KR100975800B1 - 발광 디바이스 및 전자 기기 - Google Patents

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토루 타가야마
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

본 발명은 습기 또는 산소의 침투로 인한 열화를 방지할 수 있는, 플라스틱 기판상에 형성된 OLED를 포함하는 발광 디바이스를 제공하는 목적을 갖고 있다. 플라스틱 기판상에, 산소 또는 습기가 OLED내의 유기 발광층내로 침투하는 것을 방지하기 위한 복수의 막들(이하, 배리어 막들이라 지칭함)과, 상기 배리어 막들 사이에 개재되어 있는, 배리어 막들의 응력보다 작은 응력을 갖는 막(이하, 응력 이완 막이라 지칭함)이 제공된다. 복수의 배리어 막들의 적층체 구조로 인하여, 배리어 막들 중 하나에 균열이 발생하는 경우에도, 다른 배리어 막(들)이 산소 또는 습기가 유기 발광층내로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 더욱이, 배리어 막들의 응력보다 작은 응력을 갖는 응력 이완 막이 배리어 막들 사이에 개재되어 있고, 그에 의해, 전체 밀봉 막의 응력을 감소시키는 것이 가능하다. 결과적으로, 응력으로 인한 균열이 잘 발생하지 않는다.
습기, 산소, 배리어 막, 응력 이완 막, 밀봉 막, 발광 디바이스

Description

발광 디바이스 및 전자 기기{Light emitting device and electronic appliance}
본 발명은 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 명확하게는, 예로서, 플라스틱 기판상에 형성된 유기 발광 다이오드(OLED) 같은 발광 소자를 포함하는 발광 디바이스에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 제어기 등을 포함하는 IC가 OLED 패널상에 장착되어 있는 OLED 모듈에 관한 것이다. 명세서 전반에 걸쳐, OLED 패널들 및 OLED 모듈들은 일반적으로 발광 디바이스들을 지칭한다. 본 발명은 또한, 이 발광 디바이스를 사용하는 전기 기기에 관한 것이다.
최근 기판상에 TFT(박막 트랜지스터)를 형성하기 위한 기술이 현저히 발전되었으며, 액티브 매트릭스 디스플레이 디바이스들에 대한 그 응용을 위해 부가적인 개발이 지속되고 있다. 특히, 폴리실리콘 막을 사용하는 TFT는 고속으로 동작할 수 있으며, 그 이유는, 이런 TFT가 종래의 비정질 실리콘 막을 사용하는 TFT보다 높은 전계 효과 이동성을 갖고 있기 때문이다. 따라서, 종래에는 기판 외측에 제공된 구동 회로에 의해 수행되어왔던 화소들의 제어는 이제, 화소들이 형성되어 있는 동일 기판상에 제공된 구동 회로에 의해 수행될 수 있다.
이런 액티브 매트릭스 디스플레이 디바이스는 동일 기판상에 형성되어 있는 다양한 회로들 또는 소자들을 포함한다. 이 구조로 인하여, 액티브 매트릭스 디스플레이 디바이스는 감소된 제조 비용, 감소된 디스플레이 디바이스의 크기, 향상된 생산량 및 향상된 처리량 같은 다양한 장점들을 제공한다.
또한, 자기 발광 소자로서 OLED를 포함하는 액티브 매트릭스 발광 디바이스(이하, 단순히 발광 디바이스라 지칭함)가 활발히 연구되고 있다. 이 발광 디바이스는 유기 EL 디스플레이(OELD) 또는 유기 발광 다이오드라고도 지칭된다.
OLED는 그 자기 발광을 위한 높은 가시성을 가지며, 또한, 액정 디스플레이(LCD)에 필수적인 배후광을 필요로하지 않기 때문에, 발광 디바이스의 두께를 감소시키기에 최적이다. 더욱이, OLED는 그 무제한의 조망 각도가 부가적인 장점을 제공한다. 이들 장점들 때문에, OLED를 사용하는 발광 디바이스들이 CRT들 또는 LCD들을 대체하는 디스플레이 디바이스들로서 관심을 끌고 있다.
OLED는 유기 화합물(유기 발광 재료)을 함유하는 층(이하, 이런 층을 유기 발광층이라 지칭함), 아노드 층 및 캐소드 층을 포함한다. 유기 발광 층은 아노드와 캐소드를 가로질러 전기장을 적용함으로써, 발광(전자 발광)을 생성한다. 유기 화합물로부터 발생된 전자발광은 싱글릿 여기 상태로부터 접지 상태로의 귀환시 유발되는 발광(형광)과, 트리플릿 여기 상태로부터 접지 상태로의 귀환시 유발되는 발광(인광)을 포함한다. 본 발명의 발광 디바이스는 상술한 발광의 유형들 중 어느 한쪽에 사용할 수 있으며, 대안적으로, 발광의 유형들 양자 모두를 사용할 수 있 다.
본 명세서에서, OLED의 캐소드와 아노드 사이에 제공된 모든 층들은 일반적으로 유기 발광 층들로서 정의된다. 보다 명확하게는, 발광층, 정공 주입층, 전자 주입층, 정공 운반층, 전자 운반층 등이 모두 유기 발광층들의 범주에 포함된다. OLED는 기본적으로 아노드와, 발광층 및 캐소드가 이 순서로 적층되어 있는 구조를 가진다. 이 구조에 부가하여, 일부 OLED들은 아노드와 정공 주입층과 발광층 및 캐소드가 이 순서로 적층되어 있는 구조를 가지며, 다른 OLED들은 아노드와, 정공 주입층과, 발광층과, 전자 운반층과, 캐소드 등이 이 순서로 적층되어 있는 구조를 가진다.
이런 발광 디바이스들은 다양한 응용분야들에 사용될 것으로 기대된다. 특히, 이 발광 디바이스는 그 작은 두께와, 이에 따른, 중량 감소 가능성 때문에, 휴대용 장비에 적용하기에 바람직하다. 이 목적을 위해서, 플렉시블 플라스틱 막상에 OLED를 형성하기 위한 시도가 이루어져왔다.
OLED가 플라스틱 막 같은 플렉시블 기판상에 형성되어 있는 발광 디바이스는 그 작은 두께와 가벼운 중량에서 뿐만 아니라, 굴곡면을 가진 디스플레이, 쇼윈도우 등을 위한 그 유용성에서도 바람직하다. 따라서, 그 응용 범위는 극도로 넓으며, 휴대용 장비에 제한되는 것은 아니다.
그러나, 플라스틱으로 제조된 기판은 일반적으로 습기 또는 산소가 통과되기 쉽다. 유기 발광층의 열화가 습기 및 산소에 의해 가속되기 때문에, 발광 디바이스의 수명은 습기 또는 산소의 침투에 의해 짧아지게 되는 경향을 갖는다. 이 문제점 의 종래의 해결 방법으로서, 습기 또는 산소가 유기 발광층내로 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘 질화물 막 또는 실리콘 산질화물 막 같은 절연막이 플라스틱 기판과 OLED 사이에 제공된다.
그러나, 일반적으로, 플라스틱 막 같은 기판은 열에 의해 쉽게 영향을 받는다. 실리콘 질화물 막 또는 실리콘 산질화물 막 같은 절연막을 위한 과도하게 높아진 성막 온도에서, 기판이 쉽게 변형된다. 대조적으로, 과도하게 낮은 성막 온도에서, 막의 품질이 열화되어, 습기 또는 산소의 침투를 충분히 방지하기 어렵게 만든다.
더욱이, 실리콘 질화물 막 또는 실리콘 산질화물 막 같은 절연막의 두께가 습기 또는 산소의 침투를 방지하기 위해 증가되는 경우에, 응력이 대응적으로 증가되어 막내의 균열을 쉽게 유발하게 된다. 또한, 두께의 증가와 함께, 기판이 굴곡될 때, 절연막내에 균열이 쉽게 생성되게 된다.
상술한 문제점들의 관점에서, 본 발명은 습기 또는 산소의 침투로 인한 열화를 억제할 수 있는, 플라스틱 기판상에 형성된 OLED를 포함하는 발광 디바이스를 제공하는 목적을 가진다.
본 발명에 따라서, 산소 또는 습기가 OLED의 유기 발광층내로 침투하는 것을 방지하는 복수의 막들(이하, 배리어 막들이라 지칭함)과, 상기 배리어 막들 사이에 샌드위치식으로 배치되어 상기 배리어 막들의 응력보다 작은 응력을 갖는 층(이하, 응력 이완 막이라 지칭함)이 플라스틱 기판상에 제공된다. 본 명세서 전반에 걸쳐, 배리어 막들과 응력 이완 막의 적층체에 의해 형성된 막은 밀봉 막이라 지칭된다.
보다 명확하게, 무기 재료로 이루어진 둘 또는 그 이상의 배리어 막들(이하, 단순히 배리어 막들이라 지칭함)이 제공된다. 또한, 수지를 함유하는 응력 이완 막(이하, 단순히 응력 이완 막이라 지칭함)이 이 배리어 막들 사이에 제공된다. 그후, OLED가 절연막들의 이들 셋 또는 그 이상의 층들상에 형성된다. OLED는 발광 디바이스를 완성하도록 밀봉된다.
본 발명에 따라서, 복수의 배리어 막들이 적층된다. 이 방식에서, 배리어 막들 중 하나에 균열이 발생하는 경우에도, 다른 배리어 막(들)이 습기 또는 산소가 유기 발광층내로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 배리어 막들의 품질이 낮은 성막 온도로 인해 열화된다 하더라도, 복수의 배리어 막들의 적층체는 습기 또는 산소가 유기 발광층 내로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 배리어 막의 응력보다 작은 응력을 갖는 응력 이완 막이 배리어 막들 사이에 샌드위치식으로 배치되어 밀봉 막의 전체 응력을 감소시킨다. 따라서, 동일 두께를 가진 단층 배리어 막과 비교할 때, 응력 이완 막이 배리어 막들 사이에 개재되어 있는 다층 배리어 막에서 응력으로 인한 균열이 잘 발생하지 않는다.
따라서, 다층 배리어 막은 동일 두께를 가진 단층 배리어 막에 비해 습기 또 는 산소가 유기 발광층내로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 부가적으로, 이런 다층 배리어막에서 응력으로 인한 균열이 잘 발생하지 않는다.
더욱이, 배리어 막들과 응력 이완 막의 적층체 구조는 디바이스에 부가적인 유연성을 제공하고, 그에 의해, 기판의 굴곡시 균열을 방지한다.
또한, 본 발명에 따라서, 기판상에 형성된 OLED를 밀봉하기 위한 막(이하 밀봉 막이라 지칭함)도 상술한 다층 구조를 가질 수 있다. 이런 구조와 함께, 습기 또는 산소가 유기 발광층내로 침투하는 것이 효과적으로 방지될 수 있다. 부가적으로, 기판의 굴곡시 균열이 발생하는 것이 방지된다. 결과적으로, 향상된 유연성을 가진 발광 디바이스가 실현될 수 있다.
이하, 본 발명의 형태들이 첨부 도면들을 참조로 설명된다. 도 1a 내지 도 4c는 화소부와 구동 회로의 제조 단계들을 도시하는 단면도들이다.
(제 1 실시 형태)
도 1a에서, 비정질 실리콘 막으로 이루어진 제 1 접합층(102)이 제 1 기판(101)상에 100 내지 500nm 두께로 형성된다(본 실시 형태에서는 300nm). 비록, 본 실시 형태에서, 유리 기판이 제 1 기판(101)으로서 사용되었지만, 석영 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 또는 세라믹 기판이 대안적으로 사용될 수 있다. 추후의 제조 단계들에서의 처리 온도에 견딜 수 있는 한, 소정의 재료가 제 1 기판(101)을 위해 사용될 수 있다.
제 1 접합층(102)을 형성하는 방법으로서, 저압 열간 CVD법, 플라즈마 CVD법, 스퍼터링법 또는 증발법이 사용될 수 있다. 제 1 접합층(102)상에서, 실리콘 산화물 막으로 이루어진 절연막(103)이 200nm의 두께를 갖도록 형성된다. 절연막(103)을 형성하는 방법으로서, 저압 열간 CVD법, 플라즈마 CVD법, 스퍼터링 법 또는 증발법이 사용될 수 있다. 절연막(103)은 제 1 기판(101)을 탈피(peeling)시키도록 제 1 접합층(102)이 제거될 때, 제 1 기판(101)상에 형성된 소자를 보호하도록 기능한다.
다음에, 절연막(103)상에 소자가 형성된다(도 1b). 여기에서, 소자는 능동 매트릭스 발광 디바이스의 경우에, 화소, OLED 등을 위한 스위칭 소자로서 사용되는 반도체 소자(통상적으로, TFT) 또는 MIM 소자를 나타낸다. 수동 발광 디바이스의 경우에, 소자는 OLED를 나타낸다. 도 1b에서, 구동 회로(106)내의 TFT(104a)와, 화소부내의 TFT들(104b, 104c)과, OLED(105)가 대표 소자들로서 도시되어 있다.
그후, 상술한 소자들을 덮도록 절연막(108)이 형성된다. 절연막(108)은 그 형성 이후에 보다 평탄한 표면을 갖는 것이 적합하다. 절연막(108)을 제공하는 것은 필수적인 것은 아니다.
다음에, 도 1c에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(110)이 제 2 접합층(109)을 통해 제 1 기판(101)에 접합된다. 본 실시 형태에서, 플라스틱 기판이 제 2 기판(110)으로서 사용된다. 보다 명확히, 10㎛ 또는 그 이상의 두께를 가진 수지 기판, 예로서, PES(폴리에테르 설폰), PC(폴리카보네이트), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 또는 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트)로 제조된 기판이 사용될 수 있다.
제 2 접합층(109)의 재료로서, 제 1 접합층(102)이 추후 단계에서 제거될 때, 높은 선택비를 제공할 수 있는 재료를 사용하는 것이 필수적이다. 통상적으로, 수지로 제조된 절연막은 제 2 접합층(109)으로서 사용될 수 있다. 비록, 본 실시 형태에서 폴리이미드가 제 2 접합층(109)의 재료로서 사용되지만, 아크릴, 폴리아미드 또는 에폭시 수지가 대안적으로 사용될 수 있다. 제 2 접합층(109)이 OLED로부터 볼 때, 관측자의 측면(발광 디바이스 사용자의 측면)상에 배치되는 경우에, 재료는 광투과성을 가져야할 필요가 있다.
부가적으로, 본 실시 형태에서, 둘 또는 그 이상의 배리어 막들이 제 2 기판(110)상에 형성된다. 그후, 응력 이완 막이 두 배리어 막들 사이에 제공된다. 결과적으로, 배리어 막들과 응력 이완 막의 적층체 구조를 갖는 밀봉막이 제 2 기판(110)과 제 2 접합층(109) 사이에 형성된다.
예로서, 본 실시 형태에서, 실리콘 질화물로 이루어진 막이 제 2 기판(110)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(111a)으로서 형성되고; 폴리이미드를 함유하는 응력 이완 막(111b)이 배리어 막(111a)상에 형성되며; 실리콘 질화물로 이루어진 막이 응력 이완 막(111b)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(111c)으로서 형성된다. 배리어 막(111a), 응력 이완 막(111b) 및 배리어 막(111c)의 적층체 막은 총체적으로 밀봉 막(111)이라 지칭된다. 그후, 그 위에 밀봉 막(111)이 형성되어 있는 제 2 기판(110)이 제 2 접합층(109)을 통해 제 1 기판(101)상에 형성된 소자에 접합된다.
둘 또는 그 이상의 배리어 막들을 제공하는 것으로 충분하다. 배리어 막들의 재료로서, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 또는 알루미늄 산질화 규화물(AlSiON)이 사용될 수 있다.
알루미늄 산질화 규화물이 비교적 높은 열 도전성을 갖고 있기 때문에, 배리어 막에 이를 사용하는 것은 소자내에 발생된 열의 효과적인 방산을 허용한다.
광 투과성을 가진 수지가 응력 이완 막(111b)을 위해 사용될 수 있다. 통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐, 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다. 상술한 수지들 이외의 수지들이 사용될 수도 있다. 본 실시 형태에서, 응력 이완 막이 열적으로 중합될 수 있는 폴리 이미드를 적용하고, 이어서, 베이킹함으로써, 형성된다.
실리콘 질화물 막이 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력하에서 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 수소와 질소를 도입한 상태로, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 실리콘 산질화물의 경우에, 막은 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력 하에서, 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 질소와, 이산화 질소와, 수소를 도입시키면서, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 대안적으로, 실리콘 산화물이 타겟으로서 사용될 수 있다.
배리어 막들(111a 및 111c) 각각이 50nm 내지 3㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 실리콘 질화물 막은 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
배리어 막들의 형성 방법은 스퍼터링에 한정되지 않으며; 성막 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절하게 결정될 수 있다. 예로서, 배리어 막은 LPCVD법, 플라 즈마 CVD법 등에 의해 형성될 수 있다.
응력 이완 막(111b)은 200nm 내지 2㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 폴리이미드 막이 응력 이완 막으로서 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
배리어 막들(111a 및 111c)과 응력 이완 막(111b)을 위해서, 제 1 접합층(102)이 추후 단계에서 제거될 때, 높은 선택비를 제공하는 재료들을 사용할 필요가 있다.
도 1a에 도시된 단계로 인해, OLED는 공기로부터 완전히 격리될 수 있다. 결과적으로, 산화로 인한 유기 발광 재료의 열화는 실질적으로 완전히 억제되고, 그에 의해, OLED의 신뢰성이 현저히 향상된다.
다음에, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(101), 제 2 기판(110)과 모든 원소들 및 그 사이에 형성된 전체 막들이 제 1 접합층(102)을 제거하도록 할로겐 플로라이드를 함유하는 가스에 노출된다. 본 실시 형태에서, 클로린 트리플로라이드(ClF3)가 할로겐 플로라이드로서 사용되며, 질소가 희석 가스로서 사용된다. 대안적으로, 아르곤, 헬륨 또는 네온이 희석 가스로서 사용될 수 있다. 유량은 양자 모두의 가스들에 대해서 500sccm(8.35x10-6m3/s)으로 설정될 수 있으며, 반응 압력은 1 내지 10 Torr(1.3x102 내지 1.3x103Pa)로 설정될 수 있다. 처리 온도는 실온(통상적으로, 20 내지 27℃)일 수 있다.
이 경우에, 실리콘 막은 에칭되고, 플라스틱 막, 유리 기판, 폴리이미드 막 및 실리콘 산화물 막은 에칭되지 않는다. 보다 명확하게, 클로린 트리플로라이드에 대한 노출을 통해, 제 1 접합층(102)이 선택적으로 에칭되어 그 완전한 제거를 초래한다. 유사하게 실리콘 층으로 제조된, TFT의 능동층은 외부로 노출되지 않기 때문에, 이 능동층은 클로린 트리플로라이드에 노출되지 않고, 따라서, 에칭되지 않는다.
본 실시 형태에서, 제 1 접합층(102)은 그 노출된 에지부들로부터 점진적으로 에칭된다. 제 1 기판(101) 및 절연막(103)은 제 1 접합 층(102)이 완전히 제거될 때, 서로 분리된다. 각각 박막들의 적층체를 포함하는 TFT들과 OLED는 제 2 기판(110)상에 남아있는다.
에칭이 제 1 접합층(102)의 에지들로부터 점진적으로 진행되고, 따라서, 제 1 접합 층(102)의 완전한 제거를 위해 필요한 시간이 크기의 증가와 함께 길어지기 때문에, 대형 기판은 제 1 기판(101)으로서 부적합하다. 따라서, 본 실시 형태는 3인치 또는 그 이하(바람직하게는, 1 인치 또는 그 이하)의 대각선을 갖는 제 1 기판(101)을 위해 수행되는 것이 적합하다.
이 방식의 제 1 기판(101)의 탈피(peeling) 이후에, 제 3 접합 층(113)이 도 2b에 도시된 바와 같이 형성된다. 그후, 제 3 기판(112)이 제 3 접합층(113)을 통해 제 2 기판(110)에 접합된다. 본 실시 형태에서, 플라스틱 기판이 제 3 기판(112)으로서 사용된다. 보다 명확하게, 10㎛ 또는 그 이상의 두께를 갖는 수지 기판, 예로서, PES(폴리에테르 설폰), PC(폴리카보네이트), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 또는 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트)으로 이루어진 기판이 제 3 기 판(112)으로서 사용될 수 있다.
제 3 접합 층(113)으로서, 수지(통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드 또는 에폭시 수지)로 이루어진 절연막이 사용될 수 있다. 제 3 접합 층(113)이 OLED로부터 볼 때, 관측자 측면(발광 디바이스 사용자의 측면)에 배치되는 경우에, 재료는 광 투과성을 가질 필요가 있다.
본 실시 형태에서, 둘 또는 그 이상의 배리어 막들이 제 3 기판(112)상에 형성된다. 그후, 응력 이완 막이 두 배리어 막들 사이에 제공된다. 결과적으로, 배리어 막들과 응력 이완 막의 적층 구조를 갖는 밀봉 막이 제 2 기판(112)과 제 3 접합 층(113) 사이에 형성된다.
예로서, 본 실시 형태에서, 실리콘 질화물로 이루어진 막이 제 3 기판(110)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(114a)으로서 형성되고; 폴리 이미드를 포함하는 응력 이완 막(114b)이 배리어 막(114a)상에 형성되며; 실리콘 질화물로 형성된 막이 응력 이완 막(114b)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(114c)으로서 형성된다. 배리어막(114a), 응력 이완 막(114b) 및 배리어 막(114c)의 적층체 막은 총체적으로 밀봉 막(114)이라 지칭된다. 그후, 그 위에 밀봉 막(114)이 형성되어 있는 제 3 기판(112)이 제 3 접합 층(113)을 통해 제 2 기판상으로 고정된 소자에 접합된다.
둘 또는 그 이상의 배리어 막들을 제공하는 것으로 충분하다. 배리어 막들의 재료로서, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 또는 알루미늄 산질화 규화물(AlSiON)이 사용될 수 있다.
알루미늄 산질화 규화물이 비교적 높은 열 도전성을 갖고 있기 때문에, 배리 어 막에 이를 사용하는 것은 소자내에 발생된 열의 효과적인 방산을 허용한다.
광 투과성을 가진 수지가 응력 이완 막(114b)을 위해 사용될 수 있다. 통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐, 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다. 본 실시 형태에서, 응력 이완 막이 열적으로 중합될 수 있는 폴리 이미드를 적용하고, 이어서, 베이킹함으로써, 형성된다.
