CN113054062B - 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置 - Google Patents
纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113054062B CN113054062B CN201911384735.8A CN201911384735A CN113054062B CN 113054062 B CN113054062 B CN 113054062B CN 201911384735 A CN201911384735 A CN 201911384735A CN 113054062 B CN113054062 B CN 113054062B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nio
- quantum dot
- nano
- dot light
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims description 158
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 140
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 85
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N Vanadium(V) oxide Inorganic materials O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 56
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- -1 vanadium alkoxide Chemical class 0.000 claims description 56
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 49
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 30
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 6
- HPLXJFZCZSBAAH-UHFFFAOYSA-N [V+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] Chemical compound [V+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] HPLXJFZCZSBAAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MGSCVPSSIVOYMY-UHFFFAOYSA-N [V+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] Chemical compound [V+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] MGSCVPSSIVOYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 25
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 218
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 75
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 27
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 27
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 24
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 19
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 11
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 10
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000006136 alcoholysis reaction Methods 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 7
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021543 Nickel dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940078487 nickel acetate tetrahydrate Drugs 0.000 description 1
- OINIXPNQKAZCRL-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);diacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Ni+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OINIXPNQKAZCRL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种纳米材料，所述纳米材料为核壳结构纳米材料，包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。本发明提供的纳米材料，可以提高空穴传输性能，降低激子累积对发光器件性能的影响，从而提高QLEDs性能。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料技术领域，尤其涉及一种种纳米材料及其制备方法，以及一种量子点发光二极管，一种发光装置。
背景技术
半导体量子点(QDs)具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，CdSe QDs的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击QDs使其发光。近年来，无机半导体作为空穴传输层成为比较热的研究内容。纳米NiO作为一种p型半导体材料，因其具备可调控的带隙(带隙为3.6eV～4.0eV，HOMO能级为-5.4eV～-5.0eV，LUMO能级为-1.6eV)，因此在紫外光区域、可见光区域以及近红外光区域具备较高的透光性能，优异的化学稳定性和独特的光、电、磁性质等优势广泛应用于电致变色器件，有机发光二极管，气敏传感器，染料敏化太阳能电池和p-n异质结。但由氧化镍和五氧化二钒组成的核壳材料却鲜有人报道。但是，基于纳米NiO的空穴传输材料，通过溶液法加工成膜时容易发生团聚，且纳米NiO的空穴传输性能还有进一步上升的空间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种纳米材料及其制备方法，旨在解决NiO纳米材料成膜时容易团聚，且空穴传输性能不高的问题。
