CN111341921B - 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 - Google Patents

复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明属于材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括氧化石墨烯和结合在所述氧化石墨烯表面的氧化镍纳米颗粒，所述氧化镍纳米颗粒通过多巴胺连接在所述氧化石墨烯表面；其中，所述多巴胺的氨基与所述氧化石墨烯连接，所述多巴胺的羟基与所述氧化镍纳米颗粒连接。该复合材料具有很好的导电性和稳定性，用于量子点发光二极管中的电子传输材料时，可以降低发光层的电子和空穴的复合，提高了空穴传输效率，从而使器件的发光效率和显示性能得到提高。

Description

复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
技术领域
本发明属于材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。
背景技术
NiO作为一种p型半导体材料，因其具备可调控的带隙(带隙为3.6eV-4.0eV，HOMO能级为-5.4eV～-5.0eV，LUMO能级为-1.6eV)，在紫外光区域、可见光区域以及近红外光区域具备较高的透光性能，优异的化学稳定性和独特的光、电、磁性质等优势广泛应用于电致变色器件，有机发光二极管，气敏传感器，染料敏化太阳能电池和p-n异质结。
相较有机空穴传输材料，无机空穴传输材料更具优势，无机材料的采用有效解决了有机材料吸水而导致器件性能降低的问题。在电致变色器件中，以NiO为空穴传输材料的发光效率最高。但是与其他材料相比，NiO导电性较差。研究者们采取掺杂的方式对其进行改性，通过少量金属元素的掺杂，在不影响其表面形貌的前提下提高薄膜的导电性；但综合效果不是很理想。
在QLED功能层方面，一些新的可液相加工的材料和思路被开发出来。比如可水相溶解的氧化石墨烯材料，碳纳米点材料等。这些材料可以自身或者通过化学改性负载其它纳米颗粒用作电荷注入或传输材料。氧化石墨烯是石墨烯常见的一种衍生物。因为边缘有着大量的含氧官能团，譬如羧基、羟基、环氧基等，使得氧化石墨烯在水、乙醇等溶剂里分散性较好。石墨烯或者氧化石墨烯在光电器件上是较有前景的下一代透明导电薄膜。为了得到好的器件性能，电极与活性层要有较好的能级匹配，这样能够提高电子或者空穴的传输速率。然而，氧化石墨烯的功函数大约为5.3eV，石墨烯的功函数大约为4.7eV，它们不能与大多数的活性材料的分子能级匹配。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管，旨在解决现有氧化镍作为空穴传输材料，其空穴传输性能效果不理想的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种复合材料，所述复合材料包括氧化石墨烯和结合在所述氧化石墨烯表面的氧化镍纳米颗粒，所述氧化镍纳米颗粒通过多巴胺连接在所述氧化石墨烯表面；其中，所述多巴胺的氨基与所述氧化石墨烯连接，所述多巴胺的羟基与所述氧化镍纳米颗粒连接。
本发明提供的复合材料包括氧化石墨烯和氧化镍纳米颗粒，而氧化镍纳米颗粒通过多巴胺连接在所述氧化石墨烯表面。一方面，多巴胺可以提高氧化石墨烯的导电性，而氧化镍纳米颗粒结合在氧化石墨烯表面，能改善多巴胺改性的氧化石墨烯的导电性，这样进一步提高了复合材料的导电能力，从而提高了空穴传输效率，同时，多巴胺使得氧化镍纳米颗粒稳定地结合在氧化石墨烯表面，进一步提高复合材料整体的稳定性；另一方面，多巴胺通过带正电的-NH2修饰在氧化石墨烯表面，带负电的-OH指向背离氧化石墨烯表面，使得氧化石墨烯表面上形成了一个界面偶极层，方向由负电荷指向正电荷，即指向氧化石墨烯，相当于加上了一个指向氧化石墨烯的电场，使得氧化石墨烯的界面功函数降低，这样的复合材料用作量子点发光二极管的空穴传输材料，可以与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，易于电子迁移至电极，并降低了发光层的电子和空穴的复合，提高了空穴传输效率，从而使器件的发光效率和显示性能得到提高。
本发明另一方面提供一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：
提供多巴胺和氧化石墨烯；
将所述多巴胺和氧化石墨烯溶于第一溶剂中，进行第一加热处理，得到表面结合有多巴胺的氧化石墨烯；
将所述表面结合有多巴胺的氧化石墨烯与氧化镍溶于第二溶剂中，进行第二加热处理，得到前驱体溶液；
将所述前驱体溶液沉积在基底上，进行退火处理，得到所述复合材料。
本发明提供的复合材料的制备方法是一种溶胶-凝胶法，先将多巴胺和氧化石墨烯溶于第一溶剂中进行加热，这样多巴胺的胺基端连接在氧化石墨烯表面进行修饰，然后与氧化镍混合进行加热，这样多巴胺的羟基端与氧化镍纳米颗粒连接，最终退火得到复合材料；该制备方法工艺简单，成本低，最终得到的复合材料具有很好的导电性和稳定性，用于量子点发光二极管中的电子传输材料时，可以与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，易于电子迁移至电极，并降低了发光层的电子和空穴的复合，提高了空穴传输效率，从而使器件的发光效率和显示性能得到提高。
最后，本发明还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层的材料为本发明的上述复合材料。
本发明的量子点发光二极管中空穴传输层的由本发明的复合材料组成，该复合材料具有很好的导电性和稳定性，而且可以有效阻挡电子从量子点发光层传输到阳极而导致降低了量子点发光层的电子和空穴复合效率，该复合材料可以与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，提高了空穴传输效率，从而使器件的发光效率和显示性能得到提高。
附图说明
图1为本发明实施例4的发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种复合材料，所述复合材料包括氧化石墨烯和结合在所述氧化石墨烯表面的氧化镍纳米颗粒，所述氧化镍纳米颗粒通过多巴胺连接在所述氧化石墨烯表面；其中，所述多巴胺的氨基与所述氧化石墨烯连接，所述多巴胺的羟基与所述氧化镍纳米颗粒连接。
本发明实施例提供的复合材料包括氧化石墨烯和氧化镍纳米颗粒，而氧化镍纳米颗粒通过多巴胺连接在所述氧化石墨烯表面。一方面，多巴胺可以提高氧化石墨烯的导电性，而氧化镍纳米颗粒结合在氧化石墨烯表面，能改善多巴胺改性的氧化石墨烯的导电性，这样进一步提高了复合材料的导电能力，从而提高了空穴传输效率，同时，多巴胺使得氧化镍纳米颗粒稳定地结合在氧化石墨烯表面，进一步提高复合材料整体的稳定性；另一方面，多巴胺通过带正电的-NH2修饰在氧化石墨烯表面，带负电的-OH指向背离氧化石墨烯表面，使得氧化石墨烯表面上形成了一个界面偶极层，方向由负电荷指向正电荷，即指向氧化石墨烯，相当于加上了一个指向氧化石墨烯的电场，使得氧化石墨烯的界面功函数降低，这样的复合材料用作量子点发光二极管的空穴传输材料，可以与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，易于电子迁移至电极，并降低了发光层的电子和空穴的复合，提高了空穴传输效率，从而使器件的发光效率和显示性能得到提高。
氧化石墨烯具有的较高的功函数(5.3eV)，运用在光电器件中要考虑能级匹配的问题，高的功函数不易与活性层的分子能级相匹配，难以形成欧姆接触。多巴胺修饰氧化石墨烯后，使得氧化石墨烯的功函数有了明显的降低，最低降到了接近4.2eV，降幅达到1.1eV，最高为4.6eV比石墨烯的功函数4.7eV还要低一些。因此，多巴胺修饰氧化石墨烯的功函数在4.2～4.6eV，在QLED里能与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，提高了空穴传输效率。多巴胺是一种很好的表面改性材料，它可以稳定的附着在材料表面使材料功能化，而且，多巴胺的分子骨架完全由碳原子组成，它对于氧化石墨烯材料不会带来复杂的有机官能团。因此，最终本发明实施例复合材料具有很好的导电性和稳定性，用于量子点发光二极管中的电子传输材料时，可以与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，易于电子迁移至电极，并降低了发光层的电子和空穴的复合，提高了空穴传输效率，从而使器件的发光效率和显示性能得到提高。
进一步地，在本发明实施例的所述复合材料中，所述氧化石墨烯中的碳元素与多巴胺的摩尔比为(2-3)：1；当多巴胺的摩尔比过小时，附着在氧化石墨烯表面量较少，影响器件性能，当多巴胺的摩尔比过大时，氧化石墨烯含量较少，影响空穴传输效率。
更进一步地，所述氧化石墨烯中的碳元素与所述氧化镍纳米颗粒中的氧化镍的摩尔比为1：(3-4)。当碳元素与氧化镍的摩尔比小于1：3时，氧化石墨烯过量，过量的氧化石墨烯的导电性不足，会降低空穴传输效率。当碳元素与氧化镍的摩尔比大于1：4时，氧化镍过量，氧化镍不能有效的降低功函数，影响空穴传输效率。
更进一步地，本发明实施例的所述复合材料用作量子点发光二极管的空穴传输材料。
另一方面，本发明实施例还提供了一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：
S01：提供多巴胺和氧化石墨烯；
S01：将所述多巴胺和氧化石墨烯溶于第一溶剂中，进行第一加热处理，得到表面结合有多巴胺的氧化石墨烯；
S03：将所述表面结合有多巴胺的氧化石墨烯与氧化镍溶于第二溶剂中，进行第二加热处理，得到前驱体溶液；
S04：将所述前驱体溶液沉积在基底上，进行退火处理，得到所述复合材料。
本发明实施例提供的复合材料的制备方法是一种溶胶-凝胶法，先将多巴胺和氧化石墨烯溶于溶剂中进行加热，这样多巴胺的胺基端连接在氧化石墨烯表面进行修饰，然后与氧化镍混合进行加热，这样多巴胺的羟基端与氧化镍纳米颗粒连接，最终退火得到复合材料；该制备方法工艺简单，成本低，最终得到的复合材料具有很好的导电性和稳定性，用于量子点发光二极管中的电子传输材料时，可以与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，易于电子迁移至电极，并降低了发光层的电子和空穴的复合，提高了空穴传输效率，从而使器件的发光效率和显示性能得到提高。
多巴胺改性氧化石墨烯还是一个还原的过程。当胺基接枝到氧化石墨烯上时，O的含量会降低，C:O的值会变大，使氧化石墨烯有一定的还原。氧化石墨烯因为含有大量的含氧基团，破坏了石墨烯原来的完美的sp2结构，使它的导电性变差，而还原作用对恢复sp2结构有一定的贡献，对导电性的恢复有一定的帮助，所以，多巴胺改性的氧化石墨烯较原来的氧化石墨烯比较，导电性会变好。
在步骤S02中：第一溶剂为异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇等中的至少一种，但不限于此。优选地，所述第一加热处理的温度为60℃-90℃；所述第一加热处理的时间为2h-4h。在该温度和时间范围内，多巴胺可以更好地结合在氧化石墨烯表面。
具体地，将所述多巴胺和氧化石墨烯溶于第一溶剂中的步骤包括：将所述氧化石墨烯溶于第一溶剂中，进行超声处理，得到氧化石墨烯悬浮液，将所述多巴胺加入所述氧化石墨烯悬浮液中。优选地，按碳元素与多巴胺的摩尔比为(2-3)：1，将所述多巴胺和氧化石墨烯溶于第一溶剂中。当多巴胺的摩尔比过小时，附着在氧化石墨烯表面量较少，影响器件性能，当多巴胺的摩尔比过大时，氧化石墨烯含量较少，影响空穴传输效率。最终，溶液中多巴胺的浓度为0.2M～0.5M。
