JP2003173869A

JP2003173869A - 表示装置

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Publication number: JP2003173869A
Application number: JP2001370903A
Authority: JP
Inventors: Nobutoshi Asai; 伸利浅井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-12-05
Filing date: 2001-12-05
Publication date: 2003-06-20
Anticipated expiration: 2021-12-05
Also published as: JP4151263B2

Abstract

(57)【要約】【課題】複数配列形成された各発光素子の劣化による
表示ムラを高精度に防止し、長期の安定した画像表示が
可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示領域３に複数の発光素子を配列して
なる表示装置１において、各発光素子での発光光ｈを受
光する光検出部１１と、この光検出部１１で検出された
各発光素子での発光量に基づいて、当該各発光素子に流
す電流値を制御する制御部と、光検出部１１への外光の
侵入を防止するための遮光膜２２とを備えたことを特徴
としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特
には発光素子を配列形成してなる表示装置に好適な表示
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機材料のエレクトロルミネッセンス
（Electroluminescence ：以下ＥＬと記す）を利用した
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、有機正孔輸送層
や有機発光層を積層させてなる有機材料層を挟持してい
る。このような構成の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との
間に電圧を印加することにより、陰極から注入された電
子と陽極から注入された正孔とが有機発光層で再結合す
ることで発光が生じる自発光素子であることが知られて
おり、１０Ｖ以下の駆動電圧で、数１００〜数１０００
ｃｄ／ｍ²の輝度が得られる。このため、この有機ＥＬ
素子を発光素子として用いた表示装置（すなわち有機Ｅ
Ｌディスプレイ）は、次世代フラットパネルディスプレ
イ（Flat Panel Display：以下ＦＰＤと記す）として有
望視されている。

【０００３】ところが、このような有機ＥＬ素子は、自
発光型であるため、発光効率の経時的な低下は避けられ
ない。特に、このような発光素子を各画素に配列形成し
てなる表示装置においては、それぞれの発光素子の劣化
は各発光素子の発光履歴によってばらつくため、表示輝
度が低下するだけではなく、表示画面にムラが生じる。
特に、パーソナルコンピュータ等の情報端末のモニター
として、このような表示装置を用いた場合、静止画を長
時間表示するといった駆動方法がなされるため、画像を
切り換えた場合であっても、長時間表示されていた静止
画が残像として見えるといった、「焼き付き」現象が生
じ安くなる。

【０００４】このような「焼き付き」の防止を目的とし
て、特願平１１−２６０５５には、連続して固定的に表
示される画像を、所定の周期で反転させて表示する方
法、さらにはこの画像を所定の周期でずらして表示する
方法が開示されている。

【０００５】また、特願平１０−５３１３６１には、画
素毎に駆動素子を設けて発光素子の駆動を制御するアク
ティブマトリックス型の表示装置において、発光素子で
の発光量が所定基準値に近付くように、駆動素子に印加
される電圧を制御する表示装置が記載されている。この
表示装置には、各発光素子での発光量を測定するための
発光量測定部が各画素に設けられており、これらの発光
量測定部で測定した発光量に基づいて各駆動素子に印加
される電圧を制御する電圧制御部が設けられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述したよ
うな表示装置やその駆動方法には次のような課題があっ
た。すなわち、特願平１１−２６０５５のような表示方
法のうち、表示画像を所定の周期で反転させる表示方法
は、モノクロ表示に対しては有効であるものの、カラー
表示においては反転画像が全く異質な画像となるため、
カラー表示を行う表示装置への適用が困難である。さら
に表示画像を所定の周期でずらす表示方法では、表示位
置にずれが生じるため、静止画の表示には不向きであっ
た。

