CN112635521A - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112635521A
CN112635521A CN202011048034.XA CN202011048034A CN112635521A CN 112635521 A CN112635521 A CN 112635521A CN 202011048034 A CN202011048034 A CN 202011048034A CN 112635521 A CN112635521 A CN 112635521A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gap
opening
pixels
edge
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011048034.XA
Other languages
English (en)
Inventor
郑淳一
安致旭
尹海荣
曹正铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112635521A publication Critical patent/CN112635521A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示设备包括基板和定位在基板上的多个像素。每个像素包括第一电极、包括与第一电极重叠的第一开口的隔断墙以及包括与第一开口重叠的第二开口的低折射层。多个像素包括在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第一间隙的第一多个像素以及在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第二间隙的第二多个像素。第一间隙和第二间隙具有彼此不同的长度。第一多个像素中的至少一个和第二多个像素中的至少一个发射彼此相同的颜色的光。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0123996号的优先权，其公开通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明构思涉及一种显示设备，并且更具体地，涉及一种包括可以改善效率散布的触摸部分的显示设备。
背景技术
发光显示设备(在下文中有时简称为显示设备)是通过使用发光二极管显示图像的自发光显示设备。发光显示设备提供包括低功耗、高亮度和高响应速度的特征。
显示设备具有多层结构。例如，显示设备可以具有包括发光二极管和触摸部分的多层结构。当由发光二极管产生的光被发射到外部时，由于多层结构，可能在显示设备的层间界面处发生反射和全反射等。由发光二极管产生的光中的一些被反射和全反射等耗散，并且因此，显示设备的发光效率和显示质量可能降低。
另外，显示设备的效率散布可能由于多层结构的各个层的对准偏差而变化。
发明内容
本发明构思涉及一种具有改善的效率散布的显示设备。
本发明构思的示例性实施例提供一种包括基板和定位在基板上的多个像素的显示设备。每个像素包括第一电极、包括与第一电极重叠的第一开口的隔断墙以及包括与第一开口重叠的第二开口的低折射层。多个像素包括在平行于基板的上表面的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第一间隙的第一多个像素。多个像素进一步包括在平行于基板的上表面的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第二间隙的第二多个像素。第一间隙和第二间隙在平行于基板的上表面的方向上具有彼此不同的长度。第一多个像素中的至少一个和第二多个像素中的至少一个发射彼此相同的颜色的光。
具有第一间隙的像素的数量和具有第二间隙的像素的数量可以是相同的。
第一间隙和第二间隙中的每一个可以为0.1μm至2μm。
在一个像素中，第一开口的边缘与第二开口的边缘之间在平行于基板的方向上的距离在所有方向上可以是相同的。
在平面图中，第一开口的尺寸可以小于第二开口的尺寸。
多个像素中的一些可以在平行于基板的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第三间隙，多个像素中的其他像素可以在平行于基板的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第四间隙，并且第三间隙和第四间隙可以具有不同的值。
第三间隙和第四间隙的平均值以及第一间隙和第二间隙的平均值可以是相同的。
多个像素中的一些可以在平行于基板的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第五间隙，多个像素中的其他像素可以在平行于基板的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第六间隙，并且第五间隙和第六间隙可以具有不同的值。
第五间隙和第六间隙的平均值、第三间隙和第四间隙的平均值以及第一间隙和第二间隙的平均值可以是相同的。
在多个像素中的一些中，第一开口的边缘与第二开口的边缘之间在平行于基板的方向上的距离可以是第一间隙和第二间隙的平均值。
显示设备可以进一步包括：第二电极，与第一电极重叠；发光层，被布置在第一电极与第二电极之间；薄膜封装层，被布置在第二电极上；以及感测电极，位于薄膜封装层上，并且低折射层可以被布置在感测电极上。
可以进一步包括被布置在第二开口中的高折射层。
低折射层可以具有1.40至1.59的折射率，并且高折射层可以具有1.60至1.80的折射率。
本发明实施例的另一示例性实施例提供一种包括基板和定位在基板上的多个像素的显示设备。每个像素包括：第一电极；隔断墙，包括与第一电极重叠的第一开口；低折射层，包括与第一开口重叠的第二开口；以及高折射层，定位在第二开口中。多个像素包括在平行于基板的上表面的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第一间隙的第一多个像素。多个像素还包括在平行于基板的上表面的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第二间隙的第二多个像素。第二间隙具有与第一间隙的长度不同的长度。多个像素包括在平行于基板的上表面的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第三间隙的第三多个像素。第三间隙具有等于第一间隙和第二间隙的长度的平均值的长度。
具有第一间隙的像素、具有第二间隙的像素以及具有平均间隙的像素可以发射相同颜色的光。
多个像素中的一些可以在平行于基板的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第三间隙，多个像素中的其他像素可以在平行于基板的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有不同于第三间隙的第四间隙，并且第三间隙和第四间隙的平均值可以与第一间隙和第二间隙的平均值相同。
多个像素中的一些可以在平行于基板的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第五间隙，多个像素中的其他像素可以在平行于基板的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有不同于第五间隙的第六间隙，并且第五间隙和第六间隙的平均值可以与第一间隙和第二间隙的平均值相同。
本发明构思的另一示例性实施例提供一种包括基板和定位在基板上的多个第一电极的显示设备。隔断墙具有分别与第一电极重叠的多个第一开口。发光层定位在第一开口中。第二电极被布置在发光层上。低折射层被布置在第二电极上并且包括与第一开口重叠的第二开口。高折射层定位在低折射层的第二开口中。在平行于基板的上表面的方向上，第一开口的长度小于第二开口的长度。多个第一电极包括在其上在平行于基板的上表面的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第一间隙的第一多个第一电极。多个第一电极还包括在其上在平行于基板的上表面的方向上在第一开口的边缘与第二开口的边缘之间具有第二间隙的第二多个第一电极。第二间隙具有与第一间隙的长度不同的长度。
从与其上具有第一间隙的第一电极重叠的发光层发射的光的颜色可以与从与其上具有第二间隙的第一电极重叠的发光层发射的光的颜色相同。
在多个第一电极中的一些上，第一开口的边缘与第二开口的边缘之间在平行于基板的方向上的距离可以是第一间隙和第二间隙的平均值。
根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种具有改善的效率散布的显示设备。
附图说明
图1图示了根据本发明构思的示例性实施例的显示设备的平面图。
图2图示了根据本发明构思的示例性实施例的发光显示设备的分解透视图。
图3图示了图2的部分区域的放大俯视图。
图4图示了根据本发明构思的示例性实施例的沿着图3的线IV-IV’截取的发光显示设备的截面图。
图5图示了根据本发明构思的示例性实施例的多个第一电极和多个第一开口的俯视图。
图6图示了根据本发明构思的示例性实施例的发光显示设备的截面图。
图7图示了根据本发明构思的示例性实施例的具有第一间隙的像素和具有第二间隙的像素的俯视图。
图8图示了示出根据本发明构思的第一比较实施例和第二比较实施例的显示设备的效率散布的曲线图。
图9图示了根据本发明构思的示例性实施例的具有第一间隙的像素和具有第二间隙的像素的平面图以及示出正面效率比根据间隙尺寸的曲线图。
图10图示了示出根据本发明构思的第二比较实施例和第三示例性实施例的显示设备的效率散布的曲线图。
图11图示了根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备的平面图。
图12图示了根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备的平面图。
图13图示了根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备的平面图。
图14图示了根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备的平面图。
图15图示了根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备的平面图。
图16图示了根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备的平面图。
图17图示了根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备的平面图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明构思的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本发明构思的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的示例性实施例。
将省略与描述无关的部分以清楚地描述本发明构思，并且在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。
进一步，在附图中，为了便于描述，任意地图示了每个元件的尺寸和厚度，并且本发明构思不必限于附图中图示的那些尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了便于描述，夸大了一些层和区的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。比较而言，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。进一步，在说明书中，术语“上”或“上面”是指定位在对象部分上或下，并且不一定是指定位在对象部分的基于重力方向的上侧。
另外，除非明确进行相反的描述，否则术语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变体将被理解为暗示包括所陈述的元件但不排除任何其他元件。
进一步，在整个说明书中，术语“在平面图中”是指从顶部观察目标部分，而术语“在截面中”是指从侧面观察通过垂直切割目标部分而形成的截面。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备。
图1示意性地图示了根据本发明构思的示例性实施例的显示设备1000。图1主要图示了根据本发明构思的示例性实施例的低折射层450的第二开口455和隔断墙190的第一开口195。稍后将参照其他附图详细地描述包括低折射层450和隔断墙190的所有像素的详细配置。参照图1，第一开口195是发光二极管210(参见图4)的发光层212(参见图4)定位在其中并由此发射光的区域，并且低折射层450的第二开口455是引起从发光二极管210发射的光的全反射以提高发光效率的层。第一开口195和第二开口455形成一个像素PX。
在图1中，第一开口195的边缘与第二开口455的边缘之间的间隙G1和G2是不同的。在本说明书中，第一开口195的边缘与第二开口455的邻近的边缘之间的间隙被称为间隙。例如，除非另外描述，否则在本文中使用的术语间隙是指第一开口195的边缘与第二开口455的边缘之间的距离。该距离可以是在平行于基板的方向上的最短距离。
在根据本发明构思的示例性实施例的显示设备1000中，第一多个像素的第一间隙G1是第一距离，并且第二多个像素的第二间隙G2是第二距离。在示例性实施例中，在显示设备1000的所有像素中，具有第一距离的第一间隙G1的第一多个像素的数量和具有第二距离的第二间隙G2的第二多个像素的数量相同。在示例性实施例中，第一间隙G1和第二间隙G2之间的差可以是大约1μm。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在其他示例性实施例中，第一间隙G1和第二间隙G2之间的差可以是大约0.2μm至大约2μm。效率散布可以是多个像素的不同的正面发光效率值的散布。正面发光效率值的差可以基于像素的间隙尺寸的差。可以通过包括具有两个或更多个不同值(例如，长度)的间隙的像素，来减轻显示设备1000的效率散布。稍后将描述由于像素具有两个或更多个不同值的间隙而导致的显示设备1000的效率散布的效果。
在下文中，将详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的显示设备1000的详细结构。
图2图示了根据本发明构思的示例性实施例的发光显示设备的分解透视图，并且图3图示了根据本发明构思的示例性实施例的图2的部分区域的放大俯视图。
参照图2，根据本发明构思的示例性实施例的发光显示设备1000包括显示部分DP和触摸部分TP。在本实施例中，尽管为了便于描述，显示部分DP和触摸部分TP以使它们彼此分离的形式示出，但是根据本发明构思的示例性实施例的显示部分DP和触摸部分TP是一体地形成的。例如，根据本发明构思的示例性实施例的发光显示设备1000将被描述为具有其中在没有分离的基板的情况下触摸部分TP直接被布置在显示部分DP上的单元上结构。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此，并且可以提供其中触摸部分TP形成在显示部分DP中的单元内结构。
显示部分DP可以被划分成显示区DA和非显示区NDA。显示部分DP包括以矩阵形式设置在显示区DA中的多个像素PX。根据本发明构思的示例性实施例的多个像素PX被图示为具有菱形形状。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在其他示例性实施例中，多个像素PX可以具有诸如圆形形状、多边形形状等的各种形状。
触摸部分TP被布置在显示部分DP上。触摸部分TP包括用于检测是否存在触摸和触摸坐标的一个或多个感测电极SE。
参照图3中所示的示例性实施例，感测电极SE可以包括在第一方向D1上延伸的第一感测电极SE1和在与第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸的第二感测电极SE2。
在示例性实施例中，在平面图中，第一感测电极SE1和第二感测电极SE2可以被布置成围绕像素PX。
例如，如图3的示例性实施例中所示，一个像素PX可以被第一感测电极SE1和第二感测电极SE2围绕。例如，如图3的示例性实施例中所示，两个第一感测电极SE1和两个第二感测电极SE2可以围绕像素PX以完全围绕该像素PX。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此，并且围绕像素PX的第一感测电极SE1和第二感测电极SE2的配置可以变化。例如，在另一示例性实施例中，在平面图中，一对邻近的第一感测电极SE1和一对邻近的第二感测电极SE2可以被布置成围绕形成一个像素组的四个像素PX。触摸感测的准确度可以根据第一感测电极SE1和第二感测电极SE2的疏密度而变化。
另外，尽管在平面图中第一感测电极SE1和第二感测电极SE2被图示为具有网格电极形状，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，第一感测电极SE1和第二感测电极SE2可以分别具有表面电极形状。
在示例性实施例中，第一感测电极SE1和第二感测电极SE2可以各自包括金属或透明导电氧化物(TCO)。例如，透明导电氧化物(TCO)可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、碳纳米管(CNT)和石墨烯中选择的至少一种材料。
第一感测电极SE1电连接到第一传送布线510，并且第二感测电极SE2电连接到第二传送布线520。如图3的示例性实施例中所示，第一传送布线510和第二传送布线520可以分别基本上沿着第三方向D3延伸。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
第一传送布线510和第二传送布线520分别连接到触摸驱动器500。尽管第一传送布线510和第二传送布线520被图示为分别连接到一个触摸驱动器500，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在其他示例性实施例中，第一传送布线510和第二传送布线520可以分别连接到分离的触摸驱动器500。
触摸驱动器500可以将驱动信号输入到第一感测电极SE1，并且通过使用在第二感测电极SE2处测量的电容改变量或电压改变量来确定是否存在触摸和触摸坐标。在示例性实施例中，触摸驱动器500可以作为集成电路(IC)直接被布置在基板上，或者可以形成为具有分离的配置。
图4图示了沿着图3的线IV-IV’截取的发光显示设备的截面图，并且图5图示了根据本发明构思的示例性实施例的多个第一电极和多个第一开口的示意性俯视图。
参照图4的示例性实施例，发光显示设备1000包括显示部分DP和被布置在显示部分DP上的触摸部分TP。
显示部分DP包括基板110、驱动电路部分130、隔断墙190、发光二极管210和薄膜封装层301。
在示例性实施例中，基板110可以由诸如玻璃、石英、陶瓷和塑料的绝缘材料制成。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。基板110可以是柔性的。
缓冲层120被布置在基板110上。例如，如图4的示例性实施例中所示，缓冲层120的底表面可以直接接触基板110的顶表面。在示例性实施例中，缓冲层120可以包括无机膜或有机膜，并且可以具有多层结构。缓冲层120防止杂质和湿气等渗透到驱动电路部分130和发光二极管210中，并且同时使表面平坦。然而，在本发明构思的另一示例性实施例中，可以省略缓冲层120。
驱动电路部分130定位在缓冲层120上。例如，如图4的示例性实施例中所示，驱动电路部分130的底表面可以直接被布置在缓冲层120的上表面上。驱动电路部分130包括多个薄膜晶体管20和电容器80，以驱动发光二极管210。另外，驱动电路部分130可以包括沿着一个方向定位的栅线以及与栅线绝缘并交叉的数据线171和公共电源线172。
发光二极管210根据从驱动电路部分130接收的驱动信号发射光以显示图像。
在本发明构思的示例性实施例中，发光显示设备1000可以具有其中两个薄膜晶体管20和一个电容器80被提供在一个像素PX中的2Tr-1Cap结构，或者可以具有其中三个或更多个薄膜晶体管20和两个或更多个电容器80被提供在一个像素PX中的各种结构。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
电容器80包括一对电容器板158和178，其间布置有层间绝缘膜145。在该实施例中，层间绝缘膜145变成电介质。电容器80的容量由电容器80中存储的电荷以及两个电容器板158和178之间的电压确定。
薄膜晶体管20包括半导体层132、栅电极155、源电极176和漏电极177。半导体层132和栅电极155通过布置在它们之间的栅绝缘膜140绝缘。例如，如图4的示例性实施例中所示，栅绝缘膜140的下表面直接接触半导体层132的上表面，并且栅绝缘膜140的上表面直接接触栅电极155的下表面。发光二极管210可以包括第一电极211、发光层212和第二电极213。如图4的示例性实施例中所示，发光层212的上表面可以直接接触第二电极213的下表面，并且发光层212的下表面可以直接接触第一电极211的上表面。薄膜晶体管20将驱动电力施加到第一电极211，用于从选择的像素PX中的发光二极管210的发光层212发射光。在该实施例中，栅电极155连接到电容器板158，源电极176和另一电容器板178分别连接到公共电源线172，并且漏电极177通过位于平坦化膜146中的开口连接到发光二极管210的第一电极211。
平坦化膜146定位在层间绝缘膜145上。例如，如图4的示例性实施例中所示，平坦化膜146的下表面可以直接接触层间绝缘膜145的上表面。平坦化膜146由绝缘材料制成并且保护驱动电路部分130。在示例性实施例中，平坦化膜146和层间绝缘膜145可以包括相同的材料。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
第一电极211定位在平坦化膜146上。第一电极211可以是像素电极并且可以是阳极。第一电极211是导电的，并且可以是透射电极、透反射电极或反射电极。
隔断墙190形成在平坦化膜146上以划分发光区域。例如，如图4的示例性实施例中所示，隔断墙190的下表面可以直接接触平坦化膜146的上表面。在该实施例中，发光区域也被称为像素区域。在示例性实施例中，隔断墙190可以包括聚合物有机材料。例如，隔断墙190可以包括从聚酰亚胺(PI)类树脂、聚丙烯酸类树脂、PET树脂和PEN树脂中选择的至少一种材料。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
隔断墙190可以包括第一开口195，并且第一开口195可以(例如，在基板110的厚度方向上)与第一电极211重叠。第一电极211与隔断墙190部分重叠，并且在第一开口195中不与隔断墙190重叠。第一开口195可以被定义为第一电极211的上部分中不与隔断墙190重叠的区域。另外，在第一开口195中隔断墙190和第一电极211彼此接触的部分被定义为第一开口195的边缘。
参照图5，隔断墙190包括分别与多个像素PX相对应的多个第一开口195。在示例性实施例中，多个像素PX包括发射红光的红色像素R、发射绿光的绿色像素G和发射蓝光的蓝色像素B。在该实施例中，红色像素R的红色发光二极管210包括红色发光层，绿色像素G的绿色发光二极管210包括绿色发光层，并且蓝色像素B的蓝色发光二极管210包括蓝色发光层。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，多个像素PX可以包括发射青色、品红色和黄色的光的像素。
参照图5的示例性实施例，在平面图中，多个第一开口195中的每一个可以具有与第一电极211的形状类似的形状。例如，如图5中所示，在平面图中(例如，在平行于基板110的上表面的平面中)，第一开口195的边缘和第一电极211可以各自具有类似于菱形的八边形形状。
在该实施例中，与红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B中的每一个相对应的多个第一电极211在平面图中可以具有不同的尺寸(例如，在平行于基板110的上表面的方向上的长度)。类似地，与红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B中的每一个相对应的多个第一开口195在平面图中可以具有不同的尺寸(例如，在平行于基板110的上表面的方向上的长度)。例如，如图5中所示，与红色像素R相对应的第一开口195和第一电极211可以分别形成为在平面图中具有比与绿色像素G相对应的第一开口195和第一电极211的尺寸大的尺寸。与红色像素R相对应的第一开口195和第一电极211可以分别形成为具有小于或等于与蓝色像素B相对应的第一开口195和第一电极211的尺寸的尺寸。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此，并且第一开口195和第一电极211中的每一个可以形成为具有各种尺寸。
另外，根据示例性实施例的发光显示设备1000可以具有蜂窝状(pentile)结构。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，如图5中所示，在第N行中，与绿色发光层相对应的多个第一电极211被布置成以预定间隙间隔开，并且，在邻近的第N+1行中，可以交替地布置与红色发光层相对应的第一电极211和与蓝色发光层相对应的第一电极211。以相同的方式，在邻近的第N+2行中，与绿色发光层相对应的多个第一电极211被布置成以预定间隙间隔开，并且在邻近的第N+3行中，可以交替地布置与蓝色发光层相对应的第一电极211和与红色发光层相对应的第一电极211。
另外，与布置在第N行中的多个绿色发光层相对应的第一电极211可以和与布置在第N+1行中的多个红色发光层和多个蓝色发光层相对应的第一电极211交替地布置。例如，与红色发光层和蓝色发光层相对应的第一电极211可以交替地布置在第M列中，并且与多个绿色发光层相对应的第一电极211可以被布置在邻近的第M+1列中以预定间隙间隔开。以相同的方式，与蓝色发光层和红色发光层相对应的第一电极211可以交替地布置在邻近的第M+2列中，并且与多个绿色发光层相对应的第一电极211可以被布置在邻近的第M+3列中以预定间隙间隔开。例如，多个第一电极211可以重复地被布置在基板110上以具有以上描述的结构。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
参照图4的示例性实施例，发光层212定位在第一电极211上。发光层212可以定位在隔断墙190的第一开口195中并且(例如，在基板110的厚度方向上)与第一电极211重叠。
发光层212包括发光材料。在示例性实施例中，发光材料可以是有机材料或诸如量子点的无机材料。另外，发光层212可以包括宿主和发光掺杂剂。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
第二电极213定位在发光层212上。第二电极213可以是公共电极，并且可以是阴极。在示例性实施例中，第二电极213可以是透射电极、透反射电极或反射电极。
在示例性实施例中，空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个可以进一步被布置在第一电极211和发光层212之间，并且电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个可以进一步被布置在发光层212和第二电极213之间。
薄膜封装层301被布置在第二电极213上以保护发光二极管210。薄膜封装层301防止诸如湿气或氧气的外部污染物渗透到发光二极管210中。
在示例性实施例中，薄膜封装层301可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜320。参照图4的示例性实施例，薄膜封装层301可以包括第一无机膜310和第二无机膜330以及一个有机膜320。例如，有机膜320的上表面可以直接接触第二无机膜330的下表面，并且有机膜320的下表面可以直接接触第一无机膜310的上表面。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，第一无机膜310和第二无机膜330包括从Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO和Ta2O5中选择的一种或多种无机材料。有机膜320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
致密的第一无机膜310和第二无机膜330主要抑制湿气或氧气的渗透。穿过第一无机膜310和第二无机膜330的任何湿气和氧气再次被有机膜320阻挡。有机膜320除了抑制湿气渗透之外，还用作缓冲层以减小第一无机膜310与第二无机膜330之间的各个膜之间的应力。另外，由于有机膜320具有平坦化特性，所以薄膜封装层301的顶表面可以被有机膜320平坦化。
在示例性实施例中，薄膜封装层301可以具有大约5μm至大约50μm的厚度。在薄膜封装层301的厚度小于5μm或大于50μm的实施例中，发光显示设备1000的发光效率可能会降低。
触摸部分TP被布置在包括基板110、驱动电路部分130、隔断墙190、发光二极管210和薄膜封装层301的显示部分DP上。例如，如图4的示例性实施例中所示，触摸部分TP的底表面可以直接被布置在薄膜封装层301的第二无机膜330的上表面上。
第一感测电极SE1定位在薄膜封装层301上。在示例性实施例中，第一感测电极SE1可以包括金属或透明导电氧化物(TCO)。例如，透明导电氧化物(TCO)可以包括从氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、碳纳米管(CNT)和石墨烯中选择的至少一种化合物。
第一绝缘层410定位在第一感测电极SE1位于其上的薄膜封装层301上。例如，如图4的示例性实施例中所示，第一绝缘层410的下表面可以直接接触薄膜封装层301的第二无机膜330的上表面以及第一感测电极SE1的侧表面和上表面。在示例性实施例中，第一绝缘层410可以包括无机膜和有机膜中的至少一种。例如，无机膜可以包括金属氧化物、金属氧氮化物、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中的至少一种。有机膜可以包括聚合物类材料。
第二感测电极SE2定位在第一绝缘层410上。在示例性实施例中，第二感测电极SE2可以包括金属或透明导电氧化物(TCO)。例如，透明导电氧化物(TCO)可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、碳纳米管(CNT)和石墨烯中的至少一种。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
尽管根据本发明构思的示例性实施例的触摸部分TP被描述为包括被布置在不同层上的第一感测电极SE1和第二感测电极SE2，但是触摸部分TP的示例性实施例不限于此。例如，在另一示例性实施例中，触摸部分TP可以包括被布置在同一层上并且通过使用桥电极彼此连接的第一感测电极SE1和第二感测电极SE2。
第二绝缘层420定位在其上布置有第二感测电极SE2的第一绝缘层410上。例如，如图4的示例性实施例中所示，第二绝缘层420的下表面可以直接接触第一绝缘层410的上表面以及第二感测电极SE2的侧表面和上表面。在示例性实施例中，第二绝缘层420可以包括有机膜和无机膜中的至少一种。
低折射层450定位在第二绝缘层420上。例如，如图4的示例性实施例中所示，低折射层450的下表面可以直接接触第二绝缘层420的上表面。在示例性实施例中，低折射层450可以包括具有低折射率的透光有机材料。例如，在示例性实施例中，低折射层450可以包括从丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和Alq3[三(8-羟基喹啉)铝]中选择的至少一种材料。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
低折射层450具有比稍后描述的高折射层470相对较小的折射率。例如，低折射层450可以具有大约1.40至大约1.59的折射率。
低折射层450包括第二开口455。第二开口455(例如，在基板110的厚度方向上)与第一开口195重叠。
在平面图中(例如，在平行于基板110的上表面的方向上)，第二开口455的边缘具有与第一开口195的边缘的形状相似的形状。第二开口455的边缘被定义为低折射层450与第二绝缘层420接触的边界。
另外，在平面图中，第二开口455的尺寸(例如，在平行于基板110的上表面的方向上的长度)大于第一开口195的尺寸。稍后将对此进行进一步详细的描述。
在本说明书中，基于第二开口455和第一开口195的边缘来测量它们之间的间隙G。例如，如图4的示例性实施例中所示，第一开口195的边缘与第二开口455的边缘之间(例如，在平行于基板110的上表面的方向上)的距离是间隙G。第二开口455与第一开口195之间的间隙G可以是在这两个开口的边缘处平行于基板的上表面的方向上的最短距离。
高折射层470定位在第二绝缘层420和低折射层450上。例如，如图4的示例性实施例中所示，高折射层470的下表面可以直接接触第二绝缘层420和低折射层450的上表面。在示例性实施例中，高折射层470可以包括具有高折射率的透光有机材料。高折射层470具有比低折射层450相对较大的折射率。例如，在示例性实施例中，高折射层470可以具有大约1.60至大约1.80的折射率。
高折射层470可以位于低折射层450的第二开口455中。进一步，高折射层470可以定位成(例如，在基板110的厚度方向上)与低折射层450的第二开口455和低折射层450的上部分重叠。
另外，在示例性实施例中，发光显示设备1000可以进一步包括被布置在触摸部分TP上的偏振器、粘合层和窗口。
根据本发明构思的示例性实施例的触摸部分TP包括具有第二开口455的低折射层450和定位在低折射层450的第二开口455中的高折射层470。因此，可以改善发光显示设备1000的正面可视性和光输出效率。例如，根据低折射层450和高折射层470的折射率的差，由发光二极管210产生的光中的至少一些在低折射层450与高折射层470之间的界面处被反射。因此，如将参照图6详细描述的，光可以聚焦在正面。
图6图示了根据本发明构思的示例性实施例的用于解释光在低折射层与高折射层之间的界面处的反射的发光显示设备的截面图。参照图6，由发光层212产生的光L可以倾斜地入射在触摸部分TP上。在该实施例中，入射在触摸部分TP的高折射层470上的光L中的至少一些在低折射层450与高折射层470之间的界面处被反射。具体地，如图6中所示，当入射在高折射层470上的光L的入射角大于临界角时，入射光L可以在低折射层450与高折射层470之间的界面处被全反射。例如，当入射在具有相对大的折射率的高折射层470上的光L向具有相对小的折射率的低折射层450行进时，光L的全反射可以发生在低折射层450与高折射层470之间的界面处。
在这种情况下，低折射层450与高折射层470之间的界面与平行于基板110的上表面的线形成大约40°至大约70°的角度。低折射层450与高折射层470之间的界面可以是包括第二开口455的低折射层450的外侧表面(例如，低折射层450的从第二开口455的边缘延伸到低折射层450的最上面的表面的外侧表面)。例如，在截面图中，低折射层450的外侧表面可以与低折射层450位于其上的第二绝缘层420形成大约40°至大约70°的角度。
在低折射层450的外侧表面与平行于基板110的上表面的线之间的角度小于40°的情况下，光L可能不会入射在低折射层450与高折射层470之间的界面上，并且因此全反射可能不会发生。比较而言，当低折射层450的外侧表面与平行于基板110的上表面的线之间的角度大于70°时，在低折射层450与高折射层470之间的界面处被全反射的光L可能不会被发射到发光显示设备1000的正面。尽管在图6的示例性实施例中，低折射层450的基本上整个外侧表面被示出为与第二绝缘层420形成大约40°至大约70°的角度，但是在其他示例性实施例中，低折射层450的外侧表面的一部分可以具有该角度。
根据本发明构思的示例性实施例，低折射层450与高折射层470之间的界面与平行于基板110的上表面的线形成大约40°至大约70°的角度。因此，入射在低折射层450与高折射层470之间的界面上的光L可以被全反射。因此，光L可以聚焦在发光显示设备1000的前表面上，并且因此，可以改善发光显示设备1000的正面可视性和发光效率。
另外，根据本发明构思的示例性实施例的第一开口195在平面图中具有比第二开口455的尺寸小的尺寸(例如，在平行于基板110的上表面的方向上的长度)。在示例性实施例中，在平面图中(例如，在平行于基板110的上表面的方向上)，第一开口195与第二开口455之间的间隙G可以为大约0.1μm至大约2.0μm。另外，在示例性实施例中，第一开口195的边缘与第二开口455的边缘之间的间隙G可以总是恒定的，而与其方向无关。
另外，在本发明构思的示例性实施例中，显示设备1000可以包括在第一开口195与第二开口455之间具有不同间隙G的像素。例如，第一多个像素可以具有第一间隙G1，并且第二多个像素可以具有第二间隙G2。在示例性实施例中，具有第一间隙G1的第一多个像素的数量和具有第二间隙G2的第二多个像素的数量可以相同，并且可以包括显示设备1000中的所有像素。
在示例性实施例中，第一间隙G1与第二间隙G2之间的差可以在大约0.2μm至大约2μm的范围内。这样，可以通过设置显示设备1000的各个像素的两种间隙来减轻显示设备1000的效率散布。
图7图示了根据本发明的实施例的具有第一间隙G1的像素和具有第二间隙G2的像素。参照图7的示例性实施例，邻近的像素分别具有彼此不同的第一间隙G1和第二间隙G2。
一个像素中的第一开口195与第二开口455之间的间隙始终是恒定的，而与方向无关。例如，在图7的左侧所示的像素中，在第一间隙G1的分别在第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3和第四方向D4上延伸的各部分中，第一间隙G1在第一开口195与第二开口455之间是基本上相同的。
然而，如图7中所示，多个像素中的一些可以针对第一开口195与第二开口455之间的间隙的长度具有第一间隙G1，并且多个像素中的其它像素可以针对第一开口195与第二开口455之间的间隙的长度具有第二间隙G2。第一间隙G1小于第二间隙G2。通过如上所描述的混合并布置具有不同间隙G的像素，可以减轻显示设备1000的发光效率散布。
在示例性实施例中，具有第一间隙G1和第二间隙G2的像素可以发射相同颜色的光。例如，在发射相同颜色的光的多个像素中，一些像素可以具有第一间隙G1，而其他像素可以具有第二间隙G2。
例如，红色像素中的一些可以具有第一间隙G1，而红色像素中的其他像素可以具有第二间隙G2。类似地，绿色像素中的一些可以具有第一间隙G1，而绿色像素中的其他像素可以具有第二间隙G2，并且蓝色像素中的一些可以具有第一间隙G1，而蓝色像素中的其他像素可以具有第二间隙G2。
图8图示了示出根据第一比较实施例和第二比较实施例的显示设备的效率散布的曲线图。图9图示了具有第一间隙的像素和具有第二间隙的像素的平面图以及示出正面效率比根据低折射层的第二开口与隔断墙的第一开口之间的间隙尺寸的曲线图。图10图示了示出第二比较实施例和根据本发明构思的示例性实施例的第三实施例的显示设备的效率散布的曲线图。
在图8至图10中，示例1是其中低折射层不包括第二开口并且不包括高折射层的显示设备的比较实施例，并且示例2是其中低折射层包括第二开口且在所有像素中间隙相同的显示设备的比较实施例。示例3是根据图1的示例性实施例的显示设备1000，其是其中低折射层包括第二开口并且具有第一间隙的像素和具有第二间隙的像素都存在的显示设备。
图8的示例1是不包括在低折射层450与高折射层470的界面处的全反射结构的显示设备的比较示例。例如，在示例1的比较示例中，不存在低折射层与高折射层的界面处的全反射。示例2是包括在低折射层450与高折射层470的界面处的全反射结构并且具有相同尺寸(例如，在平行于基板的上表面的方向上的长度)的间隙的显示设备的比较示例。示例3是包括在低折射层450与高折射层470的界面处的全反射结构并且具有两种不同的间隙(全反射，多间隙)的根据本发明构思的示例性实施例的显示设备1000。
参照图8，可以看出，与不具有全反射结构的示例1相比，具有全反射结构的示例2具有改进的效率。然而，参照图8，可以看出，在示例2中，效率提高了，但是每个效率散布被加宽了。如图8中所示，示例1的标准偏差为大约0.85，但是示例2的标准偏差增大到大约1.8。
也就是说，即使间隙被设计成在所有像素中都相同，例如由于在制造工艺中掩模的对准误差，低折射层450的第二开口455与隔断墙190的第一开口195之间的间隙也可能变化。这样，间隙因制造工艺中的偏差而变化，并且如图8中所示，这种工艺偏差导致效率散布增大。
因此，在根据本发明构思的示例性实施例的显示设备1000中，各个像素的间隙在制造工艺中被专门设计成具有不同的值，即包括第一间隙G1和第二间隙G2。这可以减轻效率散布。
图9示出了当间隙被设计成具有不同的尺寸(例如包括第一间隙G1和第二间隙G2)时效率散布减轻的原理，并且图示了根据间隙的正面效率比。
参照图9，该曲线图表明当低折射层450的第二开口455与隔断墙190的第一开口195之间的间隙为1.5μm时，效率最大。例如，与参考比较值的正面效率比等于大约1.15。在这种情况下，将效率变为最大值处的间隙定义为中心间隙G0。如图8中所示，当所有间隙相等地形成为1.5μm时，由于工艺误差，效率散布可能被加宽。
然而，如图9中所示，当一些像素被形成为具有1.0μm的间隙(G1＝G0-0.5μm)并且一些像素被形成为具有2.0μm的间隙(G2＝G0+0.5μm)时，效率散布可以减轻。
由于在其制造工艺期间的对准误差，第二开口455与第一开口195之间的间隙可能被形成为整体上小于设计值。在该实施例中，当设计时的间隙(第一间隙G1)为1.0μm的像素的实际间隙变得比设计值窄时，正面发光效率如图9中的箭头所示向下移动。也就是说，当由于工艺误差而使间隙变窄时，以第一间隙G1(1.0μm)设计的像素的效率降低了。
然而，同时，当由于工艺误差而使以第二间隙G2(2.0μm)设计的像素的间隙变窄时，虽然间隙小于设计值，但是正面发光效率提高了。该实施例在图9中由朝向上的箭头示出。
例如，即使由于工艺误差而使间隙小于(例如，窄于)设计值，在具有第二间隙G2的像素中提高的效率也补偿了在具有第一间隙G1的像素中降低的效率，从而抵消了效率的偏差。因此，可以整体上减轻显示设备1000的效率散布。图9图示了其中由于工艺误差而使间隙被形成得窄的情况。然而，在间隙被形成为较大(例如，较宽)的示例性实施例中，效率可以以与图9中相同的方式被补偿。例如，当第一间隙G1被形成为大于设计值使得效率提高时，第二间隙G2被形成为宽于设计值使得效率相对应地降低。因此，降低的效率补偿了提高的效率。在其中间隙被形成为大于设计值的实施例中，正面发光效率在与图9中所示箭头相反的方向上移动。
图10图示了根据第二比较实施例和第三实施例的显示设备的效率散布。示例2是其中所有间隙在所有像素中具有相同的设计值1.3μm的显示设备，并且示例3是根据图1的示例性实施例的显示设备1000，其包括具有第一间隙G1(0.8μm)的像素和具有第二间隙G2(1.8μm)的像素。
参照图10，该曲线图表明与示例2的标准偏差相比，示例3的标准偏差降低了。例如，示例2的标准偏差被图示为5.389，但是可以确认示例3的标准偏差降低到了4.744。示例3具有与示例2相比轻微降低的效率(115.9与113.6相比)，但效率的这种降低是轻微且不明显的。
图11针对根据另一示例性实施例的显示设备图示了与图1中的区域相同的区域的平面图。在图1的示例性实施例中，第一间隙G1与第二间隙G2之间的差为1.0μm。比较而言，在图11的示例性实施例中，第一间隙G1与第二间隙G2之间的差可以是0.2μm。例如，相对于第一间隙G1和第二间隙G2的中心值G0，第一间隙G1可以具有(G0-0.1)μm的值，并且第二间隙G2可以具有(G0+0.1)μm的值。然而，即使在图11的示例性实施例中，也可以通过与图1和图9的示例性实施例相同的原理来减轻效率散布。
图12针对根据另一示例性实施例的显示设备图示了与图1中的区域相同的区域的平面图。在图1的示例性实施例中，第一间隙G1与第二间隙G2之间的差为1.0μm。比较而言，在图12的示例性实施例中，第一间隙G1与第二间隙G2之间的差可以是2.0μm。例如，相对于第一间隙G1和第二间隙G2的中心值G0，第一间隙G1可以具有(G0-1.0)μm的值，并且第二间隙G2可以具有(G0+1.0)μm的值。然而，即使在图12中所示的示例性实施例中，也可以通过与图1和图9的示例性实施例相同的原理来减轻效率散布。
图13针对根据另一示例性实施例的显示设备图示了与图1中的区域相同的区域的平面图。在图13的示例性实施例中，除了提供了四种间隙而不是两种间隙之外，该显示设备1000与图1的示例性实施例相同。例如，在根据图13的示例性实施例的显示设备1000中，可以混合在第一间隙G1与第二间隙G2之间具有1.0μm差的像素和在第三间隙G3与第四间隙G4之间具有0.2μm差的像素。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在其他示例性实施例中，在第一间隙G1与第二间隙G2之间的差和在第三间隙G3与第四间隙G4之间的差可以被不同地选择。
在示例性实施例中，具有第一间隙G1的第一多个像素的数量和具有第二间隙G2的第二多个像素的数量是相同的，并且具有第三间隙G3的第三多个像素的数量与具有第四间隙G4的第四多个像素的数量是相同的。然而，即使在图13的示例性实施例中，如在图1的示例性实施例中那样，具有第二间隙G2的像素也补偿由于具有第一间隙G1的像素的对准误差而导致的效率偏差，并且具有第四间隙G4的像素也补偿由于具有第三间隙G3的像素的对准误差而导致的效率偏差。因此，可以降低效率偏差。
在图13中所示的示例性实施例中，第一间隙G1、第二间隙G2、第三间隙G3和第四间隙G4的平均值可以相同。
例如，基于特定平均值(C)，第一间隙G1可以是(C-0.5)μm，第二间隙G2可以是(C+0.5)μm，第三间隙G3可以是(C-0.1)μm，并且第四间隙G4可以是(C+0.1)μm。
尽管图13图示了其中间隙的数量为4的配置，但是间隙的数量可以大于4。
图14针对根据另一示例性实施例的显示设备图示了与图1中的区域相同的区域。参照图14中所示的示例性实施例，除了提供了六种间隙而不是四种间隙之外，该显示设备1000与图13的示例性实施例相同。
例如，在根据图14的示例性实施例的显示设备1000中，可以混合在第一间隙G1与第二间隙G2之间的差为1.0μm的像素、在第三间隙G3与第四间隙G4之间的差为2.0μm的像素以及在第五间隙G5与第六间隙G6之间的差为0.2μm的像素。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，在第一间隙G1与第二间隙G2之间的差、在第三间隙G3与第四间隙G4之间的差以及在第五间隙G5与第六间隙G6之间的差可以被不同地选择。
在图14中所示的示例性实施例中，具有第一间隙G1的第一多个像素的数量和具有第二间隙G2的第二多个像素的数量相同，具有第三间隙G3的第三多个像素的数量和具有第四间隙G4的第四多个像素的数量相同，并且具有第五间隙G5的第五多个像素的数量和具有第六间隙G6的第六多个像素的数量相同。
但是，即使在图14中所示的示例性实施例中，如图13中所示的那样，具有第二间隙G2的像素也补偿由于具有第一间隙G1的像素的对准误差而导致的效率偏差，具有第四间隙G4的像素也补偿由于具有第三间隙G3的像素的对准误差而导致的效率偏差，并且具有第六间隙G6的像素也补偿由于具有第五间隙G5的像素的对准误差而导致的效率偏差。因此，可以降低效率偏差。
在图14中所示的示例性实施例中，第一间隙G1和第二间隙G2的平均值、第三间隙G3和第四间隙G4的平均值以及第五间隙G5和第六间隙G6的平均值可以相同。
例如，基于特定平均值(C)，第一间隙G1可以是(C-0.5)μm，第二间隙G2可以是(C+0.5)μm，第三间隙G3可以是(C-0.1)μm，第四间隙G4可以是(C+0.1)μm，第五间隙G5可以是(C-1.0)μm，并且第六间隙G6可以是(C+1.0)μm。
图15针对根据另一示例性实施例的显示设备图示了与图1中的区域相同的区域的平面图。除了第一间隙G1、第二间隙G2和中心间隙G0的三种间隙包括在其中之外，根据图15的示例性实施例的显示设备1000与图13的示例性实施例相同。相同部件的详细描述将被省略。在图15中，中心间隙G0是第一间隙G1和第二间隙G2的平均值。例如，可以包括具有基于中心间隙G0(X)减小(a)的第一间隙G1(X-a)的像素和基于中心间隙G0(X)增大(a)的第二间隙G2(X+a)的像素。在图15的示例性实施例中，具有第一间隙G1的像素的数量和具有第二间隙G2的像素的数量是相同的。中心间隙G0的范围可以为大约0.5μm至大约5.0μm，并且(a)的值可以为大约0.1μm至1.0μm。
当具有第一间隙G1、第二间隙G2以及是第一间隙G1和第二间隙G2的平均值的中心间隙G0的像素被混合时，可以在不大量降低正面发光效率的情况下减小效率散布。例如，参照作为示例的图9的曲线图，可以混合具有1.5μm的间隙的像素、具有1.0μm的间隙的像素和具有2.0μm的间隙的像素。在该实施例中，具有三种间隙的像素的平均效率增大，并且具有1.0μm的间隙的像素和具有2.0μm的间隙的像素补偿了由于工艺误差而导致的效率偏差。因此，可以减轻效率散布。
图16针对根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备图示了与图1中的区域相同的区域的平面图。除了第一间隙G1、第二间隙G2、第三间隙G3、第四间隙G4和中心间隙G0的五种间隙包括在其中之外，根据图16的示例性实施例的显示设备1000与图1的示例性实施例相同。
图16的示例性实施例中的中心间隙G0是第一间隙G1和第二间隙G2的平均值，并且是第三间隙G3和第四间隙G4的平均值。例如，包括具有基于中心间隙G0(X)减小(a)的第一间隙G1(X-a)的像素和具有增大(a)的第二间隙G2(X+a)的像素，并且包括具有基于中心间隙G0(X)减小(b)的第三间隙G3(X-b)的像素和具有增大(b)的第四间隙G4(X+b)的像素。
在该实施例中，具有第一间隙G1的第一多个像素的数量和具有第二间隙G2的第二多个像素的数量相同，并且具有第三间隙G3的第三多个像素的数量和具有第四间隙G4的第四多个像素的数量相同。
中心间隙G0(X)的范围可以为大约0.5μm至大约5.0μm，并且(a)的值的范围可以为大约0.1μm至大约1.0μm。(b)的值的范围可以为大约0.1μm至大约1.0μm。(a)和(b)的值可以不相同。然而，即使在图16的示例性实施例中，也可以通过与图15中的原理相同的原理来减轻效率散布而不大量降低正面发光效率。
图17针对根据本发明构思的另一示例性实施例的显示设备图示了与图1中的区域相同的区域。除了第一间隙G1、第二间隙G2、第三间隙G3、第四间隙G4、第五间隙G5、第六间隙G6和中心间隙G0的七种间隙包括在其中之外，根据图17的示例性实施例的显示设备1000与图1的示例性实施例相同。
在图17中，中心间隙G0是第一间隙G1和第二间隙G2的平均值、第三间隙G3和第四间隙G4的平均值以及第五间隙G5和第六间隙G6的平均值。
例如，显示设备1000包括具有基于中心间隙G0(X)减小(a)的第一间隙G1(X-a)的像素和具有增大(a)的第二间隙G2(X+a)的像素、具有基于中心间隙G0(X)减小(b)的第三间隙G3(X-b)的像素和具有增大(b)的第四间隙G4(X+b)的像素以及具有基于中心间隙G0(X)减小(c)的第五间隙G5(X-c)的像素和具有增大(c)的第六间隙G6(X+c)的像素。
在该实施例中，具有第一间隙G1的第一多个像素的数量和具有第二间隙G2的第二多个像素的数量相同，具有第三间隙G3的第三多个像素的数量和具有第四间隙G4的第四多个像素的数量相同，并且具有第五间隙G5的第五多个像素的数量和具有第六间隙G6的第六多个像素的数量相同。
在示例性实施例中，中心间隙G0(X)的范围可以为大约0.5μm至大约5.0μm，(a)的值的范围为大约0.1μm至大约1.0μm，(b)的值的范围可以为大约0.1μm至大约1.0μm，并且(c)的值的范围可以为大约0.1μm至大约1.0μm。(a)、(b)和(c)的值可以不相同。然而，即使在图17的示例性实施例中，也可以通过与图15的示例性实施例中的原理相同的原理来减轻效率散布而不大量降低正面发光效率。
尽管已经结合当前被认为是实用的示例性实施例的内容描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例，相反，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括：
基板；和
定位在所述基板上的多个像素，
其中每个像素包括：
第一电极，
隔断墙，包括与所述第一电极重叠的第一开口，和
低折射层，包括与所述第一开口重叠的第二开口，
其中，所述多个像素包括：
第一多个像素，在平行于所述基板的上表面的方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第一间隙，
第二多个像素，在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第二间隙，所述第一间隙和所述第二间隙在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上具有彼此不同的长度，并且
其中所述第一多个像素中的至少一个和所述第二多个像素中的至少一个发射彼此相同的颜色的光。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中
具有所述第一间隙的所述第一多个像素的总数量与具有所述第二间隙的所述第二多个像素的总数量是相同的。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一间隙和所述第二间隙的所述长度在0.1μm至2μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中在所述多个像素中的每个像素中，所述第一开口的所述边缘与所述第二开口的所述边缘之间在平行于所述基板的所述上表面的所有方向上的距离是相同的。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上，所述第一开口的长度小于所述第二开口的长度。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述多个像素进一步包括：
第三多个像素，在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第三间隙，以及
第四多个像素，在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第四间隙，并且
所述第三间隙和所述第四间隙在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上具有彼此不同的长度。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中所述第三间隙和所述第四间隙的所述长度的平均值与所述第一间隙和所述第二间隙的所述长度的平均值是相同的。
8.根据权利要求6所述的显示设备，其中所述多个像素进一步包括：
第五多个像素，在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第五间隙，以及
第六多个像素，在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第六间隙，并且
所述第五间隙和所述第六间隙在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上具有彼此不同的长度。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中
所述第五间隙和所述第六间隙的所述长度的平均值、所述第三间隙和所述第四间隙的所述长度的平均值以及所述第一间隙和所述第二间隙的所述长度的平均值是相同的。
10.一种显示设备，包括：
基板；以及
定位在所述基板上的多个像素，
其中每个像素包括：
第一电极，
隔断墙，包括与所述第一电极重叠的第一开口，
低折射层，包括与所述第一开口重叠的第二开口，以及
高折射层，定位在所述第二开口中，并且
其中所述多个像素包括：
第一多个像素，在平行于所述基板的上表面的方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第一间隙，
第二多个像素，在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第二间隙，所述第二间隙具有与所述第一间隙的长度不同的长度，以及
第三多个像素，在平行于所述基板的所述上表面的所述方向上在所述第一开口的边缘与所述第二开口的边缘之间具有第三间隙，所述第三间隙具有等于所述第一间隙和所述第二间隙的所述长度的平均值的长度。
CN202011048034.XA 2019-10-07 2020-09-29 显示设备 Pending CN112635521A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190123996A KR20210041675A (ko) 2019-10-07 2019-10-07 표시 장치
KR10-2019-0123996 2019-10-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112635521A true CN112635521A (zh) 2021-04-09

Family

ID=72193272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011048034.XA Pending CN112635521A (zh) 2019-10-07 2020-09-29 显示设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11469399B2 (zh)
EP (1) EP3806158B1 (zh)
KR (1) KR20210041675A (zh)
CN (1) CN112635521A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113571565A (zh) * 2021-07-23 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示设备
CN114335388A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200089379A (ko) * 2019-01-16 2020-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20230063963A (ko) 2021-11-01 2023-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114203929B (zh) * 2021-12-09 2023-09-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
KR20240001797A (ko) * 2022-06-27 2024-01-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180005323A (ko) 2016-07-05 2018-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102367247B1 (ko) 2017-07-04 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102489711B1 (ko) 2017-10-12 2023-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10790328B2 (en) 2017-11-28 2020-09-29 Asahi Kasei Microdevices Corporation Semiconductor package and camera module
KR102433274B1 (ko) * 2017-11-28 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20200127103A (ko) 2019-04-30 2020-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210028775A (ko) * 2019-09-04 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210108535A (ko) * 2020-02-25 2021-09-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113571565A (zh) * 2021-07-23 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示设备
CN113571565B (zh) * 2021-07-23 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示设备
CN114335388A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114335388B (zh) * 2021-12-30 2024-04-05 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11469399B2 (en) 2022-10-11
EP3806158A2 (en) 2021-04-14
EP3806158B1 (en) 2023-12-27
US20210104702A1 (en) 2021-04-08
EP3806158A3 (en) 2021-05-19
KR20210041675A (ko) 2021-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102513402B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN111261043B (zh) 显示面板
EP3806158B1 (en) Display device
CN107689423B (zh) 有机发光二极管显示装置
CN108133952B (zh) 有机发光二极管显示装置
JP6072724B2 (ja) 有機発光表示装置
KR20190121892A (ko) 유기 발광 표시 장치
US11871601B2 (en) Display apparatus
KR102637859B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11620923B2 (en) Display device
US20230247889A1 (en) Display apparatus
CN112951885A (zh) 显示设备
CN112992981A (zh) 显示装置
US20230209879A1 (en) Display apparatus having a refractive layer
KR20220060607A (ko) 표시 장치
KR102158987B1 (ko) 유기전계발광 표시장치
KR102663897B1 (ko) 표시 장치
KR20240023344A (ko) 표시 장치 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination