CN108630827A - 一种量子点固态膜、量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种量子点固态膜、量子点发光二极管及其制备方法，方法包括步骤：将将量子点溶液旋涂于基板上，并干燥，制成量子点固态膜；将量子点固态膜浸泡在表面修饰剂溶液中一定时间后，取出量子点固态膜，然后干燥、清洗，得到表面修饰剂修饰的量子点固态膜；将金属纳米颗粒种子溶液旋涂在修饰过的量子点固态膜上，并干燥，得到含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜；将含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜浸泡在含有金属纳米线的前驱液中进行金属纳米线的生长，最终得到生长有一层金属纳米线的量子点固态膜。利用本发明上述方法得到的生长有一层金属纳米线的量子点固态膜能够有效快速对电荷进行传输，同时也会提高器件的整体性能。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点固态膜、量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点(QD)作为本世纪研究比较热的领域，尤其针对发光量子点由于其带隙可调、色纯度好、稳定性好等特点。
目前量子点的应用领域也比较广泛，尤其是量子点发光二极管，量子点显示有望成为下一代的新型显示技术。然而在有关目前的量子点发光二极管显示技术中，量子点膜的制备以及量子点器件的组装非常重要，在量子点的发光二极管中会涉及到电荷注入平衡问题，电子和空穴的注入不平衡会影响整个器件的发光效率以及寿命等。调节量子点固态膜的电子注入平衡时，一般采用的是调节电子传输层的能级势垒、量子点表面的配体长度的变化。然而这些还是不能有效快速的对电荷进行传输。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点固态膜、量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点固态膜不能有效快速对电荷进行传输的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点固态膜的制备方法，其中，包括：
步骤A、将量子点配制成量子点溶液，然后将量子点溶液旋涂于基板上，并干燥，制成量子点固态膜；
步骤B、将表面修饰剂配制成表面修饰剂溶液，将制成的量子点固态膜浸泡在表面修饰剂溶液中一定时间后，取出量子点固态膜，然后干燥、清洗，得到表面修饰剂修饰的量子点固态膜；
步骤C、将金属纳米颗粒种子配制成金属纳米颗粒种子溶液，然后将金属纳米颗粒种子溶液旋涂在修饰过的量子点固态膜上，并干燥，得到含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜；
步骤D、将含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜浸泡在含有金属纳米线的前驱液中进行金属纳米线的生长，取出量子点固态膜，得到生长有一层金属纳米线的量子点固态膜。
所述的量子点固态膜的制备方法，其中，所述步骤A中，所述量子点为二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点。
所述的量子点固态膜的制备方法，其中，二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一种或多种，三元相量子点为ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X中的一种或多种，四元相量子点为ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS中的一种或多种。
所述的量子点固态膜的制备方法，其中，所述步骤B中，所述表面修饰剂为（3-氨乙基）三乙氧基硅烷、（3-氨丙基）三乙氧基硅烷、（3-氨丁基）三乙氧基硅烷、（3-氨乙基）三丙氧基硅烷、（3-氨丙基）三丙氧基硅烷、（3-氨丁基）三丙氧基硅烷、（3-氨乙基）三丁氧基硅烷、（3-氨丙基）三丁氧基硅烷、（3-氨丁基）三丁氧基硅烷中的一种或多种。
所述的量子点固态膜的制备方法，其中，所述步骤C中，所述金属纳米颗粒种子为Au纳米颗粒、Ag纳米颗粒、Cu纳米颗粒中的一种。
所述的量子点固态膜的制备方法，其中，所述步骤D中，金属纳米线的前驱液为Au纳米线的前驱液、Ag纳米线的前驱液、Cu纳米线的前驱液中的一种。
所述的量子点固态膜的制备方法，其中，所述Au纳米线的前驱液包含H2O、CH3OH、HAuCl4、维生素C和MBA；所述Ag纳米线的前驱液包含H2O、MEG、AgNO3和PVP；所述Cu纳米线的前驱液包含NaOH、CuNO3、乙二胺和水合肼。
一种量子点固态膜，其中，采用如上任一所述的量子点固态膜的制备方法制备而成，所述量子点固态膜生长有一层金属纳米线。
一种量子点发光二极管，其中，依次包括含有衬底的阳极、空穴注入层、空穴传输层、如上所述的量子点固态膜、电子传输层及阴极。
一种如上所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，包括：
步骤R、在含有衬底的阳极上制备空穴注入层；
步骤S、在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤T、在空穴传输层上制备量子点发光层；所述量子点发光层为如上所述的量子点固态膜；
步骤U、在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管。
有益效果：本发明是先把量子点制备成量子点固态膜，利用表面修饰剂对量子点固态膜进行修饰，然后再把金属纳米颗粒种子旋涂在修饰过的量子点固态膜上，最后将涂有金属纳米颗粒种子的量子点固态膜置于生长有金属纳米线的前驱液中进行金属纳米线的生长，最终得到生长有一层金属纳米线的量子点固态膜。利用此量子点固态膜可以进一步制备QLED器件。利用这种方法得到的生长有一层金属纳米线的量子点固态膜能够有效快速对电荷进行传输，同时也会提高器件的整体性能。
附图说明
图1为本发明的一种量子点固态膜的制备方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明实施例的量子点固态膜制备过程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点固态膜、量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1为本发明的一种量子点固态膜的制备方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括：
步骤S100、将量子点配制成量子点溶液，然后将量子点溶液旋涂于基板上，并干燥，制成量子点固态膜；
步骤S100具体为，将量子点干燥称重后溶解于甲苯或氯仿等溶剂中，配制成量子点溶液，其中量子点溶液的浓度为1~50 mg/mL，优选的浓度为15mg/mL。然后通过溶液法将配制成的量子点溶液旋涂于基板（如ITO玻璃）上，并干燥，制成量子点固态膜。本发明所述溶液法可以为但不限于旋涂法、浸渍提拉法、打印法、印刷法、喷墨法、喷涂法、滚涂法、刮涂法、浇铸法、电解沉积法、狭缝式涂布法、条状涂布法中的一种或多种。
优选地，所述量子点可以为二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点等中的一种或多种。其中，二元相量子点可以为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS等中的一种或多种，三元相量子点可以为ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X等中的一种或多种，四元相量子点可以为ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1- XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS等中的一种或多种。
步骤S200、将表面修饰剂配制成表面修饰剂溶液，将制成的量子点固态膜浸泡在表面修饰剂溶液中一定时间后，取出量子点固态膜，然后干燥、清洗，得到表面修饰剂修饰的量子点固态膜；
步骤S200具体为，将表面修饰剂溶解在甲醇等溶剂中，并室温下搅拌均匀，制成表面修饰剂溶液。将制成的量子点固态膜浸泡在表面修饰剂溶液中一定时间后，优选浸泡时间为1~3min，如2min，取出量子点固态膜，然后采用1000rpm 10s空转一次进行干燥，再抽取无水甲醇采用2000rpm 20s清洗两次，得到表面修饰剂修饰的量子点固态膜。
优选地，所述表面修饰剂可以为（3-氨乙基）三乙氧基硅烷、（3-氨丙基）三乙氧基硅烷、（3-氨丁基）三乙氧基硅烷、（3-氨乙基）三丙氧基硅烷、（3-氨丙基）三丙氧基硅烷、（3-氨丁基）三丙氧基硅烷、（3-氨乙基）三丁氧基硅烷、（3-氨丙基）三丁氧基硅烷、（3-氨丁基）三丁氧基硅烷等中的一种或多种。更优选地，所述表面修饰剂为（3-氨丙基）三乙氧基硅烷（APTES）。
步骤S300、将金属纳米颗粒种子配制成金属纳米颗粒种子溶液，然后将金属纳米颗粒种子溶液旋涂在修饰过的量子点固态膜上，并干燥，得到含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜。
步骤S300中，所述金属纳米颗粒种子可以为Au纳米颗粒、Ag纳米颗粒、Cu纳米颗粒等中的一种。优选地，所述金属纳米颗粒种子为Au纳米颗粒。
步骤S400、将含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜浸泡在含有金属纳米线的前驱液中进行金属纳米线的生长，取出量子点固态膜，得到生长有一层金属纳米线的量子点固态膜。
步骤S400具体为，将含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜浸泡在含有金属纳米线的前驱液中，混合液处于惰性气体保护并不断搅拌的状态进行金属纳米线的生长，生长时间为15~25min（如20min），然后取出量子点固态膜，即可得到生长有一层金属纳米线的量子点固态膜。
优选地，所述金属纳米线的前驱液可以为Au纳米线的前驱液、Ag纳米线的前驱液、Cu纳米线的前驱液等中的一种。其中，所述Au纳米线的前驱液包含去离子水（H2O）、甲醇（CH3OH）、HAuCl4、维生素C和4-巯基苯甲酸（MBA）；所述Ag纳米线的前驱液包含去离子水（H2O）、乙二醇（MEG）、硝酸银（AgNO3）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）；所述Cu纳米线的前驱液包含氢氧化钠（NaOH）、硝酸铜（CuNO3）、乙二胺和水合肼。
基于上述制备方法，本发明还提供一种量子点固态膜，其中，采用如上任一所述的量子点固态膜的制备方法制备而成。本发明方法制备得到的生长有一层金属纳米线的量子点固态膜能够有效快速对电荷进行传输，同时也会提高器件的整体性能。
本发明还提供一种量子点发光二极管，其中，依次包括含有衬底的阳极、空穴注入层、空穴传输层、如上所述的量子点固态膜、电子传输层及阴极。在QLED器件制备过程中，采用本发明如上所述的量子点固态膜作为量子点发光层，能够有效提高器件的整体性能。
优选地，本发明所述阳极可选自铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）中的一种或多种。
优选地，本发明所述空穴注入层可以为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁铜（CuPc）、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲（HATCN）、掺杂或非掺杂过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物可以为但不限于MoO3、VO2、WO3、CrO3、CuO或它们的混合物中的一种或多种；所述金属硫系化合物可以为但不限于MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS或它们的混合物中的一种或多种。
优选地，本发明所述空穴传输层材料可选自具有空穴传输能力的有机材料，可以为但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60或它们的混合物中的一种或多种。所述空穴传输层材料还可选自具有空穴传输能力的无机材料，可以为但不限于NiO、MoO3、VO2、WO3、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS或它们的混合物中的一种或多种。
优选地，本发明所述电子传输层材料可以为但不限于n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种；优选地，所述电子传输层为n型ZnO或n型TiO2；
优选地，本发明所述阴极可以为但不限于各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料可以为但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维、多空碳、或它们的混合物中的一种或多种；导电金属氧化物材料可以为但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、或它们的混合物中的一种或多种；金属材料可以为但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金中的一种或多种；其中所述金属材料中，其形态可以为但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球、或它们的混合物中的一种或多种；优选地，所述阴极为Ag或Al。
基于上述量子点发光二极管，本发明也提供一种如上所述的量子点发光二极管的制备方法，其包括：
步骤R、在含有衬底的阳极上制备空穴注入层；
步骤S、在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤T、在空穴传输层上制备量子点发光层；所述量子点发光层为如上所述的量子点固态膜；
步骤U、在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管。
本发明量子点发光二极管可以部分封装、全封装、或不封装。
本发明上述各功能层的制备方法可以是化学法或物理法，其中物理法可以为但不限于旋涂法、喷涂法、滚涂法、打印法、印刷法、喷墨法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种；化学法可以为但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种。
需说明的是，本发明不限于上述结构的量子点发光二极管，还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。
需说明的是，本发明不限于制备上述正型结构的量子点发光二极管，还可以制备反型结构的量子点发光二极管。且反型结构的量子点发光二极管还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。
结合图2所示，下面以利用红色油溶性量子点CdSe/ZnS、APTES、Au纳米颗粒、合成Au纳米线的前躯体为例对本发明进行详细说明。
1、红色油溶性量子点CdSe/ZnS的制备步骤如下
1）、油酸镉{Cd(OA)2}与油酸锌{Zn(OA)2}前躯体的制备：
取0.8mmol的氧化镉（CdO）、6mmol的醋酸锌{Zn(Ac)2}、8ml的油酸（OA）、15ml的十八烯（ODE）加入到三口烧瓶中，先常温排气10min后加热到170℃排气60min，然后维持在170℃。
2）硒（Se）前躯体的制备：
称取4mmol的Se加入到4ml的三辛基氧磷（TOP）中，加热到170℃维持30min，然后降温到140℃。
3）硫（S）前躯体的制备：
称4mmol的S加入到6ml的三辛基氧磷（TOP）中，加热到170℃维持30min，然后降温到140℃。
4）将1）中的混合液温度升高到300℃后，取2ml的硒（Se）前躯体快速注入到烧瓶内反应10min，然后再次抽取2ml的硫（S）源注入到反应混合液中反应30min，最终得到CdSe/ZnS红色量子点，待混合液温度冷却至室温后，通过离心分离、清洗得到红色油溶性量子点CdSe/ZnS，并对其做干燥处理，其表面的配体是油酸（OA）。
2、APTES修饰红色CdSe/ZnS量子点固态膜的制备：
1）将制备好的红色油溶性量子点CdSe/ZnS稀释成15mg/ml的CdSe/ZnS量子点溶液，然后采用3000rpm 30s旋涂在干净的ITO玻璃片上，接着在2000rpm 20s空转两次干燥量子点固态膜。
2）取3mmol的APTES溶解在10ml的甲醇当中，然后室温均匀搅拌30min，备用。
3）将制备好的CdSe/ZnS量子点固态膜浸泡在含有APTES的甲醇溶液中2min，然后取出量子点固态膜，先采用1000rpm 10s空转一次进行干燥，然后再抽取100微升的无水甲醇采用2000rpm 20s进行两次清洗。
3、含有Au纳米颗粒的量子点固态膜的制备：
金（Au）纳米颗粒的制备:在油浴条件下，向100 ml的三口烧瓶中加入60 ml的水和1 ml的1%（wt%）的水合HAuCl4• 3H2O，在通氩气保护的条件下充分搅拌。过1 min后，加入1 ml的1%（wt%）的水合柠檬酸钠。添加1 min之后，再加入1 ml的0.075% （wt%）NaBH4，将溶液不断搅拌5 min，得到金纳米颗粒，得到的样品避光低温（4℃左右）保存。
将Au纳米颗粒制备成10mg/ml的溶液旋涂在上述2.3）制备的含有APTES修饰过的量子点固态膜上，然后进行甩膜，转速为5000rpm，得到只有一层Au纳米颗粒覆盖在量子点固态膜上。
含有Au纳米线的量子点固态膜的制备：
将只含有一层Au纳米颗粒种子的量子点固态膜浸泡在含有合成Au纳米颗粒的前躯体溶液中（60 ml水、1 ml的1%的水合HAuCl4• 3H2O、1 ml的1%的水合柠檬酸钠、1 ml的0.075%NaBH4）混合液处于氩气保护并且不断搅拌的状态20min进行Au纳米线的生长，然后取出量子点固态膜，即可得到含有Au纳米线的量子点固态膜。
综上所述，本发明提供的一种量子点固态膜、量子点发光二极管及其制备方法，本发明先把量子点制备成量子点固态膜，利用表面修饰剂对量子点固态膜进行修饰，然后再把金属纳米颗粒（如：Au纳米颗粒）旋涂在修饰过的量子点固态膜上，最后将涂有金属纳米颗粒的量子点固态膜置于有生长金属纳米线的前驱液中进行金属纳米线的生长，最终得到生长有一层金属纳米线的量子点固态膜。利用此固态膜可以进一步制备QLED器件。利用这种方法得到的生长有一层金属纳米线的量子点固态膜能够对电荷进行快速，进而提高器件的整体性能。。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种量子点固态膜的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A、将量子点配制成量子点溶液，然后将量子点溶液旋涂于基板上，并干燥，制成量子点固态膜；
步骤B、将表面修饰剂配制成表面修饰剂溶液，将制成的量子点固态膜浸泡在表面修饰剂溶液中一定时间后，取出量子点固态膜，然后干燥、清洗，得到表面修饰剂修饰的量子点固态膜；
步骤C、将金属纳米颗粒种子配制成金属纳米颗粒种子溶液，然后将金属纳米颗粒种子溶液旋涂在修饰过的量子点固态膜上，并干燥，得到含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜；
步骤D、将含有一层金属纳米颗粒种子的量子点固态膜浸泡在含有金属纳米线的前驱液中进行金属纳米线的生长，取出量子点固态膜，得到生长有一层金属纳米线的量子点固态膜。
2.根据权利要求1所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述量子点为二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，二元相量子点为CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一种或多种，三元相量子点为ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X中的一种或多种，四元相量子点为ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述表面修饰剂为（3-氨乙基）三乙氧基硅烷、（3-氨丙基）三乙氧基硅烷、（3-氨丁基）三乙氧基硅烷、（3-氨乙基）三丙氧基硅烷、（3-氨丙基）三丙氧基硅烷、（3-氨丁基）三丙氧基硅烷、（3-氨乙基）三丁氧基硅烷、（3-氨丙基）三丁氧基硅烷、（3-氨丁基）三丁氧基硅烷中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述步骤C中，所述金属纳米颗粒种子为Au纳米颗粒、Ag纳米颗粒、Cu纳米颗粒中的一种。
6.根据权利要求1所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述步骤D中，金属纳米线的前驱液为Au纳米线的前驱液、Ag纳米线的前驱液、Cu纳米线的前驱液中的一种。
7.根据权利要求6所述的量子点固态膜的制备方法，其特征在于，所述Au纳米线的前驱液包含H2O、CH3OH、HAuCl4、维生素C和MBA；所述Ag纳米线的前驱液包含H2O、MEG、AgNO3和PVP；所述Cu纳米线的前驱液包含NaOH、CuNO3、乙二胺和水合肼。
8.一种量子点固态膜，其特征在于，采用如权利要求1~7任一所述的量子点固态膜的制备方法制备而成，所述量子点固态膜生长有一层金属纳米线。
9.一种量子点发光二极管，其特征在于，依次包括含有衬底的阳极、空穴注入层、空穴传输层、如权利要求8所述的量子点固态膜、电子传输层及阴极。
10.一种如权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
步骤R、在含有衬底的阳极上制备空穴注入层；
步骤S、在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤T、在空穴传输层上制备量子点发光层；所述量子点发光层为如权利要求8所述的量子点固态膜；
步骤U、在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，得到量子点发光二极管。
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