CN114975821A - 显示面板及其制作方法、和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种显示面板及其制作方法、和显示装置,显示面板包括:基板;第一电极层,第一电极层设于基板的一侧,并包括反射聚光部;以及,发光功能层,发光功能层设于第一电极层背离基板的一侧,并覆盖反射聚光部;其中,反射聚光部用于对发光功能层发射的且入射至反射聚光部的第一光线进行反射,并使第一光线的反射光向出光方向聚集,出光方向为发光功能层背离基板的方向,从而使得从显示面板中出射的光线增多,提高了显示面板的出光效率。
Description
【技术领域】
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法、和显示装置。
【背景技术】
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板由于具有自发光、低工作电压、轻薄、可柔性化等优点,在显示等领域应用广泛。
但是,现有OLED显示面板的出光效率有待提高。
【发明内容】
本申请实施例提供了一种显示面板及其制作方法、和显示装置,以提高显示面板的出光效率。
为了解决上述问题,本申请实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括:基板;第一电极层,第一电极层设于基板的一侧,并包括反射聚光部;以及,发光功能层,发光功能层设于第一电极层背离基板的一侧,并覆盖反射聚光部;其中,反射聚光部用于对发光功能层发射的且入射至反射聚光部的第一光线进行反射,并使第一光线的反射光向出光方向聚集,出光方向为发光功能层背离基板的方向。
其中,显示面板还包括:像素定义层,像素定义层设于基板朝向第一电极层的一侧,并包括像素开口;其中,发光功能层至少部分位于像素开口中,且反射聚光部在基板上的正投影至少部分位于像素开口在基板上的正投影内。
其中,反射聚光部朝向发光功能层的表面包括凹面。
其中,凹面的垂直于基板的截面形状为弧形。
其中,基板朝向第一电极层的表面,在对应于反射聚光部位置形成有第二凹槽;并且,第一电极层对应于发光功能层位置的局部,沿朝向基板的方向凹陷至第二凹槽,而在第一电极层背离基板的表面上形成第一凹槽;其中,凹面为第一凹槽的内壁面。
其中,第二凹槽的深度小于或等于第一电极层的厚度。
其中,基板包括衬底、设于衬底一侧的薄膜晶体管层、以及设于薄膜晶体管层背离衬底的一侧的平坦层,第一电极层位于平坦层背离薄膜晶体管层的一侧,且第二凹槽形成于平坦层背离薄膜晶体管层的表面上。
为了解决上述问题,本申请实施例还提供了一种显示面板的制作方法,该显示面板的制作方法包括:在基板的一侧形成第一电极层,第一电极层包括反射聚光部;以及,在第一电极层背离基板的一侧形成发光功能层,发光功能层覆盖反射聚光部;其中,反射聚光部用于对发光功能层发射的且入射至反射聚光部的第一光线进行反射,并使第一光线的反射光向出光方向聚集,出光方向为发光功能层背离基板的方向。
其中,在基板的一侧形成第一电极层的步骤,具体包括:形成基板,包括:提供衬底,在衬底的一侧形成薄膜晶体管层,以及,在薄膜晶体管层背离衬底的一侧形成平坦层;通过预设半色调掩膜版的半透光部分,对平坦层进行刻蚀,以在平坦层背离薄膜晶体管层的表面上形成第二凹槽;在平坦层背离薄膜晶体管层的一侧上形成第一电极层,第一电极层的局部沿朝向平坦层的方向凹陷至第二凹槽,以在第一电极层背离平坦层的表面上形成第一凹槽,而得到包括第一凹槽的反射聚光部。
为了解决上述问题,本申请实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述任一项的显示面板。
本申请的有益效果是:区别于现有技术,本申请提供的显示面板及其制作方法、和显示装置,通过使显示面板中的像素电极包括反射聚光部,且反射聚光部能够对发光功能层发射的且入射至反射聚光部的第一光线进行反射,并使第一光线的反射光向出光方向聚集,从而使得从显示面板中出射的光线增多,提高了显示面板的出光效率,并有利于提高显示面板的能效。
【附图说明】
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的剖面结构示意图;
图2是另一实施例提供的显示面板的剖面结构示意图;
图3是本申请实施例提供的显示面板的另一剖面结构示意图;
图4是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图;
图5是本申请实施例提供的通过预设半色调掩膜版对平坦层进行刻蚀时的剖面结构示意图;
图6是本申请实施例提供的形成第二凹槽后的剖面结构示意图;
图7是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施例,对本申请作进一步地详细描述。特别指出的是,以下实施例仅用于说明本申请,但不对本申请的范围进行限定。同样的,以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
请参阅图1,图1是本申请实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。如图1所示,该显示面板10包括基板11、第一电极层12和发光功能层13。第一电极层12设于基板11的一侧,并包括反射聚光部12A。发光功能层13设于第一电极层12背离基板11的一侧,并至少覆盖反射聚光部12A,从而使得发光功能层13所发射的光线能够至少有部分入射至反射聚光部12A。
在本实施例中,反射聚光部12A能够对发光功能层13发射的且入射至反射聚光部12A的第一光线L1进行反射,并使第一光线L1的反射光L2向出光方向聚集。其中,出光方向为发光功能层13背离基板11的方向(也即,图1中示出的Z方向)。
可以理解的是,相比较于图2所示的显示面板20中,像素电极22对应于发光功能层23位置的部分为平面结构,因而该像素电极22只能对发光功能层23发射的且入射至像素电极22的第二光线L3进行反射,而无法使该第二光线L3的反射光向出光方向(也即,图2中示出的Z方向)聚集,进而导致发光功能层23所发射的且入射至像素电极22的光线会有相当一部分(比如,图2中示出的第二光线L3)在经像素电极22反射后无法从显示面板20中射出,最终影响显示面板20的出光效率。本实施例提供的显示面板10中,像素电极(即第一电极层12)对应于发光功能层13位置的部分包括具有反射及聚光作用的反射聚光部12A,使得该第一电极层12不仅能够对发光功能层13发射的且入射至第一电极层12的第一光线L1进行反射,还能够使得该第一光线L1的反射光L2向出光方向聚集,从而能够至少在一定程度上解决上述显示面板20中由于发光功能层23所发射的且入射至像素电极22的光线会有相当一部分在经像素电极22反射后无法从显示面板20中射出而导致显示面板20的出光效率低下的问题,也即,使得显示面板中发光功能层所发射的原先经像素电极反射后无法从显示面板中射出的至少部分光线,能够被像素电极中的反射聚光部反射至显示面板外部,以提高显示面板的出光效率。
在一个具体实施例中,如图1所示,上述显示面板10还可以包括像素定义层14,像素定义层14设于基板11朝向第一电极层12的一侧,并包括像素开口141。其中,发光功能层13可以至少部分位于像素开口141中,且反射聚光部12A可以在基板11上对应于像素开口141位置设置。
具体地,上述像素开口141的数量可以为多个,多个像素开口141可以间隔设置,以限定上述显示面板10的多个像素区域。上述第一电极层12的数量也可以为多个,且多个第一电极层12间隔设置,并可以分别与多个像素开口141对应设置。
在一些具体实施例中,一个第一电极层12可以包括一个或多个反射聚光部12A。并且,在一个第一电极层12包括多个反射聚光部12A的实施例中,该第一电极层12中的多个反射聚光部12A可以在对应于发光功能层13位置均匀分布,或者可以在对应于像素开口141底表面位置均匀分布,以减少反射聚光部12A对显示面板10的亮度均匀性的影响。
具体地,上述第一电极层12中的各个反射聚光部12A在基板11上的正投影可以至少部分位于其对应的像素开口141在基板11上的正投影内。在一个具体示例中,上述第一电极层12中的各个反射聚光部12A在基板11上的正投影可以部分或全部位于其对应的像素开口141的底表面在基板11上的正投影内。
在一个具体应用场景中,如图1所示,一个第一电极层12可以包括一个反射聚光部12A,且该反射聚光部12A在基板11上的正投影可以与其对应的像素开口141底表面在基板11上的正投影完全重叠,从而使得反射聚光部12A对发光功能层13所发射的且入射至像素开口141底表面的光线均能够起到反射及聚光的作用,以使发光功能层13所发射的且入射至像素开口141底表面的光线能够尽可能多地在经反射聚光部12A反射及聚光后从显示面板10中射出,因而能够有效提升显示面板的出光效率。
在本实施例中,上述第一电极层12可以为单层结构,也可以为叠层结构。并且,一个第一电极层12能够在上述显示面板10中向一个像素(比如,红色像素、绿色像素或蓝色像素)提供阳极的至少部分结构。
具体地,在上述第一电极层12为单层结构的实施例中,一个第一电极层12能够在上述显示面板10中向一个像素提供阳极的反射电极层。相应地,上述显示面板10还可以包括第一透明电极层(图中未示出)和/或第二透明电极层(图中未示出),其中,第一透明电极层可以设于发光功能层13与为单层结构的上述第一电极层12之间,且第二透明电极层可以设于基板11与为单层结构的上述第一电极层12之间,从而在竖直方向Z上,一个为单层结构的第一电极层12、以及与该第一电极层12层叠设置的一个第一透明电极层和/或一个第二透明电极层,能够在上述显示面板10中共同向一个像素提供阳极。
具体地,在上述第一电极层12为叠层结构的实施例中,一个第一电极层12能够在上述显示面板10中向一个像素提供阳极的全部结构。相应地,为叠层结构的上述第一电极层12可以包括反射电极层(图中未示出),还可以包括设于该反射电极层与发光功能层13之间的上述第一透明电极层、和/或设于该反射电极层与基板11之间的上述第二透明电极层,从而使得一个第一电极层12即可在上述显示面板10中向一个像素提供阳极的完整结构。
其中,上述第一透明电极层和第二透明电极层的材质可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导电材料,上述反射电极层的材质可以包括银、铝等高反射率的金属材料。
在本实施例中,如图1所示,上述显示面板10还可以包括第二电极层15,第二电极层15设于发光功能层13背离第一电极层12的一侧。第二电极层15的材质可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导电材料。
具体地,第二电极层15的数量可以为多个,且多个第二电极层15间隔设置,并可以分别与多个上述像素开口141对应设置。并且,一个第二电极层15能够在上述显示面板10中向一个像素(比如,红色像素、绿色像素或蓝色像素)提供阴极。
在本实施例中,显示面板10中的像素可以具体为有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)或其他类型的发光器件。
具体地,上述发光功能层13可以包括发光层,并且,根据发光功能层13的设计需要,发光功能层13还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的至少一种。
并且,可以理解的是,本实施例提供的显示面板10中,一个像素开口141能够在基板11上定义出一个像素区域,且位于该像素开口141内的发光功能层13、以及与该像素开口141对应设置的一个第一电极层12、一个第二电极层15和其他可能有的膜层(比如,所述第一透明电极层和第二透明电极层等),能够在上述显示面板10中共同构成一个像素。当显示面板10在显示画面,需要某一个像素点亮时,该像素内的发光功能层13发射的光会有一部分直接传输至显示面板的外部,且还会有一部分经上述第一电极层12中的反射聚光部12A反射并聚光后传输至显示面板的外部,以进行显示。
在上述实施例中,为了实现上述第一电极层12中的反射聚光部12A对上述发光功能层13所发射的入射至该反射聚光部12A的光线的反射及聚光作用,上述第一电极层12中反射聚光部12A朝向发光功能层13的表面可以包括凹面,从而使得该反射聚光部12A能够提供在竖直方向Z上与发光功能层12对应设置的凹面镜结构。并且,当上述发光功能层13发射的光入射至该凹面镜结构上时,该凹面镜结构的凹面能够将光会聚后反射回去,从而起到提高上述显示面板10的出光效率的作用。
在一个具体应用场景中,如图1所示,上述第一电极层12中反射聚光部12A朝向发光功能层13的表面可以整体为凹面。相应地,一个上述反射聚光部12A即为在竖直方向Z上与上述发功能层12对应设置的一个凹面镜结构。
具体地,上述凹面的垂直于基板11的截面形状可以为弧形、U形、V形、倒梯形等上宽下窄的几何形状。上述凹面的形状可以为部分球形、部分椭圆形、锥形、圆台形或部分圆柱形等凹面形状。
在一些具体实施例中,上述凹面的深度可以小于或等于上述第一电极层12的厚度,以避免由于上述第一电极层12背离基板11的表面在对应于发光功能层13位置凹陷的深度过大,而导致第一电极层12局部的段位差和电阻增大,进而影响上述第一电极层12的导电性能。
并且,具体实施时,如图1所示,上述第一电极层12背离基板11的表面,可以在对应发光功能层13位置沿朝向基板11的方向凹陷,而在上述第一电极层12背离基板11的表面上对应于发光功能层13位置形成第一凹槽121。其中,上述反射聚光部12A的凹面可以具体为该第一凹槽121的内壁面。
在上述实施例中,如图1所示,上述基板11朝向第一电极层12的表面,可以在对应于上述反射聚光部12A位置形成有第二凹槽,且上述反射聚光部12A可以至少有部分填充于该第二凹槽内。
其中,上述第一电极层12背离基底11的表面与上述基底11朝向第一电极层12的表面可以共形,以将上述第二凹槽的图案复制到上述第一电极层12背离基底11的表面,从而得到形成于上述第一电极层12背离基板11的表面上的上述第一凹槽121。也即,上述第二凹槽与上述第一凹槽121能够相适配,换言之,上述第二凹槽与上述第一凹槽121可以具有相同的形状和尺寸。
在一个具体示例中,如图1所示,上述第一电极层12在基板11上各部分的厚度可以相等或基本相等,且上述第一电极层12对应于发光功能层13位置的局部可以沿朝向基板11的方向凹陷至上述第二凹槽,并至少部分填充该第二凹槽,而在上述第一电极层12背离基板11的表面上形成上述第一凹槽121。其中,上述反射聚光部12A可以具体为上述第一电极层12对应于发光功能层13位置的且形成有上述第一凹槽121的局部。
并且,与上述凹面的深度小于或等于上述第一电极层12的厚度同理,上述第一凹槽121的深度以及上述第二凹槽的深度也可以小于或等于上述第一电极层12的厚度,以减小上述第一凹槽121和第二凹槽的形成对上述第一电极层12的导电性能所造成的影响。
在上述实施例中,如图1所示,上述基板11可以具体为薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)基板11。具体地,TFT基板11可以包括衬底111、设于衬底111一侧的薄膜晶体管层、以及设于薄膜晶体管层背离衬底111的一侧的平坦层112。并且,上述第一电极层12可以位于平坦层112背离薄膜晶体管层的一侧上,且上述第二凹槽可以形成于平坦层112背离薄膜晶体管层的表面上。其中,上述薄膜晶体管层可以包括多个薄膜晶体管(比如,驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管)和多个电容(比如,存储电容)。
在一个具体实施例中,如图1所示,上述TFT基板11可以包括衬底111、以及依次设置于衬底111上的半导体层113、第一金属层114、第二金属层115和第三金属层116。其中,衬底111可以为玻璃或者硬质的树脂,也可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜基板等有机聚合物中的一种。半导体层113(比如,低温多晶硅层)能够在TFT基板11中向薄膜晶体管提供有源层,第一金属层114能够在TFT基板11中向薄膜晶体管提供栅极,还可以在TFT基板11中向电容提供一个电极,第二金属层115能够在TFT基板11中向电容提供另一个电极,第三金属层116能够在TFT基板11中向薄膜晶体管提供源极和漏极。
具体地,上述TFT基板11还可以包括设于半导体层113和第一金属层114之间的第一绝缘层117、设于第一金属层114和第二金属层115之间的第二绝缘层118以及设于第二金属层115和第三金属层116之间的层间介质层119。在一些具体实施例中,上述TFT基板11还可以包括设于衬底111上的缓冲层110,且上述薄膜晶体管层位于该缓冲层110上,其中,该缓冲层110能够改善衬底111上所形成膜层的质量,以提高产品的可靠性和良率。
具体地,上述平坦层112可以设于层间介质层119背离衬底111的一侧上,并覆盖第三金属层116。上述第一电极层12可以通过层间过孔与薄膜晶体管层中薄膜晶体管的源极或漏极电连接,并且,该层间过孔在衬底111上的正投影与上述第二凹槽在衬底111上的正投影可以不重叠,以使得该层间过孔和上述第二凹槽能够在同一道构图工艺中制得,从而能够降低生产成本。
需要说明的是,在一些替代上述基板11朝向第一电极层12的表面在对应于上述反射聚光部12A位置形成有上述第二凹槽的实施例中,如图3所示,上述基板11朝向第一电极层12的表面在对应于上述反射聚光部12A位置还可以呈平面形状,而不形成上述第二凹槽。相应地,上述平坦层112朝向第一电极层12的表面在对应于上述反射聚光部12A位置也会呈平面形状,上述反射聚光部12A朝向上述基底11的表面也会呈平面形状。并且,上述第一凹槽121或上述反射聚光部12A朝向发光功能层13的表面所包含的凹面可以通过对上述第一电极层12对应于发光功能层13位置的局部从上述第一电极层12背离基板11的一侧进行减薄处理而得到。
在上述实施例中,如图1所示,上述显示面板10还可以包括支撑垫16,支撑垫16位于上述像素定义层14背离基板11的一侧上,并能够在形成上述发光功能层13的工艺步骤中起到支撑掩膜的作用。
在一些实施例中,上述显示面板10还可以包括薄膜封装层(图中未示出),该薄膜封装层位于像素定义层14和第二电极层15背离基板11的一侧,用以保护上述显示面板10中的像素。
本申请实施例中的显示面板,通过使显示面板中的像素电极包括反射聚光部,且反射聚光部能够对发光功能层发射的且入射至反射聚光部的第一光线进行反射,并使第一光线的反射光向出光方向聚集,从而使得从显示面板中出射的光线增多,提高了显示面板的出光效率,并有利于提高显示面板的能效。
请参阅图4,图4为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图,请同时参阅图1、图3、图5和图7,图1和图3是根据本申请实施例提供的显示面板的制作方法制作而成的显示面板的结构示意图,图5是本申请实施例提供的通过预设半色调掩膜版对平坦层进行刻蚀时的剖面结构示意图,图6是本申请实施例提供的形成第二凹槽后的剖面结构示意图。如图1、图3、图5和图6所示,本申请实施例提供的显示面板的制作方法具体流程可以如下:
步骤S11:在基板11的一侧形成第一电极层12,第一电极层12包括反射聚光部12A。
其中,上述步骤S11可以具体包括:
步骤S111:形成基板11,基板11包括衬底111、设于衬底111一侧的薄膜晶体管层、以及设于薄膜晶体管层背离衬底111的一侧的平坦层112。
具体地,上述步骤S111可以具体包括:
步骤S1-1:提供衬底111。
其中,衬底111可以为玻璃或者硬质的树脂,也可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜基板等有机聚合物中的一种。
步骤S1-2:在衬底111的一侧形成薄膜晶体管层。
其中,上述薄膜晶体管层可以包括多个薄膜晶体管(比如,驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管)和多个电容(比如,存储电容)。
步骤S1-3:在薄膜晶体管层背离衬底111的一侧形成平坦层112。
其中,平坦层112的材质可以为有机光阻材料。并且,具体实施时,可以通过将有机光阻材料涂布于上述薄膜晶体管层背离衬底111的表面上,而形成上述平坦层112。
步骤S112:通过预设半色调掩膜版30的半透光部分31,对平坦层112进行刻蚀,以在平坦层112背离薄膜晶体管层的表面上形成第二凹槽112A。
具体地,如图5所示,上述预设半色调掩膜版30(Half Tone mask)可以包括半透光部分31,还可以包括完全透光部分32和遮光部分33,从而使得上述预设半色调掩膜版30能够用于至少两种目标图案的制作。
在一个具体实施例中,上述预设半色调掩膜版30(Half Tone mask)的半透光部分31和完全透光部分32可以分别用于制作凹槽和通孔。
具体地,如图5所示,在通过上述预设半色调掩膜版30的半透光部分31对上述平坦层112进行刻蚀时,可以先将上述预设半色调掩膜版30固设于上述平坦层112背离薄膜晶体管层的一侧,然后通过上述半色调掩膜版30的半透光部分31,对上述平坦层112进行刻蚀,以在上述平坦层112背离薄膜晶体管层的表面上形成上述第二凹槽112A(如图6所示)。
在一些具体实施例中,如图6所示,上述第二凹槽112A的内壁面可以整体为凹面。并且,为了确保通过上述预设半色调掩膜版30的半透光部分31对上述平坦层112进行刻蚀所形成的第二凹槽112A的内壁面能够整体为凹面,如图5所示,上述预设半色调掩膜版30的半透光部分31的厚度,可以由该半透光部分31的中间位置向着该半透光部分31的边缘位置逐渐减小。
在一些具体实施例中,如图6所示,在通过上述半色调掩膜版30的半透光部分31,对上述平坦层112进行刻蚀,以在上述平坦层112背离薄膜晶体管层的表面上形成上述第二凹槽112A时,上述显示面板的制作方法还可以包括:通过上述半色调掩膜版30的完全透光部分31,对上述平坦层112进行刻蚀,以在上述平坦层112背离薄膜晶体管层的表面上形成层间过孔112B。也即,可以在形成上述第二凹槽112A的同时,形成上述层间过孔112B。具体地,该层间过孔112B能够用于实现后续工艺中形成的第一电极层12与上述薄膜晶体管层中薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
步骤S113:在平坦层112背离薄膜晶体管层的一侧上形成第一电极层12,第一电极层12的局部沿朝向平坦层112的方向凹陷至第二凹槽112A,以在第一电极层112背离平坦层112的表面上形成第一凹槽121,而得到包括第一凹槽121的反射聚光部12A。
具体地,可以采用磁控溅射工艺,在平坦层112背离薄膜晶体管层的一侧形成第一电极材料层,然后可以采用光刻工艺,对该第一电极材料层进行图案化处理,以至少保留对应于上述第二凹槽112A位置的第一电极材料层,而得到间隔设置的多个上述第一电极层12。
可以理解的是,上述第一电极材料层背离上述平坦层112的表面与上述平坦层112朝向上述第一电极材料层的表面可以共形,以将上述第二凹槽112A的图案复制到上述第一电极材料层背离上述平坦层112的表面,从而得到位于对应于上述第二凹槽112A位置的第一电极材料层背离上述平坦层112的表面上的上述第一凹槽121。
步骤S12:在第一电极层12背离基板11的一侧形成发光功能层13,发光功能层13覆盖反射聚光部12A,其中,反射聚光部12A用于对发光功能层13发射的且入射至反射聚光部12A的第一光线L1进行反射,并使第一光线L1的反射光向出光方向聚集,出光方向为发光功能层13背离基板11的方向。
在上述实施例中,如图1所示,上述显示面板的制作方法还可以包括:
步骤S13:在基板11朝向第一电极层12的一侧上形成像素定义层14,像素定义层14包括像素开口141,其中,发光功能层13至少部分位于像素开口141中,且反射聚光部12A在基板11上的正投影至少部分位于像素开口141在基板11上的正投影内。
具体地,可以采用薄膜沉积工艺,在基板11中平坦层112背离衬底111的一侧上沉积形成像素定义层薄膜,然后对像素定义层薄膜进行图案化处理,以得到包括多个像素开口141的像素定义层14。
其中,薄膜沉积工艺可以为物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或等离子化学气相沉积工艺等。图案化处理可以包括曝光、显影等。
具体地,上述第一电极层12可以设于基板11与像素定义层14之间。相应地,上述像素定义层14可以形成于上述基板11的朝向第一电极层12的且形成有上述第一电极层12的一侧上。
在另一些实施例中,如图1所示,上述显示面板的制作方法还可以包括:
步骤S14:在发光功能层13背离第一电极层12的一侧形成第二电极层15。
需要说明的是,本实施例中显示面板的具体结构可以参考上述显示面板的实施例中的具体实施方式,故此处不再赘述。
本申请实施例中的显示面板的制作方法,通过在基板的一侧形成第一电极层,第一电极层包括反射聚光部,然后在第一电极层背离基板的一侧形成发光功能层,发光功能层覆盖反射聚光部,其中,反射聚光部用于对发光功能层发射的且入射至反射聚光部的第一光线进行反射,并使第一光线的反射光向出光方向聚集,出光方向为发光功能层背离基板的方向,从而使得从显示面板中出射的光线增多,提高了显示面板的出光效率,并有利于提高显示面板的能效。
请参阅图7,图7是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。如图7所示,该显示装置100包括上述任一实施例的显示面板200,还可以包括驱动电路(图中未示出),驱动电路用于向显示面板200提供驱动电压。
其中,显示面板200包括基板、第一电极层和发光功能层。第一电极层设于基板的一侧,并包括反射聚光部。发光功能层设于第一电极层背离基板的一侧,并覆盖反射聚光部。
具体地,反射聚光部能够对发光功能层发射的且入射至反射聚光部的第一光线进行反射,并使第一光线的反射光向出光方向聚集。其中,出光方向为发光功能层背离基板的方向。因此,能够增加从显示面板中出射的光线数量,以提高显示面板的出光效率。
本申请实施例中的显示装置,由于设置了本申请实施例提供的显示面板,具有与上述显示面板相同的有益效果。
本申请实施例对于显示装置的适用不做具体限制,其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备(如智能手环、智能手表等)、手机、虚拟现实设备、增强现实设备、车载显示、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一电极层,所述第一电极层设于所述基板的一侧,并包括反射聚光部;以及,
发光功能层,所述发光功能层设于所述第一电极层背离所述基板的一侧,并覆盖所述反射聚光部;
其中,所述反射聚光部用于对所述发光功能层发射的且入射至所述反射聚光部的第一光线进行反射,并使所述第一光线的反射光向出光方向聚集,所述出光方向为所述发光功能层背离所述基板的方向。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
像素定义层,所述像素定义层设于所述基板朝向所述第一电极层的一侧,并包括像素开口;
其中,所述发光功能层至少部分位于所述像素开口中,且所述反射聚光部在所述基板上的正投影至少部分位于所述像素开口在所述基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射聚光部朝向所述发光功能层的表面包括凹面。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述凹面的垂直于所述基板的截面形状为弧形。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述基板朝向所述第一电极层的表面,在对应于所述反射聚光部位置形成有第二凹槽;并且,所述第一电极层对应于所述发光功能层位置的局部,沿朝向所述基板的方向凹陷至所述第二凹槽,而在所述第一电极层背离所述基板的表面上形成第一凹槽;其中,所述凹面为所述第一凹槽的内壁面。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二凹槽的深度小于或等于所述第一电极层的厚度。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述基板包括衬底、设于所述衬底一侧的薄膜晶体管层、以及设于所述薄膜晶体管层背离所述衬底的一侧的平坦层,所述第一电极层位于所述平坦层背离所述薄膜晶体管层的一侧,且所述第二凹槽形成于所述平坦层背离所述薄膜晶体管层的表面上。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板的一侧形成第一电极层,所述第一电极层包括反射聚光部;以及,
在所述第一电极层背离所述基板的一侧形成发光功能层,所述发光功能层覆盖所述反射聚光部;
其中,所述反射聚光部用于对所述发光功能层发射的且入射至所述反射聚光部的第一光线进行反射,并使所述第一光线的反射光向出光方向聚集,所述出光方向为所述发光功能层背离所述基板的方向。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在基板的一侧形成第一电极层的步骤,具体包括:
形成基板,包括:提供衬底,在所述衬底的一侧形成薄膜晶体管层,以及,在所述薄膜晶体管层背离所述衬底的一侧形成平坦层;
通过预设半色调掩膜版的半透光部分,对所述平坦层进行刻蚀,以在所述平坦层背离所述薄膜晶体管层的表面上形成第二凹槽;
在所述平坦层背离所述薄膜晶体管层的一侧上形成第一电极层,所述第一电极层的局部沿朝向所述平坦层的方向凹陷至所述第二凹槽,以在所述第一电极层背离所述平坦层的表面上形成第一凹槽,而得到包括所述第一凹槽的所述反射聚光部。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的显示面板。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101681997A (zh) * | 2008-02-28 | 2010-03-24 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示屏 |
CN104362257A (zh) * | 2014-10-22 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备 |
CN107068891A (zh) * | 2015-10-30 | 2017-08-18 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
US20170280530A1 (en) * | 2014-08-29 | 2017-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device, production method for organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
CN108353473A (zh) * | 2015-11-16 | 2018-07-31 | 夏普株式会社 | 有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置 |
CN110660825A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN111670507A (zh) * | 2018-01-31 | 2020-09-15 | 索尼半导体解决方案公司 | 发光元件和显示装置 |
CN114078944A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-22 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
WO2022083356A1 (zh) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示面板及其制备方法和显示装置 |
-
2022
- 2022-05-05 CN CN202210482908.5A patent/CN114975821A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101681997A (zh) * | 2008-02-28 | 2010-03-24 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示屏 |
US20170280530A1 (en) * | 2014-08-29 | 2017-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device, production method for organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
CN104362257A (zh) * | 2014-10-22 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备 |
CN107068891A (zh) * | 2015-10-30 | 2017-08-18 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
CN108353473A (zh) * | 2015-11-16 | 2018-07-31 | 夏普株式会社 | 有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置 |
CN111670507A (zh) * | 2018-01-31 | 2020-09-15 | 索尼半导体解决方案公司 | 发光元件和显示装置 |
CN110660825A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
WO2022083356A1 (zh) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN114078944A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-22 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
王海宏等: "《平板显示释疑手册 第2辑》", 东南大学出版社, pages: 257 * |
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