４側から基板１００の第１面１０２側に向かって透過することができる。特に、絶縁層１６０は、透光領域１５２において各第２電極１３０から露出した面Ｓを有している。面Ｓは、基板１００の第２面１０４に沿っており、具体的には、基板１００の第２面１０４と平行になっている。外部からの光は、第２電極１３０によって遮光領域１５４を透過することはできない。
　複数の透光領域１５２によって、発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤとして機能することができる。具体的には、複数の発光部１４２から光が発せられていない場合、複数の透光領域１５２によって、人間の視覚では、第１面１０２側の物体が第２面１０４側から透けて見え、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。さらに、複数の発光部１４２からの光は、第２面１０４側から主に出力され、第１面１０２側からはほとんど出力されない。複数の発光部１４２から光が発せられている場合、複数の透光領域１５２によって、人間の視覚では、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。
　発光装置１０の光線透過率を高くする観点からすると、透光領域１５２の幅ｄ１は、ある程度広いことが好ましく、一例において、遮光領域１５４の幅ｄ２（すなわち、第２電極１３０の幅）よりも広くすることができる（ｄ１＞ｄ２）。
　図５は、図３及び図４に示した発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。図６は、図５の領域αを拡大した図である。図５及び図６に示す例では、基板１００の第２面１０４側には媒質Ｍ１が位置しており、基板１００の第１面１０２側には媒質Ｍ２が位置している。媒質Ｍ１及び媒質Ｍ２は、同じ媒質であり、具体的には、空気である。
　図５に示す例では、発光部１４２から発せられた光が全反射によって基板１００の第２面１０４と媒質Ｍ１の界面で反射している。この光は、基板１００及び絶縁層１６０を透過して絶縁層１６０の面Ｓに達する。図６に示すように、この光は、領域αで有機層１２０と媒質Ｍ２の界面に入射角θｉで入射する。
　図５及び図６に示す例では、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１６０の面Ｓを経由して漏れる光の量を抑えることができる。詳細には、面Ｓは、基板１００の第２面１０４に沿っており、具体的には、基板１００の第２面１０４と平行になっている。このような構成によって、絶縁層１６０の面Ｓでの入射角あるいは有機層１２０と媒質Ｍ２の界面での光の入射角θｉを大きくすることができる。このため、基板１００と媒質Ｍ１の界面で全反射した反射光が絶縁層１６０の面Ｓで全反射することができ、発光装置１０の基板１００の第１面１０２側への光（漏れ光）の発生を防ぐことができる。また、基板１００と媒質Ｍ１との界面でフレネル反射したフレネル反射光のうち、絶縁層１６０の面Ｓに対して全反射するような角度で侵入した光を面Ｓ、あるいは有機層１２０と媒質Ｍ２との界面で全反射することができ、漏れ光を減らすことができる。このようにして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１６０の面Ｓを経由して漏れる光の量を抑えることができる。
　図７は、比較例に係る発光装置１０を示す断面図であり、実施形態３の図４に対応する。比較例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態３に係る発光装置１０と同様である。
　図７に示す発光装置１０では、各発光部１４２を画定する絶縁層１６０が互いに離間している。基板１００の第１面１０２は、隣り合う絶縁層１６０の間で絶縁層１６０から露出しており、有機層１２０によって覆われている。
　各絶縁層１６０は、側面ＳＳ１とは反対側の側面ＳＳ２を有している。側面ＳＳ２は、基板１００の第２面１０４に沿っておらず、基板１００の第２面１０４から傾いた方向に沿っている。
　図８は、図７に示した発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。図９は、図８の領域βを拡大した図である。図８及び図９に示す例では、基板１００の第２面１０４側には媒質Ｍ１が位置しており、基板１００の第１面１０２側には媒質Ｍ２が位置している。媒質Ｍ１及び媒質Ｍ２は、同じ媒質であり、具体的には、空気である。
