CN112625671B - 核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管 - Google Patents

核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管。所述核壳纳米材料包括ZnS纳米核、包覆所述ZnS纳米核的Au壳层，所述ZnS纳米核和所述Au壳层之间由硅烷偶联剂连接；其中，所述硅烷偶联剂中的硅烷氧基与所述Au壳层相结合，所述硅烷偶联剂中的有机官能基与所述ZnS纳米核相结合。将该核壳纳米材料用于量子点发光二极管的电子传输层可以增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，从而提高器件性能。

Description

核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管
技术领域
本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管。
背景技术
半导体量子点(Quantum Dot，QD)具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，CdSe QDs的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量，并注入QDs使其发光。
近年来，无机半导体作为电子传输层成为比较热的研究内容。ZnS是宽禁带半导体材料，由于具有量子限域效应、尺寸效应和优越的荧光特性等优点而吸引了众多研究者的目光。因此，在近十几年里，ZnS纳米材料已经在光催化、传感器、透明电极、荧光探针、二极管、太阳能电池和激光器等领域的研究中显示出了巨大的发展潜力。
ZnS是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，禁带宽度(3.62eV)化学性质稳定，资源丰富，价格便宜，通过改性可以使硫化锌具有更好的电子传输性质，但目前ZnS作为电子传输材料的性能还不够理想。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管，旨在解决现有ZnS作为电子传输材料，其电子传输性能不理想的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种核壳纳米材料，所述核壳纳米材料包括ZnS纳米核、包覆所述ZnS纳米核的Au壳层，所述ZnS纳米核和所述Au壳层之间由硅烷偶联剂连接；其中，所述硅烷偶联剂中的硅烷氧基与所述Au壳层相结合，所述硅烷偶联剂中的有机官能基与所述ZnS纳米核相结合。
本发明提供的核壳纳米材料包括ZnS纳米核和包覆所述ZnS纳米核的Au壳层，该ZnS纳米核和Au壳层通过硅烷偶联剂牢牢地连接，因此使得核壳结构具有很好的稳定性，而Au壳层修饰在ZnS纳米核表面，使其表面缺陷减少，进而抑制表面缺陷对载流子的俘获，从而提高内核的电子传输性能；将该核壳纳米材料用于量子点发光二极管的电子传输层时，Au壳层包覆在ZnS纳米核表面相当于构筑了一条受激电子从电子传输材料向量子点发光材料快速有效转移的通道，而且Au的表面等离子共振效应可以诱导局部电磁场增强，从而增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，从而提高器件性能。
本发明另一方面提供一种核壳纳米材料的制备方法，包括如下步骤：
提供ZnS纳米颗粒；
将所述ZnS纳米颗粒与硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，进行混合处理，得到含有表面结合有硅烷偶联剂的ZnS纳米颗粒的溶液；
将金盐和还原剂依次加入所述溶液中，进行还原反应，然后固液分离，得到所述核壳纳米材料。
本发明提供的核壳纳米材料的制备方法，先在溶液中将ZnS纳米颗粒表面用硅烷偶联剂进行连接修饰，然后依次加入金盐和还原剂进行还原反应，此时ZnS纳米颗粒表面的硅烷偶联剂中的硅烷氧基会吸附连接金离子，进而还原成金形成Au壳层，从而得到核壳纳米材料，该制备方法具有工艺简单和成本低的特点，适合大面积、大规模制备，最终得到的核壳纳米材料将其用于量子点发光二极管的电子传输层，可以增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，从而提高器件性能。
相应的，一种核壳纳米材料作为电子传输材料的应用，所述核壳纳米材料包括：上述核壳纳米材料或由上述制备方法制得的核壳纳米材料。
最后，本发明还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层由本发明所述的核壳纳米材料或本发明所述的制备方法制得的核壳纳米材料组成。
本发明提供的量子点发光二极管中的电子传输层由本发明特有的核壳纳米材料或本发明所述的制备方法制得的特有的核壳纳米材料组成，该核壳纳米材料可以增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，从而提高器件性能。
附图说明
图1为本发明提供的核壳纳米材料的结构示意图；
图2为本发明提供的核壳纳米材料的制备方法流程示意图；
图3为本发明提供的正置量子点发光二极管的结构示意图；
图4为本发明提供的倒置量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种核壳纳米材料，其结构如图1所示，所述核壳纳米材料包括ZnS纳米核、包覆所述ZnS纳米核的Au壳层，所述ZnS纳米核和所述Au壳层之间由硅烷偶联剂连接；其中，所述硅烷偶联剂中的硅烷氧基与所述Au壳层相结合，所述硅烷偶联剂中的有机官能基与所述ZnS纳米核相结合。
本发明实施例提供的核壳纳米材料包括ZnS纳米核和包覆所述ZnS纳米核的Au壳层，该ZnS纳米核和Au壳层通过硅烷偶联剂牢牢地连接，因此使得核壳结构具有很好的稳定性，而Au壳层修饰在ZnS纳米核表面，使其表面缺陷减少，进而抑制表面缺陷对载流子的俘获，从而提高内核的电子传输性能；将该核壳纳米材料用于量子点发光二极管的电子传输层时，Au壳层包覆在ZnS纳米核表面相当于构筑了一条受激电子从电子传输材料向量子点发光材料快速有效转移的通道，而且Au的表面等离子共振效应可以诱导局部电磁场增强，从而增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，从而提高器件性能。
在一实施例中，所述ZnS纳米核的粒径为4～8nm；所述Au壳层的厚度为1～2nm。在一实施例中，所述ZnS纳米核中的ZnS与所述Au壳层中的Au的摩尔比为1：(0.5～0.8)；当Au较少时，少量的Au形成的壳层太薄且不均匀，不可以有效的触发表面等离子体共振效应，当Au太多时，壳层的较厚，金壳层却会产生淬灭现象，使得器件的效率反而降低。
在一是实施例中，所述ZnS纳米核中的ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比为1：(1～2)。该摩尔比范围内，可以更好地将Au吸附在ZnS纳米核表面形成Au壳层。
硅烷偶联剂的分子结构式可以为：Y-R-Si(OR)3(式中Y一有机官能基，Si(O-)3一硅烷氧基)，本发明实施例中，硅烷偶联剂通过Si(O-)3与Au壳层连接，有机官能基连接ZnS纳米核。具体地，所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂中的有机官能基为氨基；所述硅烷偶联剂选自巯基硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂中的有机官能基为巯基；所述硅烷偶联剂选自乙烯基硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂中的有机官能基为乙烯基。优选地，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷偶联剂，有机官能基为氨基时，可以更好地结合在ZnS纳米核表面，具体地，所述氨基硅烷偶联剂选自3-氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、N-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷和苯氨基甲基三乙氧基硅烷中的至少一种。
另一方面，本发明实施例还提供了一种核壳纳米材料的制备方法，如图2所示，该制备方法包括如下步骤：
S01：提供ZnS纳米颗粒；
S02：将所述ZnS纳米颗粒与硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，进行混合处理，得到含有表面结合有硅烷偶联剂的ZnS纳米颗粒的溶液；
S03：将金盐和还原剂依次加入所述溶液中，进行还原反应，然后固液分离，得到所述核壳纳米材料。
本发明实施例提供的核壳纳米材料的制备方法，先在溶液中将ZnS纳米颗粒表面用硅烷偶联剂进行连接修饰，然后依次加入金盐和还原剂进行还原反应，此时ZnS纳米颗粒表面的硅烷偶联剂中的硅烷氧基会吸附连接金离子，进而还原成金形成Au壳层，从而得到核壳纳米材料，该制备方法具有工艺简单和成本低的特点，适合大面积、大规模制备，最终得到的核壳纳米材料将其用于量子点发光二极管的电子传输层，可以增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，从而提高器件性能。
上述步骤S01中，ZnS纳米颗粒的制备方法可以为：将锌盐溶解于有机溶剂，加入硫源，加热搅拌，待冷却后用沉淀剂析出，洗涤，制得ZnS纳米材料；其中，所述锌盐为可溶性无机锌盐或有机锌盐，如醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌、二水合乙酸锌等不限于此。所述硫源为硫化钠、硫化钾、硫脲、硫化胺等不限于此。所述有机溶剂为异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇等不限于此。所述沉淀剂为弱极性和非极性溶剂，如乙酸乙酯，庚烷，辛烷等不限于此。上述过程中，锌盐溶液浓度为0.2M～1M。
通过锌盐与硫源反应生成ZnS。进一步地，所述硫源中的硫摩尔量与锌离子摩尔量的比为(1～1.5)：1，当硫与锌离子摩尔量的比小于1：1，锌盐过量，硫的量较少，生成硫化锌不够充分；大于1.5：1时，硫盐过量，多余的硫盐在后续步骤中不易除去。最优地，硫的摩尔量与锌离子摩尔量的比为(1～1.5)：1时，效果最佳。
在上述步骤S02中，在将所述ZnS纳米颗粒与硅烷偶联剂溶于有机溶剂中的步骤中，所述ZnS纳米颗粒中的ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比为1：(1～2)；ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比为1：(1～2)时，硅烷偶联剂可以很好的修饰在ZnS表面。当ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比小于1:1时，随着原料反应的进行，硅烷偶联剂的浓度越来越小，反应变的很慢，且不能完全吸附在纳米颗粒表面；当ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比大于1:2时，反应进行的太快而导致反应不稳当，不能均匀的吸附在纳米颗粒表面。最优地，保持ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比为1：(1～2)。所述混合处理的时间为6h～8h。所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇中的至少一种。
所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂、巯基硅烷偶联剂和乙烯基硅烷偶联剂中的至少一种，优选为氨基硅烷偶联剂，所述氨基硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)、氨丙基三甲氧基硅烷(APS)、N-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-591)、苯氨基甲基三乙氧基硅烷等不限于此。
在上述步骤S03中，在将金盐和还原剂依次加入所述溶液中的步骤中，所述ZnS纳米颗粒中的ZnS与金盐中的金离子的摩尔比为1:(0.5～1)；当Au3+较少时，少量的Au3+还原后形成的壳层太薄且不均匀，不可以有效的触发表面等离子体共振效应。但随着含Au壳层的加厚，器件效率也在不断的提高。但随着Au壳层的太厚，器件的效率也在陡降。因为，随着Au壳层的不断加厚，金壳层却会产生淬灭现象，使得器件的效率反而降低。在将金盐和还原剂依次加入所述溶液中的步骤中，所述金盐中的金离子与还原剂的摩尔比为1:(5～7)，当还原剂较少时，不能很好的将Au3+还原为Au0；当还原剂较多时，还原反应速率较快，导致壳层厚度均匀性不好。最优地，保持ZnS与Au3+的摩尔比控制在1:(0.5～1)，Au3+与还原剂的摩尔比控制在1:(5～7)。所述还原反应的温度为40℃～50℃；所述还原反应的时间为1h～2h。所述金盐选自氯金酸、氯化金、溴金酸和溴化金中的至少一种；所述还原剂选自柠檬酸钠、硼氢化钠和盐酸羟胺中的至少一种。
上述步骤S03中固液分离的步骤包括沉降处理或退火处理。对于沉降处理，可先将聚合反应后的溶液冷却至室温(本发明实施例的室温为10-35℃)，然后进行沉降处理析出溶液中的沉降物，收集该沉降物清洗干燥，得到核壳纳米。该沉降处理通过加入沉淀剂实现，沉淀剂为非极性溶剂，如庚烷、辛烷等。对于退火处理，可以直接将溶液在200-300℃的条件下退火，得到粉末的核壳纳米。在一具体实施例中，为了得到该核壳纳米薄膜，将含有羟基或羧基的硫醇加入所述含有核壳纳米颗粒的溶液中进行加热处理后，沉积在基板上进行退火处理，从而得到核壳纳米薄膜；具体地，所述退火处理的温度为200-300℃；所述退火处理的时间为10-20min。该退火条件可以更好地去除溶剂，退火成膜。
相应的，本发明实施例还提供一种核壳纳米材料作为电子传输材料的应用，所述核壳纳米材料包括：本发明实施例的上述核壳纳米材料或由本发明实施例的上述制备方法制得的核壳纳米材料。将核壳纳米材料具有良好的电子传输性能，电子传输效率高，可作为一种良好的电子传输材料应用于制备量子点发光二极管、有机发光二极管，能够增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，提高器件性能。
最后，本发明实施例还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层由本发明实施例上述的核壳纳米材料或本发明实施例上述的制备方法制得的核壳纳米材料组成。
本发明实施例提供的量子点发光二极管中的电子传输层由本发明特有的核壳纳米材料或本发明实施例所述的制备方法制得的特有的核壳纳米材料组成，该核壳纳米材料可以增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，从而提高器件性能。
在一实施例中，电子传输层与阳极之间还设置有电子注入层。在另一实施例中，量子点发光层与阳极之间设置有空穴功能层，如空穴传输层，或层叠的空穴注入层和空穴传输层，其中空穴注入层与阳极相邻。
在一具体实施例中，一种QLED器件的制备，包括如下步骤：
A：首先生长一空穴传输层于ITO基板上；
B：然后在空穴传输层上沉积量子点发光层；
C：最后沉积电子传输层于量子点发光层上，并蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管。
其中，所述电子传输层的材料为上述核壳纳米材料。
为了得到高质量的电子传输层，ITO基底需要经过预处理过程。基板具体的处理步骤包括：将整片ITO导电玻璃用清洁剂清洗，初步去除表面存在的污渍，随后依次在去离子水、丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20min，以除去表面存在的杂质，最后用高纯氮气吹干，即可得到ITO正极基板。
所述空穴传输层可采用本领域常规的空穴传输材料制成，包括但不限于TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、PEDOT：PSS、CBP、NiO、MoO3、WoO3等或者为其任意组合的混合物，亦可以是其它高性能的空穴传输材料。空穴传输层的制备包括：将ITO基板置于匀胶机上，用配制好的空穴传输材料的溶液旋涂成膜；通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在适当温度下热退火处理。
所述量子点发光层中的量子点为油溶性量子点包括二元相、三元相、四元相量子点；其中二元相量子点包括CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS等不限于此，三元相量子点包括ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X等不限于此，四元相量子点包括，ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS等不限于此。则为常见的红、绿、蓝三种的任意一种量子点或者其它黄光均可以，该步骤量子点可以为含镉或者不含镉。该材料的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。量子点发光层的制备：将已旋涂上空穴传输层的基片匀胶机上，将配制好一定浓度的发光物质溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制发光层的厚度，约20-60nm，在适当温度下干燥。
所述电子传输层为本发明实施例的核壳纳米材料薄膜：将已旋涂上量子点发光层的基片置于匀胶机上，将配制好一定浓度的核壳纳米材料溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度(优选地，转速在2000-6000rpm之间)和旋涂时间来控制发光层的厚度，约20-60nm，然后在200-300℃温度下退火成膜。此步骤可以在空气中退火、亦可以在氮气氛围中退火，具体根据实际需要选择退火氛围。
接着，将沉积完各功能层的衬底置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层15-30nm的金属银或者铝作为阴极，或者使用纳米Ag线或者Cu线，具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。
进一步的，将得到的QLED进行封装处理，所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
下面以利用氯化锌、乙醇、硫化钠、乙酸乙酯、APTES、HAuCl4、柠檬酸钠为例进行详细介绍。
(1)将适量的氯化锌加入到50ml乙醇中70℃下搅拌溶解，形成浓度为0.5M的氯化锌溶液，在。将硫化钠溶解于10ml乙醇中得到硫化钠溶液，按摩尔比，S2-：Zn2+＝1.2：1，将两者混合。继续在70℃下搅拌4h得到一种均匀的溶液。随后，待溶液冷却后用乙酸乙酯析出，离心后用少量乙醇溶解，重复析出及溶解步骤3次，干燥，制得ZnS纳米颗粒。
(2)称取适量的ZnS纳米颗粒于烧瓶中，向其中加入50m L无水乙醇形成浓度为0.5M的ZnS纳米颗粒溶液。向烧瓶中加入3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)(摩尔比，ZnS：APTES＝1：1)，在惰性气氛下室温搅拌回流7h。随后，用乙酸乙酯析出，离心后将沉淀溶解于乙醇保存备用，制得APTES-ZnS纳米颗粒。
(3)取20ml溶解了APTES-ZnS纳米颗粒的乙醇溶液(浓度为0.5M)于烧瓶中，随后依次以10ml/h的速度分别滴加10ml HAuCl4溶液和5ml柠檬酸钠溶液(摩尔比，ZnS：Au3+＝1:0.5，Au3+：柠檬酸钠＝1:5)，在40℃下搅拌1h。反应结束后，离心分离干燥，制得核壳纳米材料。
实施例2
下面以硝酸锌、甲醇、硫化钾、庚烷、APS、硼氢化钠为例进行详细介绍。
(1)首先将适量的硝酸锌加入到50ml甲醇中在60℃下搅拌溶解，形成总浓度为0.8M的硝酸锌溶液。将硫化钾溶解于10ml甲醇中，得到硫化钾溶液，按摩尔比S2-：Zn2+＝1.3：1，将两者混合。继续在60℃下搅拌4h得到一种均匀的溶液。随后，待溶液冷却后用庚烷析出，离心后用少量甲醇溶解(重复操作，洗涤3次)，制得ZnS纳米颗粒。
(2)称取适量的ZnS纳米颗粒于烧瓶中，向其中加入50m L无水乙醇形成浓度为0.8M的ZnS纳米颗粒溶液。向烧瓶中加入氨丙基三甲氧基硅烷(APS)(摩尔比，ZnS：APS＝1：1.5)，在惰性气氛下室温搅拌回流8h。随后，用庚烷析出，离心后将沉淀溶解于乙醇保存备用，制得APS-ZnS纳米颗粒。
(3)取20ml溶解了APS-ZnS纳米颗粒的乙醇溶液(浓度为0.8M)于烧瓶中，随后依次以10ml/h的速度分别滴加10ml HAuCl4溶液和5ml硼氢化钠溶液(摩尔比，ZnS：Au3+＝1:1，Au3+：硼氢化钠＝1:6)，在40℃下搅拌1h。反应结束后，离心分离干燥，制得核壳纳米材料。
实施例3
下面以利用氯化锌、丙醇、硫脲、辛烷、KH-591、盐酸羟胺为例进行详细介绍。
(1)首先将适量的硫化锌加入到50ml丙醇中在80℃下搅拌溶解，形成总浓度为1M的氯化锌溶液。将硫脲溶解于10ml丙醇中，得到硫脲溶液，按摩尔比S2-：Zn2+＝1.5：1，将两者混合。继续在80℃下搅拌4h得到一种均匀的溶液。随后，待溶液冷却后用辛烷析出，离心后用少量丙醇溶解(重复操作，洗涤3次)，制得ZnS纳米颗粒。
(2)称取适量的ZnS纳米颗粒于烧瓶中，向其中加入50m L无水乙醇形成浓度为1M的溶液。向烧瓶中加入N-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-591)(摩尔比，ZnS：APS＝1：2)，在惰性气氛下室温搅拌回流8h。随后，用辛烷析出，离心后将沉淀溶解于乙醇保存备用，制得KH-591-ZnS纳米颗粒。
(3)取20ml溶解了KH-591-ZnS纳米颗粒的乙醇溶液(浓度为1M)于烧瓶中，随后依次以10ml/h的速度分别滴加10ml HAuCl4溶液和5ml盐酸羟胺溶液(摩尔比，ZnS：Au3+＝1:0.8，Au3+：盐酸羟胺＝1:7)，在40℃下搅拌1h。反应结束后，离心分离干燥，制得核壳纳米材料。
实施例4
一种QLED器件，其制备方法包括步骤：
A：首先生长一空穴传输层于基板上；
B：接着沉积量子点发光层于空穴传输层上；
C：接着沉积电子传输层于量子点发光层上，所述电子传输层按照实施例1所述的方法制备；
D：最后蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管。
本实施例QLED器件为正置构型，其中，图3为该QLED器件的结构示意图，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5、阴极6。其中，衬底1的材料为玻璃片，阳极2的材料为ITO基板，空穴传输层3的材料TFB，电子传输层5的材料为实施例1制备的核壳纳米材料，以及阴极6的材料为Al。
实施例5
一种QLED器件，其制备方法包括步骤：
A：首先生长一空穴传输层于基板上；
B：接着沉积量子点发光层于空穴传输层上；
C：接着沉积电子传输层于量子点发光层上，所述电子传输层按照实施例2所述的方法制备；
D：最后蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管。
本实施例QLED器件为正置构型，其中，图3为该QLED器件的结构示意图，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5、阴极6。其中，衬底1的材料为玻璃片，阳极2的材料为ITO基板，空穴传输层3的材料TFB，电子传输层5的材料为实施例2制备的核壳纳米材料，以及阴极6的材料为Al。
实施例6
一种QLED器件，其制备方法包括步骤：
A：首先生长一空穴传输层于基板上；
B：接着沉积量子点发光层于空穴传输层上；
C：接着沉积电子传输层于量子点发光层上，所述电子传输层按照实施例3所述的方法制备；
D：最后蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管。
本实施例QLED器件为正置构型，其中，图3为该QLED器件的结构示意图，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5、阴极6。其中，衬底1的材料为玻璃片，阳极2的材料为ITO基板，空穴传输层3的材料TFB，电子传输层5的材料为实施例3制备的核壳纳米材料，以及阴极6的材料为Al。
实施例7
一种QLED器件，其制备方法包括步骤：
A：首先生长一电子传输层于基板上，所述电子传输层按照实施例1所述的方法制备；
B：接着沉积量子点发光层于电子传输层上；
C：接着沉积空穴传输层于量子点发光层上；
D：最后蒸镀阳极于空穴传输层上，得到量子点发光二极管。
本实施例QLED器件为倒置构型，其中，图4为该QLED器件的结构示意图，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阴极6、电子传输层5、量子点发光层4、空穴传输层3、阳极2。其中，衬底1的材料为玻璃片，阴极6的材料为ITO基板，空穴传输层3的材料TFB，电子传输层5的材料为实施例1制备的核壳纳米材料，以及阳极2的材料为Al。
实施例8
一种QLED器件，其制备方法包括步骤：
A：首先生长一电子传输层于基板上，所述电子传输层按照实施例2所述的方法制备；
B：接着沉积量子点发光层于电子传输层上；
C：接着沉积空穴传输层于量子点发光层上；
D：最后蒸镀阳极于空穴传输层上，得到量子点发光二极管。
本实施例QLED器件为倒置构型，其中，图4为该QLED器件的结构示意图，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阴极6、电子传输层5、量子点发光层4、空穴传输层3、阳极2。其中，衬底1的材料为玻璃片，阴极6的材料为ITO基板，空穴传输层3的材料TFB，电子传输层5的材料为实施例2制备的核壳纳米材料，以及阳极2的材料为Al。
实施例9
一种QLED器件，其制备方法包括步骤：
A：首先生长一电子传输层于基板上，所述电子传输层按照实施例3所述的方法制备；
B：接着沉积量子点发光层于电子传输层上；
C：接着沉积空穴传输层于量子点发光层上；
D：最后蒸镀阳极于空穴传输层上，得到量子点发光二极管。
本实施例QLED器件为倒置构型，其中，图4为该QLED器件的结构示意图，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阴极6、电子传输层5、量子点发光层4、空穴传输层3、阳极2。其中，衬底1的材料为玻璃片，阴极6的材料为ITO基板，空穴传输层3的材料TFB，电子传输层5的材料为实施例3制备的核壳纳米材料，以及阳极2的材料为Al。
对比例1
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料TFB，电子传输层的材料为商业ZnS材料(购于Sigma公司)，阴极的材料为Al。
对比例2
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料TFB，电子传输层的材料为商业ZnO材料(购于Sigma公司)，阴极的材料为Al。
对比例3
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料TFB，电子传输层的材料为商业TiO2材料(购于Sigma公司)，阴极的材料为Al。
性能测试：
对实施例1-3中制备得到的核壳纳米材料薄膜、对比例1-3中的电子传输层薄膜、实施例4-9以及对比例1-3制备得到的量子点发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
(1)电子迁移率：测试量子点发光二极管的电流密度(J)-电压(V)，绘制曲线关系图，对关系图中空间电荷限制电流(SCLC)区的进行拟合，然后根据著名的Child’s law公式计算电子迁移率：
J＝(9/8)εrε0μeV2/d3
其中，J表示电流密度，单位mAcm-2；εr表示相对介电常数，ε0表示真空介电常数；μe表示电子迁移率，单位cm2V-1s-1；V表示驱动电压，单位V；d表示膜厚度，单位m。
(2)电阻率：采用同一电阻率测试仪器测定电子传输薄膜电阻率。
(3)外量子效率(EQE)：采用EQE光学测试仪器测定。
注：电子迁移率和电阻率测试为单层薄膜结构器件，即：阴极/电子传输薄膜/阳极。外量子效率测试为所述的QLED器件，即：阳极/空穴传输薄膜/量子点/电子传输薄膜/阴极，或者阴极/电子传输薄膜/量子点/空穴传输薄膜/阳极。
测试结果如下表1所示：
表1
Figure BDA0002213159960000151
Figure BDA0002213159960000161
从上表1可见，本发明实施例1-3提供的核壳纳米材料薄膜，电阻率明显低于对比例1-3中现有商用金属化合物纳米材料制成的电子传输层薄膜的电阻率，而且电子迁移率明显高于对比例1-3。
本发明实施例4-9提供的量子点发光二极管(电子传输层材料为本发明的核壳纳米材料)的外量子效率，明显高于对比例1-3中现有商用金属化合物纳米材料的量子点发光二极管的外量子效率，说明本发明实施例得到的量子点发光二极管具有更好的发光效率。
值得注意的是，本发明提供的具体实施例均以蓝光量子点CdXZn1-XS/ZnS作为发光层材料，是基于蓝光发光体系是使用较多的体系(由于蓝光量子点的发光二极管要达到高效率比较困难，因此更具参考价值)，并不代表本发明仅用于蓝光发光体系。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种核壳纳米材料作为电子传输材料的应用，其特征在于，所述核壳纳米材料包括ZnS纳米核、包覆所述ZnS纳米核的Au壳层，所述ZnS纳米核和所述Au壳层之间由硅烷偶联剂连接；其中，所述硅烷偶联剂中的硅烷氧基与所述Au壳层相结合，所述硅烷偶联剂中的有机官能基与所述ZnS纳米核相结合。
2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述ZnS纳米核的粒径为4~8 nm；和/或，
所述Au壳层的厚度为1~2 nm；和/或，
所述ZnS纳米核中的ZnS与所述Au壳层中的Au的摩尔比为1：（0.5~0.8）；和/或，
所述ZnS纳米核中的ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比为1：（1~2）。
3.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂中的有机官能基为氨基；和/或，
所述硅烷偶联剂选自巯基硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂中的有机官能基为巯基。
4.如权利要求3所述的应用，其特征在于，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷偶联剂，所述氨基硅烷偶联剂选自3-氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、N-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷和苯氨基甲基三乙氧基硅烷中的至少一种。
5.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述核壳纳米材料通过如下步骤生成：
提供ZnS纳米颗粒；
将所述ZnS纳米颗粒与硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，进行混合处理，得到含有表面结合有硅烷偶联剂的ZnS纳米颗粒的溶液；
将金盐和还原剂依次加入所述溶液中，进行还原反应，然后固液分离，得到所述核壳纳米材料。
6.如权利要求5所述的应用，其特征在于，在将所述ZnS纳米颗粒与硅烷偶联剂溶于有机溶剂中的步骤中，所述ZnS纳米颗粒中的ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比为1：（1~2）；和/或，
在将金盐和还原剂依次加入所述溶液中的步骤中，所述ZnS纳米颗粒中的ZnS与金盐中的金离子的摩尔比为1:（0.5~1）；和/或，
在将金盐和还原剂依次加入所述溶液中的步骤中，所述金盐中的金离子与还原剂的摩尔比为1:（5~7）。
7.如权利要求5所述的应用，其特征在于，所述混合处理的时间为6 h~8 h；和/或，
所述还原反应的温度为40℃~50℃；和/或，
所述还原反应的时间为1 h~2 h。
8.如权利要求5-7任一项所述的应用，其特征在于，所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇中的至少一种；和/或，
所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂和巯基硅烷偶联剂中的至少一种；和/或，
所述金盐选自氯金酸、氯化金、溴金酸和溴化金中的至少一种；和/或，
所述还原剂选自柠檬酸钠、硼氢化钠和盐酸羟胺中的至少一种。
9.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极与所述量子点发光层之间设置有电子传输层，其特征在于，所述电子传输层由核壳纳米材料组成，所述核壳纳米材料包括ZnS纳米核、包覆所述ZnS纳米核的Au壳层，所述ZnS纳米核和所述Au壳层之间由硅烷偶联剂连接；其中，所述硅烷偶联剂中的硅烷氧基与所述Au壳层相结合，所述硅烷偶联剂中的有机官能基与所述ZnS纳米核相结合。
10.如权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述ZnS纳米核的粒径为4~8nm；和/或，
所述Au壳层的厚度为1~2 nm；和/或，
所述ZnS纳米核中的ZnS与所述Au壳层中的Au的摩尔比为1：（0.5~0.8）；和/或，
所述ZnS纳米核中的ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比为1：（1~2）。
11.如权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂中的有机官能基为氨基；和/或，
所述硅烷偶联剂选自巯基硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂中的有机官能基为巯基。
12.如权利要求11所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷偶联剂，所述氨基硅烷偶联剂选自3-氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、N-氨乙基-γ-氨丙基三乙氧基硅烷和苯氨基甲基三乙氧基硅烷中的至少一种。
13.如权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述核壳纳米材料通过如下步骤生成：
提供ZnS纳米颗粒；
将所述ZnS纳米颗粒与硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，进行混合处理，得到含有表面结合有硅烷偶联剂的ZnS纳米颗粒的溶液；
将金盐和还原剂依次加入所述溶液中，进行还原反应，然后固液分离，得到所述核壳纳米材料。
14.如权利要求13所述的量子点发光二极管，其特征在于，在将所述ZnS纳米颗粒与硅烷偶联剂溶于有机溶剂中的步骤中，所述ZnS纳米颗粒中的ZnS与硅烷偶联剂的摩尔比为1：（1~2）；和/或，
在将金盐和还原剂依次加入所述溶液中的步骤中，所述ZnS纳米颗粒中的ZnS与金盐中的金离子的摩尔比为1:（0.5~1）；和/或，
在将金盐和还原剂依次加入所述溶液中的步骤中，所述金盐中的金离子与还原剂的摩尔比为1:（5~7）。
15.如权利要求13所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述混合处理的时间为6 h~8 h；和/或，
所述还原反应的温度为40℃~50℃；和/或，
所述还原反应的时间为1 h~2 h。
16.如权利要求13-15任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇中的至少一种；和/或，
所述硅烷偶联剂选自氨基硅烷偶联剂和巯基硅烷偶联剂中的至少一种；和/或，
所述金盐选自氯金酸、氯化金、溴金酸和溴化金中的至少一种；和/或，
所述还原剂选自柠檬酸钠、硼氢化钠和盐酸羟胺中的至少一种。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101125968A (zh) * 2007-08-30 2008-02-20 吉林大学 磁性/金属/荧光复合二氧化硅纳米粒子及其制备方法
CN105336501A (zh) * 2015-11-24 2016-02-17 石河子大学 纳米银和二氧化钛协同修饰氧化锌纳米线阵列及制备方法
CN106784191A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 Tcl集团股份有限公司 Qled器件及其制备方法
CN107298974A (zh) * 2016-09-21 2017-10-27 华东师范大学 一种多层包裹的量子点核壳复合粒子及其制备方法和应用
CN107833976A (zh) * 2017-10-24 2018-03-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Qled器件的制作方法及qled器件
CN108395887A (zh) * 2018-05-03 2018-08-14 西安交通大学 一种荧光粉/贵金属纳米颗粒复合材料的制备方法
CN109385264A (zh) * 2017-08-03 2019-02-26 Tcl集团股份有限公司 一种金属外壳包覆的量子点及其制备方法
CN109929549A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点复合材料及其制备方法
CN109980097A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 Tcl集团股份有限公司 一种薄膜的制备方法与qled器件

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101125968A (zh) * 2007-08-30 2008-02-20 吉林大学 磁性/金属/荧光复合二氧化硅纳米粒子及其制备方法
CN105336501A (zh) * 2015-11-24 2016-02-17 石河子大学 纳米银和二氧化钛协同修饰氧化锌纳米线阵列及制备方法
CN107298974A (zh) * 2016-09-21 2017-10-27 华东师范大学 一种多层包裹的量子点核壳复合粒子及其制备方法和应用
CN106784191A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 Tcl集团股份有限公司 Qled器件及其制备方法
CN109385264A (zh) * 2017-08-03 2019-02-26 Tcl集团股份有限公司 一种金属外壳包覆的量子点及其制备方法
CN107833976A (zh) * 2017-10-24 2018-03-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Qled器件的制作方法及qled器件
CN109929549A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点复合材料及其制备方法
CN109980097A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 Tcl集团股份有限公司 一种薄膜的制备方法与qled器件
CN108395887A (zh) * 2018-05-03 2018-08-14 西安交通大学 一种荧光粉/贵金属纳米颗粒复合材料的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Efficient light trapping with ZnS-Au core-shell random medium;Nair, Radhika等;《NANOPHOTONIC MATERIALS XIII》;20160831;第9919卷;99190D-1-99190D-9 *
Femtosecond laser-pumped plasmonically enhanced near-infrared random laser based on engineered scatterers;VENKATA SIVA GUMMALURI 等;《Optics Letters》;20171130;第42卷;5002-5005 *
Nair, Radhika等.Efficient light trapping with ZnS-Au core-shell random medium.《NANOPHOTONIC MATERIALS XIII》.2016,第9919卷99190D-1-99190D-9. *

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