CN217588931U - 显示基板、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示基板、显示面板和显示装置。该显示基板包括透光显示区及至少部分围绕所述透光显示区的主显示区,显示基板还包括:驱动背板;第一平坦层,所述第一平坦层位于所述驱动背板上;遮光环,所述遮光环位于所述第一平坦层上,所述遮光环远离所述第一平坦层的第一表面具有凹陷结构,所述遮光环围绕所述透光显示区布置;第二平坦层,所述第二平坦层位于所述第一平坦层上且覆盖所述遮光环;透明走线,所述透明走线位于所述第二平坦层远离所述第一平坦层的表面。本公开能改善透明走线经过平坦层对应遮光环所在位置时,走线线宽减小或出现断线的问题,防止显示基板出现暗点。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
屏下摄像头技术是一种将摄像头设置在显示基板的显示区域下方的技术。为避免摄像孔周围像素漏光而影响摄像头收集外界环境光,会在显示基板的驱动背板的中设置一个遮光环,该遮光环围绕摄像孔布置,用于对摄像头进行遮光。
遮光环位置容易出现断线,影响显示基板中像素点发光,从而导致显示基板出现暗点的问题。
实用新型内容
本公开实施例提供了一种显示基板、显示面板和显示装置,能改善透明走线经过平坦层对应遮光环所在位置时,走线线宽减小或出现断线的问题,防止显示基板出现暗点。所述技术方案如下:
本公开实施例提供了一种显示基板和显示装置,包括透光显示区及至少部分围绕所述透光显示区的主显示区,所述显示基板包括:驱动背板;第一平坦层,所述第一平坦层位于所述驱动背板上;遮光环,所述遮光环位于所述第一平坦层上,所述遮光环远离所述第一平坦层的第一表面具有凹陷结构,所述遮光环围绕所述透光显示区布置;第二平坦层,所述第二平坦层位于所述第一平坦层上且覆盖所述遮光环;透明走线,所述透明走线位于所述第二平坦层远离所述第一平坦层的表面。
在本公开实施例的一种实现方式中,所述凹陷结构为环形槽,所述环形槽与所述遮光环的中心同心。
在本公开实施例的另一种实现方式中,所述环形槽有多个,多个所述环形槽沿所述遮光环径向间隔排布,且多个所述环形槽均同心。
在本公开实施例的另一种实现方式中,在所述遮光环的径向上,所述环形槽的宽度与所述遮光环的宽度之比为0.006至0.016,相邻两个所述环形槽之间的最小间距与所述遮光环的宽度之比为0.1至0.2。
在本公开实施例的另一种实现方式中,在垂直于所述驱动背板方向上,所述遮光环的厚度为7000埃至10000埃。
在本公开实施例的另一种实现方式中,所述凹陷结构的截面为梯形,所述截面与所述遮光环所在的所述第一平坦层的表面垂直,且从所述遮光环的第一表面至远离所述第一表面的方向上,所述凹陷结构的截面宽度逐渐减小。
在本公开实施例的另一种实现方式中,所述凹陷结构包括多个间隔排布的容纳孔。
在本公开实施例的另一种实现方式中,所述容纳孔环绕所述遮光环的中心周向间隔排布。
在本公开实施例的另一种实现方式中,所述第一表面上从靠近所述遮光环的中心至远离所述遮光环的中心的方向上,所述容纳孔的分布密度逐渐增大。
在本公开实施例的另一种实现方式中,在垂直于所述驱动背板的方向上,所述凹陷结构的深度小于或等于所述遮光环的厚度。
在本公开实施例的另一种实现方式中,所述凹陷结构的深度与所述遮光环的厚度之比为5/8至7/8。
在本公开实施例的另一种实现方式中,所述透光显示区包括第一发光单元,所述主显示区包括第一像素电路,所述透明走线连接所述第一发光单元和所述第一像素电路。
在本公开实施例的另一种实现方式中,所述遮光环与所述驱动背板中的源漏极层同层;或者,所述遮光环与所述驱动背板中的栅极层同层。
本公开实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括如前文所述的显示基板、触控层和封装层,所述显示基板、所述触控层和所述封装层依次层叠。
本公开实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:感光传感器和如前文所述的显示面板,所述感光传感器位于所述遮光环的内孔中,且与所述透光显示区相对应。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括:
本公开实施例提供的显示基板,通过对遮光环的结构进行改进,在遮光环远离第一平坦层的第一表面设置凹陷结构。这样在形成第二平坦层时,第二平坦层的光刻胶可以流入凹陷结构中,即通过凹陷结构容纳部分第二平坦层的光刻胶,以改善第二平坦层上对应遮光环区域的地势存在高低不平坦的问题,使得后续形成透明走线时,透明走线的线宽不会出现较大的变化,且不容易出现断线的问题,防止显示基板出现暗点。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术提供的一种显示装置的示意图;
图2是相关技术提供的一种显示基板的局部截面图;
图3是本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图;
图4是本公开实施例提供的一种显示基板的局部截面图;
图5是本公开实施例提供的一种显示基板的局部示意图;
图6是图5提供的一种显示基板的局部剖视结构示意图;
图7是本公开实施例提供的一种遮光环的结构示意图;
图8是本公开实施例提供的一种显示面板的剖视结构示意图;
图9是本公开实施例提供的一种显示装置的剖视结构示意图。
图中各标记说明如下:
10、驱动背板;11、透光显示区;12、主显示区;
21、第一平坦层;22、第二平坦层;
30、遮光环;31、凹陷结构;311、环形槽;312、容纳孔;
40、透明走线;
50、感光传感器;
61、第一发光单元;611、阳极层;612、空穴传输层;613、有机发光层;614、电子传输层;615、阴极层;62、第一像素电路;620、薄膜晶体管;621、有源层;622、栅极层;623、第一源漏极层;624、第二源漏极层;63、第二发光单元;64、第二像素电路;
70、显示面板;71、显示基板;72、触控层;73、封装层。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则所述相对位置关系也可能相应地改变。
图1是相关技术提供的一种显示装置的示意图。如图1所示,该显示装置包括显示基板和感光传感器50。显示基板具有用于与感光传感器50对应的透光显示区11,透光显示区11是透光区域,感光传感器50设置在显示基板的下方,且感光传感器50与透光显示区11正对,以使得位于显示基板下方的感光传感器50能通过透光显示区11收集外界环境光。
其中,感光传感器可以是图像传感器,图像传感器是摄像头的重要组成部分,图像传感器能将二维光强分布的光学图像转变成一维时序电信号。在摄像头中的图像处理器接收并处理电信号后,使图像传感器获取到的图像得以在显示基板上显示。
如图1所示,显示基板的驱动背板10中还设有围绕透光显示区11的遮光环30,通过遮光环30对感光传感器50进行遮光,避免感光传感器50周围像素漏光而影响感光传感器50收集外界环境光。
驱动背板10中通常会在遮光环30上设置平坦(Planarization,简称PLN)层。图2是相关技术提供的一种显示基板的局部截面图。如图2所示,驱动背板10上具有依次层叠的第一平坦层21、遮光环30和第二平坦层22。其中,在第二平坦层22远离第一平坦层21的表面具有多条间隔排布的透明走线40。
如图2所示,遮光环30的厚度较厚,在遮光环30上形成第二平坦层22后,第二平坦层22对应遮光环30的区域会向远离遮光环30的方向突出,使该区域地势偏高。这样透明走线40经过该区域时,线宽会减小,且透明走线40需要跨越高低变化的地势,因此,在透明走线40弯折的位置容还易出现断线,由于透明走线40是显示基板中用于控制像素点通电发光的结构,所以透明走线40断线会影响显示基板中像素点发光,从而导致显示基板出现暗点的问题。
为此,本公开实施例提供了一种显示基板。图3是本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图。如图3所示,该显示基板包括透光显示区11及至少部分围绕透光显示区11的主显示区12,该显示基板还包括:驱动背板10、第一平坦层21、遮光环30、第二平坦层22和透明走线40。
如图3所示,主显示区12可以是透光区域或非透光区域,且透光显示区11和主显示区12均可以用于发光,以显示图像信息。
图4是本公开实施例提供的一种显示基板的局部截面图。如图4所示,第一平坦层21位于驱动背板10上,遮光环30位于第一平坦层21上,遮光环30远离第一平坦层21的第一表面具有凹陷结构31,遮光环30与驱动背板10中的金属结构同层,且围绕透光显示区11布置,第二平坦层22位于第一平坦层21上且覆盖遮光环30,透明走线40位于第二平坦层22远离第一平坦层21的表面。
本公开实施例提供的显示基板,通过对遮光环30的结构进行改进,在遮光环30远离第一平坦层21的第一表面设置凹陷结构31。这样在形成第二平坦层22时,第二平坦层22的光刻胶可以流入凹陷结构31中,即通过凹陷结构31容纳部分第二平坦层22的光刻胶,以改善第二平坦层22上对应遮光环30区域的地势存在高低不平坦的问题,使得后续形成透明走线40时,透明走线40的线宽不会出现较大变化,且不容易出现断线的问题,防止显示基板出现暗点。
本公开实施例中,遮光环可以是金属结构件或其他具有遮挡光线效果的材料制备的结构件。
可选地,如图3、4所示,凹陷结构31为环形槽311,环形槽311与遮光环30的中心同心。
通过将凹陷结构31设置成环形槽311,能在环状的第一表面上占据较大的面积,从而形成具有足够体积的凹陷结构31,以容纳第二平坦层22的光刻胶,改善第二平坦层22上对应遮光环30区域的地势存在高低不平坦的问题。
可选地,环形槽311有多个,多个环形槽311沿遮光环30径向间隔排布,且多个环形槽311均同心。通过设置多个环形槽311,能进一步增大凹陷结构31容纳光刻胶的体积,在制备第二平坦层22时,能有更多的光刻胶流入环形槽311内,改善第二平坦层22上对应遮光环30区域的地势存在高低不平坦的问题,增强平坦化效果。
示例性地,如图3、4所示,环形槽311有两个,两个环形槽311同心分布。这样设置两个环形槽311不仅能满足容纳足量光刻胶的需求,还能避免遮光环30刻蚀过多而影响遮光效果。
可选地,如图3、4所示,在遮光环30的径向上,环形槽311的宽度与遮光环30的宽度之比为0.006至0.016。
通过将环形槽311的宽度H1与遮光环30的宽度之比设置为上述范围内,能避免环形槽311的宽度H1过小,而导致环形槽311的体积较小,无法容纳足量的光刻胶,而影响第二平坦层22的平坦化效果;且还能避免环形槽311的宽度H1过大,而导致环形槽311的尺寸较大,使得环形槽311分隔遮光环30后,遮光环30上各分隔区域的壁厚较薄,影响遮光环30的遮光效果。
可选地,遮光环30的内径可以是200μm至300μm。遮光环30的外径可以是220μm至360μm。
作为示例,本公开实施例中,遮光环30的内径可以是200μm,遮光环30的外径可以是300μm,即遮光环30的宽度为100μm。根据前述环形槽311的宽度与遮光环30的宽度之比就可以确定出,环形槽311的宽度H1可以是为0.6μm至1.6μm。
示例性地,环形槽311的宽度H1之间的间距为1μm。
可选地,在遮光环30的径向上,相邻两个环形槽311之间的最小间距与遮光环30的宽度之比为0.1至0.2。
通过将环形槽311之间的最小间距H2与遮光环30的宽度之比设置为上述范围内,能避免环形槽311之间的最小间距H2过小,而导致环形槽311分隔遮光环30后,遮光环30上各分隔区域的壁厚较薄,影响遮光环30的遮光效果;还能避免环形槽311之间的最小间距H2过大,而导致形成的环形槽311的体积较小,无法容纳足量的光刻胶,而影响第二平坦层22的平坦化效果。
作为示例,本公开实施例中,遮光环30的内径可以是200μm,遮光环30的外径可以是300μm,即遮光环30的宽度为100μm。根据前述相邻两个环形槽311之间的最小间距与遮光环30的宽度之比就可以确定出,相邻两个环形槽311之间的最小间距H2为10μm至20μm。
示例性地,相邻两个环形槽311之间的最小间距H2为15μm。
可选地,在垂直于驱动背板10方向上,遮光环30的厚度为7000埃至10000埃。
通过将遮光环30的厚度设置为上述尺寸范围内,能避免遮光环30的厚度过小,而无法充分遮光,影响感光传感器50收集外界环境光;且还能避免遮光环30的厚度过大,而导致即使环形槽311容纳了适量光刻胶,也无法改善第二平坦层22对应遮光环30的位置地势偏高的问题。
示例性地,遮光环30的厚度可以是8000埃。
可选地,如图4所示,凹陷结构31的截面为梯形,截面与遮光环30所在的第一平坦层21的表面垂直,且从遮光环30的第一表面至远离第一表面的方向上,凹陷结构31的截面宽度逐渐减小。
相较于截面为矩形的直槽,通过将凹陷结构31设置为截面为梯形的凹槽,能有效增大凹陷结构31容纳光刻胶的体积。这样在制备第二平坦层22时,能有更多的光刻胶流入凹陷结构31内,改善第二平坦层22上对应遮光环30区域的地势存在高低不平坦的问题,增强平坦化效果。
可选地,如图4所示,在垂直于驱动背板10的方向上,凹陷结构31的深度小于或等于遮光环30的厚度。
由于凹陷结构31的深度不超过遮光环30的厚度,所以凹陷结构31未从第一表面延伸至遮光环30上与第一表面相对的表面。这样避免遮光环30被凹陷结构31完全隔断,使得遮光环30周围像素通过凹陷结构31漏光而影响感光传感器50收集外界环境光。
可选地,凹陷结构31的深度与遮光环30的厚度之比为5/8至7/8。
通过将凹陷结构31的深度与遮光环30的厚度之比设置为上述范围内,能避免凹陷结构31的深度过大,而导致遮光环30上凹陷结构31所在位置的厚度较薄,影响遮光效果;且还能避免凹陷结构31的深度过小,而导致环形槽311的尺寸较小,无法容纳足量的光刻胶,影响第二平坦层22的平坦化效果。
示例性地,遮光环30的厚度为8000埃,相应地,凹陷结构31的深度可以是5000埃至7000埃,例如,凹陷结构的深度可以是6000埃。
在本公开的其他一些实现方式中,凹陷结构31的深度大于或等于遮光环30的厚度。
其中,凹陷结构31从第一表面延伸至遮光环30上与第一表面相对的表面。这样遮光环30就被凹陷结构31分隔为多个相互间隔的同心环,多个同心环同心分布。由于凹陷结构31贯穿遮光环30,因此,凹陷结构31能容纳较多的光刻胶,因此,能形成较好的平坦化效果。
在本公开实施例中,显示基板可以是有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)基板。其中,显示基板的驱动背板可以为TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)基板,驱动背板上的每个子像素至少包括2个TFT,用于控制OLED发光。示例性地,驱动背板可以包括依次层叠的衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层和源漏极层。
示例性地,衬底基板的制作材料可以是玻璃、石英、塑料等;有源层的制作材料可以是非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体;栅极绝缘层的制作材料可以是硅氧化物或硅氮化物,硅氮氧化物等;栅极金属层的制作材料可以是钼、铜、钛等单层金属薄膜,也可以是钼/铝/钼或钛/铝/钛等多层金属薄膜;层间介电层的制作材料可以是硅氧化物或硅氮化物等;源漏金属层的制作材料可以是铝、钼、铜、钛等单层金属薄膜,也可以是钼/铝/钼或钛/铝/钛等多层金属薄膜。
示例性地,有源层可以包括LTPS(Low Temperature Poly-Silicon,低温多晶硅)和LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide,低温多晶氧化物)。
需要说明的是,示例中仅举出了具有单层栅极金属层的TFT基板结构,TFT基板结构还可以是双层栅极金属层等多种结构,本公开实施例对此不做限制。
在本公开的一些实现方式中,遮光环30与驱动背板10中的源漏极层同层,且遮光环30与源漏极层绝缘。
其中,遮光环30与驱动背板10中的源漏极层同层是指:遮光环30与源漏极层位于同一层结构的同一侧,或者可以是遮光环30与源漏极层靠近衬底基板的表面均与同一层结构接触,或者可以是遮光环30与源漏极层采用相同材料并由同一次构图工艺制备得到。
在本公开的另一些实现方式中,遮光环30与驱动背板10中的栅极层同层,且遮光环30与栅极层绝缘。
其中,遮光环30与驱动背板10中的栅极层同层是指:遮光环30与栅极层位于同一层结构的同一侧,或者可以是遮光环30与栅极层靠近衬底基板的表面均与同一层结构接触,或者可以是遮光环30与栅极层采用相同材料并由同一次构图工艺制备得到。
在本公开的其他一些实现方式中,遮光环30位于驱动背板10中的金属层,该金属层可以是单独设置在驱动背板10中的金属层,且该金属层与驱动背板10中的源漏极层和栅极层均不同层,且金属层分别与源漏极层和栅极层绝缘。
图5是本公开实施例提供的一种显示基板的局部示意图。如图5所示,透光显示区11包括第一发光单元61,主显示区12包括第一像素电路62,透明走线40连接第一发光单元61和第一像素电路62。
如图5所示,主显示区12还包括第二发光单元63和第二像素电路64,第二发光单元63与第二像素电路64相连。
本公开实施例中,主显示区12包括多个像素区域,其中,一部分像素区域仅包括第一像素电路62,而另一部分像素区域包括第二发光单元63和第二像素电路64。
其中,第一发光单元61和第二发光单元63均包括依次层叠的空穴传输层、有机发光层和电子传输层,以及分别与空穴传输层和电子传输层电性连接电极。
图6是图5提供的一种显示基板的局部剖视结构示意图。如图5、6所示,第一像素电路62和第二像素电路64包括薄膜晶体管620、栅线和数据线,其中,栅线用于与薄膜晶体管620中的栅极层622相连,数据线用于与薄膜晶体管620中的第一源漏极层623相连。
如图5所示,在透光显示区11具有多个第一发光单元61,且在透光显示区11具有与第一发光单元61一一对应的第一像素电路62。
