JP2019525209A - 発光制御回路、発光制御回路を備えた表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施例では、OLEDのカソードはシステム低電圧レベルELVSSに接続されるが、M4のソースは、システム高電圧レベルELVDDに結合される。OLEDを駆動するために、画素駆動回路では幾つかのキー制御信号Reset、Gate、とEMがシーケンスタイミング波形の形で採用される。
一部の実施例において、発光制御回路は、共通ゲートオンアレイ(GOA)周辺回路における駆動信号線からの若干の制御信号を用いて作動するように配置された画素駆動回路(例えば、画素補償回路)に集積される。実施例では、図5の発光制御回路のEM出力は、続いて、図3の画素駆動回路へEM信号を提供する入力とされる。他の実施例では、第3の制御信号CB、第4の制御信号CK、第5の制御信号EM1は、GOA回路に関連するオリジナルCLK信号である。任意で、すべのシーケンス期間において、第3の制御信号CBと第4の制御信号CKは、高低レベルを交互にかつ互いに逆に提供される。第5の制御信号EM1は、特定画素画像を特定期間において表示するというシステム要求に基づいてOLEDモジュールを作動させるための信号である。本願において、該第5の制御信号EM1は図5Aの発光制御回路に用いられる入力信号となり、それは、EM出力を図3の画素駆動回路に用いられる更新された発光制御信号として得るためのものである。第1の制御信号Reset 1と第2の制御信号CB1を、発光制御回路を作動させるための2つの付加的クロック信号として、システム周辺回路と分離して生成する。図5Bに示したタイミング波形は、6つのシーケンス期間において、発光制御回路を作動させることでEM出力信号を生成するように指定された5つの制御信号のそれぞれを示す。任意で、EM出力信号は、画素駆動回路(図3)への入力として用いられ、かつ少なくとも1つの断続的な期間において低レベルから高レベルに選択的に切り替え、これにより、持続した高強度発光期間後にOLED発光を一時的にターンオフさせることができる。このような制御方法により、発光制御回路は、OLEDを保護するとともにその寿命を延長させる。
T1 第1のTFT
T2 第2のTFT
T3 第3のTFT
T4 第4のTFT
T5 第5のTFT
T6 第6のTFT
C11 第1のキャパシタ
C12 第2のキャパシタ
Claims (20)
- 有機発光ダイオードの発光を制御するための発光制御回路であって、
有機発光ダイオードの発光強度を検出するように配置された光センサーと、
第1の薄膜トランジスタと、
第2の薄膜トランジスタと、
第3の薄膜トランジスタと、
第4の薄膜トランジスタと、
第5の薄膜トランジスタと、
第6の薄膜トランジスタと、
第1のキャパシタと、
第2のキャパシタと、を備え、
第1のキャパシタは、電圧レベルVcomが提供されるように配置された第1の端子と、第1の共通ノードに結合された第2の端子とを有し、前記第1の共通ノードは、光センサーのアノードと、第1の薄膜トランジスタのソースノードと、第2の薄膜トランジスタのソースノードとによって共有され、
第1の薄膜トランジスタは、第1の制御信号によって控制されるゲートと、電圧レベルVcomが提供されるように配置されたドレインノードとを有し、
第2の薄膜トランジスタは、第2の制御信号によって控制されるゲートと、第3の薄膜トランジスタのゲートと第4の薄膜トランジスタのゲートに結合されるドレインノードとを有し、
第3の薄膜トランジスタは、システム高電圧レベルVGHが提供されるように配置されたソースノードと、第2の共通ノードに結合されるドレインノードとを有し、前記第2の共通ノードは、第5の薄膜トランジスタのドレインノードと第2のキャパシタの第1の端子によって共有され、
第4の薄膜トランジスタは、システム高電圧レベルVGHが提供されるように配置されたソースノードを有し、
第2のキャパシタは、第3の制御信号が提供されるように配置された第2の端子を有し、
第5の薄膜トランジスタは、第4の制御信号によって制御されるゲートと、システム低電圧レベルVGLが提供されるように配置されたソースノードとを有し、
第6の薄膜トランジスタは、第2の共通ノードに結合されるゲートと、第5の制御信号が提供されるように配置されたソースノードと、第4の薄膜トランジスタのドレインノードに結合される、発光制御信号を出力するためのドレインノードとを有する発光制御回路。 - 前記光センサーは、有機発光ダイオードのベース基板上のPN接合を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光制御回路。
- 前記PN接合は、システム低電圧レベルにあるP+ドーピング半導体領域のカソードと、前記第1の共通ノードに結合されるN+ドーピング半導体領域のアノードと、前記P+ドーピング半導体領域と前記N+ドーピング半導体領域との間の非晶質半導体真性領域と、を有するように配置されたPIN光電ダイオードであることを特徴とする、請求項2に記載の発光制御回路。
- 前記PIN光電ダイオードは、光電流を生成して前記第1の共通ノードの電圧レベルが電圧レベルVcomから第1の量で下降して下降後の電圧レベルに達するようにするために、1つの期間内の有機発光ダイオードの発光強度を検出するように配置され、前記第1の量はP+ドーピング半導体領域とN+ドーピング半導体領域のドーピング属性に依存することを特徴とする、請求項3に記載の発光制御回路。
- 第2の制御信号が第2の薄膜トランジスタをターンオンさせる場合、第1の共通ノードの電圧レベルは、第4の薄膜トランジスタをターンオンさせるのに足る低さのレベルまで下降することを特徴とする、請求項4に記載の発光制御回路。
- 前記発光制御信号は、有機発光ダイオードのトランジスタ閾値電圧シフトを補償するように配置された画素駆動回路に用いられる入力信号であることを特徴とする、請求項1に記載の発光制御回路。
- 前記発光制御信号は、1つの連続的な時間スパンにおける1つまたは複数の断続的な期間において、前記有機発光ダイオードの発光をターンオフするに足る高電圧レベルであって、前記第5の制御信号は、前記連続的な時間スパンにおいて低電圧レベルを保持し、かつ前記発光制御信号は、前記第5の制御信号が高電圧レベルを保持する期間において、有機発光ダイオードの発光をターンオフするに足る前記高電圧レベルであることを特徴とする、請求項1に記載の発光制御回路。
- 第3の制御信号、第4の制御信号、および第5の制御信号は画素駆動回路と共有されるクロック信号であることを特徴とする、請求項6に記載の発光制御回路。
- 第1の制御信号は、光センサーをリセットするのに用いられる、単独で生成されるクロック信号であることを特徴とする、請求項1に記載の発光制御回路。
- 第2の制御信号は、第2の薄膜トランジスタをターンオンまたはターンオフに切り替えるのに用いられる、単独で生成されるクロック信号であることを特徴とする、請求項1に記載の発光制御回路。
- 第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタ、第3の薄膜トランジスタ、第4の薄膜トランジスタ、第5の薄膜トランジスタ、および第6の薄膜トランジスタはいずれもP型トランジスタであることを特徴とする、請求項1に記載の発光制御回路。
- 請求項1の発光制御回路で有機発光ダイオードの発光を制御する駆動方法であって、
第1期間においては、第1の制御信号を、第1の薄膜トランジスタをターンオンさせるのに足り、第1の共通ノードを電圧レベルVcomに保持する低レベルに設け、第4の制御信号を、第5の薄膜トランジスタをターンオンさせるに足る低レベルに設けることによって、システム低電圧レベルVGLが第2の共通ノードへ伝送されるようにして第6の薄膜トランジスタをターンオンさせ、また、第2の制御信号を、第2の薄膜トランジスタをターンオフするに足り、さらに第3の薄膜トランジスタと第4の薄膜トランジスタをターンオフする高レベルに設け、
第2期間においては、第1の制御信号を、第1の薄膜トランジスタをターンオフさせるに足る高レベルに切り替え、第2の制御信号を、第2の薄膜トランジスタをターンオンさせるに足る低レベルに設け、光センサーは有機発光ダイオードが発光する、十分に高強度の光にさらされて光電流を生成することで、第1の共通ノードの電圧を電圧レベルVcomから、第3の薄膜トランジスタをターンオンさせる十分に低い電圧レベルに引き下げて、これによりシステム高電圧レベルVGHが第2の共通ノードに伝送されるようにして第6の薄膜トランジスタをターンオフし、第4の制御信号を、第5の薄膜トランジスタをターンオフするに足る高レベルに設け、また、第1の共通ノードの十分に低い電圧レベルにより第4の薄膜トランジスタをターンオンさせることにより、システム高電圧レベルVGHが第4の薄膜トランジスタのドレインノードに伝送されるようにし、
第3期間においては、第2の制御信号を、第2の薄膜トランジスタをターンオフして、さらに第3の薄膜トランジスタと第4の薄膜トランジスタをターンオフするための高レベルに切り替えて、第4の制御信号を低レベルに設けることによって、第5の薄膜トランジスタをターンオフさせ、さらに第2の共通ノードの電圧レベルを、第6の薄膜トランジスタをターンオンさせるに足る低電圧レベルまで下降させ、
第4期間においては、第1の薄膜トランジスタと、第2の薄膜トランジスタと、第3の薄膜トランジスタと、第4の薄膜トランジスタのターンオフを保持し、第4の制御信号を、第5の薄膜トランジスタをターンオフするに足る高レベルに切り替えて第2の共通ノードがフローティング状態となるように保持し、第3の制御信号を低レベルに切り替えて、第2の共通ノードの電圧を十分に低いレベルまで引き下げることで第6の薄膜トランジスタのターンオンを保持し、
第5期間においては、第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタ、第3の薄膜トランジスタ、第4の薄膜トランジスタのターンオフを保持し、第4の制御信号を、第5の薄膜トランジスタをターンオンさせるに足る低レベルに切り替えて、第2の共通ノードの電圧を、第6の薄膜トランジスタをターンオンさせるシステム低電圧レベルまで引き下げ、
第6期間においては、第1の薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタをターンオンさせて第1の共通ノードの電圧レベルVcomを保持することによって第3の薄膜トランジスタと第4の薄膜トランジスタのターンオフを保持し、第4の制御信号を、第5の薄膜トランジスタをターンオフするに足る高レベルに切り替えることで第2の共通ノードのフローティング状態を保持し、また、第3の制御信号を低レベルに設けることで第2の共通ノードの電圧を十分に低いレベルまで引き下げて第6の薄膜トランジスタのターンオンを保持することを含む、駆動方法。 - 第2期間において第6の薄膜トランジスタをターンオフし、かつ第4の薄膜トランジスタをターンオンさせることでシステム高電圧レベルVGHをそのソースノードからそのドレインノードに伝送し、第2期間内において、有機発光ダイオードの発光を間歇的にターンオフするために高電圧レベルの発光制御信号を出力することを特徴とする、請求項12に記載の駆動方法。
- 第3期間と第4期間においては、第4の薄膜トランジスタをターンオフして第6の薄膜トランジスタをターンオンさせることで、低電圧レベルに設置された第5の制御信号を第6の薄膜トランジスタのソースノードから第6の薄膜トランジスタのドレインノードに伝送させ、低電圧レベルを発光制御信号として出力して有機発光ダイオードの発光のオンを維持するために用いることを特徴とする、請求項12に記載の駆動方法。
- 第5期間においては、第4の薄膜トランジスタをターンオフして第6の薄膜トランジスタをターンオンさせることで、高電圧レベルに設置された第5の制御信号を第6の薄膜トランジスタのソースノードから第6の薄膜トランジスタのドレインノードに伝送させ、高電圧レベルを発光制御信号として出力して有機発光ダイオードの発光をオフするために用いることを特徴とする、請求項12に記載の駆動方法。
- 第1期間において、第1の制御信号は、第1の薄膜トランジスタのゲートに選択的に印加されるリセット信号であることを特徴とする、請求項12に記載の駆動方法。
- 第6期間において、第1の制御信号は、第1の薄膜トランジスタをターンオンさせるに足る低レベルを、第1の薄膜トランジスタのゲートに選択的に印加するリセット信号であって、さらに、第2の制御信号を、第2の薄膜トランジスタをターンオンさせるに足る低電圧レベルに設けることを特徴とする、請求項12に記載の駆動方法。
- 画像表示用の画素を複数含み、各画素が少なくとも1つの有機発光ダイオードを含む表示装置であって、
前記少なくとも1つの有機発光ダイオードは、ベース基板と、前記ベース基板上の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの、基板から離れた片側上に位置する第1の電極層と、第1の電極層の、ベース基板から離れた片側上に位置する電界発光材料層と、電界発光材料層の、第1の電極層から離れた片側上に位置する第2の電極層と、
光センサーで検出された有機発光ダイオードの発光強度に基づいて画像表示期間の1つまたは複数の断続的な期間において有機発光ダイオードを選択的にターンオフするために発光制御信号を生成するように配置された請求項1の発光制御回路と、を含む表示装置。 - 有機発光ダイオードのトランジスタ閾値電圧シフトを補償するように配置された、発光制御回路に結合される画素駆動回路をさらに備えることを特徴とする、請求項18に記載の表示装置。
- 画素駆動回路は、発光制御信号によって制御されるゲートノードと、有機発光ダイオードに接続されたドレインノードと、を有するP型トランジスタを備えることを特徴とする、請求項19に記載の表示装置。
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