JP2009238833A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、各画素25に有機EL素子(10)の出射光の一部を受光素子27に導く光導光部ARを設ける。
【選択図】 図1
Description
図2は、本発明の実施例1の画像表示装置を示すブロック図である。この表示装置21は、水平駆動回路22及び垂直駆動回路23により表示部24を駆動し、この表示部24に所望の画像を表示する。
以上の構成において、この表示装置21では、水平駆動回路22及び垂直駆動回路23による表示部24の駆動により、この表示部24で画像データD1による画像が表示される(図2)。またこの表示部24を構成する各画素25では(図3)、フォトディテクタ27により有機EL素子26の出射光量をモニタした光フィードバック方式によるパルス幅変調方式により有機EL素子26を発光させる期間が信号線SIGに出力される駆動信号Ssigに応じて設定され、これにより駆動信号Ssigによる階調により各画素25が発光して所望の画像が表示される(図4、図5)。また各画素25では(図1)、いわゆるトップエミッション方式により有機EL素子26の出射光を、絶縁基板2とは逆側に向かって出射し、これにより十分な開口率により出射光を出射する。
以上の構成によれば、有機EL素子の出射光の一部を受光素子に導く光導光部を各画素に設けることにより、トップエミッション方式の場合であっても、光フィードバック方式により各画素の発光輝度のばらつきを補正することができる。
Claims (12)
- マトリックス状に画素を配置した表示部によりトップエミッション方式で所望の画像を表示する画像表示装置において、
前記画素は、
有機EL素子と、
前記有機EL素子の下層側に配置されて、前記有機EL素子の出射光の一部を受光する受光素子と、
前記有機EL素子の下層側に配置されて、前記受光素子の受光結果に基づいて光フィードバック方式により前記有機EL素子を駆動する半導体素子とを備え、
前記有機EL素子の出射光の一部を前記受光素子に導く光導光部が設けられた
ことを特徴とする画像表示装置。 - 前記光導光部は、
前記有機EL素子からの出射光の波長帯域における前記受光素子の感度が小さくなるほど光量が大きくなるように、前記有機EL素子の出射光を前記受光素子に導く
ことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記光導光部は、
前記有機EL素子からの出射光の波長帯域における前記受光素子の感度に反比例する光量により、前記有機EL素子の出射光を前記受光素子に導く
ことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記有機EL素子が、
前記半導体素子側の下部電極と、
前記下部電極に対向するように設けられた上部電極と、
前記下部電極及び上部電極とにより挟持された有機EL層とにより形成され、
前記下部電極の透過率を局所的に増大させて、前記光導光部が形成された
ことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記下部電極が、
前記有機EL層の出射光を透過する透過電極と、
前記透過電極の透過光を反射する反射電極との積層により形成され、
前記反射電極が設けられない部位が局所的に作成されて、前記光導光部が形成された
ことを特徴とする請求項3に記載の画像表示装置。 - 前記有機EL素子が、
前記半導体素子側の下部電極と、
前記下部電極に対向するように設けられた上部電極と、
前記下部電極及び上部電極とにより挟持された有機EL層とにより形成され、
前記上部電極側の部位における反射率を局所的に増大させて、前記光導光部が形成された
ことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記上部電極の上に、前記上部電極の透過光を反射する反射部材が局所的に設けられて、前記光導光部が形成された
ことを特徴とする請求項5に記載の画像表示装置。 - 前記光導光部が、隣接する画素との間に設けられる隔壁の下に設けられた
ことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記光導光部が、前記有機EL素子の有機EL層より上層に反射膜を設けて作成された
ことを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。 - 前記反射膜に、対応する画素に向かって徐々に前記有機EL層から遠ざかるテーパーが形成された
ことを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。 - 前記反射膜の表面が凹凸形状により作成された
ことを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。 - 前記光導光部が、前記有機EL素子の有機EL層より上層に反射膜を設けて作成された
ことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
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