　図８に示す例では、発光部１４２から発せられた光が全反射によって基板１００の第２面１０４と媒質Ｍ１の界面で反射している。特に図８に示す例では、この光は、全反射によって、隣り合う発光部１４２の間で有機層１２０と媒質Ｍ１の界面で反射し、さらに、全反射によって、基板１００の第２面１０４と媒質Ｍ１の界面で反射している。図９に示すように、この光は、領域βで有機層１２０と媒質Ｍ２の界面に入射角θｉで入射する。
　図８及び図９に示す例では、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１６０の側面ＳＳ２を経由して漏れる光の量が多いものとなる。詳細には、側面ＳＳ２は、基板１００の第２面１０４に沿っておらず、具体的には、基板１００の第２面１０４から傾いて方向に沿っている。このような構成によって、発光部１４２の光のうち、入射角θ０で入射し、基板１００の第２面１０４で全反射した光は絶縁膜１６０の側面ＳＳ２でθ０とは異なる角度のθｉで侵入することとなり、結果全反射が起こらずに絶縁膜１６０を介して媒質Ｍ２側へ漏れ光となって放出される。つまり、絶縁膜１６０に側面ＳＳ２が形成されていると有機層１２０と媒質Ｍ２の界面の入射角θｉは小さいものとなる。したがって、領域βでは、基板１００の第２面１０４で全反射した光で有機層１２０と媒質Ｍ２の界面に達したものの大部分が媒質Ｍ２側に向けて透過する。このようにして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１６０の側面ＳＳ２を経由して漏れる光の量が多いものとなる。
　なお、比較例に係る構成は透過部１５２における透過率は絶縁膜１６０が形成されていない部分では高くなる。そのため、発光装置１０において、一部では絶縁膜１６０が面Ｓを有するように形成して、他の部分では絶縁膜を分断して形成してもよい。設計者が透過率と漏れ効の量を勘案して適宜設計することができる。例えば、発光装置１０の中心付近では、透過率を高めるために絶縁膜１６０を分断して設け、他方周囲の部分での漏れ光を削減するために面Ｓを形成するようにしてもよい。
　図１０は、発光装置１０の配光分布の詳細を説明するための図である。図１０に示す例では、発光装置１０の配光分布は、第２面１０４の正面方向（すなわち、第２面１０４に垂直な方向）に光度Ｌ１（第１光度）を有しており、第１面１０２の正面方向（すなわち、第１面１０２に垂直な方向）から角度φ傾いた方向に光度Ｌ２（第２光度）を有している。
　図１１は、実施形態３に係る発光装置１０（図４）及び比較例に係る発光装置１０（図７）の各々に関して、発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果を示す図である。図１１のグラフの縦軸は、光度Ｌ１（図１０）に対する光度Ｌ２（図１０）の光度比Ｒを示しており、図１１のグラフの横軸は、光度Ｌ２の角度φ（図１０）を示している。
　図１１のシミュレーションにおける実施形態３に係る発光装置１０及び比較例に係る発光装置１０の各々の条件は、以下のとおりとした。
　基板１００は、ガラス基板（屈折率：１．５２）とした。基板１００の形状は、Ｘ方向に沿った１０ｍｍの短辺及びＹ方向に沿った４０ｍｍの長辺を有する矩形とした。基板１００の厚みは、０．２ｍｍとした。
　発光素子１４０（発光部１４２）の数は７つとした。７つの発光部１４２は、０．７１４ｍｍのピッチｐで並べた。各発光部１４２の幅は、０．２ｍｍとした、各発光部１４２の第２電極１３０の幅（遮光領域１５４の幅ｄ２）は、０．２５ｍｍとした。
　絶縁層１６０の厚みは、０．７μｍとした。絶縁層１６０の屈折率は、１．６５とした。
　図１１に示すように、角度φが０°以上５０°以下のとき、実施形態３及び比較例のいずれにおいても、光度比Ｒがほぼ同じ程度に抑えられている。角度φが５５°以上６０°以下のとき、比較例の光度比Ｒは、実施形態３の光度比Ｒよりもやや大きくなる。角度φが６５°以上８５°以下のとき、実施形態３の光度比Ｒは、１０％以下、より具体的にはほぼ５％以下に抑えられているのに対して、比較例の光度比Ｒは、１０％を超えている。特に角度φが７０°以上８０°以下のとき、比較例の光度比Ｒは、実施形態３の光度比Ｒよりも相当に大きくなっており、具体的には１５％を超えている。
　図１１に示す例では、実施形態３の光度比Ｒは、いずれの方向においても低く抑えられており、具体的には、角度φについて０°以上９０°以下のいずれにおいても、１０％以下、特におおよそ５％以下となっている。
　図１１において実施形態３の光度比Ｒがいずれの方向においても低く抑えられている理由は、図５及び図６を用いて説明したように、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１６０の面Ｓを経由して漏れる光の量を抑えることができているためであると推測される。