在步骤S03中：氧化镍的制备过程可以为：将镍盐溶解于有机溶剂，恒温搅拌溶解；滴加碱液，恒温搅拌。进一步地，镍盐溶液的镍盐浓度为0.5M～2M；碱：Ni2+的摩尔比为(1.8～2.5)：1；pH＝12～13；搅拌溶解温度为60℃-90℃；搅拌时间为2h-4h。
具体地，通过向镍盐溶液逐滴加入有机碱和/或无机碱，恒温搅拌溶解，在碱性条件下，使混合溶液反应得到NiO晶体溶液。其中，调节pH值为12-13，按有机碱和/或无机碱的摩尔量与镍离子摩尔量之比为(1.8-2.5)：1，向镍盐溶液加入有机碱和/或无机碱。当碱与镍离子的比小于1.8：1，金属盐过量，加入的镍离子不能完全进行反应；大于2.5：1时，pH值过高会导致体系中缩聚速度就会减慢。
优选地，所述第二加热处理的温度为60℃-90℃；所述第二加热处理的时间为2h-4h。本发明通过把多巴胺修饰的氧化石墨烯与氧化镍混溶于第二溶剂中，由于多巴胺的酚羟基与氧化镍颗粒表面的OH-反应，随着加热的进行，多巴胺两端分别连接氧化石墨烯与NiO，使得多巴胺修饰的氧化石墨烯可以更加稳定地与NiO相结合。在上述加热温度和加热时间范围内，多巴胺的羟基端更好地与氧化镍纳米颗粒结合。第二溶剂为异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇等中的至少一种。
优选地，按所述氧化石墨烯中的碳元素与所述氧化镍纳米颗粒中的氧化镍的摩尔比为1：(3-4)，将所述含有多巴胺修饰的氧化石墨烯与氧化镍溶于第二溶剂中。当碳元素与氧化镍的摩尔比小于1：3时，氧化石墨烯过量，过量的氧化石墨烯的导电性不足，会降低空穴传输效率。当碳元素与氧化镍的摩尔比大于1：4时，氧化镍过量，氧化镍不能有效的降低功函数，影响空穴传输效率。
在步骤S04中，所述退火处理的温度为300℃-350℃。该退火温度可以有效去除溶剂，而且使纳米材料结晶性更好。
最后，本发明还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层的材料为本发明的上述复合材料。
本发明实施例的量子点发光二极管中空穴传输层的由本发明的复合材料组成，该复合材料具有很好的导电性和稳定性，而且可以有效阻挡电子从量子点发光层传输到阳极而导致降低了量子点发光层的电子和空穴复合效率，该复合材料可以与量子点发光材料的LUMO形成较好的欧姆接触，提高了空穴传输效率，从而使器件的发光效率和显示性能得到提高。
具体地，本发明一实施例中，一种发光二极管的制备如下：
A：首先生长一空穴传输层于基板上；其中所述空穴传输层的材料为如上所述的复合材料。
B：接着沉积量子点发光层于空穴传输层上；
C：最后沉积电子传输层于量子点发光层上，并蒸镀阴极极于电子传输层上，得到发光二极管。
为了得到高质量的多巴胺修饰氧化石墨烯掺杂的氧化镍纳米材料，ITO基底需要经过预处理过程。基本具体的处理步骤包括：将整片ITO导电玻璃用清洁剂清洗，初步去除表面存在的污渍，随后依次在去离子水、丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20min，以除去表面存在的杂质，最后用高纯氮气吹干，即可得到ITO正极。
本发明所述的空穴传输层是多巴胺修饰氧化石墨烯掺杂的氧化镍纳米材料，即上述复合材料。空穴传输层：用配制好的空穴传输层材料的溶液旋涂成膜；通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在300℃-350℃下热退火处理，空穴传输层的厚度为20－60nm。
所述的发光二极管的制备方法，其中，在其上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的量子点为红、绿、蓝三种中的一种量子点。可以为CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、以及各种核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。则为常见的红、绿、蓝三种的任意一种量子点或者其它黄光均可以，该步骤量子点可以为含镉或者不含镉。该材料的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。发光层的制备：将已旋涂上空穴传输层的基片匀胶机上，将配制好一定浓度的发光物质溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制发光层的厚度，约20～60nm，在适当温度下干燥。
所述电子传输层可采用本领域常规的电子传输材料制成，包括但不限于为ZnO、TiO2、CsF、LiF、CsCO3和Alq3中的一种。电子传输层的制备：将已旋涂上发光层的的基板置于真空蒸镀腔室内，蒸镀一层约80nm厚的电子传输层，蒸镀速度约为0.01～0.5nm/s，在适当温度下退火。
接着，将沉积完各功能层的衬底置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层15-30nm的金属银或者铝作为阴极，或者使用纳米Ag线或者Cu线，具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。
进一步的，将得到的QLED进行封装处理，所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
以利用醋酸镍、乙二醇、氧化石墨烯、氢氧化钠、多巴胺为例进行详细介绍。
(1)氧化石墨烯制备：将1g石墨粉、0.5g硝酸钠和3g高锰酸钾依次加入到23ml浓硫酸中，在冰水浴中(温度保持在10℃以下)搅拌2h；随后，升温到35℃，继续搅拌30min，缓慢加入150ml去离子水；加热至95℃，保持搅拌30min，再加入30％双氧水(15mL)，趁热过滤；并用5％HCl溶液和去离子水洗涤直到滤液中无硫酸根被检测到为止，最后将滤饼干燥。
(2)将适量的多巴胺溶解于5ml乙二醇中形成浓度为0.2M的溶液。
(3)将氧化石墨烯溶解于10ml乙二醇中，室温下超声分散30min，形成均匀分散的棕色悬浮液(浓度为0.5M的溶液)。将棕色悬浮液与适量的多巴胺溶液混合均匀后(摩尔比，氧化石墨烯：多巴胺＝3:1)，80℃保温处理5h，形成前驱体溶液A。
(4)将醋酸镍溶解于50ml乙二醇中，形成浓度为0.5M的透明溶液。然后在80℃下搅拌溶解。接着，将氢氧化钠溶解于10ml乙二醇中，室温搅拌溶解形成透明溶液(摩尔比，OH-：Ni2+＝2：1)。继续在80℃下搅拌3h得到一种均匀的透明溶液，形成前驱体溶液B。
(5)将10ml前驱体A与50ml前驱体溶液B混合均匀后(摩尔比，氧化石墨烯：NiO＝1：3)，80℃保温搅拌1h，形成前驱体溶液C。
(6)将前驱体溶液C滴到基片，旋涂后350℃退火成膜。
实施例2
以利用硝酸镍、乙醇、氧化石墨烯、氢氧化钾、多巴胺为例进行详细介绍。
(1)氧化石墨烯制备：同实施例1。
(2)将适量的多巴胺溶解于5ml乙醇中形成浓度为0.2M的溶液。
(3)将氧化石墨烯溶解于10ml乙醇中，室温下超声分散30min，形成均匀分散的棕色悬浮液(浓度为0.5M的溶液)。将棕色悬浮液与适量的多巴胺溶液混合均匀后(摩尔比，氧化石墨烯：多巴胺＝3:1)，70℃保温处理5h，形成前驱体溶液A。
(4)将硝酸镍溶解于50ml乙醇中，形成浓度为0.5M的透明溶液。然后在70℃下搅拌溶解。接着，将氢氧化钾溶解于10ml乙醇中，室温搅拌溶解形成透明溶液(摩尔比，OH-：Ni2+＝2：1)。继续在70℃下搅拌3h得到一种均匀的透明溶液，形成前驱体溶液B。
(5)将10ml前驱体A与50ml前驱体溶液B混合均匀后(摩尔比，氧化石墨烯：NiO＝1：3)，70℃保温搅拌1h，形成前驱体溶液C。
(6)将前驱体溶液C滴到基片，旋涂后350℃退火成膜。
实施例3
以利用氯化镍、乙二醇甲醚、氧化石墨烯、乙醇胺、多巴胺为例进行详细介绍。
(1)氧化石墨烯制备：同实施例1。
(2)将适量的多巴胺溶解于5ml乙醇中形成浓度为0.2M的溶液。
(3)将氧化石墨烯溶解于10ml乙二醇甲醚中，室温下超声分散30min，形成均匀分散的棕色悬浮液(浓度为0.5M的溶液)。将棕色悬浮液与适量的多巴胺溶液混合均匀后(摩尔比，氧化石墨烯：多巴胺＝3:1)，80℃保温处理5h，形成前驱体溶液A。
(4)将氯化镍溶解于50ml乙二醇甲醚中，形成浓度为0.5M的透明溶液。然后在80℃下搅拌溶解。接着，将氢氧化钾溶解于10ml乙二醇甲醚中，室温搅拌溶解形成透明溶液(摩尔比，OH-：Ni2+＝2：1)。继续在80℃下搅拌3h得到一种均匀的透明溶液，形成前驱体溶液B。
(5)将10ml前驱体A与50ml前驱体溶液B混合均匀后(摩尔比，氧化石墨烯：NiO＝1：3)，80℃保温搅拌1h，形成前驱体溶液C。
(6)将前驱体溶液C滴到基片，旋涂后350℃退火成膜。
实施例4
一种发光二极管QLED器件，结构如图1所示，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5、阴极6。其中，衬底1的材料为玻璃片，阳极2的材料为ITO基板，空穴传输层3的材料为上述实施例1-3中任意一种复合材料，电子传输层5的材料ZnO为及阴极6的材料为Al。
上述发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
A：首先生长一空穴传输层于基板上；其中所述空穴传输层的材料为如上实施例1-3所述的复合材料；
B：接着沉积量子点发光层于空穴传输层上；
C：最后沉积电子传输层于量子点发光层上，并蒸镀阴极于电子传输层上，得到发光二极管。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括氧化石墨烯和结合在所述氧化石墨烯表面的氧化镍纳米颗粒，所述氧化镍纳米颗粒通过多巴胺连接在所述氧化石墨烯表面；其中，所述多巴胺的氨基与所述氧化石墨烯连接，所述多巴胺的羟基与所述氧化镍纳米颗粒连接。
2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料用作量子点发光二极管的空穴传输材料。
3.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述氧化石墨烯中的碳元素与多巴胺的摩尔比为(2-3)：1。
4.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述氧化石墨烯中的碳元素与所述氧化镍纳米颗粒中的氧化镍的摩尔比为1：(3-4)。
5.一种如权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供多巴胺和氧化石墨烯；
将所述多巴胺和氧化石墨烯溶于第一溶剂中，进行第一加热处理，得到表面结合有多巴胺的氧化石墨烯；
将所述表面结合有多巴胺的氧化石墨烯与氧化镍溶于第二溶剂中，进行第二加热处理，得到前驱体溶液；
将所述前驱体溶液沉积在基底上，进行退火处理，得到所述复合材料。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热处理的温度为60℃-90℃；和/或
所述第一加热处理的时间为2h-4h。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二加热处理的温度为60℃-90℃；和/或
所述第二加热处理的时间为2h-4h。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为300℃-350℃。
9.如权利要求5-8任一项所述的制备方法，其特征在于，将所述多巴胺和氧化石墨烯溶于第一溶剂中的步骤包括：
将所述氧化石墨烯溶于第一溶剂中，进行超声处理，得到氧化石墨烯悬浮液，将所述多巴胺加入所述氧化石墨烯悬浮液中。
10.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层的材料为权利要求1或权利要求3-4任一项所述的复合材料。
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