JP5218604B2 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
このような有機EL表示装置の駆動方式としては、行方向に走査線及び列方向にデータ線をマトリクス状に配設するとともに、その交差部分にあるEL素子の画素毎に静電容量素子とトランジスタ等を配置して、書き込み走査時に各画素の静電容量素子に充電した電圧に従って、次に書き換えられるまで発光を持続する、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式が知られている(例えば、特許文献1参照)。
更に、画素領域Aの各々には、走査線901を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ912と、このスイッチング薄膜トランジスタ912を介して信号線902から共有される画素信号を保持する保持容量Capと、該保持容量Capによって保持された画素信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ923と、このカレント薄膜トランジスタ923を介して発光用電源配線903に電気的に接続したときに発光用電源配線903から駆動電流が流れ込む画素電極911と、この画素電極911と陰極913との間に挟み込まれる発光素子910とが設けられている。陰極913は、陰極用電源回路931に接続されている。
そして、カレント薄膜トランジスタ923を介して各発光素子910R、910G、910Bに接続される発光用電源配線903R、903G、903Bはそれぞれ、発光用電源回路932に接続されている。各色毎に発光用電源配線が配線されているのは、発光素子910の駆動電位が各色毎に異なるためである。
しかし、従来の表示装置では、発光素子910を発光させるために比較的大きな駆動電流が必要とされるため、表示装置の動作状況によっては、駆動電流の電位変動が大きくなる場合があり、発光素子910の発光動作に不具合が生じて、正常な画像表示を行えない場合があった。
また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、前記画素電極と前記画素電極用配線とに電気的に接続されたトランジスタをさらに有し、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、前記第1の層に設けられており、前記トランジスタのゲート電極は、前記第2の層に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、前記画素電極用配線および前記陰極用配線は、前記第1の辺に沿って設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、前記画素電極用配線および前記陰極用配線は、前記第1の辺および前記第1の辺と交差する第2の辺に沿って設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、前記第1の辺および前記第2の辺とは異なる第3の辺には、前記画素電極用配線または前記陰極用配線と電気的に接続された電源回路が設けられた基板が設けられていることを特徴とする。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板上に、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部に対応して設けられ、画素電極と対向電極との間に挟まれた発光層を有するEL素子と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極用配線と、前記対向電極に電気的に接続された対向電極用配線と、を有し、前記対向電極用配線は、第1対向電極用配線と、前記第1対向電極用配線とは異なる層に設けられた第2対向電極用配線と、を有し、前記画素電極用配線と前記第2対向電極用配線とは同じ層に設けられ、前記第2対向電極用配線は、前記画素電極用配線と前記基板の端部との間に配置されたことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、前記画素電極と前記画素電極用配線とに電気的に接続されたスイッチング薄膜トランジスタをさらに有し、前記第1対向電極用配線は、前記スイッチング薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同層に設けられたことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、前記画素電極用配線は、第1画素電極用配線と、前記第1画素電極用配線とは異なる層に設けられた第2画素電極用配線と、を有し、前記第1対向電極用配線と前記第1画素電極用配線とは、同層に設けられ、前記第2対向電極用配線と前記第2画素電極用配線とは、同層に設けられたことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電子機器は、上記の表示装置を備えたことを特徴とする。
また、本発明の参考例に係る表示装置は、スイッチング素子に接続された第1電極が基板上にマトリックス状に配置されてなる第1電極領域と、前記第1電極領域の周囲に配置され、前記第1電極に接続される発光用電源配線と、前記第1電極の上方に形成された機能層と、を含み、前記機能層の上方に少なくとも第2電極の一部が形成され、前記発光用電源配線と前記第2電極との間に第1の静電容量が設けられてなることを特徴とする。
これにより、ダミー領域の機能層上ある第2電極がダミー領域のバンク上にある第2電極よりも発光用電源配線側に接近するように構成されるので、静電容量に蓄積される蓄積電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。
係る表示装置によれば、第1配線と第2電極用の配線の間に第2の静電容量が設けられているので、発光用電源配線を流れる駆動電流の電位が変動した場合に、第2の静電容量に蓄積された電荷が発光用電源配線に供給されて電位変動を抑制することができ、表示装置の画像表示をより正常に保つことができる。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記第1電極によって形成される実表示領域と、該実表示領域の周囲に配置され、表示に寄与しないダミー領域とを有してなり、前記第2電極は、少なくとも前記実表示領域と前記ダミー領域を覆うように形成されてなり、前記発光用電源配線が少なくとも前記ダミー領域を挟んで前記第2電極と対向配置され、前記ダミー領域には前記第1層間絶縁層が形成されてなることを特徴とする。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記発光用電源配線は、第2の層間絶縁層を挟んで対向する第1配線及び第2配線から構成されるとともに、前記第1配線が、前記第2電極用の配線と同じ階層位置に形成され、前記第1配線と前記第2電極用の配線との間に第2の静電容量が形成されることを特徴とする。
また本発明の表示装置は、先に記載の表示装置であって、前記機能層は、正孔注入/輸送層と、該正孔注入/輸送層に隣接して形成される有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層とからなるものであることを特徴とする。
次に本発明の電子機器は、先のいずれかに記載の表示装置を具備してなることを特徴とする。係る電子機器によれば、画像表示を安定に行うことができる。
以下、本発明の第1の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
図1に示す表示装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor)を用いたアクティブマトリクス方式の有機EL表示装置である。
図1に示す本実施形態の表示装置1は、複数の走査線101・・・と、走査線101・・・に対して交差する方向に延びる複数の信号線102・・・と、信号線102・・・に並列に延びる複数の発光用電源配線103・・・とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線101・・・及び信号線102・・・の各交点付近に、画素領域A・・・が設けられている。
更に、画素領域Aの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ112と、このスイッチング薄膜トランジスタ112を介して信号線102から供給される画像信号を保持する保持容量Capと、該保持容量Capによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ123(スイッチング素子)と、このカレント薄膜トランジスタ123を介して発光用電源配線103に電気的に接続したときに発光用電源配線103から駆動電流が流れ込む画素電極(第1電極)111と、この画素電極111と陰極(第2電極)12との間に挟み込まれる機能層110とが設けられている。尚、陰極12は陰極用電源回路131に接続されている。
そして、カレント薄膜トランジスタ123を介して各発光層110R、110G、110Bに接続される発光用電源配線103R、103G、103Bがそれぞれ、発光用電源回路132に接続されている。各色毎に発光用電源配線103R・・・が配線されているのは、発光層110R・・・の駆動電位が各色毎に異なるためである。
図2に示すように、本実施形態の表示装置1は、ガラス等からなる透明な基板2と、図示略のカレント薄膜トランジスタ(スイッチング素子)に接続された画素電極(第1電極)が基板2上にマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極領域(第1電極領域)と、画素電極領域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される発光用電源配線103(103R、103G、103B)と、少なくとも画素電極領域上に位置する平面視略矩形の表示画素部3(図中一点鎖線の枠内)とを具備して構成されている。また表示画素部3は、中央部分の実表示領域4(図中二点鎖線の枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線及び二点鎖線の間の領域)とに区画されている。
更に実表示領域4の図中上側には、前述の検査回路106が配置されている。
この検査回路106はダミー領域5の下側(基板側2)に位置して設けられており、この検査回路106により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
この陰極配線12aは、発光用電源配線103R、103G、103Bを囲むように平面視略コ字状に形成されている。
走査線駆動回路105には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するNチャネル型又はPチャネル型の薄膜トランジスタ105cが備えられ、この薄膜トランジスタ105cは、画素電極111に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ123と同様の構造とされている。
また検査回路106にも同様に、薄膜トランジスタ106aが備えられ、この薄膜トランジスタ106aも、画素電極111に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ123と同様の構造とされている。
更に図4に示すように、検査回路路106の図中左側の下地保護層281上には、検査回路用制御信号配線106bが形成されている。更に検査回路用制御信号配線106bの左側の第2層間絶縁層283上には、検査回路用電源配線106cが形成されている。
例えば、図3中左側にある赤色用の発光用電源配線103Rは、下地保護層281上に形成された第1配線103R1と、第2層間絶縁層283を介して第1配線103R1上に形成された第2配線103R2とから構成されている。第1配線103R1及び第2配線103R2は、図2に示すように第2層間絶縁層283を貫通するコンタクトホール103R3により接続されている。
このように、第1配線103R1は、陰極用配線12aと同じ階層位置に形成されており、第1配線103R1と陰極用配線12aとの間は第2層間絶縁層283が配置されている。このような構造をとることで、第1配線103R1と陰極用配線12aとの間に第2の静電容量C2が形成されている。
そして、青色の第1配線103B1及び陰極用配線12aの間に第2の静電容量C2が形成されている。
また第1配線103R1・・・と陰極用配線12aの間隔は、例えば、4〜200μmの範囲が好ましい。間隔が4μm未満だと、現状では露光機の精度により配線同士がショートする可能性がある。第1配線103R2・・・と陰極用配線12aに挟まれる第2層間絶縁層283の材質は、例えばSiO2やアクリル樹脂等が好ましい。
特に、発光用電源配線103と陰極12とが表示画素部3の外側で対向するので、発光用電源配線103と陰極112との間隔を小さくして第1の静電容量C1に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。
更に、本実施形態の表示装置1によれば、発光用電源配線103が第1配線及び第2配線からなる二重配線構造を有し、第1配線と陰極用配線との間に第2の静電容量C2が設けられているので、第2の静電容量C2に蓄積された電荷も発光用電源配線103に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、表示装置1の画像表示をより正常に保つことができる。
図5に示すように、基板2の表面には、SiO2を主体とする下地保護層281が積層され、この下地保護層281上には島状のシリコン層241が形成されている。また、シリコン層241及び下地保護層281は、SiO2及び/又はSiNを主体とするゲート絶縁層282により被覆されている。そして、シリコン層241上には、ゲート絶縁層282を介してゲート電極242が形成されている。なお、このゲート電極242は走査線の一部である。
また、ゲート電極242及びゲート絶縁層282は、SiO2を主体とする第2層間絶縁層283によって被覆されている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことを言うものとする。
尚、図3に示すように、画素電極111は、実表示領域4に対応する位置に形成されているが、実表示領域4の周囲に形成されたダミー領域5には、画素電極111と同じ形態のダミー画素電極111’が設けられる。
このダミー画素電極111’は、高濃度ドレイン電極241Dに接続されない点を除き、画素電極111と同一の形態である。
機能層110は図3〜図5に示すように、画素電極111・・・上の各々に積層されている。またバンク112は、各画素電極111及び各機能層110の間に備えられており、各機能層110を区画している。
また、無機物バンク層112aは、例えば、SiO2、TiO2、SiN等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バンク層112aの膜厚は、50〜200nmの範囲が好ましく、特に150nmがよい。膜厚が50nm未満では、無機物バンク層112aが後述する正孔注入/輸送層より薄くなり、正孔注入/輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が200nmを越えると、無機物バンク層112aによる段差が大きくなって、正孔注入/輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
このようにして、機能層110は、バンク112より薄く形成されている。
親液性を示す領域は、無機物バンク層112a及び画素電極111であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層112bであり、4フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
正孔注入/輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110aを画素電極111と発光層110bの間に設けることにより、発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、陰極12からの電子とが結合して蛍光を発生させる。
ダミーバンク212は、基板2側に位置するダミー無機物バンク層212aと基板2から離れて位置するダミー有機物バンク層212bとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層212aは、ダミー画素電極111’の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層212bは、有機物バンク層112bと同様に画素電極111の間に形成されている。
そして、ダミー機能層210は、ダミー無機物バンク212aを介してダミー画素電極111’上に形成されている。
また、ダミー機能層210は、図示略のダミー正孔注入/輸送層と図示略のダミー発光層とが積層されてなり、ダミー正孔注入/輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入/輸送層110a及び発光層110bと同様である。
従って上記の機能層110と同様に、ダミー機能層210はダミーバンク212より薄く形成されている。
即ち、ダミー領域5を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出した組成物の乾燥条件を実表示領域4内で一定にすることができ、実表示領域4の周縁部で機能層110の厚さに偏りが生じるおそれがない。
また陰極12の端部が、回路部11に形成された陰極用配線12aに接続されている。
陰極12は、画素電極111の対向電極として機能層110に電流を流す役割を果たす。この陰極12は、例えば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる第1陰極層12bと、第2陰極層12cとが積層されて構成されている。陰極12のうち、第2陰極層12cのみが表示画素部3の外側まで延出されている。
第2陰極層12cは、発光層110bから発した光を基板2側に反射させる機能をも有し、例えば、Al、Ag、Mg/Ag積層体等からなることが好ましい。
更に第2陰極層12b上にSiO2、SiN等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
まず、図6ないし図8を参照して、基板2上に回路部11を形成する方法について説明する。なお、図6ないし図8に示す各断面図は、図2中のA−A’線のに沿う断面に対応している。なお、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
シリコン層241は、実表示領域4に対応する位置に形成されて画素電極111に接続されるカレント薄膜トランジスタ123(以下、「画素用TFT」と表記する場合がある)を構成するものであり、シリコン層251,261は、走査線駆動回路105内のPチャネル型及びNチャネル型の薄膜トランジスタ(以下、「駆動回路用TFT」と表記する場合がある)をそれぞれ構成するものである。
ゲート絶縁層282の形成は、プラズマCVD法、熱酸化法などにより、各シリコン層241、251、261及び下地保護層281を覆う厚さ約30nm〜200nmのシリコン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層282を形成する際には、シリコン層241,251及び261の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約1×1012cm-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層241,251及び261は、不純物濃度が約1×1017cm-3の低濃度P型のシリコン層となる。
次に図7(b)に示すように、イオン注入選択マスクM2を除去した後に、基板2の全面に第2層間絶縁層283を形成し、更にフォトリソグラフィ法により第2層間絶縁層283をパターニングして、各TFTのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線12aに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔H1を設ける。
次に図8(a)に示すように、導電層504をパターニング用マスクM3によってパターニングし、各TFTのソース電極243,253,263、ドレイン電極244及び254、各発光用電源配線の第2配線103R2、103G2、103B2、走査線回路用電源配線105b及び陰極用配線12aを形成する。
上記のように、第1配線103R1及び103B1を陰極用配線12aと同じ階層に離間して形成することで、第2の静電容量C2が形成される。
次に図8(c)に示すように、第1層間絶縁層284のうち、画素用TFTのドレイン電極244に対応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔H2を形成する。このとき、同時に陰極用配線12a上の第1層間絶縁層284も除去する。このようにして、基板2上に回路部11が形成される。
まず図9(a)に示すように、基板2の全面を覆うようにITO等の透明電極材料からなる薄膜を形成し、当該薄膜をパターニングすることにより、第1層間絶縁層284に設けた孔H2を埋めてコンタクトホール111aを形成するとともに画素電極111及びダミー画素電極111’を形成する。画素電極111は、カレント薄膜トランジスタ123の形成部分のみに形成され、コンタクトホール111aを介してカレント薄膜トランジスタ123(スイッチング素子)に接続される。尚、ダミー電極111’は島状に配置される。
無機物バンク層112a及びダミー無機物バンク層212aは、例えばCVD法、TEOS法、スパッタ法、蒸着法等によって第1層間絶縁層284及び画素電極111の全面にSiO2、TiO2、SiN等の無機質膜を形成した後に、当該無機質膜をパターニングすることにより形成する。
このように、第2陰極層12cを陰極用配線12aに接続させるべく第2陰極層12cを表示画素部3から基板2上に延出させることにより、第2陰極層12cが第1層間絶縁層284を介して発光用電源線103に対向配置され、第2陰極層12c(陰極)と発光用電源線103との間に第1の静電容量C1が形成される。
以下、本発明の第2の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
更に実表示領域204の図中上側であってダミー領域205の下側(基板側2)には、検査回路106が配置されている。
このように、本実施形態では、第1の実施形態と異なり、ダミー領域205が、発光用電源配線213上まで形成されている。
また、画素電極領域11aの周囲には、ダミー画素電極111’が形成されている。
走査線駆動回路105には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するNチャネル型又はPチャネル型の薄膜トランジスタ105cが備えられている。
また、走査線駆動回路105、105の図中外側の下地保護層281上には、走査線回路信号配線105aが形成され、第2層間絶縁層283上には、走査線回路電源配線105bが形成されている。
陰極222は、画素電極111の対向電極として機能層110に電流を流す役割を果たす。この陰極222は、例えば、第1陰極層222bと第2陰極層222cとが積層されて構成されている。陰極222のうち、第2陰極層222cのみが表示画素部3の外側まで延出されている。
第1、第2陰極層222b、222cの構成材料及び膜厚は、先に説明した第1、第2陰極層12b、12cと同様である。
ダミー領域205には、ダミー無機物バンク層212aを介してダミー画素電極111’上に形成されたダミー機能層210と、ダミー機能層210・・・の間に形成されたダミーバンク212とが備えられている。ダミー機能層210はダミーバンク212より薄く形成されている。そして、各発光用電源配線103は、ダミー機能層210を挟んで陰極222と対向する位置に配置されている。即ち各発光用電源配線103は、ダミーバンク212の間に対応する位置に配置されている。
またダミーバンク212の間には、画素電極111及びダミー機能層210に加えて陰極222の一部が配置されており、これにより陰極222と各発光用電源配線103とが第1層間絶縁層284、画素電極111、ダミー無機物バンク層212a及びダミー機能層210を介して対向している。
ダミー機能層210がダミーバンク212より薄く形成されているので、ダミー機能層210上にある陰極222がダミーバンク212上にある陰極222よりも発光用電源配線213側に接近して配置されている。
このように、陰極222と各発光用電源配線103とが、ダミー機能層210を介して対向することにより、第1の静電容量C1が形成される。
尚、各発光用電源配線103が、ダミーバンク212と対向する位置に配置されると、陰極222と各発光用電源配線103がダミーバンク212を介して対向することになり、陰極222と各発光用電源配線103との間隔が大きくなり、静電容量が形成されなくなるので好ましくない。
即ち、例えば図11の左側にある赤色用の発光用電源配線213Rは、下地下地保護層281上に形成された第1配線213R1と、第2層間絶縁層283上に形成された第2配線213R2とから構成されている。第1配線213R1及び第2配線213R2は、図10に示すように第2層間絶縁層283を貫通するコンタクトホール213R3により接続されている。
このように、第1配線203R1は、陰極用配線222aと同じ階層位置に形成されており、第1配線203R1と陰極用配線222aとの間は第2層間絶縁層283が配置されている。このような構造をとることで、第1配線203R1と陰極用配線222aとの間に第2の静電容量C2が形成されている。
そして、青色の第1配線213B1と陰極配線222aとの間に第2の静電容量C2が形成されている。
また第1配線103R1・・・と陰極用配線12aの間隔は、例えば、4〜200μmの範囲が好ましい。間隔が4μm未満だと、現状では露光機の精度により配線同士がショートする可能性がある。第1配線103R2・・・と陰極用配線12aに挟まれる第2層間絶縁層283の材質は、例えばSiO2やアクリル樹脂等が好ましい。
即ち、本実施形態の表示装置101によれば、実表示領域204を囲むダミー領域205が設けられ、発光用電源配線213がダミー機能層210を挟んで陰極222と対向するように配置されるため、発光用電源配線213がこのダミー領域205の下側に位置することになり、発光用電源配線213の配置スペースを発光素子部210の外側に新たに設ける必要がなく、これにより実表示領域204の占有面積を相対的に拡大することができる。
次に、前記の第1または第2の実施形態の表示装置のいずれかを備えた電子機器の具体例について説明する。
図12(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図12(a)において、符号600は携帯電話本体を示し、符号601は前記の表示装置1,101のいずれかを用いた表示部を示している。
図12(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図12(b)において、符号700は情報処理装置、符号701はキーボードなどの入力部、符号703は情報処理装置本体、符号702は前記の表示装置1、101のいずれかを用いた表示部を示している。
図12(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図12(c)において、符号800は時計本体を示し、符号801は前記の表示装置1,101のいずれかを用いた表示部を示している。
図12(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、前記の第1または第2の実施形態の表示装置1、101のいずれかを用いた表示部を備えたものであり、先の第1または第2実施形態の表示装置の特徴を有するので、いずれの表示装置を用いても、表示品質に優れ、画像表示を安定に行うことができる電子機器となる。
Claims (6)
- 基板上に、
画素電極と、
前記画素電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた陰極と、
前記画素電極に電気的に接続された画素電極用配線と、
前記陰極に電気的に接続された陰極用配線と、を備え、
前記画素電極用配線は、前記基板上の第1の層に設けられた第1の画素電極用配線と、前記第1の層とは異なる前記基板上の第2の層に設けられた第2の画素電極用配線と、を有し、
前記陰極用配線は、前記第1の層に設けられた第1の陰極用配線と、前記第2の層に設けられた第2の陰極用配線と、を有し、
前記陰極用配線は、前記画素電極用配線と前記基板の外周をなす第1の辺との間に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 前記画素電極と前記画素電極用配線とに電気的に接続されたトランジスタをさらに有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、前記第1の層に設けられており、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第2の層に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素電極用配線および前記陰極用配線は、前記第1の辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記画素電極用配線および前記陰極用配線は、前記第1の辺および前記第1の辺と交差する第2の辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の表示装置。
- 前記第1の辺および前記第2の辺とは異なる第3の辺には、前記画素電極用配線または前記陰極用配線と電気的に接続された電源回路が設けられた基板が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
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