CN107731143B - Amoled显示器的测试电路和测试方法、amoled显示器 - Google Patents
Amoled显示器的测试电路和测试方法、amoled显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107731143B CN107731143B CN201711192556.5A CN201711192556A CN107731143B CN 107731143 B CN107731143 B CN 107731143B CN 201711192556 A CN201711192556 A CN 201711192556A CN 107731143 B CN107731143 B CN 107731143B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- node
- signal
- control signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于AMOLED显示器的测试电路,其包括:第一薄膜晶体管,其栅极用于接收第一发光控制信号,且其漏极用于接收低电位的关断信号,且其源极连接至第一节点;第二薄膜晶体管,其栅极用于接收第一扫描信号,且其漏极用于接收低电位的关断信号,且其源极连接至第三薄膜晶体管的漏极;第三薄膜晶体管,其栅极用于接收第二使能信号,且其源极连接至第一节点;第四薄膜晶体管,其栅极用于接收第二扫描信号,且其源极用于接收第一发光控制信号,且其漏极连接至第一节点;第五薄膜晶体管,其栅极用于接收第一使能信号,且其源极用于接收第一发光控制信号,且其漏极连接至第一节点;第一使能信号和第二使能信号的电位互反。本发明避免了漏检现象。
Description
技术领域
本发明属于有机显示技术领域,具体地讲,涉及一种AMOLED显示器的测试电路和测试方法、AMOLED显示器。
背景技术
近年来,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器成为国内外非常热门的新兴平面显示设备产品,这是因为OLED显示器具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、低工作电压、薄厚度、可制作大尺寸与可挠曲的显示器及制程简单等特性,而且它还具有低成本的潜力。
OLED显示器按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED显示器(即PMOLED显示器)和有源矩阵型OLED(即AMOLED显示器)两大类。
AMOLED是电流驱动器件,当有电流流过有机发光二极管时,有机发光二极管发光,且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit,IC)都只传输电压信号,故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C,即两个薄膜晶体管加一个电容器的结构,将电压变换为电流,但传统2T1C像素驱动电路一般无补偿功能。因此,业内提出采用7T1C、6T1C、6T2C等具有补偿功能的像素驱动电路。
但是在这些具有补偿功能的像素驱动电路中,当对该像素驱动电路的各薄膜晶体管和各电容器进行测试时,某些薄膜晶体管和/或某些电容器将无法被进行测试,从而出现漏检现象。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种能够对像素驱动电路中的所有薄膜晶体管和所有电容器进行检测的用于AMOLED显示器的测试电路及AMOLED显示器。
根据本发明的一方面,提供了一种用于AMOLED显示器的测试电路,所述测试电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管的栅极用于接收第一发光控制信号,且其漏极用于接收低电位的关断信号,且其源极连接至第一节点;所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其漏极用于接收低电位的关断信号,且其源极连接至所述第三薄膜晶体管的漏极;所述第三薄膜晶体管的栅极用于接收第二使能信号,且其源极连接至第一节点;所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收第二扫描信号,且其源极用于接收第一发光控制信号,且其漏极连接至第一节点;所述第五薄膜晶体管的栅极用于接收第一使能信号,且其源极用于接收第一发光控制信号,且其漏极连接至第一节点;所述第一使能信号和所述第二使能信号的电位互反。
进一步地,当对所述AMOLED显示器的像素驱动电路进行测试时,所述第一使能信号为高电位,所述第二使能信号为低电位,所述第一节点根据不同的阶段向所述像素驱动电路输出不同电位的第二发光控制信号。
进一步地,当在初始化阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为低电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;当在阈值电压储存阶段时,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号;当在发光驱动阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为低电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号。
进一步地,当所述AMOLED显示器的像素驱动电路正常驱动显示时,所述第一使能信号为低电位,所述第二使能信号为高电位,所述第一节点根据不同的阶段向所述像素驱动电路输出不同电位的第二发光控制信号。
进一步地,当在初始化阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为低电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;当在阈值电压储存阶段时,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;当在发光驱动阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为低电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号。
