JP2008176115A - 表示装置、制御演算装置、表示駆動方法 - Google Patents
表示装置、制御演算装置、表示駆動方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】有機EL素子等の自発光素子を用いた表示装置において外光照度の変化に対して視認性を維持する。
【解決手段】発光輝度情報と外光照度情報を検出し、これらに基づいて表示部の各画素の発光期間の調整値を算出する。そして各画素の発光期間の調整により、外光に応じて適切な視認性が得られるように表示輝度を制御する。発光期間の調整のために、各画素の発光期間を決定する発光制御信号のパルスデューティを調整制御する。
【選択図】図10
【解決手段】発光輝度情報と外光照度情報を検出し、これらに基づいて表示部の各画素の発光期間の調整値を算出する。そして各画素の発光期間の調整により、外光に応じて適切な視認性が得られるように表示輝度を制御する。発光期間の調整のために、各画素の発光期間を決定する発光制御信号のパルスデューティを調整制御する。
【選択図】図10
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence)素子(以下、有機EL素子)などの自発光素子を用いた画素が配列された表示部を有する表示装置、及びその表示装置に用いられる制御演算装置、さらには表示装置の表示駆動方法に関する。
従来より、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)、レーザ・ダイオード(LD:Lazer Diode)、有機EL素子などの自発光素子を用いた表示装置(ディスプレイ)の開発がなされている。
この種の表示装置は、一般に、自発光素子をマトリクス状に複数個配置して画面部(表示パネル)が構成され、各素子を映像信号に応じて選択的に発光させることにより、映像表示が行われる。
例えばテレビジョン受像機、コンピュータ用モニタディスプレイ、携帯情報端末等においてこれらの表示装置が利用され、情報システムの進展に伴い、ユーザインターフェースとしての表示装置の重要性は大きくなっている。特には、目に優しく、高精細な画面で見やすく、かつ動画が遅れなしにくっきりと綺麗に見える高解像度、高速応答のディスプレイが要求されている。
この種の表示装置は、一般に、自発光素子をマトリクス状に複数個配置して画面部(表示パネル)が構成され、各素子を映像信号に応じて選択的に発光させることにより、映像表示が行われる。
例えばテレビジョン受像機、コンピュータ用モニタディスプレイ、携帯情報端末等においてこれらの表示装置が利用され、情報システムの進展に伴い、ユーザインターフェースとしての表示装置の重要性は大きくなっている。特には、目に優しく、高精細な画面で見やすく、かつ動画が遅れなしにくっきりと綺麗に見える高解像度、高速応答のディスプレイが要求されている。
自発光素子を用いた表示装置は、例えば液晶ディスプレイ(LCD:Liquid Crystal Display)のようなバックライトが不要なため、薄型、軽量化を実現でき、消費電力の面でも有利といわれている。
特に有機化合物を発光材料とする有機EL素子を用いた有機ELディスプレイは、視野角が広く、コントラストが高く、視認性に優れている。また、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度も速く、更に振動に強く、使用温度範囲も広いなどの特徴があり、次世代の表示素子として注目されている。
特に有機化合物を発光材料とする有機EL素子を用いた有機ELディスプレイは、視野角が広く、コントラストが高く、視認性に優れている。また、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度も速く、更に振動に強く、使用温度範囲も広いなどの特徴があり、次世代の表示素子として注目されている。
有機EL素子は、例えば、駆動用基板の上に、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極が順に積層された構造を有している。このような有機EL素子では、発光層で発生した光は、ディスプレイのタイプにより、駆動用基板の側から取り出される場合もあるが、第2電極の側から取り出される場合もある。
ところで有機EL素子等を用いた表示装置を、例えば携帯端末用ディスプレイなどとして用いる場合、使用する周囲環境によって、周囲の明るさが異なるため、表示内容が認識しづらくなるという問題が生じる。
このため、多種の環境下でも視認性を高めるために、例えば据置型の表示装置などにおける通常の輝度より、表示輝度を高く設定しておくということが想定される。
しかし単に輝度を高く設定しておく手法では、逆に暗い場所では必要以上の明るい表示のために、表示内容が見づらくなる場合もあり、また消費電力の増大、素子への劣化促進といった性能劣化を招くことがある。
このため、多種の環境下でも視認性を高めるために、例えば据置型の表示装置などにおける通常の輝度より、表示輝度を高く設定しておくということが想定される。
しかし単に輝度を高く設定しておく手法では、逆に暗い場所では必要以上の明るい表示のために、表示内容が見づらくなる場合もあり、また消費電力の増大、素子への劣化促進といった性能劣化を招くことがある。
そこで周囲の明るさに応じて、表示輝度を制御することようにし、使用環境に左右されることなく、表示内容の視認性を確保することが提案されている。
このような周囲環境の明るさと連動して表示輝度を制御する技術として、例えば上記特許文献1では、情報を表示するための複数からなる表示部と、この表示部を制御駆動する駆動部と、表示部に対する照度を検出する照度検出手段と、この照度検出手段の検出結果に基いて表示部の輝度を制御する輝度制御手段とを備えた表示装置が開示されている。
これは、周囲の明るさを照度検出手段にて検出し、その検出結果に対応して各画素の輝度制御信号を輝度制御手段によって演算することで表示輝度調整を行うものである。
このような周囲環境の明るさと連動して表示輝度を制御する技術として、例えば上記特許文献1では、情報を表示するための複数からなる表示部と、この表示部を制御駆動する駆動部と、表示部に対する照度を検出する照度検出手段と、この照度検出手段の検出結果に基いて表示部の輝度を制御する輝度制御手段とを備えた表示装置が開示されている。
これは、周囲の明るさを照度検出手段にて検出し、その検出結果に対応して各画素の輝度制御信号を輝度制御手段によって演算することで表示輝度調整を行うものである。
しかしながらこの場合、輝度制御信号に対する輝度の制御と、照度検出手段により検出される照度に対応する輝度の制御とを、上記輝度制御手段により共通に行うようにしているので、映像信号と照度信号とを混同した上での複雑な演算処理機能を必要としなければいけないという問題がある。
また、周囲の明るさを検出する手段としてフォトトランジスタを用い、その検出結果に応じて駆動電圧を制御する手法が上記特許文献2に開示されている。
ところがこの手法では、照度検出用にパネル外部に受光素子を設ける構成をとり、部品増加によってコストアップにつながりる。またパネル外部に配置された受光素子による一点位置での検出では、表示領域に対して明るさ検出できる位置に偏りが生じてしまうために環境照度を的確に検出することが難しいといった問題がある。
ところがこの手法では、照度検出用にパネル外部に受光素子を設ける構成をとり、部品増加によってコストアップにつながりる。またパネル外部に配置された受光素子による一点位置での検出では、表示領域に対して明るさ検出できる位置に偏りが生じてしまうために環境照度を的確に検出することが難しいといった問題がある。
そこで本発明は、有機EL素子などの自発光素子を用いた表示装置において、環境によって外光照度が変動しても良好な視認性を維持するとともに、簡易な演算処理や適切な照度検出による適切な制御を実現することを目的とする。
本発明の表示装置は、自発光素子を用いた複数の画素が配列されるとともに、入力される映像信号に基づいて上記各画素の発光動作を制御して映像表示を実行させるスキャン回路を有する表示部と、上記表示部の発光輝度情報を得る輝度情報検出部と、上記表示部に対する外光照度情報を得る照度情報検出部と、上記発光輝度情報と上記外光照度情報に基づいて上記表示部の各画素の発光期間の調整値を算出し、該調整値に基づいて上記スキャン回路の動作を制御して表示部の表示輝度を調整する制御演算部とを備える。
例えば上記自発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また上記制御演算部は、上記スキャン回路が上記各画素の発光期間を制御する発光制御信号のパルスデューティの調整値を算出して、上記スキャン回路を制御する。
また上記制御演算部は、外光照度に対する表示輝度設定値の対応情報を記憶し、入力される上記外光照度情報に基づいて上記対応情報を参照して表示輝度設定値を求め、表示輝度設定値と上記発光輝度情報に基づいて上記調整値を算出する。
また上記制御演算部は、外光照度に対する表示輝度の対応情報を記憶し、入力される上記発光輝度情報と上記外光照度情報に基づいて上記対応情報を参照し、上記調整値を算出する。
例えば上記自発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また上記制御演算部は、上記スキャン回路が上記各画素の発光期間を制御する発光制御信号のパルスデューティの調整値を算出して、上記スキャン回路を制御する。
また上記制御演算部は、外光照度に対する表示輝度設定値の対応情報を記憶し、入力される上記外光照度情報に基づいて上記対応情報を参照して表示輝度設定値を求め、表示輝度設定値と上記発光輝度情報に基づいて上記調整値を算出する。
また上記制御演算部は、外光照度に対する表示輝度の対応情報を記憶し、入力される上記発光輝度情報と上記外光照度情報に基づいて上記対応情報を参照し、上記調整値を算出する。
また上記輝度情報検出部は、上記表示部に供給する映像信号の各画素の輝度情報を記憶する第1のメモリ部と、上記表示部の各画素の発光光量を検出する受光センサと、上記受光センサで得られる各画素の光量を、各画素の輝度情報として記憶する第2のメモリ部とを有する。そして上記制御演算部は、上記第1のメモリ部に記憶された輝度情報と、上記第2のメモリ部に記憶された輝度情報とを、上記輝度情報検出部で得られる発光輝度情報として上記調整値の算出に用いる。
またこの場合、上記受光センサは、各画素の漏れ光の光量を検出するようにされ、上記第2のメモリ部は、上記受光センサで得られる各画素の漏れ光の光量を、各画素の輝度情報として記憶する。そして上記制御演算部は、上記第1のメモリ部に記憶された輝度情報に対して係数演算して得た値と、上記第2のメモリ部に記憶された輝度情報を用いて画素の発光輝度変化情報を検出する。
