CN110265573B - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光二极管显示装置。本发明公开的有机发光二极管显示装置包括：外覆层，其设置在被划分成发射区和非发射区的基板上，并且具有发射区中的多个微透镜和所述非发射区中的至少一个凹陷。另外，有机发光二极管显示装置还包括：第一电极，其设置在所述外覆层上，其中，所述第一电极设置在整个发射区中和部分非发射区中；堤状图案，其设置在非发射区中，叠加在凹陷上；有机发光层，其设置在基板上；以及第二电极，其设置在有机发光层上。因此，有机发光二极管显示装置可防止漏光。

Description

有机发光二极管显示装置
本申请是原案申请号为201610930495.7的发明专利申请(申请日：2016年10月31日，发明名称：有机发光二极管显示装置)的分案申请。
技术领域
本发明涉及包括被施用图案的光散射层的有机发光二极管显示装置。
背景技术
与液晶显示装置相比，因为作为自发光显示装置的有机发光二极管显示装置不需要单独的光源，所以它们可被制得更轻更纤薄。此外，有机发光二极管显示装置由于其优异的颜色实现、响应速度、视角、对比度(CR)以及因低电压操作带来的功耗优点而被研究作为下一代显示装置。
从有机发光二极管显示装置的有机发光层发射的光穿过有机发光二极管显示装置的多个组件并且从有机发光二极管显示装置射出。然而，从有机发光层发射的光的部分被约束在有机发光二极管显示装置中，没有被从中提取出。因此，有机发光二极管显示装置的光提取效率已经成为问题。
特别地，在有机发光二极管显示装置之中的底部发射型有机发光二极管显示装置中，由于因阳极造成的全反射或光吸收而被约束在有机发光二极管显示装置中的光占有机发光层发射的光的高达大约50％，由于因基板造成的全反射或光吸收而被约束在有机发光二极管显示装置中的光占有机发光层发射的光的高达大约30％。如上所述，有机发光层发射的光的大约80％被约束在有机发光二极管显示装置中，只从有机发光二极管显示装置提取了该光的大约20％，这造成光提取效率非常低。
为了增强此有机发光二极管显示装置的光提取效率，已经开发了用于将微透镜阵列(MLA)附接到有机发光二极管显示装置的基板外部的方法或用于在有机发光二极管显示装置的外覆层上形成微透镜的方法。
然而，通过应用微透镜阵列或微透镜，有机发光元件发射的光之中的向着相邻子像素引导的光由于设置在发射区边缘上的微透镜所产生的额外倾斜表面沿着外覆层行进并且到达发射具有不同颜色光的相邻子像素，造成漏光现象。
发明内容
在这个背景下，本发明的一方面是提供一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括被施用图案的光散射层，这样可防止漏光并且进一步增强光提取效率。
用于解决以上提到的技术问题的根据本发明的实施方式的一种有机发光二极管显示装置包括被划分成发射区和非发射区的基板。另外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括：外覆层，其设置在所述基板上并且具有所述发射区中的多个微透镜和所述非发射区中的至少一个凹陷，各微透镜包括凹形部分和连接部分。此外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括：第一电极，其设置在所述外覆层上并且设置在整个发射区中和非发射区的部分中。此外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括堤状图案，堤状图案设置在非发射区中，叠加在所述凹陷上。另外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在基板上的有机发光层。另外，根据实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在有机发光层上的第二电极。
根据本发明的另一个实施方式的一种有机发光二极管显示装置包括被划分成多个发射区和包围所述多个发射区的非发射区的基板。另外，根据其他实施方式的有机发光二极管显示装置包括外覆层，外覆层设置在所述基板上并且具有各发射区中的多个微透镜和所述非发射区中的至少一个凹陷，各微透镜包括凹形部分和连接部分。此外，根据其他实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在所述发射区中的所述外覆层上的第一电极。此外，根据其他实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在所述第一电极、所述外覆层和所述凹陷上的有机发光层。另外，根据其他实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在所述有机发光层上的第二电极。
在根据本发明的有机发光二极管显示装置中，非发射区NEA中的外覆层具有至少一个凹陷，并且堤状图案被设置成叠加在凹陷上，这样使得可以防止有机发光元件发射的光向着发射具有不同颜色的光的子像素行进而造成漏光现象。
此外，在根据本发明的有机发光二极管显示装置中，非发射区NEA中的外覆层具有至少一个凹陷，并且反射电极沿着凹陷的形状设置，这样使得可以吸收有机发光元件发射的光之中的、向着发射具有不同颜色的光的子像素行进的光，从而防止漏光，或者反射向着子像素行进的光，从而增强光提取效率。
另外，在根据本发明的有机发光二极管显示装置中，在外覆层的突起部分上设置的第一电极的位置高于在微透镜的连接部分上设置的有机发光元件的位置，这样使得可以增强光提取效率。
附图说明
根据下面结合附图进行的详细描述，本发明的以上和其他目的、特征和优点将更清楚，其中：
图1是可应用本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。
图2是根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。
图3是沿着图2的A-B线截取的、根据本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。
图4示出用于在外覆层上形成多个微透镜和多个凹陷的掩模的部分。
图5是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置中遏制漏光现象的原理的视图。
图6是具有另一种类型的凹陷的有机发光二极管显示装置的剖视图。
图7是具有又一种类型的凹陷的有机发光二极管显示装置的剖视图。
图8是根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。
图9是沿着图8的C-D线截取的、根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。
图10是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置中遏制漏光现象的原理的视图。
图11是根据本发明的第三实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。
图12是沿着图11的E-F线截取的剖视图。
图13是根据本发明的第四实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。
图14是沿着图13的G-H线截取的剖视图。
图15是根据本发明的第五实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。
图16是根据本发明的第六实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。
图17是应用根据本发明的实施方式的子像素的有机发光二极管显示装置的一个像素的剖视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。以举例方式提供以下实施方式，使得本发明的思路可被充分传达给本领域的技术人员。因此，本发明不限于如下所述的实施方式，可用其他形式来实施。另外，在附图中，为了方便描述，可夸大地表现器件的大小、厚度等。在整个说明书中，相同的参考标号指定相同的元件。
通过参照以下结合附图详细描述的本发明的实施方式，将清楚本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明不限于以下阐述的实施方式，而是可按各种不同形式来实现。提供以下实施方式仅仅是为了完全公开本发明并且将本发明的范围告知本领域的技术人员，本发明只由随附权利要求书限定。在整个说明书中，相同或类似的参考标号指定相同或类似的元件。在附图中，为了方便描述，可夸大层和区域的尺寸和相对大小。
当原件或层被称为在另一个元件“上方”或“上面”时，它可直接在其他元件或层的上方或正上面，或者可存在中间元件或层。相比之下，当元件被称为直接在另一个元件或层的上面或上方时，不存在中间元件或层。
为了便于描述，在本文中可使用诸如“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述一个元件或特征与附图中所示的其他元件或特征的关系。应该理解，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖元件在使用或操作时的不同取向。例如，如果附图中的元件被翻转，在其他元件“下方”或“下面”的元件随后将被取向在其他元件“上方”。因此，示例性术语“下方”可涵盖上下两个取向。
另外，在描述本发明的组件时，可存在如同第一、第二、A、B、(a)和(b)一样使用的术语。这些仅仅是处于将一个组件与另一个区分开的目的，而不是隐含或暗示组件的物质、次序、顺序或数量。
图1是可应用本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。参照图1，应用本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置包括薄膜晶体管Tr和与薄膜晶体管Tr电连接的有机发光元件EL。
具体地，薄膜晶体管Tr的栅极101和栅绝缘膜102设置在第一基板100上。有源层103设置在栅绝缘膜102上，叠加在栅极101上。用于保护有源层103的沟道区的蚀刻阻止层106设置在有源层103上。
另外，与有源层103接触的源极105a和漏极105b设置在有源层103上。保护层107设置在源极105a和漏极105b上。可应用本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置不限于图1中示出的有机发光二极管显示装置，并且还可包括设置在第一基板100和有源层103之间的缓冲层。
此外，外覆层110a设置在保护层107上。包括第一电极120a、有机发光层130a和第二电极140a的有机发光元件EL设置在外覆层110a上。本文中，第一电极120a和第二电极140a中的一个可以是由具有高反射率的金属形成的反射层。此外，在金属和有机层之间的边界处产生的表面等离子体成分和由插入对向反射层(opposite reflective layer)之间的有机发光层130a构成的导光模式占发射光的大约60％至70％。由于可引起光被约束在有机发光层130a中而没有被发射的现象，因此必须从显示装置提取有机发光层130a所产生的光。
为此目的，根据本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置的外覆层110a包括：多个凹形部分111a；以及多个连接部分112a，其中每个连接彼此相邻的凹形部分111a。多个凹形部分111a可具有但不限于半球形或半椭圆形形状。
多个凹形部分111a和连接相邻凹形部分111a的连接部分112a可被设置成与各子像素的发射区相对应。本文中，发射区是指有机发光层130a通过第一电极120a和第二电极140a发射光的区域。
由于多个凹形部分111a和连接相邻凹形部分111a的连接部分112a被设置成与各子像素的发射区相对应，因此可从显示装置进一步提取有机发光元件EL发射的光。
与薄膜晶体管Tr的漏极105b连接的有机发光元件EL的第一电极120a设置在外覆层110a上。此外，尽管在附图中未示出，但反射层可另外设置在第一电极120a下面。
另外，堤状图案150a设置在外覆层110a上，露出第一电极120a的部分上表面。有机发光层130a设置在被堤状图案150a露出的第一电极120a的上表面上和堤状图案150a上。
本文中，有机发光层130a可只设置在被堤状图案150a露出的第一电极120a的上表面上，或者可既设置在第一电极120a上又设置在堤状图案150a上。另外，有机发光元件EL的第二电极140a被设置成叠加在有机发光层130a和堤状图案150a上。
此外，封装层160设置在第二电极140a上，保护有机发光元件EL免受湿气和氧气的影响。虽然封装层160在图1中被示出为具有单个层，但本发明的实施方式不限于此，并且封装层160可具有多个层。第二基板170可设置在封装层160上。
另外，尽管在附图中未示出，但可在第二基板170的上表面上设置偏振板。偏振板可以是具有导向预定方向的偏振轴的偏振板，并且可只透射入射到第二基板170的上表面的光之中的具有与偏振轴相同的光轴的光。虽然偏振板已经被描述为设置在第二基板170的上表面上，但本发明不限于此，并且偏振板可设置在第一基板100的后表面上。
偏振板可由单个层或多个层构成。虽然偏振板已经被描述为具有导向预定方向的偏振轴，但本发明的实施方式不限于此，并且偏振板还可包括相位延迟膜。
此外，虽然图1的描述的重点放在顶部发射型有机发光二极管显示装置，但本发明的实施方式还可根据需要应用于底部或双重发射型有机发光二极管显示装置。
在本发明的实施方式应用于底部发射型有机发光二极管显示装置的情况下，滤色器层可设置在保护层107上。在这种情况下，滤色器层可设置在多个子像素中的每个上，或者可只设置在多个像素中的一些上。
此外，滤色器层可被设置成与各自像素的发射区相对应。本文中，发射区是指有机发光层130a通过第一电极120a和第二电极140a发射光的区域，并且当滤色器层被形成为对应于发射区时，这意味着滤色器被设置成防止因相邻发射区发射的光的混合而造成的模糊和重像(ghost image)问题。
为了增强以上提到的有机发光二极管显示装置的光提取效率，可采用上面形成有微透镜的外覆层110a，外覆层110a由凹形部分111a和连接相邻凹形部分111a的连接部分112a构成。
在这种情况下，在入射到微透镜和有机发光元件的第一电极120a之间的界面的光之中，具有小于或等于全反射临界角的入射角的光被反射层反射并且被原样从第二基板170提取出。相比之下，具有大于或等于全反射临界角的入射角的光碰撞微透镜，其光学路径改变，最终以比全反射临界角小的光行进角度从第二基板170逸出，而没有被约束在有机发光元件EL中。
此外，本发明的各像素包括一个或更多个子像素。例如，一个像素可包括两个或四个子像素。
子像素是指形成特定类型的滤色器层所按照的单元，或者有机发光元件可在没有形成滤色器层的情况下发射具有特定颜色的光所按照的单元。虽然子像素所限定的颜色可包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)并且可选择性包括白色(W)，但本发明不限于此。
与控制显示面板的各子像素区的发光的薄膜晶体管连接的电极被称为第一电极，并且设置在显示面板前方或者被设置成包括两个或更多个像素区的电极被称为第二电极。当第一电极是阳极时，第二电极是阴极，反之亦然。尽管在假定第一电极是阳极的示例而第二电极是阴极的示例的情况下进行以下描述，但本发明不限于此。
此外，具有一种颜色的滤色器层可设置在以上提到的子像素区中，但本发明不限于此。另外，光散射层可设置在各子像素区中，以增强有机发光层的光提取效率。以上提到的光散射层可被称为微透镜阵列、微透镜、纳米图案、漫射图案、二氧化硅球或光耦合结构。
虽然在假定光散射层是微透镜示例的情况下进行以下描述，但根据本发明的实施方式不限于此，并且可联接各种类型的结构来散射光。
下文中，将描述可应用于以上提到的有机发光二极管显示装置的本发明的有机发光二极管显示装置的实施方式。
图2是根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。图2示出一个子像素中的发射区EA和非发射区的与发射区EA相邻的部分。本文中，发射区EA可以是发射具有红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)中的一种颜色的光的发射区EA，但不限于此。
此外，在根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置中，一个像素可包括两个或四个子像素，并且将参照图2描述的元件可应用于构成一个像素的子像素中的至少一个。
多个微透镜布置在发射区EA中。这些微透镜可增强外部光提取效率。这些微透镜中的每个可包括外覆层110的凹形部分111以及连接凹形部分111和与其相邻的另一个凹形部分111的连接部分112。另外，有机发光元件可设置在上面形成有多个微透镜的外覆层110上。
虽然微透镜被示出为具有图2的平面上的六边形形状，但根据本发明的第一实施方式的微透镜的形状不限于此，并且微透镜可具有圆形或椭圆形形状。
有机发光元件的第一电极120和叠加在第一电极120上的堤状图案150设置在非发射区的与发射区EA相邻的部分中。本文中，堤状图案150可被设置成叠加在外覆层110中形成的凹陷上。以下，将参照图3详细描述该构造。
虽然外覆层110中形成的凹陷在图3中被示出为在平面上包围发射区EA，但根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置不限于此。例如，凹陷117可在平面上设置于发射区EA的上侧和下侧中的至少一个，或者可在平面上设置于发射区EA的左侧和右侧中的至少一个。
特别地，在凹陷设置于发射区EA的上侧和下侧中的至少一个的情况下，具有小分子量的物质可在外覆层110正被固化的同时容易从外覆层110的固化减少区域逸出。具体地，当在外覆层110中产生半固化区域时，可因具有低分子量的物质引起渗气，这样会造成面板中有缺陷。然而，由于在这个实施方式中外覆层110的凹陷设置在发射区EA的至少一侧，因此具有小分子量的物质可从外覆层110逸出，从而防止面板中有缺陷。
图3是沿着图2的A-B线截取的、根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。参照图3，根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置包括被划分成发射区EA和非发射区NEA的第一基板100。
发射区EA包括设置在外覆层110上的多个微透镜，并且微透镜中的每个由凹形部分111以及连接凹形部分111和另一个凹形部分的连接部分112构成。此外，在根据这个实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在外覆层110下方的滤色器层的情况下，滤色器层可因多个微透镜被露出，或者可不被露出。本文中，当滤色器层因多个微透镜被露出时，滤色器层的表面可具有多个微透镜的形状。
具体地，滤色器层的与设置在外覆层110上的多个微透镜的凹形部分对应的区域可被露出。另外，滤色器层可在其与外覆层110的多个凹形部分对应的区域中具有多个凹形部分，并且在一些情况下可伴随凹形部分而包括多个凸形部分。
因此，微透镜带来的光提取效果可不受影响，即便滤色器层因多个微透镜被露出。具体地，尽管有机发光元件EL可从其与外覆层110的多个微透镜的凹形部分对应的区域发射最弱的光，但滤色器层的露出对微透镜带来的光提取效果的作用可能不大，因为露出滤色器层的区域与外覆层110的多个微透镜的凹形部分相对应。
包括第一电极120、有机发光层130和第二电极140的有机发光元件EL设置在多个微透镜上。
本文中，因为多个微透镜的形态，在有机发光元件EL的表面上可出现凹形图案，但本发明的实施方式不限于此。虽然多个微透镜在图2中被示出为包括多个凹形部分，但本发明的实施方式不限于此，多个微透镜可包括多个凸形部分。
另外，可在非发射区NEA中或与非发射区NEA相邻的发射区EA中在外覆层110上形成至少一个台阶115。这样可有助于防止设置在外覆层110上的第一电极120短路。
具体地，非发射区NEA和发射区EA之间的边界处的外覆层110的斜率可因为设置在发射区EA中的外覆层110上的多个微透镜而急剧变化，这样会造成第一电极120短路。
在这种情况下，由于外覆层110在发射区EA和非发射区NEA之间的边界处包括至少一个台阶115，因此可以减小因微透镜造成的外覆层110的斜率，以防止设置在外覆层110上的第一电极120短路。
此外，非发射区NEA包括设置在外覆层110上的至少一个凹陷117。具体地，非发射区NEA可包括外覆层110上的多个凹陷117。
本文中，在非发射区NEA中，凹陷117的高度H1可小于外覆层110的高度H2。此外，在根据这个实施方式的有机发光二极管显示装置包括设置在外覆层110下面的滤色器层的情况下，滤色器层可因凹陷117而被露出，或者可不被露出。
即，根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的外覆层110可具有形成在发射区EA中的多个微透镜和形成在非发射区NEA中的多个凹陷117。可通过使用掩模进行图案化得到外覆层110。
以下，将参照图4描述具有以上提到的结构的形成外覆层110所必需的掩模。图4示出用于在外覆层上形成多个微透镜和多个凹陷的掩模的部分。
参照图4，根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的外覆层可包括使用掩模600通过曝光处理形成的多个微透镜和多个凹陷。掩模600可具有用于形成多个微透镜的多个第一图案601和用于形成多个凹陷的多个第二图案602。
当外覆层经受曝光时，掩模600与上面设置有外覆层的基板相对地设置。在这种情况下，掩模的多个第一图案601可被布置成与基板的发射区相对应，多个第二图案602可被布置成与基板的非发射区相对应。此外，第一图案601和第二图案602可根据外覆层的材料来透射或阻挡光。
设置在发射区EA中的有机发光元件EL的第一电极120可延伸以设置在凹陷117上。在这种情况下，第一电极120可被设置成只填充各凹陷117的部分。另外，堤状图案150可被设置成完全填充凹陷117的剩余部分。
在这种情况下，堤状图案150可限定发射区EA和非发射区NEA。另外，有机发光元件EL的有机发光层130和第二电极140可从发射区EA延伸以设置在堤状图案150上。虽然有机发光层130在图5中被示出为设置在堤状图案150上，但本发明的第一实施方式不限于此，有机发光层130可只设置在发射区EA中的第一电极120上。
填充设置在非发射区NEA中的至少一个凹陷117的堤状图案150可由不透明的有机材料形成。因此，堤状图案150可防止有机发光元件EL发射的光到达不同的相邻子像素并且被提取作为漏光成分。
以下，将参照图5详细描述此原理。图5是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管显示装置中的光提取现象和遏制漏光现象的原理的视图。
参照图5，有机发光元件EL发射的光1000在360度方向上输出，也就是说，全方位输出。本文中，通过微透镜从第一基板100提取有机发光元件EL发射的光1000的部分。
具体地，在根据这个实施方式的有机发光二极管显示装置是底部发射型有机发光二极管显示装置的情况下，有机发光元件EL的第一电极120和有机发光层130的折射率可比第一基板100和外覆层110的折射率高。例如，第一基板100和外覆层110可具有大约1.5的折射率，并且有机发光元件EL的第一电极120和有机发光层130可具有1.7至2.0的折射率。
本文中，由于有机发光层130具有与第一电极120的折射率几乎相同的折射率，因此有机发光层130产生的光1000的光学路径在有机发光层130和第一电极120之间的界面处没有变化。此外，由于第一电极120和外覆层110之间的折射率的差异，导致已经穿过第一电极120的光1000可在入射角小于全反射临界角或者入射角大于或等于全反射临界角的情况下通过第一电极120和外覆层110之间的界面输入。
在这种情况下，可从第一基板10提取入射角小于全反射临界角的情况下通过第一电极120和外覆层110之间的界面输入的光。向着有机发光元件EL的第二基板(未示出)行进的光被第二电极140反射，向着第一基板100行进，并且通过微透镜从第一基板100提取出。这样可有助于增强发射区EA中的光提取效率。
此外，在根据这个实施方式的有机发光二极管显示装置是顶部发射型有机发光二极管显示装置的情况下，有机发光元件EL发射的光的部分被向着第二基板(未示出)输出。另外，有机发光元件EL发射的部分光被第一电极120反射并且被从第二基板(未示出)提取出。
此外，从有机发光元件EL产生的光1000之中的向着相邻子像素引导的光可通过因发射区EA边缘处形成的微透镜所产生的额外倾斜表面沿着外覆层110行进，可到达发射具有不同颜色的光的相邻子像素，造成漏光现象。特别地，在第一电极120不是反射电极的情况下，漏光现象会是严重问题。
此外，在这个实施方式中，在非发射区NEA中，堤状图案150被设置成叠加在外覆层100中形成的至少一个凹陷117上。因此，堤状图案150可防止有机发光元件EL产生的光1000之中的向着相邻子像素引导的光沿着外覆层110行进到达发射具有不同颜色的光的子像素。
在这种情况下，堤状图案150可由不透明有机材料形成，用于吸收沿着外覆层110行进的光。因此，堤状图案150可防止光向不同的相邻子像素行进。此外，由于堤状图案150被设置成完全填充凹陷117，因此堤状图案150可吸收到达凹陷117的所有光，以防止光行进到不同的相邻子像素。这样可有助于限制不同子像素之间的漏光。
可如图6中所示地形成根据本发明的凹陷。图6是具有另一种类型的凹陷的有机发光二极管显示装置的剖视图。
图6的有机发光二极管显示装置可包括与以上提到的实施方式中的有机发光二极管显示装置的元件相同的元件。将省略与以上提到的实施方式中给出的描述相同的重复描述。另外，为相同的元件提供相同的参考标号。
参照图6，根据本发明的有机发光二极管显示装置包括一个子像素的非发射区NEA中的外覆层210上设置的一个凹陷217。在这种情况下，有机发光元件EL的第一电极120被设置成填充凹陷217的部分，堤状图案250设置在第一电极120上，填充凹陷217的剩余部分。
由于堤状图案250通过凹陷217设置在外覆层210的深处，因此堤状图案250可吸收有机发光元件EL发射的光之中的向着相邻子像素引导的光，以防止光向着不同子像素行进。
另外，可如图7中所示地形成根据本发明的凹陷。图7是具有另一种类型的凹陷的有机发光二极管显示装置的剖视图。
图7的有机发光二极管显示装置可包括与以上提到的实施方式中的有机发光二极管显示装置的元件相同的元件。将省略与以上提到的实施方式中给出的描述相同的重复描述。另外，为相同的元件提供相同的参考标号。
参照图7，根据本发明的有机发光二极管显示装置包括一个子像素的非发射区NEA中的外覆层310上设置的多个凹陷317。在这种情况下，凹陷317可被设置成露出第一基板100。
另外，堤状图案350可被设置成完全填充凹陷317。在这种情况下，堤状图案350可被设置成叠置第一电极120。例如，堤状图案350可被设置成叠置非发射区NEA中的第一电极120，而非凹陷317。也就是说，堤状图案350可不叠置凹陷317内的第一电极120，但本发明不限于此。
由于凹陷317被定位成露出第一基板100并且堤状图案350被设置成完全填充整个凹陷317，因此堤状图案350可有效吸收有机发光元件EL发射的光之中的向着相邻子像素行进的光。具体地，堤状图案350具有与外覆层310的竖直高度H2对应的竖直长度，使得堤状图案350可吸收沿着外覆层310行进的所有光。因此，堤状图案350可防止光向着不同的相邻子像素行进。
接下来，以下将参照图8至图10描述根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置。根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置可包括与以上提到的实施方式中的有机发光二极管显示装置的元件相同的元件。将省略与以上提到的实施方式中给出的描述相同的重复描述。另外，用相同的参考标号提供相同的元件。
图8是根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。图8示出一个子像素中的发射区(EA)和非发射区的与发射区(EA)相邻的部分。
多个微透镜布置在发射区(EA)中。多个微透镜中的每个可包括外覆层410的凹形部分411以及连接凹形部分411和与其相邻的另一个凹形部分411的连接部分412。另外，有机发光元件可设置在上面形成有多个微透镜的外覆层410上。
有机发光元件的第一电极和叠加在第一电极上的堤状图案设置在非发射区的与发射区EA相邻的部分中。本文中，堤状图案可被设置成叠加在非发射区中的外覆层410中形成的凹陷上。
在这种情况下，堤状图案可被设置成只填充各凹陷的部分。另外，有机发光元件的有机发光层和第二电极240可设置在包括堤状图案的子像素中。以下，将参照图9详细描述这个构造。
图9是沿着图8的C-D线截取的、根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置的剖视图。参照图9，根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置包括被划分成发射区EA和非发射区NEA的第一基板100。
发射区EA包括设置在外覆层410上的多个微透镜，并且微透镜中的每个由凹形部分411以及连接凹形部分411和另一个凹形部分的连接部分412构成。包括第一电极320、有机发光层230和第二电极240的有机发光元件EL设置在多个微透镜上。
另外，可在非发射区NEA或与非发射区NEA相邻的发射区EA中在外覆层410上形成至少一个台阶415。此外，非发射区NEA包括设置在外覆层410上的至少一个凹陷417。
虽然多个凹陷417在图9中被示出为设置在非发射区NEA中的外覆层410上，但本发明的第二实施方式不限于此，可在非发射区NEA中的外覆层410上设置一个凹陷417。
多个微透镜布置在发射区EA中，有机发光元件EL的第一电极320设置在具有形成在非发射区NEA中的多个凹陷417的外覆层410上。在这种情况下，第一电极320可被形成为具有与多个微透镜和多个凹陷417的表面形状对应的形貌。
此外，第一电极320可被设置成填充各凹陷417的部分。堤状图案450可被设置成填充凹陷417的其中设置第一电极320的部分。
堤状图案450可由透明有机材料或不透明有机材料形成。本文中，堤状图案450可限定子像素的发射区EA和非发射区NEA并且可防止子像素之间漏光。
有机发光层230和第二电极240设置在上面设置堤状图案450的第一基板100上。第二电极240可以是由高折射率材料形成的反射电极。本文中，有机发光层230和第二电极240还可具有与多个微透镜和多个凹陷417对应的形貌。
此外，有机发光元件EL的第二电极240和堤状图案450可防止有机发光元件EL发射的光之中的向着相邻子像素行进的光行进到不同的相邻子像素，从而防止漏光。以下，将参照图10描述此原理。
图10是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置中遏制漏光现象的原理的视图。参照图10，在根据本发明的第二实施方式的有机发光二极管显示装置中，有机发光元件EL发射的光由于非发射区NEA中的外覆层410和第一电极320之间的折射率差异而在其间的界面被折射并且输入第一电极320。输入第一电极320的光可被吸收到设置在第一电极320上的堤状图案450中或者透射通过堤状图案450。
已经穿过堤状图案450的光经由设置在堤状图案450上的有机发光层230到达第二电极240。本文中，第一电极320、堤状图案450和有机发光层230可具有近似的折射率差异，使得光可在其光学路径不改变的情况下行进。
此外，到达由反射材料形成的第二电极240的光可被吸收或反射。本文中，在光被第二电极240吸收的情况下，可以防止有机发光元件EL产生的光1000之中的向着相邻子像素引导的光沿着外覆层410行进到达发射具有不同颜色的光的子像素。
此外，在光被第二电极240反射的情况下，可借助布置在发射区EA中的微透镜，从第一基板100提取光。结果，可增强发射区EA中的光提取效率。
接下来，以下将参照图11描述本发明的第三实施方式。根据这个实施方式的有机发光二极管显示装置可包括与以上提到的实施方式中的有机发光二极管显示装置的元件相同的元件。将省略与以上提到的实施方式中给出的描述相同的重复描述。另外，为相同的元件提供相同的参考标号。
图11是根据本发明的第三实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。参照图11，在根据本发明的第三实施方式的有机发光二极管显示装置中，一个像素P可包括四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4。在这种情况下，子像素可分别发射具有不同颜色的光。
在根据第三实施方式的有机发光二极管显示装置中，通过堤状图案550将发射区和非发射区区分开。具体地，其中设置堤状图案550的区域可被定义为非发射区，其中没有设置堤状图案450的区域可被定义为发射区。
包括第一电极121、有机发光层(未示出)和第二电极(未示出)的有机发光元件可设置在发射区中，有机发光元件可延伸到非发射区的部分。
具体地，作为有机发光元件中的元件之一的第一电极121可设置在发射区中，并且可延伸到非发射区的与发射区相邻的部分。另外，有机发光层(未示出)和第二电极(未示出)可设置在有机发光二极管显示面板的有源区中，但本发明不限于此。
以下，将参照图12详细描述这个构造。图12是沿着图11的E-F线截取的剖视图。参照图12，在根据本发明的第三实施方式的有机发光二极管显示装置中，包括第一电极121、有机发光层130和第二电极140的有机发光元件EL设置在发射区EA中。
本文中，第一电极121可延伸到非发射区NEA的与发射区EA相邻的部分。具体地，外覆层110在非发射区NEA中或与非发射区NEA相邻的发射区EA中具有至少一个台阶15，并且至少一个凹陷117与这至少一个台阶115相邻。此外，位置与台阶115相邻的凹陷117连接到突起部分227。换句话讲，外覆层110包括位置与台阶115相邻的凹陷117和设置在凹陷117和台阶115之间的至少一个突起部分227。
有机发光元件EL的第一电极121可设置在非发射区NEA中的外覆层110的台阶115上，并且可进一步延伸到外覆层110的突起部分227的部分，该部分位于与台阶115相邻的凹陷117的起始点后面。
在这种情况下，第一电极121可以是反射电极。因此，有机发光层130发射的光的部分向着第二基板(未示出)输出，并且光的部分向着第一基板100输出。然而，向着第一基板100输出的光可被作为反射电极的第一电极121反射，以向着第二基板(未示出)行进并且可从第二基板提取。
此外，从有机发光层130发射的光可向着没有微透镜的非发射区NEA输出。在这种情况下，向着非发射区NEA输出的光可被作为反射电极的第一电极121反射，并且可被向着第二基板(未示出)提取，如图12中所示。
具体地，由于第一电极121延伸到位于与台阶115相邻设置的凹陷117的起始点后面的非发射区NEA中的外覆层110的突起部分227的部分，因此可用被第一电极121改变的光学路径将向着没有微透镜的非发射区NEA输出的光向着第二基板(未示出)提取出。
虽然第一电极121在图12中被示出为延伸到位于与台阶115相邻设置的凹陷117的起始点后面的非发射区NEA中的外覆层110的突起部分227的部分，但第一电极121可进一步延伸到凹陷117的部分。
另外，根据这个实施方式的微透镜的从凹形部分111到连接部分112的高度H3可小于从微透镜的凹形部分111到外覆层110的突起部分227的高度H4。据此，外覆层110的突起部分227上设置第一电极121的位置可高于微透镜的连接部分112上设置第一电极121的位置。
尽管这个实施方式的微透镜可具有图13中示出的剖面形状，但这个实施方式不限于此，并且微透镜可具有与以上提到的实施方式中的微透镜的剖面形状类似的剖面形状。