进一步地,所述第一薄膜晶体管至所述第五薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。
进一步地,所述第一薄膜晶体管至所述第五薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
根据本发明的另一方面,还提供了一种AMOLED显示器,其包括上述的测试电路以及像素驱动电路,所述像素驱动电路包括:第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管、电容器以及有机发光二极管;第六薄膜晶体管的栅极连接至第二节点,且其源极连接至第三节点,且其漏极连接至第四节点;第七薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其源极用于连接至数据信号端,且其漏极连接至第三节点;第八薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其源极连接至第二节点,且其漏极连接至第四节点;第九薄膜晶体管的栅极用于接收第二扫描信号,且其源极连接至第二节点,且其漏极连接至直流电源负极;第十薄膜晶体管的栅极连接至第一节点,且其源极连接至直流电源正极,且其漏极连接至第三节点;第十一薄膜晶体管的栅极连接至第一节点,且其源极连接至第四节点,且其漏极连接至有机发光二极管的阳极;第十二薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其源极连接至有机发光二极管的阳极,且其漏极连接至直流电源负极;电容器的一端连接至直流电源正极,且其另一端连接至第二节点;有机发光二极管的阴极电性接地。
进一步地,所述第六薄膜晶体管至所述第十二薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。进一步地,所述第六薄膜晶体管至所述第十二薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
根据本发明的又一方面,又提供了一种上述的AMOLED显示器的测试方法,所述测试方法包括步骤: A、所述测试电路在初始化阶段向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;其中,进行完步骤A之后若正常进入步骤B和步骤C,则第九薄膜晶体管和电容器正常; B、所述测试电路在阈值电压储存阶段向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号,通过测试所述直流电源正极和所述数据信号端之间的电流来确定第十薄膜晶体管和第七薄膜晶体管正常与否,且通过测试所述直流电源负极和所述数据信号端A之间的电流来确定第六薄膜晶体管至第八薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管和第十二薄膜晶体管正常与否; C、所述测试电路在发光驱动阶段向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号。
本发明的有益效果:本发明通过在像素驱动电路上增加测试电路来完成对像素驱动电路中的各薄膜晶体管和各电容器的测试,从而不会出现漏检现象。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:
图1是根据本发明的实施例的用于AMOLED显示器的像素驱动电路的电路图;
图2是根据本法发明的实施例的用于AMOLED显示器的像素驱动电路的各工作阶段的各信号的时序图;
图3是根据本发明的实施例的用于AMOLED显示器的测试电路的电路图;
图4是根据本法发明的实施例的用于AMOLED显示器的测试电路在电路测试时的各工作阶段的各信号的时序图;
图5是根据本法发明的实施例的用于AMOLED显示器的测试电路和像素驱动电路在正常驱动显示时的各工作阶段的各信号的时序图。
具体实施方式
以下,将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本发明,并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中,为了清楚起见,夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中表示相同的元器件。
图1是根据本发明的实施例的用于AMOLED显示器的像素驱动电路的电路图。
参照图1,根据本发明的实施例的用于AMOLED显示器的像素驱动电路10包括:第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、第八薄膜晶体管T8、第九薄膜晶体管T9、第十薄膜晶体管T10、第十一薄膜晶体管T11、第十二薄膜晶体管T12、电容器C以及有机发光二极管OLED;
第六薄膜晶体管T6的栅极连接至第二节点D2,且其源极连接至第三节点D3,且其漏极连接至第四节点D4。
第七薄膜晶体管T7的栅极用于接收第一扫描信号Scan1,且其源极用于连接至数据信号端DATA,且其漏极连接至第三节点D3。
第八薄膜晶体管T8的栅极用于接收第一扫描信号Scan1,且其源极连接至第二节点D2,且其漏极连接至第四节点D4。
第九薄膜晶体管T9的栅极用于接收第二扫描信号Scan2,且其源极连接至第二节点D2,且其漏极连接至直流电源负极N。
第十薄膜晶体管T10的栅极连接至第一节点D1,且其源极连接至直流电源正极P,且其漏极连接至第三节点D3。
第十一薄膜晶体管T11的栅极连接至第一节点D1,且其源极连接至第四节点D4,且其漏极连接至有机发光二极管OLED的阳极。
第十二薄膜晶体管T12的栅极用于接收第一扫描信号Scan1,且其源极连接至有机发光二极管OLED的阳极,且其漏极连接至直流电源负极N。
电容器C的一端连接至直流电源正极P,且其另一端连接至第二节点D2。
有机发光二极管OLED的阴极电性接地。
第六薄膜晶体管T6为驱动薄膜晶体管。此外,直流电源正极P提供高电位的直流正电压Vdd,而直流电源负极N提供低电位的直流负电压Vin,数据信号端DATA提供为一高电位单脉冲的数据信号Vdate,第一节点D1接入第一发光控制信号EM1。
第六薄膜晶体管T6至第十二薄膜晶体管T12均为P型薄膜晶体管,但本发明并不限制于此。进一步地,第六薄膜晶体管T6至第十二薄膜晶体管T12均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管,但本发明并不限制于此。
以下对根据本发明的实施例的用于AMOLED显示器的像素驱动电路的正常驱动显示过程进行说明。图2是根据本法发明的实施例的用于AMOLED显示器的像素驱动电路的各工作阶段的各信号的时序图。
一并参照图1和图2,根据本法发明的实施例的用于AMOLED显示器的像素驱动电路进行初始化阶段S1、阈值电压储存阶段S2和发光驱动阶段S3。
在初始化阶段S1中,第一扫描信号Scan1和第一发光控制信号EM1为高电位,第二扫描信号Scan2为低电位,此时第九薄膜晶体管T9导通,这样将第二节点D2的电位变成低电位,电容器C进行放电,从而完成有机发光二极管OLED的初始化。
在阈值电压储存阶段S2中,第二扫描信号Scan2和第一发光控制信号EM1为高电位,第一扫描信号Scan1为低电位,此时第七薄膜晶体管T7、第八薄膜晶体管T8和第十二薄膜晶体管T12导通,这样第六薄膜晶体管T6的源极和漏极短接,第二节点D2的电位| VD2 |>| Vth |,Vth为第六薄膜晶体管T6的阈值电压,此时第六薄膜晶体管T6变成二极管,第六薄膜晶体管T6导通,直到第二节点D2的电位变成Vdata-| Vth |时第六薄膜晶体管T6截止。
在发光驱动阶段S3中,第一扫描信号Scan1和第二扫描信号Scan2为高电位,第一发光控制信号EM1为低电位,第十薄膜晶体管T10和第十一薄膜晶体管T11导通,此时,第六薄膜晶体管T6的栅极和源极之间的电压Vgs=Vdd-(Vdata-| Vth |),流过第六薄膜晶体管T6的电流Ids=k[Vdd-(Vdata-| Vth |)-| Vth |]2= k(Vdd-Vdata)2,这样流过有机发光二极管OLED的电流与第六薄膜晶体管T6的阈值电压无关,从而实现阈值电压补偿功能。
当对各薄膜晶体管和电容器进行测试时,与上述一样,也同样进行三个阶段。在测试时,通过在各个阶段测试直流电源正极P和数据信号端DATA之间的电流大小或者测试直流电源负极N和数据信号端DATA之间的电流大小来判断各个阶段中导通的薄膜晶体管是否正常。需要说明的是,在测试时,各信号由测试机给入。
在初始化阶段S1中,只有第九薄膜晶体管T9导通,而第七薄膜晶体管T7截止,因此无法在数据信号端DATA获取电流,但是初始化阶段S1是准备阶段,如果在初始化阶段S1中,第九薄膜晶体管T9和电容器C出现异常,那么是无法进行之后的阶段的。因此,如果正常进入阈值电压储存阶段S2,那么表示第九薄膜晶体管T9和电容器C正常。
在阈值电压储存阶段S2中,第七薄膜晶体管T7、第八薄晶体管T8和第十二薄膜晶体管T12导通,此时检测直流电源正极P和数据信号端DATA之间的电流大小能够检测第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7和第八薄晶体管T8的正常与否。
在发光驱动阶段S3中,电流依次沿着直流电源正极P、第十薄膜晶体管T10、第六薄膜晶体管T6、第十一薄膜晶体管T11、有机发光二极管OLED的阳极的路线流动,并且由于第七薄膜晶体管T7截止,因此无法在直流电源正极P和数据信号端DATA之间或者直流电源负极N和数据信号端DATA之间测试到电流,从而无法对第十薄膜晶体管T10、第十一薄膜晶体管T11和第十二薄膜晶体管T12进行检测。
为了解决上述技术问题,提供了一个测试电路20,以能够完成第十薄膜晶体管T10、第十一薄膜晶体管T11和第十二薄膜晶体管T12的检测。在增加测试电路20之后,第一节点D1不再接入第一发光控制信号EM1,具体请看下面的介绍。
图3是根据本发明的实施例的用于AMOLED显示器的测试电路的电路图。
参照图3,根据本发明的实施例的用于AMOLED显示器的测试电路20包括:第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4和第五薄膜晶体管T5;
第一薄膜晶体管T1的栅极用于接收第一发光控制信号EM1,且其漏极用于接收低电位的关断信号VGL,且其源极连接至第一节点D1。
第二薄膜晶体管T2的栅极用于接收第一扫描信号Scan1,且其漏极用于接收低电位的关断信号VGL,且其源极连接至第三薄膜晶体管T3的漏极。
第三薄膜晶体管T3的栅极用于接收第二使能信号EN2,且其源极连接至第一节点D1。
第四薄膜晶体管T4的栅极用于接收第二扫描信号Scan2,且其源极用于接收第一发光控制信号EM1,且其漏极连接至第一节点D1。
第五薄膜晶体管T5的栅极用于接收第一使能信号EN1,且其源极用于接收第一发光控制信号EM1,且其漏极连接至第一节点D1。
第一使能信号EN1和第二使能信号EN2的高低电位互反。
第一薄膜晶体管T1至第五薄膜晶体管T5为P型薄膜晶体管,但本发明并不限制于此。第一薄膜晶体管T1至第五薄膜晶体管T5均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管,但本发明并不限制于此。
图4是根据本法发明的实施例的用于AMOLED显示器的测试电路在电路测试时的各工作阶段的各信号的时序图。
一并参照图3和图4,当对像素驱动电路10进行测试时,第一使能信号EN1为高电位,第二使能信号EN2为低电位,第一节点D1根据不同的阶段向像素驱动电路10输出不同电位的第二发光控制信号EM2。需要说明的是,在测试时,各信号由测试机给入。
当在初始化阶段S1时,第一扫描信号Scan1和第一发光控制信号EM1为高电位,第二扫描信号Scan2为低电位,第一节点D1向像素驱动电路10输出高电位的第二发光控制信号EM2,此时只有第九薄膜晶体管T9导通,而第七薄膜晶体管T7截止,因此无法在数据信号端DATA获取电流,但是初始化阶段S1是准备阶段,如果在初始化阶段S1中,第九薄膜晶体管T9和电容器C出现异常,那么是无法进行之后的阶段的。因此,如果正常进入阈值电压储存阶段S2,那么表示第九薄膜晶体管T9和电容器C正常。
当在阈值电压储存阶段S2时,第一扫描信号Scan1为低电位,第二扫描信号Scan2为高电位,第一发光控制信号EM1为高电位,第一节点D1向像素驱动电路10输出低电位的第二发光控制信号EM2,此时,第九晶体管T9截止,而第六薄膜晶体管T6至第八晶体管T8,以及第十晶体管T10至第十二薄膜晶体管T12全部导通,通过测试直流电源正极P与数据信号端DATA之间的电流大小可以测试第十薄膜晶体管T10和第七薄膜晶体管T7正常与否,而通过测试直流电源负极N与数据信号端DATA之间的电流大小可以测试第六薄膜晶体管T6至第八薄膜晶体管T8、第十一薄膜晶体管T11和第十二薄膜晶体管T12正常与否。
当在发光驱动阶段S3时,第一扫描信号Scan1为高电位,第二扫描信号Scan2为高电位,第一发光控制信号EM1为低电位,第一节点D1向像素驱动电路10输出低电位的第二发光控制信号EM2。
图5是根据本法发明的实施例的用于AMOLED显示器的测试电路和像素驱动电路在正常驱动显示时的各工作阶段的各信号的时序图。
一并参照图3和图5,当像素驱动电路10正常驱动显示时,第一使能信号EN1为低电位,第二使能信号EN2为高电位,第一节点D1根据不同的阶段向像素驱动电路10输出不同电位的第二发光控制信号EM2。
当在初始化阶段S1时,第一扫描信号Scan1为高电位,第二扫描信号Scan2为低电位,第一发光控制信号EM1为高电位,第一节点D1向像素驱动电路10输出高电位的第二发光控制信号EM2。
当在阈值电压储存阶段S2时,第一扫描信号Scan1为低电位,第二扫描信号Scan2为高电位,第一发光控制信号EM1为高电位,第一节点D1向像素驱动电路10输出高电位的第二发光控制信号EM2。
当在发光驱动阶段S3时,第一扫描信号Scan1为高电位,第二扫描信号Scan2为高电位,第一发光控制信号EM1为低电位,第一节点D1向像素驱动电路10输出低电位的第二发光控制信号EM2。
也就是说,在像素驱动电路10正常驱动显示时,测试电路20产生与第一发光控制信号EM1完全相同的第二发光控制信号EM2。
综上所述,根据本发明的实施例,通过在像素驱动电路上增加测试电路,能够完成对像素驱动电路中的各薄膜晶体管和各电容器的测试,从而不会出现漏检现象。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明,但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下,可在此进行形式和细节上的各种变化。
Claims (10)
1.一种用于AMOLED显示器的测试电路,其特征在于,所述测试电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管的栅极用于接收第一发光控制信号,且其漏极用于接收低电位的关断信号,且其源极连接至第一节点;
所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其漏极用于接收低电位的关断信号,且其源极连接至所述第三薄膜晶体管的漏极;
所述第三薄膜晶体管的栅极用于接收第二使能信号,且其源极连接至第一节点;
所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收第二扫描信号,且其源极用于接收第一发光控制信号,且其漏极连接至第一节点;
所述第五薄膜晶体管的栅极用于接收第一使能信号,且其源极用于接收第一发光控制信号,且其漏极连接至第一节点;
所述第一使能信号和所述第二使能信号的电位互反。
2.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,当对所述AMOLED显示器的像素驱动电路进行测试时,所述第一使能信号为高电位,所述第二使能信号为低电位,所述第一节点根据不同的阶段向所述像素驱动电路输出不同电位的第二发光控制信号。
3.根据权利要求2所述的测试电路,其特征在于,当在初始化阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为低电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;
当在阈值电压储存阶段时,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号;
当在发光驱动阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为低电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号。
4.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,当所述AMOLED显示器的像素驱动电路正常驱动显示时,所述第一使能信号为低电位,所述第二使能信号为高电位,所述第一节点根据不同的阶段向所述像素驱动电路输出不同电位的第二发光控制信号。
5.根据权利要求4所述的测试电路,其特征在于,当在初始化阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为低电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;
当在阈值电压储存阶段时,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为高电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;
当在发光驱动阶段时,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为高电位,所述第一发光控制信号为低电位,所述第一节点向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号。
6.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至所述第五薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。
7.根据权利要求1或6所述的测试电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至所述第五薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
8.一种AMOLED显示器,其特征在于,包括权利要求1至7任一项所述的测试电路以及像素驱动电路,所述像素驱动电路包括:第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管、电容器以及有机发光二极管;
第六薄膜晶体管的栅极连接至第二节点,且其源极连接至第三节点,且其漏极连接至第四节点;
第七薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其源极用于连接至数据信号端,且其漏极连接至第三节点;
第八薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其源极连接至第二节点,且其漏极连接至第四节点;
第九薄膜晶体管的栅极用于接收第二扫描信号,且其源极连接至第二节点,且其漏极连接至直流电源负极;
第十薄膜晶体管的栅极连接至第一节点,且其源极连接至直流电源正极,且其漏极连接至第三节点;
第十一薄膜晶体管的栅极连接至第一节点,且其源极连接至第四节点,且其漏极连接至有机发光二极管的阳极;
第十二薄膜晶体管的栅极用于接收第一扫描信号,且其源极连接至有机发光二极管的阳极,且其漏极连接至直流电源负极;
电容器的一端连接至直流电源正极,且其另一端连接至第二节点;
有机发光二极管的阴极电性接地。
9.根据权利要求8所述的AMOLED显示器,其特征在于,所述第六薄膜晶体管至所述第十二薄膜晶体管为P型薄膜晶体管;所述第六薄膜晶体管至所述第十二薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
10.一种权利要求8或9所述的AMOLED显示器的测试方法,其特征在于,所述测试方法包括步骤:
A、所述测试电路在初始化阶段向所述像素驱动电路输出高电位的第二发光控制信号;其中,进行完步骤A之后若正常进入步骤B和步骤C,则第九薄膜晶体管和电容器正常;
B、所述测试电路在阈值电压储存阶段向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号,通过测试所述直流电源正极和所述数据信号端之间的电流来确定第十薄膜晶体管和第七薄膜晶体管正常与否,且通过测试所述直流电源负极和所述数据信号端之间的电流来确定第六薄膜晶体管至第八薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管和第十二薄膜晶体管正常与否;
C、所述测试电路在发光驱动阶段向所述像素驱动电路输出低电位的第二发光控制信号。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711192556.5A CN107731143B (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | Amoled显示器的测试电路和测试方法、amoled显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711192556.5A CN107731143B (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | Amoled显示器的测试电路和测试方法、amoled显示器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107731143A CN107731143A (zh) | 2018-02-23 |
CN107731143B true CN107731143B (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=61218294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711192556.5A Active CN107731143B (zh) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | Amoled显示器的测试电路和测试方法、amoled显示器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107731143B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109599063B (zh) * | 2018-12-04 | 2024-04-12 | 福建华佳彩有限公司 | 一种7T2C的Em驱动电路 |
CN110827730B (zh) * | 2019-11-28 | 2022-12-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种检测ltpsamoled显示基板像素区晶体管特性的电路与方法 |
CN112731092A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-30 | 哈尔滨理工大学 | 一种有机薄膜晶体管的测试系统 |
CN113035101B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-09-23 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、器件性能测试方法和显示设备 |
WO2023272540A1 (zh) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示基板、显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105719595A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-29 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 像素驱动电路、有机发光显示器及其驱动方法 |
CN105989794A (zh) * | 2015-01-29 | 2016-10-05 | 上海和辉光电有限公司 | Oled显示装置 |
CN106409198A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种检测驱动电路的方法 |
CN106489175A (zh) * | 2016-07-20 | 2017-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光控制电路、具有发光控制电路的显示设备及其驱动方法 |
CN106935192A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100700820B1 (ko) * | 2005-05-13 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치의 제조방법 및 발광표시장치의 테스트 방법 |
CN104835449B (zh) * | 2015-05-04 | 2017-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置 |
CN106782326B (zh) * | 2017-03-06 | 2018-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示装置 |
-
2017
- 2017-11-24 CN CN201711192556.5A patent/CN107731143B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105719595A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-29 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 像素驱动电路、有机发光显示器及其驱动方法 |
CN105989794A (zh) * | 2015-01-29 | 2016-10-05 | 上海和辉光电有限公司 | Oled显示装置 |
CN106489175A (zh) * | 2016-07-20 | 2017-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光控制电路、具有发光控制电路的显示设备及其驱动方法 |
CN106409198A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种检测驱动电路的方法 |
CN106935192A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107731143A (zh) | 2018-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107731143B (zh) | Amoled显示器的测试电路和测试方法、amoled显示器 | |
US9697767B2 (en) | LED pixel unit circuit, driving method thereof, and display panel | |
CN103544917B (zh) | 发光二极管像素单元电路、其驱动方法及显示面板 | |
CN103050080B (zh) | 有机发光显示器的像素电路及其驱动方法 | |
US10262593B2 (en) | Light emitting drive circuit and organic light emitting display | |
WO2016119304A1 (zh) | Amoled像素驱动电路及像素驱动方法 | |
CN103198794B (zh) | 像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置 | |
JP2019532357A (ja) | Amoled画素駆動回路および駆動方法 | |
CN108777131B (zh) | Amoled像素驱动电路及驱动方法 | |
CN104680980A (zh) | 像素驱动电路及其驱动方法、显示装置 | |
CN110570820B (zh) | Amoled显示装置及其驱动方法 | |
WO2016119305A1 (zh) | Amoled像素驱动电路及像素驱动方法 | |
WO2020015337A1 (zh) | 像素驱动电路感测方法及像素驱动电路 | |
US10056033B2 (en) | AMOLED pixel driving circuit and pixel driving method | |
US10497316B2 (en) | Amoled pixel driving circuit and driving method thereof | |
CN203311818U (zh) | 发光二极管像素单元电路及显示面板 | |
CN104200777A (zh) | 像素电路及其驱动方法、显示面板、显示装置 | |
CN107978279B (zh) | 像素电路的数据电压补偿方法、补偿装置及显示系统 | |
WO2019037302A1 (zh) | 像素内部补偿电路及驱动方法 | |
US10074309B2 (en) | AMOLED pixel driving circuit and AMOLED pixel driving method | |
KR102323292B1 (ko) | Amoled 픽셀 구동 회로 및 그 구동 방법 | |
US10621923B2 (en) | Scanning drive system of AMOLED display panel | |
CN108182897B (zh) | 测试像素驱动电路的方法 | |
CN109410835B (zh) | 一种新型oled驱动电路 | |
CN108510945B (zh) | Oled像素补偿电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |