CN109935714B

CN109935714B - 电子传输材料及其制备方法和发光二极管

Info

Publication number: CN109935714B
Application number: CN201711351756.0A
Authority: CN
Inventors: 吴劲衡; 吴龙佳; 何斯纳
Original assignee: TCL Technology Group Co Ltd
Current assignee: TCL Technology Group Co Ltd
Priority date: 2017-12-15
Filing date: 2017-12-15
Publication date: 2021-04-23
Anticipated expiration: 2037-12-15
Also published as: CN109935714A

Abstract

本发明属于材料技术领域，具体涉及一种电子传输材料及其制备方法和发光二级管。该电子传输材料包括金属氧化物纳米颗粒和PMMA，且所述金属氧化物纳米颗粒和所述PMMA之间通过非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂相连接；其中，所述硅烷偶联剂的一端通过‑Si(O‑)₃与所述金属氧化物纳米颗粒连接，所述硅烷偶联剂的另一端通过‑NH‑CO‑与所述PMMA连接。该电子传输材料用于制备电子传输层，可改善发光二极管器件电子‑空穴注入不均的现象，通过调节电子‑空穴在发光层的注入比例，从而达到平衡电荷注入的效果，即可得到电子注入能力可调的电子传输层，这样可增大发光层中的空穴、电子复合率，提高发光效率。

Description

电子传输材料及其制备方法和发光二极管

技术领域

本发明属于材料技术领域，具体涉及一种电子传输材料及其制备方法和发光二极管。

背景技术

近年来，量子点发光二极管(QLED)技术发展迅速，其发光效率和寿命不断接近OLED的水平。其中，优化器件结构是提升QLED性能的一个大方向，如何通过优化空穴、电子传输层结构提高载流子的迁移率至关重要。

研究人员利用添加电子阻剂(如PMMA、PVP、SiO₂等)充当电子阻挡层，将空穴与电子的结合限制在量子点层，以达到平衡载流子的效果。然而，电子阻挡层的膜层厚度直接影响着载流子的传输性能，以现有的技术如喷墨打印、旋涂等方法难以保证在电极表面达到5纳米内的加工精度，且昂贵的高精度真空沉积法也不适合未来大规模的生产制备，而电子阻挡层厚度稍微过高易引起器件整体绝缘，造成器件良品率低、局部发光效果不佳、启动电压过高等问题；膜层不均匀则会导致器件局部亮度过高或过低，引起局部烧屏的问题，最终影响器件寿命。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种电子传输材料及其制备方法和发光二极管，旨在解决现有发光二极管器件中空穴-电子电荷注入不均，以致影响器件的发光效率和使用寿命的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种电子传输材料，包括金属氧化物纳米颗粒和PMMA，且所述金属氧化物纳米颗粒和所述PMMA之间通过非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂相连接；其中，

所述硅烷偶联剂的一端通过-Si(O-)₃与所述金属氧化物纳米颗粒连接，所述硅烷偶联剂的另一端通过-NH-CO-与所述PMMA连接。

另一方面，本发明还提供一种电子传输材料的制备方法，包括如下步骤：

提供金属氧化物纳米颗粒和非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂，将所述金属氧化物纳米颗粒和所述硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，进行加热处理，得第一溶液；

提供MMA单体和催化剂，将所述MMA单体和所述催化剂加入所述第一溶液中，进行酰化反应，得第二溶液；

提供偶氮类引发剂，将所述引发剂加入所述第二溶液中，进行聚合反应，得所述电子传输材料。

最后，本发明还提供一种发光二极管，包括电子传输层结构，所述电子传输层的材料含有由上述电子传输材料。

本发明提供的电子传输材料，利用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)对现有金属氧化物纳米颗粒进行改性，即通过硅烷偶联剂将PMMA嫁接到金属氧化物纳米颗粒表面，PMMA可限制过剩的电子传输，这样的电子传输材料用于制备电子传输层，可改善电子传输层电流密度相对空穴层过高的问题，通过调节电子-空穴在发光层的比例，从而达到平衡电荷注入的效果，即可得到电子注入能力可调的电子传输层，这样可增大发光层中的空穴电子复合率，提高发光效率；同时，因为有了更好的电子-空穴注入比例，器件的开启电压也有所降低，对发光层具有保护作用，有利于提高器件寿命。另外，本发明提供的电子传输材料具有更加优秀的溶液加工性能，在极性溶剂中具有更好的溶解度，还可以提高喷墨打印、旋涂等低成本溶液加工方法的可行性。

本发明提供的电子传输材料的制备方法，可以得到电子注入能力可调的电子传输材料，该方法工艺简单，用于发光二极管制备领域时，无需用到高精度要求的沉积、蒸镀设备，同时避免了因加工精度过高引起的器件良率低、局部发光效果不佳、局部烧屏等问题，降低了设备精度要求和成本，适合器件大规模的生产制备。

本发明提供的发光二极管，因其含有由本发明的电子传输材料制备的电子注入能力可调的电子传输层，可通过控制电子注入密度、阻挡过剩的电子来达到发光层中空穴-电子的注入平衡，增大发光层中空穴电子复合率，提升发光二极管的发光效率，同时整合了电子传输层和电子阻挡层，避免了因电子阻挡层厚度不均而造成的器件整体绝缘、局部发光效果不佳、局部烧屏等问题；而且，因为有了更好的电子-空穴注入比例，该发光二极管的开启电压也有所降低，起到发光层的保护作用，有利于提高器件寿命。

附图说明

图1为本发明实施例4中的QLED器件结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

一方面，本发明实施例提供了一种电子传输材料，包括金属氧化物纳米颗粒和PMMA，且所述金属氧化物纳米颗粒和所述PMMA之间通过非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂相连接；其中，

本发明实施例提供的电子传输材料，利用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)对现有金属氧化物纳米颗粒进行改性，即通过硅烷偶联剂将PMMA嫁接到金属氧化物纳米颗粒表面，从而限制过剩的电子传输，这样的电子传输材料用于制备电子传输层，可改善电子传输层电流密度相对空穴层过高的问题，通过调节电子-空穴在发光层的比例，从而达到平衡电荷注入的效果，提高发光效率；同时，因为有了更好的电子-空穴注入比例，器件的开启电压也有所降低，起到发光层的保护作用，有利于提高器件寿命。另外，本发明提供的电子传输材料在极性溶剂中的溶解度比起未改性的金属氧化物颗粒有显著提高，使原本难溶于溶剂、难以用于溶液加工法的金属氧化物纳米颗粒具备了溶液加工性，提高旋涂、喷墨打印等低成本胶体溶液加工方法的可操作性。

具体地，本发明实施例提供的电子传输材料可以用如下的化学结构式表示：在该结构式中，A为金属氧化物纳米颗粒，Y’为非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂中的非水解基团，具体连接方式在后续的制备方法中进行阐述；

A(-O)₃Si-Y’-NH-CO-[PMMA]_n

进一步地，本发明实施例的电子传输材料中的所述金属氧化物纳米颗粒为氧化锌纳米颗粒、二氧化钛纳米颗粒和氧化锡纳米颗粒中的至少一种；所述非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂优选KH550、KH792等烷氧基硅烷偶联剂。

进一步地，本发明实施例的电子传输材料中的所述金属氧化物纳米颗粒粒径为5-30nm。该粒径范围内的金属氧化物纳米颗粒可以更好的分散在有机溶剂中，使其与非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂充分连接以制备电子传输材料，因此该粒径范围内的金属氧化物纳米颗粒效果最佳，最大不宜超过50nm。

相应地，本发明实施例还一种电子传输材料的制备方法，包括如下步骤：

S01：提供金属氧化物纳米颗粒和非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂，将所述金属氧化物纳米颗粒和所述硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，进行加热处理，得第一溶液；

S02：提供MMA单体和催化剂，将所述MMA单体和所述催化剂加入所述第一溶液中，进行酰化反应，得第二溶液；

S03：提供偶氮类引发剂，将所述引发剂加入所述第二溶液中，进行聚合反应，得所述电子传输材料。

本发明实施例提供的电子传输材料的制备方法，可以得到电子注入能力可调的电子传输材料，该方法工艺简单，用于发光二极管制备领域时，无需用到高精度要求的沉积、蒸镀设备，同时避免了因加工精度过高引起的器件良率低、局部发光效果不佳、局部烧屏等问题，降低了设备精度要求和成本，适合器件大规模的生产制备。

具体地，该制备方法的原理如下：

金属氧化物纳米颗粒表示为A，非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂表示为Y-NH₂，非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂中的非水解基团表示Y’，

在步骤S01中，非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂的一端以水解的形式与金属氧化物纳米颗粒A的金属界面键合，形成A(-O)₃Si-Y’-NH₂结构，即第一溶液为溶解有该结构物质的溶液；反应式为：

1)A+Y-NH₂→A(-O)₃-Si-Y’-NH₂；

在步骤S02中，该烷氧基硅烷偶联剂在连接上金属界面之后，在催化剂的作用下，该烷氧基硅烷偶联剂的另一端与MMA(甲基丙烯酸甲酯,化学结构为CH₃OCO-CH＝CH₂)在一定条件下发生羧酸酯-氨基的酰化反应，形成金属氧化物-硅烷偶联剂-MMA的结构，即第二溶液中为溶解有该结构物质的溶液；反应式为：

2)A(-O)₃Si-Y’-NH₂+CH₃OCO-CH＝CH₂→A(-O)₃Si-Y’-NH-CO-CH＝CH₂；

在步骤S03中，已嫁接在金属氧化物表面的MMA单体在偶氮类引发剂的作用下形成PMMA聚合物，最终形成金属氧化物-硅烷偶联剂-PMMA的结构，即为本发明的电子传输材料；反应式为：

3)A(-O)₃Si-Y’-NH-CO-CH＝CH₂+MMA→A(-O)₃Si-Y’-NH-CO-[PMMA]_n；

进一步地，在上述步骤S01中，有机溶剂为芳香类，选自苯、甲苯、二甲苯和乙苯中至少一种；金属氧化物纳米颗粒为氧化锌纳米颗粒、二氧化钛纳米颗粒和氧化锡纳米颗粒中的至少一种，且金属氧化物纳米颗粒粒径为5-30nm。该粒径范围内的金属氧化物纳米颗粒可以更好的分散在有机溶剂中，使其与硅烷偶联剂水解的一端充分连接以制备电子传输材料；非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂为KH550、KH792等。进一步优选地，所述金属氧化物纳米颗粒的质量与所述硅烷偶联剂的体积比为100mg：(0.2-2)mL；即每100mg的金属氧化物纳米颗粒与0.2～2.0mL的硅烷偶联剂反应，能达到更好的包裹作用，偶联剂的量过低易造成包裹不全而影响后续的嫁接(即聚合反应)，量过大则易引起颗粒团聚，影响金属氧化物纳米颗粒的分散性。优选地，所述加热处理的温度为100-200℃，时间为1-4h；该温度和时间范围内进行加热，金属氧化物纳米颗粒和所述硅烷偶联剂可以更充分的反应，得更多的硅烷化的金属氧化物纳米颗粒。

进一步地，在上述步骤S02中，所述催化剂选自酸催化剂、碱催化剂和缩合催化剂中的至少一种，如乙醇钠催化剂、PIC缩合剂、PCC缩合剂等。优选地，所述酰化反应的温度为25-100℃，时间为0.5-2h；该温度和时间范围内，所述硅烷偶联剂一端的氨基与MMA单体上的酯基发生的羧酸酯-氨基的酰化反应更彻底。优选地，所述金属氧化物纳米颗粒的质量与所述MMA(甲基丙烯酸甲酯)单体的体积比为100mg：(0.4-8.0)mL；即每100mg的金属氧化物纳米颗粒添加0.4～8.0mL的MMA单体，能达到较高的嫁接率，且MMA比例越高，最终电子传输层的电子阻挡能力越强，在0.4～8.0mL(MMA)/100mg(金属氧化物纳米颗粒)的范围内可以有较适当的电子阻挡效率，如超过8.0mL(MMA)/100mg容易引起绝缘。

进一步地，在上述步骤S03中，所述偶氮类引发剂选自偶氮二异丁腈AIBN、偶氮二异庚腈ABVN和偶氮二异丁酸二甲酯AIBME等油溶性偶氮引发剂中的至少一种。引发剂用于引发MMA聚合形成PMMA，量不宜过高，该优选的偶氮类引发剂一般为MMA单体重量的1～5％为佳。该反应结束后，硅烷偶联剂的一端通过-Si(O-)₃与金属界面A形成键合，硅烷偶联剂的另一端通过NH-CO-与PMMA聚合物中部分开链的酯基以酰胺基相连，最终得到电子传输材料的结构为：A(-O)₃Si-Y’-NH-CO-[PMMA]_n的结构；A为金属氧化物纳米颗粒，Y’为硅烷偶联剂中的非水解基团。

进一步地，所述聚合反应的温度为80-90℃，时间为1-2h；该温度和时间范围内，MMA单体可以在此条件下发生聚合形成PMMA，而硅烷偶联剂在金属氧化物纳米颗粒和PMMA之间起架桥作用，且该反应温度不宜过高，以免造成甲基丙烯酸甲酯的热分解，而且可以避免PMMA过度聚合形成分子量过高的聚合物。

进一步地，在本发明实施例提供的电子传输材料的制备方法中，所述加热处理后，还包括第一离心分离、第一清洗干燥的步骤；具体过程为，加热结束后，待反应溶液冷却至室温后离心并用丙酮、乙醇清洗，再干燥后得到硅烷化的金属氧化物纳米颗粒，并将其重新分散于芳香类有机溶剂中保持高速搅拌，这一操作是为了去除残余过量的硅烷偶联剂，防止后续操作中溶液中残余的过量硅烷偶联剂与MMA直接反应。所述聚合反应结束后，还包括第二离心分离、第二清洗干燥的步骤。具体过程为，聚合反应结束后，待混合液冷却至室温后离心，用丙酮等有机溶剂清洗嫁接后的金属氧化物纳米颗粒，真空干燥一定时间后溶于极性溶剂或墨水中，嫁接在金属氧化物纳米颗粒表面的PMMA由于其羧基的存在，可以提高金属氧化物纳米颗粒在极性溶剂中(如乙醇、丙酮等)的溶解度和分散性，在极性溶剂中可以均匀分散形成稳定的胶体溶液，具有很好的溶液加工性能，可以提高旋涂、喷墨打印等加工方法的可操作性。

另一方面，本发明实施例还提供一种上述本发明实施例的电子传输材料在制备发光二极管中的应用，如制备QLED器件中的电子传输层。

最后，本发明还提供一种QLED发光二极管，该发光二极管包括电子传输层结构，所述电子传输层的材料包含上述本发明实施例的电子传输材料。

本发明实施例提供的发光二极管，因其含有由本发明的电子传输材料制备的电子注入能力可调的电子传输层，可通过控制电子注入密度、阻挡过剩的电子来达到发光层中空穴-电子的注入平衡，增大发光层中空穴电子复合率，提升器件的发光效率，同时整合了电子传输层和电子阻挡层，避免了因电子阻挡层厚度不均而造成的器件整体绝缘、局部发光效果不佳、局部烧屏等问题；而且，因为有了更好的电子-空穴注入比例，该器件的开启电压也有所降低，起到发光层的保护作用，有利于提高器件寿命。

进一步地，该发光二极管可以为QLED或OLED。

在一优选实施例中，QLED器件如图1所示，该图为本发明实施例反型结构QLED器件的结构示意图，反型结构的QLED器件从下而上依次包括衬底1、阴极2、电子传输层3、量子点发光层4、空穴传输层5及阳极6。

该QLED器件的制备方法包括如下步骤：

A：首先用电化学沉积的方法在基板上沉积一层电子传输层；其中所述电子传输层的材料为本发明实施例的由PMMA改性的电子传输材料；

B：然后沉积量子点发光层于电子传输层上；

C：最后沉积空穴传输层于量子点发光层上，并蒸镀阳极于空穴传输层上，得到发光二极管。

所述的QLED器件的制备方法中，所述量子点发光层的量子点为红、绿、蓝三种中的一种量子点，所述空穴传输层为TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA和CBP的一种或多种。

加热后的基板冷却一定时间后，在其上沉积量子点发光层，沉积的量子点可以为CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、以及各种核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。为常见的红、绿、蓝三种的任意一种量子点或者其它黄光均可以，该步骤量子点可以为含镉或者不含镉。该材料的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点，紧接着在量子点表面沉积空穴传输层，其中最常见的空穴传输层可采用本领域常规的空穴传输材料制成，包括但不限于TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP等或者为其任意组合的混合物，亦可以是其它高性能的空穴传输材料。最后，将沉积完各功能层的衬底置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层15-30nm的金属银或者铝作为阳极，或者使用纳米Ag线或者Cu线，具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。

进一步的，将得到的QLED进行封装处理，所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。

本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。

实施例1

一种电子传输材料的制备方法，利用氧化锌纳米颗粒粉末、KH550硅烷偶联剂、MMA单体、AIBN引发剂、二甲苯等制备ZnO电子传输层，包括以下步骤：

取粒径范围在5-30nm的氧化锌纳米颗粒分散于二甲苯中(10～100mg/mL)并保持搅拌，在氩气气氛保护下加热至160℃后加入2～4mL的KH550作为硅烷偶联剂，并保温3小时。

加热结束后，待溶液冷却至室温后离心并用丙酮、乙醇清洗，再干燥得到硅烷化的氧化锌纳米颗粒，并重新分散于二甲苯中，保持高速搅拌。将2～8mL的MMA、10～100mg乙醇钠催化剂注入到二甲苯溶液中，搅拌均匀后加热至90℃并保温1小时后注入10～100mg的AIBN，再保温1小时后降至室温。随后，将混合悬浊液离心后取下层固体，用丙酮、乙醇等溶剂多次清洗氧化锌纳米颗粒，在真空干燥24小时后，最终溶于极性溶剂或墨水中。

实施例2

一种电子传输材料的制备方法，利用二氧化钛纳米颗粒粉末、KH550硅烷偶联剂、MMA单体、AIBME引发剂、甲苯等制备TiO₂电子传输层，包括以下步骤：

取粒径范围在5-30nm的二氧化钛纳米颗粒分散于甲苯中(10～100mg/mL)并保持搅拌，在氩气气氛保护下加热至150℃后加入2～4mL的KH550作为硅烷偶联剂，并保温3小时。

加热结束后，待溶液冷却至室温后离心并用丙酮、乙醇清洗，再干燥得到硅烷化的二氧化钛纳米颗粒，并重新分散于甲苯中，保持高速搅拌。将4～8mL的MMA、10～100mg的PCC缩合剂注入到甲苯溶液中，搅拌均匀后加热至90℃并保温1小时后注入10～100mg的AIBME注入到甲苯溶液中，再次保温1小时后降至室温。随后，将混合悬浊液离心后取下层固体，用丙酮、乙醇等溶剂多次清洗二氧化钛纳米颗粒，在真空干燥24小时后，最终溶于极性溶剂或墨水中。

实施例3

一种电子传输材料的制备方法，利用氧化锡纳米颗粒、KH792硅烷偶联剂、MMA(甲基丙烯酸甲酯)单体、AIBN引发剂、甲苯等制备SnO₂电子传输层，包括以下步骤：

取粒径范围在5-30nm的氧化锡纳米颗粒分散于甲苯中(10～100mg/mL)并保持搅拌，在氩气气氛保护下加热至150℃后加入2～4mL的KH792作为硅烷偶联剂，并保温3小时。

加热结束后，待溶液冷却至室温后离心并用丙酮、乙醇清洗，再干燥得到硅烷化的氧化锡纳米颗粒，并重新分散于甲苯中，保持高速搅拌。将4～8mL的MMA、10～100mg的PIC缩合剂注入到甲苯溶液中，搅拌均匀后加热至80℃并保温1小时后注入10～100mg的AIBN注入到甲苯溶液中，再次保温1小时后降至室温。随后，将混合悬浊液离心后取下层固体，用丙酮、乙醇等溶剂多次清洗氧化锡纳米颗粒，在真空干燥24小时后，最终溶于极性溶剂或墨水中。

实施例4

一种QLED器件，结构如图1所示，其制备方法包括以下步骤：

A：首先在阴极基板上沉积一层电子传输层；其中所述电子传输层的材料为上述的实施例1-3的电子传输材料中的一种。

B：然后沉积量子点发光层于电子传输层上；

本发明QLED器件为反型构型，如图1所示，反型结构的QLED器件从下而上依次包括衬底1、阴极2、电子传输层3、量子点发光层4、空穴传输层5及阳极6。其中，衬底1的材料为玻璃片，阴极2的材料为ITO基板，电子传输层3的材料为PMMA改性氧化物层，空穴传输层5的材料为NiO及阳极6的材料为Al。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种电子传输材料，其特征在于，包括金属氧化物纳米颗粒和PMMA，且所述金属氧化物纳米颗粒和所述PMMA之间通过非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂相连接；其中，

所述硅烷偶联剂的一端通过-Si(O-)₃与所述金属氧化物纳米颗粒连接，所述硅烷偶联剂的另一端通过-NH-CO-与所述PMMA连接；

所述金属氧化物纳米颗粒选自氧化锌纳米颗粒、二氧化钛纳米颗粒和氧化锡中纳米颗粒的至少一种；

所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-30nm；

所述金属氧化物纳米颗粒的质量与非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂的体积比为100mg：(0.2-2)mL；

所述金属氧化物纳米颗粒的质量与形成所述PMMA的MMA单体的体积比为100mg：(0.4-8.0)mL。

2.如权利要求1所述的电子传输材料，其特征在于，所述非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂选自KH550和KH792中的一种。

3.一种电子传输材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供偶氮类引发剂，将所述引发剂加入所述第二溶液中，进行聚合反应，得所述电子传输材料；

其中，所述金属氧化物纳米颗粒选自氧化锌纳米颗粒、二氧化钛纳米颗粒和氧化锡纳米颗粒中的至少一种；

所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-30nm；

所述金属氧化物纳米颗粒的质量与所述MMA单体的体积比为100mg：(0.4-8.0)mL。

4.如权利要求3所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为100-200℃，时间为1-4h；和/或

所述酰化反应的温度为25-100℃，时间为0.5-2h；和/或

所述聚合反应的温度为80-90℃，时间为1-2h；和/或

所述加热处理在惰性气体氛围中进行。

5.如权利要求3所述的电子传输材料的制备方法，所述催化剂选自酸催化剂、碱催化剂和缩合催化剂中的至少一种；和/或

所述偶氮类引发剂选自偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈和偶氮二异丁酸二甲酯中的至少一种。

6.如权利要求3所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，

所述偶氮类引发剂为所述MMA单体质量的1-5％。

7.如权利要求5所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂选自KH550和KH792中的一种；和/或

所述有机溶剂为芳香类有机溶剂，选自苯、甲苯、二甲苯和乙苯中的至少一种。

8.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括电子传输层结构，所述电子传输层的材料含有权利要求1-2任一项所述的电子传输材料。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为QLED或OLED。