KR20020097028A - 발광 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 423
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 806
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 159
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 61
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 58
- -1 polyethylene terephthalates Polymers 0.000 claims description 56
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 49
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 49
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 23
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 22
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 22
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 21
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 21
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 21
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 21
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 18
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 17
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 17
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 16
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 16
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 315
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 136
- 239000000463 material Substances 0.000 description 98
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 52
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 50
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 10
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 7
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 5
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 5
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 2
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 3-phenylthiophene Chemical compound S1C=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HEVGGTGPGPKZHF-UHFFFAOYSA-N Epilaurene Natural products CC1C(=C)CCC1(C)C1=CC=C(C)C=C1 HEVGGTGPGPKZHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
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- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
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Abstract
Description
Claims (102)
- 발광 디바이스에 있어서:제 1 기판과;제 2 기판과;상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성된 발광 소자와;상기 제 1 기판과 상기 발광 소자 사이에 형성된 복수의 제 1 절연 막들과;상기 복수의 제 1 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 2 절연막과;상기 제 2 기판과 상기 발광 소자 사이에 형성된 복수의 제 3 절연막들; 및상기 복수의 제 3 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 4 절연 막을 포함하고,상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판은 플라스틱으로 형성되며,상기 하나 이상의 제 2 절연막은 상기 복수의 제 1 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 4 절연막은 상기 복수의 제 3 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 중 하나 이상은 가요성을 가지는 발광 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 제 1 절연막들과 상기 복수의 제 3 절연막들 중 하나 이상은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 절연막과 상기 제 4 절연막은 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 1 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전자 기기에 있어서,비디오 카메라, 디지털 카메라, 안경형 디스플레이, 차량 항법 시스템, 퍼스널 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 기기.
- 발광 디바이스에 있어서:제 1 기판과;제 2 기판과;상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성된, 발광 소자 및 박막 트랜지스터와;상기 제 1 기판과, 상기 발광 소자 및 상기 박막 트랜지스터 사이에 형성된 복수의 제 1 절연 막들과;상기 복수의 제 1 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 2 절연막과;상기 제 2 기판과, 상기 발광 소자 및 상기 박막 트랜지스터 사이에 형성된 복수의 제 3 절연막들; 및상기 복수의 제 3 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 4 절연 막을 포함하고,상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판은 플라스틱으로 형성되며,상기 하나 이상의 제 2 절연막은 상기 복수의 제 1 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 4 절연막은 상기 복수의 제 3 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 중 하나 이상은 가요성을 가지는 발광 디바이스.
- 제 7 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 7 항에 있어서, 상기 복수의 제 1 절연막들과 상기 복수의 제 3 절연막들 중 하나 이상은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 절연막과 상기 제 4 절연막 중 하나 이상은 은 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 7 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전자 기기에 있어서,비디오 카메라, 디지털 카메라, 안경형 디스플레이, 차량 항법 시스템, 퍼스널 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 기기.
- 발광 디바이스에 있어서:기판과;발광 소자와;상기 기판과 상기 발광 소자 사이에 형성된 복수의 제 1 절연 막들과;상기 복수의 제 1 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 2 절연막과;복수의 제 3 절연막들; 및상기 복수의 제 3 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 4 절연 막을 포함하고,상기 발광 소자는 상기 복수의 제 3 절연막들과 상기 기판사이에 형성되고,상기 기판은 플라스틱으로 형성되며,상기 하나 이상의 제 2 절연막은 상기 복수의 제 1 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 4 절연막은 상기 복수의 제 3 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스.
- 제 13 항에 있어서, 상기 기판은 가요성을 가지는 발광 디바이스.
- 제 13 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 13 항에 있어서, 상기 복수의 제 1 절연막들과 상기 복수의 제 3 절연막들 중 하나 이상은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 절연막과 상기 제 4 절연막 중 하나 이상은 은 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 13 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전자 기기에 있어서,비디오 카메라, 디지털 카메라, 안경형 디스플레이, 차량 항법 시스템, 퍼스널 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 기기.
- 발광 디바이스에 있어서:기판과;발광 소자 및 박막 트랜지스터와;상기 기판과, 상기 발광 소자 및 상기 박막 트랜지스터 사이에 형성된 복수의 제 1 절연 막들과;상기 복수의 제 1 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 2 절연막과;복수의 제 3 절연막들; 및상기 복수의 제 3 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 4 절연 막을 포함하고,상기 발광 소자 및 박막 트랜지스터는 상기 복수의 제 3 절연막들과 상기 기판 사이에 형성되고,상기 기판은 플라스틱으로 형성되며,상기 하나 이상의 제 2 절연막은 상기 복수의 제 1 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 4 절연막은 상기 복수의 제 3 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스.
- 제 19 항에 있어서, 상기 기판은 가요성을 가지는 발광 디바이스.
- 제 19 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 19 항에 있어서, 상기 복수의 제 1 절연막들과 상기 복수의 제 3 절연막들 중 하나 이상은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 19 항에 있어서, 상기 제 2 절연막과 상기 제 4 절연막 중 하나 이상은 은 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 19 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전자 기기에 있어서,비디오 카메라, 디지털 카메라, 안경형 디스플레이, 차량 항법 시스템, 퍼스널 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 기기.
- 발광 디바이스에 있어서:제 1 기판과;제 2 기판과;상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성된 발광 소자와;상기 제 1 기판과 상기 발광 소자 사이에 형성된 복수의 제 1 절연 막들과;상기 복수의 제 1 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 2 절연막과;상기 제 1 기판과 상기 복수의 제 1 절연막들 사이에 형성된 제 1 접합층과;상기 제 2 기판과 상기 발광 소자 사이에 형성된 복수의 제 3절연막들과;상기 복수의 제 3 절연막들 사이의 각 공간에 형성된 하나 이상의 제 4 절연 막; 및,상기 제 2 기판과 복수의 제 3 절연막들 사이에 형성된 제 2 접합층을 포함하고,상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판은 플라스틱으로 형성되며,상기 하나 이상의 제 2 절연막은 상기 복수의 제 1 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 4 절연막은 상기 복수의 제 3 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스.
- 제 25 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 중 하나 이상은 가요성을 가지는 발광 디바이스.
- 제 25 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 25 항에 있어서, 상기 복수의 제 1 절연막들과 상기 복수의 제 3 절연막들 중 하나 이상은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 25 항에 있어서, 상기 제 2 절연막과 상기 제 4 절연막은 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스.
- 제 25 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전자 기기에 있어서,비디오 카메라, 디지털 카메라, 안경형 디스플레이, 차량 항법 시스템, 퍼스널 컴퓨터 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택되는 전자 기기.
- 발광 디바이스를 제조하는 방법에 있어서:제 1 기판 위에 제 1 접합층을 형성하는 것과;상기 제 1 접합층 위에 제 1 절연막을 형성하는 것과;상기 제 1 절연막 위에 발광 소자와 박막 트랜지스터를 형성하는 것과;상기 발광 소자와 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 것과;제 2 기판에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 3 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 4 절연막들과 상기 제 2 절연막을 제 2 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 1 기판을 제거하고, 상기 제 1 접합층을 제거함으로써 상기 제 1 절연막을 노출시키는 것; 및,제 3 기판내에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 5 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 6 절연막들과 상기 제 1 절연막을 제 3 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것을 포함하고,상기 제 2 기판과 상기 제 3 기판은 플라스틱으로 형성되고,상기 하나 이상의 제 3 절연막은 상기 복수의 제 4 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 5 절연막은 상기 복수의 제 6 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 그 위에 유체를 분무함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 실리콘을 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 33 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 할로겐 플로라이드를 사용함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 SOG를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 35 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 불화 수소를 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 레이저 빔을 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 펄스 발진 엑시머 레이저, 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 및 YVO4레이저 중 어느 하나로부터 방출되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 YAG 레이저로부터 방출된, 기본파, 제 2 고조파 및 제 3 고조파 중 어느 하나인 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서, 하나 이상의 제 3 절연막과, 하나 이상의 제 5 절연막 중 하나는 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 복수의 제 4 절연막들과 상기 복수의 제 6 절연막들의 막들은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 발광 디바이스를 제조하는 방법에 있어서:제 1 기판 위에 제 1 접합층을 형성하는 것과;상기 제 1 접합층 위에 제 1 절연막을 형성하는 것과;상기 제 1 절연막 위에 발광 소자와 박막 트랜지스터와 배선을 형성하는 것과;상기 발광 소자와 상기 박막 트랜지스터 및 배선을 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 것과;제 2 기판에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 3 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 4 절연막들과 상기 제 2 절연막을 제 2 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 1 기판을 제거하고, 상기 제 1 접합층을 제거함으로써 상기 제 1 절연막을 노출시키는 것과;제 3 기판내에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 5 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 6 절연막들과 상기 제 1 절연막을 제 3 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것; 및,상기 배선의 일부와 FPC에에 포함된 단자가 이방성을 가진 전도성 수지를 사용함으로써 서로 전기적으로 접속되도록, 상기 제 2 기판과, 상기 제 2 절연막과, 상기 하나 이상의 제 3 절연막과, 상기 복수의 제 4 절연막들과, 상기 제 2 접합층을 부분적으로 제거하여 상기 배선을 부분적으로 노출시키는 것을 포함하고,상기 제 2 기판과 상기 제 3 기판은 플라스틱으로 형성되고,상기 하나 이상의 제 3 절연막은 상기 복수의 제 4 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 5 절연막은 상기 복수의 제 6 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 43 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 그 위에 유체를 분무함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 43 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 실리콘을 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 45 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 할로겐 플로라이드를 사용함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 43 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 SOG를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 47 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 불화 수소를 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 43 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 레이저 빔을 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 49 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 펄스 발진 엑시머 레이저, 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 및 YVO4레이저 중 어느 하나로부터 방출되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 49 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 YAG 레이저로부터 방출된, 기본파, 제 2 고조파 및 제 3 고조파 중 어느 하나인 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 43 항에 있어서, 하나 이상의 제 3 절연막과, 하나 이상의 제 5 절연막 중 하나는 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 43 항에 있어서, 상기 복수의 제 4 절연막들과 상기 복수의 제 6 절연막들의 막들은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 43 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 발광 디바이스를 제조하는 방법에 있어서:제 1 기판 위에 제 1 접합층을 형성하는 것과;상기 제 1 접합층 위에 제 1 절연막을 형성하는 것과;상기 제 1 절연막 위에 발광 소자와 박막 트랜지스터와 배선을 형성하는 것과;상기 발광 소자와 상기 박막 트랜지스터 및 배선을 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 것과;제 2 기판에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 3 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 4 절연막들과 상기 제 2 절연막을 제 2 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 1 기판을 제거하고, 상기 제 1 접합층을 제거함으로써 상기 제 1 절연막을 노출시키는 것과;제 3 기판내에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 5 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 6 절연막들과 상기 제 1 절연막을 제 3 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것; 및,상기 배선의 일부와 FPC에에 포함된 단자가 이방성을 가진 전도성 수지를 사용함으로써 서로 전기적으로 접속되도록, 상기 제 1 절연막과, 상기 하나 이상의 제 5 절연막과, 상기 복수의 제 6 절연막들과, 상기 제 3 접합층을 부분적으로 제거하여 상기 배선을 부분적으로 노출시키는 것을 포함하고,상기 제 2 기판과 상기 제 3 기판은 플라스틱으로 형성되고,상기 하나 이상의 제 3 절연막은 상기 복수의 제 4 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 5 절연막은 상기 복수의 제 6 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 55 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 그 위에 유체를 분무함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 55 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 실리콘을 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 57 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 할로겐 플로라이드를 사용함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 55 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 SOG를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 59 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 불화 수소를 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 55 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 레이저 빔을 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 61 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 펄스 발진 엑시머 레이저, 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 및 YVO4레이저 중 어느 하나로부터 방출되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 61 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 YAG 레이저로부터 방출된, 기본파, 제 2 고조파 및 제 3 고조파 중 어느 하나인 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 55 항에 있어서, 하나 이상의 제 3 절연막과, 하나 이상의 제 5 절연막 중 하나는 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 55 항에 있어서, 상기 복수의 제 4 절연막들과 상기 복수의 제 6 절연막들의 막들은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물,알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 55 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 발광 디바이스를 제조하는 방법에 있어서:제 1 기판 위에 제 1 접합층을 형성하는 것과;상기 제 1 접합층 위에 제 1 절연막을 형성하는 것과;상기 제 1 절연막 위에 발광 소자와 박막 트랜지스터를 형성하는 것과;상기 발광 소자와 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 것과;제 2 기판과 상기 제 2 절연막을 제 2 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 1 기판을 제거하고, 상기 제 1 접합층을 제거함으로써 상기 제 1 절연막을 노출시키는 것과;제 3 기판내에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 3 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 4 절연막들과 상기 제 1 절연막을 제 3 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 2 기판을 제거하고, 상기 제 2 접합층을 제거함으로써 상기 제 2 절연막을 노출시키는 것; 및,그들 사이에 하나 이상의 제 5 절연막이 개재되어 있고, 상기 제 2 절연막과 접촉하는 복수의 제 6 절연막들을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 3 기판은 플라스틱으로 형성되고,상기 하나 이상의 제 3 절연막은 상기 복수의 제 4 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 5 절연막은 상기 복수의 제 6 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 67 항에 있어서, 상기 제 1 접합층 및 상기 제 2 접합층 중 하나는 그 위에 유체를 분무함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 67 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 실리콘을 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 69 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 할로겐 플로라이드를 사용함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 67 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 SOG를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 71 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 불화 수소를 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 67 항에 있어서, 상기 제 1 접합층 및 상기 제 2 접합층 중 하나는 레이저 빔을 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 73 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 펄스 발진 엑시머 레이저, 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 및 YVO4레이저 중 어느 하나로부터 방출되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 73 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 YAG 레이저로부터 방출된, 기본파, 제 2 고조파 및 제 3 고조파 중 어느 하나인 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 67 항에 있어서, 하나 이상의 제 3 절연막과, 하나 이상의 제 5 절연막 중 하나는 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 67 항에 있어서, 상기 복수의 제 4 절연막들과 상기 복수의 제 6 절연막들의 막들은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 67 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 발광 디바이스를 제조하는 방법에 있어서:제 1 기판 위에 제 1 접합층을 형성하는 것과;상기 제 1 접합층 위에 제 1 절연막을 형성하는 것과;상기 제 1 절연막 위에 발광 소자와 박막 트랜지스터 및 배선을 형성하는 것과;상기 발광 소자와 상기 박막 트랜지스터 및 상기 배선을 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 것과;제 2 기판과 상기 제 2 절연막을 제 2 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 1 기판을 제거하고, 상기 제 1 접합층을 제거함으로써 상기 제 1 절연막을 노출시키는 것과;제 3 기판내에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 3 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 4 절연막들과 상기 제 1 절연막을 제 3 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 2 절연막을 노출시키기 위해 상기 제 2 기판을 제거하도록 상기 제 2 접합층을 제거하는 것과;그들 사이에 하나 이상의 제 5 절연막이 개재되어 있고, 상기 제 2 절연막과 접촉하는 복수의 제 6 절연막들을 형성하는 것; 및,상기 배선의 일부와 FPC에에 포함된 단자가 이방성을 가진 전도성 수지를 사용함으로써 서로 전기적으로 접속되도록, 상기 제 2 절연막과, 하나 이상의 제 5 절연막 및 복수의 제 6 절연막들을 부분적으로 제거하여 상기 배선을 부분적으로 노출시키는 것을 포함하고,상기 제 3 기판은 플라스틱으로 형성되고,상기 하나 이상의 제 3 절연막은 상기 복수의 제 4 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 5 절연막은 상기 복수의 제 6 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 79 항에 있어서, 상기 제 1 접합층 및 상기 제 2 접합층 중 하나는 그 위에 유체를 분무함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 79 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 실리콘을 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 81 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 할로겐 플로라이드를 사용함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 79 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 SOG를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 83 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 불화 수소를 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 79 항에 있어서, 상기 제 1 접합층 및 제 2 접합층 중 하나는 레이저 빔을 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 85 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 펄스 발진 엑시머 레이저, 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 및 YVO4레이저 중 어느 하나로부터 방출되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 85 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 YAG 레이저로부터 방출된, 기본파, 제 2 고조파 및 제 3 고조파 중 어느 하나인 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 79 항에 있어서, 하나 이상의 제 3 절연막과, 하나 이상의 제 5 절연막 중 하나는 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 79 항에 있어서, 상기 복수의 제 4 절연막들과 상기 복수의 제 6 절연막들의 막들은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 79 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 발광 디바이스를 제조하는 방법에 있어서:제 1 기판 위에 제 1 접합층을 형성하는 것과;상기 제 1 접합층 위에 제 1 절연막을 형성하는 것과;상기 제 1 절연막 위에 발광 소자와 박막 트랜지스터 및 배선을 형성하는 것과;상기 발광 소자와 상기 박막 트랜지스터 및 상기 배선을 덮도록 제 2 절연막을 형성하는 것과;제 2 기판과 상기 제 2 절연막을 제 2 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 1 기판을 제거하고, 상기 제 1 접합층을 제거함으로써 상기 제 1 절연막을 노출시키는 것과;제 3 기판내에 포함된, 그들 사이에 하나 이상의 제 3 절연막이 개재되어 있는 복수의 제 4 절연막들과 상기 제 1 절연막을 제 3 접합층을 통해 서로에 대해 접합하는 것과;상기 제 2 기판을 제거하고, 상기 제 2 접합층을 제거하여 상기 제 2 절연막을 노출시키는 것과;그들 사이에 하나 이상의 제 5 절연막이 개재되어 있고, 상기 제 2 절연막과 접촉하는 복수의 제 6 절연막들을 형성하는 것; 및,상기 배선의 일부와 FPC에에 포함된 단자가 이방성을 가진 전도성 수지를 사용함으로써 서로 전기적으로 접속되도록, 상기 제 3 기판과, 상기 제 1 절연막과, 상기 하나 이상의 제 3 절연막과, 상기 복수의 제 4 절연막들 및 상기 제 3 접합층을 부분적으로 제거하여 상기 배선을 부분적으로 노출시키는 것을 포함하고,상기 제 3 기판은 플라스틱으로 형성되고,상기 하나 이상의 제 3 절연막은 상기 복수의 제 4 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지고, 상기 하나 이상의 제 5 절연막은 상기 복수의 제 6 절연막들 각각의 응력 보다 작은 응력을 가지는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 91 항에 있어서, 상기 제 1 접합층 및 상기 제 2 접합층은 그 위에 유체를 분무함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 91 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 실리콘을 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 93 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 할로겐 플로라이드를 사용함으로써 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 91 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 SOG를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 95 항에 있어서, 상기 제 1 접합층은 불화 수소를 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 91 항에 있어서, 상기 제 1 접합층 및 상기 제 2 접합층은 레이저 빔을 사용하여 제거되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 97 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 펄스 발진 엑시머 레이저, 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 및 YVO4레이저 중 어느 하나로부터 방출되는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 97 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 YAG 레이저로부터 방출된, 기본파, 제 2 고조파 및 제 3 고조파 중 어느 하나인 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 91 항에 있어서, 하나 이상의 제 3 절연막과, 하나 이상의 제 5 절연막 중 하나는 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐 및 에폭시 수지로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 91 항에 있어서, 상기 복수의 제 4 절연막들과 상기 복수의 제 6 절연막들의 막들은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 및 알루미늄 산질화 규화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
- 제 91 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 발광 디바이스 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001187351 | 2001-06-20 | ||
JPJP-P-2001-00187351 | 2001-06-20 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090024003A Division KR100975800B1 (ko) | 2001-06-20 | 2009-03-20 | 발광 디바이스 및 전자 기기 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020097028A true KR20020097028A (ko) | 2002-12-31 |
KR100913927B1 KR100913927B1 (ko) | 2009-08-27 |
Family
ID=19026650
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020034626A KR100913927B1 (ko) | 2001-06-20 | 2002-06-20 | 발광 디바이스 및 그 제조 방법 |
KR1020090024003A KR100975800B1 (ko) | 2001-06-20 | 2009-03-20 | 발광 디바이스 및 전자 기기 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090024003A KR100975800B1 (ko) | 2001-06-20 | 2009-03-20 | 발광 디바이스 및 전자 기기 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US6849877B2 (ko) |
KR (2) | KR100913927B1 (ko) |
CN (1) | CN100350633C (ko) |
TW (1) | TW548860B (ko) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US20140346488A1 (en) | 2014-11-27 |
CN1392615A (zh) | 2003-01-22 |
KR100975800B1 (ko) | 2010-08-16 |
US8415660B2 (en) | 2013-04-09 |
US9166180B2 (en) | 2015-10-20 |
TW548860B (en) | 2003-08-21 |
US7420208B2 (en) | 2008-09-02 |
US20030034497A1 (en) | 2003-02-20 |
US7952101B2 (en) | 2011-05-31 |
US20080303408A1 (en) | 2008-12-11 |
KR20090033861A (ko) | 2009-04-06 |
CN100350633C (zh) | 2007-11-21 |
US20120187388A1 (en) | 2012-07-26 |
US9276224B2 (en) | 2016-03-01 |
KR100913927B1 (ko) | 2009-08-27 |
US9178168B2 (en) | 2015-11-03 |
US20110233557A1 (en) | 2011-09-29 |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
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A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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