本发明的另一目的在于提供一种含有上述纳米材料的量子点发光二极管，以及一种含有上述量子点发光二极管的发光装置。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明第一方面提供一种纳米材料，所述纳米材料为核壳结构纳米颗粒，包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。
本发明第二方面提供一种纳米材料的制备方法，包括以下步骤：
配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液，将所述混合溶液进行加热反应，使所述钒醇盐反应生成V2O5纳米颗粒并结合在所述氧化镍纳米颗粒形成的NiO纳米颗粒表面，制备NiO纳米颗粒表面包覆有V2O5壳层的纳米材料。
本发明第三方面提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，以及在所述阳极和所述量子点发光层之间设置的空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括核壳结构纳米颗粒，所述核壳结构纳米颗粒包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。
本发明第四方面提供一种发光装置，包括上述的量子点发光二极管。
本发明提供的纳米材料为核壳结构纳米颗粒，包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。其中，V2O5的导带位置与PEDOT:PSS的HOMO能级最为接近，易于空穴的注入，具有很好的空穴注入及传输性能。以V2O5作为壳层结合在NiO表面时，一方面，V2O5作为NiO纳米颗粒的载体，发挥阻断NiO纳米颗粒团聚的作用，从而可以较好地控制粒子的尺寸和分布，明显提高得到的NiO/V2O5核壳纳米材料的稳定性。同时，作为壳层材料的V2O5可以一定程度上保护活性相对较高的NiO核，减少NiO表面缺陷，提高空穴传输性能。另一方面，相对于NiO，V2O5具有较低的空轨道能级，有利于电子从NiO的HOMO能级向V2O5的空轨道转移，使NiO形成了较多的自由空穴，从而提高了纳米材料的空穴传输性能，降低激子累积对量子点发光器件性能的影响，从而提高量子点发光器件的发光性能。
本发明提供的复合材料的制备方法，只需要将氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液进行加热处理，即可反应得到NiO纳米颗粒表面包覆有V2O5壳层的纳米材料。该方法操作简单，反应条件温和，且易于实现规模化制备。更重要的是，本发明提供的方法制备得到的纳米材料，能够提高空穴传输能力，用作量子点发光二极管的空穴传输层材料时，可以促进电子和空穴的注入平衡，提高量子点发光二极管的发光效率，降低激子累积对量子点发光二极管器件发光效率的影响，最终提高量子点发光二极管器件的发光性能。
本发明提供的量子点发光二极管和发光器件，由于空穴传输层材料中含有上述的NiO/V2O5核壳纳米材料，因此，可以提高空穴传输层的空穴传输能力，促进电子和空穴的注入平衡，提高量子点发光二极管的发光效率，降低激子累积对量子点发光二极管器件发光效率的影响，最终提高发光器件的发光性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的纳米材料的制备工艺流程图；
图2是本发明实施例提供的纳米材料的制备工艺流程图；
图3是本发明实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本发明实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地，本发明实施例说明书中所述的重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
本发明实施例第一方面提供一种纳米材料，所述纳米材料为核壳结构纳米颗粒，包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。
本发明实施例提供的纳米材料为核壳结构纳米颗粒，包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。其中，V2O5的导带位置与PEDOT:PSS的HOMO能级最为接近，易于空穴的注入，具有很好的空穴注入及传输性能。以V2O5作为壳层结合在NiO表面时，一方面，V2O5作为NiO纳米颗粒的载体，发挥阻断NiO纳米颗粒团聚的作用，从而可以较好地控制粒子的尺寸和分布，明显提高得到的NiO/V2O5核壳纳米材料的稳定性。同时，作为壳层材料的V2O5可以一定程度上保护活性相对较高的NiO核，减少NiO表面缺陷，提高空穴传输性能。另一方面，相对于NiO，V2O5具有较低的空轨道能级，有利于电子从NiO的HOMO能级向V2O5的空轨道转移，使NiO形成了较多的自由空穴，从而提高了纳米材料的空穴传输性能，降低激子累积对发光器件性能的影响，从而提高发光器件的发光性能。
如图1所示，本发明实施例中，所述核壳纳米材料是指以NiO纳米颗粒为核，以V2O5为壳的核壳结构纳米颗粒(NiO/V2O5核壳纳米材料)，与NiO纳米颗粒与V2O5纳米颗粒混合形成的复合纳米材料不同(NiO纳米颗粒与V2O5纳米颗粒混合形成的复合材料，既不能解决NiO纳米颗粒，而且可能引入V2O5纳米颗粒团聚的问题；此外，由于纳米颗粒混合并不能减少NiO表面缺陷、促进NiO中HOMO能级电子的转移，因此，也不能有效提高空穴传输性能)。
本发明实施例中，V2O5的含量影响NiO/V2O5核壳纳米材料的稳定性和空穴传输性能，特别是当NiO/V2O5核壳纳米材料作为量子点发光二极管的空穴传输层材料时，会直接影响量子点发光二极管的空穴传输层的性能。在优选实施例中，所述纳米材料中，Ni元素与V元素的摩尔比为1:0.2～0.5。此时，V2O5可以形成完整的壳层，均匀结合在NiO纳米颗粒的表面，阻断NiO纳米颗粒的团聚，从而有利于控制粒子的尺寸和分布，得到粒度合适的纳米材料，并提高得到的NiO/V2O5核壳纳米材料的稳定性。而且，V2O5提供的低能级空轨道，可以接收NiO的HOMO能级跃迁的电子，从而使NiO形成了较多的自由空穴，提高其空穴传输性能。此外，经过V2O5包覆后的NiO纳米颗粒，表面缺陷降低，进一步提高了其空穴传输性能。若所述NiO/V2O5核壳纳米材料中，V2O5的含量较低，使得纳米材料中V元素与Ni元素的摩尔比小于0.2：1，此时，V2O5结合在表面光滑的NiO纳米颗粒表面形成微小颗粒，会导致得到的产物表面变得粗糙不均匀，但不足以形成完整的包覆层，不利于提高NiO复合材料的空穴传输性能。若所述NiO/V2O5核壳纳米材料中，随着V2O5的含量的升高，结合在NiO核表面的V2O5越来越多，壳层厚度越来越厚，当纳米材料中V元素与Ni元素的摩尔比小于0.5：1时，形成的V2O5外壳的厚度过厚，以致于影响主体NiO核材料的本征性能。
本发明实施例提供的纳米材料，可以通过下述方法制备获得。
相应的，如图2所示，本发明实施例第二方面提供一种纳米材料的制备方法，包括以下步骤：
配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液，将所述混合溶液进行加热反应，使所述钒醇盐反应生成V2O5纳米颗粒并结合在所述氧化镍纳米颗粒形成的NiO纳米颗粒表面，制备NiO纳米颗粒表面包覆有V2O5壳层的纳米材料。
本发明实施例提供的复合材料的制备方法，只需要将氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液进行加热处理，即可反应得到NiO纳米颗粒表面包覆有V2O5壳层的纳米材料。该方法操作简单，反应条件温和，且易于实现规模化制备。更重要的是，本发明提供的方法制备得到的纳米材料，能够提高空穴传输能力，用作量子点发光二极管的空穴传输层材料时，可以促进电子和空穴的注入平衡，提高量子点发光二极管的发光效率，降低激子累积对量子点发光二极管器件发光效率的影响，最终提高量子点发光二极管器件的发光性能。
具体的，配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液，其中，所述氧化镍纳米颗粒用作纳米材料的内核。
在一些实施例中，所述氧化镍纳米颗粒可以通过下述方法制备：将镍盐溶解于有机溶剂，溶解后加入碱液，加热反应，待冷却后纯化、干燥处理，制得氧化镍纳米颗粒。
具体的，所述镍盐选自能够溶解在有机溶剂中，且在该有机溶剂环境中，镍盐中的镍离子能够与所述碱液提供的氢氧根离子发生反应，生长成氧化镍纳米晶粒的镍盐。本申请实施例中，所述镍盐选自无机镍盐或有机镍盐，具体包括但不限于醋酸镍、硝酸镍、氯化镍、硫酸镍、四水合乙酸镍。
在本申请实施例中，将镍盐溶于有机溶剂中，制备镍盐溶液。所述有机溶剂优选为有机醇溶剂。所述有机醇溶剂不仅对上述列举的所述镍盐具有较好的溶解性，而且，其作为反应介质较为温和，为金属盐离子与碱液反应生长成纳米晶粒提供了良好的反应环境。优选的，所述有机溶剂选自异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇中的至少一种，但不限于此。
在一些实施例中，将所述镍盐溶于有机溶剂中，可以通过恒温搅拌促进镍盐的溶解，制备镍盐溶液。优选的，所述恒温搅拌在温度为60℃～80℃的条件下进行。该温度通常能够防止溶解镍盐的有机溶剂如有机醇的挥发，而且，还能够促进镍盐的快速溶解。在一些实施例中，所述镍盐溶液中镍盐的浓度为0.2mol/L～1mol/L。
在所述镍盐溶液中加入碱液，所述碱液选自在反应体系中能产生氢氧根离子的有机碱或无机碱。一方面，所述碱提供的氢氧根离子作为氧源，在碱性条件下，与镍盐中的镍离子发生反应，制备得到氧化镍纳米材料；另一方面，所述碱为镍离子与氢氧根离子的反应提供了合适的碱性反应条件。
在一些实施例中，在所述镍盐溶液中加入碱液的步骤中，按照所述镍盐提供的镍离子与所述碱液提供的氢氧根离子的摩尔比为1:1.8～2.5的比例，在所述镍盐溶液中加入所述碱液，有利于获得颗粒分布均匀的氧化镍纳米颗粒。当所述镍盐提供的镍离子和与所述碱液提供的氢氧根离子的摩尔比为1:1.8～2.5时，可以控制镍离子与碱液反应生成氧化镍晶核。当所述碱含量过高，不在所述镍盐提供的镍离子与所述碱液提供的氢氧根离子的摩尔比为1:1.8～2.5的范围时，由于液体pH过高，会降低反应体系中，镍离子与碱提供的氢氧根离子的反应速度。若所述碱液含量过低，不在所述镍盐提供的镍离子与所述碱液提供的氢氧根离子的摩尔比为1:1.8～2.5的范围时，由于所述碱液提供的氢氧根离子有限，过量的镍离子不能充分反应，导致得到的纳米材料中容易掺杂镍盐材料，最终影响氧化镍纳米材料的性能。
本申请实施例中，所述碱液选自能够提供氢氧根离子，且能调节反应体系的pH为12-13的有机碱或无机碱。具体的，所述碱液选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、氢氧化锂、乙醇胺、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺中的至少一种，但不限于此。在一些实施例中，所述碱液选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、氢氧化锂、乙醇胺、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺中的一种。在一些实施例中，所述碱液选自氨水和乙二胺、二乙醇胺和三乙醇胺、氢氧化钾和氢氧化纳、乙二胺和乙醇胺、乙二胺和乙二醇。在一些实施例中，所述碱液选自氨水和乙二胺和乙二醇、二乙醇胺和三乙醇胺和乙醇胺、氢氧化钾和氢氧化纳和氢氧化锂。
本申请实施例中，在所述混合溶液中加入碱，加热反应的步骤中，所述加热处理的温度在不高于所述有机溶剂的沸点温度，所述加热反应优选通过恒温搅拌实现。在一些实施例中，在所述镍盐溶液中加入碱液，加热反应的步骤中，在温度为60℃～80℃的条件下进行，且反应时间为2h～4h。在该温度条件下，有利于镍盐与碱液之间发生反应，制备氧化镍纳米晶体。
待所反应结束后，将液相体系冷却至室温。本发明实施例所述室温是指温度在10℃～35℃的室内温度。然后进行沉降处理析出氧化镍纳米晶体，收集沉降物，清洗后干燥处理，得到纳米材料。所述沉降处理可以通过添加沉淀剂实现。所述沉淀剂为弱极性和非极性溶剂，如乙酸乙酯、庚烷、辛烷等，但不限于此。
本发明实施例中，所述钒醇盐用于提供制备V2O5纳米颗粒所需的V元素，具体的，所述钒醇盐经水解或醇解反应，能够生成V2O5纳米颗粒，并结合在氧化镍纳米颗粒表面。采用所述钒醇盐进行水解或醇解，可以在温和的低温条件下反应制备V2O5纳米颗粒，并结合在氧化镍纳米颗粒表面，避免采用水热法制备V2O5纳米颗粒时，水热反应的高温条件导致氧化镍纳米颗粒团聚生长，最终不能得到的氧化镍内核不是氧化镍纳米颗粒。在一些实施例中，所述钒醇盐选自三乙氧基氧化钒、三异丙醇氧钒中的至少一种。三乙氧基氧化钒、三异丙醇氧钒在含水溶剂体系中，可以温和水解或醇解，生成V2O5纳米颗粒结合在氧化镍纳米颗粒表面，形成包覆层。
配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液的方式没有严格限定，可以先提供氧化镍纳米颗粒和钒醇盐，然后将氧化镍纳米颗粒和钒醇盐溶于溶剂中，制备氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液；也可以先配置氧化镍纳米颗粒溶液，然后加入钒醇盐；或者先配置钒醇盐溶液，然后加入氧化镍纳米颗粒；还可以分别配置氧化镍纳米颗粒溶液和钒醇盐溶液，然后将两者混合。
值得注意的是，由于本发明实施例采用钒醇盐作为钒源，经水解或醇解反应制备V2O5。因此，所述氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液中含有水或有机醇。本发明优选实施例中，所述氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液中的溶剂为有机醇和水组成的混合溶剂。此时，溶解体系有利于钒醇盐的水解，且促使水解过程形成的V2O5直接生长在氧化镍纳米颗粒表面，形成核壳结构纳米颗粒。进一步优选的，所述混合溶剂中，所述水和所述有机醇的体积比为1:3～1:5。当所述混合溶剂中水的含量比较低，所述水和所述有机醇的体积比小于1:5时，水解反应速率较慢，不能形成均匀的核壳结构；当所述混合溶剂中水的含量比较高，所述水和所述有机醇的体积比大于1:3时，水解反应速率较快，反应生成的部分V2O5来不及生长在氧化镍纳米颗粒表面，直接以纳米颗粒的形式出现溶液体系中，不能很好的形成核壳结构。
所述氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液中，所述钒醇盐的含量对本发明制备得到的NiO/V2O5核壳纳米材料的空穴传输性能影响较大。在一些实施例中，按照Ni元素与V元素的摩尔比为1:0.2～0.5的比例，将所述氧化镍纳米颗粒和所述钒醇盐溶于溶剂中，配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液。此时，钒醇盐水解后得到的V2O5均匀结合在NiO纳米颗粒的表面，形成完整的壳层，阻断NiO纳米颗粒的团聚，从而有利于控制粒子的尺寸和分布，得到粒度合适的纳米材料，并提高得到的NiO/V2O5核壳纳米材料的稳定性。而且，结合在NiO纳米颗粒表面的V2O5提供的低能级空轨道，可以接收NiO的HOMO能级跃迁的电子，从而使NiO形成了较多的自由空穴，提高其空穴传输性能。此外，经过V2O5包覆后的NiO纳米颗粒，表面缺陷降低，进一步提高了其空穴传输性能。若所述钒醇盐的添加量较少，使得纳米材料中V元素与Ni元素的摩尔比小于0.2：1，此时，V2O5结合在表面光滑的NiO纳米颗粒表面，增加产品表面粗糙度，但不足以形成完整的包覆层，不利于提高NiO复合材料的空穴传输性能。随着所述钒醇盐的添加量的含量的升高，结合在NiO核表面的V2O5越来越多，壳层厚度越来越厚。当所述所述钒醇盐的添加量过多，使得纳米材料中V元素与Ni元素的摩尔比大于0.5：1时，钒醇盐水解的V2O5过多，导致结合在NiO核表面V2O5外壳的厚度过厚，以致于影响主体NiO核材料的本征性能。
在配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液后，将所述混合溶液进行加热反应，使所述钒醇盐反应生成V2O5纳米颗粒并结合在所述氧化镍纳米颗粒形成的NiO纳米颗粒表面。在一些实施例中，将所述混合溶液进行加热反应的步骤中，所述加热反应在温度为60℃～90℃的条件下反应2小时～4小时。在该温度条件下，所述钒醇盐可以温和水解或醇解，生成V2O5纳米颗粒结合在所述氧化镍纳米颗粒表面。若温度过低，则钒醇盐水解或醇解反应效率降低，水解或醇解时间增长，而过程的反应时间，会增加已经水解产生的V2O5纳米颗粒形成大颗粒V2O5晶体，从而改变其纳米材料的属性。若温度过高，则钒醇盐水解或醇解反应效率过快，反应生成的部分V2O5来不及生长在氧化镍纳米颗粒表面，直接以纳米颗粒的形式出现溶液体系中，不能很好的形成核壳结构。而若反应时间过长，容易导致大颗粒V2O5晶体的形成。
进一步的，在加热反应结束后，将反应体系冷却后洗涤，然后进行干燥处理。在一些实施例中，所述干燥处理在温度为50℃～60℃的条件下进行。
在一个优选实施例中，所述纳米材料的制备包括以下步骤：按照Ni元素与V元素的摩尔比为1:0.2～0.5的比例，配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液，将所述混合溶液在温度为60℃～90℃的条件下反应2小时～4小时，使所述钒醇盐反应生成V2O5纳米颗粒并结合在所述氧化镍纳米颗粒形成的NiO纳米颗粒表面，制备NiO纳米颗粒表面包覆有V2O5壳层的纳米材料。
如图3所示，本发明实施例第三方面提供量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，以及在所述阳极和所述量子点发光层之间设置的空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括核壳结构纳米颗粒，所述核壳结构纳米颗粒包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。
本发明实施例提供的量子点发光二极管，由于空穴传输层材料中含有上述的核壳纳米材料，因此，可以提高空穴传输层的空穴传输能力，促进电子和空穴的注入平衡，提高量子点发光二极管的发光效率，降低激子累积对量子点发光二极管器件发光效率的影响，最终提高发光器件的发光性能。
本发明实施例中所述空穴传输层的材料中包含的核壳结构纳米颗粒即为上述的NiO/V2O5核壳纳米材料，采用所述空穴传输层的材料提高器件空穴传输性能的具体原理如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
在优选实施例中，所述空穴传输层的材料为NiO/V2O5核壳纳米材料，即所述空穴传输层由NiO/V2O5核壳纳米材料组成或所述空穴传输层由NiO/V2O5核壳纳米材料制成。此时通过V2O5的包覆，不仅可以提高氧化镍纳米颗粒的分散性，控制其颗粒大小和提高其稳定性，而且可以更明显地改善氧化镍纳米颗粒的表面缺陷，并增加其自由空穴的数量，进而赋予所述空穴传输层更加优异的空穴传输性能。
在一些实施例中，所述核壳结构纳米颗粒中，Ni元素与V元素的摩尔比为1:0.2～0.5。此时，V2O5可以形成完整的壳层，均匀结合在NiO纳米颗粒的表面，阻断NiO纳米颗粒的团聚，从而有利于控制粒子的尺寸和分布，得到粒度合适的纳米材料，并提高得到的NiO/V2O5核壳纳米材料的稳定性。而且，V2O5提供的低能级空轨道，可以接收NiO的HOMO能级跃迁的电子，从而使NiO形成了较多的自由空穴，提高其空穴传输性能。此外，经过V2O5包覆后的NiO纳米颗粒，表面缺陷降低，进一步提高了其空穴传输性能。若所述NiO/V2O5核壳纳米材料中，V2O5的含量较低，使得纳米材料中V元素与Ni元素的摩尔比小于0.2：1，此时，V2O5结合在表面光滑的NiO纳米颗粒表面形成微小颗粒，会导致得到的产物表面变得粗糙不均匀，但不足以形成完整的包覆层，不利于提高NiO复合材料的空穴传输性能。若所述NiO/V2O5核壳纳米材料中，随着V2O5的含量的升高，结合在NiO核表面的V2O5越来越多，壳层厚度越来越厚，当纳米材料中V元素与Ni元素的摩尔比小于0.5：1时，形成的V2O5外壳的厚度过厚，以致于影响主体NiO核材料的本征性能。
具体的，本发明实施例所述量子点发光二极管分正型结构和反型结构。
在一种实施方式中，正型结构量子点发光二极管包括包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。进一步的，在所述阳极和所述空穴传输层之间还可以设置空穴注入层，所述阳极极和所述量子点发光层之间还可以设置空穴阻挡层等电子功能层；在所述阴极和所述量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。在一些正型结构器件的实施例中，所述量子点发光二极管包括衬底，设置在所述衬底表面的阳极，设置在阳极表面的所述空穴注入层，设置在所述空穴注入层表面的空穴传输层，设置在所述空穴传输层表面的量子点发光层，设置在量子点发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极。
在一种实施方式中，反型结构量子点发光二极管包括包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。进一步的，在所述阳极和所述空穴传输层之间还可以设置空穴注入层，所述阳极和所述量子点发光层之间还可以设置电子阻挡层等空穴功能层；在所述阴极和所述量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等空穴功能层。在一些反型结构器件的实施例中，所述量子点发光二极管包括衬底，设置在所述衬底表面的阴极，设置在阴极表面的所述电子传输层，设置在所述电子传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的电子注入层和设置在电子注入层表面的阳极。
具体的，所述阳极的选择没有严格的限定，可以选择ITO，但不限于此。所述阳极的厚度为15～30nm。
所述量子点发光层的材料可以按照常规的量子点类型，选择常规的量子点材料。如所述量子点发光层的量子点可以为红色量子点、绿色量子点、蓝色量子点、黄色量子点中的一种；量子点材料中可以含镉，也可以不含镉；所述量子点可以为油溶性量子点包括二元相、三元相、四元相量子点。在一些实施例中，所述量子点材料可以选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、AgS、PbS、PbSe的半导体纳米晶，以及上述材料形成的核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种；在一些实施例中，所述量子点材料可以选ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X的半导体纳米晶，以及上述材料形成的核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。在一些实施例中，所述量子点材料可以选ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS的半导体纳米晶，以及上述材料形成的核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。上述量子点材料形成的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。所述量子点发光层的厚度为20～60nm。
所述阴极的选择可以采用常规的阴极材料，可以为金属银或者金属铝，也可以为纳米Ag线或者纳米Cu线，上述材料具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。所述阴极的厚度为15～30nm。
所述电子传输层的材料可采用本领域常规的电子传输材料制成，可以为ZnO、TiO2、CsF、LiF、CsCO3和Alq3中的一种，但不限于此。
在一些实施例中，所述量子点发光二极管还可以包括封装层。所述封装层可以设置在顶电极(远离衬底的电极)表面，也可以设置在整个量子点发光二极管表面。
本发明实施例提供的量子点发光二极管，可以通过下述方法制备获得。
本发明实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
E01.提供基板；
E02.在所述基板表面沉积NiO/V2O5核壳纳米材料，制备空穴传输层。
本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，以NiO/V2O5核壳纳米材料作为空穴传输材料。因此，本发明实施例制备得到的量子点发光二极管能够提高空穴传输能力，促进电子-空穴在量子点发光层中有效地复合，进而降低激子累积对器件性能的影响，促进电子和空穴的注入平衡，提高量子点发光二极管的发光效率，降低激子累积对量子点发光二极管器件发光效率的影响，最终提高量子点发光二极管器件的性能。
具体的，上述步骤E01中，对于正型结构量子点发光二极管而言，设置在衬底上的底电极为阳极，即所述基板至少含有阳极基板。在本发明的一些实施方式中，所述基板为衬底上设置阳极的阳极基板。在本发明的一些实施方式中，所述基板还可以为衬底上设置阳极、在阳极表面设置空穴注入层的叠层基板。应当理解的是，本发明并不限于上述实施方式的结构。
上述步骤E01中，对于反型结构量子点发光二极管而言，设置在衬底上的底电极为阴极，即所述基板至少含有阴极基板。在本发明的一些实施方式中，所述基板为衬底上设置量子点发光层的叠层基板。在本发明的又一些实施方式中，所述基板为在衬底上设置阴极、在阴极表面设置电子传输层、在电子传输层表面设置量子点发光层的叠层基板。当然，所述阴极和所述电子传输层之间，还可以设置其他电子功能层，如电子注入层。
本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述阳极基板或所述阴极基板表面制备功能层(如空穴传输层)之前，优选将所述阳极基板或所述阴极基板进行预处理，以获得高质量的功能层(如NiO/V2O5核壳纳米薄膜)。在优选实施例中，所述预处理的步骤包括：将所述阳极基板或所述阴极基板用清洁剂清洗，初步去除表面存在的污渍，随后依次在去离子水、丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗10～30min，优选20min，以除去表面存在的杂质；最后用高纯氮气吹干，即可得到所述阳极基板或所述阴极基板表面。
上述步骤E02中，所述NiO/V2O5核壳纳米材料为上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。在所述基板表面沉NiO/V2O5核壳纳米材料，可以采用常规的溶液加工法实现，包括但不限于滴涂、旋涂、浸泡、涂布、打印、蒸镀等方式。本发明实施例可以通过调节溶液的浓度、打印或旋涂速度和沉积时间来控制膜厚。在沉积完NiO/V2O5核壳纳米材料溶液后，在300℃～350℃下热退火处理，将纳米材料溶液中的溶剂挥发，并促使纳米材料均匀致密排列，制备得到致密的膜层。
本申请实施例除阳极和阴极外的各功能层(包括但不限于空穴注入层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层)的制备可以采用常规的溶液加工法制备，包括但不限于喷墨打印、旋涂、滴涂、浸泡、涂布、蒸镀。同样的，可以通过调节溶液的浓度、打印或旋涂速度和沉积时间来控制各层膜厚；并在沉积完溶液后进行热退火处理。在一些实施例中，所述电子传输层可以通过将基板置于真空蒸镀室中，通过控制蒸镀速度为0.01～0.5nm/s，制备厚度合适的电子传输层。
在一些实施例中，还包括对得到的量子点发光二极管进行封装处理。所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
本发明实施例第四方面提供一种发光装置，包括上述的量子点发光二极管。
本发明实施例提供的发光器件，由于空穴传输层材料中含有上述的NiO/V2O5核壳纳米材料，因此，可以提高空穴传输层的空穴传输能力，促进电子和空穴的注入平衡，提高量子点发光二极管的发光效率，降低激子累积对量子点发光二极管器件发光效率的影响，最终提高发光器件的发光性能。
下面结合具体实施例和对比例进行说明。
实施例1
一种NiO/V2O5核壳纳米材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)取适量的氯化镍加入到50ml乙醇中，在温度为70℃的条件下搅拌溶解，形成总浓度为0.5mol/L的氯化镍溶液。按照OH-：Ni2+的摩尔比为2：1的比例，加入溶解于10ml乙醇中的氢氧化钾碱液(pH＝12)，继续在温度为70℃下搅拌4h得到均匀的透明溶液。随后，待溶液冷却后用乙酸乙酯析出，离心后用少量乙醇溶解(重复操作，洗涤3次)，干燥，制得NiO纳米颗粒。
(2)将干燥后的1g NiO粉体，超声分散于20ml的水和乙醇的混合溶液中(水和乙醇体积比为1:3)，待得到均质的NiO分散液之后，按照Ni：V的摩尔比为1：0.3的比例，加入适量的三异丙醇氧钒，在温度为70℃的条件下反应3h。随后，待溶液冷却后用乙酸乙酯析出，离心后用少量乙醇溶解(重复操作，洗涤3次)，干燥，制得NiO/V2O5核壳纳米颗粒。
实施例2
一种NiO/V2O5核壳纳米材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)取适量的硝酸镍加入到50ml甲醇中，在温度为60℃的条件下搅拌溶解，形成总浓度为0.5mol/L的硝酸镍溶液。按照乙醇胺：Ni2+的摩尔比为2：1的比例，加入溶解于10ml甲醇中的乙醇胺碱液(pH＝12)，继续在温度为60℃下搅拌4h得到均匀的透明溶液。随后，待溶液冷却后用辛烷析出，离心后用少量乙醇溶解(重复操作，洗涤3次)，干燥，制得NiO纳米颗粒。
(2)将干燥后的1g NiO粉体，超声分散于20ml的水和甲醇的混合溶液中(水和甲醇体积比为1:4)，待得到均质的NiO分散液之后，按照Ni：V的摩尔比为1：0.5的比例，加入适量的三乙氧基氧化钒，在温度为60℃的条件下反应4h。随后，待溶液冷却后用乙酸乙酯析出，离心后用少量乙醇溶解(重复操作，洗涤3次)，干燥，制得NiO/V2O5核壳纳米颗粒。
实施例3
一种NiO/V2O5核壳纳米材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)取适量的硫酸镍加入到50ml丙醇中，在温度为80℃的条件下搅拌溶解，形成总浓度为0.5mol/L的硫酸镍溶液。按照OH-：Ni2+的摩尔比为2：1的比例，加入溶解于10ml甲醇中的氢氧化钠碱液(pH＝12)，继续在温度为80℃下搅拌4h得到均匀的透明溶液。随后，待溶液冷却后用庚烷析出，离心后用少量乙醇溶解(重复操作，洗涤3次)，干燥，制得NiO纳米颗粒。
(2)将干燥后的1g NiO粉体，超声分散于20ml的水和丙醇的混合溶液中(水和丙醇体积比为1:5)，待得到均质的NiO分散液之后，按照Ni：V的摩尔比为1：0.4的比例，加入适量的三异丙醇氧钒，在温度为80℃的条件下反应3h。随后，待溶液冷却后用乙酸乙酯析出，离心后用少量乙醇溶解(重复操作，洗涤3次)，干燥，制得NiO/V2O5核壳纳米颗粒。
实施例4
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层为材料NiO/V2O5核壳纳米材料，电子传输层的材料为ZnO，阴极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供ITO基板，在ITO基板上制备空穴传输层，所述空穴传输层的材料为按照实施例1所述方法制备得到的NiO/V2O5核壳纳米材料；
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极。
实施例5
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层为材料NiO/V2O5核壳纳米材料，电子传输层的材料为ZnO，阴极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供ITO基板，在ITO基板上制备空穴传输层，所述空穴传输层的材料为按照实施例2所述方法制备得到的NiO/V2O5核壳纳米材料；
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极。
实施例6
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层为材料NiO/V2O5核壳纳米材料，电子传输层的材料为ZnO，阴极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供ITO基板，在ITO基板上制备空穴传输层，所述空穴传输层的材料为按照实施例3所述方法制备得到的NiO/V2O5核壳纳米材料；
在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极。
实施例7
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阴极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料为NiO/V2O5核壳纳米材料，电子传输层的材料为ZnO，阳极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供阴极基板，在阴极基板上沉积制备电子传输层；
在电子传输层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备空穴传输层，所述空穴传输层的材料为按照实施例1所述方法制备得到的NiO/V2O5核壳纳米材料；
在所述空穴传输层上制备阳极。
实施例8
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阴极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料为NiO/V2O5核壳纳米材料，电子传输层的材料为ZnO，阳极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供阴极基板，在阴极基板上沉积制备电子传输层；
在电子传输层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备空穴传输层，所述空穴传输层的材料为按照实施例2所述方法制备得到的NiO/V2O5核壳纳米材料；
在所述空穴传输层上制备阳极。
实施例9
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阴极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料为NiO/V2O5核壳纳米材料，电子传输层的材料为ZnO，阳极的材料为Al。
所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
提供阴极基板，在阴极基板上沉积制备电子传输层；
在电子传输层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备空穴传输层，所述空穴传输层的材料为按照实施例3所述方法制备得到的NiO/V2O5核壳纳米材料；
在所述空穴传输层上制备阳极。
对比例1
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料为商业V2O5材料(购自sigma公司)，电子传输层的材料为ZnO，阴极的材料为Al。
对比例2
一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层，且所述阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阴极的材料为ITO基板，空穴传输层的材料为商业NiO材料(购自sigma公司)，电子传输层的材料为ZnO，阳极的材料为Al。
对实施例1-3以及对比例1、对比例2制备得到的NiO/V2O5核壳纳米材料形成的空穴传输层，实施例4-9以及对比例1制备得到的量子点发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
(1)空穴迁移率：测试空穴传输层的电流密度(J)-电压(V)，绘制曲线关系图，对关系图中空间电荷限制电流(SCLC)区的进行拟合，然后根据著名的Child’s law公式计算空穴迁移率：
J＝(9/8)εrε0μeV2/d3
其中，J表示电流密度，单位mAcm-2；εr表示相对介电常数，ε0表示真空介电常数；μe表示空穴迁移率，单位cm2V-1s-1；V表示驱动电压，单位V；d表示膜厚度，单位m。
(2)电阻率：采用同一电阻率测试仪器测定电子传输薄膜电阻率。
(3)外量子效率(EQE)：采用EQE光学测试仪器测定。
注：空穴迁移率和电阻率测试为单层薄膜结构器件，即：阴极/空穴传输层/阳极。外量子效率测试为所述的QLED器件，即：阳极/空穴传输层/量子点/电子传输薄膜/阴极，或者阴极/电子传输薄膜/量子点/空穴传输层/阳极。
测试结果如下表1所示：
表1
从上表1可见，本发明实施例1-3提供的材料为NiO/V2O5核壳纳米材料制成的空穴传输层，电阻率明显低于对比例1、2中V2O5材料制成的空穴传输层的电阻率，而空穴迁移率明显高于对比例1、2中金属化合物纳米材料制成的空穴传输层。
本发明实施例4-9提供的量子点发光二极管(空穴传输层材料为NiO/V2O5核壳纳米材料)的外量子效率，明显高于对比例1、2中V2O5材料的量子点发光二极管的外量子效率，说明实施例得到的量子点发光二极管具有更好的发光效率。
值得注意的是，本发明提供的具体实施例均以蓝光量子点CdXZn1-XS/ZnS作为发光层材料，是基于蓝光发光体系是使用较多的体系(由于蓝光量子点的发光二极管要达到高效率比较困难，因此更具参考价值)，并不代表本发明仅用于蓝光发光体系。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料为核壳结构纳米颗粒，包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层，且所述纳米材料中，Ni元素与V元素的摩尔比为1:0.2~0.5。
2.一种纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
按照Ni元素与V元素的摩尔比为1:0.2~0.5的比例，配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液，将所述混合溶液进行加热反应，使所述钒醇盐反应生成V2O5纳米颗粒并结合在所述氧化镍纳米颗粒形成的NiO纳米颗粒表面，制备NiO纳米颗粒表面包覆有V2O5壳层的纳米材料。
3.如权利要求2所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液的步骤中，将所述氧化镍纳米颗粒和所述钒醇盐溶于溶剂中，配置氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液。
4.如权利要求2所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，所述氧化镍纳米颗粒和钒醇盐的混合溶液中的溶剂为有机醇和水组成的混合溶剂。
5.如权利要求4所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，所述混合溶剂中，所述水和所述有机醇的体积比为1:3~1:5。
6.如权利要求2至5任一项所述的纳米材料的制备方法，将所述混合溶液进行加热反应的步骤中，所述加热反应在温度为60℃~90℃的条件下反应2小时~4小时。
7.如权利要求2至5任一项所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，所述钒醇盐选自三乙氧基氧化钒、三异丙醇氧钒中的至少一种。
8.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阴极和阳极，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，以及在所述阳极和所述量子点发光层之间设置的空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括核壳结构纳米颗粒，所述核壳结构纳米颗粒包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层，且所述核壳结构纳米颗粒中，Ni元素与V元素的摩尔比为1:0.2~0.5。
9.如权利要求8所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层由所述核壳结构纳米颗粒组成。
10.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求8至9任一项所述的量子点发光二极管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911384735.8A CN113054062B (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911384735.8A CN113054062B (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113054062A CN113054062A (zh) | 2021-06-29 |
| CN113054062B true CN113054062B (zh) | 2022-06-14 |
Family
ID=76507705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911384735.8A Active CN113054062B (zh) | 2019-12-28 | 2019-12-28 | 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113054062B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105895829A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-08-24 | Tcl集团股份有限公司 | 一种Cu：NiO纳米粒子、发光二极管及其制备方法 |
| CN107200363A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-09-26 | 安徽建筑大学 | 核壳结构NiO‑CdS同轴纳米纤维及其制备方法 |
| CN108376779A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-08-07 | 中国海洋大学 | 用于制备锂离子电池负极的碳基复合材料的制备方法 |
| CN108682752A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-19 | 纳晶科技股份有限公司 | 电荷传输层的制作方法、电荷传输层、墨水以及光电器件 |
| WO2019129256A1 (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法和复合材料 |
| CN110294967A (zh) * | 2018-03-21 | 2019-10-01 | Tcl集团股份有限公司 | 墨水及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150019310A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 한국전자통신연구원 | 코어-쉘 나노입자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스 센서 |
| US10700236B2 (en) * | 2016-03-17 | 2020-06-30 | Apple Inc. | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot LED displays |
-
2019
- 2019-12-28 CN CN201911384735.8A patent/CN113054062B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105895829A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-08-24 | Tcl集团股份有限公司 | 一种Cu：NiO纳米粒子、发光二极管及其制备方法 |
| CN107200363A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-09-26 | 安徽建筑大学 | 核壳结构NiO‑CdS同轴纳米纤维及其制备方法 |
| WO2019129256A1 (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法和复合材料 |
| CN110294967A (zh) * | 2018-03-21 | 2019-10-01 | Tcl集团股份有限公司 | 墨水及其制备方法 |
| CN108376779A (zh) * | 2018-03-27 | 2018-08-07 | 中国海洋大学 | 用于制备锂离子电池负极的碳基复合材料的制备方法 |
| CN108682752A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-10-19 | 纳晶科技股份有限公司 | 电荷传输层的制作方法、电荷传输层、墨水以及光电器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113054062A (zh) | 2021-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112538163B (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN109935662B (zh) | 电子传输材料及其制备方法、发光二极管 | |
| CN112625674B (zh) | 复合材料和量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN112349850A (zh) | 无机半导体材料及其制备方法 | |
| CN113120947A (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN113054062B (zh) | 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置 | |
| CN112397659A (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN113121382B (zh) | 金属化合物材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置 | |
| CN111384245B (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN112397670B (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN112397655B (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN110963535A (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN113045211B (zh) | 复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法 | |
| CN113045735A (zh) | 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN112397620B (zh) | 纳米复合颗粒及其制备方法和应用 | |
| CN111725433B (zh) | 量子点发光二极管、量子点发光二极管的制备方法 | |
| CN112397625A (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN113054145B (zh) | 复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法 | |
| CN112397661B (zh) | 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管 | |
| CN113054118B (zh) | 复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法 | |
| CN112542554B (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN113044882B (zh) | 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管 | |
| CN112397656B (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN113054119B (zh) | 复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法 | |
| CN111244309B (zh) | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd. Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District Applicant before: TCL Corp. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |