TWI413062B - 有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示面板、畫素架構及電壓補償方法 - Google Patents

Description

有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示面板、畫素架構及電壓補償方法

本發明關於一種顯示裝置、顯示面板、畫素架構及電壓補償方法，特別關於一種有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示面板、畫素架構及電壓補償方法。

有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)元件具有自發光、高亮度、高對比、體積輕薄、低耗電及反應速度快等優點，已逐漸應用於各類顯示影像系統，例如有機發光二極體顯示器。有機發光二極體元件可依據其驅動方式區分為被動矩陣式(Passive Matrix)與主動矩陣式(Active Matrix)。然而，被動矩陣式受限於驅動模式，並有壽命較短與無法大面積化等缺點，因此主動矩陣式較能夠應用於高效能與大尺寸之顯示用途。

主動矩陣式有機發光二極體顯示器可使用非晶矽(Amorphous Silicon,a-Si)薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)或低溫多晶矽(Low Temperature Poly Silicon,LTPS)薄膜電晶體來驅動。使用非晶矽薄膜電晶體製程的優點為所製造的薄膜電晶體特性較為相近，上述提到的特性例如為元件的臨界電壓(Threshold voltage)和電子遷移率(Mobility)，然而其缺點是，元件的臨界電壓和電子遷移率隨著時間而有飄移現象產生，進而造成顯示畫面有縱向波紋(mura)現象產生。

而使用低溫多晶矽薄膜電晶體製程的優點為，由於多晶矽的晶粒(grain)比非晶矽的晶粒大，故能減少缺陷，並得到高載子遷移率，因此可使電晶體製作得更小，進而增加畫素架構之開口率(aperture ratio)。另外，使用低溫多晶矽薄膜電晶體製程，可以將部分面板周邊驅動電路隨同薄膜電晶體製程同時製造於玻璃基板上，大幅降低接線數目，並藉此大幅提升有機發光二極體面板的特性及可靠度，使得面板製造成本大幅降低。然而，由於利用低溫多晶矽技術所製成的薄膜電晶體存在著許多的製造變異，使得面板中的薄膜電晶體的特性不一致，而造成顯示畫面有縱向波紋的現象。

因此，如何提供一種能避免產生縱向波紋的有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示面板、畫素架構及電壓補償方法，實為當前重要課題之一。

有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種能避免產生縱向波紋的有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示面板、畫素架構及電壓補償方法。

為達上述目的，本發明之一種畫素架構包含一掃描電晶體、一補償電晶體、一儲存電容、一有機發光二極體元件以及一顯示控制電晶體。掃描電晶體具有一第一端與一第二端。補償電晶體具有一控制端、一第一端與一第二端。補償電晶體的控制端與掃描電晶體的第一端電性連接。儲存電容的一端電性連接掃描電晶體的第一端及補償電晶體的控制端。顯示控制電晶體具有一第一端與一第二端，顯示控制電晶體的第一端電性連接掃描電晶體的第二端與補償電晶體的第二端。有機發光二極體元件電性連接顯示控制電晶體的第二端。

為達上述目的，本發明之一種有機發光二極體顯示面板包含一基板及一畫素架構。畫素架構設置於基板，其中畫素架構具有一掃描電晶體、一補償電晶體、一儲存電容、一有機發光二極體元件以及一顯示控制電晶體。掃描電晶體具有一第一端與一第二端。補償電晶體具有一控制端、一第一端與一第二端。補償電晶體的控制端與掃描電晶體的第一端電性連接。儲存電容的一端電性連接掃描電晶體的第一端及補償電晶體的控制端。顯示控制電晶體具有一第一端與一第二端，顯示控制電晶體的第一端電性連接掃描電晶體的第二端與補償電晶體的第二端。有機發光二極體元件電性連接顯示控制電晶體的第二端。

為達上述目的，本發明之一種有機發光二極體顯示裝置具有一有機發光二極體顯示面板。其中有機發光二極體顯示面板包含一基板及一畫素架構。畫素架構設置於基板並包含一掃描電晶體、一補償電晶體、一儲存電容、一有機發光二極體元件以及一顯示控制電晶體。掃描電晶體具有一第一端與一第二端。補償電晶體具有一控制端、一第一端與一第二端。補償電晶體的控制端與掃描電晶體的第一端電性連接。儲存電容的一端電性連接掃描電晶體的第一端及補償電晶體的控制端。顯示控制電晶體具有一第一端與一第二端，顯示控制電晶體的第一端電性連接掃描電晶體的第二端與補償電晶體的第二端。有機發光二極體元件電性連接顯示控制電晶體的第二端。

為達上述目的，本發明之一種電壓補償方法係與一畫素架構配合應用。畫素架構包含一掃描電晶體、一補償電晶體、一儲存電容、一有機發光二極體元件及一顯示控制電晶體。掃描電晶體具有一第一端與一第二端。補償電晶體具有一控制端、一第一端與一第二端。補償電晶體的控制端與掃描電晶體的第一端電性連接。儲存電容的一端電性連接掃描電晶體的第一端及補償電晶體的控制端。顯示控制電晶體具有一第一端與一第二端，顯示控制電晶體的第一端電性連接掃描電晶體的第二端與補償電晶體的第二端。有機發光二極體元件電性連接顯示控制電晶體的第二端，電壓補償方法包含以下步驟：於一第一時段中，導通補償電晶體及掃描電晶體並截止顯示控制電晶體，同時輸入一資料電壓至該補償電晶體，俾使該儲存電容充電至一補償電壓。於一第二時段中，一顯示電流資料經由補償電晶體輸入至有機發光二極體元件。

承上所述，本發明之一種有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示面板、畫素架構及電壓補償方法，係輸入顯示資料至補償電晶體，俾使儲存電容與補償電晶體的節點電壓為一補償電壓，藉由補償電壓消除掃描電晶體的臨界電壓值的影響。如此一來，畫素架構將可依據顯示資料以顯示正確的亮度。利用電路補償的方式針對各畫素架構進行補償，以降低各畫素彼此間特性的差異影響，進而避免產生縱向波紋，並提升顯示效能。

以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示面板、畫素架構及電壓補償方法。

圖1為本發明較佳實施例之一種畫素架構1的等效電路圖。如圖1所示，畫素架構1包含一掃描電晶體11、一補償電晶體12、一儲存電容13、一有機發光二極體元件OD及一顯示控制電晶體14。

掃描電晶體11、補償電晶體12以及顯示控制電晶體14係分別具有一第一端、一第二端以及一控制端。其中，掃描電晶體11的第一端係與補償電晶體12的控制端及儲存電容13的一端電性連接，且掃描電晶體11的第二端係與補償電晶體12的第二端電性連接。補償電晶體12的第一端及儲存電容13的另一端係分別與電源P₁ 電性連接。顯示控制電晶體14的第一端係與掃描電晶體11的第二端及補償電晶體12的第二端電性連接，而顯示控制電晶體14的第二端係與有機發光二極體元件OD的一端電性連接，以導通有機發光二極體元件OD。有機發光二極體元件OD的另一端係與另一電源P₂ 電性連接。

在本實施例中，掃描電晶體11、補償電晶體12及顯示控制電晶體14以P型電晶體為例，其控制端為閘極，第一端為源極，而第二端為汲極。另外，電源P₂ 提供一參考電壓，例如為-10伏特的電壓值。

圖2為另一種實施態樣的畫素架構1a的等效電路圖，畫素架構1a與畫素架構1不同的是顯示控制電晶體14的設置位置。在本實施態樣中，掃描電晶體11的第二端及補償電晶體12的第二端係與有機發光二極體元件OD電性連接；顯示控制電晶體14的第一端係與有機發光二極體元件OD電性連接，而其第二端係與電源P₂ 電性連接。另外，在本實施態樣中，當畫素架構1應用於一有機發光二極體顯示面板時，顯示控制電晶體14可設置於例如非顯示區的位置，如此一來，將有助於提高開口率。

如圖3所示，依據本發明較佳實施例之畫素架構1的電壓補償方法係包含步驟S01至步驟S04。以下係以圖1、圖3及圖4來說明本實施例的電壓補償方法，其中圖4為畫素架構1所接收之訊號的時序示意圖。

步驟S01係於一時段T₀₁ 中，導通掃描電晶體11、補償電晶體12及顯示控制電晶體14以重置儲存電容13之電荷量。在本實施例中，掃描電晶體11的控制端係接收一掃描訊號S_N 。顯示控制電晶體14的控制端係接收一顯示控制訊號S_C 。另外，於本實施例中，於時段T₀₁ 中係分別輸入一低準位電壓的掃描訊號S_N 及低準位電壓的顯示控制訊號S_C ，以導通掃描電晶體11及顯示控制電晶體14，其中掃描訊號S_N 及顯示控制訊號S_C 例如為-10伏特的電壓值。由於掃描電晶體11及顯示控制電晶體14皆為導通狀態，因此補償電晶體12之控制端的電壓準位與第二電源P₂ 的電壓準位近似，以使補償電晶體12導通。此時，亦可提供儲存電容13一放電路徑，以重置儲存電容13中之電荷。

步驟S02係於一時段T₀₂ 中，截止掃描電晶體11及顯示控制電晶體14，同時輸入一導通電壓V_SD 至補償電晶體12以導通補償電晶體12。在本實施例中，於時段T₀₂ 中，截止掃描電晶體11及顯示控制電晶體14，同時由P₁ 輸入一例如為0伏特的導通電壓V_SD 至補償電晶體12的第一端，使得補償電晶體12的控制端電壓與其第一端電壓具有一壓差而維持導通狀態。

步驟S03係於時段T₀₃ 中，導通補償電晶體12及掃描電晶體11並截止顯示控制電晶體14，同時輸入資料電壓V_data 至補償電晶體12，以對儲存電容13充電至一補償電壓。於本實施例中，在導通補償電晶體12及掃描電晶體11並截止顯示控制電晶體14時，係將例如為5伏特的資料電壓V_data 輸入至補償電晶體12的第一端，且由於掃描電晶體11存在臨界電壓效應，因此儲存電容13與補償電晶體12之節點電壓係為V_data -|V_th |的補償電壓，其中V_th 為掃描電晶體11的臨界電壓。

步驟S04係於一時段T₀₄ 中，導通補償電晶體12及顯示控制電晶體14並截止掃描電晶體11，同時一顯示電流資料I經由補償電晶體12輸入至有機發光二極體元件OD。於本實施例中，電源P₁ 提供電源訊號V_DD 輸入至補償電晶體12的第一端，又，儲存電容13中儲存的電荷量不變，俾使補償電晶體12之控制端的補償電壓維持為V_data -|V_th |，此時，補償電晶體12之第一端與控制端的電壓差V_sg 如下式所示：V _sg =V _s -V _g =V _DD -(V _data -|V _th |)

又，有機發光二極體元件OD的導通電流(顯示電流資料)公式如下式所示：I =Kμ (V _sg -|V _th |)² =Kμ (V _DD -V _data )²

由上式可知，顯示電流資料I與掃描電晶體11的臨界電壓V_th 無關。因此，依據本發明之畫素架構1及電壓補償方法，可消除臨界電壓對於顯示品質的影響。

承上所述，畫素架構1係輸入顯示資料至補償電晶體12，俾使儲存電容13與補償電晶體12的節點電壓為一補償電壓，藉由補償電壓以消除掃描電晶體11的臨界電壓對於顯示品質的影響，如此一來，畫素架構1將可依據資料電壓V_data 以顯示正確的亮度。利用電路補償的方式針對各畫素架構進行補償，以降低各畫素的特性彼此間具有差異的影響，進而避免產生縱向波紋，並提升顯示效能。

上述僅針對單一畫素架構做說明，以下將以有機發光二極體顯示面板針對複數畫素架構做進一步說明。

如圖5所示，本發明較佳實施例之一有機發光二極體顯示面板2係包含一基板(圖未顯示)及複數個畫素架構，該等畫素架構設置於基板，在此僅以部分畫素架構21、22、23作為說明，其中該等畫素架構21、22、23分別代表紅色、綠色及藍色的畫素架構。畫素架構21包含一掃描電晶體211、一補償電晶體212、一儲存電容213、一有機發光二極體元件OD及一顯示控制電晶體214。該等畫素架構22、23亦具有相同元件。

在本實施例中，畫素架構21、22、23更分別與一顯示電晶體24a、24b、24c電性連接。於此先針對畫素架構21說明，顯示電晶體24a的第一端與補償電晶體212的第一端電性連接，顯示電晶體24a的第二端與一電源P₁ 電性連接。

請再參照圖6所示，依據本發明較佳實施例之有機發光二極體顯示面板2之畫素架構的電壓補償方法係包含步驟S11至步驟S15。以下係以圖5、圖6及圖7來說明本實施例的電壓補償方法，其中圖7為畫素架構21所接收之訊號的時序示意圖。

步驟S11係於一時段T₁₁ 中，導通掃描電晶體211、補償電晶體212、顯示控制電晶體214及顯示電晶體24a以重置儲存電容213之電荷量。在本實施例中，掃描電晶體211的控制端係接收一掃描訊號S_N ，補償電晶體212的控制端係與掃描電晶體211的第一端電性連接，顯示控制電晶體214的控制端係接收一顯示控制訊號S_C ，顯示電晶體24a的控制端係接收一顯示訊號S_D 。

另外，於本實施例中，於時段T₁₁ 中係分別輸入一低準位電壓的掃描訊號S_N 及低準位電壓的顯示控制訊號S_C ，以導通掃描電晶體211及顯示控制電晶體214，其中掃描訊號S_N 及顯示控制訊號S_C 例如為-10伏特的電壓值。 由於掃描電晶體211及顯示控制電晶體214皆為導通狀態，因此補償電晶體212之控制端的電壓準位與第二電源P₂ 的電壓準位近似，以使補償電晶體212導通。此時，亦可提供儲存電容213一放電路徑，以重置儲存電容213中之電荷。

步驟S12係於一時段T₁₂ 中，截止掃描電晶體211及顯示控制電晶體214，同時輸入一導通電壓V_SD 至補償電晶體212以導通補償電晶體212。在本實施例中，於時段T₁₂ 中，截止掃描電晶體211、顯示控制電晶體214及顯示電晶體24a，同時輸入一例如為0伏特的資料電壓V_data 至補償電晶體212的第一端，使得補償電晶體212的控制端電壓與其第一端電壓具有一壓差而維持導通狀態。

步驟S13係於時段T₁₃ 中，導通補償電晶體212及掃描電晶體211並截止顯示控制電晶體214，同時輸入一資料電壓V_data 至補償電晶體212，俾使儲存電容213充電至一補償電壓。於本實施例中，在導通補償電晶體212及掃描電晶體211並截止顯示控制電晶體214時，係將例如5伏特的資料電壓V_data 輸入至補償電晶體212的第一端，且由於掃描電晶體211存在臨界電壓效應，因此儲存電容213與補償電晶體212之節點電壓係為V_data -|V_th |的補償電壓，其中V_th 為掃描電晶體211的臨界電壓。

步驟S14係於一時段T₁₄ 中，導通顯示電晶體24a， 俾使一電源訊號V_DD 經過顯示電晶體24a輸入至補償電晶體212。於本實施例中，截止掃描電晶體211時，顯示電晶體24a的控制端係接收顯示訊號S_D 以導通顯示電晶體24a，電源P₁ 係將例如為5伏特的電源訊號V_DD ，經由顯示電晶體24a並輸入至補償電晶體212的第一端。

步驟S15係於時段T₁₄ 中，一顯示電流資料I經由補償電晶體212輸入至有機發光二極體元件OD。於本實施例中，導通補償電晶體212及顯示控制電晶體214並截止掃描電晶體211及顯示電晶體24a。另外，電源訊號V_DD 經由顯示電晶體24a輸入至補償電晶體212的第一端，又，儲存電容213中儲存的電荷量不變，俾使補償電晶體212之控制端的補償電壓維持為V_data -|V_th |，此時，補償電晶體212之第一端與控制端的電壓差V_sg 如下式所示：V _sg =V _s -V _g =V _DD -(V _data -|V _th |)

又，有機發光二極體元件OD的導通電流公式(顯示電流資料)如下式所示：I =Kμ (V _sg -|V _th |)² =Kμ (V _DD -V _data )²

由上式可知，顯示電流資料I與掃描電晶體211的臨界電壓V_th 的參數無關，因此依據本發明之畫素架構21及電壓補償方法可消除臨界電壓對於顯示品質的影響。

以上僅針對代表紅色的畫素架構21說明，而如圖7所示，畫素架構22、23中訊號的作動方式與畫素架構21相同。需特別說明的是，該等畫素架構21、22、23於時段T₁₃ 中分別接收代表紅色、綠色及藍色的資料電壓V_data 以進行補償。接著，於時段T₁₄ 中，電源訊號V_DD 同時輸入至畫素架構21、22、23，因此，畫素架構21、22、23同時顯示正確的顯示資料，以避免產生縱向波紋的現象。

綜上所述，有機發光二極體顯示面板之畫素架構21、22、23係輸入顯示資料至補償電晶體，俾使儲存電容與補償電晶體的節點電壓為一補償電壓，藉由補償電壓以消除掃描電晶體的臨界電壓對於顯示品質的影響，如此一來，畫素架構21、22、23將可依據顯示資料以顯示正確的亮度。利用電路補償的方式針對各畫素架構進行補償，以降低各畫素的特性彼此間具有差異的影響，進而避免產生縱向波紋，並提升顯示效能。

圖8顯示本發明較佳實施例之另一有機發光二極體顯示面板2a。有機發光二極體顯示面板2a與有機發光二極體顯示面板2不同的是，畫素架構21、22、23更分別與一畫素選擇電晶體25a、25b、25c及一重置電晶體26a、26b、26c電性連接，其中畫素選擇電晶體25a、25b、25c的功用在於控制分別將代表紅色、綠色及藍色的顯示資料輸入至相對應的畫素架構21、22、23。

於此先針對畫素架構21說明，畫素選擇電晶體25a係與顯示電晶體24a的第一端、重置電晶體26a的第一端及補償電晶體212的第一端電性連接。

以下以圖6、圖8及圖9來說明本實施例之有機發光二極體顯示面板2a的電壓補償方法，其中圖9為畫素架構21、22、23所接收之訊號的時序示意圖。

步驟S11係於一時段T₃₁ 中，導通掃描電晶體211、補償電晶體212、顯示控制電晶體214及顯示電晶體24a以重置儲存電容213之電荷量。在本實施例中，掃描電晶體211的控制端係接收一掃描訊號S_N 。顯示控制電晶體214的控制端係接收一顯示控制訊號S_C 。顯示電晶體24a的控制端係接收一顯示訊號S_D 。畫素選擇電晶體25a的控制端接收一選擇訊號S_S1 。重置電晶體26a的控制端係接收一重置訊號S_R ，重置電晶體26a的第一端係接收一導通電壓V_SD 。

另外，於本實施例中，於時段T₃₁ 中係分別輸入一低準位電壓的掃描訊號S_N 、低準位電壓的顯示控制訊號S_C 及低準位電壓的重置訊號S_R ，以導通掃描電晶體211、顯示控制電晶體214及重置電晶體26a，並輸入高準位電壓的S_S1 及S_D 以截止畫素選擇電晶體25a及顯示電晶體24a。其中掃描訊號S_N 、顯示控制訊號S_C 及重置訊號S_R 例如為-10伏特的電壓值。由於掃描電晶體211及顯示控制電晶體214皆為導通狀態，因此補償電晶體212之控制端的電壓準位與第二電源P₂ 的電壓準位近似，以使補償電晶體212導通。此時，亦可提供儲存電容213一放電路徑，以重置儲存電容213中之電荷。

步驟S12係於一時段T₃₂ 中，截止掃描電晶體211及顯示控制電晶體214，同時輸入一導通電壓V_SD 至補償電晶體212以導通補償電晶體212。在本實施例中，於時段T₃₂ 中，除了截止掃描電晶體211及顯示控制電晶體214， 同時導通補償電晶體212之外，更截止顯示電晶體24a及畫素選擇電晶體25a，並導通重置電晶體26a。另外並同時輸入一例如為0伏特的導通電壓V_SD 至補償電晶體212的第一端，使得補償電晶體212的控制端電壓與其第一端電壓具有一壓差而維持導通狀態。

步驟S13係於時段T₃₃ 中，導通補償電晶體212及掃描電晶體211並截止顯示控制電晶體214，同時輸入一資料電壓V_data 至補償電晶體212，俾使儲存電容213充電至一補償電壓。於本實施例中，在導通補償電晶體212及掃描電晶體211，並截止顯示控制電晶體214及顯示電晶體24a時，係輸入一低準位電壓的導通訊號S_S1 以導通畫素選擇電晶體25a，且將例如2伏特的資料電壓V_data 經由畫素選擇電晶體25a輸入至補償電晶體212的第一端。另外，由於掃描電晶體211存在臨界電壓效應，因此，儲存電容213與補償電晶體212之節點電壓係為V_data -|V_th |的補償電壓，其中V_th 為掃描電晶體211的臨界電壓。

步驟S14係於一時段T₃₄ 中，導通顯示電晶體24a，俾使一電源訊號V_DD 經過顯示電晶體24a輸入至補償電晶體212。於本實施例中，截止掃描電晶體211、畫素選擇電晶體25a及重置電晶體26a時，顯示電晶體24a的控制端係接收顯示訊號S_D 以導通顯示電晶體24a，電源P₁ 係將例如為5伏特的電源訊號V_DD ，經由顯示電晶體24a輸入至補償電晶體212的第一端。

步驟S15係於時段T₃₄ 中，一顯示電流資料I經由補 償電晶體212輸入至有機發光二極體元件OD。於本實施例中，導通補償電晶體212及顯示控制電晶體214並截止掃描電晶體211及顯示電晶體24a及重置電晶體26a。另外，電源訊號V_DD 經由顯示電晶體24a輸入至補償電晶體212的第一端，又，儲存電容213中儲存的電荷量不變，俾使補償電晶體212之控制端的補償電壓維持為V_data -|V_th |，此時，補償電晶體212之第一端與控制端的電壓差V_sg 如下式所示：V _sg =V _s -V _g =V _DD -(V _data -|V _th |)

又，有機發光二極體元件OD的導通電流(顯示電流資料)公式如下式所示：I =Kμ (V _sg -|V _th |)² =Kμ (V _DD -V _data )²

由上式可知，顯示電流資料I與掃描電晶體211的臨界電壓V_th 的參數無關，因此依據本發明之畫素架構21及電壓補償方法可消除臨界電壓對於顯示品質的影響。

以上僅針對代表紅色的畫素架構21說明，而如圖9所示，該等畫素架構22、23中訊號的作動方式與畫素架構21相同。需特別說明的是，選擇訊號S_S1 、S_S2 、S_S3 於時段T₃₃ 中的不同時間依序導通畫素選擇電晶體25a、25b、25c，也就是說，該等畫素架構21、22、23於時段T₃₃ 中的不同時間分別接收代表紅色、綠色及藍色的資料電壓V_data 以進行補償。接著，於時段T₃₄ 中，電源訊號V_DD 同時輸入至該等畫素架構21、22、23，因此，該等畫素架構21、22、23同時顯示正確的顯示資料，以避免產 生縱向波紋的現象。

再者，依據本發明較佳實施例之一種有機發光二極體顯示裝置具有一有機發光二極體顯示面板，有機發光二極體顯示面板一基板及一畫素架構。畫素架構設置於基板，其中畫素架構包含一掃描電晶體、一補償電晶體、一儲存電容、一有機發光二極體元件以及一顯示控制電晶體。補償電晶體的控制端與掃描電晶體的第一端電性連接。儲存電容的一端分別與掃描電晶體的第一端及補償電晶體的控制端電性連接。有機發光二極體元件與掃描電晶體的第二端及補償電晶體的第二端電性連接。顯示控制電晶體用以導通有機發光二極體元件。由於畫素架構已詳述於上，故不再贅述。

綜上所述，依本發明之一種有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示面板、畫素架構及電壓補償方法，係輸入顯示資料至補償電晶體，俾使儲存電容與補償電晶體的節點電壓為一補償電壓，藉由補償電壓消除掃描電晶體的臨界電壓值的影響。如此一來，畫素架構將可依據顯示資料以顯示正確的亮度。利用電路補償的方式針對各畫素架構進行補償，以降低各畫素的特性彼此間具有差異的影響，進而避免產生縱向波紋，並提升顯示效能。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於申請專利範圍中。

1、1a、21、22、23‧‧‧畫素架構

11、211‧‧‧掃描電晶體

12、212‧‧‧補償電晶體

13、213‧‧‧儲存電容

14、214‧‧‧顯示控制電晶體

2、2a‧‧‧有機發光二極體顯示面板

24a、24b、24c‧‧‧顯示電晶體

25a、25b、25c‧‧‧畫素選擇電晶體

I‧‧‧顯示電流資料

26a、26b、26c‧‧‧重置電晶體

OD‧‧‧有機發光二極體元件

P₁ 、P₂ ‧‧‧電源

S_C ‧‧‧顯示控制訊號

S_D ‧‧‧顯示訊號

S_N ‧‧‧掃描訊號

S_R ‧‧‧重置訊號

S_S1 、S_S2 、S_S3 ‧‧‧選擇訊號

T₀₁ 、T₀₂ 、T₀₃ 、T₀₄ 、T₁₁ 、T₁₂ 、T₁₃ 、T₁₄ 、T₂₁ 、T₂₂ 、T₂₃ 、T₂₄ ‧‧‧時段

V_DD ‧‧‧電源訊號

V_SD ‧‧‧導通電壓

V_th ‧‧‧臨界電壓

S01~S04、S11~S15‧‧‧畫素架構的電壓補償方法之步驟

圖1為依據本發明較佳實施例之一種有機發光二極體顯示面板的畫素架構的等效電路圖；圖2為本發明較佳實施例之畫素架構的另一種等效電路圖；圖3為依據本發明較佳實施例之畫素架構的電壓補償方法的流程圖；圖4為圖1之畫素架構所接收之訊號的時序示意圖；圖5為依據本發明較佳實施例之一種有機發光二極體顯示面板的等效電路圖；圖6為依據本發明較佳實施例之有機發光二極體顯示面板的電壓補償方法的流程圖；圖7為圖5之有機發光二極體顯示面板所接收之訊號的時序示意圖；圖8為依據本發明較佳實施例之另一種有機發光二極體顯示面板的等效電路圖；以及圖9為圖8之有機發光二極體顯示面板所接收之訊號的時序示意圖。

1．．．畫素架構

11．．．掃描電晶體

12．．．補償電晶體

13．．．儲存電容

14．．．顯示控制電晶體

OD．．．有機發光二極體元件

P₁ 、P₂ ．．．電源

S_C ．．．顯示控制訊號

S_N ．．．掃描訊號

Claims (19)

1. 一種畫素架構，包含：一掃描電晶體，具有一第一端與一第二端；一補償電晶體，具有一控制端、一第一端與一第二端，該補償電晶體的該控制端與該掃描電晶體的該第一端電性連接；一儲存電容，其一端電性連接該掃描電晶體的該第一端及該補償電晶體的該控制端；一顯示控制電晶體，具有一第一端與一第二端，該顯示控制電晶體的該第一端電性連接該掃描電晶體的該第二端與該補償電晶體的該第二端；以及一有機發光二極體元件，電性連接該顯示控制電晶體的該第二端；其中於一第一時段中，導通該補償電晶體及該掃描電晶體並截止該顯示控制電晶體，同時輸入一顯示資料至該補償電晶體，俾使該儲存電容與該補償電晶體的節點電壓為一補償電壓，於一第二時段中，導通該補償電晶體及該顯示控制電晶體並截止該掃描電晶體，同時一電源訊號經由該補償電晶體輸入至該有機發光二極體元件。
2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素架構，其中該補償電晶體、該掃描電晶體及該顯示控制電晶體為P型電晶體。
3. 一種有機發光二極體顯示面板，包含： 一基板；以及一畫素架構，設置於該基板，該畫素架構具有：一掃描電晶體，具有一第一端與一第二端；一補償電晶體，具有一控制端、一第一端與一第二端，該補償電晶體的該控制端與該掃描電晶體的該第一端電性連接；一儲存電容，其一端電性連接該掃描電晶體的該第一端及該補償電晶體的該控制端；一顯示控制電晶體，具有一第一端與一第二端，該顯示控制電晶體的該第一端電性連接該掃描電晶體的該第二端與該補償電晶體的該第二端；以及一有機發光二極體元件，電性連接該顯示控制電晶體的該第二端；其中於一第一時段中，導通該補償電晶體及該掃描電晶體並截止該顯示控制電晶體，同時輸入一顯示資料至該補償電晶體，俾使該儲存電容與該補償電晶體的節點電壓為一補償電壓，於一第二時段中，導通該補償電晶體及該顯示控制電晶體並截止該掃描電晶體，同時一電源訊號經由該補償電晶體輸入至該有機發光二極體元件。
4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體顯示面板，其中該補償電晶體、該掃描電晶體及該顯示控制電晶體為P型電晶體。
5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體顯示面 板，其中該基板更包含一顯示區及一非顯示區，該非顯示區設置於該顯示區外圍，至少部份之該畫素架構設置於該顯示區。
6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示面板，其中該畫素架構更包含：一顯示電晶體，設置於該非顯示區，該顯示電晶體與該補償電晶體的第一端電性連接。
7. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示面板更包含：一顯示電晶體，設置於該非顯示區，該顯示電晶體與該補償電晶體的第一端電性連接；一畫素選擇電晶體，設置於該非顯示區，與該顯示電晶體及該補償電晶體的第一端電性連接；及一重置電晶體，設置於該非顯示區，與該顯示電晶體、該畫素選擇電晶體及該補償電晶體的第一端電性連接。
8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示面板，其中導通該顯示電晶體、該畫素電晶體及該重置電晶體的起始時間係相異。
9. 一種有機發光二極體顯示裝置，具有一有機發光二極體顯示面板，該有機發光二極體顯示面板包含：一基板；以及一畫素架構，設置於該基板，該畫素架構具有：一掃描電晶體，具有一第一端與一第二端； 一補償電晶體，具有一控制端、一第一端與一第二端，該補償電晶體的該控制端與該掃描電晶體的該第一端電性連接；一儲存電容，其一端電性連接該掃描電晶體的該第一端及該補償電晶體的該控制端；一顯示控制電晶體，具有一第一端與一第二端，該顯示控制電晶體的該第一端電性連接該掃描電晶體的該第二端與該補償電晶體的該第二端；以及一有機發光二極體元件，電性連接該顯示控制電晶體的該第二端；其中於一第一時段中，導通該補償電晶體及該掃描電晶體並截止該顯示控制電晶體，同時輸入一顯示資料至該補償電晶體，俾使該儲存電容與該補償電晶體的節點電壓為一補償電壓，於一第二時段中，導通該補償電晶體及該顯示控制電晶體並截止該掃描電晶體，同時一電源訊號經由該補償電晶體輸入至該有機發光二極體元件。
10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該補償電晶體、該掃描電晶體及該顯示控制電晶體為P型電晶體。
11. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該基板更包含一顯示區及一非顯示區，該非顯示區設置於該顯示區外圍，至少部份之該畫素架構設置於該顯示區。
12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該畫素架構更包含：一顯示電晶體，設置於該非顯示區，該顯示電晶體與該補償電晶體的第一端電性連接。
13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示裝置更包含：一顯示電晶體，設置於該非顯示區，該顯示電晶體與該補償電晶體的第一端電性連接；一畫素選擇電晶體，設置於該非顯示區，與該顯示電晶體及該補償電晶體的第一端電性連接；以及一重置電晶體，設置於該非顯示區，與該顯示電晶體、該畫素選擇電晶體及該補償電晶體的第一端電性連接。
14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中導通該顯示電晶體、該畫素電晶體及該重置電晶體的起始時間係相異。
15. 一種電壓補償方法，係與一畫素架構配合應用，該畫素架構包含一掃描電晶體、一補償電晶體、一儲存電容、一有機發光二極體元件及一顯示控制電晶體，該掃描電晶體具有一第一端與一第二端，該補償電晶體具有一控制端、一第一端與一第二端，該補償電晶體的該控制端與該掃描電晶體的該第一端電性連接，儲存電容之一端電性連接該掃描電晶體的該第一端及該補償電晶體的該控制端，顯示控制電晶體具有一第一 端與一第二端，該顯示控制電晶體的該第一端電性連接該掃描電晶體的該第二端與該補償電晶體的該第二端，該有機發光二極體元件電性連接該顯示控制電晶體的該第二端，該電壓補償方法包含以下步驟：於一第一時段中，導通該補償電晶體及該掃描電晶體並截止該顯示控制電晶體，同時輸入一資料電壓至該補償電晶體，俾使該儲存電容充電至一補償電壓；以及於一第二時段中，一顯示電流資料經由補償電晶體輸入至有機發光二極體元件。
16. 如申請專利範圍第15項所述之電壓補償方法，其中該補償電晶體、該掃描電晶體及該顯示控制電晶體為P型電晶體。
17. 如申請專利範圍第15項所述之電壓補償方法，於該第一時段前更包含一步驟：導通該補償電晶體、該掃描電晶體及該顯示控制電晶體以重置該儲存電容之電荷量。
18. 如申請專利範圍第15項所述之電壓補償方法，於該第一時段中更包含一步驟：截止該掃描電晶體及該顯示控制電晶體，同時導通該補償電晶體。
19. 如申請專利範圍第15項所述之電壓補償方法，於該第二時段中更包含一步驟：導通一顯示電晶體，俾使該電源訊號經過該顯示電晶 體至該補償電晶體。