　図１１において比較例の光度比Ｒが一部の方向（角度φについておおよそ６５°以上８５°以下）において高くなっている理由は、図８及び図９を用いて説明したように、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１６０の側面ＳＳ２を経由して漏れる光の量が多いものとなっているためであると推測される。
　以上、本実施形態によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。
（実施形態４）
　図１２は、実施形態４に係る発光装置１０を示す断面図であり、実施形態３の図４に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態３に係る発光装置１０と同様である。
　図１２に示す発光装置１０では、各発光部１４２を画定する絶縁層１６０が互いに離間している。基板１００の第１面１０２は、隣り合う絶縁層１６０の間で絶縁層１６０から露出しており、有機層１２０によって覆われている。
　各絶縁層１６０は、側面ＳＳ１及び側面ＳＳ２を有している。側面ＳＳ１及び側面ＳＳ２は、テーパー面となっている。側面ＳＳ１は、基板１００の第２面１０４に沿っておらず、基板１００の第２面１０４から傾いた方向に沿っている。側面ＳＳ２は、側面ＳＳ１とは反対側にある。側面ＳＳ２は、基板１００の第２面１０４に沿っておらず、基板１００の第２面１０４から傾いた方向に沿っている。
　発光装置１０は、絶縁層１７０を備えている。絶縁層１７０は、複数の発光素子１４０に亘って広がっており、複数の発光素子１４０を覆っている。絶縁層１７０は、透光性を有している。
　絶縁層１７０は、面Ｓを有している。面Ｓは、基板１００の第２面１０４とは反対側を向いている。さらに、面Ｓは、基板１００、具体的には、基板１００の第２面１０４に沿っており、より具体的には、基板１００の第２面１０４と平行になっている。特に、面Ｓは、各透光領域１５２で、基板１００の第２面１０４に沿っており、具体的には、各透光領域１５２で、基板１００の第２面１０４と平行になっている。絶縁層１７０の材料は絶縁層１６０と同じ材料であることが好ましいが、異なる材料であってもよい。
　図１３は、図１２に示した発光装置１０の動作の一例を説明するための図であり、実施形態３の図５に対応する。図５に示した例と同様にして、図１３に示す例では、基板１００の第２面１０４側には媒質Ｍ１が位置しており、基板１００の第１面１０２側には媒質Ｍ２が位置している。媒質Ｍ１及び媒質Ｍ２は、同じ媒質であり、具体的には、空気である。
　図１３に示す例では、発光部１４２から発せられた光が全反射によって基板１００の第２面１０４と媒質Ｍ１の界面で反射している。この光は、基板１００及び絶縁層１６０を透過して絶縁層１６０の面Ｓに達する。この光は、絶縁層１７０と媒質Ｍ２の界面に達する。
　図１３に示す例では、図５及び図６に示した例と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１７０の面Ｓを経由して漏れる光の量を抑えることができる。詳細には、面Ｓは、基板１００の第２面１０４に沿っており、具体的には、基板１００の第２面１０４と平行になっている。このような構成によって、基板１００の第２面１０４で全反射した反射光を面Ｓでも全反射できるようになる。具体的には、絶縁層１７０と媒質Ｍ２の界面での光の入射角を全反射する角度まで大きくすることができる。このため、図５及び図６に示した例と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１７０の面Ｓを経由して漏れる光の量を抑えることができる。また、絶縁層１６０と絶縁層１７０とを同じ材料を含ませるなどによって、屈折率差を少なくすることが好ましく、絶縁層１６０の屈折率と絶縁層１７０の屈折率が同じであることが特に好ましい。このようにすることで、基板１００の第２面１０４で全反射した反射光が絶縁層１６０を介して絶縁層１７０に入射しても絶縁層１６０と絶縁層１７０との界面で屈折が起こらないため、結果的に絶縁層１６０を介した反射光が面Ｓで全反射する角度で絶縁層１７０に侵入することができる。
　図１４は、実施形態４に係る発光装置１０（図１２）及び比較例に係る発光装置１０（図７）の各々に関して、発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量のシミュレーション結果を示す図であり、実施形態３の図１１に対応する。
　図１４のシミュレーションにおける実施形態４に係る発光装置１０の条件は、絶縁層１７０の厚みが１μｍである点を除いて、図１１のシミュレーションにおける実施形態３に係る発光装置１０の条件と同一とした。