【０００７】そして、特願平１０−５３１３６１に記載
のような表示装置では、各画素部に、発光素子での発光
量を測定するための発光量測定部が設けられているが、
各画素は、発光素子での発光光を最大限に取り出すため
に広く開口している。このため、これらの画素部に設け
られた発光量測定部には外光が入り易く、発光素子での
発光量を正確に測定することが困難であった。したがっ
て、これらの発光量測定部で測定された発光量に基づい
て駆動素子の電圧を制御しても、発光素子での発光量を
高精度に補正することはできなかった。

【０００８】そこで本発明は、複数配列形成された各発
光素子の劣化による表示ムラを高精度に防止し、長期の
安定した画像表示が可能な表示装置を提供することを目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明は、各画素に発光素子を設けてなる表示
装置において、各発光素子での発光光を受光する光検出
部、この光検出部で検出された各発光素子での発光量に
基づいて各発光素子に流す電流値を制御する制御部、お
よび光検出部への外光の侵入を防止するための遮光膜を
備えている。

【００１０】このような構成の表示装置においては、遮
光膜によって光検出部への外光の侵入が防止されるた
め、光検出部では発光素子からの発光光のみが検出され
る。したがって、より正確に発光素子での発光量が検知
され、正確に検知された発光量に基づいて、各発光素子
に流す電流量が制御される。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。ここでは、有機ＥＬ素子を
発光素子として用いた表示装置（いわゆる有機ＥＬディ
スプレイ）に本発明を適用した各実施の形態を説明す
る。しかし、本発明は、発光素子として有機ＥＬ素子を
用いたものに限定されることはなく、無機ＥＬ素子やＬ
ＥＤのような発光素子を用いた表示装置にも同様に適用
可能である。

【００１２】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実
施形態の表示装置を説明するためのブロック図である。
この図に示す表示装置１は、その表示パネル１ａ上に、
表示領域３を備えている。また、ここでの図示は省略し
たが、この表示領域３には、複数の画素がマトリックス
状に配列され、これらの画素毎に発光素子が設けられて
いる。

【００１３】この表示領域３には、各発光素子に発光光
を生じさせるための信号を供給するドライブ回路５が接
続されている。このドライブ回路５には、ドライブ回路
５による信号の供給を制御する階調制御回路７が接続さ
れている。

【００１４】また、この表示装置１には、表示領域３の
各発光素子で生じた発光光を検知するための光検出部１
１が設けられている。この光検出部５は、例えばシリコ
ンフォトダイオードからなり、表示パネル１ａ上におけ
る表示領域３の周囲に配置され、ここでは表示領域３の
周囲を囲むように４つの光検出部１１が配置されている
こととする。

【００１５】図２には、図１中における表示パネル１ａ
部分のＡ−Ａ’部の拡大断面図を示す。この拡大断面図
に示すように、表示パネル１ａは、例えば透明基板２１
の一主面側に表示領域３と光検出部１１とを備えてお
り、表示領域３に設けられた各発光素子で生じた発光光
ｈが、透明基板２１側から放出される様に構成されてい
る。また、透明基板２１の他主面側には、発光領域３の
周縁を取り囲む状態で遮光膜２２が設けられており、こ
の遮光膜２２の下方に透明基板２１を挟んで光検出部１
１が配置されていた構成になっている。

【００１６】ここで、遮光膜２２の下方における光検出
部１１の配置位置は、透明基板２１側から表示パネル１
ａに入射される外光Ｈが、遮光膜２２に遮られて光検出
部１１に入射することの無い位置であることとする。具
体的には、透明基板２１側から照射された外光Ｈが表示
パネル１ａ内に入射される臨界角をθｃ、遮光膜２２か
ら光検出部１１までの間隔（ここでは透明基板２１の膜
厚に対応）をｔとした場合、下記式（１）に示すような
遮光膜２２の端縁からの距離ｄ１よりも内側に光検出部
１１が配置されることとする。ｄ１＝ｔ×ｔａｎθｃ…（１）