また上記受光センサは、表示面平面方向に見て、隣接する画素の各発光素子の間の領域に配置されている。
また上記照度情報検出部は、上記表示部において上記各画素が配列された画素領域の周縁部に積層形成されて外光光量を検出する受光センサを有する。
或いは上記照度情報検出部は、上記表示部の各画素領域に画素と共に積層形成されて外光光量を検出する受光センサを有する。
またこの場合、上記受光センサは、各画素の漏れ光の光量を検出するようにされ、上記第2のメモリ部は、上記受光センサで得られる各画素の漏れ光の光量を、各画素の輝度情報として記憶する。そして上記制御演算部は、上記第1のメモリ部に記憶された輝度情報に対して係数演算して得た値と、上記第2のメモリ部に記憶された輝度情報を用いて画素の発光輝度変化情報を検出する。
また上記受光センサは、表示面平面方向に見て、隣接する画素の各発光素子の間の領域に配置されている。
また上記照度情報検出部は、上記表示部において上記各画素が配列された画素領域の周縁部に積層形成されて外光光量を検出する受光センサを有する。
或いは上記照度情報検出部は、上記表示部の各画素領域に画素と共に積層形成されて外光光量を検出する受光センサを有する。
本発明の制御演算装置は、自発光素子を用いた複数の画素が配列されるとともに、入力される映像信号に基づいて上記各画素の発光動作を制御して映像表示を実行させるスキャン回路を有する表示部を備えた表示装置に用いられる制御演算装置であり、上記表示部の発光輝度情報と上記表示部に対する外光照度情報が入力されることに応じて、上記表示部の各画素の発光期間の調整値を算出し、該調整値に基づいて、上記スキャン回路が上記各画素の発光期間を制御する発光制御信号のパルスデューティを制御する。
本発明の表示駆動方法は、自発光素子を用いた複数の画素が配列されるとともに、入力される映像信号に基づいて上記各画素の発光動作を制御して映像表示を実行させるスキャン回路を有する表示部を備えた表示装置の表示駆動方法であり、上記表示部の発光輝度情報を得る輝度情報検出ステップと、上記表示部に対する外光照度情報を得る照度情報検出ステップと、上記発光輝度情報と上記外光照度情報に基づいて上記表示部の各画素の発光期間の調整値を算出し、該調整値に基づいて上記スキャン回路の動作を制御して表示部の表示輝度を調整する制御演算ステップとを備える。
即ち本発明では、発光輝度情報と外光照度情報を検出し、これらに基づいて上記表示部の各画素の発光期間の調整値を算出する。そして各画素の発光期間を調整することで、外光に応じて表示部の表示輝度を制御する。これにより表示部の表示内容について常に好適な視認性が得られるようにする。この場合、表示部の表示輝度は、画素の発光期間を制御することで、映像信号とは独立した制御となり、調整値の算出のために映像信号と関連づけて複雑な演算処理を行う必要はない。
また外光照度情報は、画素領域の周縁部又は画素部に積層して設けた受光センサを用いて検出することで、画素領域全体に対する外光照度を的確に検出できる。
また、表示部に供給する映像信号としての輝度信号値と、実際に画素での発光光量から発光輝度変化情報を検出し、これを調整値の算出に用いることで、有機EL素子等の輝度劣化にも応じて適切な調整値を算出できる。
また外光照度情報は、画素領域の周縁部又は画素部に積層して設けた受光センサを用いて検出することで、画素領域全体に対する外光照度を的確に検出できる。
また、表示部に供給する映像信号としての輝度信号値と、実際に画素での発光光量から発光輝度変化情報を検出し、これを調整値の算出に用いることで、有機EL素子等の輝度劣化にも応じて適切な調整値を算出できる。
本発明によれば、発光輝度情報と外光照度情報を検出し、これらに基づいて調整値を算出して表示部の各画素の発光期間を調整することで、外光に応じて表示部の表示輝度が適切に調整制御され、表示部の表示内容について常に好適な視認性が得られ、高品位な映像表示を実現できるという効果がある。
そしてさらに、表示部の表示輝度を、画素の発光期間により制御することで、映像信号映像信号と関連づけた複雑な演算処理を行わなくともよく、調整処理も簡易となる。映像信号の輝度値(信号値)を変化させるものではないため、表示映像のダイナミックレンジを低下させるということもない。
また外光照度情報は、画素領域の周縁部又は画素部に積層して設けた受光センサを用いて検出することで、画素領域全体に対する外光照度を的確に検出でき、これによって表示輝度の調整精度が向上される。
また、表示部に供給する映像信号としての輝度信号値と、実際に画素での発光光量から発光輝度変化情報を検出し、これを調整値の算出に用いることで、有機EL素子等の輝度劣化にも応じて適切な調整値を算出できるため、これも調整精度を向上させる。
そしてさらに、表示部の表示輝度を、画素の発光期間により制御することで、映像信号映像信号と関連づけた複雑な演算処理を行わなくともよく、調整処理も簡易となる。映像信号の輝度値(信号値)を変化させるものではないため、表示映像のダイナミックレンジを低下させるということもない。
また外光照度情報は、画素領域の周縁部又は画素部に積層して設けた受光センサを用いて検出することで、画素領域全体に対する外光照度を的確に検出でき、これによって表示輝度の調整精度が向上される。
また、表示部に供給する映像信号としての輝度信号値と、実際に画素での発光光量から発光輝度変化情報を検出し、これを調整値の算出に用いることで、有機EL素子等の輝度劣化にも応じて適切な調整値を算出できるため、これも調整精度を向上させる。
以下、本発明の実施の形態を以下の順序で説明する。
[1.有機EL素子を用いた表示パネル構成例]
[2.画素構造]
[3.表示装置の構成例]
[4.デューティ制御処理]
[5.他の表示パネル構成例]
[1.有機EL素子を用いた表示パネル構成例]
[2.画素構造]
[3.表示装置の構成例]
[4.デューティ制御処理]
[5.他の表示パネル構成例]
[1.有機EL素子を用いた表示パネル構成例]
まず本実施の形態の表示装置に採用できる、有機EL素子を用いた表示パネルの構成例を図1,図2で説明する。
図1に示すように、表示パネルは、画素(画素回路)10がm行×n列のマトリクス状に配列された画素アレイ部20を備えるとともに、この画素アレイ部20の各画素10の発光動作を、入力される映像信号に応じて制御して映像表示を実行させるスキャン回路として水平セレクタ11、ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13、第1AZスキャナ14、第2AZスキャナ15を備える。
まず本実施の形態の表示装置に採用できる、有機EL素子を用いた表示パネルの構成例を図1,図2で説明する。
図1に示すように、表示パネルは、画素(画素回路)10がm行×n列のマトリクス状に配列された画素アレイ部20を備えるとともに、この画素アレイ部20の各画素10の発光動作を、入力される映像信号に応じて制御して映像表示を実行させるスキャン回路として水平セレクタ11、ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13、第1AZスキャナ14、第2AZスキャナ15を備える。
そして水平セレクタ11により選択され、輝度情報に応じた映像信号を画素10に対する入力信号として供給する信号線DTL1、DTL2・・・が、画素アレイ部20に対して列方向に配されている。信号線DTL1、DTL2・・・は、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素10の列数分だけ配される。
また画素アレイ部20に対して、行方向に走査線WSL1,WSL2・・・、走査線DSL1,DSL2・・・、走査線AZL1−1,AZL1−2・・・、走査線AZL2−1,AZL2−2・・・、が配されている。これらの走査線はそれぞれ、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素10の行数分だけ配される。
走査線WSL(WSL1,WSL2・・・)はライトスキャナ13により選択駆動される。
走査線DSL(DSL1,DSL2・・・)はドライブスキャナ12により選択駆動される。
走査線AZL1(AZL1−1,AZL1−2・・・)は第1AZスキャナ14により選択駆動される。
走査線AZL2(AZL2−1,AZL2−2・・・)は第2AZスキャナ15により選択駆動される。
ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13、第1AZスキャナ14、第2AZスキャナ15は、それぞれ入力されるスタートパルスspとクロックckを基準として、設定された所定のタイミングで各走査線に選択パルスを与える。
また画素アレイ部20に対して、行方向に走査線WSL1,WSL2・・・、走査線DSL1,DSL2・・・、走査線AZL1−1,AZL1−2・・・、走査線AZL2−1,AZL2−2・・・、が配されている。これらの走査線はそれぞれ、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素10の行数分だけ配される。
走査線WSL(WSL1,WSL2・・・)はライトスキャナ13により選択駆動される。
走査線DSL(DSL1,DSL2・・・)はドライブスキャナ12により選択駆動される。
走査線AZL1(AZL1−1,AZL1−2・・・)は第1AZスキャナ14により選択駆動される。
走査線AZL2(AZL2−1,AZL2−2・・・)は第2AZスキャナ15により選択駆動される。
ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13、第1AZスキャナ14、第2AZスキャナ15は、それぞれ入力されるスタートパルスspとクロックckを基準として、設定された所定のタイミングで各走査線に選択パルスを与える。
図2に画素10の構成例を示している。なお、図2では簡略化のため、信号線DTLと走査線WSL,DSL,AZL1,AZL2が交差する部分に配される1つの画素回路10のみを示している。
この画素10は、発光素子である有機EL素子1と、1個の保持容量C1と、サンプリングトランジスタT1、ドライブトランジスタT5、スイッチングトランジスタT3、第1の検知トランジスタT4、第2の検知トランジスタT2からなる5個のnチャネル薄膜トランジスタとで構成されている。
この画素10は、発光素子である有機EL素子1と、1個の保持容量C1と、サンプリングトランジスタT1、ドライブトランジスタT5、スイッチングトランジスタT3、第1の検知トランジスタT4、第2の検知トランジスタT2からなる5個のnチャネル薄膜トランジスタとで構成されている。