　図１４に示す例では、図１１に示した実施形態３の光度比Ｒと同様にして、実施形態４の光度比Ｒは、いずれの方向においても低く抑えられており、角度φについて０°以上９０°以下のいずれにおいても、１０％以下、特におおよそ５％以下となっている。
　図１４において実施形態４の光度比Ｒがいずれの方向においても低く抑えられている理由は、図１３を用いて説明したように、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１７０の面Ｓを経由して漏れる光の量を抑えることができているためであると推測される。
　本実施形態においても、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ漏れる光の量を抑えることができる。
　図１５は、実施例に係る発光装置１０を示す平面図である。図１６は、図１５から第２電極１３０を取り除いた図である。図１７は、図１６から絶縁層１６０を取り除いた図である。図１８は、図１５のＢ－Ｂ断面図である。図１９は、図１５のＣ－Ｃ断面図である。図１５のＡ－Ａ断面図は、図４に示したようになる。説明のため、図４及び図１８及び図１９に示した有機層１２０は、図１５から図１７までの各図から取り除いている。
　図１５から図１７を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、複数の第１電極１１０、複数の第１接続端子１１２、複数の第２電極１３０、複数の第２接続端子１３２及び絶縁層１６０を備えている。
　複数の第１電極１１０は、Ｙ方向に延伸しており、Ｘ方向に沿って並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続端子１１２のそれぞれに接続している。特に図１７に示す例では、第１電極１１０及び第１接続端子１１２は、一体となっている。
　複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれと重なっている。複数の第２電極１３０は、Ｙ方向に延伸しており、Ｘ方向に沿って並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続端子１３２のそれぞれに接続している。
　複数の第１接続端子１１２には、共通の配線を接続させることができ、複数の第２接続端子１３２には、共通の配線を接続させることができる。このような構成によって、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の発光素子１４０を並列に接続させることができる。
　絶縁層１６０は、複数の第１電極１１０に亘って広がっており、複数の開口１６２を有している。複数の開口１６２のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれと重なっている。複数の開口１６２は、Ｙ方向に延伸しており、Ｘ方向に沿って並んでいる。各開口１６２は、Ｙ方向に延伸する縁を有しており、この縁は、絶縁層１６０の側面ＳＳ１として機能している。図４から明らかなように、絶縁層１６０の開口１６２内では、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０が積層されている。このようにして、発光素子１４０は、発光部１４２として機能する領域を有している。
　図１８を用いて、第２接続端子１３２の近傍における絶縁層１６０の断面構造の詳細について説明する。図１８に示すように、第１電極１１０は、第２接続端子１３２に対向する端部を有し、第２接続端子１３２は、第１電極１１０に対向する端部を有し、これらの端部は、絶縁層１６０によって覆われている。第２電極１３０は、絶縁層１６０の上方の領域を経由して第１電極１１０側から第２接続端子１３２側にかけて広がっている。このようにして、絶縁層１６０は、第１電極１１０と第２電極１３０の直接接触、すなわち、第１電極１１０と第２電極１３０の短絡を防止している。
　図１９を用いて、第１接続端子１１２の近傍における絶縁層１６０の断面構造の詳細について説明する。図１９に示すように、第１電極１１０は、絶縁層１６０の下方の領域を経由して第１接続端子１１２側に向けて広がっており、第１接続端子１１２に接続している。第２電極１３０の端部は、絶縁層１６０上に位置している。このようにして、絶縁層１６０は、第１電極１１０（第１接続端子１１２）と第２電極１３０の直接接触、すなわち、第１電極１１０（第１接続端子１１２）と第２電極１３０の短絡を防止している。
　本実施例においても、図４に示したように、絶縁層１６０は、面Ｓを有している。面Ｓは、基板１００の第２面１０４に沿っており、具体的には、基板１００の第２面１０４と平行になっている。このような構成によって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側へ絶縁層１６０の面Ｓを経由して漏れる光の量を抑えることができる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
