CN109326633B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置，显示面板为包括至少一个LTPS薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管的LTPO显示面板。其中，LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均在缓冲层制作完毕后制备，即LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均形成于缓冲层背离基板一侧。而缓冲层对应Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构，进而通过将Oxide薄膜晶体管制作在该凹槽结构或镂空结构内，避免Oxide薄膜晶体管背离基板一侧表面过高而增大LTPO显示面板的厚度，有效解决了现有LTPO显示面板厚度大的问题，且厚度小的柔性LTPO显示面板利于弯折。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更为具体的说，涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED))设备为自发光型显示设备，OLED设备包括多个有机发光器件，每一有机发光器件包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。其中，分别通过阴极和阳极实现对有机发光层的电子注入和空穴注入，通过空穴和电子在有机发光层中复合以产生激子，这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。
作为自发光型显示设备，OLED设备不需要单独的光源，因此，OLED设备可以以低电压驱动，并且更易制作为轻薄化的外形；此外，OLED设备具有宽视角、高对比度和灵敏的响应速度等优势，故而OLED设备被广泛应用于多种领域，如智能移动终端、电视机、电脑、可折叠或可卷曲显示设备等。
目前，大部分的OLED设备采用的是LTPS(Low Temperature Poly-silicon 低温多晶硅)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的面板技术。在经历过去数年的改良，LTPS显示面板拥有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，使其成为了当今市面上最成熟和主流的TFT面板技术方案。虽然LTPS显示面板尽管受到了市场欢迎，但其具有生产成本较高、所需功耗较大的劣势。
因此，技术人员开发出来了LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)显示面板技术，即将LTPS显示面板技术和Oxide显示面板技术相结合得到的LTPO显示面板，LTPO显示面板不仅具有LTPS显示面板的高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有生产成本低和功耗低的优势，但是，LTPO显示面板的厚度较大。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及显示装置，解决现有LTPO显示面板厚度大的问题，利于柔性的LTPO显示面板的弯折。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种显示面板，所述显示面板包括：
基板；
位于所述基板一表面上的缓冲层；
以及，位于所述缓冲层背离所述基板一侧的至少一个LTPS薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管，其中，所述缓冲层对应所述Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构。
可选的，所述缓冲层对应所述Oxide薄膜晶体管的区域为镂空结构时，位于所述Oxide薄膜晶体管与所述基板之间还包括：
辅助膜层，所述辅助膜层背离所述基板一侧表面低于所述缓冲层背离所述基板一侧表面。
可选的，所述辅助膜层为无机膜层。
可选的，所述辅助膜层复用所述LTPS薄膜晶体管中任意一绝缘层。
可选的，所述显示面板显示区域和环绕所述显示区域的边框区域；
所述边框区域设置有驱动电路，及所述显示区域设置有多个像素电路，所述像素电路包括至少一个响应扫描控制信号的薄膜晶体管和至少一个响应发光控制信号的薄膜晶体管，及所述驱动电路包括用于产生所述扫描控制信号的扫描控制单元和用于产生所述发光控制信号的发光控制单元；
