CN109980097A

CN109980097A - 一种薄膜的制备方法与qled器件

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Publication number: CN109980097A
Application number: CN201711448269.6A
Authority: CN
Inventors: 何斯纳; 吴龙佳; 吴劲衡
Original assignee: TCL Corp
Current assignee: TCL Corp
Priority date: 2017-12-27
Filing date: 2017-12-27
Publication date: 2019-07-05
Anticipated expiration: 2037-12-27
Also published as: CN109980097B

Abstract

本发明公开一种薄膜的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将锌盐溶液与碱混合，进行反应，得到ZnO纳米颗粒；将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱，进行水解反应，形成前驱体溶液；将所述前驱体溶液沉积成膜，并进行退火反应，得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。本发明ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜，使得电子空穴对的辐射组合减少，从而提高电子传输性能，增强器件的发光效率。另外，基于ZnO/TiO₂核壳结构的QLED器件可以调控电子注入，防止无辐射俄歇复合机制猝灭量子点的发光，从而平衡电子和空穴，提高器件的发光效率。

Description

一种薄膜的制备方法与QLED器件

技术领域

本发明涉及QLED器件技术领域，尤其涉及一种薄膜的制备方法与QLED器件。

背景技术

ZnO是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37 eV的宽禁带和3.7 eV的低功函，这种能带结构特点决定了ZnO可成为合适的电子传输层材料；同时其良好的导电性、高可见光透过率、优异的水氧稳定性以及成熟的制备工艺，使其在溶液工艺的光电器件中有着越来越出色的表现。

TiO₂是一种广泛应用的多功能材料，具有3.2 eV的宽禁带，它有着独特的光学、电学及物理性质，优良的化学稳定性，能够抵抗介质的电化学腐蚀，己被广泛应用于涂料、化妆品、半导体、传感器、介电材料、催化剂等领域。TiO₂是一种重要的宽禁带间接带隙半导体材料，广泛地用作为阳极催化分解水、太阳能电池等光化学以及光电子器件的功能材料。

氧化锌为直接带隙半导体而二氧化钛为间接带隙半导体，其禁带宽度都在3.2 eV左右。两者都是重要的半导体材料，在光催化、光电转化等领域都有广泛的应用。这种功能上的相似性与带隙上较小的差异性使得通过两者的复合来改善光学性质、光电转化行为成为可能。但二者复合材料报道得较少，特别在QLED方面的应用。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种薄膜的制备方法与QLED器件，旨在提供一种ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒作为电子传输层的材料，以提高电子传输性能，增强器件的发光效率。

本发明的技术方案如下：

一种薄膜的制备方法，其中，包括步骤：

将锌盐溶液与碱混合，进行反应，得到ZnO纳米颗粒；

将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱，进行水解反应，形成前驱体溶液；

将所述前驱体溶液沉积成膜，并进行退火反应，得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌或二水合乙酸锌；和/或所述钛盐选自四氯化钛、硝酸钛、硫酸钛或钛酸四丁酯。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述碱选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、乙醇胺、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺或乙二胺。

所述的薄膜的制备方法，其中，在将锌盐溶液与碱混合的步骤中，所述碱与所述锌盐的摩尔比为（1.8-2.5）：1。

所述的薄膜的制备方法，其中，在进行反应，得到ZnO纳米颗粒的步骤中，所述反应的温度为50-70℃，反应的时间为2-4h。

所述的薄膜的制备方法，其中，在将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中的步骤中，所述ZnO纳米颗粒与所述钛盐的摩尔比为1：（0.05~0.1）。

所述的薄膜的制备方法，其中，在将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱的步骤中，所述碱与所述钛盐的摩尔比为（3.5-4.5）：1。

所述的薄膜的制备方法，其中，在进行水解反应的步骤中，所述水解反应的温度为50-70℃，水解反应的时间为2-4h。

所述的薄膜的制备方法，其中，所述退火反应的温度为300~350℃。

一种QLED器件，包括电子传输层，其中，所述电子传输层为本发明所述制备方法制备的薄膜。

有益效果：本发明通过上述方法，制备得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒，所述TiO₂作为壳层包覆在所述ZnO表面，可以填补ZnO表面的氧空位，降低表面氧缺陷的形成，使得电子空穴对的辐射组合减少，从而提高电子传输性能，增强器件的发光效率。另外，基于ZnO/TiO₂核壳结构的QLED器件可以调控电子注入，防止无辐射俄歇复合机制猝灭量子点的发光，从而平衡电子和空穴，提高器件的发光效率。

附图说明

图1为本发明正装结构的含空穴传输层的QLED器件的结构示意图。

图2为本发明倒装结构的含空穴传输层的QLED器件的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种薄膜的制备方法与QLED器件，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明提供一种纳米颗粒的制备方法，其中，包括步骤：

S100、将锌盐溶液与碱混合，进行反应，得到ZnO纳米颗粒；

S200、将钛盐和所述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱，进行水解反应，形成前驱体溶液；

S300、将所述前驱体溶液沉积成膜，并进行退火反应，得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

本发明通过上述方法，制备得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒，所述TiO₂作为壳层包覆在所述ZnO表面，可以填补ZnO表面的氧空位，降低表面氧缺陷的形成，使得电子空穴对的辐射组合减少，从而提高电子传输性能，增强器件的发光效率。另外，基于ZnO/TiO₂核壳结构的QLED器件可以调控电子注入，防止无辐射俄歇复合机制猝灭量子点的发光，从而平衡电子和空穴，提高器件的发光效率。

步骤S100具体包括：将锌盐溶解于有机溶剂中，在50-70℃下搅拌溶解得到锌盐溶液；在锌盐溶液中加入碱，在50-70℃下搅拌反应2-4h，待冷却后用沉淀剂析出、洗涤，得到ZnO纳米颗粒。

优选的，所述锌盐溶液中，所述锌盐的浓度为0.2-1M。

优选的，所述锌盐为可溶性无机锌盐或有机锌盐。进一步优选的，所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌或二水合乙酸锌等不限于此。

优选的，所述有机溶剂选自异丙醇、甲醇、乙醇、丙醇和丁醇等中的一种或多种。

优选的，所述碱选自氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氨水、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺或四甲基氢氧化铵等不限于此。

本发明通过锌盐与碱反应生成氢氧化锌（Zn(OH)₂），Zn(OH)₂发生缩聚反应，脱水生成ZnO纳米颗粒。优选的，在将锌盐溶液与碱混合的步骤中，所述碱与所述锌盐的摩尔比为（1.8-2.5）：1。当碱与锌盐的摩尔量比小于1.8：1时，锌盐过量，碱较少，生成氢氧化锌不够充分；大于2.5：1时，pH值过高会导致体系中缩聚速度就会减慢。最优地，保持碱与锌盐摩尔比为（1.8-2.5）：1时，可以确保后续得到颗粒均匀的ZnO纳米颗粒。

优选的，在进行反应，得到ZnO纳米颗粒的步骤中，所述反应的温度为50-70℃，反应的时间为2-4h，该条件下反应充分，原料利用率高。

步骤S200具体包括：将钛盐和上述ZnO纳米颗粒溶解于有机溶剂中，再加入碱，在50-70℃下搅拌反应2-4h，形成前驱体溶液。

优选的，所述钛盐为可溶性无机钛盐或有机钛盐。进一步优选的，所述钛盐选自四氯化钛、硝酸钛、硫酸钛或钛酸四丁酯等不限于此。

在将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中的步骤中，所述ZnO纳米颗粒与所述钛盐的摩尔比为1：（0.05~0.1）。因为当钛的加入量小于5%后，TiO₂不能均匀的在ZnO表面形成壳层，或壳层覆盖度不够；当钛的加入量大于10%时，TiO₂在ZnO表面的壳层厚度越来越大，ZnO的成分比例下降，降低电子传输性能。

本发明通过钛盐与碱反应生成氢氧化钛（Ti(OH)₄），Ti(OH)₄发生脱水缩聚反应，在ZnO纳米颗粒表面生成TiO₂壳层。在将钛盐和上述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱的步骤中，所述碱与所述钛盐的摩尔比为（3.5-4.5）：1。当碱和钛盐的摩尔比小于3.5：1时，碱较少，生成氢氧化钛不够充分；大于4.5：1时，pH值过高会导致体系中缩聚速度就会减慢。最优的，保持碱与钛的摩尔比为（3.5-4.5）：1时，可以确保最后制备得到的ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒薄膜紧实致密，薄膜表面颗粒分布均匀。

步骤S300具体包括：将所述前驱体溶液沉积成膜，并在温度为300~350℃的条件下进行退火反应，前驱体溶液成膜后经退火反应生成ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

本发明提供的薄膜的制备方法，具有以下好处：

1、基于ZnO/TiO₂核壳结构的QLED可以调控电子注入，防止无辐射俄歇复合机制猝灭量子点的发光，平衡电子和空穴，提高器件效率；

2、TiO₂为壳层，可以填补ZnO表面的氧空位，降低表面氧缺陷的形成，使得电子空穴对的辐射组合减少，提高电子传输性能，增强器件的发光效率；

3、本发明制备ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒的方法十分简单，适合大面积、大规模制备。

下面通过实施例对本发明ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜的制备方法进行详细说明。

实施例1

下面以利用醋酸锌、硫酸钛、乙醇、氢氧化钾、乙酸乙酯制备ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜为例进行详细介绍。

（1）首先将适量的醋酸锌加入到50mL乙醇中形成总浓度为0.5M的溶液。然后在60℃下搅拌溶解，加入碱液（由氢氧化钾溶解于10mL乙醇中配制得到），按摩尔比计，溶液中溶出的OH^-：Zn²⁺=2.0：1。继续在60℃下搅拌3h得到一种均匀的透明溶液。随后，待溶液冷却后用乙酸乙酯析出，离心后用少量乙醇溶解（重复操作，洗涤3次），制得ZnO纳米颗粒；

（2）将ZnO纳米颗粒和适量的硫酸钛加入到30mL乙醇中形成总浓度为0.5M的溶液，其中锌：钛的摩尔比为1：8%。然后在60℃下搅拌溶解，加入碱液（由氢氧化钾溶解于5mL乙醇中配制得到），按摩尔比计，溶液中溶出的OH^-：Ti⁴⁺=4.0：1。继续在60℃下搅拌3h得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒溶液；

（3）将所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒溶液旋涂在基板上，然后在320℃下进行退火反应，得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

实施例2

下面以利用硝酸锌、硝酸钛、甲醇、乙醇胺、庚烷制备ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒为例进行详细介绍。

（1）首先将适量的硝酸锌加入到50mL甲醇中形成总浓度为0.2M的溶液。然后在60℃下搅拌溶解，加入碱液（由乙醇胺溶解于10mL甲醇中配制得到），按摩尔比计，溶液中乙醇胺：Zn²⁺=1.8：1。继续在60℃下搅拌2h得到一种均匀的透明溶液。随后，待溶液冷却后用庚烷析出，离心后用少量甲醇溶解（重复操作，洗涤3次），制得ZnO纳米颗粒；

（2）将ZnO纳米颗粒和适量的硝酸钛加入到30mL甲醇中形成总浓度为0.2M的溶液，其中锌：钛的摩尔比为1：5%。然后在60℃下搅拌溶解，加入碱液（由乙醇胺溶解于5mL甲醇中配制得到），按摩尔比计，溶液中乙醇胺：Ti⁴⁺=3.8：1。继续在60℃下搅拌2h得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒溶液；

（3）将所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒溶液旋涂在基板上，然后在350℃下进行退火反应，得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

实施例3

下面以利用氯化锌、四氯化钛、丙醇、氢氧化锂、辛烷制备ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒为例进行详细介绍。

（1）首先将适量的氯化锌加入到50mL丙醇中形成总浓度为1M的溶液。然后在60℃下搅拌溶解，加入碱液（由氢氧化锂溶解于10mL丙醇中配制得到），按摩尔比计，溶液中溶出的OH^-：Zn²⁺=2.5：1。继续在60℃下搅拌4h得到一种均匀的透明溶液。随后，待溶液冷却后用辛烷析出，离心后用少量丙醇溶解（重复操作，洗涤3次），制得ZnO纳米颗粒；

（2）将ZnO纳米颗粒和适量的四氯化钛加入到30mL丙醇中形成总浓度为1M的溶液，其中锌：钛的摩尔比为1：10%。然后在60℃下搅拌溶解，加入碱液（由氢氧化锂溶解于5mL丙醇中配制得到），按摩尔比计，溶液中溶出的OH^-：Ti⁴⁺=4.5：1。继续在60℃下搅拌4h得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒溶液；

（3）将所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒溶液旋涂在基板上，然后在300℃下进行退火反应，得到ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

对于QLED器件来说，由于ZnO电子传输层相对一般通用的空穴传输层具有较高的电荷迁移率，同时ZnO电子传输层和量子点发光层之间的电子注入势垒低于空穴传输层和量子点发光层之间的空穴注入势垒，使电子相对容易从电子传输层注入到量子点发光层，导致了基于ZnO的器件量子点发光层的载流子主要是电子。量子点发光层不平衡的电荷注入将导致量子点带负电，进而以无辐射俄歇复合机制猝灭量子点的发光，这是限制器件效率的一个因素。本发明采用ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒，由于TiO₂电子传输层与一般通用的空穴传输层的电荷迁移率处在相同的数量级，导致在基于ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒的器件与基于ZnO纳米颗粒的器件相比在相同电压下注入量子点发光层中的电子数量较少，使基于ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒的器件的量子点发光层中可以调控电子注入，平衡电子和空穴提高器件效率。同时，TiO₂作为壳层，可以填补ZnO表面的氧空位，造成氧空位减少，降低表面氧缺陷的形成，使得电子空穴对的辐射组合减少，提高电子传输性能，增强器件的发光效率。

本发明还提供一种QLED器件，包括电子传输层，其中，所述电子传输层为本发明所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

在一种实施方式中，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述电子传输层为本发明所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

在一种优选的实施方式中，所述QLED器件包括叠层设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述电子传输层的材料为本发明所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

需说明的是，本发明不限于上述结构的QLED器件，还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。本发明所述QLED器件可以部分封装、全封装或不封装。

下面对含空穴传输层的QLED器件结构及其制备方法作详细说明：

根据所述QLED器件发光类型的不同，所述QLED器件可以分为正装结构的QLED器件和倒装结构的QLED器件。

在一种实施方式中，所述QLED器件为正装结构的QLED器件，如图1所示，所述QLED器件包括从下往上叠层设置的阳极2（所述阳极2叠层设置于衬底1上）、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极6，其中，所述电子传输层5为本发明所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

在另一种实施方式中，当所述QLED器件为倒装结构的QLED器件时，如图2所示，所述QLED器件包括从下往上叠层设置的阴极6（所述阴极6叠层设置于衬底1上）、电子传输层5、量子点发光层4、空穴传输层3和阳极2，其中，所述电子传输层5为本发明所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜。

优选的，所述阳极的材料选自掺杂金属氧化物；其中，所述掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）、镓掺杂氧化锌（GZO）、铟掺杂氧化锌（IZO）、镁掺杂氧化锌（MZO）、铝掺杂氧化镁（AMO）中的一种或多种。

优选的，所述空穴传输层的材料选自具有良好空穴传输能力的有机材料，例如可以为但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（Poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯和C60中的一种或多种。

优选的，所述量子点发光层的材料选自红量子点、绿量子点、蓝量子点中的一种或多种，也可选自黄光量子点。具体的，所述量子点发光层的材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、以及各种核壳结构量子点或合金结构量子点中的一种或多种。本发明所述量子点可以选自含镉或者不含镉量子点。该材料的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。

优选的，所述阴极的材料选自导电碳材料、导电金属氧化物材料和金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维和多孔碳中的一种或多种；导电金属氧化物材料包括但不限于ITO、FTO、ATO和AZO中的一种或多种；金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金；其中所述金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥和纳米空心球中的一种或多种。

本发明还提供一种正装结构的含空穴传输层的QLED器件的制备方法，包括如下步骤：

提供含阳极的衬底，在阳极上制备空穴传输层；

在空穴传输层上制备量子点发光层；

在量子点发光层上制备电子传输层，其中，所述电子传输层为本发明所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜；

在电子传输层上制备阴极，得到QLED器件。

在一种实施方式中，在量子点发光层上制备电子传输层的步骤具体包括：将已制备好量子点发光层的衬底置于匀交胶机上，将配制好一定浓度的ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒溶液旋涂在量子点发光层上，通过调整溶液的浓度、旋涂速度（旋涂转速在2000~6000之间）和旋涂时间来控制电子传输层的厚度，约20~60nm，然后在300-350℃（如320℃）下退火成膜。此步骤可以在空气中退火、亦可以在氮气氛围中退火，具体根据实际需要选择退火氛围。

在一种实施方式中，在电子传输层上制备阴极的步骤具体包括：将沉积完各功能层的衬底置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层15-30nm的金属银或者铝等作为阴极，或者使用纳米Ag线或者Cu线等，上述材料具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。

本发明还提供一种倒装结构的含空穴传输层的QLED器件的制备方法，包括如下步骤：

提供含有阴极的衬底，在所述阴极上制备电子传输层，其中，所述电子传输层为本发明所述ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒组成的薄膜；

在电子传输层上制备量子点发光层；

在量子点发光层上制备空穴传输层；

在空穴传输层上制备阳极，得到QLED器件。

作为其中一实施方式，在阴极上制备电子传输层的步骤具体包括：将阴极置于匀交胶机上，将配制好一定浓度的ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒溶液旋涂在阴极上，通过调整溶液的浓度、旋涂速度（旋涂转速在2000~6000之间）和旋涂时间来控制电子传输层的厚度，约20~60nm，然后在300-350℃（如320℃）下退火成膜。此步骤可以在空气中退火、亦可以在氮气氛围中退火，具体根据实际需要选择退火氛围。

优选的，本发明量子点发光层的厚度为20-60nm。

优选的，本发明阴极的厚度为15-30nm。

本发明还包括步骤：对得到的所述QLED器件进行封装处理，所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0 .1ppm，以保证QLED器件的稳定性。

上述各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。

综上所述，本发明提供的一种薄膜的制备方法与QLED器件，本发明基于ZnO/TiO₂核壳结构的QLED可以调控电子注入，防止无辐射俄歇复合机制猝灭量子点的发光，平衡电子和空穴，提高器件效率； TiO₂为壳层，可以填补ZnO表面的氧空位，降低表面氧缺陷的形成，使得电子空穴对的辐射组合减少，提高电子传输性能，增强器件的发光效率；本发明制备ZnO/TiO₂核壳纳米颗粒的方法十分简单，适合大面积、大规模制备。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims

1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

将锌盐溶液与碱混合，进行反应，得到ZnO纳米颗粒；

将钛盐和所述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱，进行水解反应，形成前驱体溶液；

2.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌或二水合乙酸锌；和/或所述钛盐选自四氯化钛、硝酸钛、硫酸钛或钛酸四丁酯。

3.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述碱选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、乙醇胺、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺或乙二胺。

4.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在将锌盐溶液与碱混合的步骤中，所述碱与所述锌盐的摩尔比为（1.8-2.5）：1。

5.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在进行反应，得到ZnO纳米颗粒的步骤中，所述反应的温度为50-70℃，反应的时间为2-4h。

6.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在将钛盐和所述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中的步骤中，所述ZnO纳米颗粒与所述钛盐的摩尔比为1：（0.05~0.1）。

7.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在将钛盐和所述ZnO纳米颗粒加入有机溶剂中，再加入碱的步骤中，所述碱与所述钛盐的摩尔比为（3.5-4.5）：1。

8.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，在进行水解反应的步骤中，所述水解反应的温度为50-70℃，水解反应的时间为2-4h。

9.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火反应的温度为300~350℃。

10.一种QLED器件，包括电子传输层，其特征在于，所述电子传输层为权利要求1-9任一所述制备方法制备的薄膜。