　以下、参考形態の例を付記する。
１．　基板と、
　前記基板に位置し、それぞれが第１電極、有機層及び第２電極を含む複数の発光部と、
　前記複数の発光部のうちの隣り合う発光部の間で各第１電極の端部を覆う透光性の絶縁層と、
を備え、
　前記絶縁層は、隣り合う発光部の一方の第１電極の端部から他方の第１電極の端部まで連続して位置し、
　隣り合う発光部の間の各第２電極の端部は、前記絶縁層上に位置し、
　前記絶縁層と重なる領域は、透光領域として機能する領域を含む発光装置。
２．　１．に記載の発光装置において、
　前記基板は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、
　前記複数の発光部は、前記第１面側に位置し、
　前記絶縁層は、隣り合う発光部の間で各第２電極から露出した面を有し、
　前記絶縁層の前記面は、前記基板の前記第２面に沿っている発光装置。
３．　２．に記載の発光装置において、
　前記発光装置から発せられる光の前記第２面側における光束は、前記発光装置から発せられる光の前記第１面側における光束よりも大きい発光装置。
４．　２．又は３．に記載の発光装置において、
　各発光部は、前記基板の前記第１面から、前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極が順に含んでいる発光装置。
５．　１．から４までのいずれか一つに記載の発光装置において、
　前記複数の発光部は、第１方向に沿って隣り合う発光部を含み、
　隣り合う発光部の間で各第２電極から露出した領域の幅は、前記第１方向において、隣り合う発光部の各第２電極の幅よりも広い発光装置。
６．　２．に記載の発光装置において、
　前記発光装置の配光分布は、前記第２面に垂直な方向に第１光度を有し、前記第１面に垂直な方向から角度φ傾いた方向に第２光度を有し、
　前記第１光度に対する前記第２光度の光度比は、角度φについて０°以上９０°以下のいずれにおいても、１０％以下である発光装置。
７．　基板と、
　前記基板に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
　複数の前記発光部のうち、隣り合う前記発光部の間で第１電極の端部を覆いテーパー面を有する透光性の第１絶縁層と、
　前記発光部の前記基板と反対側に位置し、前記第１絶縁層を覆い前記基板と沿う面を有する透光性の第２絶縁層と、
を備える発光装置。
８．　７．に記載の発光装置において、
　隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光領域を備え、
　前記基板は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、
　複数の前記発光部は、前記第１面側に位置し、
　前記第２絶縁層は各透光領域で前記面を有し、
　前記第２絶縁層の前記面は、前記基板の前記第２面に沿っている発光装置。
９．　８．に記載の発光装置において、
　前記発光装置から発せられる光の前記第２面側における光束は、前記発光装置から発せられる光の前記第１面側における光束よりも大きい発光装置。
１０．　７．かから９までのいずれか１つに記載の発光装置において、
　前記第１絶縁層は前記第２絶縁層と同じ材料を含む発光装置。
１１．　１０．に記載の発光装置において、
　前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とは屈折率が同じである発光装置。
１２．　７．から１１までのいずれか一つに記載の発光装置において、
　各発光部は、前記基板の前記第１面から、前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極が順に含んでいる発光装置。
１３．　７．から１２までのいずれか一つに記載の発光装置において、
　前記発光装置の配光分布は、前記第２面に垂直な方向に第１光度を有し、前記第１面に垂直な方向から角度φ傾いた方向に第２光度を有し、
　前記第１光度に対する前記第２光度の光度比は、角度φについて０°以上９０°以下のいずれにおいても、１０％以下である発光装置。
　この出願は、２０１７年２月２日に出願された日本出願特願２０１７－０１７４１０号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (15)

  1. 　基板と、
    　前記基板に位置し、それぞれが第１電極、有機層及び第２電極を含む複数の発光部と、
    　前記複数の発光部のうちの隣り合う発光部の間で各第１電極の端部を覆う透光性の絶縁層と、
    　受光素子と、
    を備え、
    　前記絶縁層は、隣り合う発光部の一方の第１電極の端部から他方の第１電極の端部まで連続して位置し、
    　隣り合う発光部の間の各第２電極の端部は、前記絶縁層上に位置し、
    　前記絶縁層と重なる領域は、透光領域として機能する領域を含む光装置。
  2. 　請求項１に記載の光装置において、
    　前記基板は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、
    　前記複数の発光部は、前記第１面側に位置し、
    　前記絶縁層は、隣り合う発光部の間で各第２電極から露出した面を有し、
    　前記絶縁層の前記面は、前記基板の前記第２面に沿っている光装置。
  3. 　請求項２に記載の光装置において、
    　前記基板から発せられる光の前記第２面側における光束は、前記基板から発せられる光の前記第１面側における光束よりも大きい光装置。
  4. 　請求項２又は３に記載の光装置において、
    　各発光部は、前記基板の前記第１面から、前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極が順に含んでいる光装置。
  5. 　請求項１から４までのいずれか一項に記載の光装置において、
    　前記複数の発光部は、第１方向に沿って隣り合う発光部を含み、
    　隣り合う発光部の間で各第２電極から露出した領域の幅は、前記第１方向において、隣り合う発光部の各第２電極の幅よりも広い光装置。
  6. 　請求項２に記載の光装置において、
    　前記基板から発せられる光の配光分布は、前記第２面に垂直な方向に第１光度を有し、前記第１面に垂直な方向から角度φ傾いた方向に第２光度を有し、
    　前記第１光度に対する前記第２光度の光度比は、角度φについて０°以上９０°以下のいずれにおいても、１０％以下である光装置。
  7. 　基板と、
    　前記基板に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
    　複数の前記発光部のうち、隣り合う前記発光部の間で第１電極の端部を覆いテーパー面を有する透光性の第１絶縁層と、
    　前記発光部の前記基板と反対側に位置し、前記第１絶縁層を覆い前記基板と沿う面を有する透光性の第２絶縁層と、
    　受光素子と、
    を備える光装置。
  8. 　請求項７に記載の光装置において、
    　隣り合う発光部の間にそれぞれ位置する複数の透光領域を備え、
    　前記基板は、第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、
    　複数の前記発光部は、前記第１面側に位置し、
    　前記第２絶縁層は各透光領域で前記面を有し、
    　前記第２絶縁層の前記面は、前記基板の前記第２面に沿っている光装置。
  9. 　請求項８に記載の光装置において、
    　前記基板から発せられる光の前記第２面側における光束は、前記基板から発せられる光の前記第１面側における光束よりも大きい光装置。
  10. 　請求項７かから９までのいずれか１項に記載の光装置において、
    　前記第１絶縁層は前記第２絶縁層と同じ材料を含む光装置。
  11. 　請求項１０に記載の光装置において、
    　前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とは屈折率が同じである光装置。
  12. 　請求項８又は９に記載の光装置において、
    　各発光部は、前記基板の前記第１面から、前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極が順に含んでいる光装置。
  13. 　請求項８又は９に記載の光装置において、
    　前記基板から発せられる光の配光分布は、前記第２面に垂直な方向に第１光度を有し、前記第１面に垂直な方向から角度φ傾いた方向に第２光度を有し、
    　前記第１光度に対する前記第２光度の光度比は、角度φについて０°以上９０°以下のいずれにおいても、１０％以下である光装置。
  14. 　請求項１から１３までのいずれか一項に記載の光装置において、
    　前記受光素子を含む測距センサを備える光装置。
  15. 　請求項１から１４までのいずれか一項に記載の光装置において、
    　前記受光素子を含む撮像センサを備える光装置。
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