其中，所述扫描控制单元的薄膜晶体管包括至少一个所述Oxide薄膜晶体管，和/或，所述发光控制单元的薄膜晶体管包括至少一个所述Oxide薄膜晶体管。
可选的，所述发光控制单元的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管。
可选的，所述像素电路的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管。
可选的，所述显示面板还包括有弯折区域，其中，所述驱动电路和所述像素电路位于所述弯折区域的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管。
可选的，所述Oxide薄膜晶体管的氧化物材料为铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物和铝锌氧化物中的至少一种。
相应的，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种显示面板及显示装置，显示面板为包括至少一个LTPS 薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管的LTPO显示面板。其中，LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均在缓冲层制作完毕后制备，即LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均形成于缓冲层背离基板一侧。而缓冲层对应Oxide 薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构，进而通过将Oxide薄膜晶体管制作在该凹槽结构或镂空结构内，避免Oxide薄膜晶体管背离基板一侧表面过高而增大LTPO显示面板的厚度，有效解决了现有LTPO显示面板厚度大的问题，且厚度小的柔性LTPO显示面板利于弯折。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图10为本申请实施例提供的一种发光控制单元的结构示意图；
图11为本申请实施例提供的一种时序图；
图12为本申请实施例提供的一种驱动电路的结构示意图；
图13为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，技术人员开发出来了LTPO(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)显示面板技术，即将LTPS显示面板技术和Oxide显示面板技术相结合得到的LTPO显示面板，LTPO显示面板不仅具有LTPS显示面板的高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有生产成本低和功耗低的优势，但是，LTPO显示面板的厚度较大。
基于此，本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，解决现有LTPO 显示面板厚度大的问题，利于柔性的LTPO显示面板的弯折。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图11对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。
参考图1所示，为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图，其中，所述显示面板包括：
基板100；
位于所述基板100一表面上的缓冲层200；
以及，位于所述缓冲层200背离所述基板一侧的至少一个LTPS薄膜晶体管310和至少一个Oxide薄膜晶体管320，其中，所述缓冲层200对应所述 Oxide薄膜晶体管320的区域为凹槽结构或镂空结构。
在本申请一实施例中，本申请实施例提供的缓冲层200包括用于阻挡基板100中杂质进入薄膜晶体管的功能、用于与薄膜晶体管实现晶格匹配的功能和用于阻挡水汽侵蚀功能中一种功能或多种功能组合，其可以为单膜层结构，还可以为多个子缓冲膜层叠加的组合结构，对此本申请不做具体限制。
如图1所示，本申请提供的缓冲层200对应Oxide薄膜晶体管320的区域可以为凹槽结构，其中，在缓冲层200为多个子缓冲膜层叠加的组合结构时，缓冲层200的凹槽结构可以为任意一个或多个子缓冲膜层在此区域挖槽或挖空处理形成的。
或者，本申请实施例提供的缓冲层200对应Oxide薄膜晶体管320的区域还可以为镂空结构，Oxide薄膜晶体管320可以直接形成在该镂空结构中；进一步的，还可以在该镂空结构中制作一辅助膜层，以在辅助膜层上制备 Oxide薄膜晶体管320，参考图2所示，为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，其中，所述缓冲层200对应所述Oxide薄膜晶体管320的区域为镂空结构时，位于所述Oxide薄膜晶体管320与所述基板之间还包括：
辅助膜层330，所述辅助膜层330背离所述基板100一侧表面低于所述缓冲层200背离所述基板100一侧表面。
可以理解的，辅助膜层330背离基板100一侧表面低于缓冲层200的同侧表面，能够避免辅助膜层330的厚度做大，保证制作完毕Oxide薄膜晶体管320后此处区域厚度较小，进而避免Oxide薄膜晶体管背离基板一侧表面过高而增大LTPO显示面板的厚度。
需要说明的是，本申请实施例提供的辅助膜层可以为单膜层结构，还可以为多个子膜层叠加的组合结构，对此本申请不做具体限制。可选的，本申请实施例提供的所述辅助膜层为无机膜层，有效阻挡水汽对薄膜晶体管的侵蚀。此外，本申请实施例提供的辅助膜层可以单独填充膜层，进一步的，本申请实施例提供的所述辅助膜层还可以复用所述LTPS薄膜晶体管中任意一绝缘层，即，辅助膜层复用可以制作LTPS薄膜晶体管时的栅极绝缘层，或者复用制作LTPS薄膜晶体管时的层间绝缘层，对此本申请不做具体限制。
由上述内容可知，本申请实施例提供的显示面板为包括至少一个LTPS 薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管的LTPO显示面板。其中，LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均在缓冲层制作完毕后制备，即LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均形成于缓冲层背离基板一侧。而缓冲层对应Oxide 薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构，进而通过将Oxide薄膜晶体管制作在该凹槽结构或镂空结构内，使得Oxide薄膜晶体管背离基板一侧表面低于LTPS薄膜晶体管背离基板一侧表面，避免Oxide薄膜晶体管背离基板一侧表面过高而增大LTPO显示面板的厚度，有效解决了现有LTPO显示面板厚度大的问题，且厚度小的柔性LTPO显示面板利于弯折。
具体的，如本申请实施例提供的LTPO显示面板为OLED显示面板时，在制作完毕包括LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管的晶体管层后，需要在晶体管层背离基板一侧继续制作平坦化层、阳极层、像素定义层、发光层、阴极等膜层，由于制作的晶体管层的厚度相较于现有技术较薄，故而，最终制备获得的LTPO显示面板的厚度相较于现有技术较薄，在将LTPO显示面板应用于柔性显示面板时，较薄的柔性的LTPO显示面板的更加利于弯折。
在本申请一实施例中，本申请提供的缓冲层的厚度范围可以为8000埃 -10000埃，包括端点值；以及，本申请实施例提供的缓冲层对应Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构时，凹槽结构的厚度范围可以为1500埃-2500埃，包括端点值；或者，本申请实施例提供的缓冲层对应Oxide薄膜晶体管的区域为镂空结构时，在镂空结构处形成的辅助膜层的厚度范围可以为1500埃 -2500埃，包括端点值，由此可知，由于凹槽结构、镂空结构或辅助膜层的厚度大大小于缓冲层的厚度，故而，能够通过将Oxide薄膜晶体管制作在该凹槽结构、镂空结构或辅助膜层背离基板一侧时，使得Oxide薄膜晶体管背离基板一侧表面低于LTPS薄膜晶体管背离基板一侧表面，避免Oxide薄膜晶体管背离基板一侧表面过高而增大LTPO显示面板的厚度，有效解决了现有 LTPO显示面板厚度大的问题，且厚度小的柔性LTPO显示面板利于弯折。
此外，本申请实施例提供的缓冲层对应Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构，同样能够在凹槽结构上制作填充膜层，而后在填充膜层上制作Oxide 薄膜晶体管，其中凹槽结构和填充膜层的叠层结构背离基板一侧表面低于缓冲层的表面即可，其中，填充膜层的厚度范围可以为1500埃-2500埃，包括端点值。可选的，填充膜层可以与辅助膜层的材质相同。
在本申请一实施例中，本申请提供的LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管，且在制作LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管时，其膜层结构可以相互复用而减少制作流程。下面结合附图3至附图6对本申请实施例提供的薄膜晶体管类型和复用结构进行详细说明。
参考图3所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，LTPS薄膜晶体管310和Oxide薄膜晶体管320均为顶栅型薄膜晶体管，其中，LTPS薄膜晶体管包括：低温多晶硅层3111；
位于低温多晶硅层3111背离基板100一侧的第一栅极绝缘层3112；
位于第一栅极绝缘层3112背离基板100一侧的第一栅极3113；
位于栅极3113背离基板100一侧的第一层间绝缘层3114；
和，位于第一层间绝缘层3114背离基板100一侧的第一源极3115和第一漏极3116，其中，第一源极3115和第一漏极3116通过过孔与低温多晶硅层3111接触。
以及，Oxide薄膜晶体管包括：氧化物半导体层3211；
位于氧化物半导体层3211背离基板100一侧的第二栅极绝缘层3212；
位于第二栅极绝缘层3212背离基板100一侧的第二栅极3213；
位于第二栅极3213背离基板100一侧的第二层间绝缘层3214；
和，位于第二层间绝缘层3214背离基板100一侧的第二源极3215和第二漏极3216，其中，第二源极3215和第二漏极3216通过过孔与氧化物半导体层3211接触。
如图3所示，本申请实施例提供的LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管各膜层结构可以为单独制作的膜层结构。或者，第二栅极绝缘层3212可以复用第一栅极绝缘层3112，第二栅极3213可以与第一栅极3113可以由同一导电层形成，第二层间绝缘层3214可以复用第一层间绝缘层3114，第一源极 3115、第一漏极3116、第二源极3215和第二漏极3216可以由同一导电层形成，对此需要根据实际应用进行具体设计。
参考图4所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，LTPS薄膜晶体管310和Oxide薄膜晶体管320均为底栅型薄膜晶体管，其中，LTPS薄膜晶体管包括：第一栅极3121；
位于第一栅极3121背离基板100一侧的第一栅极绝缘层3122；
位于第一栅极绝缘层3122背离基板100一侧的低温多晶硅层3123；
和，位于低温多晶硅层3123背离基板100一侧的第一源极3124和第一漏极3125；
以及，Oxide薄膜晶体管包括：第二栅极3221；
位于第二栅极3221背离基板100一侧的第二栅极绝缘层3222；
位于第二栅极绝缘层3222背离基板100一侧的氧化物半导体层3223；
和，位于氧化物半导体层3223背离基板100一侧的第二源极3224和第二漏极3225。
如图4所示，本申请实施例提供的LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管各膜层结构可以为单独制作的膜层结构。或者，第二栅极3221可以与第一栅极3121可以由同一导电层形成，第一源极3124、第一漏极3125、第二源极 3224和第二漏极3225可以由同一导电层形成，第二栅极绝缘层3222可以复用第一栅极绝缘层3122，对此需要根据实际应用进行具体设计。
参考图5所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，LTPS薄膜晶体管310为顶栅型薄膜晶体管，且Oxide薄膜晶体管320 均为底栅型薄膜晶体管，其中，LTPS薄膜晶体管包括：低温多晶硅层3131；
位于低温多晶硅层3131背离基板100一侧的第一栅极绝缘层3132；
位于第一栅极绝缘层3132背离基板100一侧的第一栅极3133；
位于第一栅极3133背离基板100一侧的第一层间绝缘层3134；
和，位于第一层间绝缘层3134背离基板100一侧的第一源极3135和第一漏极3136，其中，第一源极3135和第一漏极3136通过过孔与低温多晶硅层3131接触；
以及，Oxide薄膜晶体管包括：第二栅极3231；
位于第二栅极3231背离基板100一侧的第二栅极绝缘层3232；
位于第二栅极绝缘层3232背离基板100一侧的氧化物半导体层3233；
和，位于氧化物半导体层3233背离基板100一侧的第二源极3234和第二漏极3235。
如图5所示，本申请实施例提供的LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管各膜层结构可以为单独制作的膜层结构。或者，第一栅极3133和第二栅极3231 可以由同一导电层形成，第二栅极绝缘层3232可以复用第一层间绝缘层3134，第一源极3135、第一漏极3136、第二源极3234和第二漏极3235可以由同一导电层形成，对此需要根据实际应用进行具体设计。
参考图6所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，LTPS薄膜晶体管310为低栅型薄膜晶体管，且Oxide薄膜晶体管320 均为顶栅型薄膜晶体管，其中，LTPS薄膜晶体管包括：第一栅极3141；
位于第一栅极3141背离基板100一侧的第一栅极绝缘层3142；
位于第一栅极绝缘层3142背离基板100一侧的低温多晶硅层3143；
和，位于低温多晶硅层3143背离基板100一侧的第一源极3144和第一漏极3145；
以及，Oxide薄膜晶体管包括：氧化物半导体层3241；
位于氧化物半导体层3241背离基板100一侧的第二栅极绝缘层3242；
位于第二栅极绝缘层3242背离基板100一侧的第二栅极3243；
位于第二栅极3243背离基板100一侧的第二层间绝缘层3244；
和，位于第二层间绝缘层3244背离基板100一侧的第二源极3245和第二漏极3246，其中，第二源极3245和第二漏极3246通过过孔与氧化物半导体层3241接触。
如图6所示，本申请实施例提供的LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管各膜层结构可以为单独制作的膜层结构。或者，第二栅极3243和第一栅极3141 可以由同一导电层形成，第二层间绝缘层3244可以复用第一栅极绝缘层3142，第一源极3144、第一漏极3145、第二源极3245和第二漏极3246可以由同一导电层形成，对此需要根据实际应用进行具体设计。
在本申请一实施例中，本申请提供的显示面板在LTPS薄膜晶体管的栅极所在导电层和源极与漏极所在导电层之间还可以设置一电极层，该电极层与栅极、源极和漏极之前均绝缘，该电极层用于与栅极所在导电层和/或源极与漏极所在导电层形成电容，其中，本申请实施例提供的Oxide薄膜晶体管还可以复用该电极层和与该电极层相关的绝缘层结构。如图7所示，为本申请实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，其中，图7以LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均为顶栅型薄膜晶体管为例进行说明，其中，显示面板还包括：
位于第一层间绝缘层3114和第一源极3115与第一漏极3116所在导电层之间的电极层3117，且电极层3117与第一源极3115和第一漏极3116之间还形成有第一绝缘层3118。
如图7所示，本申请实施例提供的Oxide薄膜晶体管，其第二栅极绝缘层3212可以复用第一栅极绝缘层3112或第一层间绝缘层3114，而第二栅极 3123可以通过电极层3117分割形成，第二层间绝缘层3214可以复用第一绝缘层3118，以及，第一源极3115、第一漏极3116、第二源极3215和第二漏极3216可以由同一导电层形成，对此需要根据实际应用进行具体设计。
需要说明的是，图7只是示出本申请提供的包括电极层和与其相关绝缘层的所有适用显示面板一种结构，其中，无论LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管哪一种，在显示面板包括有电极层和与其相关绝缘层时，Oxide薄膜晶体管的各膜层均可以选择性对 LTPS薄膜晶体管各个膜层、电极层及其相关绝缘层进行复用，只要满足减少膜层制备数量即可。
结合图8和图9所示，图8为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图9为本申请实施例提供的一种像素电路的结构示意图，其中，所述显示面板显示区域AA和环绕所述显示区域的边框区域NA；
所述边框区域NA设置有驱动电路10，及所述显示区域AA设置有多个像素电路20，所述像素电路20包括至少一个响应扫描控制信号SCAN的薄膜晶体管M1和至少一个响应发光控制信号EMIT的薄膜晶体管M2，及所述驱动电路10包括用于产生所述扫描控制信号SCAN的扫描控制单元11和用于产生所述发光控制信号EMIT的发光控制单元12；
其中，所述扫描控制单元11的薄膜晶体管包括至少一个所述Oxide薄膜晶体管，和/或，所述发光控制单元12的薄膜晶体管包括至少一个所述Oxide 薄膜晶体管。
需要说明的是，本申请实施例提供的驱动电路、像素电路等线路连接关系均为现有技术，对此本申请不做多余赘述。
如图10和图11所示，图10为本申请实施例提供的一种发光控制单元的结构示意图，图11为本申请实施例提供的一种时序图。其中，发光控制单元包括：第一薄膜晶体管P1、第二薄膜晶体管P2、第三薄膜晶体管P3、第四薄膜晶体管P4、第五薄膜晶体管P5、第六薄膜晶体管P6、第七薄膜晶体管 P7、第八薄膜晶体管P8、第一电容C1和第二电容C2；
第一薄膜晶体管P1的栅极接入第一时钟信号CK1，第一薄膜晶体管P1 的第一端接入启动信号Emit(n-1)(如多个发光控制单元级联，本级发光单元的第一薄膜晶体管的第一端可以连接上一级发光控制单元的输出端)，第一薄膜晶体管P1的第二端连接上拉节点P；
第二薄膜晶体管P2的栅极连接上拉节点P，第二薄膜晶体管P2的第一端接入第二时钟信号CK2，第二薄膜晶体管P2的第二端连接输出端Emit n(如多个发光控制单元级联，本级发光单元的输出端可以连接下一级发光控制单元的第一薄膜晶体管的第一端)；
第三薄膜晶体管P3的栅极接入第三时钟信号CK3，第三薄膜晶体管P3 的第一端接入第一参考信号VGH，第三薄膜晶体管P3的第二端连接下拉节点Q；
第四薄膜晶体管P4的栅极连接下拉节点Q，第四薄膜晶体管P4的第一端连接上拉节点P，第四薄膜晶体管P4的第二端接入第二参考信号VGL，其中，第一参考信号VGH和第二参考信号VGL互为反相信号；
第五薄膜晶体管P5的栅极连接上拉节点P，第五薄膜晶体管P5的第一端接入第二参考信号VGL，第五薄膜晶体管P5的第二端连接下拉节点Q；
第六薄膜晶体管P6的栅极连接下拉节点Q，第六薄膜晶体管P6的第一端连接上拉节点P，第六薄膜晶体管P6的第二端接入第二参考信号VGL；
第七薄膜晶体管P7的栅极连接下拉节点Q，第七薄膜晶体管P7的第一端连接输出端Emit n，第七薄膜晶体管P7的第二端接入第二参考信号VGL；
第八薄膜晶体管P8的栅极接入启动信号Emit(n-1)，第八薄膜晶体管 P8的第一端连接下拉节点Q，第八薄膜晶体管P8的第二端接入第二参考信号 VGL，第一电容C1的第一极板连接上拉节点P，第一电容C1的第二极板连接输出端Emit n，第二电容C2的第一极板连接下拉节点Q，第二电容C2的第二极板接入第二参考信号VGL。
在本申请一实施例中，本申请提供的第一薄膜晶体管P1、第二薄膜晶体管P2、第三薄膜晶体管P3、第四薄膜晶体管P4、第五薄膜晶体管P5、第六薄膜晶体管P6、第七薄膜晶体管P7和第八薄膜晶体管P8均可以为N型薄膜晶体管，此时第一参考信号VGH为高电平信号，第二参考信号VGL为低电平信号，结合图11所示，发光控制端单元的驱动包括三个阶段为第一阶段T1、第二阶段T2和第三阶段T3，其中，
在第一阶段T1时，第一时钟信号CK1控制第一薄膜晶体管P1和第八薄膜晶体管P8导通，而后第一薄膜晶体管P1将启动信号Emit n传输至上拉节点P，上拉节点P控制第二薄膜晶体管P2导通和第五薄膜晶体管P5导通，第二薄膜晶体管P2将第二时钟信号CK2此时的低电平信号传输至输出端 Emit n；而第五薄膜晶体管P5和第八薄膜晶体管P8将第二参考信号VGL传输至下拉节点Q，下拉节点Q控制第四薄膜晶体管P4、第六薄膜晶体管P6 和第七薄膜晶体管P7均截止，且第三时钟信号CK3控制第七薄膜晶体管P7 截止。
在第二阶段T2时，第一时钟信号CK1控制第一薄膜晶体管P1和第八薄膜晶体管P8均截止，而后由第一电容C1的存储作用，保证上拉节点P控制第二薄膜晶体管P2和第五薄膜晶体管P5保持导通状态，且其余晶体管的状态与第一阶段T1相同；此时，第二薄膜晶体管P2将第二时钟信号CK2此时的高电平信号传输至输出端Emit n(如多个发光控制单元级联，此时本级发光控制单元的输出端的输出信号为下一级发光控制单元的启动信号)。
在第三阶段T3时，第一时钟信号CK1继续控制第一薄膜晶体管P1和第八薄膜晶体管P8均截止，而第三时钟信号CK3控制第三薄膜晶体管P3导通，以将第一参考信号VGH传输至下拉节点Q；下拉节点Q控制第四薄膜晶体管 P4、第六薄膜晶体管P6和第七薄膜晶体管P7导通，第四薄膜晶体管P4和第六薄膜晶体管P6将第二参考信号VGL传输至上拉节点P，使得上拉节点P 控制第二薄膜晶体管P2和第五薄膜晶体管P5截止，且第七薄膜晶体管P7将第二参考信号VGL的低电平信号传输至输出端Emit n，完成此帧画面时本级发光控制单元的驱动，在下一帧画面对本级发光控制单元驱动之前，由于第二电容C2的存储作用，能够保证第七薄膜晶体管P7保持将第二参考信号VGL 传输至输出端Emit n。
需要寿命的是，本申请实施例提供的发光控制单元中第一薄膜晶体管至第八薄膜晶体管还可以为P型薄膜晶体管，并且，本申请实施例提供的第一薄膜晶体管至第八薄膜晶体管可以包括至少一个Oxide薄膜晶体管，对此本申请不做具体限制。
可以理解的，虽然在驱动电路中采用Oxide薄膜晶体管能够减小线路的漏电流、提高低频稳定性及利于显示面板弯折，但是，由于LTPS薄膜晶体管的尺寸小于Oxide薄膜晶体管的尺寸，因此，在显示面板的线路结构中设置过多的Oxide薄膜晶体管将会占用显示面板更多的空间，不利于窄边框的发展趋势，因此，需要通过优化驱动电路中Oxide薄膜晶体管的数量，在保证占用空间不影响窄边框设计的同时，保证驱动电路的性能高且利于显示装置弯折。
参考图12所示，为本申请实施例提供的一种驱动电路的结构示意图，其中，所有扫描控制单元分为第一扫描控制单元组111至第N扫描控制单元组 11n，所有发光控制单元分第一发光控制单元组121至第N发光控制单元组 12n，N为不小于2的整数。其中，每一扫描控制单元组中包括至少一个扫描控制单元11，且每一发光控制单元组中包括至少一个发光控制单元12，且扫描控制单元组与发光控制单元组在垂直显示面板数据线排列方向上交替排列，以及，在扫描控制单元组包括多个扫描控制单元11时，多个扫描控制单元11沿数据线排列方向(即图示中横向方向)排列，及在发光控制单元组包括多个发光控制单元12时，多个发光控制单元12沿数据线排列方向(即图示中横向方向)排列；其中，所有扫描控制单元11的薄膜晶体管均为Oxide 薄膜晶体管，或者，所有发光控制单元12的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管。
可以理解的，将所有扫描控制单元的薄膜晶体管设置为Oxide薄膜晶体管，或者，所有发光控制单元的薄膜晶体管设置为Oxide薄膜晶体管，且通过交替排列扫描控制单元组和发光控制单元组，能够使得Oxide薄膜晶体管在驱动电路中分布具有规律，不仅利于版图设计，且更加利于柔性显示面板的弯折。可选的，由于发光控制单元的数量较扫描控制单元数量少，为了便于窄边框的设计，本申请实施例提供的所述发光控制单元的薄膜晶体管可以均为所述Oxide薄膜晶体管。
需要说明的是，本申请实施例对此并不进行具体限制，在本申请其他实施例中，对扫描控制单元和发光控制单元中Oxide薄膜晶体管数量和位置的设置方式，还可以为其他方式，对此需要根据实际应用进行具体设计。
此外，显示区域的空间较大，故而本申请实施例提供的所述像素电路的薄膜晶体管可以均为所述Oxide薄膜晶体管，如图9所示的响应扫描控制信号SCAN的薄膜晶体管M1、响应发光控制信号EMIT的薄膜晶体管M2和驱动晶体管M3可以均为Oxide薄膜晶体管。
参考图13所示，为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，其中，本申请提供的所述显示面板还包括有弯折区域30，其中，所述驱动电路和所述像素电路位于所述弯折区域30的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管。
如图13所示，显示面板为可弯折显示面板，其中，显示面板的弯折区域 30中，包括有位于显示区域AA至少一个像素电路20；以及，包括位于边框区域NA的至少一个扫描控制单元11和至少一个发光控制单元12，且沿弯折区域30的轴线X的延伸方向上，所有扫描控制单元11和发光控制单元12位于显示区域AA的一侧，或者，所有扫描控制单元11和发光控制单元12分为两部分、且分别位于显示区域AA的两侧，对此本申请不做具体限制。其中，本申请实施例可选的将位于弯折区域30、且组成扫描控制单元11、发光控制单元12和像素电路20的薄膜晶体管均设置为Oxide薄膜晶体管。
进一步的，所有Oxide薄膜晶体管对应的缓冲层的凹槽结构或镂空结构相互连通，使弯折区域的整体厚度均减小，即，缓冲层对应弯折区域的部分呈凹槽结构或镂空结构，进而能够使得弯折区域的厚度整体减小，更加利于此区域的弯折。
在本申请上述任意一实施例中，本申请提供的所述Oxide薄膜晶体管的氧化物材料为铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物和铝锌氧化物中的至少一种。
在本申请上述任意一实施例中，本申请提供的基板可以为柔性基板或刚性基板，其中，基板的材料可以玻璃材料、金属材料、塑料材料等，对此本申请不做具体限制，需要根据实际应用进行基板类型和材料的选择。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一实施例提供的显示面板。
需要说明的是，本申请实施例提供的显示装置可以为有机发光显示装置，还可以液晶显示装置，对此本申请不做具体限制。
本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，显示面板为包括至少一个LTPS薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管的LTPO显示面板。其中， LTPS薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均在缓冲层制作完毕后制备，即LTPS 薄膜晶体管和Oxide薄膜晶体管均形成于缓冲层背离基板一侧。而缓冲层对应Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构，进而通过将Oxide薄膜晶体管制作在该凹槽结构或镂空结构内，避免Oxide薄膜晶体管背离基板一侧表面过高而增大LTPO显示面板的厚度，有效解决了现有LTPO显示面板厚度大的问题，且厚度小的柔性LTPO显示面板利于弯折。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基板；
位于所述基板一表面上的缓冲层；
以及，位于所述缓冲层背离所述基板一侧的至少一个LTPS薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管，其中，所述缓冲层对应所述Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构；
所述显示面板显示区域和环绕所述显示区域的边框区域；所述边框区域设置有驱动电路，及所述显示区域设置有多个像素电路，所述像素电路包括至少一个响应扫描控制信号的薄膜晶体管和至少一个响应发光控制信号的薄膜晶体管，及所述驱动电路包括用于产生所述扫描控制信号的扫描控制单元和用于产生所述发光控制信号的发光控制单元；
所有扫描控制单元分为第一扫描控制单元组至第N扫描控制单元组，所有发光控制单元分第一发光控制单元组至第N发光控制单元组，N为不小于2的整数；其中，每一扫描控制单元组中包括至少一个扫描控制单元，且每一发光控制单元组中包括至少一个发光控制单元，且扫描控制单元组与发光控制单元组交替排列，所有扫描控制单元的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管，或者，所有发光控制单元的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层对应所述Oxide薄膜晶体管的区域为镂空结构时，位于所述Oxide薄膜晶体管与所述基板之间还包括：
辅助膜层，所述辅助膜层背离所述基板一侧表面低于所述缓冲层背离所述基板一侧表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助膜层为无机膜层。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助膜层复用所述LTPS薄膜晶体管中任意一绝缘层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括有弯折区域，其中，所述驱动电路和所述像素电路位于所述弯折区域的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述Oxide薄膜晶体管的氧化物材料为铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物和铝锌氧化物中的至少一种。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基板；
位于所述基板一表面上的缓冲层；
以及，位于所述缓冲层背离所述基板一侧的至少一个LTPS薄膜晶体管和至少一个Oxide薄膜晶体管，其中，所述缓冲层对应所述Oxide薄膜晶体管的区域为凹槽结构或镂空结构；
所述显示面板显示区域和环绕所述显示区域的边框区域；所述边框区域设置有驱动电路，及所述显示区域设置有多个像素电路，所述像素电路包括至少一个响应扫描控制信号的薄膜晶体管和至少一个响应发光控制信号的薄膜晶体管，及所述驱动电路包括用于产生所述扫描控制信号的扫描控制单元和用于产生所述发光控制信号的发光控制单元；
所有扫描控制单元分为第一扫描控制单元组至第N扫描控制单元组，所有发光控制单元分第一发光控制单元组至第N发光控制单元组，N为不小于2的整数；其中，每一扫描控制单元组中包括至少一个扫描控制单元，且每一发光控制单元组中包括至少一个发光控制单元，且扫描控制单元组与发光控制单元组交替排列，所有扫描控制单元的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管，或者，所有发光控制单元的薄膜晶体管均为Oxide薄膜晶体管；
所述显示面板还包括有弯折区域，其中，所述驱动电路和所述像素电路位于所述弯折区域的薄膜晶体管均为所述Oxide薄膜晶体管；在所述弯折区域处，所有Oxide薄膜晶体管对应的缓冲层的凹槽结构或镂空结构相互连通。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1~8任意一项所述的显示面板。
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