【００１７】また、図２中の二点差線で示すように、光
検出部１１’は、透明基板２１における、表示領域３と
反対側の面に設けても良い。この場合、透明基板２１上
の光検出部１１’は、遮光膜２２で覆われた状態で配置
されることになる。そして、この場合における光検出部
１１’の具体的な配置位置は、透明基板２１側から照射
された外光Ｈが表示パネル１ａ内に入射される臨界角を
θｃ、外光Ｈの反射面から光検出部１１’までの間隔
（ここでは透明基板２１の膜厚に対応）をｔとした場
合、下記式（２）に示すような遮光膜２２の端縁からの
距離ｄ２よりも内側に光検出部１１が配置されることと
する。ｄ２＝２ｔ×ｔａｎθｃ…（２）

【００１８】以上のように光検出部１１（１１’）を配
置することで、光検出部１１（１１’）に対する外光Ｈ
の入射を防止し、表示領域３で生じた発光光ｈのみを光
検出部１１（１１’）に入射させる。尚、遮光膜２２
は、黒色の有機材料やレジスト材料からなり、特に導電
性に問題の無い場合には黒色の導電性材料で構成されて
いても良い。

【００１９】ここで再び図１に戻り、以上のように遮光
膜（図２参照）と共に表示パネル１ａに設けられた光検
出部１１には、各光検出部１１で光検出を行うための検
出回路１３が接続されている。この検出回路１３には、
４つの光検出部１１が並列に接続されており、これによ
り各光検出部１１で検出された発光量が合算されて検出
されることになる。また、この検出回路１３には、光検
出を制御する信号発生回路１５と、記憶回路１７とが接
続されている。

【００２０】信号発生回路１５は、上述した階調制御回
路７にも接続されており、例えば、この信号発生回路１
５に対して外部から表示装置１をオフする信号（オフ信
号）Ｓ_offが入力された場合に、表示領域３に設けられ
た全ての発光素子を順次発光させるテスト発光が行われ
るように、階調制御回路７を介してドライブ回路５を制
御すると共に、この際に各発光素子において順次発生さ
せた発光光の各発光量を光検出部１１で順次検出するよ
うに検出回路１３を制御する。つまり、この信号発生回
路１５は、各発光素子を順次発光させ、かつ順次発光光
を検出させるための駆動制御部として設けられている。
尚、このテスト発光の際には、各発光素子は、予め設定
された一定の電圧によって駆動されることとする。

【００２１】一方、記憶回路１７は、検出回路１３で検
出された各発光素子での発光光の発光量を、各発光素子
に対応させて記憶するための記憶部として設けられてい
る。この記憶回路１７は、階調制御回路７にも接続され
ている。

【００２２】ここで、階調制御回路７は、上述したよう
に、信号発生回路１５からの指示によって、発光素子を
順次発光させるようにドライブ回路５よる発光素子への
信号の供給を制御するだけではなく、外部から画像信号
Ｓｇが入力された場合には、この画像信号Ｓｇが表示領
域３の各発光素子に供給されるようにドライブ回路５を
制御する。

【００２３】この際、特に、この階調制御回路７は、各
発光素子に対して画像信号Ｓｇに対応する電流が流され
るように、記憶回路１７に記憶された各発光素子の発光
量に基づいて、ドライブ回路５から発光素子に供給され
る信号を補正するための制御部でもある。つまり、表示
領域３に設けられた全ての発光素子に対して、一定の輝
度の発光が行われるような画像信号Ｓｇが入力された場
合に、記憶回路１７に記憶された各発光素子の発光量に
基づいて、全ての発光素子に一定の電流が流れるよう
に、ドライブ回路５から各発光素子に供給される信号量
を補正するのである。

【００２４】尚、表示領域３に配置された各発光素子
は、光検出器１１との距離がそれぞれ個別であるため、
発光量が同一であっても、この距離の違いによって光検
出器１１で検出される発光量に「差」が生じる。このた
め、この「差」を補正するためのデータを予め採取して
おき、この「差」によって信号量の補正を調整すること
が好ましい。

【００２５】また、光検回路１３で検出される発光量に
は、光検出部１１における暗電流出力もある。このた
め、階調制御回路７には、発光素子を非発光状態とした
場合の出力を測定しておき、これをバックグラウンドと
して信号量を補正するような演算機能を持たせても良
い。

【００２６】さらに、光検出部１１における光検出が温
度依存性の高いものである場合、当該光検出部１１での
発光光の検出量は、発光素子の発光による発熱に影響さ
れる。このため、光検出部１１の近くに温度センサを配
置し、この温度センサで検出された温度に基づいて、補
正量を調整するようにしても良い。

【００２７】ここで、表示領域３の各発光素子に供給さ
れる信号量の補正は、次のように行われることとする。
先ず、この表示装置１が、パッシブマトリックス型の表
示装置である場合、有機ＥＬ素子からなる発光素子の陰
極と陽極に印加される電圧を補正することで、発光素子
に対して画像信号Ｓに対応する電流が流されるようにす
る。一方、この表示装置がアクティブマトリックス型の
表示装置である場合、表示領域３の各画素には、有機Ｅ
Ｌ素子からなる発光素子とこれを駆動する画素回路が設
けられているため、発光素子及び画素回路に印加される
電圧を補正することで、発光素子に対して画像信号Ｓに
対応する電流が流されるようにする。

【００２８】以上説明した構成の表示装置１では、表示
装置１の電源をオフするためのオフ信号Ｓ_offが信号発
生回路１５に入力されると、表示領域３に配置された各
発光素子に順次一定の電圧が印加され、この電圧印加に
よる発光光が光検出部１１で検出されて、記憶回路１７
に記憶される。尚、表示装置１の電源は、この一連の動
作の後に、実質的にオフとなる。一方、表示装置１の電
源をオンすることで、階調制御回路７に画像信号Ｓｇが
入力されると、記憶回路１７に記憶された各発光素子の
発光量に基づいて、この画像信号Ｓｇに対応する電流が
各発光素子に流されるように、ドライブ回路５から各発
光素子に供給される信号量が補正される。

【００２９】したがって、各発光素子が、それぞれの発
光履歴に従って劣化し、供給される信号量に対する発光
量が個別に低下した場合であっても、各発光素子に供給
される信号量が、それぞれの発光素子の劣化状態に対応
して個別に補正される。

【００３０】特に、本実施形態の表示装置１は、図２を
用いて説明したように、遮光膜２２を設けたことで、発
光素子の劣化状態を検知するための光検出部１１に外光
Ｈが入射されることを防止したため、正確に各発光素子
の発光量を検知して劣化状態を把握できる。

【００３１】この結果、長期の使用に際しても、「焼き
付き」のような表示ムラを完全に防止することができ、
良好な画質を確実に保った表示を行うことが可能にな
る。

【００３２】また、各発光素子の発光量を検出するため
のテスト発光も、電源をオフする際に各発光素子を１回
ずつ順次点灯させるだけなので、表示画面に対して影響
を及ぼすことなく行うことができる。

【００３３】尚、上述した第１実施形態においては、電
源をオフする際にテスト発光が行われるようにしたが、
本発明はこれに限定さえることはなく、例えば電源をオ
ンにした直後で画像表示を行う前に、テスト発光を行う
様にしても良い。

【００３４】（第２実施形態）本第２実施形態は、アク
ティブマトリックス型の表示装置に本発明を適用した実
施の形態を説明する。図３は、本第２実施形態の表示装
置における１画素分の回路図である。尚、本発明はこの
回路構成に限定されることはない。

【００３５】先ず、この表示装置における各画素の回路
構成を図３に基づいて説明する。この表示装置の表示領
域には、各画素に表示信号を送信するための走査線Ｘと
信号線Ｙとが行列状に配線されており、これらの交わる
部分に各画素が設けられている。

