JP2024028302A - 光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑える。【解決手段】基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。封止部材３００は、透光性を有している。封止部材３００は、側壁３１０を有している。第１部分４００は、基板１００の第２面１０４側に位置している。第１部分４００は、面４０２を有している。第１部分４００の面４０２は、方向Ｘに対して傾いている。特に、第１部分４００の面４０２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて傾いている。【選択図】図３

Description

本発明は、光装置に関する。

近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、第１電極、有機層及び第２電極を有している。第１電極、有機層及び第２電極は、発光部を構成している。有機層は、第１電極と第２電極の間の電圧によって有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を発することができる。

特許文献１には、ＯＬＥＤの一例が記載されている。このＯＬＥＤは、第１面及び第１面の反対側の第２面を有する透明基板を含んでいる。透明基板の第１面側には、第１電極、有機層及び第２電極が位置している。透明基板の第２面側には、ポリマーが位置している。ポリマーの表面には、ランダムな凹凸が連続的に形成されている。

特許文献２には、照明器具の一例が記載されている。照明器具は、光源、センサ及び遮蔽部材を含んでいる。光源は、センサの検出結果に基づいて、オン又はオフに切り替わる。光源からの光又は熱によってセンサでは誤検出が発生するおそれがある。特許文献２では、遮蔽部材がセンサを光源から遮蔽している。したがって、光源によるセンサの誤検出を抑えることができる。

国際公開第２００８／０９６７４８号 特開２０１０－２７４４１号公報

上述したように、近年、ＯＬＥＤが発光装置として開発されている。一定の用途（例えば、自動車のテールランプ）においては、このような発光装置が、受光素子（例えば、フォトダイオード（ＰＤ））を有する装置（例えば、光センサ又は撮像装置）と一緒に用いられる場合がある。この場合、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を可能な限り抑える必要がある。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑えることが一例として挙げられる。

第１の発明は、
第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
透光性を有し、前記第１面又は前記第２面に沿った一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する側壁を有する封止部材と、
前記基板の前記第２面側に位置し、前記一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する第１部分と、
受光素子と、
含み、
前記第１部分は、前記一方向に対して傾いた面を有する、光装置である。

第２の発明は、
第１面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を有する発光部と、
透光性を有し、前記第１面に沿った一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する側壁を有する封止部材と、
前記基板の前記第１面側に位置し、前記一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する第１部分と、
受光素子と、
含み、
前記第１部分は、前記一方向に対して傾いた面を有する、光装置である。

実施形態に係る光装置を説明するための図である。 図１に示した発光装置の平面図である。 図２のＰ－Ｐ断面図である。 実施形態に係る発光装置の動作の一例を説明するための図である。 比較例に係る発光装置の動作の一例を説明するための図である。 センサ装置の詳細の第１例を説明するための図である。 センサ装置の詳細の第２例を説明するための図である。 実施例に係る発光装置の平面図である。 図８のＡ－Ａ断面図である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第１例である。 基板の第１面側から見た場合の側壁の輝度の第１のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第２例である。 基板の第１面側から見た場合の側壁の輝度の第２のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第３例である。 基板の第１面側から見た場合の側壁の輝度の第３のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第１である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第２である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第３である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第４である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第５である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第６である。 基板の第１面側から見た場合の側壁の輝度の第４のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第５例である。 基板の第１面側から見た場合の側壁の輝度の第５のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第６例である。 基板の第１面側から見た場合の側壁の輝度の第６のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 図８のＢ－Ｂ断面図の第７例である。 基板の第１面側から見た場合の側壁の輝度の第７のシミュレーション結果のグラフを示す図である。 図２の変形例を示す図である。 図２９に示した発光装置の動作の一例を説明するための図である。 比較例に係る発光装置の動作の一例を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る光装置３０を説明するための図である。図２は、図１に示した発光装置１０の平面図である。図３は、図２のＰ－Ｐ断面図である。

図１から図３を用いて、光装置３０の概要を説明する。光装置３０は、基板１００、発光部１４２、封止部材３００、第１部分４００及び受光素子２２０を含んでいる。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。基板１００は、第１辺１０６ａを有している。第１辺１０６ａは、第１面１０２又は第２面１０４に沿った方向Ｘの第１側Ｓ１の端部である。発光部１４２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。発光部１４２は、方向Ｘの第１側Ｓ１側の端部を有している。発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。封止部材３００は、透光性を有している。封止部材３００は、側壁３１０を有している。側壁３１０は、方向Ｘにおいて発光部１４２の端部よりも第１側Ｓ１側に位置している。第１部分４００は、基板１００の第２面１０４側に位置している。第１部分４００は、方向Ｘにおいて発光部１４２の端部よりも第１側Ｓ１側に位置している。第１部分４００は、面４０２を有している。第１部分４００の面４０２は、方向Ｘに対して傾いている。特に図３に示す例では、第１部分４００の面４０２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて傾いている。

上述した構成によれば、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、第１部分４００の面４０２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて傾いている。図４及び図５を用いて後述するように、封止部材３００の側壁３１０から漏れる光の量を面４０２の傾きによって抑えることができる。したがって、発光装置１０から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

図１を用いて、光装置３０の詳細を説明する。

光装置３０は、発光装置１０及びセンサ装置２０を含んでいる。

センサ装置２０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、測距センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置２０が光センシングの機能を実現する。

発光装置１０は、基板１００、発光部１４２、封止部材３００を含んでいる。発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を基板１００の第１面１０２から順に含んでいる。

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、封止部材３００は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側に位置している。第２面１０４は、基板１００の屈折率より低い屈折率を有する領域（例えば、空気）に接している。

基板１００は、透光性を有する材料からなっている。したがって、光は基板１００を透過することができる。

基板１００は、例えば、ガラス又は樹脂からなっている。樹脂は、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はポリイミドにすることができる。基板１００が樹脂からなる場合、基板１００のうちの第１面１０２及び第２面１０４の少なくとも一方は、無機バリア層（例えば、ＳｉＮ_ｘ又はＳｉＯＮ）によって覆われていてもよい。有機層１２０を劣化させ得る物質（例えば、水蒸気）が基板１００を透過することを無機バリア層によって抑えることができる。

第１電極１１０は、透明導電材料を含んでおり、透光性を有している。透明導電材料は、例えば、金属酸化物（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ））又はＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、カーボンナノチューブ、導電性高分子（例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）又は透光性を有する金属薄膜（例えば、Ａｇ）若しくは透光性を有する合金薄膜（例えば、ＡｇＭｇ）とすることができる。

有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって光を発する発光層（ＥＭＬ）を含んでおり、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を適宜含んでいてもよい。第１電極１１０からＥＭＬに正孔が注入され、第２電極１３０からＥＭＬに電子が注入されて、ＥＭＬにおいて正孔及び電子が再結合して光が発せられる。

第２電極１３０は、遮光性導電材料を含んでおり、遮光性、特に光反射性を有している。遮光性導電材料は、例えば、金属、特に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される金属又はこの群から選択される金属の合金とすることができる。

図１に示す例において、発光装置１０は、ボトムエミッションである。つまり、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して、基板１００の第２面１０４から出射される。

封止部材３００は、発光部１４２を封止している。図１に示す例において、封止部材３００は、透光性を有する封止缶（例えば、ガラス缶）であり、側壁３１０及び蓋３２０を含んでいる。図１に示す例では、発光部１４２と封止部材３００の間の領域は、中空となっている。封止部材３００は、第１面１０２に取り付けられており、一例において、接着層（不図示）を介して基板１００の第１面１０２に接着させることができる。他の例において、発光部１４２と封止部材３００の間の領域には、液体が充填されていてもよい。一例において、液体は、フッ素オイルにすることができる。さらに他の例において、発光部１４２と封止部材３００の間の領域には、固体が充填されていてもよい。一例において、固体は、硬化可能な液体（例えば、紫外線硬化によって硬化可能な液体）を硬化させたものにすることができる。

センサ装置２０は、受光素子２２０を含んでいる。受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えば、フォトダイオード（ＰＤ）である。センサ装置２０は、発光装置１０の外側に位置している。図１に示す例では、受光素子２２０は、基板１００の第１面１０２に垂直な方向において、基板１００の第１面１０２から基板１００の外側に向けてずれており、基板１００の第１面１０２に沿った方向において、封止部材３００の外側に向けてずれている。受光素子２２０がこの位置にある場合、受光素子２２０は、封止部材３００の側壁３１０から漏れた光を誤検出しやすい。これに対して、本実施形態においては、上述したように、封止部材３００の側壁３１０から漏れる光の量を抑えることができるため、受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

図２を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

図２に示す例において、基板１００は、実質的に矩形形状を有しており、第１辺１０６ａ、第２辺１０６ｂ、第３辺１０６ｃ及び第４辺１０６ｄを有している。第１辺１０６ａは、方向Ｙに延伸している。第２辺１０６ｂは、第１辺１０６ａの反対側にある。第３辺１０６ｃは、第１辺１０６ａと第２辺１０６ｂの間にあって、第１辺１０６ａに交わる方向（方向Ｘ）に延伸している。第４辺１０６ｄは、第３辺１０６ｃの反対側にある。他の例において、基板１００は、矩形以外の形状を有していてもよい。

側壁３１０は、発光部１４２を囲んでいる。蓋３２０は、側壁３１０によって囲まれた領域の全体に亘って広がっている。このようにして、発光部１４２は、封止部材３００の側壁３１０及び蓋３２０によって外部の領域から遮断されている。

図２に示す例において、第１部分４００は、発光部１４２を囲んでいる。第１部分４００は、発光部１４２を囲むように連続的に延伸していてもよいし、又は発光部１４２を囲むように断続的に延伸していてもよい。

図３を用いて、第１部分４００の詳細を説明する。

図３は、方向Ｘに沿った断面を示している。第１側Ｓ１は、方向Ｘにおける基板１００の端部（例えば、図２に示した第１辺１０６ａ）側を示している。

図３に示す例において、第１部分４００は、基板１００の第２面１０４から突出した形状を有している。より詳細には、第１部分４００は、半円形状を有している。したがって、第１部分４００は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて傾いている面、つまり、面４０２を有している。したがって、図４及び図５を用いて後述するように、封止部材３００の側壁３１０から漏れる光の量を抑えることができる。

第１部分４００の形状は、厳密な半円形状でなくてもよく、例えば、半楕円形状であってもよい。他の例において、第１部分４００は、三角形形状を有していてもよい。この例において、第１部分４００の形状は、厳密な三角形形状でなくてもよく、角の丸まった三角形形状であってもよい。

図３に示す例では、第１部分４００の幅は、側壁３１０の幅と実質的に等しくなっており、方向Ｘにおいて、第１部分４００の中心は、側壁３１０の中心と実質的に揃っている。他の例において、第１部分４００の幅は、側壁３１０の幅と異なっていてもよいし、方向Ｘにおいて、第１部分４００の中心は、側壁３１０の中心からずれていてもよい。

図３に示す例において、第１部分４００は、基板１００に取り付けられた部材である。第１部分４００は、例えば、光学接着剤によって基板１００に接着させることができる。他の例において、第１部分４００は、基板１００と一体であってもよい。この例では、基板１００の第２面１０４を加工することで、第１部分４００を形成することができる。

図４は、実施形態に係る発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。図５は、比較例に係る発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。

比較例（図５）に係る発光装置１０は、第１部分４００が設けられていない点を除いて、実施形態（図４）に係る発光装置１０と同様である。

図４及び図５において、黒矢印で示すように、発光部１４２（例えば、図１）から発せられた光は、全反射によって基板１００内を伝搬することがある。比較例（図５）では、この光は、基板１００から封止部材３００に伝搬しやすい。したがって、封止部材３００の側壁３１０から発光部１４２から発せられた光が漏れてしまう場合がある。これに対して、実施形態（図４）では、この光は、第１部分４００の面４０２に小さな入射角で入射して、面４０２を透過しやすい。したがって、基板１００から封止部材３００に伝搬する光の量を抑えることができ、封止部材３００の側壁３１０から漏れる光の量を抑えることができる。

一例において、第１部材３１０の屈折率は、基板１００の屈折率より低くてもよい。特に、第１部材３１０は、ガラスより屈折率の低い材料からなっていてもよい。第１部材３１０の屈折率がある程度低く、例えば基板１００の屈折率より低い場合、第１部材３１０の面３１２から漏れる光の量を抑えることができる。

図６は、センサ装置２０の詳細の第１例を説明するための図である。

センサ装置２０は、発光素子２１０及び受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、測距センサ、特にＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）にすることができる。この例において、発光素子２１０は、センサ装置２０の外部に向けて光を発し、受光素子２２０は、発光素子２１０から発せられて対象物によって反射された光を受ける。一例において、発光素子２１０は、電気的エネルギーを光エネルギーに変換可能な素子、例えばレーザダイオード（ＬＤ）にすることができ、受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、光が発光素子２１０から発せられてから受光素子２２０によって受けられるまでの時間に基づいて、センサ装置２０から対象物までの距離を検出することができる。

センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられた光が受光素子２２０に入射されることを可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図１から図３を用いて説明した例によれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

図７は、センサ装置２０の詳細の第２例を説明するための図である。

センサ装置２０は、複数の受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、撮像センサにすることができる。この例において、複数の受光素子２２０は、画像を電気信号に変換可能な素子、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサにすることができる。一例において、各受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、複数の受光素子２２０によって、センサ装置２０の外部の対象物の像を検出することができる。

センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられて受光素子２２０に入射される光の量を可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図１から図３を用いて説明したによれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

以上、本実施形態によれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。

図８は、実施例に係る発光装置１０の平面図である。図９は、図８のＡ－Ａ断面図である。図１０は、図８のＢ－Ｂ断面図の第１例である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。

シミュレーションにおいて、図８から図１０に示す発光装置１０を検討した。

図８を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

発光装置１０は、発光領域１４０を含んでいる。発光領域１４０は、透光性を有している。具体的には、発光領域１４０は、複数の発光部１４２及び複数の透光部１４４を含んでいる。複数の発光部１４２及び複数の透光部１４４は、方向Ｙに延伸しており、方向Ｘに交互に並んでいる。発光装置１０の外部の光は、各透光部１４４を透過することができる。したがって、発光領域１４０は、透光性を有している。

図８に示す例では、基板１００の第３辺１０６ｃと発光領域１４０の第３辺１０６ｃ側の端部の間で側壁３１０及び第１部分４００が方向Ｙに延伸している。図８に示す側壁３１０は、シミュレーションにおいて、封止部材の一部分として仮想的に配置されたものである。

図９を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２から順に積層されている。有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して、基板１００の第２面１０４から出射される。

透光部１４４は、遮光部材（例えば、第２電極１３０）と重なっていない。したがって、発光装置１０の外部の光は、透光部１４４を透過することができる。

図１０を用いて、発光装置１０の詳細を説明する。

基板１００は、第１面１０２と第２面１０４の間に厚さＴを有している。側壁３１０は、基板１００の第１面１０２から高さＨを有している。側壁３１０は、基板１００の第１面１０２に接している部分において幅Ｗを有している。第１部分４００は、基板１００の第２面１０４に接している部分において幅Ｗを有している。方向Ｘにおいて、第１部分４００の中心は、側壁３１０の中心から第１側Ｓ１とは反対側に距離Δ（Δ≧０）だけずれている。第１部分４００は、基板１００の第２面１０４から突出した半円形状を有している。

シミュレーションの条件は、次のとおりとしている。側壁３１０の屈折率は、基板１００の屈折率と同一としており、１．５２としている。発光部１４２の配光分布は、ランバーシアン光源の分布としている。

図１１は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の側壁３１０の輝度の第１のシミュレーション結果のグラフを示す図である。

図１１における実施例は、図１０において、距離Δが０、Ｗ／４、Ｗ／２、３Ｗ／４、Ｗ及び５Ｗ／４の場合を示している。距離Δが０の場合、第１部分４００の全体が封止部材３００と重なっており、距離ΔがＷ／４、Ｗ／２及び３Ｗ／４の場合、第１部分４００の一部分が封止部材３００と重なっており、距離ΔがＷ及び５Ｗ／４の場合、第１部分４００のいずれの部分も封止部材３００と重ならない。図１１における比較例は、第１部分４００が設けられていない点を除いて、図１０に示した例と同様である。

比較例では、側壁３１０の両端において輝度のピークが現れている。図１１のグラフ内の右側のピークは、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部に相当する位置のピークである。これに対して、実施例では、距離Δの値に依らず、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークが抑えられている。したがって、方向Ｘにおいて、第１部分４００の中心は、側壁３１０の中心と揃っていてもよいし、又は側壁３１０の中心から第１側Ｓ１の反対側にずれていてもよいといえる。

図１２は、図８のＢ－Ｂ断面図の第２例である。図１２に示す例は、以下の点を除いて、図１０に示した例と同様である。

第１部分４００は、基板１００の第２面１０４から突出した三角形形状を有している。図１２におけるこの三角形は、基板１００の第２面１０４と共有された底辺を有する二等辺三角形である。第１部分４００の面４０２は、この二等辺三角形の一辺を構成しており、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて角度θ傾いている。

図１３は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の側壁３１０の輝度の第２のシミュレーション結果のグラフを示す図である。

図１３における実施例は、図１２において、角度θが３０°、４０°、４５°、５０°及び６０°の場合を示している。図１３における比較例は、第１部分４００が設けられていない点を除いて、図１２に示した例と同様である。

比較例では、側壁３１０の両端において輝度のピークが現れている。図１３のグラフ内の右側のピークは、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部に相当する位置のピークである。これに対して、実施例では、角度θの値に依らず、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークが抑えられている。特に、角度θが４５°、５０°及び６０°の場合、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークがよく抑えられている。したがって、一例において、角度θは４５°以上であることが望ましいといえる。特に、輝度のピークが抑えられている角度θは、第１部分４００の屈折率に依存する場合があるといえる。したがって、図１３に示す結果より、第１部分４００の屈折率が１．５２又はその近傍（例えば、１．３０以上１．７０以下、好ましくは１．４０以上１．６０以下）であるとき、角度θは、４５°以上であることが好ましいといえる。

図１４は、図８のＢ－Ｂ断面図の第３例である。図１４に示す例は、以下の点を除いて、図１０に示した例と同様である。

第１部分４００は、基板１００の第２面１０４から突出した三角形形状を有している。図１４におけるこの三角形は、斜辺を面４０２に有する直角三角形である。第１部分４００の面４０２は、この直角三角形の斜辺を構成しており、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて角度θ傾いている。

図１５は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の側壁３１０の輝度の第３のシミュレーション結果のグラフを示す図である。

図１５における実施例は、図１４において、角度θが３０°、４５°及び６０°を示している。図１５における比較例は、第１部分４００が設けられていない点を除いて、図１４に示した例と同様である。

比較例では、側壁３１０の両端において輝度のピークが現れている。図１５のグラフ内の右側のピークは、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部に相当する位置のピークである。これに対して、実施例では、角度θの値に依らず、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークが抑えられている。特に、角度θが４５°及び６０°の場合、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークがよく抑えられている。したがって、一例において、角度θは４５°以上であることが望ましいといえる。特に、輝度のピークが抑えられている角度θは、第１部分４００の屈折率に依存する場合があるといえる。したがって、図１５に示す結果より、第１部分４００の屈折率が１．５２又はその近傍（例えば、１．３０以上１．７０以下、好ましくは１．４０以上１．６０以下）であるとき、角度θは、４５°以上であることが好ましいといえる。

図１６は、図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第１である。図１６に示す例は、以下の点を除いて、図１０に示した例と同様である。

第１部分４００は、基板１００の第２面１０４から突出した三角形形状を有している。図１６におけるこの三角形は、基板１００の第２面１０４と共有された底辺（長さ：Ｗ／２）を有する二等辺三角形である。第１部分４００の面４０２は、この二等辺三角形の一辺を構成しており、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて４５°傾いている。方向Ｘにおいて、第１部分４００のうちの第１側Ｓ１の反対側の端部は、側壁３１０のうちの第１側Ｓ１の反対側の端部と揃っている。

図１７は、図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第２である。図１７に示す例は、第１部分４００のうちの第１側Ｓ１の端部が、側壁３１０のうちの第１側Ｓ１の反対側の端部と揃っている点を除いて、図１６に示した例と同様である。

図１８は、図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第３である。図１８に示す例は、２つの第１部分４００が基板１００の第２面１０４に沿って並んでいる点を除いて、図１６に示した例と同様である。図１８に示す例では、一方の第１部分４００のうちの第１側Ｓ１の反対側の端部は、側壁３１０のうちの第１側Ｓ１の反対側の端部と揃っており、もう一方の第１部分４００のうちの第１側Ｓ１の端部は、側壁３１０のうちの第１側Ｓ１の端部と揃っている。

図１９は、図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第４である。図１９に示す例は、第１部分４００が、基板１００の第２面１０４から突出した半円形状を有している点を除いて、図１６に示した例と同様である。

図２０は、図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第５である。図２０に示す例は、第１部分４００が、基板１００の第２面１０４から突出した半円形状を有している点を除いて、図１７に示した例と同様である。

図２１は、図８のＢ－Ｂ断面図の第４例の第６である。図２１に示す例は、第１部分４００が、基板１００の第２面１０４から突出した半円形状を有している点を除いて、図１８に示した例と同様である。

図２２は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の側壁３１０の輝度の第４のシミュレーション結果のグラフを示す図である。

図２２における実施例は、図１６から図２１の例を示している。図２２における比較例は、第１部分４００が設けられていない点を除いて、図１６から図２１に示した例と同様である。

比較例では、側壁３１０の両端において輝度のピークが現れている。図２２のグラフ内の右側のピークは、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部に相当する位置のピークである。これに対して、実施例では、図１６から図２１のいずれの例においても、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークが抑えられている。したがって、一例において、第１部分４００の幅は、側壁３１０の幅の５０％以上であることが望ましいといえる。

図２３は、図８のＢ－Ｂ断面図の第５例である。図２３に示す例は、以下の点を除いて、図１０に示した例と同様である。

基板１００のうちの第１面１０２と第２面１０４の間に厚さは、図１０に示した例における厚さＴの２倍となっている。

第１部分４００は、基板１００の第２面１０４から突出した三角形形状を有している。図２３におけるこの三角形は、基板１００の第２面１０４と共有された底辺（長さ：Ｗ）を有する二等辺三角形である。この二等辺三角形の一辺を構成しており、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて４５°傾いている。方向Ｘにおいて、第１部分４００の中心は、側壁３１０の中心から第１側Ｓ１とは反対側に距離Δ（Δ≧０）だけずれている。

図２４は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の側壁３１０の輝度の第５のシミュレーション結果のグラフを示す図である。

図２４における実施例は、図２３において、距離Δが０及びＷ／２の場合を示している。図２４における比較例は、第１部分４００が設けられていない点を除いて、図２３に示した例と同様である。

比較例では、側壁３１０の両端において輝度のピークが現れている。図２４のグラフ内の右側のピークは、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部に相当する位置のピークである。これに対して、実施例では、距離Δが０及びＷ／２の場合、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークが抑えられている。したがって、実施例では、基板１００のうちの第１面１０２と第２面１０４の厚さによらず、輝度のピークを抑えることができるといえる。

図２５は、図８のＢ－Ｂ断面図の第６例である。図２５に示す例は、以下の点を除いて、図１０に示した例と同様である。

側壁３１０の高さは、図１０に示した例における高さＨの２倍となっている。

第１部分４００は、基板１００の第２面１０４から突出した三角形形状を有している。図２５におけるこの三角形は、基板１００の第２面１０４と共有された底辺（長さ：Ｗ）を有する二等辺三角形である。この二等辺三角形の一辺を構成しており、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて４５°傾いている。方向Ｘにおいて、第１部分４００の中心は、側壁３１０の中心から第１側Ｓ１とは反対側に距離Δ（Δ≧０）だけずれている。

図２６は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の側壁３１０の輝度の第６のシミュレーション結果のグラフを示す図である。

図２６における実施例は、図２５において、距離Δが０及びＷ／２の場合を示している。図２６における比較例は、第１部分４００が設けられていない点を除いて、図２５に示した例と同様である。

比較例では、側壁３１０の両端において輝度のピークが現れている。図２６のグラフ内の右側のピークは、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部に相当する位置のピークである。これに対して、実施例では、距離Δが０及びＷ／２の場合、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークが抑えられている。したがって、実施例では、側壁３１０の高さによらず、輝度のピークを抑えることができるといえる。

図２７は、図８のＢ－Ｂ断面図の第７例である。図２７に示す例は、以下の点を除いて、図１０に示した例と同様である。

第１部分４００は、基板１００の第２面１０４から凹んだ形状を有している。第１部分４００の凹みは、深さＤを有している。第１部分４００の凹みは、基板１００の第２面１０４と同一面内に位置する底辺を有する二等辺三角形形状を有している。このようにして、第１部分４００は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて傾いた面（面４０２）を有している。図２７に示す例では、面４０２は、方向Ｘから４５°傾いている。

図２８は、基板１００の第１面１０２側から見た場合の側壁３１０の輝度の第７のシミュレーション結果のグラフを示す図である。

図２８における実施例は、図２７において、深さＤがＴ及びＴ／２の場合を示している。図２８における比較例は、第１部分４００が設けられていない点を除いて、図２７に示した例と同様である。

比較例では、側壁３１０の両端において輝度のピークが現れている。図２８のグラフ内の右側のピークは、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部に相当する位置のピークである。これに対して、実施例では、深さＤの値に依らず、側壁３１０の第１側Ｓ１の端部における輝度のピークが抑えられている。したがって、第１部分４００の凹みによって輝度のピークを抑えることができるといえる。さらに、深さＤがＴの場合の方が、深さＤがＴ／２の場合よりもピークをよく抑えることができている。したがって、一例において、第１部分４００の凹みの深さは、基板１００のうちの第１面１０２と第２面１０４の厚さＴの５０％以上であることが望ましいといえる。

図２９は、図２の変形例を示す図である。

図２９に示す発光装置１０は、トップエミッションに適用可能である。言い換えると、図２９に示す例では、つまり、有機層１２０（例えば、図１）から発せられた光は、第２電極１３０（例えば、図１）及び封止部材３００を透過して、封止部材３００から出射される。図２９に示す例では、第１電極１１０（例えば、図１）は遮光性導電材料を含んでおり、第２電極１３０（例えば、図１）は透明導電材料を含んでいる。図２９に示す例では、基板１００と封止部材３００の間の領域には、材料３３０が充填されている。材料３３０は、液体又は固体である。

図２９に示す例において、封止部材３００の外側の面は、封止部材３００の屈折率より低い屈折率を有する領域（例えば、空気）に接している。

第１部分４００は、基板１００の第１面１０２側に位置しており、図２９に示す例では、封止部材３００の側壁３１０に取り付けられている。第１部分４００は、方向Ｘにおいて発光部１４２（例えば、図１）の端部よりも第１側Ｓ１側に位置している。第１部分４００は、面４０２を有している。第１部分４００の面４０２は、方向Ｘに沿って第１側Ｓ１の反対側に向かう方向から第１側Ｓ１に向けて傾いている。

図３０は、図２９に示した発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。図３１は、比較例に係る発光装置１０の動作の一例を説明するための図である。

図３０及び図３１において、黒矢印で示すように、発光部１４２（例えば、図１）から発せられた光は、全反射によって材料３３０内と封止部材３００を伝搬することがある。比較例（図３１）では、この光は、封止部材３００の側壁３１０の端部まで伝搬する。したがって、封止部材３００の側壁３１０から漏れる光の量をあまり抑えることができない。これに対して、図３０に示す例では、この光は、第１部分４００の面４０２に小さな入射角で入射して、面４０２を透過しやすい。したがって、封止部材３００の側壁３１０の端部まで伝搬する光の量を抑えることができ、封止部材３００の側壁３１０から漏れる光の量を抑えることができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
２０ センサ装置
３０ 光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１０６ａ 第１辺
１０６ｂ 第２辺
１０６ｃ 第３辺
１０６ｄ 第４辺
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 発光領域
１４２ 発光部
１４４ 透光部
２１０ 発光素子
２２０ 受光素子
３００ 封止部材
３１０ 側壁
３２０ 蓋
３３０ 材料
４００ 第１部分
４０２ 面

Claims (9)

1. 第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有する基板と、
   前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
   透光性を有し、前記第１面又は前記第２面に沿った一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する側壁を有する封止部材と、
   前記基板の前記第２面側に位置し、前記一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する第１部分と、
   受光素子と、
   を含み、
   前記第１部分は、前記一方向に対して傾いた面を有し、
   前記一方向に沿った断面において、前記第１部分は、前記基板の前記第２面から突出し、かつ、実質的に半円形状を有する、光装置。
2. 第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有する基板と、
   前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
   透光性を有し、前記第１面又は前記第２面に沿った一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する側壁を有する封止部材と、
   前記基板の前記第２面側に位置し、前記一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する第１部分と、
   受光素子と、
   を含み、
   前記第１部分は、前記一方向に対して傾いた面を有し、
   前記一方向に沿った断面において、前記第１部分は、前記基板の前記第２面から突出し、かつ、実質的に三角形形状を有する、光装置。
3. 第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有する基板と、
   前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を含む発光部と、
   透光性を有し、前記第１面又は前記第２面に沿った一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する側壁を有する封止部材と、
   前記基板の前記第２面側に位置し、前記一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する第１部分と、
   受光素子と、
   を含み、
   前記第１部分は、前記一方向に対して傾いた面を有し、
   前記一方向に沿った断面において、前記第１部分は、前記基板の前記第２面から凹んだ形状を有し、
   前記第１部分の凹みの深さは、前記基板の前記第１面から前記第２面までの厚さの５０％以上である、
   光装置。
4. 請求項１から３までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記第１部分の前記面は、前記一方向に沿って４５°以上傾いている、光装置。
5. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記一方向における前記第１部分の幅は、前記一方向における前記側壁の幅の５０％以上である、光装置。
6. 請求項１から５までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記一方向において、前記第１部分の中心は、前記側壁の中心から前記基板の端部が位置する側の反対側にずれている、光装置。
7. 請求項１から６までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記受光素子を含む測距センサを含む光装置。
8. 請求項１から７までのいずれか一項に記載の光装置において、
   前記受光素子を含む撮像センサを含む光装置。
9. 第１面を有する基板と、
   前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を有する発光部と、
   透光性を有し、前記第１面に沿った一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する側壁を有する封止部材と、
   前記基板の前記第１面側に位置し、前記一方向において前記発光部よりも前記基板の端部側に位置する第１部分と、
   受光素子と、
   を含み、
   前記第１部分は、前記一方向に対して傾いた面を有する、光装置。

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