실리콘 질화물 막이 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력하에서 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 수소와 질소를 도입한 상태로, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 실리콘 산질화물의 경우에, 막은 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력 하에서, 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 질소와, 이산화 질소와, 수소를 도입시키면서, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 대안적으로, 실리콘 산화물이 타겟으로서 사용될 수 있다.
배리어 막들(114a 및 114c) 각각이 50nm 내지 3㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 실리콘 질화물 막은 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
배리어 막들의 형성 방법은 스퍼터링에 한정되지 않으며; 성막 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절하게 결정될 수 있다. 예로서, 배리어 막들은 LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등에 의해 형성될 수 있다.
응력 이완 막(114b)은 200nm 내지 2㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 폴리이미드 막이 응력 이완 막으로서 1㎛의 두께를 갖도록 형성 된다.
이 방식으로, 가요성을 갖는 두 개의 플렉시블 기판들(110 및 112) 사이에 개재된 플렉시블 발광 디바이스가 얻어질 수 있다. 제 2 기판(110) 및 제 3 기판(112)을 위해 동일 재료를 사용하면, 기판들(110 및 112)은 동일한 열 팽창 계수를 갖는다. 결과적으로, 기판들(110 및 112)은 온도 변화로 인한 응력 변형에 의해 거의 영향을 받지 않는다.
본 실시 형태에 따른 발광 디바이스 제조 방법은 플라스틱 기판의 내열성에 의해 제한되지 않고 반도체를 사용한 소자(예로서 TFT)의 제조를 가능하게 한다. 따라서, 극도로 높은 성능을 가진 발광 디바이스가 얻어질 수 있다.
비록, 본 실시 형태에서 제 1 접합 층(102)이 비정질 실리콘으로 제조되고, 할로겐 플로라이드를 함유하는 가스로 제거되지만, 본 발명은 이 구조에 제한되지 않는다. 제 1 접합층(102)의 재료 및 제거 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절히 결정될 수 있다. 제 1 접합층(102) 이외의, 제거되는 것이 바람직하지 못한 기판들, 소자들 및 막들이 제 1 접합층(102)의 제거와 함께 제거되지 않고, 그래서, 발광 디바이스의 동작에 영향을 미치지 않도록 제 1 접합층(102)의 재료 및 제거 방법을 결정하는 것이 중요하다. 또한, 제 1 접합층(102)의 재료가 제 1 접합층(102)의 제거 단계 이외의 프로세스에서 그 제거를 허용하지 않는 것이 중요하다.
예로서, 레이저 빔의 방사에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 기화되는 유기 재료가 제 1 접합층(102)으로서 사용될 수 있다. 부가적으로, YAG 레이저로부터의 제 2 고조파가 사용되는 경우에 단지 제 1 접합 층(102)에 의해서만 효과적으로 레이저 빔이 흡수되도록, 레이저 빔 흡수성을 갖는 재료, 예로서, 착색된 또는 검정색 재료(예로서, 검정색 착색제를 함유하는 수지 재료)가 사용되는 것이 적합하다. 소자 형성 단계들에서의 열 처리에 의해 기화되지 않는 재료가 제 1 접합 층(102)을 위해 사용된다.
제 1, 제 2 및 제 3 접합층들 각각은 단일층 또는 다층일 수 있다. 비정질 실리콘 막 또는 DLC 막이 접합층과 기판 사이에 제공될 수 있다.
제 1 접합 층(102)은 비정질 실리콘 막으로 형성될 수 있고, 제 1 기판은 차후 단계에서, 제 1 접합층(102)상으로의 레이저 빔의 방사에 의해 탈피될 수 있다. 이 경우에, 제 1 기판의 탈피를 촉진하기 위해서, 대량의 수소를 포함하는 비정질 실리콘 막을 사용하는 것이 적합하다. 비정질 실리콘 막 내에 함유된 수소는 레이저 빔의 방사에 의해 기화되고, 그래서, 제 1 기판이 쉽게 탈피될 수 있다.
레이저 빔으로서, 펄스 발진 또는 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 또는 YVO4 레이저가 사용될 수 있다. 레이저 빔은 제 1 기판을 통해 제 1 접합층상으로 방사되며, 그래서, 제 1 기판을 탈피시키기 위해 제 1 접합층만이 기화된다. 따라서, 제 1 기판으로서, 적어도 방사된 레이저 빔이 그를 통해 통과하는 기판, 일반적으로, 광 투과성을 가진 기판, 예로서, 제 2 및 제 3 기판들의 두께보다 큰 두께를 갖는 유리 기판, 석영 기판 등을 사용하는 것이 적합하다.
본 발명에서, 레이저 빔이 제 1 기판을 통과하는 것을 허용하기 위해서, 레이저 빔 및 제 1 기판의 유형을 적절히 선택하는 것이 필수적이다. 예로서, 석영 기판이 제 1 기판으로서 사용될 때, YAG 레이저(기본파(1064nm), 제 2 고조파(532nm), 제 3 고조파(355nm) 및 제 4 고조파(266nm))나, 엑시머 레이저(파장 : 308nm)가 순차적으로 석영 기판을 통과하는 것을 허용하는 선형 빔을 형성하도록 사용된다. 엑시머 레이저 빔은 유리 기판을 통과하지 못한다는 것을 인지하여야 한다. 따라서, 제 1 기판으로서 유리 기판이 사용될 때, YAG 레이저의 기본파, 제 2 고조파 또는 제 3 고조파, 바람직하게는, 제 2 고조파(파장 : 532nm)가, 순차적으로 유리기판을 통과하는 것이 허용되는 선형 빔을 형성하기 위해 사용된다.
대안적으로, 예로서, 제 1 접합층상에 유체(압력-적용 유체 또는 가스)를 분무함으로써(통상적으로 워터 제트법) 제 1 기판을 분리시키는 방법이 사용될 수 있다.
제 1 접합층이 비정질 실리콘 막으로 이루어지는 경우에, 제 1 접합층은 히드라진(hydrazine)에 의해 제거될 수 있다.
대안적으로, 일본 특개평 8-288522호에 기술되어 있는 에칭에 의해 제 1 기판을 분리시키는 방법이 사용될 수 있다. 특히, 적용된 실리콘 산화물 막(SOG)은 그후 불화 수소에 의해 제거될 제 1 접합층으로서 사용될 수 있다. 이 경우에, 제거되는 것이 바람직하지 못한 실리콘 산화물 막이 스퍼터링 또는 CVD법을 통해 미세 구조를 갖도록 형성되고, 그래서, 실리콘 산화물 막이 제 1 접합층이 불화 수소에 의해 제거될 때, 높은 선택비를 제공하는 것이 중요하다.
이런 구조에서, 극도로 작은 두께, 특히, 50 내지 300㎛, 바람직하게는 150 내지 200㎛의 두께를 갖는 기판들이 제 2 및 제 3 기판들로서 사용되는 경우에도, 높은 신뢰성을 가진 발광 디바이스가 얻어질 수 있다. 종래의 공지된 제조 장치들을 이용하여 이런 얇은 기판상에 소자를 형성하는 것은 어렵다. 그러나, 소자가 제 1 기판상에 접합되어 형성되기 때문에, 얇은 기판을 사용하는 제조 장치들은 장치들을 개조하지 않고도 사용될 수 있다.
다층 절연막을 포함하는 밀봉 막을 이용함으로써, 습기 또는 산소의 침투로 인한 열화를 효과적으로 억제하는 것이 가능하다. 또한, 기판의 굴곡시 균열이 발생하는 것이 방지된다. 결과적으로, 개선된 유연성을 가진 발광 디바이스가 실현될 수 있다.
(제 2 실시 형태)
다음에, 상술한 제 1 실시 형태와는 상이한 제 2 실시 형태를 설명한다.
도 3a에서, 비정질 실리콘 막으로 이루어진 제 1 접합층(202)이 제 1 기판(201)상에 100 내지 500nm 두께로 형성된다(본 실시 형태에서는 300nm). 비록, 본 실시 형태에서, 유리 기판이 제 1 기판(201)으로서 사용되었지만, 석영 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 또는 세라믹 기판이 대안적으로 사용될 수 있다. 추후의 제조 단계들에서의 처리 온도에 견딜 수 있는 한, 소정의 재료가 제 1 기판(201)을 위해 사용될 수 있다.
제 1 접합층(202)을 형성하는 방법으로서, 저압 열간 CVD법, 플라즈마 CVD법, 스퍼터링법 또는 증발법이 사용될 수 있다. 제 1 접합층(202)상에서, 실리콘 산화물 막으로 이루어진 절연막(203)이 200nm의 두께를 갖도록 형성된다. 절연막(203)을 형성하는 방법으로서, 저압 열간 CVD법, 플라즈마 CVD법, 스퍼터링 법 또는 증발법이 사용될 수 있다. 절연막(203)은 제 1 기판(201)을 탈피(peeling)시키도록 제 1 접합층(202)이 제거될 때, 제 1 기판(201)상에 형성된 소자를 보호하도록 기능한다.
다음에, 절연막(203)상에 소자가 형성된다(도 3b). 여기에서, 소자는 능동 매트릭스 발광 디바이스의 경우에, 화소, OLED 등을 위한 스위칭 소자로서 사용되는 반도체 소자(통상적으로, TFT) 또는 MIM 소자를 나타낸다. 수동 발광 디바이스의 경우에, 소자는 OLED를 나타낸다. 도 3b에서, 구동 회로(206)내의 TFT(204a)와, 화소부내의 TFT들(204b, 204c)과, OLED(205)가 대표 소자들로서 도시되어 있다.
그후, 상술한 소자들을 덮도록 절연막(208)이 형성된다. 절연막(208)은 그 형성 이후에 보다 평탄한 표면을 갖는 것이 적합하다. 절연막(208)을 제공하는 것은 필수적인 것은 아니다.
다음에, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(210)이 제 2 접합층(209)을 통해 제 1 기판(201)에 접합된다. 비록, 본 실시 형태에서, 유리 기판이 제 2 기판(210)으로서 사용되었지만, 석영 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 또는 세라믹 기판도 사용될 수 있다. 재료가 추후 제조 단계에서의 처리 온도에 대한 내성이 있는 한 소정의 재료가 제 2 기판(210)을 위해 사용될 수 있다.
제 2 접합층(209)의 재료로서, 제 1 접합층(202)이 추후 단계에서 제거될 때, 높은 선택비를 제공할 수 있는 재료를 사용하는 것이 필수적이다. 또한, 제 2 접합층(209)을 위해서, 제 3 기판을 접합하도록 기능하는 제 3 접합층이 제 2 접합층의 제거와 함께 제거되지 않고, 제 3 기판의 탈피를 유발하지 않는 재료를 사용 하는 것이 필요하다. 본 실시 형태에서, 일본 특개평 5-315630호에 개시된 폴리이미드 수지의 전구체인 폴리아믹 산 용액이 사용된다. 보다 명확하게, 제 2 접합층(209)이 미경화 수지인, 폴리아믹 산 용액을 이용하여 10 내지 15㎛의 두께를 갖도록 형성된 이후에, 제 2 기판(210) 및 층간 절연막(208)이 열압착 접합을 통해 서로 접합된다. 그후, 일시적으로 수지를 경화시키도록 가열이 수행된다.
본 실시 형태에서, 제 2 접합층(209)의 재료는 폴리아믹 산 용액에 제한되지 않는다. 제 1 접합 층(202)이 추후 단계에서 제거될 때, 높은 선택비를 제공하는 한 , 그리고, 제 3 기판을 접합하기 위한 제 3 접합층이 제 2 접합층(209)의 제거와 함께 제거되지 않고 제 3 기판의 탈피를 유발하지 않는 한, 소정의 재료가 사용될 수 있다. 제 2 접합층(209)이 제 2 접합층(209)을 제거하는 단계 이외의 단계들에서 제거되지 않는 재료로 제조되는 것이 중요하다.
다음에, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(201), 제 2 기판(210) 및 모든 소자들과 그들 사이에 형성된 전체 막들이 불화 수소를 함유하는 가스에 노출되고, 그래서, 제 1 접합층(202)을 제거한다. 본 실시 형태에서, 클로린 트리플로라이드(ClF3)가 불화 수소로서 사용되고, 질소가 희석 가스로서 사용된다. 대안적으로, 아르곤, 헬륨 또는 네온이 희석 가스로서 사용될 수 있다. 양자 모두의 가스들을 위한 유량은 500sccm(8.35x10-6m3/s)으로 설정될 수 있으며, 반응 압력은 1 내지 10 Torr(1.3x102 내지 1.3x103Pa)로 설정될 수 있다. 처리 온도는 실온(통상적으로, 20 내지 27℃)일 수 있다.
이 경우에, 실리콘 막은 에칭되고, 플라스틱 막, 유리 기판, 폴리이미드 막 및 실리콘 산화물 막은 에칭되지 않는다. 보다 명확하게, 클로린 트리플로라이드 가스에 대한 노출을 통해, 제 1 접합층(202)이 선택적으로 에칭되어 그 완전한 제거를 초래한다. 유사하게 실리콘 층으로 제조된, TFT의 능동층은 외부로 노출되지 않기 때문에, 이 능동층은 클로린 트리플로라이드 가스에 노출되지 않고, 따라서, 에칭되지 않는다.
본 실시 형태에서, 제 1 접합층(202)은 그 노출된 에지부들로부터 점진적으로 에칭된다. 제 1 기판(201) 및 절연막(203)은 제 1 접합 층(202)이 완전히 제거될 때, 서로 분리된다. 제 1 접합층(202)의 제거 후에, 각각 박막들의 적층체를 포함하는 TFT들과 OLED는 제 2 기판(210)상에 남아있는다.
제 1 접합층(202)이 그 에지들로부터 점진적으로 에칭되고, 따라서, 제 1 접합 층(202)의 완전한 제거를 위해 필요한 시간이 크기의 증가와 함께 길어지기 때문에, 대형 기판은 제 1 기판(201)으로서 부적합하다. 따라서, 본 실시 형태는 3인치 또는 그 이하(바람직하게는, 1 인치 또는 그 이하)의 대각선을 갖는 제 1 기판(201)을 위해 수행되는 것이 적합하다.
이 방식의 제 1 기판(201)의 제거 이후에, 제 3 접합 층(213)이 도 4a에 도시된 바와 같이 형성된다. 그후, 제 3 기판(212)이 제 3 접합층(213)을 통해 제 2 기판(210)에 접합된다. 본 실시 형태에서, 플라스틱 기판이 제 3 기판(212)으로서 사용된다. 보다 명확하게, 10㎛ 또는 그 이상의 두께를 갖는 수지 기판, 예로서, PES(폴리에테르 설폰), PC(폴리카보네이트), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 또는 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트)으로 이루어진 기판이 제 3 기판(212)으로서 사용될 수 있다.
수지(통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드 또는 에폭시 수지)로 이루어진 절연막이 제 3 접합 층(213)으로서 사용될 수 있다. 제 3 접합 층(213)이 OLED로부터 볼 때, 관측자 측면(발광 디바이스 사용자의 측면)에 배치되는 경우에, 재료는 광 투과성을 가질 필요가 있다.
또한, 본 실시 형태에서, 둘 또는 그 이상의 배리어 막들이 제 3 기판(212)상에 형성된다. 그후, 응력 이완 막이 두 배리어 막들 사이에 제공된다. 결과적으로, 배리어 막들과 응력 이완 막의 적층체 구조를 갖는 밀봉 막이 제 2 기판(212)과 제 3 접합 층(213) 사이에 형성된다.
예로서, 본 실시 형태에서, 실리콘 질화물로 이루어진 막이 제 3 기판(212)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(214a)으로서 형성되고; 폴리이미드를 포함하는 응력 이완 막(214b)이 배리어 막(214a)상에 형성되며; 실리콘 질화물로 형성된 막이 응력 이완 막(214b)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(214c)으로서 형성된다. 배리어막(214a), 응력 이완 막(214b) 및 배리어 막(214c)의 적층체 막은 총체적으로 밀봉 막(214)이라 지칭된다. 그후, 그 위에 밀봉 막(214)이 형성되어 있는 제 3 기판(212)이 제 3 접합 층(213)을 통해 제 2 기판(210)상으로 고정된 소자에 접합된다.
둘 또는 그 이상의 배리어 막들을 제공하는 것으로 충분하다. 배리어 막들의 재료로서, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 또는 알루미늄 산질화 규화물(AlSiON)이 사용될 수 있다.
알루미늄 산질화 규화물이 비교적 높은 열 도전성을 갖고 있기 때문에, 배리어 막들에 이를 사용하는 것은 소자내에 발생된 열의 효과적인 방산을 허용한다.
광 투과성을 가진 수지가 응력 이완 막(214b)을 위해 사용될 수 있다. 통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐, 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다. 본 실시 형태에서, 응력 이완 막이 아크릴을 적용하고, 이어서, 베이킹함으로써, 형성된다.
실리콘 질화물 막이 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력하에서 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 수소와 질소를 도입한 상태로, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 실리콘 산질화물의 경우에, 막은 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력하에서, 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 질소와, 이산화 질소와, 수소를 도입시키면서, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 대안적으로, 실리콘 산화물이 타겟으로서 사용될 수 있다.
배리어 막들(214a 및 214c) 각각이 50nm 내지 3㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 실리콘 질화물 막은 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
배리어 막들의 형성 방법은 스퍼터링에 한정되지 않으며; 성막 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절하게 결정될 수 있다. 예로서, 배리어 막들은 LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등에 의해 형성될 수 있다.
응력 이완 막(214b)은 200nm 내지 2㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 아크릴 막이 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
다음에, 도 4b에 도시된 바와 같이, 제 2 접합층(209)이 제 2 기판(210)으로부터 탈피하도록 제거된다. 보다 명확하게, 제 2 접합층(209)은 약 한시간 동안 물속에 침지되어 제거되고, 그에 의해, 제 2 기판이 탈피되는 것을 허용한다.
제 2 접합층(209)의 재료, 소자 또는 막들의 재료, 기판의 재료 등에 따라 제 2 접합층(209)을 탈피시키는 방법을 선택하는 것이 중요하다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 둘 또는 그 이상의 층들내의 배리어 막들이 제 2 기판(210)이 탈피되는 측면, 즉, OLED를 통해 제 3 기판에 반대되는 측면상에 제공된다. 그후, 응력 이완 막이 두 배리어 막들 사이에 제공된다.
본 실시 형태에서, 예로서, 제 2 기판(210)과 접촉하는 측면에 대향한 절연막(208)의 측면상에서, 실리콘 질화물로 이루어진 막이 스퍼터링에 의해 배리어 막(215a)으로서 형성되고; 폴리이미드를 포함하는 응력 이완 막(215b)이 배리어 막(215a)상에 형성되며; 실리콘 질화물로 이루어진 막이 응력 이완 막(215b)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(215c)으로서 형성된다. 배리어막(215a)과, 응력 이완 막(215b) 및 배리어 막(215c)은 총체적으로 밀봉막(215)이라 지칭된다.
둘 또는 그 이상의 배리어 막들을 제공하는 것으로 충분하다. 배리어 막들의 재료로서, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 또는 알루미늄 산질화 규화물(AlSiON)이 사용될 수 있다.
알루미늄 산질화 규화물이 비교적 높은 열 도전성을 갖고 있기 때문에, 배리 어 막들에 이를 사용하는 것은 소자내에 발생된 열의 효과적인 방산을 허용한다.
광 투과성을 가진 수지가 응력 이완 막(215b)을 위해 사용될 수 있다. 통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐, 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다. 본 실시 형태에서, 응력 이완 막이 아크릴을 적용하고, 이어서 베이킹함으로써, 형성된다.
실리콘 질화물 막이 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력하에서 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 수소와 질소를 도입한 상태로, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 실리콘 산질화물의 경우에, 막은 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력 하에서, 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 질소와, 이산화 질소와, 수소를 도입시키면서, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 대안적으로, 실리콘 산화물이 타겟으로서 사용될 수 있다.
배리어 막들(215a 및 215c) 각각이 50nm 내지 3㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 실리콘 질화물 막은 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
배리어 막들의 형성 방법은 스퍼터링에 한정되지 않으며; 성막 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절하게 결정될 수 있다. 예로서, 막은 LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등에 의해 형성될 수 있다.
응력 이완 막(215b)은 200nm 내지 2㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 아크릴 막이 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
이 방식으로, 단일 플라스틱 기판(212)을 이용하여 플렉시블 발광 디바이스를 얻을 수 있다.
플라스틱 기판의 내열성에 의해 제한되지 않고 반도체를 사용하는 소자(예로서, TFT)가 형성될 수 있기 때문에, 극도로 높은 성능을 갖는 발광 디바이스가 본 실시 형태에 따라 제조될 수 있다.
비록, 본 실시예에서, 제 1 접합 층(202)이 비정질 실리콘으로 제조되고, 할로겐 플로라이드를 함유하는 가스로 제거되지만, 본 발명은 이 구조에 제한되지 않는다. 제 1 접합층(202)의 재료 및 제거 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절히 결정될 수 있다. 제 1 접합층(202) 이외의, 제거되는 것이 바람직하지 못한 기판들, 다른 접합 층들, 소자들 및 막들이 제 1 접합층(202)의 제거와 함께 제거되지 않고, 그래서, 발광 디바이스의 동작에 영향을 미치지 않도록 제 1 접합층(202)의 재료 및 제거 방법을 결정하는 것이 중요하다. 또한, 제 1 접합층(202)의 재료가 제 1 접합층(202)의 제거 단계 이외의 프로세스에서 그 제거를 허용하지 않는 것이 중요하다.
비록, 폴리이미드 수지의 전구체인 폴리아믹 산 용액이, 추후 물로 제거되는 제 2 접합층(209)을 위해 사용되었지만, 본 발명의 구조는 이에 제한되지 않는다. 제 2 접합층(209)의 재료 및 제거 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절히 결정될 수 있다. 제 2 접합층(209) 이외의, 제거되는 것이 바람직하지 못한 기판들, 다른 접합 층들, 소자들 및 막들이 제 2 접합층(209)의 제거와 함께 제거되지 않고, 그래서, 발광 디바이스의 동작에 영향을 미치지 않도록 제 2 접합층(209)의 재료 및 제거 방법을 결정하는 것이 중요하다. 또한, 제 2 접합층(209)의 재료가 제 2 접합층(209)의 제거 단계 이외의 프로세스에서 그 제거를 허용하지 않는 것이 중요하다.
예로서, 레이저 빔의 방사에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 기화되는 유기 재료가 제 1 및 제 2 접합층들(202, 209)을 위해 사용될 수 있다. 부가적으로, YAG 레이저로부터의 제 2 고조파가 사용되는 경우에 상기 제 1 및 제 2 접합 층들(202 및 209)에 의해서만 효과적으로 레이저 빔이 흡수되도록, 레이저 빔 흡수성을 갖는 재료, 예로서, 착색된 또는 검정색 재료(예로서, 검정색 착색제를 함유하는 수지 재료)가 사용되는 것이 적합하다. 소자 형성 단계들에서의 열 처리에 의해 기화되지 않는 재료가 제 1 및 제 2 접합 층들(202 및 209)이 사용된다.
제 1, 제 2 및 제 3 접합층들 각각은 단일층 또는 다층일 수 있다. 비정질 실리콘 막 또는 DLC 막이 접합층과 기판 사이에 제공될 수 있다.
제 1 접합 층(202) 또는 제 2 접합 층(209)은 비정질 실리콘 막으로 형성될 수 있고, 기판은 추후 단계에서, 제 1 접합층(202) 또는 제 2 접합층(209)상으로의 레이저 빔의 방사에 의해 탈피될 수 있다. 이 경우에, 제 1 기판의 탈피를 촉진하기 위해서, 대량의 수소를 포함하는 비정질 실리콘 막을 사용하는 것이 적합하다. 비정질 실리콘 막 내에 함유된 수소는 레이저 빔의 방사에 의해 기화되고, 그래서, 기판이 쉽게 탈피될 수 있다.
레이저 빔으로서, 펄스 발진 또는 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 또는 YVO4 레이저가 사용될 수 있다. 제 1 기판이 탈피되는 경우에, 레이저 빔은 제 1 기판을 통해 제 1 접합층상으로 방사되며, 그래서, 제 1 기판의 탈피를 위해 제 1 접합층만이 기화된다. 제 2 기판이 탈피되는 경우에, 레이저빔은 제 2 기판을 통해 제 2 접합층상으로 방사되며, 그래서, 제 2 기판의 탈피를 위해 제 2 접합층만이 기화된다. 따라서, 제 1 또는 제 2 기판으로서, 적어도 방사된 레이저 빔이 그를 통해 통과하는, 제 3 기판들의 두께보다 큰 두께를 가진 기판, 일반적으로, 광 투과성을 가진 기판, 예로서, 유리 기판, 석영 기판 등을 사용하는 것이 적합하다.
본 발명에서, 레이저 빔이 제 1 또는 제 2 기판을 통과하는 것을 허용하기 위해서, 레이저 빔의 유형 및 제 1 기판의 유형을 적절히 선택하는 것이 필수적이다. 예로서, 석영 기판이 제 1 기판으로서 사용될 때, YAG 레이저(기본파(1064nm), 제 2 고조파(532nm), 제 3 고조파(355nm) 및 제 4 고조파(266nm))나, 엑시머 레이저(파장 : 308nm)가 순차적으로 석영 기판을 통과하는 것을 허용하는 선형 빔을 형성하도록 사용된다. 엑시머 레이저 빔은 유리 기판을 통과하지 못한다는 것을 인지하여야 한다. 따라서, 유리 기판이 사용될 때, YAG 레이저의 기본파, 제 2 고조파 또는 제 3 고조파, 바람직하게는, 제 2 고조파(파장 : 532nm)가, 순차적으로 유리기판을 통과하는 것이 허용되는 선형 빔을 형성하기 위해 사용된다.
대안적으로, 예로서, 제 1 접합층상에 유체(압력-적용 유체 또는 가스)를 분무함으로써(통상적으로 워터 제트법) 제 1 기판을 분리시키는 방법이 사용될 수 있다.
제 1 접합층이 비정질 실리콘 막으로 이루어지는 경우에, 제 1 접합층은 히드라진의 사용에 의해 제거될 수 있다.
대안적으로, 일본 특개평 8-288522호에 기술되어 있는 에칭에 의해 제 1 기판을 분리시키는 방법이 사용될 수 있다. 특히, 적용된 실리콘 산화물 막(SOG)은 그후 불화 수소에 의해 제거될 제 1 또는 제 2 접합층으로서 사용될 수 있다. 이 경우에, 제거되는 것이 바람직하지 못한 실리콘 산화물 막이 스퍼터링 또는 CVD법을 통해 미세 구조를 갖도록 형성되고, 그래서, 실리콘 산화물 막이 제 1 또는 제 2 접합층이 불화 수소에 의해 제거될 때, 높은 선택비를 제공하는 것이 중요하다.
이런 구조에서, 극도로 작은 두께, 특히, 50 내지 300㎛, 바람직하게는 150 내지 200㎛의 두께를 갖는 기판이 제 3 기판으로서 사용되는 경우에도, 높은 신뢰성을 가진 발광 디바이스가 얻어질 수 있다. 종래의 공지된 제조 장치들을 이용하여 이런 얇은 기판상에 소자를 형성하는 것은 어렵다. 그러나, 소자가 제 1 및 제 2 기판들상에 접합되어 형성되기 때문에, 얇은 기판을 사용하는 제조 장치들은 장치들을 개조하지 않고도 사용될 수 있다.
다층 절연막을 포함하는 밀봉 막을 이용함으로써, 습기 또는 산소의 침투로 인한 열화를 효과적으로 억제하는 것이 가능하다. 또한, 기판의 굴곡시 균열이 발생하는 것이 방지된다. 결과적으로, 개선된 유연성을 가진 발광 디바이스가 실현될 수 있다.
제 1 및 제 2 실시 형태들에서, OLED의 아노드 또는 캐소드 중 어느 하나가 화소 전극으로서 사용될 수 있다.
실시예들
이하, 본 발명의 실시예들을 설명한다.
(제 1 실시예)
제 1 실시예에서, 본 발명에 따른 발광 디바이스의 외관과, 그 FPC에 대한 접속이 설명된다.
도 5a는 제 1 실시 형태에 설명된, 본 발명에 따른 발광 디바이스의 평면도의 예를 도시하고 있다. 제 2 기판(301)과 제 3 기판(302)은 양자 모두 가요성을 갖는 플라스틱 기판들이다. 화소부(303)와 구동 회로들(소스측 구동 회로(304) 및 게이트측 구동 회로(305))이 제 2 기판(301)과 제 3 기판(302) 사이에 제공되어 있다.
도 5a에서, 소스측 구동 회로(304)와 게이트측 구동 회로(305)가 화소부(303)도 그위에 형성되어 있는 기판상에 형성되어 있는 예를 도시한다. 그러나, 소스측 구동 회로(304)와 게이트측 구동 회로(305)로 표시된 구동 회로들은 화소부(303)가 형성되어 있는 기판과는 상이한 기판상에 형성될 수 있다. 이 경우에, 구동 회로들은 FPC 등을 경유하여 화소부(303)에 연결될 수 있다.
소스측 구동 회로(304)와 게이트측 구동 회로(305)의 수 및 배열은 도 5a에 도시된 구조에 제한되지 않는다.
참조 부호 306은 FPC를 나타내며, 이를 경유하여, 제어기를 포함하는 IC로부 터의 신호나 소스 전압이 화소부(303), 소스측 구동 회로(304) 및 게이트측 구동 회로(305)에 공급된다.
도 5b는 FPC(306)와 제 2 기판(301)이 서로 접속되어 있는 도 5a에 점선으로 둘러싸여진 부분의 확대도이다. 도 5c는 도 5b의 A-A'선을 따라 취한 단면도이다.
신호나 소스 전압을 화소부(303), 소스측 구동 회로(304) 및 게이트측 구동 회로(305)에 공급하도록 연장되는 배선들(310)이 제 2 기판(301)과 제 3 기판(302) 사이에 제공되어 있다. 단자들(311)이 FPC(306)를 위해 제공되어 있다.
제 2 기판(301)과, 제 2 기판(301)과 연장된 배선들(310) 사이에 제공된 밀봉막 및 절연막 같은 다양한 막들이 콘택트 홀들(313)을 제공하기 위해 레이저 빔 등에 의해 부분적으로 제거되어 있다. 따라서, 복수의 연장된 배선들(310)이 콘택트 홀들(313)을 통해 노출되어 있으며, 각각 이방성을 가진 도전성 수지(312)를 통해 단자들(311)에 접속되어 있다.
비록, 연장된 배선들(310)이 제 2 기판(301)의 측면으로부터 부분적으로 노출되어 있는 예들이 도 5a 내지 도 5c에 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 대안적으로, 연장된 배선들은 제 3 기판(302)의 측면으로부터 부분적으로 노출될 수 있다.
도 6a는 굴곡된 상태로, 도 5a에 도시된 발광 디바이스를 도시하고 있다. 제 1 실시 형태에 기술된 발광 디바이스의 제 2 기판 및 제 3 기판 양자 모두가 가요성을 갖고 있기 때문에, 발광 디바이스는 도 6a에 도시된 바와 같이 소정 각도로 굴곡될 수 있다. 따라서, 이런 발광 디바이스는 굴곡된 표면을 갖는 디스플레이, 쇼 윈도우 등에 사용될 수 있기 때문에, 광범위한 응용 분야들을 가진다. 더욱이, 제 1 실시 형태에 기술된 발광 디바이스 뿐만 아니라, 제 2 실시 형태에 기술된 발광 디바이스도 유사하게 굴곡될 수 있다.
도 6b는 도 6a에 도시된 발광 디바이스의 단면도이다. 복수의 소자들이 제 2 기판(301)과 제 3 기판(302) 사이에 형성되어 있다. 여기에는, TFT들(303a, 303b 및 303c)와 OLED(304)가 각각 도시되어 있다. 파선(309)은 제 2 기판(301)과 제 3 기판(302) 사이의 중앙선을 나타낸다.
배리어 막(306a), 응력 이완 막(306b) 및 배리어 막(306c)(총체적으로 밀봉막(306)이라 지칭됨)이 제 2 기판(301)과 복수의 소자들 사이에 제공되어 있다. 배리어 막(307a), 응력 이완 막(307b) 및 배리어 막(307c)(총체적으로 밀봉막(307)이라 지칭됨)이 제 3 기판(302)과 복수의 소자들 사이에 제공되어 있다.
또한, 제 2 접합층(305)이 밀봉막(306)과 복수의 소자들 사이에 제공되어 있으며, 제 3 접합층(308)은 밀봉막(307)과 복수의 소자들 사이에 제공되어 있다.
다음에, 제 2 실시 형태에 설명된 발광 디바이스의 FPC에 대한 연결이 설명된다. 도 7은 제 2 실시 형태에 설명된 발광 디바이스와 FPC가 서로 연결되는 부분을 도시하는 단면도이다.
연장을 위한 배선(403)이 제 3 기판(401)상에 제공되어 있다. 밀봉막(402)이 연장을 위한 배선(403)과, 제 3 기판(401)상에 제공된 복수의 소자들을 덮도록 형성되어 있다. 비록, 밀봉막(402)이 단일층 막인 것으로 도 7에 도시되어 있지만, 밀봉막은 실제로 복수의 배리어 막들과 그들 사이에 개재되어 있는 응력 이완 막들 을 포함한다.
제 3 기판(401)과 연장된 배선(403) 사이에 제공된 절연막과 밀봉막(402) 같은 다양한 막들은 레이저 빔등에 의해 부분적으로 제거되어 콘택트 홀을 제공한다. 따라서, 연장된 배선(403)은 콘택트 홀을 통해 노출되고, 이방성을 가진 도전성 수지(406)를 통해 FPC(404)내에 포함된 단자(405)에 전기적으로 접속된다.
비록, 연장된 배선이 밀봉막(402)의 측면으로부터 부분적으로 노출되는 예가 도 7에 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 대안적으로, 연장된 배선은 제 3 기판의 측면으로부터 부분적으로 노출될 수 있다.
(제 2 실시예)
제 2 실시예에서, 본 발명에 따른 제 1 실시 형태의 예가 설명된다.
도 8a에서, 적용된 실리콘 산화물 막(SOG)으로 이루어진 제 1 접합층(502)이 100 내지 500nm(본 실시예에서는 300nm)의 두께를 갖도록 제 1 기판(501)상에 형성되어 있다. 비록, 본 실시예에서, 유리 기판이 제 1 기판(501)으로서 사용되지만, 석영 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 또는 세라막 기판이 대안적으로 사용될 수 있다. 추후 제조 단계들에서의 처리 온도를 견딜 수 있는 한, 소정의 재료가 제 1 기판(501)을 위해 사용될 수 있다.
SOG막 형성 방법으로서, 스핀 코팅에 의해 요오드 용액이 SOG 용액에 추가되고, 그후, 이것이 그로부터 요오드를 제거하기 위해 건조된다. 그후, 약 400℃에서 열처리가 수행되어 SOG 막을 형성한다. 본 실시예에서, 100nm의 두께를 가진 SOG막이 형성된다. 제 1 접합층(502)으로서 SOG 막을 형성하는 방법은 상술한 방법에 제 한되는 것은 아니다. 유기 SOG 및 무기 SOG 양자 모두가 SOG로서 사용될 수 있으며, 추후 단계에서 불화 수소로 제거될 수 있는 한, 소정의 SOG가 사용될 수 있다. 제거되는 것이 바람직하지 못한 실리콘 산화물막이 스퍼터링 또는 CVD법에 의해 미세 구조를 갖도록 형성되고, 그래서, 제 1 접합층이 불화 수소로 제거될 때, 높은 선택비를 제공하는 것이 중요하다.
다음에, Al로 이루어진 보호막이 저압 열간 CVD법, 플라즈마 CVD법, 스퍼터링법 또는 증발법에 의해 제 1 접합층(502)상에 형성된다. 본 실시예에서, Al로 이루어진 보호막(503)이 스퍼터링에 의해 제 1 접합층(502)상에 200nm의 두께를 갖도록 형성된다.
비록, Al이 본 실시예에서, 보호막(503)의 재료로서 사용되지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 제 1 접합층(502)의 제거시 제거되지 않고, 보호막(503)을 제거하는 단계 이외의 단계에서 제거되지 않는 재료를 선택하는 것이 중요하다. 또한, 보호막(503) 제거 단계에서, 다른 막들 및 기판들의 제거를 허용하지 않는 재료인 것이 중요하다. 보호막(503)은 제 1 접합층(502)이 제 1 기판(501)의 탈피를 위해 제거될 때, 제 1 기판(501)상에 형성된 소자를 보호하도록 기능한다.
다음에, 보호막(503)상에 소자가 형성된다(도 8b). 도 8b에서, 구동 회로내의 TFT들(504a, 504b)이 대표적인 소자들로서 도시되어 있다.
본 실시예에서, TFT(504a)는 n-채널 TFT이며, TFT(504b)는 p-채널 TFT이다. TFT들(504a 및 504b)은 CMOS를 형성한다.
TFT(504a)는 보호막(503)상에 형성된 제 1 전극(550)과, 제 1 전극(550)을 덮도록 형성된 절연막(551)과, 절연막(551)과 접촉하도록 형성된 반도체 막(552)과, 반도체막(552)과 접촉하도록 형성된 절연막(553), 및 절연막(553)과 접촉하는 제 2 전극(554)을 포함한다.
TFT(504b)는 제 1 전극(560)과, 제 1 전극(560)을 덮도록 형성된 절연막(551)과, 절연막(551)과 접촉하도록 형성된 반도체 막(562)과, 반도체막(562)과 접촉하도록 형성된 절연막(553), 및 절연막(553)과 접촉하는 제 2 전극(564)을 포함한다.
제 1 전극들(550 및 560)과 동시에 형성된 단자(570)가 보호막(503)상에 제공된다.
그후, 절연막(565)이 TFT들(504a 및 504b)을 덮도록 형성된다. 반도체 막(552) 및 단자(570)와 접촉하는 배선(571)과, 반도체막들(552 및 562)과 접촉하는 배선(572) 및 반도체 막(562)과 접촉하는 배선(573)이 절연막들(565, 551 및 553)을 통해 형성된 콘택트 홀들을 경유하여 형성된다.
절연막(574)은 배선들(571, 572 및 573)과, 절연막(565)을 덮도록 형성된다. 비록, 도시되어 있지는 않지만, OLED가 절연막(574)상에 형성된다.
그후, 절연막(508)이 이들 소자들을 덮도록 형성된다. 절연막(508)이 그 형성 이후에 보다 평탄한 표면을 갖는 것이 적합하다. 절연막(508)은 필수적으로 형성될 필요는 없다.
다음에, 도 8c에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(510)이 제 2 접합층(509)을 통해 제 1 기판에 접합된다. 플라스틱 기판이 본 실시예에서 제 2 기판(510)으로서 사용된다. 보다 명확하게, 10㎛ 또는 그 이상의 두께를 갖는 수지 기판, 예로서, PES(폴리에테르 설폰), PC(폴리카보네이트), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 또는 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트)로 제조된 기판이 제 2 기판(510)으로서 사용될 수 있다.
제 2 접합층(509)의 재료로서, 제 1 접합층(502)이 추후 단계에서 제거될 때, 높은 선택비를 제공할 수 있는 재료를 사용하는 것이 필요하다. 통상적으로, 수지로 제조된 절연막이 사용될 수 있다. 비록, 본 실시예에서, 폴리이미드가 사용되었지만, 아크릴, 폴리아미드 또는 에폭시 수지도 사용될 수 있다. 제 2 접합층(509)이 OLED로부터 볼 때, 관측자 측면(발광 디바이스 사용자의 측면)상에 배치되는 경우에, 재료는 광 투과성을 가질 필요가 있다.
또한, 본 실시예에서, 둘 이상의 배리어 막들이 제 2 기판(510)상에 형성된다. 그후, 응력 이완 막이 두 배리어 막들 사이에 제공된다. 결과적으로, 배리어 막들과, 응력 이완 막의 적층체 구조를 갖는 밀봉막이 제 2 기판(510)과 제 2 접합층(509) 사이에 형성된다.
예로서, 본 실시예에서, 실리콘 질화물로 이루어진 막이 스퍼터링에 의해 제 2 기판(510)상에 배리어 막(511a)으로서 형성되고; 폴리이미드를 함유하는 응력 이완 막(511b)이 배리어막(511a)상에 형성되며; 실리콘 질화물로 이루어진 막이 응력 이완 막(511b)상에 스퍼터링에 의해 배리어 막(511c)으로서 형성된다. 배리어막(511a), 응력 이완막(511b) 및 배리어막(511c)의 적층체 막은 총체적으로 밀봉막(511)이라 지칭된다. 그후, 그 위에 밀봉막(511)이 형성된 제 2 기판(510)이 제 2 접합층(509)을 통해 제 1 기판상에 형성된 소자에 접합된다.
둘 이상의 배리어막들을 제공하는 것으로 충분하다. 배리어막의 재료로서, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 또는 알루미늄 산질화 규화물(AlSiON)이 사용될 수 있다.
광 투과성을 가진 수지가 응력 이완 막(511b)을 위해 사용될 수 있다. 통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐, 에폭시 수지등이 사용될 수 있다. 본 실시예에서, 응력 이완 막은 열적으로 중합될 수 있는 폴리이미드를 적용하고, 그후 베이킹함으로써, 형성된다.
실리콘 질화물 막은 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력하에서 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 수소와 질소를 도입한 상태로, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 실리콘 산질화물의 경우에, 막은 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력 하에서, 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 질소와, 이산화 질소와, 수소를 도입시키면서, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 대안적으로, 실리콘 산화물이 타겟으로서 사용될 수 있다.
배리어 막들(511a 및 511c) 각각이 50nm 내지 3㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시예에서, 실리콘 질화물 막이 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
배리어 막들의 형성 방법은 스퍼터링에 한정되지 않으며; 성막 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절하게 결정될 수 있다. 예로서, 막은 LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등에 의해 형성될 수 있다.
응력 이완 막(511b)은 200nm 내지 2㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시예에서, 폴리이미드 막이 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
제 1 및 제 2 배리어층들(511a 및 511c)과, 응력 이완층(511b)에 대하여, 제 1 접합층(502)이 추후 단계에서 제거될 때, 높은 선택비를 제공하는 재료들을 사용하는 것이 필요하다.
도 8c에 도시된 프로세스로 인해, OLED는 공기로부터 완전히 격리될 수 있다. 결과적으로, 산소로 인한 유기 발광 재료의 열화가 실질적으로 완전히 억제될 수 있으며, 그에 의해, OLED의 신뢰성이 현저히 개선된다.
다음에, 도 8d에 도시된 바와 같이, 제 1 접합층(502)이 불화 수소로 제거된다. 본 실시예에서, 제 1 및 제 2 기판들(501, 510)과 그들 사이에 형성되어 있는 모든 원소들 및 전체 막들이 버퍼링된 불화수소산(HF/NH4F = 0.01 내지 0.2, 예로서 0.1)내에 침지되어 제 1 접합층(502)이 제거된다.
제거되는 것이 바람직하지 못한 실리콘 산화물막이 스퍼터링 또는 CVD법에 의해 형성된 미세막으로 이루어지기 때문에, 단지 제 1 접합층만이 불화 수소로 제거되게 된다.
본 실시예의 경우에, 제 1 접합층(502)이 그 노출된 에지 부분들로부터 점진적으로 에칭된다. 제 1 기판(501)과 보호막(503)은 제 1 접합층(502)이 완전히 제거될 때, 서로 분리된다. 제 1 접합층(502)의 제거 이후에, 각각 박막들의 적층체를 포함하는 TFT들과 OLED가 제 2 기판(510)상에 남게 된다.
그 에지들로부터 제 1 접합층(502)을 완전히 제거하기 위해 소요되는 시간이 제 1 기판의 크기가 커지는 것과 함께 길어지게 되기 때문에, 대형 기판은 제 1 기판(501)으로서 부적합하다. 따라서, 본 실시예는 3인치 또는 그 이하(바람직하게는, 1인치 또는 그 이하)의 대각선을 갖는 제 1 기판(501)을 위해 수행되는 것이 적합하다.
다음에, 도 9a에 도시된 바와 같이, 보호막(503)이 제거된다. 본 실시예에서, 단자(570)와 제 1 전극들(550 및 560)을 노출시키도록 인산형 에칭제로 습식에칭함으로써, Al로 이루어진 보호막(503)이 제거된다.
그후, 도 9b에 도시된 바와 같이, 이방성을 가진 도전성 수지로 이루어진 제 3 접합층(513)이 형성된다. 제 3 접합층(513)을 통해, 제 3 기판(512)이 단자(570)와 제 1 전극들(550 및 560)이 노출되는 측면에 부착된다.
본 실시예에서, 플라스틱 기판이 제 3 기판(512)으로서 사용된다. 보다 명확하게, 10㎛ 이상의 두께를 가진 수지 기판, 예로서, PES(폴리에테르 설폰), PC(폴리카보네이트), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 또는 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트)로 제조된 기판이 제 3 기판(512)으로서 사용될 수 있다.
제 3 접합층(513)으로서, 수지(통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드 또는 에폭시 수지)로 제조된 절연막이 사용될 수 있다. 제 3 접합층(513)이 OLED로부터 볼 때, 관측자 측면에 배치되는 경우에, 재료는 광 투과성을 가져야할 필요가 있다.
본 실시예에서, 둘 이상의 배리어 막들이, 제 3 기판(512)상에 형성된다. 그 후, 응력 이완 막이 두 배리어 막들 사이에 제공된다. 결과적으로, 배리어 막들과 응력 이완 막의 적층체 구조를 갖는 밀봉막이 제 3 기판(512)과 제 3 접합층(513) 사이에 형성된다.
예로서, 본 실시예에서, 실리콘 질화물로 이루어진 막이 제 3 기판(512)상에 스퍼터링에 의해 배리어막(514a)으로서 형성되고; 폴리이미드를 포함하는 응력 이완막(514b)이 배리어막(514a)상에 형성되며; 실리콘 질화물로 이루어진 막이 스퍼터링에 의해 응력 이완막(514b)상에 배리어 막(514c)으로서 형성된다. 배리어막(514a), 응력 이완막(514b) 및 배리어막(514c)의 적층체 막은 총체적으로 밀봉막(514)이라 지칭된다. 그후, 그 위에 밀봉막(514)이 형성된 제 3 기판(512)이 제 3 접합층(513)을 통해 제 2 기판(510)상으로 고정된 소자에 접합된다.
둘 또는 그 이상의 배리어 막들을 제공하는 것으로 충분하다. 배리어 막들의 재료로서, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산질화물 또는 알루미늄 산질화 규화물(AlSiON)이 사용될 수 있다.
광 투과성을 가진 수지가 응력 이완 막(514b)을 위해 사용될 수 있다. 통상적으로, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드 아미드, 벤조사이클로부텐, 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다. 본 실시예에서, 열적으로 중합될 수 있는 폴리 이미드를 적용하고, 이어서 베이킹함으로써, 응력 이완 막이 형성된다.
실리콘 질화물 막이 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력하에서 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 수소와 질소를 도입한 상태로, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 실리콘 산질화물의 경우에, 막은 약 0.4Pa의 스퍼터링 압력 하에서, 150℃로 유지되는 기판 온도에서 아르곤을 도입시킴으로써 형성된다. 성막은 아르곤에 부가하여 질소와, 이산화 질소와, 수소를 도입시키면서, 타겟으로서 실리콘을 이용하여 수행된다. 대안적으로, 실리콘 산화물이 타겟으로서 사용될 수 있다.
배리어 막들(514a 및 514c) 각각이 50nm 내지 3㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시예에서, 실리콘 질화물 막은 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
배리어 막들의 형성 방법은 스퍼터링에 한정되지 않으며; 성막 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절하게 결정될 수 있다. 예로서, 막은 LPCVD법, 플라즈마 CVD법 등에 의해 형성될 수 있다.
응력 이완 막(114b)은 200nm 내지 2㎛의 범위의 두께를 갖는 것이 적합하다. 본 실시 형태에서, 폴리이미드 막이 1㎛의 두께를 갖도록 형성된다.
그후, 레이저 빔등의 방사에 의해 제 3 기판(512)과, 밀봉막(514)을 통해 콘택트 홀이 형성된다. Al은 접촉구멍이 형성되어 있는 제 3 기판의 일부와 그 주변상에서 증발되고, 그에 의해, 제 3 기판(512)의 각 표면들상에 단자들(580, 581)을 형성하며, 이는 서로 전기적으로 접속된다. 단자들(580 및 581)의 형성 방법은 상술한 구조에 제한되지 않는다.
제 3 기판(512)상에 형성된 단자(580)는 제 1 전극들(550 및 560)과 동시에 형성된 단자(570)에 제 3 접합층(513)을 통해 전기적으로 접속된다.
이 방식으로, 플라스틱 기판들(510 및 512) 사이에 개재되어 있는 플렉시블 발광 디바이스가 얻어질 수 있다. 제 2 기판(510)과 제 3 기판(512)을 위해 동일 재료를 사용하면, 기판들(510 및 512)은 동일 열 팽창 계수를 갖는다. 결과적으로, 기판들(510 및 512)은 온도 변화로 인한 응력 변형에 의해 잘 영향을 받지 않을 수 있다.
도 9c에 도시된 바와 같이, 제 3 접합층(513)과 접촉하지 않지만, 제 3 기판(512)과 접촉하도록 형성된 단자(581)와, FPC(590)에 포함된 단자(591)가 이방성을 갖는 전기 도전성 수지로 이루어진 제 4 접합층(592)을 통해 서로 접속된다.
본 실시예에 따라 제조된 발광 디바이스는 플라스틱 기판의 내열성에 의해 제한되지 않고 반도체(예로서, TFT)를 사용하는 소자의 제조를 가능하게 한다. 따라서, 극도로 높은 성능을 가진 발광 디바이스가 얻어질 수 있다.
비록, 본 실시예에서, 제 1 접합층(502)이 SOG로 이루어지고, 불화 수소로 제거되었지만, 본 발명은 이 구조에 제한되지 않는다. 제 1 접합층(502)의 재료 및 제거 방법은 본 발명의 실시자에 의해 적절히 결정될 수 있다. 제거되는 것이 바람직하지 못한 제 1 접합층(502) 이외의 기판들, 소자들 및 막들이 제 1 접합층(502)의 제거와 함께 제거되지 않고, 발광 디바이스의 동작에 영향을 미치치 않도록 제 1 접합층(502)의 재료 및 제거 방법을 결정하는 것이 중요하다. 더욱이, 제 1 접합층(502)의 재료가 제 1 접합층(502)의 제거 단계 이외의 프로세스에서 그 제거를 허용하지 않는 것도 중요하다.
예로서, 레이저 빔의 방사에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 기화되는 유기 재료가 제 1 접합층(502)으로서 사용될 수 있다. 부가적으로, YAG 레이저로부터의 제 2 고조파가 사용되는 경우에 단지 제 1 접합 층(502)에 의해서만 효과적으로 레이저 빔이 흡수되도록, 레이저 빔 흡수성을 갖는 재료, 예로서, 착색된 또는 검정색 재료(예로서, 검정색 착색제를 함유하는 수지 재료)가 사용되는 것이 적합하다. 소자 형성 단계들에서의 열 처리에서 기화되지 않는 제 1 접합 층(502)이 사용된다.
제 1, 제 2 및 제 3 접합층들 각각은 단일층 또는 다층일 수 있다. 비정질 실리콘 막 또는 DLC 막이 접합층과 기판 사이에 제공될 수 있다.
제 1 접합 층(502)은 비정질 실리콘 막으로 형성될 수 있고, 제 1 기판은 추후 단계에서, 제 1 접합층(502)상으로의 레이저 빔의 방사에 의해 탈피될 수 있다. 이 경우에, 제 1 기판의 탈피를 촉진하기 위해서, 대량의 수소를 포함하는 비정질 실리콘 막을 사용하는 것이 적합하다. 비정질 실리콘 막 내에 함유된 수소는 레이저 빔의 방사에 의해 기화되고, 그래서, 제 1 기판이 쉽게 탈피될 수 있다.
레이저 빔으로서, 펄스 또는 연속파 엑시머 레이저, YAG 레이저 또는 YVO4 레이저가 사용될 수 있다. 레이저 빔은 제 1 기판을 통해 제 1 접합층상으로 방사되며, 그래서, 제 1 기판을 탈피시키기 위해 제 1 접합층만이 기화된다. 따라서, 제 1 기판으로서, 적어도 방사된 레이저 빔이 그를 통해 통과하는 제 2 및 제 3 기판들의 두께보다 두꺼운 기판, 일반적으로, 광 투과성을 가진 기판, 예로서, 유리 기판, 석영 기판 등을 사용하는 것이 적합하다.
본 발명에서, 레이저 빔이 제 1 기판을 통과하는 것을 허용하기 위해서, 레이저 빔 및 제 1 기판의 유형을 적절히 선택하는 것이 필수적이다. 예로서, 석영 기판이 제 1 기판으로서 사용될 때, YAG 레이저(기본파(1064nm), 제 2 고조파(532nm), 제 3 고조파(355nm) 및 제 4 고조파(266nm))나, 엑시머 레이저(파장 : 308nm)가 순차적으로 석영 기판을 통과하는 것을 허용하는 선형 빔을 형성하도록 사용된다. 엑시머 레이저 빔은 유리 기판을 통과하지 못한다는 것을 인지하여야 한다. 따라서, 제 1 기판으로서 유리 기판이 사용될 때, YAG 레이저의 기본파, 제 2 고조파 또는 제 3 고조파, 바람직하게는, 제 2 고조파(파장 : 532nm)가, 순차적으로 유리기판을 통과하는 것이 허용되는 선형 빔을 형성하기 위해 사용된다.
대안적으로, 제 1 접합층상에 유체(압력-적용 유체 또는 가스)를 분무함으로써(통상적으로 워터 제트법) 제 1 기판을 분리시키는 방법 또는 본 방법의 조합이 사용될 수 있다.
제 1 접합층이 비정질 실리콘 막으로 이루어지는 경우에, 제 1 접합층은 히드라진을 이용함으로써 제거될 수 있다.
대안적으로, 일본 특개평 8-288522호에 기술되어 있는 에칭에 의해 제 1 기판을 분리시키는 방법이 사용될 수 있다. 특히, 적용된 실리콘 산화물 막(SOG)은 그후 불화 수소에 의해 제거되는 제 1 접합층으로서 사용될 수 있다. 이 경우에, 제거되는 것이 바람직하지 못한 실리콘 산화물 막이 스퍼터링 또는 CVD법을 통해 미세 구조를 갖도록 형성되고, 그래서, 실리콘 산화물 막이 제 1 접합층이 불화 수소에 의해 제거될 때, 높은 선택비를 제공하는 것이 중요하다.
이런 구조에서, 극도로 작은 두께, 특히, 50 내지 300㎛, 바람직하게는 150 내지 200㎛의 두께를 갖는 기판들이 제 2 및 제 3 기판들로서 사용되는 경우에도, 높은 신뢰성을 가진 발광 디바이스가 얻어질 수 있다. 종래의 공지된 제조 장치들을 이용하여 이런 얇은 기판상에 소자를 형성하는 것은 어렵다. 그러나, 소자가 제 1 기판상에 접합되어 형성되기 때문에, 제조 장치들은 장치들을 개조하지 않고도 두꺼운 기판을 이용함으로써 사용될 수 있다.
다층 절연막을 포함하는 밀봉 막을 이용함으로써, 습기 또는 산소의 침투로 인한 열화를 효과적으로 억제하는 것이 가능하다. 또한, 기판의 굴곡시 균열이 발생하는 것이 방지된다. 결과적으로, 개선된 유연성을 가진 발광 디바이스가 실현될 수 있다.
(제 3 실시예)
본 실시예에서, 화소부와, 화소부의 주변에 배열된 구동회로(소스 신호 라인 드라이버 회로 및 게이트 신호 라인 드라이버 회로)의 TFT를 형성하는 방법이 상세히 설명된다. 본 실시예에서, 드라이버 회로와 관련하여, CMOS 회로는 단지 단순한 설명을 위해 기본 유니트로서 도시되어 있다.
먼저, 도 10a에 도시된 바와 같이, 비정질 실리콘막으로 형성된 제 1 접합막(5001)이, CORNING 코포레이션 등의 #7059 유리 및 #1737 유리에 의해 대표되는 알루미노 보로실리케이트 유리나 바륨 보로실리케이트 유리 같은 유리로 형성된 제 1 기판(5000)상에 100 내지 500nm(바람직하게는, 300nm)의 두께로 형성된다. 제 1 접합막(5001)은 저압 CVD법, 플라즈마 CVD법, 스퍼터링법 또는 증발법 등의 사용에 의해 형성된다. 제 1 접합막(5001)은 본 실시예에서, 스퍼터링법을 이용하여 형성 된다.
다음에, 실리콘 산화물 막, 실리콘 산질화물 막 또는 실리콘 질화물 산화물 막 같은 절연막으로 형성된 기저막(5002)이 제 1 접합막(5001)상에 형성된다. 기저막(5002)은 기판(5000)을 탈피하기 위해 제 1 접합층(5001)이 제거될 때, 기판(5000)상에 형성된 소자를 보호하는 효과를 가진다. 예로서, 플라즈마 CVD법에 의해 SiH4, NH3 및 N2O로 형성된, 10 내지 200nm(바람직하게는 50 내지 100nm)의 두께를 갖는 실리콘 질화물 산화물 막이 형성된다. 유사하게, SiH4와 N2O로 형성된, 50 내지 200nm(바람직하게는 100 내지 150nm)의 두께를 갖는 수화(hydrogenation)된 실리콘 질화물 산화물 막이 그 위에 적층된다. 본 실시예에서, 기저막(5002)은 2층 구조를 갖지만, 상술한 절연막들 중 하나로 이루어진 단층막으로서 형성되거나, 상술한 절연막들로 이루어진 둘 이상의 층들을 갖는 적층체막으로서 형성될 수도 있다.
아일랜드형 반도체층들(5003 내지 5006)이 비정질 구조를 갖는 반도체막상에 레이저 결정화 또는 공지된 열적 결정화를 수행함으로써 얻어진 결정 반도체막으로부터 형성된다. 이들 아일랜드형 반도체 층들(5003 내지 5006) 각각은 25 내지 80nm(바람직하게는 30 내지 60nm)의 두께를 가진다. 결정 반도체막의 재료에는 어떠한 제한도 부여되지 않지만, 결정 반도체막은 실리콘, 실리콘 게르마늄(SiGe) 합금등으로 형성되는 것이 적합하다.
결정 반도체 막이 레이저 결정화 방법에 의해 제조될 때, 펄스 발진형 또는 연속 발광형의 엑시머 레이저, YAG 레이저 및 YVO4 레이저가 사용된다. 이들 레이저들이 사용될 때, 레이저 방출 디바이스로부터 방사된 레이저 빔이 광학 시스템에 의해 선형 형상으로 수렴되고 그후, 반도체막으로 조사되는 방법을 사용하는 것이 적합하다. 결정화 조건은 작업자에 의해 적절히 선택된다. 엑시머 레이저가 사용될 때, 펄스 발진 주파수는 300Hz로 설정되고, 레이저 에너지 밀도는 100 내지 400mJ/cm2(통상적으로 200 내지 300 mJ/cm2)으로 설정된다. YAG 레이저가 사용될 때, 펄스 발진 주파수는 그 제 2 하모닉을 이용함으로써, 30 내지 300kHz로 설정되며, 레이저 밀도는 300 내지 600mJ/cm2(통상적으로, 350 내지 500mJ/cm2)으로 설정되는 것이 적합하다. 선형 형상으로 수렴되고, 100 내지 1000㎛, 예로서, 400㎛의 폭을 갖는 레이저 빔이 전체 기판면에 조사된다. 이때, 선형 레이저 빔의 중첩비는 50 내지 90%로 설정된다.
다음에, 아일랜드형 반도체 층들(5003 내지 5006)을 덮는 게이트 절연막(5007)이 형성된다. 게이트 절연막(5007)은 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터링법에 의해 40 내지 150nm의 두께를 갖는 실리콘을 함유하는 절연막으로부터 형성된다. 본 실시예에서, 게이트 절연막(5007)은 120nm 두께의 실리콘 질화물 산화물 막으로부터 형성된다. 그러나, 게이트 절연막은 이런 실리콘 질화물 산화물 막에 제한되는 것은 아니며, 단층 또는 적층된 층 구조를 갖는, 다른 것을 함유하는 절연막일 수 있다. 예로서, 실리콘 산화물 막이 사용될 때, TEOS(테트라에틸 오르소실리케이 트) 및 O2가 플라즈마 CVD법에 의해 혼합되고, 반응 압력은 40Pa로 설정되며, 기판 온도는 300 내지 400℃로 설정되고, 고주파수(13.56MHZ) 출력 밀도는 전기 방전을 위해 0.5 내지 0.8W/cm2으로 설정된다. 따라서, 실리콘 산화물 막은 방전에 의해 형성될 수 있다. 이 방식으로 제조된 실리콘 산화물 막은 그후, 400 내지 500℃에서의 열적 어닐링에 의해 게이트 절연막으로서 적합한 특성들을 획득할 수 있다.
게이트 전극을 형성하기 위한 제 1 도전막(5008)과 제 2 도전막(5009)이 게이트 절연막(5007)상에 형성된다. 본 실시예에서, 50 내지 100nm의 두께를 갖는 제 1 도전막(5008)이 Ta로부터 형성되고, 100 내지 300nm의 두께를 갖는 제 2 도전막(5009)이 W로부터 형성된다.
Ta막은 스퍼터링법에 의해 형성되고, Ta의 타겟은 Ar에 의해 스퍼터링된다. 이 경우에, 적절한 양의 Xe 및 Kr이 Ar에 추가될 때, Ta막의 내부 응력이 해제되고, 이 막의 탈피가 방지될 수 있다. α상(phase)의 Ta막의 고유저항은 약 20μΩcm이고, 이 Ta 막은 게이트 전극을 위해 사용될 수 있다. 그러나, β상의 Ta막의 고유저항은 약 180 μΩcm이며, 게이트 전극을 위해 적합하지 않다. Ta의 α상의 결정 구조에 근접한 결정 구조를 가지며, 약 10 내지 50nm의 두께를 갖는 탄탈륨 질화물이 α상의 Ta막을 형성하기 위해 Ta막을 위한 베이스로서 미리 형성될 때, α상의 Ta막이 쉽게 얻어질 수 있다.
W막은 타겟으로서 W를 이용하여 스퍼터링법에 의해 형성된다. 부가적으로, W막은 또한 텅스텐 헥사플로라이드(WF6)를 이용하여 열적 CVD법에 의해서 형성될 수 도 있다. 어떠한 경우라도, 이 막을 게이트 전극으로서 사용하기 위해 저항을 감소시키는 것이 필수적이다. W막의 고유저항을 20μΩcm 이하로 설정하는 것이 적합하다. W막의 결정 입자들이 크기가 증가할 때, W막의 고유저항은 감소될 수 있다. 그러나, 산소 등의 많은 불순물 원소들이 W막내에 존재할 때, 결정화가 방지되고, 고유저항이 증가된다. 따라서, 스퍼터링법의 경우에, 순도가 99.9999% 또는 99.99%인 W 타겟이 사용되며, 막이 형성될 때, W 막내로 가스 상으로부터 불순물들이 혼입되지 않도록 충분한 주의를 기울임으로써 W막이 형성된다. 따라서, 9 내지 20μΩcm의 고유저항이 실현될 수 있다.
본 실시예에서, 제 1 도전막(5008)은 Ta로부터 형성되고, 제 2 도전막(5009)은 W로부터 형성된다. 그러나, 본 발명은 이 경우에 제한되지 않는다. 이들 도전막들 각각은 Ta, W, Ti, Mo, Al 및 Cu나, 이들 원소들을 주 성분들로 갖는 합금 재료 또는 합성 재료로부터 선택된 원소로 형성될 수도 있다. 또한, 인같은 불순물 원소로 도핑된 다결정 실리콘막으로 대표되는 반도체막도 사용될 수 있다. 본 실시예에 도시된 것들 이외의 조합들의 예는 제 1 도전막(5008)이 탄탈륨 질화물(TaN)로부터 형성되고, 제 2 도전막(5009)이 W로부터 형성되는 조합; 제 1 도전막(5008)이 탄탈륨 질화물(TaN)으로부터 형성되고, 제 2 도전막(5009)이 Al로부터 형성되는 조합 및; 제 1 도전막(5008)이 탄탈륨 질화물(TaN)로부터 형성되고, 제 2 도전막(5009)이 Cu로부터 형성되는 조합을 포함한다.
다음에, 마스크(5010)가 레지스트로부터 형성되고, 전극 및 배선을 형성하기 위한 제 1 에칭 처리가 수행된다. 본 실시예에서, ICP(유도 결합 플라즈마) 에칭법 이 사용되고, CF4 및 Cl2가 에칭을 위한 가스와 혼합된다. 500W의 RF(13.56MHZ) 전력이 1Pa의 압력에서 코일형의 전극에 적용되고, 그래서, 플라즈마가 생성된다. 100W 전력의 RF(13.56MHZ)도 기판측(샘플 스테이지)에 적용되고, 실질적으로 음의 자기 바이어스 전압이 적용된다. CF4 및 Cl2가 혼합될 때, W막과 Ta막은 동일한 범위로 에칭된다.
상술한 에칭 조건하에서, 제 1 도전층과 제 2 도전층의 단부 부분들은 레지스트로부터 형성된 마스크의 형상을 적절한 형상으로 함으로써, 기판측에 적용된 바이어스 전압의 효과들에 의해 테이퍼 형상으로 형성된다. 테이퍼부의 각도는 15°내지 45°로 설정된다. 게이트 절연막상에 잔류물을 남기지 않는 에칭을 수행하도록, 약 10 내지 20%의 비율만큼 에칭 시간을 증가시키는 것이 적합하다. W막에 대한 실리콘 질화물 산화물 막의 선택비가 2 내지 4(통상적으로는 3)의 범위이기 때문에, 실리콘 질화물 산화물 막의 노출된 표면은 과에칭 처리에 의해 약 20 내지 50nm만큼 에칭된다. 따라서, 제 1 및 제 2 도전층들로 이루어진 제 1 형상의 도전층들(5011 내지 5016)(제 1 도전층들(5011a 내지 5016a)과 제 2 도전층들(5011b 내지 5016b))이 제 1 에칭 처리에 의해 형성된다. 제 1 형상의 도전층들(5011 내지 5016)로 피복되지 않은 영역은 게이트 절연막(5007)에서 약 20 내지 50nm만큼 에칭되며, 그래서 얇아진 영역이 형성된다(도 10a 참조).
그후, n-형 도전성을 제공하기 위한 불순물 원소가 제 1 도핑 처리를 수행함으로써 추가된다. 도핑 방법은 이온 도핑법 또는 이온 주입법 중 어느 한쪽일 수 있다. 이온 도핑법은 투입량이 1x1013 내지 5x1014atoms/cm2으로 설정되고, 가속 전압이 60 내지 100keV로 설정되는 조건하에서 수행된다. 그룹 15에 속하는 원소, 통상적으로, 인(P) 또는 비소(As)가 n-형 도전성을 제공하기 위한 불순물 원소로서 사용된다. 그러나, 여기서는 인(P)이 사용된다. 이 경우에, 도전층들(5011 내지 5015)은 n-형 도전성을 제공하기 위한 불순물 원소에 대한 마스크들로서 기능하고, 제 1 불순물 영역들(5017 내지 5025)은 자기 정렬 방식으로 형성된다. n-형 도전성을 제공하기 위한 불순물 원소가 제 1 불순물 영역들(5017 내지 5025)에 1x1020 내지 1x1021atoms/cm3의 농도 범위에서 추가되게 된다(도 10b 참조).
