CN115835750A - 复合材料和量子点发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种复合材料和量子点发光二极管。复合材料包括金属氧化物纳米颗粒和磷氮烯类有机分子，磷氮烯类有机分子通过氮氧键和磷氧键结合于金属氧化物纳米颗粒的表面。采用复合材料制备量子点发光二极管的电子传输层，解决了电子与空穴传输不平衡的问题，提升了量子点发光二极管的发光效率和寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种复合材料和量子点发光二极管。
背景技术
量子点(quantum dot，QD)由于具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管，Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)近年来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。目前，尽管通过对量子点的改进以及QLED结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。
当前，相对于有机传输层结构的发光器件，有机-无机杂化量子点发光二极管具有更佳的器件性能，这种性能的提高得益于具有高电子迁移率的金属氧化物纳米颗粒的应用。然而，金属氧化物过高的电子迁移率容易造成过多的电子注入，导致量子点发光层出现电子积累的现象，尤其是在有机空穴传输层的空穴迁移率较低情况下，空穴的注入不足更是加剧了这种载流子失衡。因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本申请提供一种复合材料和量子点发光二极管，解决了电子与空穴传输不平衡的问题，提升了量子点发光二极管的发光效率和寿命。
本申请提供一种复合材料，包括金属氧化物纳米颗粒和磷氮烯类有机分子。
可选的，在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子通过氮氧键和磷氧键结合于金属氧化物纳米颗粒的表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子的结构如式(1)所示：
其中，R1选自具有1～10个碳原子的烷烃基、具有6～10个环原子的芳香基或具有3～10个环原子的杂环基中的至少一种，R2、R3、R4分别独立选自具有6～15个环原子的芳香基、具有1～15个碳原子的烷氧基或卤素取代的具有1～15个碳原子的烷氧基中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，卤素包括氟、氯、溴或碘中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子包括二(2,2,2-三氟乙氧基)偶磷氮烯、二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯或二(2,2,2-三甲氧基)偶磷氮烯中的一种或多种。
可选的，在本申请的一些实施例中，金属氧化物包括ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2或Ta2O3中的一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，金属氧化物纳米颗粒的粒径可以为5～12nm，也可以为6～11nm，还可以为7～10nm。
可选的，在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子和金属氧化物纳米颗粒的摩尔比可以为(0.3～8):1.5，也可以为(1～6):1.5，还可以为(2～5):1.5。
此外，本申请还提供一种量子点发光二极管，包括阳极层、阴极层和设置在阳极层和阴极层之间的量子点发光层，阴极层和量子点发光层之间还设置有电子传输层，电子传输层的材料包括上述的复合材料。可选的，在本申请的一些实施例中，量子点发光二极管还包括空穴注入层或空穴传输层中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，电子传输层的厚度可以为10～60nm，也可以为20～50nm，还可以为30～40nm。
可选的，在本申请的一些实施例中，阳极层的材料包括铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锡掺杂氧化锌或铟掺杂氧化锌中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、F4-TCNQ或HATCN中的一种或多种。
可选的，在本申请的一些实施例中，空穴传输层的材料包括TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、PEDOT：PSS、CBP、NiO、MoO3或WoO3中的一种或多种。
可选的，在本申请的一些实施例中，量子点发光层的量子点材料包括CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS或CuInSe中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，阴极层的材料包括Al、Cu、Mo、Au、Ag或MoO3中的一种或多种。
本申请采用复合材料作为电子传输层的材料，具有如下有益效果：
磷氮烯类有机分子通过氮氧键和磷氧键结合于所述金属氧化物纳米颗粒的表面，从而改进金属氧化物纳米颗粒固态膜的缺陷，而氮氧键和磷氧键所在的长链具有降低电子传输效果，有利于量子点发光二极管的电荷传输平衡。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种复合材料和量子点发光二极管。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
本申请中，“取代”表示被取代基中的氢原子被取代基所取代。
本申请中，烷烃基可以表示直链、支链和/或环状烷烃基。烷烃基的碳数可以为1至50、1至30、1至20、1至10、1至8或1至6。包含该术语的短语，例如，“C1-8烷烃基”是指包含1～8个碳原子的烷烃基，每次出现时，可以互相独立地为C1烷烃基、C2烷烃基、C3烷烃基、C4烷烃基、C5烷烃基、C6烷烃基、C7烷烃基、或C8烷烃基。烷烃基的非限制性实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基等。
本申请中，芳香基指至少包含一个芳香环的烃基，包括苯、萘、蒽、荧蒽、菲、苯并菲、二萘嵌苯、并四苯、芘、苯并芘、苊、芴等。
本申请中，杂环包括没有芳香特征的杂环和具有芳香特征的杂环，包括环氧乙烷、呋喃、噻吩、吡咯、嘧啶等。
本申请中，“环原子数”表示原子键合成环状而得到的结构化合物(例如，单环化合物、稠环化合物、交联化合物、碳环化合物、杂环化合物)的构成该环自身的原子之中的原子数。该环被取代基所取代时，取代基所包含的原子不包括在成环原子内。关于以下所述的“环原子数”，在没有特别说明的条件下也是同样的。例如，苯环的环原子数为6，萘环的环原子数为10，噻吩基的环原子数为5。
本申请实施例提供一种复合材料，包括金属氧化物纳米颗粒和磷氮烯类有机分子。该复合材料能够改进金属氧化物纳米颗粒固态膜的缺陷，降低电子传输效果。
在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子通过氮氧键和磷氧键结合于金属氧化物纳米颗粒的表面。磷氮烯类有机分子的氮原子与金属氧化物纳米颗粒的氧原子通过氮氧键(-O-NH-)相连，磷氮烯类有机分子的磷原子与金属氧化物纳米颗粒的氧原子通过氮氧键(-O-PH-)相连。
在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子的结构如式(1)所示：
其中，R1选自具有1～10个碳原子的烷烃基、具有6～10个环原子的芳香基或具有3～10个环原子的杂环基中的至少一种，R2、R3、R4分别独立选自具有6～15个环原子的芳香基、具有1～15个碳原子的烷氧基或卤素取代的具有1～15个碳原子的烷氧基中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，卤素包括氟、氯、溴或碘中的至少一种。
磷氮烯有机分子和金属氧化物纳米颗粒混合成膜，磷氮烯有机分子会附着于金属氧化物纳米颗粒的四周，在60～80℃下退火，60～80℃下磷氮烯有机分子的氮原子与金属氧化物纳米颗粒的氧原子形成氮氧键-O-NH-，磷氮烯有机分子的磷原子与金属氧化物纳米颗粒的氧原子形成磷氧键-O-PH-，进而阻碍了金属氧化物纳米颗粒表面官能团，例如羟基与羟基脱水缩合的发生，因此采用此方式能够有效改进金属氧化物纳米颗粒固态膜的缺陷态；而氮氧键和磷氧键具有吸电子能力，生成的氮氧键和磷氧键分子链越长，还可以使得电子传输速率明显降低，有利于降低电子传输层的电荷传输的性能，从而使得电子迁移率和空穴迁移率尽量平衡，提高器件发光效率和寿命。
在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子包括二(2,2,2-三氟乙氧基)偶磷氮烯(如式2所示)、二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯(如式3所示)或二(2,2,2-三甲氧基)偶磷氮烯(如式4所示)中的一种或多种。磷氮烯类有机分子还可以是符合式(1)结构式的其它有机分子，并且可以同时存在多种磷氮烯类有机分子参与反应，与金属氧化物纳米颗粒形成磷氧键和氮氧键。多种参与反应的磷氮烯类有机分子之间没有比例限制，例如二(2,2,2-三氟乙氧基)偶磷氮烯和二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯与金属氧化物纳米颗粒发生反应，二(2,2,2-三氟乙氧基)偶磷氮烯和二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯的摩尔比为1:1、1:2、2:1或其它任意比例；例如二(2,2,2-三氟乙氧基)偶磷氮烯、二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯和二(2,2,2-三甲氧基)偶磷氮烯与金属氧化物纳米颗粒发生反应，二(2,2,2-三氟乙氧基)偶磷氮烯、二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯和二(2,2,2-三甲氧基)偶磷氮烯的摩尔比为1:1:1、1:1:2、3:1:2或其它任意比例。
在本申请的一些实施例中，金属氧化物包括ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2或Ta2O3中的一种。除上述金属氧化物之外，还可以选择其它常规的能够用于电子传输层的金属氧化物。由于电子传输层材料选取多种金属氧化物会对QLED整体器件性能产生影响，因此本申请选取一种金属氧化物与磷氮烯类有机分子发生反应。
在本申请的一些实施例中，金属氧化物纳米颗粒的粒径可以为5～12nm，也可以为6～11nm，还可以为7～10nm。
在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子和金属氧化物纳米颗粒的摩尔比可以为(0.3～8):1.5，也可以为(1～6):1.5，还可以为(2～5):1.5，例如，磷氮烯类有机分子和金属氧化物纳米颗粒的摩尔比可以为0.3：1.5、0.5：1.5、0.9：1.5、1.2：1.5、1.9：1.5、2.6：1.5、3.4：1.5、4.8：1.5、5.9：1.5、7：1.5、7.5：1.5或者8：1.5等。
在本申请的一些实施例中，复合材料的制备方法包括：将磷氮烯类有机分子溶解于溶剂，再与金属氧化物纳米颗粒混合，得到复合材料。先将磷氮烯类有机分子与溶剂相互溶解，然后再与金属氧化物纳米颗粒混合，有利于提高整个体系的均匀程度。
在本申请的一些实施例中，溶剂为极性溶剂，极性溶剂包括乙醇、甲醇、丙二醇、乙酸、丙酮、正丁醇或二氧六环中的一种或多种。极性溶剂与磷氮烯类有机分子相溶，极性溶剂有利于磷氮烯类有机分子与金属氧化物纳米颗粒的均匀混合，有利于磷氮烯类有机分子在退火过程中分解得到磷氮烯键形成氮氧键和磷氧键。
在本申请的一些实施例中，磷氮烯类有机分子和溶剂的体积比可以为0.5～1:1，也可以为0.6～0.9:1，还可以为0.7～0.8:1。
本申请实施例还提供一种量子点发光二极管，包括阳极层、阴极层和设置在阳极层和阴极层之间的量子点发光层，阴极层和量子点发光层之间还设置有电子传输层，电子传输层的材料包括上述的复合材料。
在本申请的一些实施例中，量子点发光二极管还包括空穴注入层或空穴传输层中的至少一种。
量子点发光二极管的结构如图1所示，由底到顶依次为阳极层1、空穴注入层2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极层6。电子传输层5的材料包括复合材料。
在本申请的一些实施例中，电子传输层5的厚度可以为10～60nm，也可以为20～50nm，还可以为30～40nm。电子传输层不易较厚，因为电子传输层较厚会导致该层电阻较大，会引起发热，导致器件性能降低。
在本申请的一些实施例中，阳极层1的材料包括铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锡掺杂氧化锌(ZTO)或铟掺杂氧化锌(IZO)中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，空穴注入层2的材料包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)等中的一种或多种。
在本申请的一些实施例中，空穴传输层3的材料可以为聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(Poly-TPD)、4,4',4'-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT：PSS)、4,4'-N,N'-二咔唑基-联苯(CBP)、NiO、MoO3、WoO3等或者为其任意组合的混合物，亦可以是其它高性能的空穴传输材料。
在本申请的一些实施例中，量子点发光层4的量子点为红量子点、绿量子点、蓝量子点中的一种量子点，优选的，量子点发光层的量子点为蓝量子点；量子点可以为CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、以及各种核壳结构量子点中的至少一种。量子点三种颜色可通过同种元素组成的不同相对含量或可通过不同元素组成来调控纳米晶的尺寸，从而调控颜色。
核壳结构量子点是由两种或多种半导体材料组成异质结构纳米晶体。核壳结构量子点主要有以下几种：
1)CdTe/CdS核-壳型量子点：CdTe/CdS core-shell QDs；
2)CdTe/CdS核壳量子点：CdTe/CdS core/shell QDs；
3)CdS-ZnS核-壳量子点：CdS-ZnS core-shell quantum dot；
4)CdTe/ZnS核-壳型量子点：CdTe/ZnS core-shell QDs；
5)CdSe/ZnS quantum dots；硒化镉-硫化锌核壳荧光量子点；
6)InP-ZnS quantum dots；磷化铟-硫化锌核壳荧光量子点。
在本申请的一些实施例中，阴极层6的材料可以为Al、Cu、Mo、Au、Ag或MoO3。
在本申请的一些实施例中，量子点发光二极管的制备方法包括在阳极层1上依次形成空穴注入层2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极层6；电子传输层5的材料包括上述的复合材料。
在本申请的一些实施例中，量子点发光二极管的制备方法包括：
(1)提供一衬底基板，基板上形成阳极层1；
(2)在阳极层1上形成空穴注入层2；
(3)在空穴注入层2上形成空穴传输层3。
(4)在所述空穴传输层3上沉淀量子点发光层4；
(5)在量子点发光层4上沉淀电子传输层5；
(6)在电子传输层5上形成阴极层6。
在本申请的一些实施例中，制备方法还包括：将复合材料成膜得到固态膜，将固态膜退火。成膜的方式可以为多种，例如旋涂、滴涂、刮涂、涂布等方式。
在本申请的一些实施例中，固态膜的退火温度为60～80℃，退火时间为15-30min，在60～80℃下退火15-30min，可以使磷氮烯类有机分子充分分解然后与金属氧化物纳米颗粒表面官能团缩合形成氮氧键和磷氧键，有利于阻止金属氧化物纳米颗粒表面官能团阻碍电荷传输的性能。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例一、
本实施例的制备量子点发光二极管的方法包括如下步骤：
1)提供衬底，在衬底上设置有ITO阳极；
2)在ITO上旋涂一层PEDOT:PSS作为空穴注入层；
3)在空穴注入层上旋涂一层TFB作为空穴传输层；
4)在空穴传输层上旋涂一层量子点发光层；
5)在量子点发光层上旋涂复合材料作为电子传输层，电子传输层的厚度为30nm；
6)在电子传输层上蒸镀一层Ag作为阴极，制得QLED器件。
步骤5)中的复合材料的制备方法如下：
S1：取20mmol二(2,2,2-三氟乙氧基)偶磷氮烯(如式2所示)溶解在10mL的乙醇溶液中，然后添加1000mg的ZnO纳米颗粒，得到复合材料；
S2：采用旋涂的方式形成固态膜，将固态膜在60℃下退火30分钟。
本实施例制备的量子点发光二极管结构为：ITO阳极/PEDOT:PSS空穴注入层/TFB空穴传输层/QD量子点发光层/复合材料的电子传输层/Ag阴极。
实施例二、
本实施例的制备量子点发光二极管的方法包括如下步骤：
1)提供衬底，在衬底上设置有ITO阳极；
2)在ITO上旋涂一层PEDOT:PSS作为空穴注入层；
3)在空穴注入层上旋涂一层TFB作为空穴传输层；
4)在空穴传输层上旋涂一层量子点发光层；
5)在量子点发光层上旋涂复合材料作为电子传输层，电子传输层的厚度为30nm；
6)在电子传输层上蒸镀一层Ag作为阴极，制得QLED器件。
步骤5)中的复合材料的制备方法如下：
S1：取20mmol二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯(如式3所示)溶解在8mL的乙醇溶液中，然后添加1000mg的TiO2纳米颗粒得到复合材料；
S2：采用旋涂的方式形成固态膜，将固态膜在70℃下退火30分钟。
本实施例制备的量子点发光二极管结构为：ITO阳极/PEDOT:PSS空穴注入层/TFB空穴传输层/QD量子点发光层/复合材料的电子传输层/Ag阴极。
实施例三、
本实施例的制备量子点发光二极管的方法包括如下步骤：
1)提供衬底，在衬底上设置有ITO阳极；
2)在ITO上旋涂一层PEDOT:PSS作为空穴注入层；
3)在空穴注入层上旋涂一层TFB作为空穴传输层；
4)在空穴传输层上旋涂一层量子点发光层；
5)在量子点发光层上旋涂复合材料作为电子传输层，电子传输层的厚度为30nm；
6)在电子传输层上蒸镀一层Ag作为阴极，制得QLED器件。
步骤5)中的复合材料的制备方法如下：
S1：取20mmol二(2,2,2-三甲氧基)偶磷氮烯(如式4所示)溶解在5mL的乙醇溶液中，然后添加1000mg的ZrO2纳米颗粒得到复合材料；
S2：采用旋涂的方式形成固态膜，将固态膜在80℃下退火30分钟。
本实施例制备的量子点发光二极管结构为：ITO阳极/PEDOT:PSS空穴注入层/TFB空穴传输层/QD量子点发光层/复合材料的电子传输层/Ag阴极。
对比例一、
对比例一的制备量子点发光二极管的方法包括如下步骤：
1)提供衬底，在衬底上设置有ITO阳极；
2)在ITO上旋涂一层PEDOT:PSS作为空穴注入层；
3)在空穴注入层上旋涂一层TFB作为空穴传输层；
4)在空穴传输层上旋涂一层量子点发光层；
5)在量子点发光层上旋涂ZnO作为电子传输层；
6)在电子传输层上蒸镀一层Ag作为阴极，制得QLED器件。
对比例一制备的量子点发光二极管结构为：ITO阳极/PEDOT:PSS空穴注入层/TFB空穴传输层/QD量子点发光层/ZnO电子传输层/Ag阴极。
对比例一和实施例的区别在于：对比例一采用金属氧化物纳米颗粒作为电子传输层材料，实施例采用复合材料作为电子传输层材料。
对实施例和对比例所制得的量子点发光二极管进行性能测试，得到的结果如表1所示。测试方法如下：
(1)电子迁移率：测试电子传输层薄膜的电流密度(J)-电压(V)，绘制曲线关系图，对关系图中空间电荷限制电流(SCLC)区进行拟合，然后根据著名的Child’s law公式计算电子迁移率：
J＝(9/8)εrε0μeV2/d3
其中，J表示电流密度，单位mA·cm-2；εr表示相对介电常数，ε0表示真空介电常数；μe表示电子迁移率，单位cm2·V-1s-1；V表示驱动电压，单位V；d表示膜厚度，单位m。
(2)电阻率：采用同一电阻率测试仪器测定电子传输层薄膜电阻率。
(3)外量子效率(EQE)：采用EQE光学测试仪器测定。
注：电子迁移率和电阻率测试为单层薄膜结构器件，即：阴极/电子传输薄膜/阳极，电子传输薄膜为各实施例和对比例中所采用的电子传输薄膜。外量子效率测试为实施例和对比例制得的QLED器件，即：阳极/空穴注入层/空穴传输层/量子点发光层/电子传输层/阴极。
表1
由上述结果可见，实施例相较于对比例的电子迁移率和电阻率下降，QLED器件的外量子效率增加，而器件的空穴迁移率大约是10-2，可见，实施例电子迁移率降低，与空穴迁移率的差值更小，且本申请实施例为采用复合材料的量子点发光二极管，而对比例的量子点发光二极管采用的是金属氧化物纳米颗粒，因此，采用本申请的复合材料作为电子传输层材料，降低了电子传输效果，有利于器件的电荷传输平衡，从而能够优化器件性能。实施例二的外量子效率相对实施例一和实施例三更高，且实施例二的电子迁移率和电阻率相对实施例一和实施例三较低，即实施例二的电子迁移率与空穴传输率的差值更小，实施例二采用二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯和TiO2纳米颗粒制备复合材料，说明采用二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯和TiO2纳米颗粒制备的复合材料作为电子传输层材料的量子点发光二极管的外量子效率更高，器件性能更佳，为优选方案。
本申请采用复合材料作为量子点发光二极管的电子传输层材料，复合材料包括金属氧化物纳米颗粒和磷氮烯类有机分子，磷氮烯类有机分子通过氮氧键和磷氧键结合于金属氧化物纳米颗粒的表面，解决了现有技术中量子点器件量子点沉淀、电子传输速率与空穴不匹配，提高了量子点发光二极管器件性能。
以上对本申请所提供的一种复合材料和量子点发光二极管进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (12)
1.一种复合材料，其特征在于，包括金属氧化物纳米颗粒和磷氮烯类有机分子。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述磷氮烯类有机分子通过氮氧键和磷氧键结合于所述金属氧化物纳米颗粒的表面。
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述磷氮烯类有机分子的结构如式(1)所示：
其中，R1选自具有1～10个碳原子的烷烃基、具有6～10个环原子的芳香基或具有3～10个环原子的杂环基中的至少一种，R2、R3、R4分别独立选自具有6～15个环原子的芳香基、具有1～15个碳原子的烷氧基或卤素取代的具有1～15个碳原子的烷氧基中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述卤素包括氟、氯、溴或碘中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述磷氮烯类有机分子包括二(2,2,2-三氟乙氧基)偶磷氮烯、二(2,2,2-三苯基)偶磷氮烯或二(2,2,2-三甲氧基)偶磷氮烯中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物包括ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2或Ta2O3中的一种。
7.根据权利要求6所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5～12nm。
8.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述磷氮烯类有机分子和所述金属氧化物纳米颗粒的摩尔比为(0.3～8):1.5。
9.一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极层、阴极层和设置在所述阳极层和所述阴极层之间的量子点发光层，其特征在于，所述阴极层和所述量子点发光层之间还设置有电子传输层，所述电子传输层的材料包括如权利要求1～8中任一项所述的复合材料。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括空穴注入层或空穴传输层中的至少一种。
11.根据权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10～60nm。
12.根据权利要求10所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极层的材料包括铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锡掺杂氧化锌或铟掺杂氧化锌中的至少一种；和/或，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、F4-TCNQ或HATCN中的一种或多种；和/或，所述空穴传输层的材料包括TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、PEDOT：PSS、CBP、NiO、MoO3或WoO3中的一种或多种；和/或，所述量子点发光层的量子点材料包括CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS或CuInSe中的至少一种；和/或，所述阴极层的材料包括Al、Cu、Mo、Au、Ag或MoO3中的一种或多种。
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