JP2012208274A - 表示パネル、表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素回路12は、保持容量Csと、映像信号に対応する電圧を保持容量Csに書き込む書込トランジスタTwsと、保持容量Csの電圧に基づいて有機EL素子11を駆動する駆動トランジスタTdrとを有している。書込トランジスタTwsは、有機EL素子11から発せられた光が入射する位置に配置されている。
【選択図】図3
Description
1.第1の実施の形態
表示パネルがボトムエミッション構造となっている例
2.第1の実施の形態の変形例
高速フィードバック回路が設けられている例
3.第2の実施の形態
表示パネルがトップエミッション構造となっている例
4.第1の実施の形態の変形例
高速フィードバック回路が設けられている例
5.モジュールおよび適用例
[構成]
図1は、一実施の形態に係る表示装置1の全体構成の一例を表したものである。この表示装置1は、表示パネル10と、表示パネル10を駆動する駆動回路20とを備えている。
次に、本実施の形態の表示装置1の動作の一例について説明する。
まず、閾値補正の準備を行う。具体的には、ゲート線WSLの電圧がVoffとなっており、ドレイン線DSLの電圧がVccとなっている時(つまり有機EL素子11が発光している時)に、ドレイン線駆動回路25がドレイン線DSLの電圧をVccからViniに下げる(T1)。すると、ソース電圧VsがViniとなり、有機EL素子11が消光する。その後、データ線DTLの電圧がVofsとなっている時にゲート線駆動回路24がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ、駆動トランジスタTdrのゲートをVofsとする。
次に、閾値の補正を行う。具体的には、書込トランジスタTwsがオンしており、データ線DTLの電圧がVofsとなっている間に、ドレイン線駆動回路25がドレイン線DSLの電圧をViniからVccに上げる(T2)。すると、駆動トランジスタTdrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vsが上昇する。その後、データ線駆動回路23がデータ線DTLの電圧をVofsからVsigに切り替える前に、ゲート線駆動回路24がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T3)。すると、駆動トランジスタTdrのゲートがフローティングとなり、閾値の補正が休止する。
閾値補正が休止している期間中は、例えば、先の閾値補正を行った行(画素)とは異なる他の行(画素)において、データ線DTLの電圧のサンプリングが行われる。なお、このとき、先の閾値補正を行った行(画素)において、ソース電圧VsがVofs−Vth(Vthは駆動トランジスタTdrの閾値電圧)よりも低いので、閾値補正休止期間中にも、先の閾値補正を行った行(画素)において、駆動トランジスタTdrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vsが上昇し、保持容量Csを介したカップリングによりゲート電圧Vgも上昇する。
次に、閾値補正を再び行う。具体的には、データ線DTLの電圧がVofsとなっており、閾値補正が可能となっている時に、ゲート線駆動回路24がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ、駆動トランジスタTdrのゲート電圧をVofsにする(T4)。このとき、ソース電圧VsがVofs−Vthよりも低い場合(閾値補正がまだ完了していない場合)には、駆動トランジスタTdrがカットオフするまで(ゲート−ソース間電圧VgsがVthになるまで)、駆動トランジスタTdrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れる。その後、データ線駆動回路23がデータ線DTLの電圧をVofsからVsigに切り替える前に、ゲート線駆動回路24がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T5)。すると、駆動トランジスタTdrのゲートがフローティングとなるので、ゲート−ソース間電圧Vgsをデータ線DTLの電圧の大きさに拘わらず一定に維持することができる。
閾値補正休止期間が終了した後、書き込みと移動度補正を行う。具体的には、データ線DTLの電圧がVsigとなっている間に、ゲート線駆動回路24がゲート線WSLの電圧をVoffからVonに上げ(T6)、駆動トランジスタTdrのゲートをデータ線DTLに接続する。すると、駆動トランジスタTdrのゲート電圧Vgがデータ線DTLの電圧Vsigとなる。このとき、有機EL素子11のアノード電圧はこの段階ではまだ有機EL素子11の閾値電圧Velよりも小さく、有機EL素子11はカットオフしている。そのため、電流Idsは有機EL素子11の素子容量(図示せず)に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧VsがΔVだけ上昇し、やがてゲート−ソース間電圧VgsがVsig+Vth−ΔVとなる。このようにして、書き込みと同時に移動度補正が行われる。ここで、駆動トランジスタTdrの移動度が大きい程、ΔVも大きくなるので、ゲート−ソース間電圧Vgsを発光前にΔVだけ小さくすることにより、画素13ごとの移動度のばらつきを取り除くことができる。
最後に、ゲート線駆動回路24がゲート線WSLの電圧をVonからVoffに下げる(T7)。すると、駆動トランジスタTdrのゲートがフローティングとなり、駆動トランジスタTdrのドレイン−ソース間に電流Idsが流れ、ソース電圧Vsが上昇する。その結果、有機EL素子11に閾値電圧Vel以上の電圧が印加され、有機EL素子11が所望の輝度で発光を開始する。
次に、本実施の形態の表示装置1の効果について説明する。本実施の形態では、表示パネル10がボトムエミッション構造となっており、かつ書込トランジスタTwsが有機EL素子11から発せられた光が直接入射する位置に配置されている。そのため、書込トランジスタTwsの特性は有機EL素子11から発せられた光によって変化する。
[構成]
上記実施の形態では、保持容量Csから電荷をリークさせるため、有機EL素子11が発光している最中に輝度を下げながら、有機EL素子11の発光輝度を補正することになる。そのため、輝度を完全に補正するのに時間がかかる場合がある。そこで、例えば、図8に示したように、画素回路12内に高速フィードバック回路15を設けて、発光輝度を補正する時間を短縮するようにしてもよい。
次に、本変形例に係る表示装置1の動作および効果について説明する。本変形例では、図9に示したように、閾値補正準備期間からブートストラップ期間までの間、ゲート線駆動回路24は、ゲート線WSL,WSL1の双方に対して、同一の信号(選択パルス)を入力するようになっている。しかし、本変形例では、ゲート線駆動回路24は、発光期間に入ると直ちに、ゲート線WSL1だけに、選択パルス(図中のP1)を入力するようになっている。
[構成]
次に、第2の実施形態に係る表示装置について説明する。本実施の形態の表示装置は、表示パネル10としてトップエミッション構造のものを備えている点で、上記実施の形態の表示装置1の構成と主に相違する。そこで、以下では、上記実施の形態との相違点について主に説明し、上記実施の形態との共通点についての説明を適宜、省略するものとする。
次に、本実施の形態の表示装置の効果について説明する。本実施の形態では、表示パネル10がトップエミッション構造となっており、かつ書込トランジスタTwsが有機EL素子11から発せられた光が直接入射する位置に配置されている。そのため、書込トランジスタTwsの特性は有機EL素子11から発せられた光によって変化する。
[構成]
上記第2の実施の形態では、保持容量Csから電荷をリークさせるため、有機EL素子11が発光している最中に輝度を下げながら、有機EL素子11の発光輝度を補正することになる。そのため、輝度を完全に補正するのに時間がかかる場合がある。そこで、例えば、図8に示したように、画素回路12内に高速フィードバック回路15を設けて、発光輝度を補正する時間を短縮するようにしてもよい。このようにした場合には、焼き付きを低減することができる。また、ゲート線WSL1へ選択パルス(図中のP1)を印加するタイミングを早くすることにより、輝度を補正する時間を短くすることができる。
以下、上記第1および第2の実施の形態およびそれらの変形例で説明した表示装置1の適用例について説明する。表示装置1は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
表示装置1は、例えば、図13に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板3の一辺に、表示パネル10を封止する部材(図示せず)から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、タイミング生成回路21、映像信号処理回路22、データ線駆動回路23、ゲート線駆動回路24およびドレイン線駆動回路25の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図14は、表示装置1が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、表示装置1により構成されている。
図15は、表示装置1が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、表示装置1により構成されている。
図16は、表示装置1が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、表示装置1により構成されている。
図17は、表示装置1が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、表示装置1により構成されている。
図18は、表示装置1が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、表示装置1により構成されている。
Claims (10)
- 自発光素子と、前記自発光素子を駆動する画素回路とを画素ごとに備えた表示パネルであって、
前記画素回路は、第1保持容量と、映像信号に対応する電圧を前記保持容量に書き込む第1トランジスタと、前記第1保持容量の電圧に基づいて前記有機EL素子を駆動する第2トランジスタとを有するとともに、前記自発光素子で発せられた光の輝度の大きさに応じた電圧を前記第2トランジスタのゲート電圧にフィードバックするようになっている
表示パネル。 - 前記第1トランジスタは、前記自発光素子から発せられた光が入射する位置に配置されている
請求項1に記載の表示パネル。 - 前記表示パネルは、前記画素回路が形成された基板を有し、
前記自発光素子は、透明電極、有機層および反射電極を前記基板側から順に有し、
前記第1トランジスタは、前記透明電極と対向する領域に配置されている
請求項2に記載の表示パネル。 - 前記表示パネルは、前記画素回路が形成された基板を有し、
前記自発光素子は、反射電極、有機層および透明電極を前記基板側から順に有し、
前記反射電極は、開口を有し、
前記第1トランジスタは、前記開口と対向する領域に配置されている
請求項2に記載の表示パネル。 - 前記画素回路は、前記第1保持容量に並列接続された高速フィードバック回路を有し、
前記高速フィードバック回路は、互いに直列に接続された第3トランジスタおよび第2保持容量を有する
請求項1に記載の表示パネル。 - 自発光素子と、前記自発光素子を駆動する画素回路とを画素ごとに有する表示パネルと、
前記画素回路を駆動する駆動回路と
を備え、
前記画素回路は、保持容量と、映像信号に対応する電圧を前記保持容量に書き込む1または複数の第1トランジスタと、前記保持容量の電圧に基づいて前記有機EL素子を駆動する第2トランジスタとを有するとともに、前記自発光素子で発せられた光の輝度の大きさに応じた電圧を前記第2トランジスタのゲート電圧にフィードバックするようになっている
表示装置。 - 前記1または複数の第1トランジスタのうち少なくとも1つは、前記自発光素子から発せられた光が入射する位置に配置されている
請求項6に記載の表示装置。 - 前記1または複数の第1トランジスタのうち、前記自発光素子から発せられた光が入射する位置に配置されたトランジスタが、nチャネルMOS型のトランジスタであり、
前記駆動回路は、前記自発光素子が発光しているときに、前記nチャネルMOS型のトランジスタのゲートに対して、当該トランジスタのソース電圧およびドレイン電圧よりも低い電圧を印加するようになっている
請求項7に記載の表示装置。 - 前記1または複数の第1トランジスタのうち、前記自発光素子から発せられた光が入射する位置に配置されたトランジスタが、pチャネルMOS型のトランジスタであり、
前記駆動回路は、前記自発光素子が発光しているときに、前記nチャネルMOS型のトランジスタのゲートに対して、当該トランジスタのソース電圧およびドレイン電圧よりも高い電圧を印加するようになっている
請求項7に記載の表示装置。 - 表示装置を備え、
前記表示装置は、
自発光素子と、前記自発光素子を駆動する画素回路とを画素ごとに有する表示パネルと、
前記画素回路を駆動する駆動回路と
を有し、
前記画素回路は、保持容量と、映像信号に対応する電圧を前記保持容量に書き込む第1トランジスタと、前記保持容量の電圧に基づいて前記有機EL素子を駆動する第2トランジスタとを有するとともに、前記自発光素子で発せられた光の輝度の大きさに応じた電圧を前記第2トランジスタのゲート電圧にフィードバックするようになっている
電子機器。
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