CN106384743B - Oled显示器及其制作方法 - Google Patents

Oled显示器及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106384743B
CN106384743B CN201610914584.2A CN201610914584A CN106384743B CN 106384743 B CN106384743 B CN 106384743B CN 201610914584 A CN201610914584 A CN 201610914584A CN 106384743 B CN106384743 B CN 106384743B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
inorganic passivation
organic buffer
sub
oled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610914584.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106384743A (zh
Inventor
金江江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201610914584.2A priority Critical patent/CN106384743B/zh
Priority to US15/328,895 priority patent/US10062866B2/en
Priority to JP2019520835A priority patent/JP6734993B2/ja
Priority to PCT/CN2016/109572 priority patent/WO2018072283A1/zh
Priority to EP16919480.0A priority patent/EP3531454B1/en
Priority to KR1020197014301A priority patent/KR102290118B1/ko
Publication of CN106384743A publication Critical patent/CN106384743A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106384743B publication Critical patent/CN106384743B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/30—Organic light-emitting transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Abstract

本发明提供一种OLED显示器及其制作方法。本发明的OLED显示器，包括OLED基板、及设于所述OLED基板上的薄膜封装层；其中，所述薄膜封装层包括图案化的高导热层，该高导热层上设有数个与所述OLED基板上的数个子像素区域一一对应的开口，不但避免了高导热层对光的吸收，而且避免了顶发射器件仅能够使用具有高透过率材料的限制，从而在不降低器件出光效率的同时，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，并保证器件具有足够的阻隔外界水氧的能力，提高器件寿命。

Description

OLED显示器及其制作方法
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示器及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器。目前,从小尺寸的移动电话显示屏，到大尺寸高分辨率的平板电视，应用OLED显示面板都成为一种高端的象征。
OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，因此，通过OLED器件的封装提高器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。
目前对于OLED器件的封装，最常用的方法是利用紫外光固化胶加硬质封装基板(如玻璃或金属)覆盖封装，但是该方法并不适用于柔性器件，因此，也有技术方案采用通过叠层的薄膜对OLED器件进行封装的薄膜封装(TFE)，由于柔性显示作为未来的主流技术，其对应的薄膜封装工艺至关重要。另一方面，大量研究结果表明，OLED器件效率的衰减与自身发热引起的材料降解密不可分，因此如何有效的阻隔外界的水氧以及降低器件发热引起的热分解对提高器件的寿命十分重要。
目前，最为广泛的薄膜封装工艺一般采用无机/有机/无机交替的结构，如专利文件US8569951上公开的薄膜封装结构，该薄膜封装结构采用无机有机循环交替的方式，无机层用于阻隔外界的水氧，有机层用于缓解应力以及颗粒物的平坦化覆盖。随后，三星公司大量报道了一系列次类型的TFE工艺，如US20090252975、US20150188084、US20150153779、US20150079707等，然而我们知道，这种封装工艺中采用的无机金属氧化物和有机物的热导率往往都很低，很难转移元件产生的热量。
韩国工业研究院在期刊《Organic Electronics》(有机电子学)上报道了一种OLED元件结构，其TFE结构采用多层聚合物层、氧化铝(Al2O3)层交替的结构，最后，其TFE结构的最上层设置有一层铜(Cu)散热片；有铜散热片的OLED元件的操作温度明显小于没有铜散热片的元件，而且，随着工作时间的推移，具有铜散热片的元件的温度上升趋势被明显的抑制。这种工艺为OLED元件的热量转移提供了较好的指导方案，然而Cu的穿透率不够高，特别是用于显示领域的顶发射器件，这种方案便受到很大的限制。
韩国技术研究院在期刊《Journal of Information Display》(信息显示杂志)上报道了一种具有银插层的薄膜封装工艺，这种薄膜封装工艺采用含有硅纳米颗粒的聚合物作为有机层，氧化铝(Al2O3)作为无机层，超薄银(Ag)夹在两层Al2O3无机层之间，同时最顶层再加一层Ag，采用这种方式的薄膜封装结构使得薄膜的水氧透过率(WVTR)降低到10-5g/m2/d，同时Ag的加入能够有效的传递元件内部产生的热，从而提高器件的稳定性。然而Ag整面覆盖的薄膜在顶发射器件中会降低出光，作为导热材料会受到一定的限制。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示器，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，在保证器件具有足够的阻隔外界水氧能力的同时提高器件寿命。
本发明的另一目的在于提供一种OLED显示器的制作方法，将图案化的高导热层引入薄膜封装结构中，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，在保证器件具有足够的阻隔外界水氧能力的同时提高器件寿命。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示器，包括OLED基板、及设于所述OLED基板上的薄膜封装层；
所述薄膜封装层包括设于所述OLED基板上的第一无机钝化层、设于所述第一无机钝化层上的高导热层、设于所述第一无机钝化层、及高导热层上的第一有机缓冲层、及设于第一有机缓冲层上的第二无机钝化层；
所述OLED基板包括数个阵列排布的像素单元，每一像素单元具有数个阵列排布的子像素区域；
所述高导热层上设有数个与所述数个像素单元的数个子像素区域一一对应的开口，所述第一有机缓冲层完全填充所述高导热层上的数个开口。
所述高导热层的材料为类金刚石、银、铝、氮化铝、石墨烯、或铜，所述高导热层的厚度为1-1000nm。
所述薄膜封装层还包括设于所述第二无机钝化层上的第二有机缓冲层、及设于第二有机缓冲层上的第三无机钝化层。
所述第一、第二、第三无机钝化层的材料均为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、或SiOx，所述第一、第二、第三无机钝化层的厚度均为0.5-1μm；
所述第一、第二有机缓冲层的材料均为六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述第一、第二有机缓冲层的厚度均为4-8μm。
每一像素单元具有四个呈2×2矩阵排布的子像素区域，该四个子像素区域分别为白色、红色、蓝色、绿色子像素区域。
本发明还提供一种OLED显示器的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供OLED基板，所述OLED基板包括数个阵列排布的像素单元，每一像素单元具有数个阵列排布的子像素区域；
步骤2、在所述OLED基板上形成薄膜封装层，得到OLED显示器；
其中，所述薄膜封装层的形成过程包括如下步骤：
步骤21、在所述OLED基板上沉积形成第一无机钝化层；
步骤22、在所述第一无机钝化层上形成高导热层，所述高导热层上设有数个与所述数个像素单元的数个子像素区域一一对应的开口；
步骤23、在所述第一无机钝化层、及高导热层上形成第一有机缓冲层，所述第一有机缓冲层完全填充所述高导热层上的数个开口；
步骤24、在所述第一有机缓冲层上沉积形成第二无机钝化层。
所述步骤22具体为利用掩模板通过真空蒸镀法直接形成具有所述数个开口的高导热层，或者具体为，
先通过等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法、或溅镀沉积法沉积一层导热膜，然后对所述导热膜进行光刻工艺处理，在该导热膜上形成数个开口，得到高导热层；
所述高导热层的材料为类金刚石、银、铝、氮化铝、石墨烯、或铜，所述高导热层的厚度为1-1000nm。
所述薄膜封装层的形成过程还包括：
步骤25、在所述第二无机钝化层上形成第二有机缓冲层；
步骤26、在所述第二有机缓冲层上沉积形成第三无机钝化层。
所述第一、第二、第三无机钝化层均通过等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法、或溅镀沉积法形成，所述第一、第二、第三无机钝化层的材料均为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、或SiOx，所述第一、第二、第三无机钝化层的厚度均为0.5-1μm；
所述第一、第二有机缓冲层均通过喷墨印刷、等离子体增强化学气相沉积法、丝网印刷、或狭缝涂布形成，所述第一、第二有机缓冲层的材料均为六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述第一、第二有机缓冲层的厚度均为4-8μm。
所述步骤1提供的OLED基板，每一像素单元具有四个呈2×2矩阵排布的子像素区域，该四个子像素区域分别为白色、红色、蓝色、绿色子像素区域。
本发明的有益效果：本发明的OLED显示器，包括OLED基板、及设于所述OLED基板上的薄膜封装层；其中，所述薄膜封装层包括图案化的高导热层，该高导热层上设有数个与所述OLED基板上的数个子像素区域一一对应的开口，不但避免了高导热层对光的吸收，而且避免了顶发射器件仅能够使用具有高透过率材料的限制，从而在不降低器件出光效率的同时，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，并保证器件具有足够的阻隔外界水氧的能力，提高器件寿命；本发明的OLED显示器的制作方法，采用薄膜封装方式对OLED器件进行封装，且将图案化的高导热层引入薄膜封装结构中，该高导热层上设有数个与所述OLED基板上的数个子像素区域一一对应的开口，不但避免了高导热层对光的吸收，而且避免了顶发射器件仅能够使用具有高透过率材料的限制，从而在不降低器件出光效率的同时，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，并保证器件具有足够的阻隔外界水氧的能力，提高器件寿命。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的OLED显示器的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明的OLED显示器的第二实施例的结构示意图；
图3为本发明的OLED显示器的制作方法的流程示意图；
图4为本发明的OLED显示器的制作方法的步骤21的示意图；
图5为本发明的OLED显示器的制作方法的步骤22的示意图；
图6为本发明的OLED显示器的制作方法的步骤23的示意图；
图7为本发明的OLED显示器的制作方法的第二实施例的步骤25的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，为本发明的OLED显示器的第一实施例的结构示意图，在本实施例中，所述OLED显示器包括OLED基板101、及设于所述OLED基板101上的薄膜封装层；
所述薄膜封装层包括设于所述OLED基板101上的第一无机钝化层201、设于所述第一无机钝化层201上的高导热层301、设于所述第一无机钝化层201、及高导热层301上的第一有机缓冲层401、及设于第一有机缓冲层401上的第二无机钝化层202；
所述OLED基板101包括数个阵列排布的像素单元，每一像素单元具有数个阵列排布的子像素区域；
所述高导热层301上设有数个与所述数个像素单元的数个子像素区域一一对应的开口3011，所述第一有机缓冲层401完全填充所述高导热层301上的数个开口3011。
具体地，本发明中，所述高导热层301的数个开口3011与所述数个像素单元的数个子像素区域的排列方式相一致，每一开口3011的尺寸与对应的子像素区域的尺寸一致，从而不但避免了高导热层301对相应子像素区域发出的光的吸收，而且避免了顶发射器件仅能够使用具有高透过率材料的限制，在不降低器件出光效率的同时，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，并保证器件具有足够的阻隔外界水氧的能力，提高器件寿命。
具体地，在本实施例中，每一像素单元具有四个呈2×2矩阵排布的子像素区域，该四个子像素区域分别为白色、红色、蓝色、绿色子像素区域，每一与白色子像素区域对应的开口3011的尺寸与白色子像素区域的尺寸一致，同样的，分别与红色、蓝色、绿色子像素区域对应的开口3011的尺寸分别与红色、蓝色、绿色子像素区域的尺寸一致。
具体地，所述高导热层301的材料为类金刚石(DLC)、银、铝(Al)、氮化铝(AlN)、石墨烯、铜等金属类或非金属类的高热导材料。
具体地，所述高导热层301的厚度为1-1000nm。
具体地，所述第一、第二无机钝化层201、202的材料均为Al2O3、氧化钛(TiO2)、氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCNx)、氧化硅(SiOx)等用于阻隔外界水氧的材料。
具体地，所述第一、第二无机钝化层201、202的厚度均为0.5-1μm。
具体地，所述第一有机缓冲层401的材料为六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯类聚合物(例如，压克力(Acrylic))、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯等用于缓解应力以及覆盖颗粒物的材料。
具体地，所述第一有机缓冲层401的厚度为4-8μm。
请参阅图2，为本发明的OLED显示器的第二实施例的结构示意图，与上述第一实施例相比，所述薄膜封装层还包括设于所述第二无机钝化层202上的第二有机缓冲层402、及设于第二有机缓冲层402上的第三无机钝化层203。其中，所述第二有机缓冲层402与第一有机缓冲层401的材料均为六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述第二有机缓冲层402与第一有机缓冲层401的厚度均为4-8μm。所述第三无机钝化层203与第一、第二无机钝化层201、202的材料均为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、或SiOx，所述第三无机钝化层203与第一、第二无机钝化层201、202的厚度均为0.5-1μm。其他与上述第一实施例相同，在此不再赘述。
基于上述OLED显示器，请参阅图3，本发明还提供一种OLED显示器的制作方法，具体地，其第一实施例包括如下步骤：
步骤1、提供OLED基板101，所述OLED基板101包括数个阵列排布的像素单元，每一像素单元具有数个阵列排布的子像素区域。
步骤2、在所述OLED基板101上形成薄膜封装层，得到OLED显示器；
其中，所述薄膜封装层的形成过程包括如下步骤：
步骤21、如图4所示，通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、原子层沉积法(ALD)、脉冲激光沉积法(PLD)、或溅镀沉积法(Sputter)在所述OLED基板101上沉积形成第一无机钝化层201。
具体地，所述第一无机钝化层201的材料为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx等用于阻隔外界水氧的材料。
具体地，所述第一无机钝化层201的厚度为0.5-1μm。
步骤22、如图5所示，在所述第一无机钝化层201上形成高导热层301，所述高导热层301上设有数个与所述数个像素单元的数个子像素区域一一对应的开口3011。
具体地，所述步骤22具体为利用掩模板通过真空蒸镀法直接形成具有所述数个开口3011的高导热层301；或者具体为，
先通过等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法、溅镀沉积法等多种金属或非金属沉积工艺沉积一层导热膜，然后对所述导热膜进行光刻工艺处理，在该导热膜上形成数个开口3011，得到高导热层301。
具体地，本发明中，所述高导热层301的数个开口3011与所述数个像素单元的数个子像素区域的排列方式相一致，每一开口3011的尺寸与对应的子像素区域的尺寸一致，从而不但避免了高导热层301对子像素区域发出的光的吸收，而且避免了顶发射器件仅能够使用具有高透过率材料的限制，在不降低器件出光效率的同时，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，并保证器件具有足够的阻隔外界水氧能力，提高器件寿命。
具体地，在本实施例中，每一像素单元具有四个呈2×2矩阵排布的子像素区域，该四个子像素区域分别为白色、红色、蓝色、绿色子像素区域，每一与白色子像素区域对应的开口3011的尺寸与白色子像素区域的尺寸一致，同样的，分别与红色、蓝色、绿色子像素区域对应的开口3011的尺寸分别与红色、蓝色、绿色子像素区域的尺寸一致。
具体地，所述高导热层301的材料为类金刚石、银、铝、氮化铝、石墨烯、铜等金属类或非金属类的高热导材料。
具体地，所述高导热层301的厚度为1-1000nm。
步骤23、如图6所示，通过喷墨印刷(IJP)、等离子体增强化学气相沉积法、丝网印刷(Screen printing)、或狭缝涂布(slot coating)在所述第一无机钝化层201、及高导热层301上形成第一有机缓冲层401，所述第一有机缓冲层401完全填充所述高导热层301上的数个开口3011。
具体地，所述第一有机缓冲层401的材料为六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类聚合物(例如，压克力)、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯等用于缓解应力以及覆盖颗粒物的材料。
具体地，所述第一有机缓冲层401的厚度为4-8μm。
步骤24、通过等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法、或溅镀沉积法在所述第一有机缓冲层401上沉积形成第二无机钝化层202，从而得到如图1所示的OLED显示器。
具体地，所述第二无机钝化层202的材料为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx等用于阻隔外界水氧的材料，所述第二无机钝化层202的厚度为0.5-1μm。
本发明的OLED显示器的制作方法的第二实施例，与上述第一实施例相比，所述薄膜封装层的形成过程还包括：
步骤25、如图7所示，在所述第二无机钝化层202上涂布形成第二有机缓冲层402。
具体地，所述第二有机缓冲层402与所述第一有机缓冲层401均通过喷墨印刷、等离子体增强化学气相沉积法、丝网印刷、或狭缝涂布形成，所述第二有机缓冲层402与所述第一有机缓冲层401的材料均为六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述第二有机缓冲层402与所述第一有机缓冲层401的厚度均为4-8μm。
步骤26、在所述第二有机缓冲层402上涂布形成第三无机钝化层203，从而得到如图2所示的OLED显示器。
具体地，所述第三无机钝化层203与所述第一、第二无机钝化层201、202均通过等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法、或溅镀沉积法形成，所述第三无机钝化层203与所述第一、第二无机钝化层201、202的材料均为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、或SiOx，所述第三无机钝化层203与所述第一、第二无机钝化层201、202的厚度均为0.5-1μm。
综上所述，本发明的OLED显示器，包括OLED基板、及设于所述OLED基板上的薄膜封装层；其中，所述薄膜封装层包括图案化的高导热层，且该高导热层上设有数个与所述OLED基板上的数个子像素区域一一对应的开口，不但避免了高导热层对光的吸收，而且避免了顶发射器件仅能够使用具有高透过率材料的限制，从而在不降低器件出光效率的同时，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，并保证器件具有足够的阻隔外界水氧的能力，提高器件寿命；本发明的OLED显示器的制作方法，采用薄膜封装方式对OLED器件进行封装，且将图案化的高导热层引入薄膜封装结构中，该高导热层上设有数个与所述OLED基板上的数个子像素区域一一对应的开口，不但避免了高导热层对光的吸收，而且避免了顶发射器件仅能够使用具有高透过率材料的限制，从而在不降低器件出光效率的同时，能够有效转移OLED器件在工作时产生的热量，降低OLED器件材料的热分解，并保证器件具有足够的阻隔外界水氧的能力，提高器件寿命。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种OLED显示器，其特征在于，包括OLED基板(101)、及设于所述OLED基板(101)上的薄膜封装层；
所述薄膜封装层包括设于所述OLED基板(101)上的第一无机钝化层(201)、设于所述第一无机钝化层(201)上的高导热层(301)、设于所述第一无机钝化层(201)、及高导热层(301)上的第一有机缓冲层(401)、及设于第一有机缓冲层(401)上的第二无机钝化层(202)；
所述OLED基板(101)包括数个阵列排布的像素单元，每一像素单元具有数个阵列排布的子像素区域；
所述高导热层(301)上设有数个与所述数个像素单元的数个子像素区域一一对应的开口(3011)，所述第一有机缓冲层(401)完全填充所述高导热层(301)上的数个开口(3011)；
所述高导热层(301)的数个开口(3011)与所述数个像素单元的数个子像素区域的排列方式相一致，每一开口(3011)的尺寸与对应的子像素区域的尺寸一致；
所述高导热层(301)的材料为类金刚石、银、铝、氮化铝、石墨烯、或铜，所述高导热层(301)的厚度为1-1000nm；
所述第一无机钝化层(201)及第二无机钝化层(202)的厚度均为0.5-1μm；所述第一有机缓冲层(401)的厚度为4-8μm。
2.如权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述薄膜封装层还包括设于所述第二无机钝化层(202)上的第二有机缓冲层(402)、及设于第二有机缓冲层(402)上的第三无机钝化层(203)。
3.如权利要求2所述的OLED显示器，其特征在于，所述第一、第二、第三无机钝化层(201、202、203)的材料均为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、或SiOx，所述第三无机钝化层(203)的厚度为0.5-1μm；
所述第一、第二有机缓冲层(401、402)的材料均为六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述第二有机缓冲层(402)的厚度为4-8μm。
4.如权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，每一像素单元具有四个呈2×2矩阵排布的子像素区域，该四个子像素区域分别为白色、红色、蓝色、绿色子像素区域。
5.一种OLED显示器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供OLED基板(101)，所述OLED基板(101)包括数个阵列排布的像素单元，每一像素单元具有数个阵列排布的子像素区域；
步骤2、在所述OLED基板(101)上形成薄膜封装层，得到OLED显示器；
其中，所述薄膜封装层的形成过程包括如下步骤：
步骤21、在所述OLED基板(101)上沉积形成第一无机钝化层(201)；
步骤22、在所述第一无机钝化层(201)上形成高导热层(301)，所述高导热层(301)上设有数个与所述数个像素单元的数个子像素区域一一对应的开口(3011)；
步骤23、在所述第一无机钝化层(201)、及高导热层(301)上形成第一有机缓冲层(401)，所述第一有机缓冲层(401)完全填充所述高导热层(301)上的数个开口(3011)；
步骤24、在所述第一有机缓冲层(401)上沉积形成第二无机钝化层(202)；
所述高导热层(301)的数个开口(3011)与所述数个像素单元的数个子像素区域的排列方式相一致，每一开口(3011)的尺寸与对应的子像素区域的尺寸一致；
所述高导热层(301)的材料为类金刚石、银、铝、氮化铝、石墨烯、或铜，所述高导热层(301)的厚度为1-1000nm；
所述第一无机钝化层(201)及第二无机钝化层(202)的厚度均为0.5-1μm；所述第一有机缓冲层(401)的厚度为4-8μm。
6.如权利要求5所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述步骤22具体为利用掩模板通过真空蒸镀法直接形成具有所述数个开口(3011)的高导热层(301)，或者具体为，
先通过等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法、或溅镀沉积法沉积一层导热膜，然后对所述导热膜进行光刻工艺处理，在该导热膜上形成数个开口(3011)，得到高导热层(301)。
7.如权利要求5所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述薄膜封装层的形成过程还包括：
步骤25、在所述第二无机钝化层(202)上形成第二有机缓冲层(402)；
步骤26、在所述第二有机缓冲层(402)上沉积形成第三无机钝化层(203)。
8.如权利要求7所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述第一、第二、第三无机钝化层(201、202、203)均通过等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法、或溅镀沉积法形成，所述第一、第二、第三无机钝化层(201、202、203)的材料均为Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、或SiOx，所述第三无机钝化层(203)的厚度为0.5-1μm；
所述第一、第二有机缓冲层(401、402)均通过喷墨印刷、等离子体增强化学气相沉积法、丝网印刷、或狭缝涂布形成，所述第一、第二有机缓冲层(401、402)的材料均为六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯，所述第二有机缓冲层(402)的厚度为4-8μm。
9.如权利要求5所述的OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述步骤1提供的OLED基板(1)，每一像素单元具有四个呈2×2矩阵排布的子像素区域，该四个子像素区域分别为白色、红色、蓝色、绿色子像素区域。
CN201610914584.2A 2016-10-20 2016-10-20 Oled显示器及其制作方法 Active CN106384743B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610914584.2A CN106384743B (zh) 2016-10-20 2016-10-20 Oled显示器及其制作方法
US15/328,895 US10062866B2 (en) 2016-10-20 2016-12-13 OLED display and manufacturing method thereof
JP2019520835A JP6734993B2 (ja) 2016-10-20 2016-12-13 Ｏｌｅｄディスプレイ及びその製造方法
PCT/CN2016/109572 WO2018072283A1 (zh) 2016-10-20 2016-12-13 Oled显示器及其制作方法
EP16919480.0A EP3531454B1 (en) 2016-10-20 2016-12-13 Oled display device and manufacturing method thereof
KR1020197014301A KR102290118B1 (ko) 2016-10-20 2016-12-13 Oled 디스플레이 및 그 제작 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610914584.2A CN106384743B (zh) 2016-10-20 2016-10-20 Oled显示器及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106384743A CN106384743A (zh) 2017-02-08
CN106384743B true CN106384743B (zh) 2019-12-24

Family

ID=57958793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610914584.2A Active CN106384743B (zh) 2016-10-20 2016-10-20 Oled显示器及其制作方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10062866B2 (zh)
EP (1) EP3531454B1 (zh)
JP (1) JP6734993B2 (zh)
KR (1) KR102290118B1 (zh)
CN (1) CN106384743B (zh)
WO (1) WO2018072283A1 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11085116B2 (en) * 2017-03-22 2021-08-10 The Boeing Company Engine shaft assembly and method
CN108666341B (zh) * 2017-03-30 2021-04-02 昆山国显光电有限公司 显示装置及其制作方法
CN106972113B (zh) 2017-05-25 2018-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置
CN107154465A (zh) * 2017-05-26 2017-09-12 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置
CN107331792B (zh) * 2017-07-24 2018-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN107565055B (zh) 2017-08-29 2019-06-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
KR102505255B1 (ko) * 2017-12-26 2023-02-28 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108054290A (zh) * 2017-12-27 2018-05-18 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置的封装结构及封装方法
TWI651698B (zh) * 2018-01-17 2019-02-21 友達光電股份有限公司 可撓性顯示器及其製造方法
CN108417544A (zh) * 2018-04-13 2018-08-17 业成科技（成都）有限公司 散热元件、应用其的电子装置和电子装置的制作方法
CN108389885B (zh) * 2018-04-13 2021-05-18 业成科技（成都）有限公司 散热结构及应用其的电子装置和显示装置
CN108598284B (zh) * 2018-05-14 2020-02-14 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示面板制备方法及显示装置
US10784467B2 (en) 2018-05-11 2020-09-22 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Thin film packaging structures and display devices
CN108638621B (zh) * 2018-05-11 2020-07-24 昆山国显光电有限公司 薄膜封装结构及显示装置
KR102491276B1 (ko) * 2018-05-14 2023-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109449305B (zh) * 2018-08-31 2020-09-11 广州国显科技有限公司 复合薄膜、柔性显示面板及其制备方法
CN109585510B (zh) * 2018-11-30 2021-01-05 云谷（固安）科技有限公司 显示屏体
CN109920934B (zh) * 2019-03-11 2021-08-06 江苏斯迪克新材料科技股份有限公司 柔性oled显示用高阻隔高导热封装结构及其制备方法
CN110335970B (zh) * 2019-07-15 2022-01-18 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制造方法、柔性显示装置
CN110459565A (zh) 2019-08-01 2019-11-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110993790A (zh) * 2019-11-14 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 金属掩模板及柔性oled面板
CN110911582A (zh) * 2019-11-28 2020-03-24 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN110993827B (zh) * 2019-12-23 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板和显示装置
CN111403619B (zh) * 2020-03-25 2022-08-16 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示模组及显示终端

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165735A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Drill Center:Kk Ｌｅｄ実装基板及びその製造方法
CN202003622U (zh) * 2011-04-14 2011-10-05 石家庄市京华电子实业有限公司 高集成度全彩三合一led显示器件
CN102569341A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN103972426A (zh) * 2014-05-27 2014-08-06 四川虹视显示技术有限公司 Oled强化封装方法及专用感光板
CN104201190A (zh) * 2014-08-26 2014-12-10 上海和辉光电有限公司 有机发光装置及其制备方法
CN105470409A (zh) * 2016-01-04 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种oled封装结构及其制作方法、显示器件

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003208980A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Fuji Electric Co Ltd 色変換フィルタ基板およびそれを用いた色変換カラーディスプレイ
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
US6833671B2 (en) * 2002-05-23 2004-12-21 Kuan-Chang Peng Organic electroluminescent device with efficient heat dissipation and method for manufacturing the same
KR100771610B1 (ko) * 2005-01-19 2007-10-31 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
JP2006251552A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Ricoh Co Ltd 筐体構造及び電子写真方式の画像形成装置
JP2006259307A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Sony Corp 表示装置および撮像装置
KR100634676B1 (ko) * 2005-05-18 2006-10-13 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP4978138B2 (ja) * 2006-09-29 2012-07-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101445878B1 (ko) * 2008-04-04 2014-09-29 삼성전자주식회사 보호 필름 및 이를 포함하는 봉지 재료
JP2008251552A (ja) * 2008-07-16 2008-10-16 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
JP2010231908A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
CN101562192A (zh) * 2009-05-26 2009-10-21 上海大学 有机电致发光照明用显示器及其制作方法
JP2011003339A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、および電子機器
JP5960047B2 (ja) * 2010-02-23 2016-08-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR20120065049A (ko) 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP5775161B2 (ja) * 2011-07-19 2015-09-09 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び表示装置
KR101773544B1 (ko) * 2011-07-28 2017-09-01 주성엔지니어링(주) 발광 소자
KR101862676B1 (ko) * 2011-10-06 2018-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102116035B1 (ko) 2013-09-13 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102192035B1 (ko) 2013-12-02 2020-12-17 삼성디스플레이 주식회사 접촉 감지 센서를 포함하는 플렉서블 표시 장치
KR102147844B1 (ko) * 2014-01-02 2020-08-26 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102111022B1 (ko) * 2014-01-17 2020-05-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2016119185A (ja) * 2014-12-19 2016-06-30 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
DE102015105484A1 (de) * 2015-01-13 2016-07-14 Osram Oled Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165735A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Drill Center:Kk Ｌｅｄ実装基板及びその製造方法
CN102569341A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN202003622U (zh) * 2011-04-14 2011-10-05 石家庄市京华电子实业有限公司 高集成度全彩三合一led显示器件
CN103972426A (zh) * 2014-05-27 2014-08-06 四川虹视显示技术有限公司 Oled强化封装方法及专用感光板
CN104201190A (zh) * 2014-08-26 2014-12-10 上海和辉光电有限公司 有机发光装置及其制备方法
CN105470409A (zh) * 2016-01-04 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种oled封装结构及其制作方法、显示器件

Also Published As

Publication number Publication date
EP3531454A4 (en) 2020-07-29
US20180212191A1 (en) 2018-07-26
EP3531454B1 (en) 2022-08-24
KR102290118B1 (ko) 2021-08-17
EP3531454A1 (en) 2019-08-28
JP2019533291A (ja) 2019-11-14
JP6734993B2 (ja) 2020-08-05
KR20190067880A (ko) 2019-06-17
US10062866B2 (en) 2018-08-28
WO2018072283A1 (zh) 2018-04-26
CN106384743A (zh) 2017-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106384743B (zh) Oled显示器及其制作方法
US10050230B1 (en) OLED display and manufacturing method thereof
US10693105B2 (en) OLED packaging method
JP6606395B2 (ja) 表示装置の作製方法
CN100505372C (zh) 电光装置、其制造方法以及电子设备
WO2016090749A1 (zh) 柔性oled显示装置及其制造方法
US9450028B2 (en) Organic light-emitting device and image display system employing the same
US10103358B2 (en) OLED substrate and producing method thereof, panel, and display apparatus
JP4555339B2 (ja) 電極を有するｏｌｅｄディスプレイ
JP2016206642A (ja) 表示装置、および電子機器
WO2018113007A1 (zh) Oled封装方法与oled封装结构
CN101179092A (zh) 有机发光显示器及其制造方法
JP2004311430A (ja) 有機発光装置用カプセル構造の形成方法
US10249846B2 (en) OLED packaging method and OLED package structure
US20150255758A1 (en) Method of bonding display device
WO2017166330A1 (zh) 石墨烯液晶显示装置、石墨烯发光元件及其制作方法
US10547029B2 (en) OLED package structure
JP2007529864A (ja) 可撓性有機電子装置およびその作製方法
US20140125219A1 (en) Organic light emitting device and manufacturing method thereof
CN109546006B (zh) 柔性oled显示面板及其制作方法
US20110076389A1 (en) Deposition source and method of manufacturing organic light-emitting device
CN110707236A (zh) 显示基板的封装结构、封装方法及显示装置
WO2020062486A1 (zh) 显示面板及其制作方法、显示模组
JP2005243604A (ja) 有機エレクトロルミネセンス装置及びそれを製造する方法
CN111584741B (zh) 显示基板、显示装置及其封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant