JP2022122344A - 発光装置及び光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光部から発せられた光が封止部で反射することを抑制する。【解決手段】反射防止層２００は、反射率が特定の波長において局所的に比較的極めて低くなっている反射防止層である。具体的には、発光部１４０が位置する側から反射防止層２００にＺ方向の正方向に平行に入射角０°で入射する光に対する反射防止層２００の反射率が、発光部１４０のピーク発光波長の±５０ｎｍ以内、好ましくは±２５ｎｍ以内において、１．０％以下、好ましくは０．５０％以下、より好ましくは０．２５％以下の極小値をとっている。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置及び光学装置に関する。

近年、透過型両面発光有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）等、様々な発光装置が開発されている。例えば特許文献１に記載されているように、例えばファインダにおいて、透過型両面発光ＯＬＥＤは、観察者と観察対象との間に配置されることがある。観察者は、透過型両面発光ＯＬＥＤを通して観察対象を観察することができる。また、観察者は、透過型両面発光ＯＬＥＤの発光部を見ることができる。特許文献１には、透過型両面発光ＯＬＥＤの透明性を向上させるため、発光部を封止する封止部に反射防止層を設けることが記載されている。

特開２００８－６６１２６号公報

透過型両面発光ＯＬＥＤでは、発光部から発せられた光が封止部の表面で反射されることがある。この場合、封止部の表面で反射された光が発光部を透過すると、発光部に対して封止部の当該表面の反対側にいる観察者には、封止部の表面によって形成される発光部の反射像が見えることがある。封止部の表面での光の反射を防止するため、特許文献１に記載されているように封止部に反射防止層が設けられることがある。しかしながら、封止部に単なる反射防止層を設けるだけでは、発光部から発せられた光が封止部の表面で反射することを十分に抑制することができない。また、広波長帯域に亘って反射率が比較的極めて低い反射防止層を設けることは、発光装置のコストの増加につながり得る。

本発明が解決しようとする課題としては、発光部から発せられた光が封止部で反射することを抑制することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
透光性を有する基板と、
透光性を有する第１電極と、透光性を有する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層と、を有し、前記基板と重なる発光部と、
前記発光部を封止する封止部と、
前記封止部に設けられ、少なくとも一部分が前記発光部の少なくとも一部分と重なる反射防止層と、
を備え、
前記発光部が位置する側から前記反射防止層に入射角０°で入射する光に対する前記反射防止層の反射率が、前記発光部のピーク発光波長の±５０ｎｍ以内において１．０％以下の極小値をとる、発光装置である。

請求項５に記載の発明は、
上記発光装置と、
前記基板に対して前記発光部が位置する側の反対側に位置する第１レンズと、
を備える光学装置である。

請求項６に記載の発明は、
透光性を有する基板と、
透光性を有する第１電極と、透光性を有する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層と、を有し、前記基板と重なる発光部と、
前記基板に対して前記発光部が位置する側の反対側に位置する第１レンズと、
を備え
前記発光部に対して前記基板が位置する側の反対側にあって前記第１レンズから前記第１レンズの焦点距離未満の領域における前記発光部のピーク発光波長の最大反射率が、前記発光部が位置する側から前記領域に入射角０°で入射する光に対して１．０％以下である、光学装置である。

実施形態に係る発光装置の断面模式図である。 変形例に係る発光装置の断面模式図である。 実施例に係る光学装置の断面模式図である。

以下、本発明の実施形態、変形例及び実施例について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

本明細書において「Ａ及びＢが重なる」という表現は、特に断らない限り、ある方向からの投影像において、Ａの少なくとも一部がＢの少なくとも一部と同じ場所にあることを意味する。このとき複数の要素同士は直接接していてもよいし、又は離間していてもよい。

本明細書中における陽極とは、発光材料を含む層（例えば有機層）に正孔を注入する電極のことを示し、陰極とは、発光材料を含む層に電子を注入する電極のことを示す。また、「陽極」及び「陰極」という表現は、「正孔注入電極」及び「電子注入電極」又は「正極」及び「負極」等の他の文言を意味することもある。

本明細書における「発光装置」とは、ディスプレイや照明等の発光素子を有するデバイスを含む。また、発光素子と直接的、間接的又は電気的に接続された配線、ＩＣ（集積回路）又は筐体等も「発光装置」に含む場合もある。

本明細書において、特に断らない限り、「膜」という表現と「層」という表現とは、状況及び場合に応じて適宜置換することが可能である。例えば、「絶縁膜」という文言は、「絶縁層」という文言に置換することが可能である。

本明細書において「接続」とは、複数の要素が直接的又は間接的を問わずに接続している状態を表す。例えば、複数の要素の間に接着剤又は接合部材が介して接続している場合も単に「複数の要素は接続している」と表現することがある。また、複数の要素の間に、電流、電圧又は電位を供給可能又は伝送可能な部材が存在しており、「複数の要素が電気的に接続している」場合も単に「複数の要素は接続している」と表現することがある。

本明細書において、特に断りがない限り「第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）」等の表現は要素を区別するためのものであり、その表現により該当要素の本質、順番、順序又は個数等が限定されるものではない。

本明細書において、各部材及び各要素は単数であってもよいし、又は複数であってもよい。ただし、文脈上、「単数」又は「複数」が明確になっている場合はこれに限らない。

本明細書において、「ＡがＢを含む」という表現は、特に断らない限り、ＡがＢのみによって構成されていることに限定されず、ＡがＢ以外の要素によって構成され得ることを意味する。

本明細書において「断面」とは、特に断らない限り、発光装置を画素や発光材料等が積層した方向に切断したときに現れる面を意味する。

本明細書において「有さない」、「含まない」、「位置しない」等の表現は、ある要素が完全に排除されていることを意味してもよいし、又はある要素が技術的な効果を有さない程度に存在していることを意味してもよい。

本明細書において「ＡがＢを覆う」という表現は、特に断らない限り、ＡとＢの間に他の要素（例えば、層）が位置せずにＡがＢに接触することを意味してもよいし、又はＡとＢの間に他の要素（例えば、層）が部分的又は全面的に位置することを意味してもよい。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の断面模式図である。

図１において、Ｚ方向は、発光装置１０の厚みに平行な方向である。Ｚ方向を示す矢印は、矢印の基端から先端に向かう方向がＺ方向の正方向であり、矢印の先端から基端に向かう方向がＺ方向の負方向であることを示している。Ｚ方向の正方向は、後述する基板１００から後述する発光部１４０に向かう方向である。Ｚ方向の負方向は、発光部１４０から基板１００に向かう方向である。

発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、封止部１５０、接着層１６０、乾燥剤１７０及び反射防止層２００を備えている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。

基板１００は、透光性を有している。基板１００は、単層であってもよいし、又は複数層であってもよい。基板１００の厚さは、例えば、１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば、ガラス基板である。基板１００は、有機材料（例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）又はポリイミド）を含む樹脂基板であってもよい。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００のＺ方向の正方向側の面及び基板１００のＺ方向の負方向側の面の少なくとも一方には、無機バリア層（例えば、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ）が設けられていてもよい。

第１電極１１０は、透光性を有している。第１電極１１０は、基板１００のＺ方向の正方向側に位置している。第１電極１１０は、陽極として機能する。一例において、第１電極１１０は、酸化物半導体を含んでいる。酸化物半導体は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）又はＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）である。或いは、第１電極１１０は、金属又は合金を含んでいてもよい。金属又は合金は、例えば、銀又は銀合金である。この場合、第１電極１１０の厚さは、第１電極１１０が透光性を有する程度に薄くなっている。

有機層１２０は、透光性を有している。有機層１２０は、Ｚ方向において、第１電極１１０と第２電極１３０との間に位置している。有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって、所定の色、例えば、赤色の光を発する。有機層１２０は、例えば、第１電極１１０から第２電極１３０にかけて、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を順に含んでいる。ただし、各有機層１２０に含まれる層の例は、ここで説明した例に限定されない。

第２電極１３０は、透光性を有している。第２電極１３０は、有機層１２０のＺ方向の正方向側に位置している。第２電極１３０は、陰極として機能する。一例において、第２電極１３０は、金属又は合金を含んでいる。金属又は合金は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される少なくとも１つの金属又はこの群から選択される金属の合金である。第２電極１３０の厚さは、第２電極１３０が透光性を有する程度に薄くなっている。或いは、第２電極１３０は、酸化物半導体を含んでいてもよい。第２電極１３０に含有される酸化物半導体としては、第１電極１１０に含有される酸化物半導体で例示した酸化物半導体が例示される。