结合图6,本公开实施例中,第一源漏极层623上还设有第二源漏极层624,第二源漏极层624充当串联的作用,连接第一源漏极层623和透明走线40,使第一像素电路62的第一源漏极层623通过透明走线40与对应的第一发光单元61相连。该实现方式中,遮光环30与第二源漏极层624同层,即遮光环30与驱动背板10中的源漏极层同层。
示例性地,如图6所示,第一发光单元61包括依次层叠在第二平坦层22上的阳极层611、空穴传输层612、有机发光层613、电子传输层614,以及各第一发光单元61公用的阴极层615。其中,阳极层611与透明走线40相连。
这样通过将第一像素电路62设置在透光显示区11外,并由透明走线40跨越遮光环30与透光显示区11内的第一发光单元61相连,以避免在透光显示区11内设置第一像素电路62遮挡光线,而影响透光显示区11的透光效果。
需要说明的是,图5中示意的第一像素电路62的集中分布方式是一种示例,在其他一些实现方式中,第一像素电路62可以是穿插设置在各个第二像素电路64之间,本公开实施例不做限制。
本公开实施例中,第一平坦层21和第二平坦层22的制备材料均可以是光刻胶,这样在制备第一平坦层21和第二平坦层22时,先涂覆一层光刻胶膜层,然后固化光刻胶膜,即可得到平坦层。
本公开实施例中,透明走线40为氧化铟锡膜(Indium Tin Oxide,简称ITO)走线,ITO走线具有良好的透光效果,以避免ITO走线遮挡透光显示区11,而影响感光传感器50收集外界光。
在其他一些实现方式中,图7是本公开实施例提供的一种遮光环30的结构示意图。如图7所示,凹陷结构31包括多个间隔排布的容纳孔312。
通过在将容纳孔312结构设置为间隔分布的多个容纳孔312,不仅能满足容纳光刻胶,实现平坦化效果。而且相较于环形槽311,由于间隔分布的多个容纳孔312没有整体隔断第一表面,使遮光环30具备良好的遮光效果。
示例性地,如图7所示,多个容纳孔312可以环绕遮光环30的中心周向间隔排布。
可选地,如图7所示,第一表面上从靠近遮光环30的中心至远离遮光环30的中心的方向上,容纳孔312的分布密度逐渐增大。
其中,容纳孔312的分布密度是指在第一表面的一定面积内,容纳孔312的分布数量。分布密度越大,则表面同一面积内容纳孔312的分布数量越多;反之,容纳孔312的分布数量越小。
上述实现方式中,由于靠近遮光环30的中心的位置是设置感光传感器50的区域,这个区域容纳孔312的分布密度较小,即容纳孔312分布稀疏,以避免影响遮光环30的遮光效果;而远离遮光环30的中心的位置,容纳孔312的分布密度较大,即容纳孔312分布密集,这样就能容纳较多光刻胶,实现提升平坦化的效果。
本公开实施例中,在垂直于驱动背板10的方向上,容纳孔312的深度不大于遮光环30的厚度。例如,容纳孔312的深度与遮光环30的厚度之差为1000埃至3000埃。
本公开实施例提供了一种显示面板。图8是本公开实施例提供的一种显示面板的剖视结构示意图。如图8所示,该显示面板70包括如前文所述的显示基板71、触控层72和封装层73,显示基板71、触控层72和封装层73依次层叠。
图9是本公开实施例提供的一种显示装置的剖视结构示意图。如图9所示,该显示装置包括:感光传感器50和如前文所述的显示面板70,感光传感器50位于遮光环30的内孔中,且感光传感器50与透光显示区11相对应。
本公开实施例中,显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
通过对遮光环30的结构进行改进,在遮光环30远离第一平坦层21的第一表面设置环形槽311,能在环状的第一表面上占据较大的面积,从而容纳足量的第二平坦层22的光刻胶,改善第二平坦层22上对应遮光环30区域的地势存在高低不平坦的问题,使得后续形成透明走线40时,透明走线40的线宽不会出现较大变化,且不容易出现断线的问题,防止显示基板出现暗点。
以上,并非对本公开作任何形式上的限制,虽然本公开已通过实施例揭露如上,然而并非用以限定本公开,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本公开技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本公开技术方案的内容,依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本公开技术方案的范围内。
Claims (15)
1.一种显示基板,包括透光显示区(11)及至少部分围绕所述透光显示区(11)的主显示区(12),其特征在于,所述显示基板包括:
驱动背板(10);
第一平坦层(21),所述第一平坦层(21)位于所述驱动背板(10)上;
遮光环(30),所述遮光环(30)位于所述第一平坦层(21)上,所述遮光环(30)远离所述第一平坦层(21)的第一表面具有凹陷结构(31),所述遮光环(30)围绕所述透光显示区(11)布置;
第二平坦层(22),所述第二平坦层(22)位于所述第一平坦层(21)上且覆盖所述遮光环(30);
透明走线(40),所述透明走线(40)位于所述第二平坦层(22)远离所述第一平坦层(21)的表面。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述凹陷结构(31)为环形槽(311),所述环形槽(311)与所述遮光环(30)的中心同心。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述环形槽(311)有多个,多个所述环形槽(311)沿所述遮光环(30)径向间隔排布,且多个所述环形槽(311)均同心。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,在所述遮光环(30)的径向上,所述环形槽(311)的宽度与所述遮光环(30)的宽度之比为0.006至0.016,相邻两个所述环形槽(311)之间的最小间距与所述遮光环(30)的宽度之比为0.1至0.2。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述驱动背板(10)方向上,所述遮光环(30)的厚度为7000埃至10000埃。
6.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述凹陷结构(31)的截面为梯形,所述截面与所述遮光环(30)所在的所述第一平坦层(21)的表面垂直,且从所述遮光环(30)的第一表面至远离所述第一表面的方向上,所述凹陷结构(31)的截面宽度逐渐减小。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述凹陷结构(31)包括多个间隔排布的容纳孔(312)。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述容纳孔(312)环绕所述遮光环(30)的中心周向间隔排布。
9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第一表面上从靠近所述遮光环(30)的中心至远离所述遮光环(30)的中心的方向上,所述容纳孔(312)的分布密度逐渐增大。
10.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述驱动背板(10)的方向上,所述凹陷结构(31)的深度小于或等于所述遮光环(30)的厚度。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述凹陷结构(31)的深度与所述遮光环(30)的厚度之比为5/8至7/8。
12.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板,其特征在于,所述透光显示区(11)包括第一发光单元(61),所述主显示区(12)包括第一像素电路(62),所述透明走线(40)连接所述第一发光单元(61)和所述第一像素电路(62)。
13.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板,其特征在于,所述遮光环(30)与所述驱动背板(10)中的源漏极层同层;或者,
所述遮光环(30)与所述驱动背板(10)中的栅极层同层。
14.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1至13任一项所述的显示基板(71)、触控层(72)和封装层(73),所述显示基板(71)、所述触控层(72)和所述封装层(73)依次层叠。
15.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:感光传感器(50)和如权利要求14所述的显示面板(70),所述感光传感器(50)位于所述遮光环(30)的内孔中,且与所述透光显示区(11)相对应。
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