保持容量C1は、一方の端子がドライブトランジスタT5のソースに接続され、他方の端子が同じくドライブトランジスタT5のゲートに接続されている。図では、ドライブトランジスタT5のソースノードをノードNd1、ドライブトランジスタT5のゲートノードをノードNd2として示している。従って、保持容量C1はノードNd1とノードNd2の間に接続されていることになる。
画素10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子1とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子1のアノードはドライブトランジスタT5のソース(ノードNd1)に接続され、カソードは所定のカソード電位Vcatに接続されている。
画素10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子1とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子1のアノードはドライブトランジスタT5のソース(ノードNd1)に接続され、カソードは所定のカソード電位Vcatに接続されている。
第1の検知トランジスタT4は、そのソースが第1の固定電位Vssに接続され、そのドレインがドライブトランジスタT5のソース(ノードNd1)に接続され、ゲートが走査線AZL1に接続されている。
第2の検知トランジスタT2は、そのソースが第2の固定電位Vofsに接続され、そのドレインがドライブトランジスタT5のゲート(ノードNd2)に接続され、そのゲートは走査線AZL2に接続されている。
サンプリングトランジスタT1は、その一端が信号線DTLに接続され、他端がドライブトランジスタT5のゲート(ノードNd2)に接続され、そのゲートが走査線WSLに接続されている。
スイッチングトランジスタT3は、そのドレインが電源電位Vccに接続され、そのソースがドライブトランジスタT5のドレインに接続され、そのゲートが走査線DSLに接続されている。
第2の検知トランジスタT2は、そのソースが第2の固定電位Vofsに接続され、そのドレインがドライブトランジスタT5のゲート(ノードNd2)に接続され、そのゲートは走査線AZL2に接続されている。
サンプリングトランジスタT1は、その一端が信号線DTLに接続され、他端がドライブトランジスタT5のゲート(ノードNd2)に接続され、そのゲートが走査線WSLに接続されている。
スイッチングトランジスタT3は、そのドレインが電源電位Vccに接続され、そのソースがドライブトランジスタT5のドレインに接続され、そのゲートが走査線DSLに接続されている。
サンプリングトランジスタT1は走査線WSLによって選択されたときに動作し、信号線DTLからの入力信号VsigをサンプリングしてノードNd2を介し保持容量C1に保持させる。
ドライブトランジスタT5は、保持容量C1に保持された信号電位に応じて有機EL素子1を電流駆動する。
スイッチングトランジスタT3は走査線DSLによって選択されたときに導通して電源電位VccからドライブトランジスタT5に電流を供給する。
第1,第2の検知トランジスタT4,T2は、それぞれ走査線AZL1,AZL2によって所定のタイミングで選択されることで導通される。この第1、第2の検知トランジスタT4,T2のオン/オフは、有機EL素子1の電流駆動に先立ってドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthを検知し、あらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した閾値電圧を保持容量C1に保持する動作(閾値検出動作)に関連して実行される。
ドライブトランジスタT5は、保持容量C1に保持された信号電位に応じて有機EL素子1を電流駆動する。
スイッチングトランジスタT3は走査線DSLによって選択されたときに導通して電源電位VccからドライブトランジスタT5に電流を供給する。
第1,第2の検知トランジスタT4,T2は、それぞれ走査線AZL1,AZL2によって所定のタイミングで選択されることで導通される。この第1、第2の検知トランジスタT4,T2のオン/オフは、有機EL素子1の電流駆動に先立ってドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthを検知し、あらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した閾値電圧を保持容量C1に保持する動作(閾値検出動作)に関連して実行される。
この画素10の正常な動作を保証する為の条件として、固定電位Vssは、固定電位VofsからドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthを差し引いたレベルよりも低く設定されている。すなわち、Vss<Vofs−Vthである。
また固定電位Vssは、有機EL素子1の閾値電圧Velと、カソード電位Vcatの和より小さく設定されている(Vss<Vthel+Vcat)。
また固定電位Vofsは、ドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthと、有機EL素子1の閾値電圧Vthelと、カソード電圧Vcatの和よりも小さく設定されている(Vofs<Vth+Vthel+Vcat)。
例えば固定電位Vofsはグランド電位、固定電位Vssは負電位とされ、上記各条件を満たすようにされる。
また固定電位Vssは、有機EL素子1の閾値電圧Velと、カソード電位Vcatの和より小さく設定されている(Vss<Vthel+Vcat)。
また固定電位Vofsは、ドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthと、有機EL素子1の閾値電圧Vthelと、カソード電圧Vcatの和よりも小さく設定されている(Vofs<Vth+Vthel+Vcat)。
例えば固定電位Vofsはグランド電位、固定電位Vssは負電位とされ、上記各条件を満たすようにされる。
[2.画素構造]
本例では、上記のように構成される画素10のそれぞれにおいて、各画素10の発光輝度を検出する輝度検出用受光センサと、外光照度(周囲の明るさ)を検出する照度検出用受光センサが配置される。
まず輝度検出用受光センサの配置について図3,図4、図5で説明する。
図3,図4に、画素10の層構造を、駆動構成(上記図2の各トランジスタT1〜T5、容量C1、及び各種走査線や層間配線等)を省略した状態で示す。
図3,図4のそれぞれに示すように、画素10の層構造としては支持基板35、陽極34、発光素子33、陰極32、光透明基板31、対向支持基板30を有する。
本例では、上記のように構成される画素10のそれぞれにおいて、各画素10の発光輝度を検出する輝度検出用受光センサと、外光照度(周囲の明るさ)を検出する照度検出用受光センサが配置される。
まず輝度検出用受光センサの配置について図3,図4、図5で説明する。
図3,図4に、画素10の層構造を、駆動構成(上記図2の各トランジスタT1〜T5、容量C1、及び各種走査線や層間配線等)を省略した状態で示す。
図3,図4のそれぞれに示すように、画素10の層構造としては支持基板35、陽極34、発光素子33、陰極32、光透明基板31、対向支持基板30を有する。
図3は、対向支持基板30側から表示光を取り出す上面発光方式の場合の構造を示している。
支持基板35は石英ガラスのような透明基板や、シリコン基板などが適時選択されて用いられる。なお支持基板35はアクティブマトリックス方式ならびにパッシブマトリクス方式の両方の方式において適用可能である。
この支持基板35上において、陽極34と陰極32に挟まれる形で有機EL層としての発光素子33が設けられる。陽極34,発光素子33、陰極32により図2に示した有機EL素子1が構成される。
発光素子33が、それぞれ赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に発光するものであって、上記図1に示したように、発光素子33を有する画素10が、表示パネル上に配列される。
陽極34,発光素子33,陰極32から成る有機EL素子1の上には、光透明基板31が形成され、さらにその上に対向支持基板30が形成されている。
支持基板35は石英ガラスのような透明基板や、シリコン基板などが適時選択されて用いられる。なお支持基板35はアクティブマトリックス方式ならびにパッシブマトリクス方式の両方の方式において適用可能である。
この支持基板35上において、陽極34と陰極32に挟まれる形で有機EL層としての発光素子33が設けられる。陽極34,発光素子33、陰極32により図2に示した有機EL素子1が構成される。
発光素子33が、それぞれ赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に発光するものであって、上記図1に示したように、発光素子33を有する画素10が、表示パネル上に配列される。
陽極34,発光素子33,陰極32から成る有機EL素子1の上には、光透明基板31が形成され、さらにその上に対向支持基板30が形成されている。
この図3の場合、発光素子33からの表示光MLは矢印で示す方向から取り出される。即ち発光素子33からの表示光は、陰極32,光透明基板31,対向支持基板30を通過して取り出される。つまり対向支持基板30側が表示パネル前面側となる。このため陰極32,光透明基板31,対向支持基板30は光透過材料が用いられる。
ここで、対向支持基板30には、支持基板35上に配線されている各種走査線の対向箇所に、輝度検出用受光センサ36が積層されている。この輝度検出用受光センサ36は、アモルファスシリコン半導体などの高感度受光センサであり、受光量に応じて電気信号を発生させることができるものであればよい。
そしてこの輝度検出用受光センサ36は、破線矢印で示すように発光素子33で発光される光の漏れ光MLが入射され、入射光量に応じた電気信号を発生させる。つまり輝度検出用受光センサ36は、表示面平面方向に見て、隣接する画素10の各発光素子33の間の領域に配置されている。
このように漏れ光MLを検知する位置に配置されることで、輝度検出用受光センサ36が表示光MLを遮蔽しないようにされ、かつ各画素10のそれぞれの発光光量を検知できるようにしている。
そしてこの輝度検出用受光センサ36は、破線矢印で示すように発光素子33で発光される光の漏れ光MLが入射され、入射光量に応じた電気信号を発生させる。つまり輝度検出用受光センサ36は、表示面平面方向に見て、隣接する画素10の各発光素子33の間の領域に配置されている。
このように漏れ光MLを検知する位置に配置されることで、輝度検出用受光センサ36が表示光MLを遮蔽しないようにされ、かつ各画素10のそれぞれの発光光量を検知できるようにしている。
図4は、支持基板35側から表示光を取り出すボトム発光方式の場合の構造を示している。
この場合も支持基板35上において、陽極34と陰極32に挟まれる形で有機EL層としての発光素子33が設けられ、さらに光透明基板31、対向支持基板30が形成されていることは同様である。
ただし、この場合、発光素子33からの表示光MLは矢印で示すように、陽極34,支持基板35を透過して取り出される。つまり支持基板35側が表示パネル前面側となる。このため、陽極34,支持基板35は光透過材料が用いられる。この場合、陰極32や対向支持基板30は光透過材料である必要はない。
この場合も支持基板35上において、陽極34と陰極32に挟まれる形で有機EL層としての発光素子33が設けられ、さらに光透明基板31、対向支持基板30が形成されていることは同様である。
ただし、この場合、発光素子33からの表示光MLは矢印で示すように、陽極34,支持基板35を透過して取り出される。つまり支持基板35側が表示パネル前面側となる。このため、陽極34,支持基板35は光透過材料が用いられる。この場合、陰極32や対向支持基板30は光透過材料である必要はない。
そしてこの場合、陽極34と同層に輝度検出用受光センサ36が積層される。この輝度検出用受光センサ36により漏れ光SLの光量に応じた電気信号が取り出される。この場合も、輝度検出用受光センサ36は、表示面平面方向に見て、隣接する画素10の各発光素子33の間の領域に配置されている。そしてこのように漏れ光MLを検知する位置に配置されることで、輝度検出用受光センサ36が表示光MLを遮蔽しないようにされ、かつ各画素10のそれぞれの発光光量を検知できるようにしている。
例えばこの図3又は図4のような構造とすることで、各画素10に対応して輝度検出用受光センサ36を配置でき、しかもそれらは表示光MLを遮断しないようにされる。
また、ここで輝度検出用受光センサ36による漏れ光SLの光量のモニタリングに関しては、本来の発光強度の20%以下の光漏れ量のみを検出する制限を設けることで、他の光散乱漏れ光量をモニタリングすることを防止する。
また、ここで輝度検出用受光センサ36による漏れ光SLの光量のモニタリングに関しては、本来の発光強度の20%以下の光漏れ量のみを検出する制限を設けることで、他の光散乱漏れ光量をモニタリングすることを防止する。
図5に画面平面方向にみた画素と輝度検出用受光センサ36の配置関係を模式的に示す。図5においては、図1のようにマトリクス状に配置される画素10の一部を示しているが、例えばスキャン方向(図1の信号線DTLの配線方向)に、同一色の画素が並ぶ構成とされる。即ち画素10R−1、10R−2、10R−3・・・としてのR画素の列、画素10G−1、10G−2、10G−3・・・としてのG画素の列、画素10B−1、10B−2、10B−3・・・としてのB画素の列が形成される。このような各色の画素列が、画面全体にわたって順次形成されている。
そして破線で囲って示すように、隣り合ったR画素、G画素、B画素で、1つのカラー画素CGが形成される。
そして破線で囲って示すように、隣り合ったR画素、G画素、B画素で、1つのカラー画素CGが形成される。
輝度検出用受光センサ36は、図示のように、同一発光色の画素の間となる位置に形成されるものとなる。上記のように輝度検出用受光センサ36は各画素10の発光素子の漏れ光SLを検出するものとなるが、1つの輝度検出用受光センサ36はその両側の画素10の漏れ光SLが入射される。
例えば画素10R−2と画素10R−3の間に配置された輝度検出用受光センサ36Aに注目してみると、この輝度検出用受光センサ36Aには、破線で示すように画素10R−2と画素10R−3の両方からの漏れ光SLが入射されてしまう。
例えばこの輝度検出用受光センサ36Aが、画素10R−2に対して設けられているとした場合、次のようにして画素10R−2の発光輝度の情報を得ることができる。
例えば画素10R−2と画素10R−3の間に配置された輝度検出用受光センサ36Aに注目してみると、この輝度検出用受光センサ36Aには、破線で示すように画素10R−2と画素10R−3の両方からの漏れ光SLが入射されてしまう。
例えばこの輝度検出用受光センサ36Aが、画素10R−2に対して設けられているとした場合、次のようにして画素10R−2の発光輝度の情報を得ることができる。
まず各画素10は信号DTLで供給される信号に応じた輝度で発光されることになるが、各画素10についての信号値は既知の値であり、例えば図1の水平セレクタ11から取り出すことができる。そこで輝度検出用受光センサ36で検出された光量に応じた電気信号について、その隣接画素に対する信号値を用いて演算することで、1つの画素の発光輝度の情報として取り出すことができる。
例えば画素10R−2に供給された信号値を「a」、画素10R−3に供給された信号値を「b」とし、輝度検出用受光センサ36Aで得られた電気信号値を「c」とした場合、
c×(a/(a+b))
の演算により、画素10R−2の発光輝度の情報を得ることができる。
例えば画素10R−2に供給された信号値を「a」、画素10R−3に供給された信号値を「b」とし、輝度検出用受光センサ36Aで得られた電気信号値を「c」とした場合、
c×(a/(a+b))
の演算により、画素10R−2の発光輝度の情報を得ることができる。
画素10の部分の層構造が上記図3又は図4のようにされる場合、外光照度を検出するための照度検出用受光センサは画素領域の周縁部に形成される。
図6(a)は表示パネルを形成する画素領域を示しているが、領域21は、上述したようにマトリクス状に画素10が配列された画素アレイ部20が形成される。そしてその周縁部となる領域22には、照度検出用受光センサ37が形成される。
照度検出用受光センサ37は、図6(b)のように受光素子としての機能を有する有機EL素子2と抵抗成分R1から構成できる。受光素子として用いられる有機EL素子2は、外光の明るさに応じて電流を発生する。この電流は抵抗成分R1によって照度情報となる電圧信号VLOに変換されて出力される。
このような照度検出用受光センサ37は、図6(a)の領域22において、所定の間隔にて多数配置される。
なお、画素領域の層構造が図3の例の場合は、輝度検出用受光センサ36ならびに照度検出用受光センサ37は、発光素子33としての有機EL素子1と同一プロセス内で対向支持基板30上に形成される。
また図4の例の場合も、輝度検出用受光センサ36ならびに照度検出用受光センサ37は、発光素子33と同一プロセス内で形成できる。
図6(a)は表示パネルを形成する画素領域を示しているが、領域21は、上述したようにマトリクス状に画素10が配列された画素アレイ部20が形成される。そしてその周縁部となる領域22には、照度検出用受光センサ37が形成される。
照度検出用受光センサ37は、図6(b)のように受光素子としての機能を有する有機EL素子2と抵抗成分R1から構成できる。受光素子として用いられる有機EL素子2は、外光の明るさに応じて電流を発生する。この電流は抵抗成分R1によって照度情報となる電圧信号VLOに変換されて出力される。
このような照度検出用受光センサ37は、図6(a)の領域22において、所定の間隔にて多数配置される。
なお、画素領域の層構造が図3の例の場合は、輝度検出用受光センサ36ならびに照度検出用受光センサ37は、発光素子33としての有機EL素子1と同一プロセス内で対向支持基板30上に形成される。
また図4の例の場合も、輝度検出用受光センサ36ならびに照度検出用受光センサ37は、発光素子33と同一プロセス内で形成できる。
図7,図8は、照度検出用受光センサ37も各画素領域に形成する例である。
図7は図3と同じく上面発光方式の層構造であるが、この場合、漏れ光SLを受光する輝度検出用受光センサ36の上面側に、外光を受光する照度検出用受光センサ37を積層した構造としている。
図8は図4と同じくボトム発光方式の層構造であり、この場合、漏れ光SLを受光する輝度検出用受光センサ36の下面側に、光透過材料の支持基板35を介して入射される外光を受光する照度検出用受光センサ37を積層した構造としている。
この図7,図8の構造の場合も、輝度検出用受光センサ36、照度検出用受光センサ37は、発光素子33と同一プロセス内で形成できる。
図7は図3と同じく上面発光方式の層構造であるが、この場合、漏れ光SLを受光する輝度検出用受光センサ36の上面側に、外光を受光する照度検出用受光センサ37を積層した構造としている。
図8は図4と同じくボトム発光方式の層構造であり、この場合、漏れ光SLを受光する輝度検出用受光センサ36の下面側に、光透過材料の支持基板35を介して入射される外光を受光する照度検出用受光センサ37を積層した構造としている。
この図7,図8の構造の場合も、輝度検出用受光センサ36、照度検出用受光センサ37は、発光素子33と同一プロセス内で形成できる。
以上各例を示したが、照度検出用受光センサ37については、図6(a)の領域22としての周縁部に所定間隔で設けたり、図7,図8のように画素領域に積層して設けることで、画面全体に対する外光照度を的確に検出できる。
また表示パネル外部に外光を受光するためのセンサを別に配置する必要もない。
また表示パネル外部に外光を受光するためのセンサを別に配置する必要もない。
[3.表示装置の構成例]
実施の形態の表示装置の要部の構成例を図9に示す。
本例の表示装置は、パネルモジュール40、メモリ部43、A/D変換器44、45、メモリ部46、制御演算部50を備える。
実施の形態の表示装置の要部の構成例を図9に示す。
本例の表示装置は、パネルモジュール40、メモリ部43、A/D変換器44、45、メモリ部46、制御演算部50を備える。
パネルモジュール40は、図1〜図8により説明してきた構成の表示パネルを有し、入力される映像信号に基づいて映像表示を行う。
即ち図1で述べたように各画素10が配列される画素アレイ部20と、スキャン回路としての水平セレクタ11、ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13、第1AZスキャナ14、第2AZスキャナ15を備える。
即ち図1で述べたように各画素10が配列される画素アレイ部20と、スキャン回路としての水平セレクタ11、ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13、第1AZスキャナ14、第2AZスキャナ15を備える。
メモリ部43は、入力部41から入力されてパネルモジュール40に供給される映像信号、つまり画面を構成する全画素の輝度レベルを記憶する。入力映像信号は、一旦メモリ部43に記憶された後、読み出されてパネルモジュール40に供給される。
このメモリ部43には、映像信号の数フレーム分の記憶領域を有し、現在のフレームから過去に数フレームにわたって、各フレームの全画素についての輝度レベルを記憶する。
後述する制御演算部50の処理として、発光輝度変化量の検出が行われるが、その際、輝度検出用受光センサ36で検出される輝度情報と、その輝度情報が得られた際の輝度信号値における輝度情報の比較が行われる。つまり入力映像信号における輝度レベルと、実際に検出された輝度レベルの比較が行われるが、そのためには輝度検出用受光センサ36によって得られる輝度情報が制御演算部50に読み込まれる際に、その比較対象となる入力映像信号の輝度情報が保持されていなければならない。このためにメモリ部43において、入力映像信号のパネルモジュール40への供給タイミングから、比較処理のタイミングまでの時間差を考慮して、現在より数フレーム期間の輝度レベルが記憶されることとなる。実際に何フレーム期間を記憶できるようにするかは、映像信号入力から発光輝度変化量検出処理までの時間差に応じて設定されればよい。
このメモリ部43には、映像信号の数フレーム分の記憶領域を有し、現在のフレームから過去に数フレームにわたって、各フレームの全画素についての輝度レベルを記憶する。
後述する制御演算部50の処理として、発光輝度変化量の検出が行われるが、その際、輝度検出用受光センサ36で検出される輝度情報と、その輝度情報が得られた際の輝度信号値における輝度情報の比較が行われる。つまり入力映像信号における輝度レベルと、実際に検出された輝度レベルの比較が行われるが、そのためには輝度検出用受光センサ36によって得られる輝度情報が制御演算部50に読み込まれる際に、その比較対象となる入力映像信号の輝度情報が保持されていなければならない。このためにメモリ部43において、入力映像信号のパネルモジュール40への供給タイミングから、比較処理のタイミングまでの時間差を考慮して、現在より数フレーム期間の輝度レベルが記憶されることとなる。実際に何フレーム期間を記憶できるようにするかは、映像信号入力から発光輝度変化量検出処理までの時間差に応じて設定されればよい。
A/D変換器44は、上記のように各画素10についての設けられている各輝度検出用受光センサ36で得られる電気信号をデジタルデータ値に変換する。
そしてA/D変換器44でデジタルデータ化された各画素10の輝度情報は、メモリ部46に記憶される。例えばメモリ部46は1フレーム分の各画素10の輝度情報を記憶する。メモリ部46に記憶された輝度情報は、制御演算部50によって読み出され、後述する発光輝度変化量の検出処理に用いられる。
なお、上記のように輝度検出用受光センサ36は、各画素10についての漏れ光SLの光量に応じた電気信号を出力するが、輝度検出用受光センサ36自体の出力は、隣接画素からの漏れ光成分も含んでいる。このため図5で説明した隣接画素からの漏れ光成分をキャンセルする演算が行われ、その演算結果としての電気信号値がA/D変換器44でデジタルデータ化されるものとすればよい。
そしてA/D変換器44でデジタルデータ化された各画素10の輝度情報は、メモリ部46に記憶される。例えばメモリ部46は1フレーム分の各画素10の輝度情報を記憶する。メモリ部46に記憶された輝度情報は、制御演算部50によって読み出され、後述する発光輝度変化量の検出処理に用いられる。
なお、上記のように輝度検出用受光センサ36は、各画素10についての漏れ光SLの光量に応じた電気信号を出力するが、輝度検出用受光センサ36自体の出力は、隣接画素からの漏れ光成分も含んでいる。このため図5で説明した隣接画素からの漏れ光成分をキャンセルする演算が行われ、その演算結果としての電気信号値がA/D変換器44でデジタルデータ化されるものとすればよい。
A/D変換器45は、上記のように画素アレイ部20の周縁部となる領域22、もしくは各画素10に対応して設けられている各照度検出用受光センサ37で得られる照度情報の信号(図6(b)に示した電圧信号VLO)をデジタルデータ値に変換する。
そしてA/D変換器45でデジタルデータ化された照度情報は、制御演算部50に供給される。
そしてA/D変換器45でデジタルデータ化された照度情報は、制御演算部50に供給される。
制御演算部50は、例えばCPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)を備えたマイクロコンピュータ、或いはDSP(Digital Signal Processor)などにより形成することができる。
この制御演算部50は、所定の演算処理及びパネルモジュール40のスキャナ回路に対する制御を行って、外光照度に対応して適切な表示映像の視認性を得る処理を行う。
特には、表示輝度を調整制御するために、各画素の発光期間を調整する。具体的には、図1,図2に示したドライブスキャナ12が走査線DSL(DSL1,DSL2・・・)に与える発光制御信号のパルスデューティを可変制御することで、表示輝度を制御する。
この制御演算部50は、所定の演算処理及びパネルモジュール40のスキャナ回路に対する制御を行って、外光照度に対応して適切な表示映像の視認性を得る処理を行う。
特には、表示輝度を調整制御するために、各画素の発光期間を調整する。具体的には、図1,図2に示したドライブスキャナ12が走査線DSL(DSL1,DSL2・・・)に与える発光制御信号のパルスデューティを可変制御することで、表示輝度を制御する。
なお、この図9ではマイクロコンピュータ等で制御演算部50が形成されるとして示しているが、例えばメモリ部43,46、A/D変換器44,45を含む一点鎖線で囲った範囲を、1つのマイクロコンピュータ、或いは映像処理DSPなどにより構成することもできる。
図10には、制御演算部50が上記調整制御を実現するための機能構成を示している。図10において制御演算部50内に示す構成は、ソフトウエアにより実現されればよい。もちろん、制御演算部50がマイクロコンピュータ等で形成されるのは一例であり、図10の構成をハードウエアで実現する構成も想定される。
図10に示すように制御演算部50には、係数乗算処理部51、発光輝度検知部52、照度演算部53、調整値生成部54、デューティ制御部55が設けられる。
係数乗算処理部51は、メモリ部43に記憶された入力映像信号の各画素の輝度レベルに対して係数乗算を行って発光輝度変化検知部52に供給する。
発光輝度検知部52は、各画素10での発光輝度を検出する。
このために発光輝度検知部52はメモリ部43に記憶された入力映像信号の各画素の輝度レベルを読み込み、各画素10で発光されているはずの輝度レベルを認識する。
さらに発光輝度検知部52は、係数乗算処理部51を介して供給される入力映像信号の各画素の輝度レベルと、メモリ部46から読み出される各画素の実際の発光輝度のレベルを比較し、発光輝度の変化量を検出する。
このために発光輝度検知部52はメモリ部43に記憶された入力映像信号の各画素の輝度レベルを読み込み、各画素10で発光されているはずの輝度レベルを認識する。
さらに発光輝度検知部52は、係数乗算処理部51を介して供給される入力映像信号の各画素の輝度レベルと、メモリ部46から読み出される各画素の実際の発光輝度のレベルを比較し、発光輝度の変化量を検出する。
発光輝度の変化量は、実際に画素に与えられる信号値(輝度レベル)と、その画素で実際に発光された輝度レベルの差分(又は割合)である。
有機EL素子1においては、発光に伴う発熱などによって各有機層の劣化が生じ、発光輝度が低下し、発光自体が不安定になるなどの経時的劣化の特性が存在している。
また有機EL素子は発光ダイオード特性を示し、温度上昇に伴ってデバイスに流れる電流は比例して大きくなるため、結果的に発光輝度と劣化は比例関係にあり、そのために発光駆動が劣化を促進することにもなる。つまり温度と輝度に応じて、輝度劣化が進行する。
このため各画素10においては、必ずしもメモリ部43に記憶された輝度信号値のとおりの発光輝度が得られているかはわからない。そこで、入力映像信号の各画素の輝度レベル(メモリ部43に記憶された輝度信号値)を読み込むと共に、発光輝度変化量を検出し、発光輝度変化量によって輝度情報を補正することで、実際の表示出力としての輝度を求めるようにしている。
有機EL素子1においては、発光に伴う発熱などによって各有機層の劣化が生じ、発光輝度が低下し、発光自体が不安定になるなどの経時的劣化の特性が存在している。
また有機EL素子は発光ダイオード特性を示し、温度上昇に伴ってデバイスに流れる電流は比例して大きくなるため、結果的に発光輝度と劣化は比例関係にあり、そのために発光駆動が劣化を促進することにもなる。つまり温度と輝度に応じて、輝度劣化が進行する。
このため各画素10においては、必ずしもメモリ部43に記憶された輝度信号値のとおりの発光輝度が得られているかはわからない。そこで、入力映像信号の各画素の輝度レベル(メモリ部43に記憶された輝度信号値)を読み込むと共に、発光輝度変化量を検出し、発光輝度変化量によって輝度情報を補正することで、実際の表示出力としての輝度を求めるようにしている。
発光輝度変化量を求めるには、入力映像信号における輝度レベルと、実際に発光された輝度レベルを比較すればよい。但し上述のように、各画素10の発光光量は、輝度検出用受光センサ36が漏れ光SLを受光することで検出される。従ってメモリ部43に記憶された入力映像信号の各画素10に対する輝度レベルと、メモリ部46に記憶された各画素10で検出された輝度レベルをそのまま比較することは適切ではない。
そこで係数乗算処理部51では、メモリ部43から読み出される輝度レベルについて、例えば20%乗算を行うようにする。これは、輝度検出用受光センサ36で検出される漏れ光SLが発光素子33の表示光MLに対して20%程度である場合に、メモリ部43から読み出される輝度レベルの値を、漏れ光SLの光量レベルに合わせ込む処理となる。このように係数乗算処理部51で係数乗算することで、発光輝度変化検知部52で適切に発光輝度変化量を検出できるようにする。
このように発光輝度変化量を求めたら、それを用いてメモリ部43から読み込んだ輝度情報を補正することで、実際に表示出力されている輝度レベルを検出できる。
発光輝度検知部52は、このようにして算出した発光輝度の情報を調整値生成部54に供給する。
そこで係数乗算処理部51では、メモリ部43から読み出される輝度レベルについて、例えば20%乗算を行うようにする。これは、輝度検出用受光センサ36で検出される漏れ光SLが発光素子33の表示光MLに対して20%程度である場合に、メモリ部43から読み出される輝度レベルの値を、漏れ光SLの光量レベルに合わせ込む処理となる。このように係数乗算処理部51で係数乗算することで、発光輝度変化検知部52で適切に発光輝度変化量を検出できるようにする。
このように発光輝度変化量を求めたら、それを用いてメモリ部43から読み込んだ輝度情報を補正することで、実際に表示出力されている輝度レベルを検出できる。
発光輝度検知部52は、このようにして算出した発光輝度の情報を調整値生成部54に供給する。
照度演算部53は、各照度検出用受光センサ37で検出され、A/D変換器45を介して入力される各照度情報から、現在の外光照度のレベルを算出する。
そして照度演算部53は、外光照度に対する表示輝度設定値の対応情報(後述する図13の情報)を記憶しており、外光照度の値に基づいて対応情報を参照して表示輝度設定値を求める。表示輝度設定値とは、現在の外光照度に応じて良好な視認性を保つための適切な表示輝度の値である。
そして算出した表示輝度設定値の情報を調整値生成部54に供給する。
そして照度演算部53は、外光照度に対する表示輝度設定値の対応情報(後述する図13の情報)を記憶しており、外光照度の値に基づいて対応情報を参照して表示輝度設定値を求める。表示輝度設定値とは、現在の外光照度に応じて良好な視認性を保つための適切な表示輝度の値である。
そして算出した表示輝度設定値の情報を調整値生成部54に供給する。
調整値生成部54は、発光輝度検知部52で検出された発光輝度と、照度出演算部53から供給される表示輝度設定値、現在の外光照度に応じた表示輝度の情報を用いて、規格化された制御パラメータを生成する。
即ち調整値生成部54は、現在の発光輝度と、現在の外光照度に応じた好適な表示輝度としての表示輝度設定値との差分を算出するとともに、その差分に応じて、パネルモジュール40での各画素10の平均輝度が、現在の外光照度に応じた好適な表示輝度となるように発光輝度を調整するための調整値を算出する。この調整値は、各画素10での発光期間を調整する値であり、ドライブスキャナ12が走査線DSLに与える発光制御信号のパルスデューティの調整値である。
即ち調整値生成部54は、現在の発光輝度と、現在の外光照度に応じた好適な表示輝度としての表示輝度設定値との差分を算出するとともに、その差分に応じて、パネルモジュール40での各画素10の平均輝度が、現在の外光照度に応じた好適な表示輝度となるように発光輝度を調整するための調整値を算出する。この調整値は、各画素10での発光期間を調整する値であり、ドライブスキャナ12が走査線DSLに与える発光制御信号のパルスデューティの調整値である。
デューティ制御部55は、調整値生成部54で算出された調整値に基づいて、発光制御信号のパルスデューティが調整されるようにパネルモジュール40におけるドライブスキャナ12を制御する。
例えば図12(a)は垂直同期信号により1フレームの期間を示しており、図12(b)(c)にドライブスキャナ12が走査線DSLに与える発光制御信号を示している。図12(b)はパルスデューティが25%とされた場合、図12(c)はパルスデューティが50%とされた場合である。
図2の画素10の回路からわかるように、この発光制御信号は走査線DSLによりスイッチングトランジスタT3のゲートに印加される。スイッチングトランジスタT3は、そのドレインが電源電位Vccに接続され、そのソースがドライブトランジスタT5のドレインに接続されており、スイッチングトランジスタT3は走査線DSLからの発光制御信号がHレベルとされた期間に導通して、電源電位VccからドライブトランジスタT5に電流を供給する。つまり、この発光制御信号のHレベル期間の長さ(パルスデューティ)により有機EL素子1の1フレーム内での発光期間が制御される。
従って、デューティ制御部55が、調整値生成部54で算出された調整値に基づいて、発光制御信号のパルスデューティが調整されるようにドライブスキャナ12を制御することで、各画素10の発光期間(発光/非発光の割合)が可変制御され、これによって表示輝度が可変制御されることになる。
例えば図12(a)は垂直同期信号により1フレームの期間を示しており、図12(b)(c)にドライブスキャナ12が走査線DSLに与える発光制御信号を示している。図12(b)はパルスデューティが25%とされた場合、図12(c)はパルスデューティが50%とされた場合である。
図2の画素10の回路からわかるように、この発光制御信号は走査線DSLによりスイッチングトランジスタT3のゲートに印加される。スイッチングトランジスタT3は、そのドレインが電源電位Vccに接続され、そのソースがドライブトランジスタT5のドレインに接続されており、スイッチングトランジスタT3は走査線DSLからの発光制御信号がHレベルとされた期間に導通して、電源電位VccからドライブトランジスタT5に電流を供給する。つまり、この発光制御信号のHレベル期間の長さ(パルスデューティ)により有機EL素子1の1フレーム内での発光期間が制御される。
従って、デューティ制御部55が、調整値生成部54で算出された調整値に基づいて、発光制御信号のパルスデューティが調整されるようにドライブスキャナ12を制御することで、各画素10の発光期間(発光/非発光の割合)が可変制御され、これによって表示輝度が可変制御されることになる。
[4.デューティ制御処理]
以上の構成で実行されるデューティ制御処理について説明する。
図11は制御演算部50において繰り返し継続的に実行されるデューティ制御処理を示している。
以上の構成で実行されるデューティ制御処理について説明する。
図11は制御演算部50において繰り返し継続的に実行されるデューティ制御処理を示している。
制御演算部50は、ステップF101で発光輝度検知部52により発光輝度を検出する。即ち発光輝度検知部52が、メモリ部46からの、輝度検出用受光センサ36で検出された信号に基づく各画素で発光された輝度情報を取り込み、またそのタイミングに合わせて処理対象となっているフレームについて、メモリ部43からの各画素へ入力した信号値としての輝度レベルを取り込む。さらに、メモリ部43の信号値としての輝度レベルに20%の係数乗算した値を係数乗算処理部51を介して取り込む。
そして上記のように、発光輝度変化量を算出し、入力映像信号の各画素の輝度レベル(メモリ部43から取り込んだ輝度信号値)を発光輝度変化量によって補正することで、実際の表示出力としての輝度レベルの情報を求める。
そして上記のように、発光輝度変化量を算出し、入力映像信号の各画素の輝度レベル(メモリ部43から取り込んだ輝度信号値)を発光輝度変化量によって補正することで、実際の表示出力としての輝度レベルの情報を求める。
制御演算部50はステップF102では、照度演算部53が表示輝度設定値を算出する。即ち照度演算部53はA/D変換器45を介して取り込んだ照度情報から、現在の照度を求める。
照度演算部53は例えば図13に示すような照度と表示輝度との対応情報を記憶している。例えば表示輝度の範囲として150〜300cd/m2を想定した場合、外光照度(Lx)に応じた表示輝度の設定値を、図13に示すように対応させた対応情報を設定しておく。即ち照度P以下の場合は、表示輝度設定値=150cd/m2、外光照度が照度Pを越えたら表示輝度設定値も徐々に高くなり、照度Q以上は、表示輝度設定値=300cd/m2とするような対応情報である。これは外光照度のレベルに応じて良好な視認性を得るための表示輝度の情報である。
照度演算部53は、検出した現在の外光照度のレベルを用いてこのような対応情報を参照し、表示輝度設定値、つまり現在の外光照度のレベルに応じて適した表示輝度を求める。
照度演算部53は例えば図13に示すような照度と表示輝度との対応情報を記憶している。例えば表示輝度の範囲として150〜300cd/m2を想定した場合、外光照度(Lx)に応じた表示輝度の設定値を、図13に示すように対応させた対応情報を設定しておく。即ち照度P以下の場合は、表示輝度設定値=150cd/m2、外光照度が照度Pを越えたら表示輝度設定値も徐々に高くなり、照度Q以上は、表示輝度設定値=300cd/m2とするような対応情報である。これは外光照度のレベルに応じて良好な視認性を得るための表示輝度の情報である。
照度演算部53は、検出した現在の外光照度のレベルを用いてこのような対応情報を参照し、表示輝度設定値、つまり現在の外光照度のレベルに応じて適した表示輝度を求める。
次に制御演算部50は、ステップF103で調整値生成部54により調整値を算出する。即ち発光輝度情報と表示輝度設定値の差分を求め、その差分に応じて各画素10の発光期間を調整する調整値を求める。
そして制御演算部50はステップF104では、調整値生成部54で算出された調整値に基づいて、デューティ制御部55がドライブスキャナ12を制御し、発光制御信号のパルスデューティを可変調整する。
そして制御演算部50はステップF104では、調整値生成部54で算出された調整値に基づいて、デューティ制御部55がドライブスキャナ12を制御し、発光制御信号のパルスデューティを可変調整する。
ここで、有機EL素子1の発光期間を「DUTY」、ピーク輝度を「Lmax」、有機EL素子1の平均輝度を「L average」とすると、その関係は、
L average = L max × DUTY
となる。
図12における1フレームあたり(16.77msec)における発光時間をデューティ100%とした場合、デューティ25%の発光時間で150cd/m2の平均輝度が得られ、デューティ50%の発光時間で300cd/m2の平均輝度が得られるように設計されているとすると、パルスデューティを25%〜50%の範囲で制御することで、図13の対応情報による表示輝度設定値が外光照度に応じて実現されるように調整できることになる。
L average = L max × DUTY
となる。
図12における1フレームあたり(16.77msec)における発光時間をデューティ100%とした場合、デューティ25%の発光時間で150cd/m2の平均輝度が得られ、デューティ50%の発光時間で300cd/m2の平均輝度が得られるように設計されているとすると、パルスデューティを25%〜50%の範囲で制御することで、図13の対応情報による表示輝度設定値が外光照度に応じて実現されるように調整できることになる。
この図11の処理が繰り返されることで、パネルモジュール40における表示画面の平均輝度が外光照度に応じて調整される。即ち周囲環境に応じた表示輝度制御を実行できる常に視認性を確保できる。
また、入力映像信号の輝度レベル情報とは独立して、ドライブスキャナ12に対するデューティ制御を行って表示輝度調整を実現しているので、低輝度表示においても、ダイナミックレンジが低下することなく、高品位の画質提供が可能となる。
また、表示部に供給する映像信号としての輝度信号値と、実際に画素での輝度検出用受光センサ36で得られる発光輝度情報から発光輝度変化量を検出し、これを調整値の算出に用いている。即ちメモリ部43から読み出した輝度レベルを、発光輝度変化量で補正して正確な発光輝度情報を算出している。そしてこれを調整値の算出に用いることで、有機EL素子1の輝度劣化の進行状況にも応じて適切な調整値を算出できるため、調整精度を向上させるものとなる。
また外光照度情報は、画素領域の周縁部又は画素部に積層して設けた照度検出用受光センサ37を用いて検出することで、画素領域全体に対する外光照度を的確に検出でき、これによっても表示輝度の調整精度が向上される。
また、入力映像信号の輝度レベル情報とは独立して、ドライブスキャナ12に対するデューティ制御を行って表示輝度調整を実現しているので、低輝度表示においても、ダイナミックレンジが低下することなく、高品位の画質提供が可能となる。
また、表示部に供給する映像信号としての輝度信号値と、実際に画素での輝度検出用受光センサ36で得られる発光輝度情報から発光輝度変化量を検出し、これを調整値の算出に用いている。即ちメモリ部43から読み出した輝度レベルを、発光輝度変化量で補正して正確な発光輝度情報を算出している。そしてこれを調整値の算出に用いることで、有機EL素子1の輝度劣化の進行状況にも応じて適切な調整値を算出できるため、調整精度を向上させるものとなる。
また外光照度情報は、画素領域の周縁部又は画素部に積層して設けた照度検出用受光センサ37を用いて検出することで、画素領域全体に対する外光照度を的確に検出でき、これによっても表示輝度の調整精度が向上される。
[5.他の表示パネル構成例]
上記図1,図2では、画素10を構成する画素回路に5つのトランジスタと1つの容量を用いた構成を示したが、有機ELディスプレイとしては、さらに多種多様な画素回路構成が知られている。例えば図14のように、2つのトランジスタと1つの容量を用いた画素回路構成がある。
上記図1,図2では、画素10を構成する画素回路に5つのトランジスタと1つの容量を用いた構成を示したが、有機ELディスプレイとしては、さらに多種多様な画素回路構成が知られている。例えば図14のように、2つのトランジスタと1つの容量を用いた画素回路構成がある。
この図14では、図2と同様に、1つの画素回路のみを示しているが、この回路構成を持つ画素10が図1のようにマトリクス状に配置されている。
そして各画素10の発光動作を、入力される映像信号に応じて制御して映像表示を実行させるスキャン回路として水平セレクタ11、ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13を備える。
画素10は、図示するように発光素子である有機EL素子1と、1個の保持容量C1と、サンプリングトランジスタT10、ドライブトランジスタT11としての2つのnチャネル薄膜トランジスタとで構成されている。
そしてドライブスキャナ12からの走査線DSLがドライブトランジスタT11のドレインに接続される。
そして各画素10の発光動作を、入力される映像信号に応じて制御して映像表示を実行させるスキャン回路として水平セレクタ11、ドライブスキャナ12、ライトスキャナ13を備える。
画素10は、図示するように発光素子である有機EL素子1と、1個の保持容量C1と、サンプリングトランジスタT10、ドライブトランジスタT11としての2つのnチャネル薄膜トランジスタとで構成されている。
そしてドライブスキャナ12からの走査線DSLがドライブトランジスタT11のドレインに接続される。
サンプリングトランジスタT10は走査線WSLによって選択されたときに動作し、信号線DTLからの入力信号をサンプリングして保持容量C1に保持させる。
ドライブトランジスタT5は、走査線DSLにより発光制御信号が印加された期間、保持容量C1に保持された信号電位に応じて有機EL素子1を電流駆動する。
つまりこの構成は、ドライブスキャナ12が各画素10に印加する発光制御信号がHレベルの期間に、有機EL素子1への電流印加が行われて発光駆動されることになる。そしてこのような構成においても、走査線DSLに与えられる発光制御信号のパルスデューティを可変制御することで、有機EL素子1の発光期間が制御されることになり、つまり上述してきた例の場合と同様に表示輝度調整を実行することができる。
ドライブトランジスタT5は、走査線DSLにより発光制御信号が印加された期間、保持容量C1に保持された信号電位に応じて有機EL素子1を電流駆動する。
つまりこの構成は、ドライブスキャナ12が各画素10に印加する発光制御信号がHレベルの期間に、有機EL素子1への電流印加が行われて発光駆動されることになる。そしてこのような構成においても、走査線DSLに与えられる発光制御信号のパルスデューティを可変制御することで、有機EL素子1の発光期間が制御されることになり、つまり上述してきた例の場合と同様に表示輝度調整を実行することができる。
以上、実施の形態を説明してきたが、本発明は実施の形態に限定されず、多様な変形例が考えられる。
実施の形態では輝度調整する対象の画素について特に言及しなかったが、例えば赤色を発光するR画素、緑色を発光するG画素、青色を発光するB画素のそれぞれを別にして3系統で調整値を算出し、発光色毎に発光期間を調整制御するようにしてもよい。
さらに白色を発光するW画素が設けられる場合に、そのW画素も含めて4系統で調整値を算出し、発光色毎に発光期間を調整制御するようにしてもよい。
実施の形態では輝度調整する対象の画素について特に言及しなかったが、例えば赤色を発光するR画素、緑色を発光するG画素、青色を発光するB画素のそれぞれを別にして3系統で調整値を算出し、発光色毎に発光期間を調整制御するようにしてもよい。
さらに白色を発光するW画素が設けられる場合に、そのW画素も含めて4系統で調整値を算出し、発光色毎に発光期間を調整制御するようにしてもよい。
また有機ELディスプレイの例で述べたが、本発明は自発光素子を用いた表示装置に好適であり、LEDディスプレイ、PDP(Plasma Display Panel)などの他の表示装置にも適用できる。
1 有機EL素子、10 画素 36 輝度検出用受光センサ、37 照度検出用受光センサ、40 パネルモジュール、43,46 メモリ部、50 制御演算部、51 係数乗算処理部、52 発光輝度検知部、53 照度演算部、54 調整値生成部、55 デューティ制御部
Claims (11)
- 自発光素子を用いた複数の画素が配列されるとともに、入力される映像信号に基づいて上記各画素の発光動作を制御して映像表示を実行させるスキャン回路を有する表示部と、
上記表示部の発光輝度情報を得る輝度情報検出部と、
上記表示部に対する外光照度情報を得る照度情報検出部と、
上記発光輝度情報と上記外光照度情報に基づいて、上記表示部の各画素の発光期間の調整値を算出し、該調整値に基づいて上記スキャン回路の動作を制御して表示部の表示輝度を調整する制御演算部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。 - 上記自発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 上記制御演算部は、上記スキャン回路が上記各画素の発光期間を制御する発光制御信号のパルスデューティの調整値を算出して、上記スキャン回路を制御することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 上記制御演算部は、外光照度に対する表示輝度設定値の対応情報を記憶し、入力される上記外光照度情報に基づいて上記対応情報を参照して表示輝度設定値を求め、表示輝度設定値と上記発光輝度情報に基づいて上記調整値を算出することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 上記輝度情報検出部は、
上記表示部に供給する映像信号の各画素の輝度情報を記憶する第1のメモリ部と、
上記表示部の各画素の発光光量を検出する受光センサと、
上記受光センサで得られる各画素の光量を、各画素の輝度情報として記憶する第2のメモリ部とを有し、
上記制御演算部は、上記第1のメモリ部に記憶された輝度情報と、上記第2のメモリ部に記憶された輝度情報とを、上記輝度情報検出部で得られる発光輝度情報として上記調整値の算出に用いることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 上記受光センサは、各画素の漏れ光の光量を検出するようにされ、上記第2のメモリ部は、上記受光センサで得られる各画素の漏れ光の光量を、各画素の輝度情報として記憶するとともに、
上記制御演算部は、上記第1のメモリ部に記憶された輝度情報に対して係数演算して得た値と、上記第2のメモリ部に記憶された輝度情報を用いて画素の発光輝度変化情報を検出することを特徴とする請求項5に記載の表示装置。 - 上記受光センサは、表示面平面方向に見て、隣接する画素の各発光素子の間の領域に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 上記照度情報検出部は、
上記表示部において上記各画素が配列された画素領域の周縁部に積層形成されて外光光量を検出する受光センサを有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 上記照度情報検出部は、
上記表示部の各画素領域に画素と共に積層形成されて外光光量を検出する受光センサを有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 自発光素子を用いた複数の画素が配列されるとともに、入力される映像信号に基づいて上記各画素の発光動作を制御して映像表示を実行させるスキャン回路を有する表示部を備えた表示装置に用いられる制御演算装置として、
上記表示部の発光輝度情報と上記表示部に対する外光照度情報が入力されることに応じて、上記表示部の各画素の発光期間の調整値を算出し、該調整値に基づいて、上記スキャン回路が上記各画素の発光期間を制御する発光制御信号のパルスデューティを制御することを特徴とする制御演算装置。 - 自発光素子を用いた複数の画素が配列されるとともに、入力される映像信号に基づいて上記各画素の発光動作を制御して映像表示を実行させるスキャン回路を有する表示部を備えた表示装置の表示駆動方法として、
上記表示部の発光輝度情報を得る輝度情報検出ステップと、
上記表示部に対する外光照度情報を得る照度情報検出ステップと、
上記発光輝度情報と上記外光照度情報に基づいて、上記表示部の各画素の発光期間の調整値を算出し、該調整値に基づいて上記スキャン回路の動作を制御して表示部の表示輝度を調整する制御演算ステップと、
を備えたことを特徴とする表示駆動方法。
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010072112A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Casio Computer Co Ltd | 表示装置及びその駆動制御方法 |
JP2010122277A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Sony Corp | 表示装置 |
CN101866627A (zh) * | 2010-06-29 | 2010-10-20 | 彩虹集团公司 | 一种直下式白光led背光源控制方法 |
JP2010250171A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | 自発光表示装置および電子機器 |
CN101908309A (zh) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 索尼公司 | 显示装置及其驱动方法和执行像素占空控制的电子装置 |
CN101937652A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-01-05 | 彩虹集团公司 | 一种直下式白光led背光源背光统计方法 |
CN101944332A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-01-12 | 彩虹集团公司 | 直下式白光led背光源背光统计控制方法 |
CN101950537A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-01-19 | 彩虹集团公司 | 一种侧光式白光led背光源控制方法 |
JP2012226185A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Japan Display West Co Ltd | 表示装置 |
JP2013101762A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及び発光システム |
JP2015132830A (ja) * | 2015-02-17 | 2015-07-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US9223193B2 (en) | 2010-08-02 | 2015-12-29 | Nec Display Solutions, Ltd. | Projection type display apparatus and method of cooling light source |
JP2019525209A (ja) * | 2016-07-20 | 2019-09-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 発光制御回路、発光制御回路を備えた表示装置及びその駆動方法 |
WO2020261398A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | シャープ株式会社 | 表示装置及び映像処理方法 |
JP2021517275A (ja) * | 2018-03-27 | 2021-07-15 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 画面輝度調整方法および端末 |
CN113314075A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-27 | 维沃移动通信有限公司 | 显示屏、电子设备、显示控制方法和控制装置 |
CN114613317A (zh) * | 2022-02-18 | 2022-06-10 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电子设备的环境光强度的计算方法、相关电子设备和芯片 |
CN116704950A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-09-05 | 长春希达电子技术有限公司 | Mini/Micro LED车载显示器的显示方法 |
-
2007
- 2007-01-19 JP JP2007010272A patent/JP2008176115A/ja active Pending
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8350839B2 (en) | 2008-09-16 | 2013-01-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and driving control method for the same |
JP2010072112A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Casio Computer Co Ltd | 表示装置及びその駆動制御方法 |
TWI423207B (zh) * | 2008-09-16 | 2014-01-11 | Casio Computer Co Ltd | 顯示裝置及其驅動控制方法 |
JP2010122277A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2010250171A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | 自発光表示装置および電子機器 |
US8508441B2 (en) | 2009-04-17 | 2013-08-13 | Seiko Epson Corporation | Self-luminescent display device having a temperature and light sensor for correcting image data and electronic apparatus thereof |
CN101908309A (zh) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 索尼公司 | 显示装置及其驱动方法和执行像素占空控制的电子装置 |
CN101866627A (zh) * | 2010-06-29 | 2010-10-20 | 彩虹集团公司 | 一种直下式白光led背光源控制方法 |
US9223193B2 (en) | 2010-08-02 | 2015-12-29 | Nec Display Solutions, Ltd. | Projection type display apparatus and method of cooling light source |
CN101944332A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-01-12 | 彩虹集团公司 | 直下式白光led背光源背光统计控制方法 |
CN101937652B (zh) * | 2010-09-27 | 2013-07-03 | 彩虹集团公司 | 一种直下式白光led背光源背光计算方法 |
CN101950537A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-01-19 | 彩虹集团公司 | 一种侧光式白光led背光源控制方法 |
CN101937652A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-01-05 | 彩虹集团公司 | 一种直下式白光led背光源背光统计方法 |
JP2012226185A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Japan Display West Co Ltd | 表示装置 |
US9330621B2 (en) | 2011-04-21 | 2016-05-03 | Japan Display Inc. | Display device with improved luminance |
US9852701B2 (en) | 2011-04-21 | 2017-12-26 | Japan Display Inc. | Display device with improved luminance |
JP2013101762A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及び発光システム |
JP2015132830A (ja) * | 2015-02-17 | 2015-07-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2019525209A (ja) * | 2016-07-20 | 2019-09-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 発光制御回路、発光制御回路を備えた表示装置及びその駆動方法 |
JP2021517275A (ja) * | 2018-03-27 | 2021-07-15 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 画面輝度調整方法および端末 |
JP7164126B2 (ja) | 2018-03-27 | 2022-11-01 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | 画面輝度調整方法および端末 |
WO2020261398A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | シャープ株式会社 | 表示装置及び映像処理方法 |
CN113314075A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-08-27 | 维沃移动通信有限公司 | 显示屏、电子设备、显示控制方法和控制装置 |
CN114613317A (zh) * | 2022-02-18 | 2022-06-10 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电子设备的环境光强度的计算方法、相关电子设备和芯片 |
CN114613317B (zh) * | 2022-02-18 | 2023-10-31 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电子设备的环境光强度的计算方法、相关电子设备和芯片 |
CN116704950A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-09-05 | 长春希达电子技术有限公司 | Mini/Micro LED车载显示器的显示方法 |
CN116704950B (zh) * | 2023-08-04 | 2024-01-09 | 长春希达电子技术有限公司 | Mini/Micro LED车载显示器的显示方法 |
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