発光部１４０は、基板１００とＺ方向に重なっている。また、発光部１４０は、基板１００のＺ方向の正方向側に位置している。発光部１４０は、発光部１４０のＺ方向の正方向と、発光部１４０のＺ方向の負方向と、の双方に向けて光を出射する。一例において、Ｚ方向から見て、発光部１４０は、７セグメント等、文字、数字、記号等、所定の形状を有している。

封止部１５０は、透光性を有している。封止部１５０は、基板１００のＺ方向の正方向側に位置している。封止部１５０は、発光部１４０を封止している。封止部１５０は、接着層１６０によって基板１００のＺ方向の正方向側の面に取り付けられた封止缶となっている。また、発光部１４０と封止部１５０との間の領域の少なくとも一部、特に、発光部１４０と封止部１５０とのＺ方向の間の領域が中空となっている。この場合、封止部１５０が、発光部１４０のＺ方向の正方向側に接して発光部１４０を覆う封止層である場合と比較して、発光装置１０のＺ方向の透過率を高めることができる。

乾燥剤１７０は、封止部１５０のうち発光部１４０が位置する側に設けられている。Ｚ方向から見て、乾燥剤１７０は、反射防止層２００の周囲の少なくとも一部分に設けることができる。

反射防止層２００の少なくとも一部分は、封止部１５０のうち発光部１４０が位置する側に設けられている。反射防止層２００の当該少なくとも一部分は、発光部１４０の少なくとも一部分とＺ方向に重なっている。以下、必要に応じて、封止部１５０のうち反射防止層２００の当該少なくとも一部分が設けられる面を内部面１５２という。

反射防止層２００の他の少なくとも一部分は、封止部１５０のうち発光部１４０が位置する側の反対側に設けられている。反射防止層２００の当該他の少なくとも一部分は、発光部１４０の少なくとも一部分とＺ方向に重なっている。以下、必要に応じて、封止部１５０のうち反射防止層２００の当該他の少なくとも一部分が設けられる面を外部面１５４という。

実施形態に係る反射防止層２００の以下の説明は、特に断りがない限り、内部面１５２に設けられた反射防止層２００と、外部面１５４に設けられた反射防止層２００と、の双方に関するものである。

反射防止層２００は、反射率が特定の波長において局所的に比較的極めて低くなっている反射防止層である。具体的には、発光部１４０が位置する側から反射防止層２００にＺ方向の正方向に平行に入射角０°で入射する光に対する反射防止層２００の反射率が、発光部１４０のピーク発光波長の±５０ｎｍ以内、好ましくは±２５ｎｍ以内において、１．０％以下、好ましくは０．５０％以下、より好ましくは０．２５％以下の極小値をとっている。反射防止層２００の上記反射率が上記極小値をとる範囲は、上述した範囲に限定されない。例えば、発光部１４０のピーク発光波長を含む発光スペクトルの半値半幅をＨＷＨＭとしたとき、射防止層２００の上記反射率が上記極小値をとる範囲は、発光部１４０のピーク発光波長の±ＨＷＨＭ以内であってもよい。

本実施形態によれば、発光部１４０のピーク発光波長付近の反射率が反射防止層２００の上述した反射率より高い反射防止層が用いられる場合と比較して、発光部１４０から発せられた光が封止部１５０で反射することを抑制することができる。また、本実施形態によれば、可視光帯域の全帯域に亘って反射率が反射防止層２００の上述した反射率と同等の反射防止層が用いられる場合と比較して、低コストの反射防止層２００を用いることができ、発光装置１０のコストを低くすることができる。

反射防止層２００は、例えば、誘電体多層膜にすることができる。誘電体多層膜では、例えば、互いに異なる誘電率を有する２種類の膜がＺ方向に交互に積層されている。反射防止層２００に誘電体多層膜を用いることで、反射防止層２００の反射率を特定の波長において局所的に比較的極めて低くすることができる。なお、反射防止層２００の構造は、この例に限定されない。

次に、基板１００のＺ方向の負方向側に発光装置１０の観察者がいた場合を想定して、発光装置１０について説明する。

発光部１４０から発光部１４０のＺ方向の負方向に向けて出射された光は、基板１００を透過して観察者に達する。この場合、観察者には、基板１００を通して発光部１４０が見える。

仮に、内部面１５２に反射防止層２００が設けられていない場合、発光部１４０から発光部１４０のＺ方向の正方向に向けて出射された光は、内部面１５２によって反射され得る。この場合において、内部面１５２によって反射されたこの光が、発光部１４０と、基板１００と、を透過すると、観察者には、内部面１５２によって形成される発光部１４０の反射像が見えることがある。これに対して、本実施形態では、内部面１５２に反射防止層２００が設けられていない場合と比較して、発光部１４０から発光部１４０のＺ方向の正方向に向けて出射された光が内部面１５２で反射することを抑制することができる。このため、内部面１５２に反射防止層２００が設けられていない場合と比較して、内部面１５２による発光部１４０の反射像の形成を抑制することができる。

仮に、外部面１５４に反射防止層２００が設けられていない場合、発光部１４０から発光部１４０のＺ方向の正方向に向けて出射された光は、封止部１５０のうち発光部１４０とＺ方向に重なる部分を透過して外部面１５４によって反射され得る。この場合において、外部面１５４によって反射されたこの光が、封止部１５０のうち発光部１４０とＺ方向に重なる部分と、発光部１４０と、基板１００と、を透過すると、観察者には、外部面１５４によって形成される発光部１４０の反射像が見えることがある。これに対して、本実施形態では、外部面１５４に反射防止層２００が設けられていない場合と比較して、発光部１４０から発光部１４０のＺ方向の正方向に向けて出射された光が外部面１５４で反射することを抑制することができる。このため、外部面１５４に反射防止層２００が設けられていない場合と比較して、外部面１５４による発光部１４０の反射像の形成を抑制することができる。

図２は、変形例に係る発光装置１０Ａの断面模式図である。変形例に係る発光装置１０Ａは、反射防止層２００が外部面１５４に設けられずに内部面１５２に設けられている点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。

基板１００のＺ方向の負方向側に発光装置１０Ａの観察者がいた場合を想定して、発光装置１０Ａについて説明する。

仮に、内部面１５２及び外部面１５４の双方とも反射防止層２００が設けられていない場合において発光部１４０から発光部１４０のＺ方向に向けて出射された光が内部面１５２及び外部面１５４によって反射されたとき、外部面１５４によって反射されて基板１００のＺ方向の負方向側へ出射された光の強度は、封止部１５０のうちＺ方向に発光部１４０と重なる部分の透過による減衰等の要因によって、内部面１５２によって反射されて基板１００のＺ方向の負方向側へ出射された光の強度よりも低くなり得る。このため、外部面１５４によって形成される発光部１４０の反射像は、内部面１５２によって形成される発光部１４０の反射像と比較して、観察者にほとんど見えないことがある。この場合、反射防止層２００を外部面１５４に設けずに内部面１５２に設けてもよい。反射防止層２００を外部面１５４に設けずに内部面１５２に設ける場合、反射防止層２００が内部面１５２及び外部面１５４の双方に設けられる場合と比較して、発光装置１０Ａの製造コストを低くすることができる。

外部面１５４に反射防止層２００が設けられていない場合、外部面１５４における発光部１４０のピーク発光波長の反射率は、発光部１４０が位置する側から外部面１５４にＺ方向の正方向に平行に入射角０°で入射する光に対して例えば１．０％より大きくなっている。

反射防止層２００が設けられる位置は、実施形態及び変形例に係る例に限定されない。例えば、反射防止層２００は、内部面１５２に設けられずに外部面１５４に設けられていてもよい。内部面１５２に反射防止層２００が設けられていない場合、内部面１５２における発光部１４０のピーク発光波長の反射率は、発光部１４０が位置する側から内部面１５２にＺ方向の正方向に平行に入射角０°で入射する光に対して例えば１．０％より大きくなっている。

図３は、実施例に係る光学装置３０の断面模式図である。

光学装置３０は、発光装置１０、第１レンズ２２、第２レンズ２４及び光学素子２６を備えている。実施例に係る発光装置１０は、実施形態に係る発光装置１０と同様である。なお、実施例に係る発光装置１０は、変形例に係る発光装置１０Ａ等、実施形態に係る発光装置１０と異なる発光装置であってもよい。第１レンズ２２は、発光装置１０のＺ方向の負方向側に位置している。具体的には、第１レンズ２２は、基板１００に対して発光部１４０が位置する側のＺ方向の反対側に位置している。第２レンズ２４は、発光装置１０のＺ方向の正方向側に位置している。

光学装置３０は、ファインダとして機能している。具体的には、第１レンズ２２は接眼レンズとなっており、第２レンズ２４は対物レンズとなっている。光学素子２６は、ダハプリズム、ポロプリズム等の正立プリズムや、正立レンズ等、第２レンズ２４によって生成される像を正立させる光学素子である。第１レンズ２２のＺ方向の負方向側には、不図示の観察者がいる。また、第２レンズ２４のＺ方向の正方向側には、不図示の観察対象が存在している。なお、光学素子２６は設けられていなくてもよい。

観察対象から観察者に達する光は、第２レンズ２４、光学素子２６、発光装置１０及び第１レンズ２２を通過する。観察者には、第１レンズ２２、第２レンズ２４及び光学素子２６によって、第１レンズ２２を通して観察対象の正立像が見える。また、光学素子２６が設けられていない場合、観察者には、第１レンズ２２及び第２レンズ２４によって、第１レンズ２２を通して観察対象の倒立像が見える。

第１レンズ２２と、発光部１４０の少なくとも一部分と、の間のＺ方向の距離は、第１レンズ２２のＺ方向の正方向側における第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離未満となっていてもよい。この場合、第１レンズ２２によって拡大して形成される発光部１４０の反射像が観察者に見えるようにすることができる。なお、第１レンズ２２と、発光部１４０の少なくとも一部分と、の間のＺ方向の距離は、第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離以上であってもよい。

次に、第１レンズ２２と、発光装置１０のうち発光部１４０に対して基板１００が位置する側のＺ方向の反対側の領域と、の関係の一例について説明する。以下、必要に応じて、発光部１４０に対して基板１００が位置する側のＺ方向の反対側にあって第１レンズ２２から第１レンズ２２のＺ方向の正方向側における第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離未満の領域を反射率調整領域という。

反射率調整領域における発光部１４０のピーク発光波長の最大反射率は、発光部１４０が位置する側から反射率調整領域にＺ方向の正方向に平行に入射角０°で入射する光に対して１．０％以下、好ましくは０．５０％以下、より好ましくは０．２５％以下となっている。言い換えると、反射率調整領域には、反射防止層２００が設けられていない内部面１５２や、反射防止層２００が設けられていない外部面１５４等、発光部１４０から発せられた光に対して比較的高い反射率を有する部位が存在していない。以下、必要に応じて、上述した最大反射率より高い反射率を有する部位を高反射率部位という。反射率調整領域に高反射率部位が存在しない場合、反射率調整領域に高反射率部位が存在する場合と比較して、高反射率部位によって形成される発光部１４０の反射像が第１レンズ２２によって拡大されないようにすることができる。

例えば、第１レンズ２２と、内部面１５２と、間のＺ方向の距離は、第１レンズ２２のＺ方向の正方向側における第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離以上であってもよい。この場合、反射率調整領域のＺ方向の全体が、発光部１４０のＺ方向の正方向側の面と、内部面１５２と、の間の中空となっている。このため、内部面１５２及び外部面１５４に反射防止層２００が設けられているか否かにかかわらず、反射率調整領域に高反射率部位が存在しないようにすることができる。また、内部面１５２及び外部面１５４に反射防止層２００が設けられておらず、内部面１５２及び外部面１５４によって発光部１４０の反射像が形成されたとしても、内部面１５２及び外部面１５４によって形成される発光部１４０の反射像は第１レンズ２２によって拡大されない。一方、第１レンズ２２と、発光部１４０の少なくとも一部分と、の間のＺ方向の距離が第１レンズ２２のＺ方向の正方向側における第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離未満である場合、第１レンズ２２によって拡大して形成される発光部１４０の反射像が観察者に見えるようにすることができる。このため、第１レンズ２２と、発光部１４０の少なくとも一部分と、の間のＺ方向の距離が第１レンズ２２のＺ方向の正方向側における第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離未満である場合、内部面１５２及び外部面１５４に反射防止層２００が設けられていなくても、観察者には、第１レンズ２２によって拡大して形成される発光部１４０の反射像と比較して、内部面１５２及び外部面１５４によって形成される発光部１４０の反射像がほとんど見えないようにすることができる。

或いは、第１レンズ２２と、外部面１５４と、の間のＺ方向の距離は、第１レンズ２２のＺ方向の正方向側における第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離未満であってもよい。この場合、内部面１５２及び外部面１５４に反射防止層２００を設けることで、反射率調整領域に高反射率部位が存在しないようにすることができる。

或いは、第１レンズ２２と、内部面１５２と、の間のＺ方向の距離は、第１レンズ２２のＺ方向の正方向側における第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離未満であって、第１レンズ２２と、外部面１５４と、の間のＺ方向の距離は、第１レンズ２２のＺ方向の正方向側における第１レンズ２２のＺ方向の焦点距離以上であってもよい。この場合、内部面１５２に反射防止層２００を設けることで、外部面１５４に反射防止層２００が設けられているか否かにかかわらず、反射率調整領域に高反射率部位が存在しないようにすることができる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態、変形例及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

例えば、光学装置３０は、第２レンズ２４及び光学素子２６を備えずに第１レンズ２２を備えていてもよい。

封止部１５０は、発光部１４０のＺ方向の正方向側に接して発光部１４０を覆う封止層であってもよい。封止層は、例えば原子層堆積（ＡＬＤ）によって形成される無機絶縁材料含有層である。封止部１５０が封止層である場合、反射防止層２００は、封止部１５０のうち発光部１４０が位置する側の反対側に設けることができる。

１０ 発光装置
１０Ａ 発光装置
２２ 第１レンズ
２４ 第２レンズ
２６ 光学素子
３０ 光学装置
１００ 基板
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 発光部
１５０ 封止部
１５２ 内部面
１５４ 外部面
１６０ 接着層
１７０ 乾燥剤
２００ 反射防止層

Claims (7)

1. 透光性を有する基板と、
   透光性を有する第１電極と、透光性を有する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層と、を有し、前記基板と重なる発光部と、
   前記発光部を封止する封止部と、
   前記封止部に設けられ、少なくとも一部分が前記発光部の少なくとも一部分と重なる反射防止層と、
   を備え、
   前記発光部が位置する側から前記反射防止層に入射角０°で入射する光に対する前記反射防止層の反射率が、前記発光部のピーク発光波長の±５０ｎｍ以内において１．０％以下の極小値をとる、発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記発光部と前記封止部との間の領域の少なくとも一部が中空となっている、発光装置。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
   前記反射防止層の前記少なくとも一部分は、前記封止部のうち前記発光部が位置する側と、前記封止部のうち前記発光部が位置する側の反対側と、の少なくとも一方に設けられている、発光装置。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記反射防止層の前記少なくとも一部分は、前記封止部のうち前記発光部が位置する側に設けられており、
   前記封止部のうち前記発光部が位置する側の反対側の面における前記発光部の前記ピーク発光波長の反射率が、前記発光部が位置する側から前記封止部の前記面に入射角０°で入射する光に対して１．０％より大きくなっている、発光装置。
5. 請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置と、
   前記基板に対して前記発光部が位置する側の反対側に位置する第１レンズと、
   を備える光学装置。
6. 透光性を有する基板と、
   透光性を有する第１電極と、透光性を有する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層と、を有し、前記基板と重なる発光部と、
   前記基板に対して前記発光部が位置する側の反対側に位置する第１レンズと、
   を備え
   前記発光部に対して前記基板が位置する側の反対側にあって前記第１レンズから前記第１レンズの焦点距離未満の領域における前記発光部のピーク発光波長の最大反射率が、前記発光部が位置する側から前記領域に入射角０°で入射する光に対して１．０％以下である、光学装置。
7. 請求項５又は６に記載の光学装置において、
   前記基板及び前記発光部を有する発光装置に対して前記第１レンズが位置する側の反対側に位置する第２レンズをさらに備える光学装置。

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