【００３６】各画素には、スイッチング用のｎ型トラン
ジスタＴｒ１（以下、スイッチングトランジスタＴｒ１
と記す）、電流制御用のｐ型トランジスタＴｒ２（以
下、電流制御トランジスタＴｒ２と記す）、保持容量
Ｃ、およびフォトダイオードＤからなる画素回路と、発
光素子（すなわち有機ＥＬ素子）ＥＬとで構成されてい
る。尚、スイッチングトランジスタＴｒ１、電流制御ト
ランジスタＴｒ２は、共に薄膜トランジスタであること
とする。

【００３７】スイッチングトランジスタＴｒ１は、走査
線Ｘにゲートを接続させると共に、ソースを信号線Ｙに
接続させている。また、このスイッチングトランジスタ
Ｔｒ１のドレインは、保持容量Ｃを介してプラス電源Ｖ
＋に接続している。フォトダイオードＤは、アノードを
プラス電源Ｖ＋に接続させ、カソードをスイッチングト
ランジスタＴｒ１のドレイン側に接続させた状態で、保
持容量Ｃと並列に設けられている。さらに、スイッチン
グトランジスタＴｒ１のドレインは、電流制御トランジ
スタＴｒ２のゲートに接続している。そして、電流制御
トランジスタＴｒ２のソースはプラス電源Ｖ＋に、ドレ
インは発光素子ＥＬのアノードに接続され、発光素子Ｅ
Ｌのカソードは、全画素共通のマイナス電源Ｖ−に接続
されている。回路の接地は、プラス電源Ｖ＋、マイナス
電源Ｖ−のどちらであっても良く、また、これらとは別
の電位であっても良い。

【００３８】次に、輝度を一定するする動作原理を、上
記図３および図４を用いて説明する。先ず、表示装置の
ある走査線Ｘが選択されると、その走査線Ｘに接続され
た画素のスイッチングＴｒ１がＯＮ状態になり、電流制
御トランジスタＴｒ２に輝度信号が加えられる。この輝
度信号は、プラス電源Ｖ＋を基準とした負出力として加
えられる。このとき、保持容量Ｃが充電され、また発光
素子ＥＬが発光を開始する。一方、保持容量Ｃに並列に
接続されたフォトダイオードＤが発光素子ＥＬの光を受
けて抵抗が下がり、保持容量Ｃを徐々に放電させるた
め、電流制御トランジスタＴｒ２の電位が徐々に上が
り、発光素子ＥＬに流れる電流が減る。ここで、図４に
示すように、同じ輝度信号が与えられていても、発光素
子ＥＬの発光強度が高いと（）、フォトダイオードＤ
の低抵抗化が大きいため、保持容量Ｃの放電が早くな
り、発光素子ＥＬを流れる電流も早く減衰し、発光素子
ＥＬの発光も早く減衰する。また、発光素子ＥＬの発光
強度が低い場合には（）、フォトダイオードＤの低抵
抗化が小さいため、保持容量Ｃの放電が遅くなり、発光
素子ＥＬを流れる電流の減衰も遅くなり、発光素子ＥＬ
の発光減衰も遅くなる。ここで、電流制御トランジスタ
Ｔｒ２の電圧電流変換が概ね直線であれば、輝度信号に
より保持容量Ｃに保持される電荷量と、発光素子ＥＬの
発光量の積算値とは概ね比例する。このため、発光素子
ＥＬの発光効率、すなわち流した電流に対する輝度の比
が異なる素子であっても、輝度信号出力と発光素子ＥＬ
の１フィールド間での発光量（積算値）とは概ね比例す
ることになる。したがって、発光素子ＥＬが劣化して発
光効率が低下しても、輝度への影響を解消することがで
きる。

【００３９】次に、図５を用いて、この表示装置の画素
構造を説明する。この図に示すように、表示装置３１
は、基板３２上の各画素に、画素駆動用の画素回路３
３、これを覆う平坦化絶縁膜３４、平坦化絶縁膜３４上
に形成された発光素子ＥＬ、これを覆う保護膜３６、こ
の上部に形成された遮光膜３７、および接着層３８を介
して基板３２と対向して配置された対向基板３９を積層
してなる。

【００４０】ここで、基板３２上に設けられた画素回路
３３は、上述したような回路構成でであり、ここでは、
スイッチングトランジスタ（Ｔｒ１）の図示を省略し、
電流制御トランジスタＴｒ２、保持容量Ｃ、および光検
出部としてのフォトダイオードＤを図示した。

【００４１】そして、スイッチングトランジスタおよび
電流制御トランジスタＴｒ２は、ゲート電極３１１と、
これを覆う状態で設けられた酸化シリコン３１２からな
るゲート絶縁膜と、さらにこの上部に形成されたポリシ
リコン層３１３部分からなるソース・ドレインとで構成
されている。この電流制御トランジスタＴｒ２のソース
・ドレインには、第１電源（Ｖ１）からの電源線３１４
が接続されている。

【００４２】また、保持容量Ｃは、ゲート電極３１１と
同一層のゲート電極層３１１ａを下部電極とし、酸化シ
リコン３１２を介して配置されたポリシリコン層３１３
を上部電極として構成されている。さらに、フォトダイ
オードＤは、ゲート電極３１１と同一層のゲート電極層
３１１ａ上に形成されており、このゲート電極層３１１
上に設けられた半導体層３１５と、その上部のポリシリ
コン層３１３部分とで構成されている。尚、保持容量Ｃ
の下部電極を構成するゲート電極層３１１ａと、フォト
ダイオードＤに接続されたゲート電極層３１１ａとは、
電流制御トランジスタＴｒ２のゲート電極３１１と電気
的に接続されていることとする。

【００４３】そして特に、フォトダイオードＤは、隣接
する画素の発光素子ＥＬでの発光光が入射することのな
い位置、例えば発光素子ＥＬの中央部下方に配置されて
いることとする。

【００４４】また、発光素子ＥＬは、反射性電極３５１
と、この上部に積層された有機ＥＬ層３５２と、この有
機ＥＬ層３５２上に積層された光透過電極３５３とで構
成されている。この発光素子ＥＬは、反射性電極３５１
によって、電流制御トランジスタＴｒ２のソース・ドレ
インに接続され、このソース・ドレイン間に流れる電流
が反射性電極３５１に供給される。また、光透過電極３
５３は、各画素の共通電極として設けられ第２電源（Ｖ
２）に接続される。

【００４５】そして特に、この反射性電極３５１には、
発光素子ＥＬの有機ＥＬ層３５２での発光光をフォトダ
イオードＤに供給するための開口部Ａが形成されている
ところが、ポイントになる。

【００４６】さらに、この発光素子ＥＬ上に保護膜３６
を介して設けられた遮光膜３７は、対向基板３９側から
入射する外光Ｈが、フォトダイオードＤに入射すること
を防止する位置に配置されることとし、これによってフ
ォトダイオードＤには、当該画素に配置された発光素子
ＥＬでの発光光ｈのみを入射させる構成とする。この遮
光膜３７は、黒色の有機塗料または黒色のレジスト等に
よって構成されることとする。また、保護膜３６によっ
て発光素子ＥＬとの間の絶縁性が確実な場合には、この
遮光膜３７は遮光性を有していれば導電性材料を用いて
構成されていても良い。

【００４７】このような構成の表示装置３１では、画素
回路３３内に上述したようにフォトダイオードＤを設け
たことにより、各発光素子ＥＬが、それぞれの発光履歴
に従って劣化し、供給される信号量に対する発光量が個
別に低下した場合であっても、フォトダイオードＤの抵
抗値の変化により、電流制御トランジスタを流れる電流
量が制御されて発光量が一定になるように各発光素子Ｅ
Ｌにフィードバックが掛かる。したがって、それぞれの
発光素子ＥＬの劣化状態に対応して、各発光素子ＥＬに
流れる電流値が個別に補正される。

【００４８】また、特に、本実施形態の表示装置３１
は、図５を用いて説明したように、遮光膜３７を設けた
ことで、発光素子ＥＬの劣化状態を検知するためのフォ
トダイオードＤに外光Ｈが入射されることを防止したた
め、正確に各発光素子ＥＬの発光量を検知して劣化状態
を把握できる。

【００４９】この結果、第１実施形態の表示装置と同様
に、長期の使用に際しても、「焼き付き」のような表示
ムラを完全に防止することができ、良好な画質を確実に
保った表示を行うことが可能になる。

【００５０】尚、第２実施形態の表示装置においては、
発光素子ＥＬを構成するの反射性電極３５１に形成した
開口部Ａ部分に重ねて透明電極材料を形成することで、
この開口部Ａ上においても発光が生じるようになる。こ
のため、フォトダイオードＤにより多くの発光光ｈを入
射させることが可能になり、検出能力の向上を図ること
が可能になる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の表示装置に
よれば、遮光膜によって外光から遮られた位置に光検出
部を設けたことで、複数の発光素子の発光量を正確に検
知してこれらの劣化状態を正確に把握できるため、長期
の使用に際しても、「焼き付き」のような表示ムラを完
全に防止することができ、確実に良好な画質を保った表
示を行うことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の表示装置のブロック図である。

【図２】第１実施形態の表示装置の要部断面図である。

【図３】第２実施形態の表示装置の１画素分の回路図で
ある。

【図４】第２実施形態の表示装置の動作原理を説明する
図である。

【図５】第２実施形態の表示装置の１画素分の断面図で
ある。

【符号の説明】

１，３１…表示装置、３…表示領域、７…階調制御回路
（制御部）、１１…光検出部、１５…信号発生回路（駆
動制御部）、１７…記憶回路、２２，３７…遮光膜、３
３…画素回路、Ｔｒ２…電流制御トランジスタ、Ｄ…フ
ォトダイオード、ＥＬ…発光素子、ｈ…発光光、Ｈ…外
光、Ｖ１…第１電源、Ｖ２…第２電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｐ６７０６７０Ｊ 3/30 3/30 ＪＫＨ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 ＡＦターム(参考） 3K007 AB02 AB17 BA06 BB07 DB03 GA04 5C080 AA06 BB05 DD04 DD05 DD29 EE28 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 5C094 AA03 AA07 AA55 BA03 BA27 CA19 DB01 EA04 EA05 EA07 ED15 FA01 FA02 FB01 FB12 FB14 FB15 FB20 GA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表示領域に複数の発光素子を配列してな
る表示装置において、前記各発光素子での発光光を受光する光検出部と、前記光検出部で検出された前記各発光素子での発光量に
基づいて、当該各発光素子に流す電流値を制御する制御
部と、前記光検出部への外光の侵入を防止するための遮光膜と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】請求項１記載の表示装置において、前記光検出部は、前記表示領域の周囲に配置されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】請求項２記載の表示装置において、前記各発光素子を順次発光させる駆動制御部と、前記検出部で検出された前記各発光素子の発光量を記憶
する記憶部とを備え、前記駆動制御部は、前記記憶部に記憶された前記各発光
素子の発光量に基づいて、当該各発光素子に流す電流値
を制御することを特徴とする表示装置。
【請求項４】請求項１記載の表示装置において、前記光検出部は、前記各発光素子が設けられた画素毎に
配置されており、当該画素に設けられた発光素子からの
発光光のみが入射される位置に配置されていることを特
徴とする表示装置。
【請求項５】請求項４記載の表示装置において、前記各画素には前記発光素子を駆動するための画素回路
が設けられ、前記画素回路を構成する電流制御トランジスタのゲート
電極と、前記発光素子に電流を流すための第１電源また
は第２電源との間に、前記光検出部および前記制御部と
してフォトダイオードが接続されていることを特徴とす
る表示装置。