具体地，外覆层110的突起部分227上设置第一电极121的位置可比发射区EA中设置的微透镜的连接部分212上设置有机发光元件EL的位置高。这样可有助于有效从显示面板提取有机发光元件EL发射的光之中的向着非发射区NEA输出的光。
例如，在假定第一电极121只延伸到非发射区NEA的台阶115的情况下，光提取效率可低于根据这个实施方式的显示装置的光提取效率，因为有机发光元件EL发射的光之中的向着外覆层110的突起部分127输出的光被第一电极121反射，使得不可从显示面板提取它。
即，由于微透镜的从凹形部分111到连接部分112的高度H3小于从微透镜的凹形部分111到外覆层110的突起部分227的高度H4，因此有机发光二极管显示装置的光提取效率可增强。换句话讲，由于在外覆层110的突起部分227上设置第一电极121的位置可比发射区EA中设置的微透镜的连接部分112上设置有机发光元件EL的位置高，因此光提取效率可增强。
虽然第一电极121在图11和图12中被示出为反射电极，但第一电极121可由透明导电材料形成，并且可在第一电极121和外覆层110之间额外设置反射层，而不限于此。在这种情况下，反射层可按与第一电极121的形式相同的形式设置，以增强有机发光二极管显示装置的光提取效率。
接下来，以下将参照图13和图14描述根据本发明的第四实施方式的有机发光二极管显示装置。根据本发明的第四实施方式的有机发光二极管显示装置可包括与以上提到的实施方式中的有机发光二极管显示装置的元件相同的元件。将省略与以上提到的实施方式中给出的描述相同的重复描述。另外，为相同的元件提供相同的参考标号。
图13是根据本发明的第四实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。参照图13，在根据本发明的第四实施方式的有机发光二极管显示装置中，一个像素P可包括四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4。在根据第四实施方式的有机发光二极管显示装置中，可通过有机发光元件的第一电极和堤状图案550将发射区EA和非发射区NEA彼此区分开。
具体地，包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光元件可设置在发射区EA中。有机发光元件的有机发光层和第二电极可从发射区EA延伸到非发射区NEA。另外，非发射区NEA可包括其中设置堤状图案650的区域和其中没有设置堤状图案650的区域。
此外，由于有机发光元件的第一电极没有设置在非发射区NEA的其中没有设置堤状图案650的区域中，因此有机发光元件可不发射光。在非发射区NEA的其中没有设置堤状图案650的区域中也可不设置外覆层。换句话讲，外覆层可具有非发射区NEA的部分中的凹陷517或凹进。另外，堤状图案650可不设置在与外覆层的凹陷517或凹进对应的区域中。
以下，将参照图14详细描述这个构造。图14是沿着图13的G-H线截取的剖视图。参照图14，根据第四实施方式的有机发光二极管显示装置可包括设置在被划分成发射区EA和非发射区NEA的基板100上的滤色器层670。虽然在图14既示出其中设置滤色器层670的子像素又示出其中没有设置滤色器层670的子像素，但根据这个实施方式的有机发光二极管显示装置包括所有子像素都没有滤色器层670的构造和所有子像素中都设置有滤色器层670的构造。
外覆层610设置在滤色器层670和基板100上。外覆层610可在其与各发射区EA对应的区域中设置有多个微透镜，各微透镜包括多个凹形部分和多个凸形部分。另外，外覆层610可在与非发射区NEA对应的区域中包括一个或更多个凹陷517。
此外，包括第一电极320、有机发光层330和第二电极340的有机发光元件EL设置在外覆层610上，对应于发射区EA。本文中，第一电极320可由透明导电材料形成，第二电极340可由反射材料形成。由于第一电极320由透明导电材料形成并且第二电极340由反射材料形成，因此根据第四实施方式的有机发光二极管显示装置可实现底部发射型有机发光二极管显示装置。
另外，堤状图案650可仅仅设置在外覆层610上，对应于非发射区NEA。换句话讲，堤状图案650可不设置在非发射区NEA的与外覆层610的凹陷517对应的区域中。在这种情况下，堤状图案650可被设置成，使得外覆层610的侧表面的与外覆层610的凹陷617对应的区域被露出。
堤状图案650可由透明有机材料或不透明有机材料形成。即，能够区分发射区EA和非发射区NEA的材料将足够用于根据第四实施方式的有机发光二极管显示装置的堤状图案650。
此外，有机发光元件EL的有机发光层330和第二电极340可延伸到非发射区NEA。在这种情况下，有机发光层330和第二电极340可设置在与发射区EA相邻的非发射区NEA中的堤状图案650上。
有机发光层330和第二电极340可设置在外覆层610的凹陷517上。即，有机发光层330和第二电极340也可设置在与外覆层610的凹陷517对应的区域中的被堤状图案650露出的外覆层610的侧表面上。
换句话讲，由于外覆层610具有非发射区NEA中的一个或更多个凹陷517，因此其一个或更多个表面可以是倾斜表面611。因此，有机发光层330和第二电极340可具有与非发射区NEA中的外覆层610的倾斜表面611对应的倾斜表面。
即，作为反射电极的第二电极340可因为设置在外覆层610中的凹陷而具有凹形部分341和凸形部分642。在这种情况下，第二电极340的凹形部分341可被设置成对应于外覆层610的凹陷517。
当外覆层610具有非发射区NEA中的多个凹陷517时，第二电极340可具有非发射区NEA中的多个凹形部分341和多个凸形部分642。也就是说，作为反射电极的第二电极340可具有非发射区NEA中的光耦合结构。
虽然可从基板100提取设置在发射区EA中的有机发光元件EL发射的光的部分，但由于基板100和空气之间的折射率差异而造成的全反射，导致没有从基板100提取的光的部分被约束在显示装置内。
具体地，在设置在发射区EA中的有机发光元件EL发射的光之中，由于因基板100和基板100外部的空气之间的折射率差异而造成的基板100和空气之间的边界处的全反射，导致入射角大于或等于全反射临界角(例如，60°)的入射到基板100的光被约束在基板100内，而没有被从基板100提取出。即，入射角大于或等于全反射临界角的入射到基板100的光损失，而没有被从基板100提取出。
然而，由于根据这个实施方式的有机发光二极管显示装置具有作为反射电极的第二电极340具有非发射区NEA中的多个凹形部分341和多个凸形部分642的光耦合结构，因此可增强光提取效率。
具体地，由于外覆层610具有非发射区NEA中的凹陷517，因此第二电极340可具有第二电极340具有非发射区NEA中的多个凹形部分341和多个凸形部分642的光耦合结构。此外，在设置在发射区EA中的有机发光元件EL发射的光之中，入射角大于或等于全反射临界角的入射到基板100的光可在基板100和空气之间的界面处被全反射，到达非发射区NEA中的第二电极340的倾斜表面(本文中，光学路径没有变化太多，因为有机发光层330具有与第二电极340的折射率几乎相同的折射率)。到达非发射区NEA中的第二电极340的倾斜表面的光可被作为反射电极的第二电极340反射，并且可以小于或等于全反射临界角的入射角输入基板100，以被从基板100提取出。
此外，外覆层610中设置的凹陷517的高度可与非发射区NEA中的外覆层610的竖直长度相同。即，凹陷517可被设置成露出基板100的表面，如图14中所示。然而，本实施方式不限于此，并且在基板100和外覆层610之间设置其他绝缘层的情况下，外覆层610的凹陷517可被设置成露出与外覆层610相邻的绝缘层的表面。
由于外覆层610的凹陷517的高度与非发射区NEA中设置的外覆层610的竖直高度相同，因此通过凹陷517提供的外覆层610的倾斜表面611的表面面积变大。因此，设置在外覆层610的倾斜表面611上的第二电极340的表面面积也变大，使得可以有效反射向着与在基板100和空气之间的界面处被全反射的光相邻的另一个发射区EA行进的光。
换句话讲，当第二电极340具有大表面面积时，在基板100和空气之间的界面处被全反射的光可到达第二电极的面积变大，并且相比于当第二电极340具有小表面面积时，向着相邻发射区EA行进的光可到达第二电极340的面积变大，这样可以从基板100提取较大量的光。
如上所述，根据这个实施方式的有机发光二极管显示装置使用具有非发射区NEA中设置的倾斜表面的第二电极340，反射有机发光元件EL发射的光之中的、入射角大于或等于全反射临界角的入射到基板100的光，以从基板100提取反射光，从而增强有机发光二极管显示装置的发光效率。
另外，在发射区EA外部的有机发光元件EL发射的光之中，向着另一个相邻发射区EA输出的光被具有设置在不同发射区EA之间的倾斜表面的第二电极340反射并且被从基板100提取出。因此，可以防止因向着相邻反射区EA行进的光造成的、子像素之间的漏光现象。
虽然根据第四实施方式(参见图13)的有机发光二极管显示装置中与各个发射区EA相邻设置的外覆层的凹陷517具有相同大小，但本发明不限于此，并且凹陷可具有如图15中所示的不同大小。以下，将参照图15详细描述这个构造。
图15是根据本发明的第五实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。根据本发明的第五实施方式的有机发光二极管显示装置可包括与以上提到的实施方式中的有机发光二极管显示装置的元件相同的元件。将省略与以上提到的实施方式中给出的描述相同的重复描述。另外，为相同的元件提供相同的参考标号。
参照图15，根据第五实施方式的有机发光二极管显示装置可包括具有非发射区NEA的部分中的多个凹陷517和518的外覆层。在这种情况下，非发射区NEA中设置的多个凹陷517和518可具有不同大小。
例如，与一个发射区相邻设置的第一凹陷518的大小可大于与另一个发射区相邻设置的第二凹陷517。例如，第一凹陷518可比第二凹陷517宽。这样可有助于增强具有比其他发射区低的光提取效率的发射区的光提取效率。
虽然第一凹陷518和第二凹陷517在图15中被示出为对应于发射区外部的部分区域，但本实施方式不限于此，并且第一凹陷518或第二凹陷517可被设置成包围发射区。
接下来，以下将参照图16描述根据本发明的第六实施方式的有机发光二极管显示装置。图16是根据本发明的第六实施方式的有机发光二极管显示装置的平面图。根据本发明的第六实施方式的有机发光二极管显示装置可包括与以上提到的实施方式中的有机发光二极管显示装置的元件相同的元件。将省略与以上提到的实施方式中给出的描述相同的重复描述。另外，为相同的元件提供相同的参考标号。
参照图16，在根据第六实施方式的有机发光二极管显示装置中，外覆层的凹陷517可只设置在与一个像素P中的特定发射区的外周对应的区域中。具体地，在根据第六实施方式的有机发光二极管显示装置中，外覆层的凹陷517可只设置在与设置在一个像素P中的多个发射区中的特定区域的外周对应的区域中，而可不设置在与剩余发射区的外周对应的区域中。
这样可有助于增强所期望的发射区的光提取效率。即，根据第六实施方式的有机发光二极管显示装置可通过外覆层的凹陷517以发射区为单元来调节光提取效率。
接下来，下文中将描述应用根据本发明的实施方式的子像素的有机发光二极管显示装置的一个像素。图17是应用根据本发明的实施方式的子像素的有机发光二极管显示装置的像素的剖视图。
图17的有机发光二极管显示装置可包括与以上提到的实施方式中的有机发光二极管显示装置的元件相同的元件。将省略与以上提到的实施方式中给出的描述相同的重复描述。另外，为相同的元件提供相同的参考标号。
参照图17，应用根据本发明的子像素的有机发光二极管显示装置的一个像素P包括四个子像素。虽然像素P在图17中被示出为包括四个子像素，但本发明不限于此，并且像素P可包括两个或三个子像素。
在图17中，像素P可包括四个子像素，各子像素可包括一个发射区EA和一个非发射区NEA。本文中，多个微透镜布置在外覆层110上的各发射区EA中，多个凹陷117布置在外覆层110上的各非发射区NEA中。另外，有机发光元件EL的第一电极120设置在上面布置多个微透镜和多个凹陷117的第一基板100上。
在这种情况下，第一电极120可设置在发射区EA中和非发射区NEA的部分中。尽管第一电极120在图13中被示出为设置在多个凹陷117内，但根据本发明的有机发光二极管显示装置的第一电极120的布置不限于此，第二电极120可只设置在多个凹陷117中的一些内，或者可只设置在发射区EA中。
堤状图案150被设置成填充多个凹陷117。在这种情况下，堤状图案150可由不透明有机材料形成。当有机发光元件EL发射的光向着相邻子像素行进时，堤状图案150可用于吸收光，以防止光到达不同的相邻子像素。
此外，本实施方式不限于此，堤状图案150可具有与多个凹陷117的形貌对应的形状。在这种情况下，尽管在附图中未示出，但有机发光元件EL的第一电极120还可被构造成对应于多个凹陷117的形貌。此外，第一电极120可被设置成叠加在所有这多个凹陷117上，而不是多个凹陷117中的一些上。然而，第一电极120可不设置在子像素之间的边界处。
如上所述，在根据本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置中，非发射区NEA中的外覆层具有至少一个凹陷，并且堤状图案被设置成叠加在凹陷上，从而使得可以防止有机发光元件发射的光向着发射具有不通过颜色的光的像素行进，造成漏光现象。
另外，在根据本发明的实施方式的有机发光二极管显示装置中，非发射区NEA中的外覆层具有至少一个凹陷，并且反射电极沿着凹陷的形状设置，这样可以吸收有机发光元件发射的光之中的、向着发射具有不同颜色的光的子像素行进的光，从而防止漏光，或者反射向着子像素行进的光，从而增强光提取效率。
结合实施方式描述的特定特性、结构或效果被包括在本发明的至少一个实施方式中，并不是在所有实施方式中都是必要的。此外，本发明的任何特定实施方式的特定特性、结构或效率可按任何合适方式与一个或更多个其他实施方式组合，或者可由实施方式所属领域的技术人员进行改变。因此，要理解，与这些组合或改变关联的内容落入本发明的精神和范围内。
虽然已经参照一些示例性实施方式描述了本发明，但应该理解，这些实施方式只以例证方式给出，并不限制本发明的范围，并且在本发明的精神和范围内，本领域的技术人员可进行各种修改、变化和改变。例如，可修改实施方式中具体示出的组件。
对参考编号的描述
100：基板
110：外覆层
111：凹形部分
112：连接部分
117：凹陷
120：第一电极
130：有机发光层
140：第二电极
150：堤状图案
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年10月30日提交的韩国专利申请No.10-2015-0152637、2016年6月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0083121、2016年10月21日提交的韩国专利申请No.10-2016-0137889的优先权，其特此出于所有目的以引用方式并入，视同在本文中完全阐明。

Claims (26)

1.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括：
基板，其被划分成发射区和非发射区；
外覆层，其设置在所述基板的所述发射区和所述非发射区上方，并且所述外覆层在所述非发射区中具有凹陷并在所述发射区中具有多个微透镜；
第一电极，其设置在所述外覆层上方；
有机发光层，其设置在所述第一电极上方；以及
第二电极，其设置在所述有机发光层上方；
其中，所述非发射区中的所述凹陷的高度高于设置在所述发射区中的所述微透镜的凹形部分的高度，以将从所述有机发光层发射的光反射到所述发射区。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置还包括所述非发射区或与所述非发射区相邻的发射区中的外覆层上的至少一个台阶。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述多个微透镜在所述发射区中包括至少一个凹形部分和至少一个凸形部分，并且
其中，所述发射区中的所述凸形部分的顶表面和所述凹形部分的底表面之间的竖直长度小于所述凹形部分的底表面和所述非发射区中的包括所述凹陷的所述外覆层的顶表面之间的竖直长度。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述多个微透镜在所述发射区中包括至少一个凹形部分和至少一个凸形部分，并且
其中，在发射区中，所述外覆层的顶表面是所述凸形部分的顶表面。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述多个微透镜在所述发射区中包括至少一个凹形部分和至少一个凸形部分，并且
其中，所述有机发光层在所述凹形部分处发射的光比在所述凸形部分处发射的光更弱。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置还包括：
堤状图案，其被设置在所述非发射区中的所述外覆层上方，以及
滤色器，其被设置在所述发射区中的所述基板和所述外覆层之间。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述滤色器的边缘朝所述非发射区延伸超出与所述非发射区相邻的微透镜的边缘。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述滤色器和所述堤状图案在非发射区中彼此交叠。
9.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述滤色器和所述微透镜在所述发射区中彼此交叠。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述多个微透镜包括设置在所述发射区中的多个凹形部分，
其中，所述多个凹形部分沿着第一方向的线设置并沿着与所述第一方向相交的第二方向交错设置。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述多个微透镜包括多个凹形部分以及将彼此相邻的所述凹形部分连接的连接部分，并且
其中，所述连接部分是凸形部分。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述连接部分在平面视图中具有六边形或蜂窝状结构。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电极从所述发射区上方的所述外覆层的顶表面开始在所述非发射区上方的所述外覆层的顶表面上方延伸。
14.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，
所述外覆层还包括所述非发射区中的至少一个凹陷，
所述多个微透镜在所述发射区中包括至少一个凹形部分和至少一个凸形部分，并且
所述至少一个凹陷的形状与所述多个微透镜的凹形部分的形状不同。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，
其中，所述至少一个凹陷被设置为平面视图中的线状。
16.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置还包括堤状图案，所述堤状图案被设置在所述外覆层上方以与所述非发射区中的至少一个凹陷交叠。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置还包括设置在所述非发射区中的薄膜晶体管，
其中，所述第一电极被设置为经由形成在所述外覆层中的接触孔连接至所述薄膜晶体管，
其中，在平面视图中所述至少一个凹陷的形状与所述凹形部分的形状不同。
18.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示装置，其中，被所述堤状图案覆盖的所述至少一个凹陷的高度高于设置在所述发射区中的凹形部分的高度。
19.根据权利要求17或18所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述堤状图案被设置成填充所述至少一个凹陷。
20.根据权利要求16至18中的任一项所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述堤状图案由不透明有机材料形成。
21.根据权利要求14至18中的任一项所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述至少一个凹陷的高度小于所述外覆层在所述非发射区中的竖直长度。
22.根据权利要求14至18中的任一项所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述至少一个凹陷的高度与所述外覆层在所述非发射区中的竖直长度相等。
23.根据权利要求16至18中的任一项所述的有机发光二极管显示装置，
其中，所述第一电极还被设置在所述至少一个凹陷上方并且具有根据所述非发射区中的所述至少一个凹陷的形状，并且
其中，所述堤状图案设置在所述非发射区中的所述第一电极和所述有机发光层之间。
24.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电极朝向所述至少一个台阶延伸。
25.根据权利要求16至18中的任一项所述的有机发光二极管显示装置，其中，在平面视图中，所述至少一个凹陷包围所述发射区。
26.根据权利要求16至18中的任一项所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二电极是反射电极。
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