CN112951885A - 显示设备 - Google Patents

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CN112951885A
CN112951885A CN202011409968.1A CN202011409968A CN112951885A CN 112951885 A CN112951885 A CN 112951885A CN 202011409968 A CN202011409968 A CN 202011409968A CN 112951885 A CN112951885 A CN 112951885A
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CN
China
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display device
light modulation
pixel
bonding
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金彰穆
李宽熙
郑智元
崔永瑞
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

公开了一种显示设备，所述显示设备包括：基底；像素层，位于基底上，包括多个显示器件；封装构件，封装像素层；光调制层，位于封装构件上；功能层，位于光调制层上；以及结合层，定位在光调制层与功能层之间以结合光调制层和功能层，其中，光调制层具有与多个显示器件对应的开口，并且其中，结合层填充开口且具有比光调制层的折射率大的折射率。

Description

显示设备
本申请要求于2019年12月10日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0163976号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备。
背景技术
随着对显示设备的需求已经增长，对能够用于各种目的的显示设备的需求也已经增加。与该趋势一致，显示设备已经变得更大且更薄，并且对提供精确和生动的颜色同时具有大尺寸和小厚度的显示设备的需求也已经增加。
发明内容
一个或更多个实施例的方面涉及一种具有改善的光提取效率的显示设备。
另外的方面将在以下描述中部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过公开的给出的实施例的实践来获知。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底；像素层，位于基底上方，包括多个显示器件；封装构件，封装像素层；光调制层，位于封装构件上方；功能层，位于光调制层上方；以及结合层，定位在光调制层与功能层之间以结合光调制层和功能层，其中，光调制层具有与多个显示器件对应的开口，并且其中，结合层填充开口且具有比光调制层的折射率大的折射率。
结合层可以包括结合膜和分布在结合膜中的多个高折射颗粒，并且其中，结合层的折射率可以等于或大于约1.6。
结合层可以包括约30wt％至约60wt％的多个高折射颗粒，并且其中，结合层的折射率可以是约1.6至约1.8。
结合层还可以包括分布在结合膜中的散射颗粒，并且其中，散射颗粒的平均颗粒直径可以比多个高折射颗粒的平均颗粒直径大。
开口中的每个的内壁可以包括倾斜的表面，并且其中，光调制层的厚度可以是约1.5μm至约2.5μm。
内壁的下端可以具有凹进的形状。
显示设备还可以包括位于封装构件与光调制层之间且包含感测电极的输入感测层。
感测电极可以包括形成网格结构的网格线，并且其中，网格线可以定位为与光调制层叠置。
多个显示器件中的每个可以包括像素电极、位于像素电极上的包含发射层的中间层以及位于中间层上的对电极，并且其中，从发射层发射的光的一部分可以从开口之中的对应的开口的内壁与结合层的界面全内反射。
功能层可以包括偏振层。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：显示器件，用于发射光；光调制层，位于显示器件上且具有与显示器件对应的开口；结合层，填充开口且定位在光调制层上方；以及功能层，定位在结合层上方且经由结合层结合到光调制层，其中，光调制层具有第一折射率，并且结合层具有比第一折射率大的第二折射率，并且其中，从显示器件发射的光的一部分可以从开口的内壁与结合层之间的界面全内反射。
显示器件可以包括像素电极、布置在像素电极上的包含发射层的中间层以及位于中间层上的对电极，并且光调制层可以位于覆盖像素电极的边缘的绝缘层上。
显示设备还可以包括位于显示器件与光调制层之间的封装构件。
显示设备还可以包括位于封装构件与光调制层之间且包含感测电极的输入感测层。
结合层可以包括结合膜和分布在结合膜中的多个高折射颗粒。
结合层可以包括约30wt％至约60wt％的多个高折射颗粒。
结合层的第二折射率可以是约1.6至约1.8。
结合层还可以包括分布在结合膜中的散射颗粒，并且其中，散射颗粒的平均颗粒直径可以比多个高折射颗粒的平均颗粒直径大。
开口的内壁可以包括倾斜的表面，并且光调制层的厚度是约1.5μm至约2.5μm。
内壁的下端可以具有凹进的形状。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的示例实施例的以上和其他方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图；
图2是沿着图1的线I-I’截取的示意性剖视图的示例；
图3是图1的显示设备的一部分的示意性平面图；
图4A和图4B是各自示出了图1的显示设备的像素的示例的电路图；
图5是示意性地示出了图1的显示设备的像素布置的示例的局部平面图；
图6是沿着图5的线II-II’截取的示意性剖视图的示例；
图7是示意性地示出了图1的显示设备的光调制层的示例的局部平面图；
图8是沿着图7的线III-III’截取的示意性剖视图的示例；
图9是图8的一部分的示意性剖视图；
图10是图9的区域A的放大示意图；
图11是沿着图1的线I-I’截取的示意性剖视图的另一示例；
图12是图11的输入感测层的示例的示意性平面图；
图13是沿着图12的线IV-IV’截取的示意性剖视图的示例；
图14A是图13的第一导电层的平面图，图14B是图13的第二导电层的平面图；以及
图15是沿着图14B的线V-V’截取的示意性剖视图的示例。
具体实施方式
现在将更详细地参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面通过参照附图描述实施例仅用于解释本说明书的方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或它们的变型。
将理解的是，尽管可以在此使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
如在此所使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式的“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
还将理解的是，术语“包括”、“包含”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。
如在此所使用的，诸如“平面图”的短语可以表示从顶部或从与显示设备的显示区域正交的方向的视图。
还将理解的是，在此所使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征或组件。
为了易于描述，可以在此使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”、“底部”、“顶部”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的除附图中描绘的方位以外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两个方位。装置可以被另外定位(旋转90度或处于其他方位)，应该相应地解释在此所使用的空间相对描述语。
如在此所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
在此所列举的任何数值范围旨在包括包含在所列举范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”旨在包括在所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(并且包括所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。在此所列举的任何最大数值限度旨在包括其中包含的所有较低数值限度，本说明书中所列举的任何最小数值限度旨在包括其中包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利以明确地列举包含于在此明确地列举的范围内的任何子范围。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，所述层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，可以存在中间层、区域或组件。
除非另外限定，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义来进行解释，除非在此被明确这样限定。
为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
在下文中，参照附图更详细地描述公开的实施例，并且通过在附图中使用相同的附图标记来表示相同的或彼此对应的元件。
图1是根据实施例的显示设备1的示意性透视图，图2是沿着图1的线I-I’截取的部分的示例的示意性剖视图。
参照图1，根据一个或更多个实施例的显示设备1可以包括显示区域DA和外围区域PA。外围区域PA可以布置在显示区域DA外部以围绕显示区域DA。用于传输要施加到显示区域DA的电信号的各种布线和驱动电路部可以布置在外围区域PA中。显示设备1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供某种图像或设定的图像。在一个或更多个实施例中，显示设备1可以通过在外围区域PA的区域中包括弯曲区域来弯曲。
显示设备1可以包括诸如有机发光显示器、无机发光显示器(无机电致发光显示器)和/或量子点发光显示器的显示器。在下文中，以有机发光显示器作为示例给出描述。显示设备1可以被实现为诸如移动电话、笔记本计算机、智能手表等的各种电子装置。
如图2中示出的，显示设备1可以包括在厚度方向(z方向)上顺序地堆叠的基底100、在基底100上方的像素层PXL、封装像素层PXL的封装构件300、在封装构件300上的光调制层350、在光调制层350上的结合层410以及在结合层410上的功能层420。
基底100可以包括玻璃材料和/或聚合物树脂。例如，基底100可以包括主要包含SiO2的玻璃材料和/或具有柔性或可弯曲特性的诸如树脂和增强塑料的各种材料。在一个或更多个实施例中，基底100可以通过在外围区域PA的区域中包括弯曲区域来弯曲。
像素层PXL可以布置在基底100上方。像素层PXL可以包括显示器件层DPL和像素电路层PCL，显示器件层DPL包括针对每个像素布置的显示器件，像素电路层PCL包括针对每个像素布置的像素电路和绝缘层。显示器件层DPL可以布置在像素电路层PCL的上层上，多个绝缘层可以布置在像素电路与显示器件之间。像素电路层PCL的一些布线和绝缘层可以延伸到外围区域PA上或外围区域PA中。
封装构件300可以包括薄膜封装层。薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。当显示设备1包括包含聚合物树脂的基底100以及包含薄膜封装层的封装构件300(薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层)时，显示设备1可以具有改善的柔性。
光调制层350可以调制从显示器件层DPL的显示器件发射的光的路径，并且可以改善显示设备1的光提取效率。如下所述，光调制层350可以与结合层410一起改变从显示器件发射的光的光路，从而提高显示设备1的光提取效率。
结合层410可以将封装构件300之上的功能层420与功能层420下方的层(例如，光调制层350)结合。在一个或更多个实施例中，结合层410可以具有比光调制层350的折射率高的折射率，因此，可以改善显示设备1的光提取效率。
功能层420可以包括偏振层。偏振层可以仅透射从显示器件层DPL的显示器件发射的光中的在与偏振轴的方向相同的方向上振动的光，并且可以吸收或反射在其他方向上(即，在与偏振轴的方向不同的方向上)振动的光。在一个或更多个实施例中，功能层420还可以包括用于减少外部光的反射的光学膜、窗等。
图3是图1的显示设备1的一部分的示意性平面图，图4A和图4B是各自示出了图1的显示设备1的像素PX的示例的电路图。
参照图3，基底100可以包括显示区域DA和外围区域PA。外围区域PA可以布置在显示区域DA外部且可以围绕显示区域DA。
在第一方向(x方向、行方向)和第二方向(y方向、列方向)上以预定或设定图案布置的多个像素PX可以在基底100上方(例如，在厚度方向或z方向上在基底100上方)设置在显示区域DA中。
将扫描信号提供到每个像素PX的扫描驱动器1100、将数据信号提供到每个像素PX的数据驱动器1200以及提供第一电压ELVDD(见图4A和图4B)和第二电压ELVSS(见图4A和图4B)的主电源布线可以在基底100上方布置在外围区域PA中。第一电压ELVDD可以是驱动电压，第二电压ELVSS可以是共电压。连接到数据线DL的多个信号垫(pad，或称为“焊盘”)SP布置在其中的垫部140可以在基底100上方(例如，在厚度方向或z方向上在基底100上方)定位在外围区域PA中。
扫描驱动器1100可以包括氧化物半导体薄膜晶体管栅极驱动器电路(OSG)或非晶硅薄膜晶体管栅极驱动器电路(ASG)。图3示出了其中扫描驱动器1100布置为与基底100的一侧相邻的示例。然而，根据一个或更多个实施例，扫描驱动器1100可以布置为与基底100的两个相对侧相邻(例如，布置为分别与在x方向上彼此背对的两侧相邻的两个驱动器)。
图3示出了膜上芯片(COF)法，其中数据驱动器1200布置在连接(例如，电连接)到布置在基底100上方(例如，在厚度方向或z方向上布置在基底100上方)的信号垫SP的膜1300上。然而，公开不限于此。根据另一实施例，数据驱动器1200可以通过使用玻璃上芯片(COG)法或塑料上芯片(COP)法布置在基底100上方(例如，直接布置在基底100上方)。数据驱动器1200可以连接(例如，电连接)到柔性印刷电路板(FPCB)。
参照图4A，像素PX可以包括连接到扫描线SL、数据线DL和电压线PL的像素电路PC以及连接(例如，电连接)到像素电路PC的显示器件(例如，有机发光二极管OLED)。像素电路PC可以包括晶体管(例如，第一晶体管T1或第二晶体管T2)和电容器(例如，电容器Cst)，显示器件可以包括有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和电容器Cst。每个像素PX可以通过有机发光二极管OLED发射光(例如，红光、绿光、蓝光或白光)。第一晶体管T1和/或第二晶体管T2可以是薄膜晶体管。
第二晶体管T2可以是开关晶体管，并且可以连接到扫描线SL和数据线DL。响应于从扫描线SL输入的扫描信号，第二晶体管T2可以将从数据线DL输入的数据信号传输到第一晶体管T1(例如，第一晶体管T1的栅电极)和电容器Cst。电容器Cst可以连接到第二晶体管T2和电压线PL，并且可以存储与对应于根据第二晶体管T2的开关操作从第二晶体管T2传输的数据信号的电压与供应到电压线PL的第一电压ELVDD之间的差对应的电压。换句话说，电容器Cst可以包括连接到第二晶体管T2的第一电极和连接到电压线PL的第二电极。电容器Cst的第二电极可以连接到第一晶体管T1。
第一晶体管T1可以是驱动晶体管且可以连接到电压线PL和电容器Cst。第一晶体管T1可以与存储在电容器Cst中的电压对应地控制从电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流IOLED。
有机发光二极管OLED可以基于驱动电流IOLED发射具有预定或设定亮度的光。有机发光二极管OLED可以包括像素电极、对电极以及在像素电极与对电极之间的发射层。有机发光二极管OLED的对电极可以接收第二电压ELVSS。
在图4A中，描述了像素电路PC包括两个晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)和一个电容器(例如，电容器Cst)。然而，公开不限于此。晶体管的数量和电容器的数量可以根据像素电路PC的设计变化。
作为另一示例，参照图4B，一个像素PX可以包括像素电路PC和连接(例如，电连接)到像素电路PC的有机发光二极管OLED，像素电路PC连接到信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL以及电压线PL。
如图4B中示出的，像素电路PC可以包括多个晶体管T1至T7(驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7)和存储电容器Cst。晶体管T1至T7和存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2和电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可以包括扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL，扫描线SL传输(提供)扫描信号Sn，前一扫描线SL-1将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化晶体管T4(例如，第一初始化晶体管T4的第一初始化栅电极G4)，后一扫描线SL+1将扫描信号Sn传输到第二初始化晶体管T7(例如，第二初始化晶体管T7的第二初始化栅电极G7)，发射控制线EL将发射控制信号En传输到操作控制晶体管T5(例如，操作控制晶体管T5的操作控制栅电极G5)和发射控制晶体管T6(例如，发射控制晶体管T6的发射控制栅电极G6)，数据线DL与扫描线SL交叉且传输数据信号Dm。电压线PL可以将第一电压ELVDD传输到驱动晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以将初始化电压Vint传输到第一初始化晶体管T4，第二初始化电压线VL2可以将初始化电压Vint传输到第二初始化晶体管T7。
驱动晶体管T1的驱动栅电极G1可以连接到存储电容器Cst的下电极CE1，驱动晶体管T1的驱动源电极S1可以通过操作控制晶体管T5连接到电压线PL，驱动晶体管T1的驱动漏电极D1可以通过发射控制晶体管T6连接(例如，电连接)到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动晶体管T1可以根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关晶体管T2的开关栅电极G2可以连接到扫描线SL，开关晶体管T2的开关源电极S2可以连接到数据线DL，开关晶体管T2的开关漏电极D2可以连接到驱动晶体管T1的驱动源电极S1，并且通过操作控制晶体管T5连接到电压线PL。开关晶体管T2可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn导通，并且可以执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿晶体管T3的补偿栅电极G3可以连接到扫描线SL，补偿晶体管T3的补偿源电极S3可以连接到驱动晶体管T1的驱动漏电极D1，并且通过发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极，补偿晶体管T3的补偿漏电极D3可以连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第一初始化晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿晶体管T3可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn导通，并且可以将驱动晶体管T1的驱动栅电极G1与驱动晶体管T1的驱动漏电极D1连接(例如，电连接)，从而使驱动晶体管T1二极管连接。
第一初始化晶体管T4的第一初始化栅电极G4可以连接到前一扫描线SL-1，第一初始化晶体管T4的第一初始化源电极S4可以连接到第一初始化电压线VL1，第一初始化晶体管T4的第一初始化漏电极D4可以连接到存储电容器Cst的下电极CE1、补偿晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化晶体管T4可以响应于通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1导通，并且可以通过将初始化电压Vint传输到驱动晶体管T1的驱动栅电极G1来执行使驱动晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的操作控制栅电极G5可以连接到发射控制线EL，操作控制晶体管T5的操作控制源电极S5可以连接到电压线PL，操作控制晶体管T5的操作控制漏电极D5可以连接到驱动晶体管T1的驱动源电极S1和开关晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制晶体管T6的发射控制栅电极G6可以连接到发射控制线EL，发射控制晶体管T6的发射控制源电极S6可以连接到驱动晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿晶体管T3的补偿源电极S3，发射控制晶体管T6的发射控制漏电极D6可以连接(例如，电连接)到第二初始化晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号En同步地(例如，同时地)导通，以将第一电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED。因此，驱动电流IOLED可以流过有机发光二极管OLED。
第二初始化晶体管T7的第二初始化栅电极G7可以连接到后一扫描线SL+1，第二初始化晶体管T7的第二初始化源电极S7可以连接到发射控制晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，第二初始化晶体管T7的第二初始化漏电极D7可以连接到第二初始化电压线VL2。
扫描线SL和后一扫描线SL+1彼此连接(例如，电连接)，因此，同一扫描信号Sn可以施加到扫描线SL和后一扫描线SL+1。因此，第二初始化晶体管T7可以响应于通过后一扫描线SL+1传输的扫描信号Sn导通，并且可以执行使有机发光二极管OLED的像素电极初始化的操作。
存储电容器Cst的上电极CE2可以连接到电压线PL，有机发光二极管OLED的共电极可以连接到第二电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动晶体管T1接收驱动电流IOLED且可以发光以显示图像。
图4B示出了补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4具有双栅电极。然而，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以具有一个栅电极(即，单个栅电极)。
图4B描述了一个像素电路PC的结构。然而，具有(例如，各自具有)相同的像素电路PC的多个像素PX可以布置为形成多行，在这种情况下，第一初始化电压线VL1、前一扫描线SL-1、第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1可以被相邻的像素PX(例如，多个像素PX中的相邻的像素PX)共享。
例如，第一初始化电压线VL1和前一扫描线SL-1可以连接(例如，电连接)到在第二方向(或y方向)上布置的另一像素电路PC的第二初始化晶体管。因此，施加到前一扫描线SL-1的前一扫描信号可以作为后一扫描信号传输到另一像素电路PC的第二初始化晶体管。同样地，第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1可以连接(例如，电连接)到布置为在基于附图的(例如，如图3中示出的)第二方向(或y方向)上相邻的又一像素电路PC的第一初始化晶体管，以便传输前一扫描信号和初始化电压。
图5是图1的显示设备1的像素布置的示例的示意性局部平面图，图6是沿着图5的线II-II’截取的部分的示例的示意性剖视图。
多个像素可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以在列方向和行方向上以预定或设定图案重复地布置。在一个或更多个实施例中，第一像素PX1和第三像素PX3可以在列方向和行方向上彼此交替地布置或设置，第二像素PX2可以在列方向和行方向上重复地布置或设置。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以包括像素电路和连接(例如，电连接)到像素电路的有机发光二极管200。每个像素的有机发光二极管200可以布置在像素电路上方(例如，直接布置在像素电路上方)以与像素电路叠置(例如，在厚度方向或z方向上与像素电路叠置)，或者可以相对于像素电路偏移且布置为与在相邻行或列中的像素的像素电路叠置(例如，在厚度方向或z方向上与像素电路叠置)。像素布置可以是包括在第一像素PX1至第三像素PX3(第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3)中的每个中的有机发光二极管200的布置，或者是包括在有机发光二极管200中的像素电极211的布置。
在每行R1、R2等中，第一像素PX1的像素电极211、第二像素PX2的像素电极211、第三像素PX3的像素电极211和第二像素PX2的像素电极211可以以Z字形形式交替地布置为彼此分隔开。第一像素PX1的像素电极211和第三像素PX3的像素电极211可以布置为彼此分隔开，并且可以在沿第一方向(或x方向)的第一虚拟直线IL1上交替地布置。第二像素PX2的像素电极211可以在第一方向(或x方向)与第二方向(或y方向)之间的方向上相对于第一像素PX1的像素电极211和第三像素PX3的像素电极211偏移，并且可以在沿第一方向(或x方向)的第二虚拟直线IL2上重复地布置。
在第一列C1中，第一像素PX1的像素电极211和第三像素PX3的像素电极211可以在沿第二方向(或y方向)的第三虚拟直线IL3上交替地布置为彼此分隔开。在与第一列C1相邻的第二列C2中，第二像素PX2的像素电极211可以在沿第二方向(或y方向)的第四虚拟直线IL4上重复地布置为彼此分隔开。在与第二列C2相邻的第三列C3中，第三像素PX3的像素电极211和第一像素PX1的像素电极211可以布置为彼此分隔开，并且可以在沿第二方向(或y方向)的第五虚拟直线IL5上交替地布置。在一个或更多个实施例中，第三列C3中的第三像素PX3的像素电极211和第一像素PX1的像素电极211可以布置为与第一列C1中的第一像素PX1的像素电极211和第三像素PX3的像素电极211相对。在一个或更多个实施例中，第三列C3中的第三像素PX3的像素电极211沿着第一虚拟直线IL1与第一列C1中的第一像素PX1的像素电极211对准，第三列C3中的第一像素PX1的像素电极211沿着第六虚拟直线IL6与第一列C1中的第三像素PX3的像素电极211对准。
第一像素PX1的像素电极211、第二像素PX2的像素电极211和第三像素PX3的像素电极211可以具有不同的面积(例如，不同尺寸的面积)。根据一个或更多个实施例，第三像素PX3的像素电极211可以具有比与第三像素PX3相邻的第一像素PX1的像素电极211的面积广或大的面积。在一个或更多个实施例中，第三像素PX3的像素电极211可以具有比与第三像素PX3相邻的第二像素PX2的像素电极211的面积广或大的面积。第一像素PX1的像素电极211可以具有比与第一像素PX1相邻的第二像素PX2的像素电极211的面积广或大的面积。然而，公开不限于此。根据另一实施例，第三像素PX3的像素电极211可以具有与第一像素PX1的像素电极211的面积相同或基本上相同的面积。像素电极211可以具有多边形形状(例如，正方形形状、八边形形状等)、圆形形状、椭圆形形状等，多边形可以包括具有圆的顶点、角或边的形状。
根据一个或更多个实施例，第一像素PX1可以包括发射红光的红色像素，第二像素PX2可以包括发射蓝光的蓝色像素，第三像素PX3可以包括发射绿光的绿色像素。然而，公开不限于此。根据另一实施例，第一像素PX1可以包括红色像素，第二像素PX2可以包括绿色像素，第三像素PX3可以包括蓝色像素。
基底100的显示区域DA可以包括第一区域A1和与第一区域A1相邻的第二区域A2。第一区域A1可以是第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个的有机发光二极管200定位在其中的区域。像素电极211可以布置在第一区域A1中，第一区域A1的面积可以比像素电极211的面积小。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以定位在多个第一区域A1中的单独的第一区域A1中。第二区域A2可以围绕第一区域A1且可以是定位在多个第一区域A1之间的区域。第三绝缘层117可以布置在第二区域A2中。第一区域A1可以与像素电极211的区域对应，该区域通过第三绝缘层117的第一开口OP1暴露，第二区域A2可以与像素电极211之间的其中布置有第三绝缘层117的区域对应。因此，基底100的第一区域A1和第二区域A2可以被理解为像素PX的第一区域A1和第二区域A2。如在此所使用的，第一区域A1被定义为与第一开口OP1的下表面对应的区域，当从如图5中示出的平面图观看时，下表面具有最小面积。图5将第一开口OP1的下表面的轮廓示出为实线且将像素电极211的轮廓示出为虚线。
参照图6，缓冲层111可以布置在基底100上方以防止或基本上防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层132中。
基底100可以包括诸如玻璃材料、金属材料和/或塑料材料的各种材料。根据一个或更多个实施例，基底100可以包括柔性基底。例如，基底100可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。
缓冲层111可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括单层或多层。
薄膜晶体管TFT、电容器Cst和连接(例如，电连接)到薄膜晶体管TFT的有机发光二极管200可以布置在基底100上方。有机发光二极管200连接(例如，电连接)到薄膜晶体管TFT可以被理解为薄膜晶体管TFT连接(例如，电连接)到像素电极211。薄膜晶体管TFT可以包括图4A和图4B的第一晶体管T1。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层132、栅电极134、源电极136S和漏电极136D。半导体层132可以包括氧化物半导体材料。半导体层132可以包括非晶硅、多晶硅和/或有机半导体材料。基于与相邻的层的粘附性、栅电极134堆叠在其上的层的表面光滑度、可加工性等，栅电极134可以通过包括例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种形成为单层或多层。
包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)的栅极绝缘层112可以布置在半导体层132与栅电极134之间。包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)的第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114可以布置在栅电极134与源电极136S和漏电极136D之间。源电极136S和漏电极136D中的每个可以通过形成在栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114中的接触孔连接(例如，电连接)到半导体层132。
源电极136S和漏电极136D可以包括单层或多层，单层或多层包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种。
电容器Cst可以包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2，并且第一层间绝缘层113位于下电极CE1与上电极CE2之间。电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。然而，公开不限于此。根据另一实施例，电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。图6示出了薄膜晶体管TFT的栅电极134是电容器Cst的下电极CE1。电容器Cst可以被第二层间绝缘层114覆盖。
包括薄膜晶体管TFT和电容器Cst的像素电路可以被第一绝缘层115和第二绝缘层116覆盖。第一绝缘层115和第二绝缘层116可以是平坦化的有机绝缘层。第一绝缘层115和第二绝缘层116可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们的共混物的有机绝缘材料。根据一个或更多个实施例，第一绝缘层115和第二绝缘层116可以包括PI。
显示器件(例如，有机发光二极管200)可以布置在第二绝缘层116上方。有机发光二极管200可以包括像素电极211、中间层231和对电极251。
像素电极211可以布置在第二绝缘层116上，并且可以通过第一绝缘层115上的连接电极181连接到薄膜晶体管TFT。诸如数据线DL、电压线PL等的布线183可以布置在第一绝缘层115上。
像素电极211可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据另一实施例，像素电极211可以包括反射层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的混合物(compound)。根据另一实施例，像素电极211还可以包括在上述反射层上方/下方的包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层。
第三绝缘层117可以布置在第二绝缘层116上。第三绝缘层117可以是用于通过覆盖像素电极211的边缘且具有第一开口OP1以暴露像素电极211的一部分来限定像素的像素限定层。第一开口OP1可以与第一区域A1对应。第三绝缘层117可以增大像素电极211的边缘与对电极251之间的距离，从而防止或基本上防止在像素电极211的边缘处发生电弧(电火花)等。换句话说，第三绝缘层117的一部分可以在厚度方向(或z方向)上在像素电极211的边缘与对电极251之间。第三绝缘层117可以包括诸如PI或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
中间层231可以包括发射层。发射层可以包括发射预定或设定颜色的光的高分子量或小分子量有机材料。根据一个或更多个实施例，中间层231可以包括布置在发射层下方的第一功能层和/或布置在发射层上方的第二功能层。第一功能层和/或第二功能层可以包括贯穿多个像素电极211的一体的层，或者可以包括被图案化为与多个像素电极211中的每个对应的层。
第一功能层可以包括单层或多层。例如，当第一功能层包括高分子量材料时，第一功能层可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚-(3,4)-亚乙基-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层包括小分子量材料时，第一功能层可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
可以不总是设置第二功能层。例如，当第一功能层和发射层包括高分子量材料时，期望形成第二功能层，使得有机发光二极管200具有优异的特性。第二功能层可以包括单层或多层。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极251可以布置为面对像素电极211，并且中间层231位于对电极251与像素电极211之间。对电极251可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极251可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金的(半)透明层。可选地，对电极251还可以包括在包含上述材料的(半)透明层上方的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
对电极251可以布置在中间层231和第三绝缘层117上方。对电极251可以在显示区域DA中贯穿多个有机发光二极管200一体地形成为面对多个像素电极211。
图7是图1的显示设备1的光调制层350的示例的示意性局部平面图，图8是沿着图7的线III-III’截取的部分的示例的示意性剖视图，图9是图8的一部分的示意性剖视图，图10是图9的区域A的示意性放大图。
首先，参照图7和图8，薄膜封装层可以作为封装构件300布置在对电极251上方。薄膜封装层可以保护或基本上保护有机发光二极管200免受外部湿气或氧影响。薄膜封装层可以具有多层结构。薄膜封装层可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层330。当薄膜封装层包括多层结构时，在薄膜封装层中出现的裂缝不会在第一无机层310与有机层320之间和/或有机层320与第二无机层330之间连接。因此，可以防止、基本上防止或最小化外部湿气或氧渗透到显示区域DA中所经过的路径。根据另一实施例，有机层的数量和无机层的数量可以是任何合适的数量，有机层和无机层以其堆叠的顺序可以是不同的。
第一无机层310可以覆盖对电极251，并且可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。第一无机层310可以横跨其下方的结构(例如，对电极251)形成或沿着其下方的结构(例如，对电极251)形成，因此，第一无机层310的上表面可以不是平坦的。
有机层320可以覆盖第一无机层310且可以具有足够的厚度(例如，用于覆盖第一无机层310的足够的厚度)。有机层320的上表面可以在整个显示区域DA中是基本上平坦的。有机层320可以包括PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、HMDSO、丙烯酰类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或它们的某种组合。
第二无机层330可以覆盖有机层320，并且可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。第二无机层330可以延伸到有机层320的外部以在外围区域PA中接触第一无机层310，使得有机层320可以不被暴露到外部。
在形成薄膜封装层的工艺中，薄膜封装层下方的结构可能会被损坏。例如，当形成第一无机层310时，直接在第一无机层310下方的层可能会被损坏。因此，为了防止或基本上防止薄膜封装层下方的结构在形成薄膜封装层的工艺中被损坏，至少一个覆盖层和/或至少一个保护层可以布置在对电极251与薄膜封装层之间。保护层可以包括无机材料。
光调制层350和诸如偏振层等的功能层420可以布置在有机发光二极管200上方(例如，在封装构件300上方)。功能层420和光调制层350可以经由结合层410彼此结合。
光调制层350可以调制从有机发光二极管200的发射层发射的光的路径。光调制层350可以改变来自从有机发光二极管200的发射层发射的光的在侧方向(例如，除了第三方向(或z方向)以外的方向)上行进的光的路径，并且允许光在大致向前(例如，与显示设备的显示区域垂直或正交)的第三方向(或z方向)上行进。
光调制层350可以布置为与基底100的第二区域A2对应，并且可以包括暴露封装构件300的与基底100的第一区域A1对应的最上表面的第二开口OP2。即，如图7中示出的，光调制层350可以通过包括多个第二开口OP2形成为具有网格结构。在图7中，第二开口OP2的下表面的轮廓示出为实线，第一开口OP的下表面的轮廓示出为虚线。
光调制层350的第二开口OP2可以围绕第三绝缘层117的第一开口OP1，并且可以与第三绝缘层117的第一开口OP1叠置。光调制层350的第二开口OP2的尺寸可以比第三绝缘层117的第一开口OP1的尺寸大。在图7中，第二开口OP2的形状是正方形。然而，公开不限于此。根据另一实施例，第二开口OP2可以具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状(诸如三角形形状)等。多边形可以包括圆边或弯曲边。
光调制层350可以具有第一折射率(例如，约1.4至约1.5的折射率)。光调制层350可以包括具有低折射率的无机材料或有机材料。例如，无机材料可以包括氧化硅和/或氟化镁等。有机材料可以包括选自于由亚克力、PI、聚酰胺和三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)组成的组中的至少一种。
结合层410可以定位在光调制层350与功能层420之间以结合光调制层350和功能层420，并且可以填充光调制层350的第二开口OP2。在一个或更多个实施例中，结合层410可以在通过将其上形成有光调制层350的基底100与功能层420层压来结合到光调制层350之前在功能层420的下表面处形成为膜。
结合层410可以包括结合膜412和分布在结合膜412中的高折射颗粒(即，高折射率颗粒)414。结合膜412可以包括具有透光性的诸如亚克力、PI、PC等的树脂。高折射颗粒414可以包括无机颗粒和/或有机颗粒。例如，无机颗粒可以包括TiO2、Al2O3、SiO2、Al2TiO5和ZrO2中的至少一种。有机颗粒可以包括PMMA、PBMA、MS、PS和LPS中的至少一种。高折射颗粒414的平均尺寸可以等于或小于几十nm(例如，等于或小于50nm)。
结合层410可以包括高折射颗粒414，因此，可以具有比光调制层350的第一折射率大的第二折射率。结合层410的第二折射率可以等于或大于约1.6。例如，结合层410的第二折射率可以是约1.6至约1.8。根据一个或更多个实施例，光调制层350和结合层410可以具有约0.1至约0.3的折射率差。如上所述，因为填充光调制层350的第二开口OP2的结合层410具有比光调制层350的折射率大的折射率，所以在光调制层350与结合层410之间的界面发生全内反射，因此，可以改善显示设备1(例如，图1中示出的显示设备1)的光提取效率。
当高折射颗粒414的含量小于30wt％时，结合层410的折射率的增大会不够大，因此，难以提高显示设备1(例如，图1中示出的显示设备1)的光提取效率。相反，当高折射颗粒414的含量大于60wt％时，结合层410的粘附性会降低，结合层410的模量会增大。特别是当结合层410的模量增大时，以膜的形式形成在功能层420下方的结合层410的刚性性质提高，因此，当光调制层350和结合层410经由层压彼此结合时，会在光调制层350的侧下端C(例如，图10中示出的第二开口OP2的内壁的下端C)与结合层410之间产生孔。因此，结合层410可以包括约30wt％至约60wt％的高折射颗粒414。
在下文中，参照图9描述其中经由光调制层350和结合层410改善显示设备1(例如，图1中示出的显示设备1)的光提取效率的原理。
参照图9，有机发光二极管200可以布置在绝缘表面上方。绝缘表面可以是基底100上方的至少一个绝缘层的上表面。例如，绝缘表面可以是第二绝缘层116的上表面。
第二开口OP2的下表面的第二宽度W2可以比第一开口OP1的下表面的第一宽度W1大。在此，宽度可以是下表面的最大宽度。第二宽度W2与第一宽度W1之间的差ΔW对于每个像素可以是不同的。例如，在第三像素PX3(例如，如图5中示出的第三像素PX3)中，第二宽度W2与第一宽度W1之间的差ΔW可以比第一像素PX1(例如，如图5中示出的第一像素PX1)中的第二宽度W2与第一宽度W1之间的差ΔW大，并且比第二像素PX2(例如，如图5中示出的第二像素PX2)中的第二宽度W2与第一宽度W1之间的差ΔW小。图9示出了第二开口OP2的第二宽度W2与像素电极211的宽度相同。然而，公开不限于此。根据另一实施例，第二开口OP2的第二宽度W2可以比像素电极211的宽度小。
从有机发光二极管200发射的光可以包括朝向光调制层350的侧表面倾斜地入射的光L1以及穿透结合层410且大致在第三方向(或z方向)上提取而不改变方向的光L3。
在光L1和光L3中，入射到光调制层350的倾斜侧表面上的光L1可以被结合层410与光调制层350之间的界面全内反射，并且可以具有改变的路径(例如，由全内反射光L2指示的在厚度方向、第三方向或z方向上的路径)，全内反射光L2可以大致在第三方向(或z方向)上提取。因此，可以增大像素的发射图案的面积，该面积是在虚拟前侧中产生的。即，由于在具有第一折射率的光调制层350与具有比第一折射率大的第二折射率的结合层410之间的界面处的全内反射，可以改善前侧的光提取效率。因此，可以改善前侧的可见性。即，根据公开的一个或更多个实施例，因为用于结合功能层420的结合层410具有第二折射率，所以可以不使用用于填充光调制层350的第二开口OP2的附加的高折射率层，并且可以省略用于形成高折射率层的涂覆工艺、固化工艺等。因此，可以简化显示设备1(例如，图1中示出的显示设备1)的结构和制造工艺。
为了使入射到光调制层350中的光L1被结合层410与光调制层350之间的界面全内反射，入射到光调制层350中的光L1的入射角必须比临界角大。为此，光调制层350的侧表面可以具有约70°的倾斜度θ。可以通过使材料图案化来形成光调制层350，以通过使用光刻工艺在封装构件300上方形成光调制层350。为了在光刻工艺之后将第二开口OP2的内壁形成为具有约70°的倾斜度θ，光调制层350可以具有约1.5μm至约2.5μm的厚度H1。
在一个或更多个实施例中，在其中首先在功能层420的下表面处将结合层410形成为膜，然后可以通过使用层压工艺将功能层420和光调制层350彼此结合的状态下，结合层410可以定位在功能层420与光调制层350之间。在该工艺中，为了光调制层350的侧表面总体上附着到结合层410，第二开口OP2的内壁的下端C可以被倒圆以具有如图10中示出的凹进的形状。当光调制层350的侧表面与第二无机层330的上表面相遇处的点具有以预定或设定角度弯曲的形状时，空的空间可能会在第二开口OP2的内壁的下端C处形成在光调制层350与结合层410之间。该空的空间可能会填充有具有1的折射率的空气，因此，由于如上所述的全内反射引起的光提取效率的改善可能会劣化或降低。
参照图9，结合层410还可以包括分布在结合膜412中的散射颗粒416。
当有机发光二极管200发射白光时，在前侧处观察到的白色性质和在侧表面处观察到的白色性质可能会彼此不同。换句话说，从前侧观察到的白色可能会看起来在侧表面处具有色调(例如，不同的颜色色调)和/或亮度(例如，不同的亮度)。白色角度相关性(WAD)可以用于基于观察角度来评估白色性质中的改变。改变的水平可以通过根据与屏幕垂直的前侧的观察角度测量亮度的改变量和颜色坐标的改变量来评估。来自从有机发光二极管200发射的光的光L4可以被分布在结合膜412中的散射颗粒416折射和/或散射，因此，可以增大显示设备1(例如，图1中示出的显示设备1)的视角，可以减小在前侧处观察到的白色性质与在侧表面处观察到的白色性质之间的差异。
散射颗粒416可以具有比高折射颗粒414的颗粒尺寸大的颗粒尺寸。例如，散射颗粒416的平均颗粒直径可以是约50nm至约1000nm。
散射颗粒416可以包括无机颗粒和/或有机颗粒。无机颗粒可以包括二氧化硅、ZrO2、TiO2、Al2O3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3等，有机颗粒可以包括聚苯乙烯、PMMA、丙烯酸-苯乙烯共聚物、三聚氰胺、PC等。
图11是沿着图1的线I-I’截取的部分的另一示例的示意性剖视图。图12是图11的输入感测层500的示例的示意性平面图。图13是沿着图12的线IV-IV’截取的部分的示例的示意性剖视图。图14A是图13的第一导电层CML1的平面图，图14B是图13的第二导电层CML2的平面图。图15是沿着图14B的线V-V’截取的部分的示例的示意性剖视图。在下文中，不重复与上述组件相同的组件的描述。
参照图11，显示设备1可以包括在厚度方向(或z方向)上顺序地堆叠的基底100、在基底100上方的像素层PXL、封装像素层PXL的封装构件300、在封装构件300上的输入感测层500、在输入感测层500上的光调制层350、在光调制层350上的结合层410以及在结合层410上的功能层420。即，与图1相比，图11还包括输入感测层500。
参照图12，输入感测层500可以包括基体层BL，基体层BL包括显示区域DA和外围区域PA。基体层BL可以与基底100的形状对应，并且可以设置为与基底100的形状基本上相同的形状。根据一个或更多个实施例，基体层BL可以是布置在封装构件300的一部分(例如，封装构件300的最上层)上的第二无机层330(例如，如图15中示出的第二无机层330)。然而，公开不限于此。根据另一实施例，基体层BL可以与封装构件300分开，并且包括绝缘基底或包含绝缘材料(诸如玻璃、聚合物树脂等)的绝缘膜。
多个感测电极TSE可以布置在显示区域DA中。连接到感测电极TSE的感测信号线可以布置在外围区域PA中。感测电极TSE可以包括第一感测电极510和第二感测电极520。感测信号线可以包括第一感测信号线550A和第二感测信号线550B。即，输入感测层500可以包括第一感测电极510、连接到第一感测电极510的第一感测信号线550A、第二感测电极520以及连接到第二感测电极520的第二感测信号线550B。输入感测层500可以通过使用互电容法和/或自电容法感测外部输入。
输入感测层500可以包括多个导电层。参照图13，输入感测层500可以包括第一导电层CML1和第二导电层CML2。第一绝缘层501可以作为基体层BL布置在第一导电层CML1与封装构件300之间，第二绝缘层503(例如，第二绝缘层503的一部分)可以布置在第一导电层CML1与第二导电层CML2之间。
根据一个或更多个实施例，第一绝缘层501和第二绝缘层503可以包括包含例如氮化硅的无机绝缘层。根据另一实施例，可以省略第一绝缘层501，第一导电层CML1可以直接定位在封装构件300上方。根据另一实施例，第一绝缘层501和第二绝缘层503可以包括有机绝缘层。
第一导电层CML1可以包括如图14A中示出的桥接电极511。如图14B中示出的，第二导电层CML2可以包括第一感测电极510、第二感测电极520和连接电极521。第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括金属。例如，第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。根据一个或更多个实施例，第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括Ti/Al/Ti的多层。
第一感测电极510可以经由形成在与第一感测电极510的水平不同的水平上的桥接电极511彼此连接。在一个或更多个实施例中，桥接电极511形成在第一感测电极510的水平下方的水平上。连接(例如，电连接)彼此相邻的第一感测电极510的桥接电极511可以通过在第二绝缘层503中形成的或穿过第二绝缘层503形成的接触孔CNT接触相邻的第一感测电极510。如图14B中示出的，第二感测电极520可以经由与第二感测电极520形成在同一层上的连接电极521彼此连接。
图13、图14A和图14B示出了其中桥接电极511定位在第一感测电极510和第二感测电极520下方的示例。然而，公开不限于此。第一导电层CML1可以包括第一感测电极510和第二感测电极520，第二导电层CML2可以包括桥接电极511。
第一感测电极510可以在第二方向(或y方向)上布置，第二感测电极520可以在与第二方向(或y方向)交叉的第一方向(或x方向)上布置。第一感测电极510可以经由彼此相邻的第一感测电极510之间的桥接电极511彼此连接，并且可以形成第一感测线510C。在第一方向(或x方向)上布置的第二感测电极520可以经由彼此相邻的第二感测电极520之间的连接电极521彼此连接，并且可以形成第二感测线520R。第一感测线510C和第二感测线520R可以彼此交叉。例如，第一感测线510C和第二感测线520R可以彼此垂直或正交。
第一感测线510C和第二感测线520R可以布置在显示区域DA中，并且可以通过形成在外围区域PA中的第一感测信号线550A和第二感测信号线550B连接到垫部540的感测信号垫TP。第一感测线510C可以分别连接到第一感测信号线550A，第二感测线520R可以分别连接到第二感测信号线550B。
参照图14B，第一感测电极510和第二感测电极520可以具有(例如，各自具有)大致菱形形状。第一感测电极510可以包括形成网格结构的网格线GL，网格结构包括多个孔510H。孔510H可以布置为与像素的第一区域A1叠置(例如，在厚度方向或z方向上叠置)。类似地，第二感测电极520可以包括形成网格结构的网格线GL，网格结构包括多个孔520H。孔520H可以布置为与像素的第一区域A1叠置(例如，在厚度方向或z方向上叠置)。孔510H和520H中的每个可以具有不同的面积。网格线GL中的每条的线宽可以是几微米。
图15示出了在封装构件300上方的第一绝缘层501和第二绝缘层503以及在第二绝缘层503上的网格线GL。
如图15中示出的，网格线GL可以布置为与像素的第二区域A2对应。
光调制层350可以布置在第二绝缘层503上方。光调制层350可以布置为与像素的第二区域A2对应，并且可以包括暴露与像素的第一区域A1对应的区域的第二开口OP2。光调制层350可以定位为与网格线GL叠置。例如，网格线GL可以定位在第二绝缘层503上方，光调制层350可以覆盖网格线GL。
用于将光调制层350与功能层420(诸如偏振层等)结合的结合层410可以定位在光调制层350的第二开口OP2中。结合层410可以具有比光调制层350的第一折射率大的第二折射率。因此，来自从有机发光二极管200的发射层发射的光的在光调制层350的侧方向上行进的光可以被光调制层350与结合层410之间的界面全内反射，并且可以具有改变为显示设备1(例如，图1中示出的显示设备1)的向前方向的行进路径。因此，可以改善显示设备1(例如，图1中示出的显示设备1)的光提取效率。结合层410可以包括结合膜412和分布在结合膜412中的高折射颗粒414。在此，如上所述，高折射颗粒414可以以约30wt％至约60wt％被包括在结合层410中。在一个或更多个实施例中，结合层410还可以包括散射颗粒416以减小发射到显示设备1的前侧的光与发射到显示设备1的横向侧(例如，左侧表面或右侧表面)的光之间的颜色偏差。
根据一个或更多个实施例，可以改善显示设备的光提取效率，并且可以简化显示设备的制造工艺。
应当理解的是，在此所描述的实施例应仅以描述性的意义考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
像素层，位于所述基底上，包括多个显示器件；
封装构件，封装所述像素层；
光调制层，位于所述封装构件上；
功能层，位于所述光调制层上；以及
结合层，定位在所述光调制层与所述功能层之间以结合所述光调制层和所述功能层，
其中，所述光调制层具有与所述多个显示器件对应的开口，并且
其中，所述结合层填充所述开口且具有比所述光调制层的折射率大的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述结合层包括结合膜和分布在所述结合膜中的多个高折射率颗粒，并且
其中，所述结合层的所述折射率等于或大于1.6。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述结合层包括30wt％至60wt％的所述多个高折射率颗粒，并且
其中，所述结合层的所述折射率是1.6至1.8。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述结合层还包括分布在所述结合膜中的散射颗粒，并且
其中，所述散射颗粒的平均颗粒直径比所述多个高折射率颗粒的平均颗粒直径大。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述开口中的每个的内壁包括倾斜的表面，并且
其中，所述光调制层的厚度是1.5μm至2.5μm。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述内壁的下端具有凹进的形状。
7.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述封装构件与所述光调制层之间且包含感测电极的输入感测层。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述感测电极包括形成网格结构的网格线，并且
其中，所述网格线与所述光调制层叠置。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个显示器件中的每个包括像素电极、位于所述像素电极上的包含发射层的中间层以及位于所述中间层上的对电极，并且
其中，从所述发射层发射的光的一部分被所述结合层与所述开口之中的对应的开口的内壁之间的界面全内反射。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述功能层包括偏振层。
11.一种显示设备，所述显示设备包括：
显示器件，用于发射光；
光调制层，位于所述显示器件上且具有与所述显示器件对应的开口；
结合层，填充所述开口且定位在所述光调制层上；以及
功能层，定位在所述结合层上且经由所述结合层结合到所述光调制层，
其中，所述光调制层具有第一折射率，并且所述结合层具有比所述第一折射率大的第二折射率，并且
其中，从所述显示器件发射的光的一部分被所述开口的内壁与所述结合层之间的界面全内反射。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述显示器件包括像素电极、位于所述像素电极上的包含发射层的中间层以及位于所述中间层上的对电极，并且
其中，所述光调制层位于覆盖所述像素电极的边缘的绝缘层上。
13.根据权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述显示器件与所述光调制层之间的封装构件。
14.根据权利要求13所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述封装构件与所述光调制层之间且包含感测电极的输入感测层。
15.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述结合层包括结合膜和分布在所述结合膜中的多个高折射率颗粒。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述结合层包括30wt％至60wt％的所述多个高折射率颗粒。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述结合层的所述第二折射率是1.6至1.8。
18.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述结合层还包括分布在所述结合膜中的散射颗粒，并且
其中，所述散射颗粒的平均颗粒直径比所述多个高折射率颗粒的平均颗粒直径大。
19.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述开口的所述内壁包括倾斜的表面，并且
其中，所述光调制层的厚度是1.5μm至2.5μm。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述内壁的下端具有凹进的形状。
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