도 10c에 도시된 바와 같이, 레지스트 마스크를 제거하지 않고 다음에 제 2 에칭 처리가 수행된다. W막이 CF4, Cl2 및 O2를 이용하여 선택적으로 에칭된다. 제 2 형상의 도전층들(5026 내지 5031)(제 1 도전층들(5026a 내지 5031a)과 제 2 도전층들(5026b 내지 5031b))이 제 2 에칭 처리에 의해 형성된다. 제 2 형상의 도전층들(5026 내지 5031)로 덮혀져 있지 않은 게이트 절연막(5007)의 영역은 약 20 내지 50nm만큼 추가로 에칭되고, 그래서, 얇아진 영역이 형성된다.
CF4와 Cl2의 혼합 가스와 Ta막을 사용하는 W막의 에칭에서의 에칭 반응은 생성된 라디칼 또는 이온 종들과 반응 부산물들의 증기압으로부터 추정될 수 있다. W와 Ta의 불화물과 염화물의 증기압들이 비교될 때, W의 불화물로서의 WF6의 증기압은 극도로 높고, 다른 WCl5, TaF5, TaCl5의 증기압들은 거의 서로 동일하다. 따라 서, W막과 Ta막 양자 모두가 CF4와 Cl2의 혼합 가스를 이용하여 에칭된다. 그러나, 적절한 양의 O2가 이 혼합 가스에 추가될 때, CF4와 O2는 반응하고, Co와 F가 되며, 그래서, 대량의 F-라디칼들이나 F-이온들이 생성된다. 결과적으로, 그 불화물이 높은 증기압을 갖는 W막의 에칭 속도가 증가된다. 이에 대조적으로, F가 증가될 때의 Ta막에 대해서는 에칭 속도의 증가가 상대적으로 작다. Ta가 W에 비해 쉽게 산화되기 때문에, Ta막의 표면은 O2를 추가하는 것에 의해 산화된다. 어떠한 Ta의 산화물도 불화물 또는 염화물과 반응하지 못하기 때문에, Ta 막의 에칭 속도는 추가로 감소된다. 따라서, W 막과 Ta 막 사이의 에칭 속도에 편차를 만드는 것이 가능하고, 그래서, W 막의 에칭 속도가 Ta 막의 에칭 속도보다 높게 설정될 수 있다.
도 11a에 도시된 바와 같이, 그후, 제 2 도핑 처리가 수행된다. 이 경우에, 제 1 도핑 처리에서의 투입량보다 낮게 투입량을 감소시킴으로써, 제 1 도핑 처리에서 보다 작은 투입량과 높은 가속 전압에서 n-형 도전성을 제공하기 위한 불순물 원소가 투입된다. 예로서, 가속 전압은 70 내지 120keV로 설정되고, 투입량은 1x1013atoms/cm2으로 설정된다. 따라서, 새로운 불순물 영역이 도 10b에서 아일랜드형 반도체 층내에 형성된 제 1 불순물 영역 내측에 형성된다. 도핑시, 제 2 형상의 도전층들(5026 내지 5030)이 불순물 원소에 대한 마스크들로서 사용되고, 불순물 원소가 제 1 도전층들(5026a 내지 5030a) 아래측의 영역들에도 추가되도록 도핑이 수행된다. 따라서, 제 3 불순물 영역들(5032 내지 5041)이 형성된다. 제 3 불순물 영역들(5032 내지 5036)은 제 1 도전층들(5026a 내지 5030a)의 테이퍼부들내의 두 께 구배와 부합되는 완만한 농도 구배로 인(P)을 함유한다. 제 1 도전층들(5026a 내지 5030a)의 테이퍼부들과 중첩하는 반도체 층들에서, 불순물 농도는 제 1 도전층들(5026a 내지 5030a)의 테이퍼부들의 에지들에서 보다 중앙 둘레에서 다소 낮다. 그러나, 편차는 매우 미소하고, 거의 동일한 불순물 농도가 반도체 층들 전체에 걸쳐 유지된다.
그후, 제 3 에칭 처리가 도 11b에 도시된 바와 같이 수행된다. CHF6가 에칭 가스로서 사용되고, 반응성 이온 에칭(RIE)이 사용된다. 제 3 에칭 처리를 통해, 제 1도전층들(5026a 내지 5031a)의 테이퍼부들이 부분적으로 에칭되어 제 1 도전층들이 반도체 층들에 중첩되는 영역들을 감소시킨다. 따라서, 제 3 형상 도전층들(5037 내지 5042)(제 1 도전층들(5037a 내지 5042a)와 제 2 도전층들(5037b 내지 5042b)이 형성된다. 이 시점에서, 제 3 형상 도전층들(5037 내지 5042)로 덮여지지 않은 게이트 절연막(5007)의 영역들이 추가로 에칭되고, 약 20 내지 50nm 만큼 얇아진다.
제 3 불순물 영역들(5032 내지 5036)이 제 3 에칭 처리를 통해 형성된다. 제 1 도전층들(5037a 내지 5041a)과 각각 중첩하는 제 3 불순물 영역들(5032a 내지 5036a)과 제 2 불순물 영역들(5032b 내지 5036b)이 각각 제 1 불순물 영역과 제 3 불순물 영역 사이에 형성된다.
도 11c에 도시된 바와 같이, 제 1 도전형에 대해 반대 도전형을 가진 제 4 불순물 영역들(5043 내지 5054)이 p-채널 TFT들을 형성하기 위해 아일랜드형 반도 체층들(5004 및 5006)내에 형성된다. 제 3 형상 도전층들(5038b 및 5041b)은 불순물 원소에 대한 마스크들로서 사용되고, 불순물 영역들은 자기 정렬 방식으로 형성된다. 이 시점에서, n-채널 TFT들을 형성하기 위한 아일랜드형 반도체 층들(5003 및 5005)과 배선부(5042)는 전체적으로 레지스트 마스크(5200)로 덮여지게 된다. 불순물 영역들(5043 내지 5054)은 상이한 농도들의 인으로 이미 도핑되어 있다. 불순물 영역들(5043 내지 5054)은 디보란이 각 영역내의 인보다 우세해지고, 각 영역이 2x1020 내지 2x1021atoms/cm3 농도의 불순물 원소들을 함유하도록 이온 도핑을 통해 디보란(B2H6)으로 도핑된다.
상술한 단계들을 통해, 불순물 영역들이 각 아일랜드형 반도체 층들내에 형성된다. 아일랜드형 반도체 층들과 중첩하는 제 3 형상 도전층들(5037 내지 5041)은 게이트 전극들로서 기능한다. 참조 부호(5042)는 아일랜드형 소스 신호 라인으로서 기능한다.
레지스트 마스크(5200)가 제거된 이후에, 아일랜드형 반도체 층들에 추가된 불순물 원소들을 활성화하는 단계가 수행되어 도전형을 제어한다. 이 프로세스는 노 어닐링을 위해 노를 이용하여 열적 어닐링법에 의해 수행된다. 부가적으로, 레이저 어닐링법 또는 급속 열적 어닐링법(RTA법)이 적용될 수 있다. 열적 어닐링법에서, 이 프로세스는 산소 농도가 1ppm 이하, 바람직하게는 0.1ppnm 이하인 질소 분위기에서, 400 내지 700℃, 통상적으로 500 내지 600℃의 온도로 수행된다. 본 실시예에서, 열처리는 500℃에서 4시간 동안 수행되었다. 제 3 형상 도전층들(5037 내지 5042)에 사용된 배선 재료가 열에 대해 약할 때, 배선등을 보호하기 위해서, 층간 절연막(주 성분으로서 실리콘을 갖는)이 형성된 이후, 활성화를 수행하는 것이 적합하다.
또한, 아일랜드형 반도체층이 수화되도록 3 내지 100%의 수소를 포함하는 분위기 내에서 300 내지 450℃의 온도에서 1 내지 12 시간 동안 열처리가 수행된다. 이 단계는 열적으로 여기된 수소에 의해 반도체층의 미결합 화학손(dangling bond)을 단절하기 위한 것이다. 플라즈마 수화(플라즈마에 의해 여기된 수소를 사용하는)도 수화를 위한 다른 조치로서 수행될 수 있다.
다음에, 도 12a에 도시된 바와 같이, 제 1 층간 절연막(5055)이 실리콘 질화물 산화물 막으로부터 100 내지 200nm 두께로 형성된다. 유기 절연 재료로부터의 제 2 층간 절연막(5056)이 제 1 층간 절연막상에 형성된다. 그후, 콘택트 홀들이 제 1 층간 절연막(5055), 제 2 층간 절연막(5056) 및 게이트 절연막(5007)을 통해 형성된다. 각 배선(접속 배선 및 신호 라인을 포함하는)(5057 내지 5062 및 5064)이 패턴화 및 형성된다. 그후, 접속 배선(5062)과 접촉하는 화소 전극(5063)이 패턴화 및 형성된다.
재료로서 유기 수지를 갖는 막이 제 2 층간 절연막(5056)으로서 사용된다. 폴리이미드, 폴리아미드, 아크릴, BCB(벤조사이클로부텐) 등이 이 유기 수지로서 사용될 수 있다. 특히, 제 2 층간 절연막(5056)이 주로 평탄화를 위해 제공되기 때문에, 막의 높이조절에 양호한 아크릴이 적합하다. 본 실시예에서, TFT에 의해 유발된 높이차를 충분히 높이조절할 수 있는 두께를 갖는 아크릴막이 형성된다. 그 막두께는 1 내지 5㎛으로 설정되는 것이 적합하다(2-4㎛으로 설정되는 것이 보다 바람직하다).
콘택트 홀들의 형성에서, n-형 불순물 영역들(5017, 5018, 5021 및 5023) 또는 p-형 불순물 영역들(5043 내지 5054)에 도달한 콘택트 홀들, 배선(5042)에 도달하는 콘택트 홀, 전류 공급 라인(미도시)에 도달하는 콘택트 홀 및 게이트 전극(미도시)들에 도달하는 콘택트 홀들이 형성된다.
또한, 3층 구조의 적층체막이 양호한 형상으로 패턴화되고, 배선(접속 배선 및 신호 라인 포함)(5057 내지 5062, 5064)으로서 사용된다. 이 3층 구조에서, 100[nm] 두께의 Ti막, 300[nm] 두께의 Ti 함유 알루미늄막, 및 150[nm] 두께의 Ti막이 스퍼터링법에 의해 연속적으로 형성된다. 그러나, 다른 도전막들이 사용될 수도 있다.
본 실시예에서, 110nm 두께의 ITO막이 화소 전극(5063)으로서 형성되고, 패턴화된다. 접점은 화소 전극(5063)이 접속 전극(5062)과 접촉하고, 이 접속 배선(5062)과 중첩하도록 화소 전극(5063)을 배열함으로써 이루어진다. 또한, 2 내지 20%의 아연 산화물(ZnO)을 인듐 산화물과 혼합함으로써 제공된 투명 도전막도 사용될 수 있다. 이 화소 전극(5063)은 OLED의 아노드가 된다(도 12a 참조).
도 12b에 도시된 바와 같이, 실리콘을 함유하고, 500nm의 두께를 갖는 절연막(본 실시예에서 실리콘 산화물 막)이 다음에 형성된다. 제 3 층간 절연막(5065)이 형성되고, 화소 전극(5063)에 대응하는 위치에 개구가 형성된다. 개구가 형성될 때, 개구의 측벽은 습식 에칭법을 이용함으로써, 쉽게 테이퍼 형성될 수 있다. 개 구의 측벽이 충분히 완만하지 못할 때, 높이차에 의해 유발된 유기 발광층의 열화가 현저한 문제가 된다.
다음에, 유기 발광층(5066)과 캐소드(MgAg 전극; 5067)가 진공 증발법을 이용하여 대기에 노출되지 않고 연속적으로 형성된다. 유기 발광층(5066)은 80 내지 200nm(통상적으로 100 내지 120nm)의 두께를 가지며, 캐소드(5067)는 180 내지 300nm(통상적으로 200 내지 250nm)의 두께를 가진다.
이 프로세스에서, 유기 발광층이 적색에 대응하는 화소와, 녹색에 대응하는 화소 및 청색에 대응하는 화소에 대하여 연속적으로 형성된다. 이 경우에, 유기 발광층이 용액에 대한 불충분한 저항을 갖기 때문에, 유기 발광층은 포토리소그래피 기술을 사용하는 대신 각 색상에 대하여 독립적으로 형성되어야만 한다. 따라서, 유기 발광층이 단지 필요한 부분에만 선택적으로 형성되도록 금속 마스크를 이용하여 원하는 화소들을 제외한 부분을 덮는 것이 적합하다.
즉, 적색에 대응하는 화소를 제외한 모든 부분들을 덮는 마스크가 가장 먼저 설정되고, 적색광을 방출하기 위한 유기 발광층이 이 마스크를 이용하여 선택적으로 형성된다. 다음에, 녹색에 대응하는 화소를 제외한 모든 부분을 덮는 마스크가 설정되고, 녹색광을 방출하기 위한 유기 발광층이 이 마스크를 이용하여 선택적으로 형성된다. 다음에, 청색에 대응하는 화소를 제외한 모든 부분들을 덮는 마스크가 설정되고, 청색광을 방출하기 위한 유기 발광층이 이 마스크를 이용하여 선택적으로 형성된다. 여기서, 상이한 마스크들이 사용되지만, 동일한 단일 마스크를 반복적으로 사용할 수 있다.
여기서, RGB에 대응하는 3종류의 OLED를 형성하기 위한 시스템이 사용되었다. 그러나, 백색광을 발광하기 위한 OLED와 컬러 필터가 조합되는 시스템과, 청색광 또는 청녹색광을 방출하기 위한 OLED가 형광 물질(형광 색상 변환층 : CCM)과 조합된 시스템, R, G, B에 각각 대응하는 OLED를 투명 전극을 활용함으로써 캐소드들(상대 전극들)과 중첩시키는 시스템 등이 사용될 수 있다. 공지된 재료가 유기 발광층(5066)으로서 사용될 수 있다. 유기 재료가 구동 전압을 고려하여 공지된 재료로서 적합하게 사용된다. 예로서, 정공 주입층, 정공 운반층, 발광층 및 전자 주입층으로 구성되는 4층 구조가 유기 발광층을 위해 적합하게 사용된다.
캐소드(5067)는 금속 마스크를 이용하여 게이트 전극이 동일 게이트 신호 라인에 접속되어 있는 스위칭 TFT에 포함된 화소(동일 라인상의 화소) 바로 위에 형성된다. 본 실시예는 캐소드(5067)를 위해 MgAg를 사용하지만, 이에 제한되지는 않는다. 다른 공지된 재료들이 캐소드(5067)를 위해 사용될 수 있다.
마지막으로, 실리콘 질화물막으로 형성되어 300nm의 두께를 갖는 평탄화 막(5068)이 형성된다. 실제로, 평탄화 막(5068)은 습기 등으로부터 유기 발광층(5066)을 보호하는 역할을 한다. 그러나, OLED의 신뢰성은 평탄화 막(5068)을 형성함으로써 추가로 향상될 수 있다.
따라서, 도 12b에 도시된 바와 같은 상태가 완성된다. 도면에 도시되어 있지는 않지만, 제 1 실시 형태의 제조 방법에 따라서, 밀봉막을 제공하는 제 2 기판이 제 2 접합층을 이용하여 평탄화막(5068)에 접합된다. 부가적으로, 추후 단계들이 제 1 실시 형태에 도시된 방법들에 따라 실행될 수 있다. 제 2 실시 형태의 제조 방법에 따라서, 밀봉막을 제공하는 제 2 기판이 제 2 접합층을 이용하여 평탄화 막(5068)에 접합된다. 부가적으로, 추후 단계들이 제 2 실시 형태에 도시된 방법들에 따라서 실행될 수 있다.
본 실시예의 발광 디바이스 제조 프로세스에서, 본 프로세스의 회로 구조 및 절차들의 편리함을 위해, 소스 신호 라인은 게이트 전극들의 재료인 Ta와 W로 형성되고, 게이트 신호 라인은 소스 및 드레인 전극들의 배선 재료인 Al이다. 그러나 상이한 재료들이 사용될 수도 있다.
본 실시예의 발광 디바이스는 화소부에 부가하여 구동 회로부에 최적의 구조들의 TFT들을 배열함으로써, 매우 높은 신뢰성과 개선된 동작 특성들을 가진다. 또한, 결정화 프로세스에서, Ni 같은 금속 촉매를 추가함으로써 결정성이 향상될 수 있다. 따라서, 회로를 구동하는 소스 신호 라인의 구동 주파수가 10MHz 또는 그 이상으로 설정될 수 있다.
먼저, 가능한 동작 속도를 감소시키지 못하도록 핫 캐리어 주입을 감소시키기 위한 구조를 갖는 TFT가 구동 회로부를 형성하는 CMOS 회로의 n-채널형 TFT로서 사용된다. 여기서, 구동 회로는 시프트 레지스터와, 버퍼와, 레벨 시프터와, 라인 순차 구동의 래치와, 도트 순차 구동의 트랜스미션 게이트 등을 포함한다.
본 실시예의 경우에, n-채널형 TFT의 능동층은 소스 영역과, 드레인 영역과, 게이트 절연막을 통해 게이트 전극과 중첩되어 있는 중첩 LDD 영역(Lov 영역)과, 게이트 절연막을 통해 게이트 전극과 중첩되어 있지 않은 오프셋 LDD 영역(Loff 영역) 및 채널 형성 영역을 포함한다.
CMOS 회로의 p-채널형의 핫 캐리어 주입에 의한 열화는 거의 무시할 수 있다. 따라서, n-채널형 TFT내에 특별히 LDD 영역을 형성하는 것은 불필요하다. 그러나, n-채널형 TFT와 유사하게, LDD 영역이 고온 캐리어 상쇄조치로서 형성될 수 있다.
또한, 채널 형성 영역을 통해 전류를 양방향으로 흘리기 위한 CMOS 회로, 즉, 소스와 드레인 영역들의 역할이 교체된 CMOS 회로가 구동 회로에 사용될 때, 채널 형성 영역이 LDD 영역들 사이에 샌드위치식으로 배치되도록 LDD 영역들을 형성하기 위해 CMOS 회로를 구성하는 것이 n-채널형 TFT에 적합하다. 이 예로서, 도트 순차 구동에 사용되는 트랜스미션 게이트가 제공된다. OFF 상태 전류값을 가능한 낮추기 위하여 필요한 CMOS 회로가 구동 회로에 사용될 때, CMOS 회로를 형성하는 n-채널형 TFT는 Lov 영역을 갖는 것이 적합하다. 도트 순차 구동에 사용되는 트랜스미션 게이트도 이런 예로서 주어질 수 있다.
실제로, 발광 디바이스가 제 1 또는 제 2 실시 형태에 따라 완성될 때, 외부 공기에 대한 노출을 방지하기 위해, 높은 기밀 밀봉 특성을 가지면서 적은 탈기를 허용하는 보호막(적층체막, 자외선 경화성 수지막 등)과, 투명 밀봉 부재를 이용하여 패키징(밀봉)을 수행하는 것이 적합하다. 이 경우에, 밀봉 부재의 내부를 불활성 가스 분위기로 충전하고, 습기 흡수 재료(예로서, 바륨 산화물)를 내부에 배열함으로써, OLED의 신뢰성이 향상된다.
부가적으로, 기밀 밀봉 특성이 패키징 처리 등에 의해 개선된 이후에, 디바이스를 제품으로 완성하기 위해 커넥터(플렉시블 프린트 기판 : FPC)가 부착된다. 커넥터는 기판상에 형성되어 있는 회로 또는 소자로부터 인출된 단자를 외부 신호 단자와 접속하기 위한 것이다. 이 상태의 디바이스는 선적될 준비가 된 상태이고, 본 명세서에서는 자기 방출 디바이스라 지칭된다.
또한, 본 실시예에 도시된 프로세스들에 따라서, 발광 디바이스의 제조를 위해 필요한 포토마스크들의 수가 감소될 수 있다. 결과적으로, 프로세스들이 감소될 수 있고, 이는 제조 비용의 감소와 처리량의 향상에 기여한다.
제 1 및 제 2 실시예들과 조합하여 제 3 실시예를 구현하는 것이 가능하다는 것을 인지하여야 한다.
(제 4 실시예)
제 4 실시예에서, 본 발명에 따른 인버스-스테거(inverse-stagger)형 TFT들을 사용하는 발광 디바이스의 구조가 설명된다.
도 13은 본 발명에 따른 발광 디바이스를 도시하는 단면도이다. 밀봉막(601)이 플렉시블 제 3 기판(601)상에 형성된다. 밀봉막(601)은 배리어막(601a), 응력 이완막(601b) 및 배리어막(601c)을 포함한다.
밀봉막(608)이 플렉시블 제 2 기판(606)상에 형성된다. 밀봉막(608)은 배리어 막(608a), 응력 이완막(608b) 및 배리어막(608c)을 포함한다.
밀봉막들(601 및 608) 사이에, TFT들, OLED 및 다른 소자들이 형성된다. 본 실시예에서, 구동 회로(610)에 포함된 TFT(604a)와 화소부(611)에 포함된 TFT들(604b 및 604c)이 대표적인 예들로서 도시되어 있다.
OLED(605)는 화소 전극(640)과, 유기 발광층(641)과 캐소드(642)를 포함한다.
TFT(604a)는 게이트 전극들(613 및 614)과, 게이트 전극들(613 및 614)과 접촉하도록 형성된 절연막(612)과, 절연막(612)과 접촉하도록 형성된 반도체 막(615)을 포함한다. TFT(604b)는 게이트 전극들(620 및 621)과, 게이트 전극들(620 및 621)과 접촉하도록 형성된 절연막(612)과, 절연막(612)과 접촉하도록 형성된 반도체막(622)을 포함한다. TFT(604c)는 게이트 전극(630)과, 게이트 전극(630)과 접촉하도록 형성된 절연막(612)과, 절연막(612)과 접촉하도록 형성된 반도체 막(631)을 포함한다.
비록 인버스-스테거형 TFT들이 제 1 실시 형태에 따라 제조된 발광 디바이스에 사용되는 예가 도시되어 있지만, 본 발명의 구조는 이에 제한되지 않는다. 인버스-스테거형 TFT들은 제 2 실시 형태에 따라 제조된 발광 디바이스에 사용될 수 있다.
제 4 실시예는 제 1 실시예와 자유롭게 조합하여 수행될 수 있다.
(제 5 실시예)
제 5 실시예에서, 접합층이 그위에 유체를 분무함으로써 제거되는 예가 설명된다.
유체를 분무할 때, 물체상에 노즐로부터 고압 수류를 분무하는 방법(워터 제트법이라 지칭됨) 또는 물체상에 고압 가스류를 분무하는 방법이 사용될 수 있다. 워터 제트법의 경우에, 유기 용매, 산 용액 또는 알칼리 용액이 물 대신 사용될 수 있다. 가스 흐름으로서, 공기, 질소 가스, 이산화탄소 가스 또는 희유 가스가 사용될 수 있다. 부가적으로, 이들 가스로부터 얻어진 플라즈마도 사용될 수 있다. 접합층의 재료 및 제거되는 것이 바람직하지 못한, 막들 및 기판들의 재료들에 따라서, 이런 막들 및 기판들이 접합층의 제거와 함께 제거되지 않도록 적절한 유체를 선택하는 것이 중요하다.
접합층으로서, 수소, 산소, 질소 또는 희유 가스가 추가된 실리콘층 또는 다공성 실리콘층이 사용된다. 다공성 실리콘층이 사용되는 경우에, 비정질 실리콘 막 또는 다결정 실리콘 막은 사용을 위해 그에 다공성을 제공하기 위해 양극처리를 받게 될 수 있다.
도 14는 워터 제트법에 의한 접합층의 제거를 도시하고 있다. OLED(604)가 기판들(603 및 606) 사이에 제공된다. OLED(604)는 절연막(603)으로 덮혀 있다. 복수의 절연막들을 포함하는 밀봉막(609)이 절연 기판(603)과 기판(606) 사이에 제공된다.
절연막(605)과 접합층(606)은 기판(603)과 OLED(604) 사이에 제공된다. 접합층(606)은 기판(603)과 접촉한다. 비록, OLED만이 도 14에 대표적으로 도시되어 있지만, TFT들 및 다른 소자들이 통상적으로 절연막들(605 및 603) 사이에 제공된다.
접합층(606)은 0.1 내지 900㎛(바람직하게는, 0.5 내지 10㎛)의 두께를 가질 수 있다. 제 5 실시예에서, 1㎛의 두께를 가진 SOG 막이 접합층(606)으로서 사용된다.
유체(607)가 노즐(608)로부터 접합층(606)상으로 분무된다. 유체(607)을 접합층(606)의 전체 노출부상으로 효과적으로 분무하기 위해서, 접합층(606)이 도 14에 화살표로 표시된 바와 같이, 기판(601)에 수직인 중앙선 둘레에서 접합층(606)을 회전시키면서, 유체를 분무하는 것이 권장된다.
1x107 내지 1x109Pa(바람직하게는, 3x107 내지 5x108Pa)의 압력이 적용된 유체(607)가 노즐(608)로부터 접합층(606)의 노출부상으로 분무된다. 샘플이 회전하기 때문에, 유체(607)는 접합층(606)의 노출면을 따라 분무된다.
노즐(608)로부터 방출된 유체가 접합층(606)상으로 분무될 때, 접합층은 그 약함 때문에, 충격으로 인해 파열된 이후에 제거 되거나, 화학적으로 제거된다. 결과적으로, 접합층(606)은 파괴 및 제거되어 기판(603)과 절연막(605)이 서로 분리된다. 접합층(606)을 파괴시킴으로써, 분리가 달성되는 경우에, 잔여 접합층은 에칭에 의해 제거될 수 있다.
유체(607)로서, 물, 유기 용매, 산 용액 또는 알칼리 용액 같은 액체가 사용될 수 있다. 대안적으로, 공기, 질소 가스, 이산화 탄소 가스 또는 희유 가스가 사용될 수도 있다. 또한, 이들 가스들로부터 얻어진 플라즈마가 사용될 수 있다.
제 5 실시예는 제 1 내지 제 4 실시예와 조합하여 수행될 수 있다.
(제 6 실시예)
본 실시예에서, 유기 발광 재료를 이용하여, 트리플릿 엑시톤으로부터의 인 광이 광 방출을 위해 사용됨으로써, 외부 발광 퀀텀 효율이 현저히 개선된다. 결과적으로, OLED의 전력 소모가 감소될 수 있으며, OLED의 수명이 연장될 수 있고, OLED의 중량이 경량화될 수 있다.
다음은 외부 발광 퀀텀 효율이 트리플릿 엑시톤을 이용함으로써 향상되는 경우에 대한 보고서이다.(T. Tsutsui, C. Adachi, S. Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Systems, ed. K. Honda,(Elsevier Sci. Pub., Tokyo, 1991) p.437).
상기 문헌에 의해 보고된 유기 발광 재료(코마린 염료)의 분자식은 하기와 같이 표현된다.
Figure 112009017010079-pat00001
(M.A. Baldo, D.F.O'Brien, Y. You, A. Shoustikov, S. Sibibley, M.E. Thompson, S.R. Forrest, Nature 395(1998) p.151)
상기 문헌에 의해 보고된 EL 재료(Pt 합성물)의 분자식은 하기와 같이 표현된다.
Figure 112009017010079-pat00002
(M.A. Baldo, S. Lamansky, P.E. Burrows, M.E. Thompson, S.R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 75(1999) p.4)(T.Tsutsui, M.-J. Yang, M. Yahiro, K. Nakamura, T. Watanabe, T.Tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn, Appl. Phys., 38(12B)(1999) L1502)
상기 문헌에 의해 보고된 EL 재료(Ir 합성물)의 분자식은 하기와 같이 표현된다.
Figure 112009017010079-pat00003
상술한 바와 같이, 트리플릿 엑시톤으로부터의 인광을 실용적으로 사용할 수 있는 경우에, 원론적으로, 싱글릿 엑시톤으로부터의 형광을 사용하는 경우보다 3 내지 4배 높은 외부 발광 퀀텀 효율을 실현할 수 있다.
본 실시예에 따른 구조는 제 1 내지 제 5 실시예 중 소정의 구조들과 자유롭게 조합하여 구현될 수 있다.
(제 7 실시예)
유기 발광 재료로 이루어진 막은 일반적으로 잉크 제트법, 스핀 코팅법 또는 증발법에 의해 형성된다. 제 7 실시예에서, 상술한 방법들 이외의 유기 발광층을 형성하기 위한 방법이 설명된다.
본 실시예에서, 유기 발광 재료의 분자 어셈블리들을 함유하는 막이 유기 발광 재료를 구성하는 분자 어셈블리들이 확산되어 있는 콜로이드 용액(또한, 졸이라고도 지칭됨)을 이용하여, 불활성 가스 분위기하의 기판상에 분무에 의해 형성된다. 유기 발광 재료는 액체 내에서 각각 몇 개의 분자들이 결합되어 있는 미입자들로서 존재한다.
도 15는 노즐(미도시)로부터 불활성 가스(본 실시예에서는 질소 가스)내로 합성물을 분무함으로써 유기 발광층(650)을 형성하는 것을 도시하고 있다. 합성물은 유기 발광 재료로서 기능하는 이리듐 합성물인 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐(Ir(ppy)3)과, 호스트로서 기능하는 유기 발광 재료인 바소쿠푸로인(BCP)(이하, 호스트 물질이라 지칭함)을 톨루엔내에 분산시킴으로써 얻어진다.
도 15에서, 마스크(651)를 이용하여, 유기 발광층(650)이 25 내지 40nm의 두께를 갖도록 선택적으로 형성된다. 이리듐 합성물과 BCP 양자 모두는 톨루엔에 용해되지 않는다.
실제로, 유기 발광층이 단일층 형태로 사용되는 몇몇 경우들과, 다층 형태로 사용되는 나머지 경우들이 존재한다. 유기 발광층이 다층 구조로 사용되는 경우에, 다른(나머지) 유기 발광층(들)은 유기 발광층(650)의 형성 이후에, 유사한 방식으로 형성된다. 이 경우에, 모든 증착된 유기 발광층들은 총체적으로 유기 발광층이라 지칭된다.
본 실시예의 성막 방법은 액체내의 유기 발광 재료가 어떠한 상태로 존재하는 경우에도 막의 형성을 가능하게 한다. 특히, 본 방법은 잘 용해되지 않는 유기 발광 재료를 이용함으로써, 양호한 품질을 가진 유기 발광층을 형성하는 것을 가능하게 한다. 또한, 캐리어 가스의 사용과 함께 유기 발광 재료를 함유하는 액체를 분무함으로써 막이 형성되기 때문에, 성막은 짧은 시간 기간내에 달성될 수 있다. 유기 발광 재료를 함유하는 분무 대상 액체를 제조하는 방법은 극히 단순할 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 소정 패턴을 가진 막을 형성하기 위해 마스크가 사용되고, 그래서, 성막은 마스크의 개구를 통해 이루어진다. 부가적으로, 고가의 유기 발광 재료를 효과적으로 사용하기 위해서, 재사용을 위해 마스크에 부착된 유기 발광 재료를 수집하는 것이 가능하다.
잉크 제트법과 스핀 코팅법은 용매에 대한 높은 용해성을 가진 유기 발광 재료를 사용할 수 없다는 제약을 갖는다. 증발법은 증발법이 사용되기 이전에 분해하는 유기 발광 재료가 사용될 수 없다는 제약을 갖는다. 그러나, 본 실시예의 성막 방법은 상술한 제약들에 의해 영향을 받지 않는다. 본 실시예의 성막 방법에 적합한 유기 발광 재료의 예들은 퀴나크리돈, 트리스(2-페닐피리딘)이리듐, 바소쿠프로인, 폴리(1,4-페닐엔비닐렌), 폴리(1,4-나프탈렌비닐렌), 폴리(2-페닐-1,4-페닐렌 비닐렌), 폴리티오펜, 폴리(3-페닐티오펜), 폴리(1,4-페닐렌), 폴리(2,7-플로렌) 등이 주어질 수 있다.
제 7 실시예의 구조는 제 1 내지 제 6 실시예들 중 소정의 것과 자유롭게 조합하여 실시될 수 있다.
(제 8 실시예)
본 실시예는 본 발명에 의해 얻어진 발광 디바이스의 화소부의 보다 상세한 설명을 제 8 실시예에서 제공한다. 화소부의 상부 구조가 도 16a에 도시되어 있으며, 그 회로도가 도 16b에 도시되어 있다. 교차 참조되는 도 16a 및 도 16b에는 공통 참조 부호들이 사용되어 있다.
스위칭 TFT(802)는 소스 배선(815)에 접속된 소스를 가지며, 드레인 배선(805)에 접속된 드레인을 가진다. 드레인 배선(805)은 전류 제어 TFT(806)의 게이트 전극(807)에 전기적으로 접속되어 있다. 전류 제어 TFT(806)는 전류 공급 라인(816)에 전기적으로 접속된 소스를 가지며, 드레인 배선(817)에 전기적으로 접속된 드레인을 가진다. 드레인 배선(817)은 점선으로 표시된 화소 전극(캐소드; 818)에 전기적으로 접속되어 있다.
커패시터 저장부가 여기에 819로 도시된 영역에 형성되어 있다. 커패시터 저장부(819)는 전류 공급 라인(816)에 전기적으로 접속되어 있는 반도체막(820)과, 게이트 절연막과 동일층상의 절연막(미도시) 및 게이트 전극(807)으로 구성되어 있다. 게이트 전극(807)과, 제 1 층간 절연막과 동일층(미도시) 및 전류 공급 라 인(816)으로 구성된 커패시터도 저장 커패시터로서 사용될 수 있다.
제 8 실시예는 제 1 내지 제 7 실시예들과 조합될 수 있다.
(제 9 실시예)
본 실시예는 도 17을 참조로 발광 디바이스의 회로 구조의 예를 도시한다. 본 실시예에 도시된 회로 구조는 디지털 구동을 위한 것이다. 본 실시예에 따른 구조는 소스측 드라이버 회로(901)와, 화소부(906) 및 게이트측 구동 회로(907)를 갖는다.
소스측 구동 회로(901)는 시프트 레지스터(902)와, 래치(A)(903)와, 래치(B)(904)와, 버퍼(905)를 구비한다. 아날로그 구동의 경우에, 샘플링 회로(트랜스퍼 게이트)가 래치들(A) 및 (B) 대신 제공된다. 게이트측 드라이버 회로(907)는 시프트 레지스터(908)와 버퍼(909)를 구비한다. 그러나, 버퍼(909)는 항상 필수적으로 제공될 필요는 없다.
본 실시예에서, 화소부(906)는 각각 OLED를 구비하는 복수의 화소들를 포함한다. OLED의 캐소드는 전류 제어 TFT의 드레인에 전기적으로 접속되는 것이 적합하다.
소스측 드라이버 회로(901)와 게이트측 드라이버 회로(907)는 제 2 내지 제 4 실시예들에 따라 얻어진 n-채널 TFT들이나 p-채널 TFT들로 구성된다.
비록, 도시되지는 않았지만, 다른 게이트측 드라이버 회로가 화소부(906)를 가로질러 게이트측 드라이버 회로(907)의 반대편에 추가될 수 있다. 이 경우에, 게 이트측 드라이버 회로들 중 두 개는 동일 구조를 가지며, 게이트 배선을 공유하고, 그래서, 나머지가 파괴된 것 대신 게이트 신호를 보낼 수 있어서 화소부가 정상적으로 동작하게 한다.
본 실시예는 제 1 내지 제 8 실시예와 조합하여 사용될 수 있다.
(제 10 실시예)
제 10 실시예에서, 플렉시블 플라스틱 기판상에 밀봉막을 형성하는 롤-투-롤 방법이 설명된다.
도 19는 단순화된 방식으로 제 10 실시예에 따른 성막 장치의 구조를 도시하고 있다. 도 19에 도시된 본 발명에 따른 성막 장치는 스퍼터링에 의해 배리어막을 형성하기 위한 두 개의 챔버들(804, 809)과, 상기 챔버들(804 및 809)내의 공기압을 제어하기 위한 챔버들(805 및 808)과, 수지를 적용하기 위한 메카니즘(820), 및 적용된 수지를 경화하기 위한 메카니즘(813)을 포함한다.
스퍼터링에 의해 배리어막을 형성하기 위한 챔버는 기판(802)을 전개(unwinding)시키기 위한 롤(801)과, 타겟을 가진 전압 적용 전극(810)과, 전극으로서도 기능하는 가열기(811)를 포함한다. 스퍼터링에 의해 배리어막을 형성하기 위한 챔버(809)는 기판(802)을 권회시키기 위한 롤(803)과, 타겟을 가진 전압 적용 전극(814) 및 전극으로서도 기능하는 가열기(815)를 포함한다.
기판(802)은 전개 롤(801)로부터 권회롤(803)로 운반된다.
본 실시예에서, 실리콘 질화물 막이 챔버(804)내에서 형성된다. 보다 명확하 게, 챔버(804)내의 공기압이 터보-분자 펌프등에 의해 0.4Pa로 유지된다. 이 상태에서, 10sccm 유량의 아르곤, 35sccm 유량의 질소 및 5sccm 유량의 수소가 공급된다.
챔버(804)내에서 그 위에 실리콘 질화물 막이 형성된 기판(802)이 연속적으로 챔버들(805 및 806)을 통과하고, 그후, 대기압하에 배치된다. 수지(812)가 수지를 적용하기 위한 메카니즘(820)에 의해 기판(802)상에 적용된다. 챔버들(805 및 806) 양자 모두는 터보-분자 펌프등에 의해 진공으로 배기되며, 챔버(804)내의 공기압을 대기압에 의해 영향을 받지 않고 소정 수준으로 유지하도록 제공된다. 비록, 두 개의 챔버들(805 및 806)이 대기압의 영향을 방지하기 위해 사용되었지만, 경우에 따라 단 하나의 챔버로 충분할 수 있다. 필요에 따라, 셋 이상의 챔버들을 제공하는 것도 가능하다.
수지(812)로서, 열적으로 중합될 수 있는 폴리에틸렌이 본 실시예에서 사용된다. 수지(812)의 적용 이후, 기판(802)이 할로겐 램프(813)로 가열되고, 그래서, 적용된 수지(812)를 경화시킨다.
보다 명확하게, 본 실시예에서, 기판을 가열하기 위한 할로겐 램프가 적용된 수지를 경화시키기 위한 메카니즘(813)으로서 제공된다. 수지가 가열에 의해 경화되는 경우에, 가열 수단은 할로겐 램프에 한정되지 않으며, 적외선 램프, 금속 할라이드 램프, 크세논 아크 램프, 탄소 아크 램프, 고압 소듐 램프 또는 고압 수은 램프도 사용될 수 있다. 또한, 가열 수단은 램프에 한정되지 않으며, 가열은 가열기 등을 이용하여 수행될 수 있다. 수지가 열적으로 경화되지 않고, 자외선 경화성 인 경우에, 수지는 자외선의 방사에 의해 경화될 수 있다.
그 위에 수지막이 형성되어 있는 기판(802)은, 챔버들(807 및 808)로 전달되고, 최종적으로 챔버(809)에 도달한다. 챔버들(807 및 808)은 양자 모두가 터보 분자 펌프 등에 의해 진공으로 배기되어 있으며, 챔버(809)내의 공기압을 대기압에 영향을 받지 않고 소정 수준으로 유지하기 위해 제공되어 있다. 비록, 두 개의 챔버들(807 및 808)이 대기압의 영향을 방지하기 위해 사용되지만, 경우에 따라 단 하나의 챔버로 충분할 수 있다. 필요에 따라 셋 이상의 챔버들을 제공하는 것이 가능하다.
실리콘 산질화물 막이 챔버(809)에서 형성된다. 보다 명확하게, 챔버(809)내의 공기압을 터보 분자 펌프 등에 의해 0.4Pa로 유지하면서, 10sccm 유량의 아르곤, 31sccm 유량의 질소, 5sccm 유량의 수소 및 4sccm 유량의 N2O가 공급된다.
그 위에 실리콘 산질화물 막이 형성된 기판(802)은 권회 롤(803)에 의해 재권회된다.
상술한 구조는 두 배리어막들 사이에 개재된 응력 이완막을 포함하는 밀봉막을 갖는 플렉시블 플라스틱 기판의 대량 생산을 용이하게 한다.
비록, 실리콘 질화물막, 폴리에틸렌으로 이루어진 막 및 실리콘 산질화물 막의 적층체를 포함하는 밀봉막을 형성하기 위한 성막 장치를 본 실시예에서 설명하였지만, 배리어막의 재료는 이에 한정되지 않는다. 부가적으로, 응력 이완 막의 재료는 폴리에틸렌에 한정되지 않으며, 배리어막의 응력보다 작은 응력을 갖는 소정 의 수지 재료가 사용될 수 있다.
비록, 두 개의 배리어 막들이 본 실시예에서 형성되지만, 셋 또는 그 이상의 배리어 막들이 형성될 수 있다. 이런 경우에, 스퍼터링을 위한 챔버와, 대기압의 영향을 방지하기 위한 챔버와, 수지를 적용하기 위한 메카니즘 및 적용된 수지를 경화시키기 위한 메카니즘을 각 성막에 적합한 방식으로 제공하는 것으로 충분하다.
또한, 배리어 막들과 응력 이완 막을 포함하는 다층 밀봉막은 권회 롤(803) 둘레에 기판(802)을 권회한 이후에, 전개 롤(801) 둘레에 권회된 기판을 재권회시키는 단계를 반복함으로써 형성될 수 있다.
제 10 실시예는 제 1 내지 제 9 실시예 중 소정의 것과 조합될 수 있다.
(제 11 실시예)
자기 발광시, 발광 소자를 사용하는 발광 디바이스는 액정 디스플레이 디바이스들보다 넓은 조망 각도와, 밝은 장소들에서 보다 양호한 가시성을 가진다. 따라서, 발광 디바이스는 다양한 전기 기기들의 디스플레이 디바이스에 사용될 수 있다.
본 발명에 따라 제조된 발광 디바이스를 사용하는 전기 기기의 예로서는 비디오 카메라들, 디지털 카메라들, 고글형 디스플레이들(헤드 장착 디스플레이들), 네비게이션 시스템들, 오디오 재생 디바이스들(카 오디오 및 오디오 컴포넌트들 같은), 노트북 컴퓨터들, 게임기들, 휴대용 정보 단말기들(이동식 컴퓨터들, 휴대 전 화들, 휴대용 게임기들 및 전자 도서들 같은), 및 기록 매체들을 구비한 이미지 재생 디바이스들(특히, 디지털 비디오 디스크(DVD) 같은 기록 매체내의 데이터를 재생하여 데이터의 이미지를 디스플레이하는 디스플레이 디바이스를 구비한 디바이스들)이 주어진다. 넓은 조망 각도는 휴대용 정보 단말기들에서 특히 중요하며, 그 이유는 그들이 보여지게 될 때, 그 스크린이 경사지게 되는 일이 빈번하기 때문이다. 따라서, 휴대용 정보 단말기들에 발광 소자를 사용하는 발광 디스플레이를 사용하는 것이 적합하다. 이들 전기 기기들의 특정 예들이 도 18a 내지 18h에 도시되어 있다.
도 18a는 디지털 스틸 카메라를 도시하고 있으며, 이는 본체(2101)와, 디스플레이 유니트(2102)와, 이미지 수신 유니트(2103)와, 조작 키들(2104)와, 외부 접속 포트(2105)와, 셔터(2106) 등으로 구성된다. 본 발명에 따라 제조된 발광 디바이스는 디스플레이 유니트(2102)에 적용될 수 있다.
도 18b는 이동 컴퓨터를 도시하고 있으며, 이는 본체(2301)와, 디스플레이 유니트(2302)와, 스위치(2303)와, 조작 키들(2304)과, 적외선 포트(2305) 등으로 구성되어 있다. 본 발명에 따라 제조된 발광 디바이스는 디스플레이 유니트(2302)에 적용될 수 있다.
도 18c는 고글형 디스플레이(헤드 장착 디스프레이)를 도시하고 있으며, 이는 본체(2501)와, 디스플레이 유니트(2502)와, 아암 유니트(2503)으로 구성되어 있다. 본 발명에 따라 제조된 발광 디바이스는 디스플레이 유니트(2502)에 적용될 수 있다.
도 18d는 셀룰러 전화를 도시하고 있으며, 이는 본체(2701)와, 케이스(2702)와, 디스플레이 유니트(2703)와, 오디오 입력 유니트(2704)와, 오디오 출력 유니트(2705)와, 조작 키들(2706)과, 외부 접속 포트(2707)와, 안테나(2708) 등으로 구성되어 있다. 본 발명에 따라 제조된 발광 디바이스는 디스플레이 유니트(2703)에 적용될 수 있다. 디스플레이 유니트(2703)가 검정색 배경상에 흰색 문자들을 디스플레이 하는 경우에, 셀룰러 전화는 보다 적은 전력을 소모하게 된다.
유기 재료들로부터 방출된 광의 휘도가 미래에 향상되게 되면, 발광 디바이스는 렌즈 등을 통해 이미지 정보를 포함하는 출력된 광을 확대시키고 이 광을 투사하는 전방 또는 후방 투사기들에 사용될 수 있다.
이들 전기 기기들은 이제, 인터넷 같은 전자 통신 라인들과, CATV(케이블 텔레비젼)을 통해 보내지는 증가된 주파수 정보, 특히, 애니메이션 정보를 디스플레이 할 수 있다. 유기 재료들이 매우 신속한 응답 속도를 갖기 때문에, 발광 디바이스는 애니메이션 디스플레이에 적합하다.
발광 디바이스에서, 발광부들은 전력을 소모하고, 따라서, 보다 적은 발광부들을 필요로 하는 방식으로 정보를 디스플레이하는 것이 적합하다. 휴대용 정보 단말기들, 특히, 주로 문자 정보를 디스플레이하는 셀룰러 전화들 및 오디오 재생 디바이스들의 디스플레이 유니트들에 발광 디바이스를 사용할 때, 비발광 부분들이 배경을 형성하고, 발광 부분들이 문자 정보를 형성하도록 디바이스를 구동하는 것이 적합하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 증착 디바이스를 이용하여 제조된 발광 디바이 스들의 응용 범위는 어떠한 분야의 전기 기기들에도 적용할 수 있을 만큼 넓다. 본 실시예의 전기 기기들은 제 1 내지 제 10 실시예들에 도시된 소정의 발광 디바이스를 사용할 수 있다.
본 발명에 따라서, 복수의 배리어막들의 적층체 구조로 인해, 배리어 막들 중 하나에 균열이 발생하는 경우에도, 다른 배리어 막들이 습기나 산소가 유기 발광 층내로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 낮은 성막 온도로 인해 배리어 막들의 품질이 낮아지는 경우에도, 복수의 배리어 막들의 적층체 구조는 습기나 산소가 유기 발광층내로 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 배리어 막들의 응력보다 작은 응력을 갖는 응력 이완 막이 배리어 막들 사이에 개재되고, 그래서, 전체 절연막들의 응력이 감소될 수 있다. 따라서, 응력 이완막이 그들 사이에 샌드위치식으로 배치되어 있는 배리어 막들은 다층 배리어 막이 단층 배리어 막의 두께와 동일한 총 두께를 갖는 경우에도 단층 배리어 막에 비해 응력으로 인한 균열이 잘 발생하지 않는다.
따라서, 다층 배리어 막은 다층 배리어 막의 총 두께가 단층 배리어 막의 두께와 동일한 경우에도, 단층 배리어 막에 비해 유기 발광층내로 습기나 산소의 침투를 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 응력으로 인한 균열이 이런 다층 배리어 막에서 잘 발생하지 않는다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 제조 방법들을 도시하는 도면들.
도 2a 내지 도 2b는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 제조 방법들을 도시하는 도면들.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 제조 방법들을 도시하는 도면들.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 제조 방법들을 도시하는 도면들.
도 5a는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 외관을 도시하는 도면.
도 5b는 FPC를 구비한 연결부를 도시하는 확대도.
도 5c는 연결부를 도시하는 단면도.
도 6a는 굴곡 상태의, 본 발명에 따른 발광 디바이스를 도시하는 도면.
도 6b는 굴곡 상태의, 본 발명에 따른 발광 디바이스의 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 발광 디바이스가 FPC와 연결되는 부분을 도시하는 단면도.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 제조 방법들을 도시하는 도면들.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 발광 디바이스의 제조 방법들을 도시하는 도면들.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명에 따른 발광 디바이스에 포함된 OLED와 TFT를 제조하는 단계들을 도시하는 도면들.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명에 따른 발광 디바이스에 포함된 OLED와 TFT를 제조하는 단계들을 도시하는 도면들.
도 12a 및 도 12b는 본 발명에 따른 발광 디바이스에 포함된 OLED와 TFT를 제조하는 단계들을 도시하는 도면들.
도 13은 본 발명에 따른 발광 디바이스를 도시하는 단면도.
도 14는 워터 제트법에 의한 접합층의 제거를 도시하는 도면.
도 15는 분무에 의한 유기 발광층의 형성을 도시하는 도면.
도 16a는 화소를 도시하는 평면도.
도 16b는 화소의 회로도.
도 17은 발광 디바이스의 회로 구조를 도시하는 개략도.
도 18a 내지 18d는 본 발명에 따른 발광 디바이스를 사용하는 전자 기기를 각각 도시하는 도면들.
도 19는 롤-투-롤 방법을 채용하는 밀봉 막 형성 장치를 도시하는 도면.

Claims (10)

  1. 발광 디바이스에 있어서:
    제 1 단자;
    상기 제 1 단자 위에 형성된 절연막;
    상기 절연막 위에 형성되고 발광 소자에 접속된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터의 소스 영역 또는 드레인 영역에 전기적으로 접속되고, 적어도 상기 절연막에 형성된 콘택트 홀을 통해 상기 제 1 단자에 전기적으로 접속되는 배선;
    적어도 수지를 포함하는 접합층을 통해 상기 절연막 및 상기 제 1 단자에 부착된 기판으로서, 상기 절연막은 상기 박막 트랜지스터와 상기 기판 사이에 위치되는, 상기 기판; 및
    상기 기판 상에 제공된 제 2 단자로서, 상기 기판은 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 사이에 위치되고, 상기 제 2 단자는 외부 단자에 전기적으로 접속되는, 상기 제 2 단자를 포함하고,
    상기 제 1 단자는 상기 제 2 단자에 전기적으로 접속되는, 발광 디바이스.
  2. 발광 디바이스에 있어서:
    제 1 단자;
    상기 제 1 단자 위에 형성된 절연막;
    상기 절연막 위에 형성되고, 발광 소자에 접속되는 박막 트랜지스터;
    적어도 상기 절연막에 형성된 콘택트 홀을 통해 상기 제 1 단자에 전기적으로 접속되는 배선;
    적어도 수지를 포함하는 접합층을 통해 상기 절연막 및 상기 제 1 단자에 부착된 기판으로서, 상기 절연막은 상기 박막 트랜지스터 및 상기 기판 사이에 위치되는, 상기 기판; 및
    상기 기판 상에 제공된 제 2 단자로서, 상기 기판은 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 사이에 위치되고, 상기 제 2 단자는 외부 단자에 전기적으로 접속되는, 상기 제 2 단자를 포함하고,
    상기 제 1 단자는 상기 제 2 단자에 전기적으로 접속되는, 발광 디바이스.
  3. 발광 디바이스에 있어서:
    제 1 단자;
    상기 제 1 단자 위에 형성된 절연막;
    상기 절연막 위에 형성되고, 발광 소자에 접속되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터의 소스 영역 또는 드레인 영역에 전기적으로 접속되고, 적어도 상기 절연막에 형성된 콘택트 홀을 통해 상기 제 1 단자에 전기적으로 접속되는 배선;
    적어도 수지 및 제 2 단자를 포함하는 접합층을 통해 상기 절연막 및 상기 제 1 단자에 부착된 기판으로서, 상기 절연막은 상기 박막 트랜지스터 및 상기 기판 사이에 위치되는, 상기 기판; 및
    상기 기판 상에 제공된 제 3 단자로서, 상기 기판은 상기 제 2 단자와 상기 제 3 단자 사이에 위치되고, 상기 제 3 단자는 외부 단자에 전기적으로 접속되는, 상기 제 3 단자를 포함하고,
    상기 제 1 단자는 적어도 상기 제 2 단자 및 상기 접합층을 통해 상기 제 3 단자에 전기적으로 접속되는, 발광 디바이스.
  4. 발광 디바이스에 있어서:
    제 1 단자 및 제 2 단자;
    상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자 위에 형성된 절연막;
    상기 제 2 단자 위에 형성된 박막 트랜지스터로서, 상기 박막 트랜지스터와 상기 제 2 단자 사이에 상기 절연막을 개재하고, 발광 소자에 접속되는, 상기 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터의 소스 영역 또는 드레인 영역에 전기적으로 접속되고, 적어도 상기 절연막에 형성된 콘택트 홀을 통해 상기 제 1 단자에 전기적으로 접속되는 배선;
    적어도 수지를 포함하는 접합층을 통해 상기 절연막, 상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자에 부착된 기판으로서, 상기 절연막은 상기 박막 트랜지스터 및 상기 기판 사이에 위치되는, 상기 기판; 및
    상기 기판 상에 제공된 제 3 단자로서, 상기 기판은 상기 제 1 단자와 상기 제 3 단자 사이에 위치되고, 상기 제 3 단자는 외부 단자에 전기적으로 접속되는, 상기 제 3 단자를 포함하고,
    상기 제 1 단자는 상기 제 3 단자에 전기적으로 접속되는, 발광 디바이스.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱으로 형성되는, 발광 디바이스.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 플라스틱은 폴리에테르 설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 및 폴리에틸렌 나프탈레이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는, 발광 디바이스.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 접합층 사이에 형성된 복수의 제 2 절연막들; 및
    상기 복수의 제 2 절연막들 사이에 형성된 적어도 하나의 제 3 절연막을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 제 3 절연막은 상기 복수의 제 2 절연막들 각각의 응력보다 작은 응력을 갖는, 발광 디바이스.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 외부 단자는 플렉시블 프린트 기판인, 발광 디바이스.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접합층은 이방성을 가진 도전성 수지로 형성되는, 발광 디바이스.
  10. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는 전자 기기에 있어서,
    상기 전자 기기는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이, 차량 네비게이션 시스템, 퍼스널 컴퓨터, 및 휴대용 정보 단말기로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 전자 기기.
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Families Citing this family (229)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3256084B2 (ja) * 1994-05-26 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路およびその作製方法
JP2002340989A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 測定方法、検査方法及び検査装置
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US7038377B2 (en) 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
US7098069B2 (en) 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
CN100565902C (zh) * 2002-10-09 2009-12-02 株式会社半导体能源研究所 发光装置的制造方法
CN1176565C (zh) * 2002-11-25 2004-11-17 清华大学 一种有机电致发光器件的封装层及其制备方法和应用
JP4413779B2 (ja) * 2002-12-10 2010-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
KR100895313B1 (ko) * 2002-12-11 2009-05-07 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
JP2004220874A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子、およびその製造方法
TWI351548B (en) 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of liquid crystal display dev
US7436050B2 (en) * 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
JP3972825B2 (ja) * 2003-01-28 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の製造方法
TWI260944B (en) * 2003-01-29 2006-08-21 Au Optronics Corp Display device with passivation structure
JP4255844B2 (ja) * 2003-02-24 2009-04-15 ソニー株式会社 有機発光表示装置およびその製造方法
TW582099B (en) * 2003-03-13 2004-04-01 Ind Tech Res Inst Method of adhering material layer on transparent substrate and method of forming single crystal silicon on transparent substrate
JP4526771B2 (ja) 2003-03-14 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4417027B2 (ja) * 2003-05-21 2010-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8665247B2 (en) * 2003-05-30 2014-03-04 Global Oled Technology Llc Flexible display
WO2005031890A1 (en) * 2003-09-24 2005-04-07 E.I. Dupont De Nemours And Company Process for laminating a dielectric layer onto a semiconductor
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
EP2259300B1 (en) * 2003-10-28 2020-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacture of semiconductor device
US8048251B2 (en) * 2003-10-28 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
US7554121B2 (en) * 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
US7994617B2 (en) * 2004-02-06 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101219748B1 (ko) * 2004-03-22 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 집적회로 제작방법
JP4116587B2 (ja) * 2004-04-13 2008-07-09 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US8040469B2 (en) * 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
JP2006082260A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Oki Data Corp 半導体複合装置、半導体複合装置の製造方法、半導体複合装置を使用したｌｅｄヘッド及びこのｌｅｄヘッドを用いた画像形成装置
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US7868903B2 (en) * 2004-10-14 2011-01-11 Daktronics, Inc. Flexible pixel element fabrication and sealing method
US8344410B2 (en) 2004-10-14 2013-01-01 Daktronics, Inc. Flexible pixel element and signal distribution means
US7893948B1 (en) 2004-10-14 2011-02-22 Daktronics, Inc. Flexible pixel hardware and method
US7736964B2 (en) * 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US20060132030A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Zhanjun Gao Display element stress free at the critical layer
US7355204B2 (en) * 2004-12-30 2008-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic device with environmental protection structure
CN1822385B (zh) 2005-01-31 2013-02-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置及含有其的电子设备
KR20060104531A (ko) * 2005-03-30 2006-10-09 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치의 제조방법
TW200642109A (en) * 2005-05-20 2006-12-01 Ind Tech Res Inst Solid light-emitting display and its manufacturing method
GB0510721D0 (en) * 2005-05-25 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
US7829394B2 (en) * 2005-05-26 2010-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
CN100419817C (zh) * 2005-05-27 2008-09-17 财团法人工业技术研究院 固态发光显示器及其制法
US7605056B2 (en) 2005-05-31 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including separation by physical force
KR20060124940A (ko) * 2005-06-01 2006-12-06 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
DE102005032741A1 (de) * 2005-07-08 2007-01-18 Samsung Sdi Germany Gmbh OLED-Bauelement, Aktiv-Matrix-OLED-Display und Verfahren zu deren Herstellung
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US8138502B2 (en) * 2005-08-05 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP5167580B2 (ja) * 2005-08-23 2013-03-21 日本電気株式会社 電子デバイス
KR100730168B1 (ko) * 2005-11-22 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR100721957B1 (ko) * 2005-12-13 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 다결정 실리콘층, 상기 다결정 실리콘층을 이용한 평판표시 장치 및 이들을 제조하는 방법
KR100774950B1 (ko) * 2006-01-19 2007-11-09 엘지전자 주식회사 전계발광소자
US20070202917A1 (en) * 2006-02-27 2007-08-30 Andrew Phelps Display and speaker module
US8173519B2 (en) 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8222116B2 (en) 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20070246717A1 (en) * 2006-04-21 2007-10-25 Ng Kee Y Light source having both thermal and space efficiency
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
JP5204959B2 (ja) 2006-06-26 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI424499B (zh) * 2006-06-30 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 製造半導體裝置的方法
US20080121907A1 (en) * 2006-08-08 2008-05-29 Way-Jze Wen Light emitting diode and fabricating method thereof
US8137417B2 (en) 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
TWI379409B (en) * 2006-09-29 2012-12-11 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
JP5110851B2 (ja) * 2006-11-01 2012-12-26 キヤノン株式会社 有機発光素子
US7498603B2 (en) * 2006-12-06 2009-03-03 General Electric Company Color tunable illumination source and method for controlled illumination
JP4963419B2 (ja) * 2007-01-31 2012-06-27 キヤノン株式会社 フレキシブル表示装置
US7968382B2 (en) 2007-02-02 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR100889677B1 (ko) * 2007-06-19 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
US7763502B2 (en) 2007-06-22 2010-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor device, and electronic device
JP5208591B2 (ja) * 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
US8049253B2 (en) * 2007-07-11 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20090009612A (ko) * 2007-07-20 2009-01-23 엘지디스플레이 주식회사 스퍼터링을 통한 무기절연막 형성방법
JP5074129B2 (ja) * 2007-08-21 2012-11-14 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
US8236668B2 (en) * 2007-10-10 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
JP5464843B2 (ja) * 2007-12-03 2014-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
KR20090078446A (ko) * 2008-01-15 2009-07-20 삼성전자주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조방법
JP5232498B2 (ja) 2008-02-25 2013-07-10 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置及びその製造方法
JP2009245893A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Toshiba Corp 発光装置封止構造及びその製造方法
KR100941858B1 (ko) * 2008-04-03 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계 발광 표시장치
KR101753574B1 (ko) 2008-07-10 2017-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP5216716B2 (ja) * 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
KR101678206B1 (ko) * 2008-11-17 2016-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
US8610155B2 (en) 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
JP5586920B2 (ja) * 2008-11-20 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 フレキシブル半導体装置の作製方法
TWI749283B (zh) 2008-11-28 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR101824425B1 (ko) * 2008-12-17 2018-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
US8189292B2 (en) * 2008-12-24 2012-05-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for manufacturing a magnetic write head having a write pole with a trailing edge taper using a Rieable hard mask
KR20100097513A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI401635B (zh) * 2009-04-13 2013-07-11 Innolux Corp 顯示面板及應用該顯示面板的影像顯示系統
KR101155907B1 (ko) * 2009-06-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101989018B (zh) * 2009-08-05 2012-09-05 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板
JP5707058B2 (ja) * 2009-09-01 2015-04-22 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、有機電界発光素子の製造方法、表示装置及び照明装置
US9101005B2 (en) * 2009-09-15 2015-08-04 Industrial Technology Research Institute Package of environmental sensitive element
KR101084230B1 (ko) * 2009-11-16 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101065318B1 (ko) * 2009-12-03 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
CA2723360A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-09 Xpand, Inc. Active 3d glasses with oled shutters
KR101097321B1 (ko) * 2009-12-14 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
KR101745644B1 (ko) * 2010-05-28 2017-06-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101783781B1 (ko) * 2010-07-05 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
JP5970198B2 (ja) 2011-02-14 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
US8764504B2 (en) 2011-02-25 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device and method for manufacturing the same
EP2503621A1 (en) 2011-03-24 2012-09-26 Moser Baer India Ltd. A barrier layer and a method of manufacturing the barrier layer
JP5352620B2 (ja) * 2011-04-26 2013-11-27 日東電工株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
TWI433625B (zh) 2011-07-04 2014-04-01 Ind Tech Res Inst 軟性電子元件的製法
KR101773088B1 (ko) 2011-09-22 2017-08-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103035663B (zh) * 2011-10-04 2016-08-10 乐金显示有限公司 显示器件
KR101868148B1 (ko) * 2011-11-01 2018-07-19 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조 방법
CN102646676B (zh) * 2011-11-03 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板
US9496255B2 (en) 2011-11-16 2016-11-15 Qualcomm Incorporated Stacked CMOS chipset having an insulating layer and a secondary layer and method of forming same
JP2013161023A (ja) * 2012-02-08 2013-08-19 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
US9379350B2 (en) * 2012-05-22 2016-06-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Dual mode display apparatus and method of manufacturing the same
KR20130134236A (ko) * 2012-05-30 2013-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102086545B1 (ko) * 2012-07-19 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR102114212B1 (ko) * 2012-08-10 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US20140061610A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Hyo-Young MUN Organic light emitting device and manufacturing method thereof
US8941128B2 (en) * 2012-11-21 2015-01-27 Intel Corporation Passivation layer for flexible display
US20140144593A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 International Business Machiness Corporation Wafer debonding using long-wavelength infrared radiation ablation
US9636782B2 (en) 2012-11-28 2017-05-02 International Business Machines Corporation Wafer debonding using mid-wavelength infrared radiation ablation
TWI492374B (zh) * 2012-12-03 2015-07-11 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板
KR102000051B1 (ko) * 2012-12-17 2019-10-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20140091346A (ko) * 2013-01-11 2014-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2014160603A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Japan Display Inc シートディスプレイ
JPWO2014141330A1 (ja) * 2013-03-13 2017-02-16 パナソニック株式会社 電子デバイス
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN104058363B (zh) * 2013-03-22 2016-01-20 上海丽恒光微电子科技有限公司 基于mems透射光阀的显示装置及其形成方法
JP6026331B2 (ja) * 2013-03-22 2016-11-16 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ積層体
CN107768408A (zh) 2013-04-15 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US9178178B2 (en) * 2013-05-16 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having improved adhesion and damage resistance characteristics, an electronic device including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode display
KR102199217B1 (ko) * 2014-03-06 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102104608B1 (ko) * 2013-05-16 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102071629B1 (ko) * 2013-05-27 2020-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN103296013B (zh) * 2013-05-28 2017-08-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 射频器件的形成方法
CN103280256A (zh) * 2013-06-26 2013-09-04 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 一种透明导电薄膜
KR102134845B1 (ko) * 2013-07-12 2020-07-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102054991B1 (ko) * 2013-07-31 2019-12-12 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
US9269914B2 (en) * 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
TWI610374B (zh) 2013-08-01 2018-01-01 格芯公司 用於將搬運器晶圓接合至元件晶圓以及能以中段波長紅外光雷射燒蝕釋出之接著劑
CN109273622B (zh) 2013-08-06 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 剥离方法
TWD161479S (zh) * 2013-08-06 2014-07-01 璨圓光電股份有限公司 半導體發光元件之部分
TWD161478S (zh) * 2013-08-06 2014-07-01 璨圓光電股份有限公司 半導體發光元件之部分
TWD164808S (zh) * 2013-08-06 2014-12-11 璨圓光電股份有限公司 半導體發光元件之部分
TW201943069A (zh) 2013-09-06 2019-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及發光裝置的製造方法
KR102092707B1 (ko) * 2013-09-17 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
CN103489880B (zh) * 2013-10-12 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
KR20150043890A (ko) 2013-10-15 2015-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9937698B2 (en) 2013-11-06 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and light-emitting device
KR102180037B1 (ko) 2013-11-06 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101504117B1 (ko) * 2013-11-14 2015-03-19 코닝정밀소재 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102239367B1 (ko) 2013-11-27 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR102102911B1 (ko) * 2013-11-29 2020-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
DE112014007325B3 (de) 2013-12-02 2021-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren
TWI514564B (zh) * 2013-12-10 2015-12-21 Au Optronics Corp 顯示面板及其製作方法
US20160291641A1 (en) * 2013-12-26 2016-10-06 Intel Corporation Method and apparatus for flexible electronic communicating device
KR102334815B1 (ko) * 2014-02-19 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 박리 방법
CN108963105B (zh) * 2014-03-06 2020-11-24 株式会社半导体能源研究所 发光装置
KR102292148B1 (ko) * 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
TWI687143B (zh) * 2014-04-25 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
US20150371905A1 (en) * 2014-06-20 2015-12-24 Rf Micro Devices, Inc. Soi with gold-doped handle wafer
KR102377341B1 (ko) * 2014-06-23 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
CN105280590B (zh) * 2014-07-14 2019-06-14 旺宏电子股份有限公司 半导体结构及其制造方法
JP6636736B2 (ja) 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
TWI695525B (zh) 2014-07-25 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、發光裝置、模組以及電子裝置
US20160049729A1 (en) * 2014-08-12 2016-02-18 Rainsun Co., Ltd. Antenna structure
JP2016057616A (ja) * 2014-09-05 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、入出力装置、情報処理装置
KR102472238B1 (ko) 2014-10-17 2022-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
KR102245360B1 (ko) 2014-11-28 2021-04-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US10181580B2 (en) 2014-12-05 2019-01-15 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL display device
CN104485351A (zh) * 2014-12-31 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光显示器及其制作方法
TWI696108B (zh) 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
JPWO2016132460A1 (ja) * 2015-02-17 2017-11-24 パイオニア株式会社 発光装置
CN104966696B (zh) * 2015-05-06 2017-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及其结构
CN104851892A (zh) * 2015-05-12 2015-08-19 深圳市华星光电技术有限公司 窄边框柔性显示装置及其制作方法
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
CN105118844A (zh) * 2015-07-01 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板
KR102427672B1 (ko) * 2015-08-11 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2017040859A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
US10600823B2 (en) * 2015-09-02 2020-03-24 Facebook Technologies, Llc Assembly of semiconductor devices
GB2541970B (en) 2015-09-02 2020-08-19 Facebook Tech Llc Display manufacture
GB2549734B (en) 2016-04-26 2020-01-01 Facebook Tech Llc A display
GB2544728B (en) 2015-11-17 2020-08-19 Facebook Tech Llc Redundancy in inorganic light emitting diode displays
CN105552247B (zh) * 2015-12-08 2018-10-26 上海天马微电子有限公司 复合基板、柔性显示装置及其制备方法
CN106981498A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 上海和辉光电有限公司 显示器件结构、显示器件制备方法
CN105552225B (zh) 2016-01-20 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 用于制造柔性基板的方法、柔性基板和显示装置
US10259207B2 (en) 2016-01-26 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming separation starting point and separation method
KR102643637B1 (ko) * 2016-03-02 2024-03-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102340066B1 (ko) * 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
KR102568632B1 (ko) * 2016-04-07 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6863803B2 (ja) 2016-04-07 2021-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10522574B2 (en) 2016-05-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device
JP2017212365A (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 半導体装置用基板および表示装置
KR102389537B1 (ko) 2016-07-29 2022-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TWI753868B (zh) 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
JP6981812B2 (ja) 2016-08-31 2021-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102425705B1 (ko) 2016-08-31 2022-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN106384743B (zh) * 2016-10-20 2019-12-24 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
KR20180100013A (ko) * 2017-02-28 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2018235206A1 (ja) 2017-06-21 2018-12-27 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
US10490758B2 (en) * 2017-10-30 2019-11-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible OLED display panel and manufacturing method thereof
JP7086582B2 (ja) * 2017-12-11 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108281466B (zh) * 2018-01-19 2020-11-20 上海天马微电子有限公司 可卷曲显示模组和可卷曲显示装置
KR102593533B1 (ko) 2018-02-28 2023-10-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조 방법
US10879489B2 (en) * 2018-05-21 2020-12-29 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Organic device having protective film and method of manufacturing the same
KR20190137458A (ko) * 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
KR102595915B1 (ko) 2018-06-18 2023-10-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI669815B (zh) * 2018-06-26 2019-08-21 智晶光電股份有限公司 柔性基板側向薄膜封裝
TW202101732A (zh) * 2018-12-27 2021-01-01 日商索尼半導體解決方案公司 半導體元件
JP6814230B2 (ja) * 2019-01-11 2021-01-13 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光パネル、発光装置および電子機器
CN109979977A (zh) * 2019-03-28 2019-07-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
TWI693460B (zh) * 2019-05-24 2020-05-11 友達光電股份有限公司 畫素結構
KR20210028316A (ko) * 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110992832B (zh) * 2019-12-18 2021-10-08 厦门天马微电子有限公司 一种可拉伸显示面板和可拉伸显示装置
JP7415561B2 (ja) * 2020-01-06 2024-01-17 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
JP7419821B2 (ja) 2020-01-06 2024-01-23 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
KR20220007754A (ko) * 2020-07-09 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
KR20220121274A (ko) * 2021-02-24 2022-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6459791A (en) * 1987-08-28 1989-03-07 Toray Industries Electroluminescence element
JPH0765950A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 分散型ｅｌ発光素子
KR20010106343A (ko) * 2001-10-25 2001-11-29 윤차랑 미세 전류사용 도난 경보 장치 및 그 방법

Family Cites Families (279)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4489481A (en) 1982-09-20 1984-12-25 Texas Instruments Incorporated Insulator and metallization method for VLSI devices with anisotropically-etched contact holes
US4599538A (en) 1982-09-30 1986-07-08 Gte Prod Corp Electroluminescent display device
JPS625597A (ja) 1985-07-01 1987-01-12 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
JPH0613180Y2 (ja) 1986-09-08 1994-04-06 日本板硝子株式会社 板ガラス立て掛け用吸着反転装置
JPH0765950B2 (ja) 1986-10-07 1995-07-19 ティーディーケイ株式会社 蛍光ｘ線分析方法及びその装置
JPH0414440Y2 (ko) 1987-06-08 1992-03-31
JP2742057B2 (ja) * 1988-07-14 1998-04-22 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
US5189405A (en) * 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JP2859288B2 (ja) 1989-03-20 1999-02-17 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置及びその製造方法
JPH0329291A (ja) * 1989-06-27 1991-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機分散型ｅｌランプ用捕水フィルム
JPH0362497A (ja) 1989-07-31 1991-03-18 Ricoh Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセント素子
JPH0362497U (ko) 1989-10-24 1991-06-19
US5244820A (en) 1990-03-09 1993-09-14 Tadashi Kamata Semiconductor integrated circuit device, method for producing the same, and ion implanter for use in the method
JPH0414440A (ja) 1990-05-07 1992-01-20 Toray Ind Inc 積層フィルム
US5347154A (en) * 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
JP2875076B2 (ja) 1990-11-29 1999-03-24 三井化学株式会社 フレキシブル配線基板
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5946561A (en) 1991-03-18 1999-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5396100A (en) * 1991-04-05 1995-03-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a compact arrangement of SRAM cells
JP2838338B2 (ja) * 1991-05-21 1998-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の駆動方法
JP2650519B2 (ja) 1991-07-25 1997-09-03 株式会社日立製作所 横型絶縁ゲートトランジスタ
US5317433A (en) * 1991-12-02 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side
JP3181712B2 (ja) 1992-04-28 2001-07-03 東北パイオニア株式会社 Ｅｌ表示モジュール
JP2975766B2 (ja) 1992-05-13 1999-11-10 三洋電機株式会社 可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法
TW214603B (en) * 1992-05-13 1993-10-11 Seiko Electron Co Ltd Semiconductor device
KR970010652B1 (ko) 1992-07-06 1997-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 박막형 반도체 장치 및 그 제작방법
US5633176A (en) * 1992-08-19 1997-05-27 Seiko Instruments Inc. Method of producing a semiconductor device for a light valve
US5652067A (en) 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TW250618B (ko) 1993-01-27 1995-07-01 Mitsui Toatsu Chemicals
JPH06296023A (ja) 1993-02-10 1994-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
DE4325885A1 (de) 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
EP0738013B1 (en) * 1993-08-05 2003-10-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device having a high dielectric constant capacitor
US5455625A (en) 1993-09-23 1995-10-03 Rosco Inc. Video camera unit, protective enclosure and power circuit for same, particularly for use in vehicles
JPH07109573A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
US5448020A (en) 1993-12-17 1995-09-05 Pendse; Rajendra D. System and method for forming a controlled impedance flex circuit
JPH07192866A (ja) 1993-12-26 1995-07-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜型電界発光素子
JP3254072B2 (ja) 1994-02-15 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3256084B2 (ja) 1994-05-26 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路およびその作製方法
JP3093604B2 (ja) * 1994-06-20 2000-10-03 キヤノン株式会社 液晶表示装置
JP3637078B2 (ja) 1994-08-29 2005-04-06 三井化学株式会社 ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびその用途
EP0781075B1 (en) 1994-09-08 2001-12-05 Idemitsu Kosan Company Limited Method for sealing organic el element and organic el element
JP3561302B2 (ja) 1994-10-11 2004-09-02 Ｔｄｋ株式会社 光源一体型固体撮像装置
US5627364A (en) * 1994-10-11 1997-05-06 Tdk Corporation Linear array image sensor with thin-film light emission element light source
JP3578417B2 (ja) 1994-10-21 2004-10-20 出光興産株式会社 有機ｅｌデバイス
DE4438359C2 (de) 1994-10-27 2001-10-04 Schott Glas Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
DE69623443T2 (de) 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3471966B2 (ja) 1995-03-16 2003-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置の作製方法
JP3454965B2 (ja) 1995-03-22 2003-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
KR100265179B1 (ko) 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
US5771562A (en) * 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
JP3613294B2 (ja) 1995-07-24 2005-01-26 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示パネル
JP3107743B2 (ja) * 1995-07-31 2000-11-13 カシオ計算機株式会社 電子放出性電極およびその製造方法、並びにそれを用いた冷陰極蛍光管およびプラズマディスプレイ
JPH0982476A (ja) 1995-09-14 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 有機電界発光素子
TW384412B (en) 1995-11-17 2000-03-11 Semiconductor Energy Lab Display device
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
TW309633B (ko) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6195142B1 (en) 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
JPH09232475A (ja) 1996-02-22 1997-09-05 Nitto Denko Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH09260059A (ja) 1996-03-18 1997-10-03 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子の電極接続構造，その電極の取り出し方法，及び有機薄膜ｅｌ装置
ZA974261B (en) 1996-05-17 1997-11-17 Canon Kk Photovoltaic device and process for the production thereof.
WO1997046052A1 (en) 1996-05-28 1997-12-04 Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent device
DE19627071A1 (de) 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
US5693956A (en) * 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US5817366A (en) 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
KR100481994B1 (ko) 1996-08-27 2005-12-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치
JP4619462B2 (ja) 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
JP3809681B2 (ja) 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP2762993B2 (ja) 1996-11-19 1998-06-11 日本電気株式会社 発光装置及びその製造方法
JP3392672B2 (ja) * 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
JP3281848B2 (ja) 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
JP3297619B2 (ja) 1996-12-18 2002-07-02 ティーディーケイ株式会社 有機ｅｌカラーディスプレイ
US6046543A (en) 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
US5990629A (en) 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
US5757139A (en) 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
KR100266532B1 (ko) 1997-02-03 2000-09-15 가네꼬 히사시 유기 el 소자
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
US5952778A (en) * 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
US5953094A (en) 1997-04-04 1999-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device
AU6853898A (en) 1997-04-17 1998-11-11 Kureha Kagaku Kogyo K.K. Moisture-proofing film and electroluminescent device
JP3290375B2 (ja) * 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JPH10321374A (ja) 1997-05-20 1998-12-04 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
JP3529989B2 (ja) * 1997-09-12 2004-05-24 株式会社東芝 成膜方法及び半導体装置の製造方法
KR100254536B1 (ko) 1997-09-29 2000-05-01 정선종 두개의실릴기를갖는용해가능한피피브이유도체의합성방법및이를이용한전기발광소자
JPH11168263A (ja) * 1997-09-30 1999-06-22 Canon Inc 光デバイス装置及びその製造方法
KR100249784B1 (ko) * 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
JPH11212047A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子機器
JPH11218777A (ja) 1998-01-30 1999-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネル
JPH11243209A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JP3809733B2 (ja) 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
JP4126747B2 (ja) 1998-02-27 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
CN1239396A (zh) 1998-04-08 1999-12-22 Lg电子株式会社 有机电致发光装置
US6226862B1 (en) 1998-04-30 2001-05-08 Sheldahl, Inc. Method for manufacturing printed circuit board assembly
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6252253B1 (en) 1998-06-10 2001-06-26 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Patterned light emitting diode devices
JP3215822B2 (ja) 1998-07-13 2001-10-09 住友特殊金属株式会社 磁気ヘッド用ウエハ及び磁気ヘッド
JP2000048951A (ja) 1998-07-24 2000-02-18 Oputeku:Kk 発光素子
US6172459B1 (en) 1998-07-28 2001-01-09 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
JP2000058256A (ja) 1998-08-07 2000-02-25 Canon Inc 有機発光素子
JP3785821B2 (ja) 1998-08-12 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネルの検査装置および検査方法
JP2000068050A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
US6111361A (en) * 1998-09-11 2000-08-29 Motorola, Inc. Light emitting apparatus and method of fabrication
JP4269195B2 (ja) 1998-09-25 2009-05-27 ソニー株式会社 発光又は調光素子、及びその製造方法
CN1139837C (zh) 1998-10-01 2004-02-25 三星电子株式会社 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US6343171B1 (en) 1998-10-09 2002-01-29 Fujitsu Limited Systems based on opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making
JP2000133450A (ja) 1998-10-20 2000-05-12 Rohm Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP4159712B2 (ja) 1998-11-17 2008-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、アクティブマトリクス型表示装置、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクタ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ又は携帯型情報端末
US6909114B1 (en) * 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
JP3899499B2 (ja) 1998-11-18 2007-03-28 ソニー株式会社 非水電解質電池
US6420988B1 (en) * 1998-12-03 2002-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Digital analog converter and electronic device using the same
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
TW439308B (en) 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6274412B1 (en) * 1998-12-21 2001-08-14 Parelec, Inc. Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays
JP4004672B2 (ja) * 1998-12-28 2007-11-07 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びその製造方法
US6380558B1 (en) * 1998-12-29 2002-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
DE60035078T2 (de) 1999-01-15 2008-01-31 3M Innovative Properties Co., St. Paul Herstellungsverfahren eines Donorelements für Übertragung durch Wärme
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
TW460927B (en) 1999-01-18 2001-10-21 Toshiba Corp Semiconductor device, mounting method for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
US6573195B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device by performing a heat-treatment in a hydrogen atmosphere
KR100654927B1 (ko) * 1999-03-04 2006-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작방법
JP2001009963A (ja) 1999-04-26 2001-01-16 Toyo Ink Mfg Co Ltd 積層体、その製造方法およびその利用
WO2000065670A1 (en) 1999-04-28 2000-11-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation
JP2000323273A (ja) 1999-05-07 2000-11-24 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
JP4664455B2 (ja) 1999-05-11 2011-04-06 株式会社東芝 非水電解液二次電池
JP2000323276A (ja) 1999-05-14 2000-11-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物
JP3838331B2 (ja) 1999-05-14 2006-10-25 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
TWI232595B (en) 1999-06-04 2005-05-11 Semiconductor Energy Lab Electroluminescence display device and electronic device
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP4730994B2 (ja) 1999-06-04 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置及びその作製方法並びに電子装置
JP2001052864A (ja) 1999-06-04 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
US6770975B2 (en) 1999-06-09 2004-08-03 Alliedsignal Inc. Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics
JP3666305B2 (ja) 1999-06-14 2005-06-29 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、電気光学装置及び半導体装置の製造方法
JP2000357585A (ja) 1999-06-14 2000-12-26 Futaba Corp 有機ｅｌ素子
TW490713B (en) * 1999-07-22 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP3804349B2 (ja) 1999-08-06 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置
JP2001057286A (ja) 1999-08-20 2001-02-27 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP2001085156A (ja) 1999-09-14 2001-03-30 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置
US6660409B1 (en) 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
TW540251B (en) * 1999-09-24 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for driving the same
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
JP4780826B2 (ja) 1999-10-12 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP2001118674A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ表示装置
US6548912B1 (en) 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6623861B2 (en) 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6413645B1 (en) * 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US20070196682A1 (en) 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6587086B1 (en) * 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
TW587239B (en) 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
US6653657B2 (en) * 1999-12-10 2003-11-25 Semoconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
JP3409762B2 (ja) 1999-12-16 2003-05-26 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001185346A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Victor Co Of Japan Ltd 自発光式デバイス
US6606080B2 (en) * 1999-12-24 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and electronic equipment
TW473800B (en) * 1999-12-28 2002-01-21 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP4478268B2 (ja) 1999-12-28 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの製造方法
JP4748859B2 (ja) 2000-01-17 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7060153B2 (en) 2000-01-17 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US6747638B2 (en) 2000-01-31 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor
JP2001217423A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Sony Corp 薄膜半導体装置及び表示装置とその製造方法
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7098884B2 (en) * 2000-02-08 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and method of driving semiconductor display device
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
TW525305B (en) * 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
KR100685312B1 (ko) * 2000-02-25 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그의 제조방법
TWI249363B (en) 2000-02-25 2006-02-11 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor
US6882012B2 (en) * 2000-02-28 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP4542659B2 (ja) 2000-03-07 2010-09-15 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US6838696B2 (en) * 2000-03-15 2005-01-04 Advanced Display Inc. Liquid crystal display
US6872607B2 (en) * 2000-03-21 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP2001338755A (ja) 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
TW521226B (en) * 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
JP2001284592A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその駆動方法
JP2001282123A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法
US7525165B2 (en) * 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
TW493282B (en) 2000-04-17 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Self-luminous device and electric machine using the same
TW447138B (en) * 2000-04-28 2001-07-21 Unipac Optoelectronics Corp Manufacturing method of thin-film transistor
US7579203B2 (en) * 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6611108B2 (en) * 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
TW531901B (en) * 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW442979B (en) * 2000-04-28 2001-06-23 Unipac Optoelectronics Corp Manufacturing method of thin-film transistor
US6515310B2 (en) 2000-05-06 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric apparatus
US6989805B2 (en) * 2000-05-08 2006-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6692845B2 (en) * 2000-05-12 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW554637B (en) 2000-05-12 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Display device and light emitting device
US8610645B2 (en) * 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3783099B2 (ja) 2000-05-16 2006-06-07 株式会社豊田中央研究所 有機電界発光素子
TW521256B (en) * 2000-05-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device and method of driving the same
JP2001326071A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Stanley Electric Co Ltd 有機ｌｅｄ素子のパッシベーション膜成膜方法
JP2001332741A (ja) 2000-05-25 2001-11-30 Sony Corp 薄膜トランジスタの製造方法
TW483038B (en) * 2000-05-26 2002-04-11 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
US6872604B2 (en) * 2000-06-05 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a light emitting device
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US6729922B2 (en) * 2000-06-05 2004-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device for inspecting element substrates and method of inspection using this device
JP2001357973A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Sony Corp 表示装置
GB0014962D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array display devices with light sensing elements and associated storage capacitors
US6738034B2 (en) 2000-06-27 2004-05-18 Hitachi, Ltd. Picture image display device and method of driving the same
US7503975B2 (en) * 2000-06-27 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method therefor
JP3840926B2 (ja) 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、並びに電子機器
US6940223B2 (en) * 2000-07-10 2005-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
US6828950B2 (en) * 2000-08-10 2004-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
JP3501218B2 (ja) 2000-08-11 2004-03-02 日本電気株式会社 フラットパネル表示モジュール及びその製造方法
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
WO2002017689A1 (fr) 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Afficheur electroluminescent organique
TW463393B (en) * 2000-08-25 2001-11-11 Ind Tech Res Inst Structure of organic light emitting diode display
US6739931B2 (en) 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
TW466888B (en) * 2000-09-29 2001-12-01 Ind Tech Res Inst Pixel device structure and process of organic light emitting diode display
US6924594B2 (en) 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6664732B2 (en) 2000-10-26 2003-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4116764B2 (ja) 2000-10-27 2008-07-09 松下電工株式会社 有機電界発光素子の作製方法
TW522577B (en) 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6515428B1 (en) * 2000-11-24 2003-02-04 Industrial Technology Research Institute Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method
GB0028877D0 (en) * 2000-11-28 2001-01-10 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal displays
US6583440B2 (en) * 2000-11-30 2003-06-24 Seiko Epson Corporation Soi substrate, element substrate, semiconductor device, electro-optical apparatus, electronic equipment, method of manufacturing the soi substrate, method of manufacturing the element substrate, and method of manufacturing the electro-optical apparatus
US6646284B2 (en) * 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US6624839B2 (en) * 2000-12-20 2003-09-23 Polaroid Corporation Integral organic light emitting diode printhead utilizing color filters
US6825496B2 (en) * 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6639360B2 (en) * 2001-01-31 2003-10-28 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
JP4831874B2 (ja) * 2001-02-26 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP4147008B2 (ja) 2001-03-05 2008-09-10 株式会社日立製作所 有機ｅｌ素子に用いるフィルム及び有機ｅｌ素子
JP3608613B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6734463B2 (en) 2001-05-23 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a window
JP4244120B2 (ja) 2001-06-20 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003086356A (ja) 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP2003017244A (ja) 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
JP3879463B2 (ja) * 2001-09-19 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示パネル，液晶表示装置、及び液晶テレビ
US6737753B2 (en) 2001-09-28 2004-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Barrier stack
US6852997B2 (en) 2001-10-30 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4019690B2 (ja) 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6731064B2 (en) * 2001-11-20 2004-05-04 International Business Machines Corporation Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays
KR100483988B1 (ko) 2001-11-29 2005-04-15 삼성에스디아이 주식회사 투명도전막의 투과도 변형방법
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP2003203771A (ja) 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子、表示装置及び照明装置
KR100563675B1 (ko) 2002-04-09 2006-03-28 캐논 가부시끼가이샤 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지
US6819044B2 (en) 2002-04-10 2004-11-16 Tdk Corporation Thin-film EL device and composite substrate
US6835950B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US6728278B2 (en) 2002-05-23 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic vertical cavity laser array device
US6792333B2 (en) 2002-06-04 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Product management method, program for performing product management, and storage medium having recorded the program therein
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
US6911772B2 (en) 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
KR100473591B1 (ko) 2002-07-18 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
GB0217900D0 (en) 2002-08-02 2002-09-11 Qinetiq Ltd Optoelectronic devices
US6710542B2 (en) 2002-08-03 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device with improved moisture seal
TWI304706B (ko) 2002-08-30 2008-12-21 Au Optronics Corp
JP2004207084A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI228941B (en) 2002-12-27 2005-03-01 Au Optronics Corp Active matrix organic light emitting diode display and fabricating method thereof
US7692378B2 (en) 2004-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including an insulating layer with an opening
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
DE102009026478A1 (de) 2009-05-26 2010-12-02 Hilti Aktiengesellschaft Befestigungselement mit einem Grundkörper für den Einsatz im Berg- und Tunnelbau

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6459791A (en) * 1987-08-28 1989-03-07 Toray Industries Electroluminescence element
JPH0765950A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 分散型ｅｌ発光素子
KR20010106343A (ko) * 2001-10-25 2001-11-29 윤차랑 미세 전류사용 도난 경보 장치 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20140346488A1 (en) 2014-11-27
US20110233557A1 (en) 2011-09-29
US20120187388A1 (en) 2012-07-26
CN1392615A (zh) 2003-01-22
US20130228763A1 (en) 2013-09-05
TW548860B (en) 2003-08-21
CN100350633C (zh) 2007-11-21
US9166180B2 (en) 2015-10-20
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