CN103280256A - 一种透明导电薄膜 - Google Patents

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杜成城
刘比尔
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Shantou Wanshun Packaging Materials Co., Ltd.
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Abstract

一种透明导电薄膜。本发明为了解决现有同类透明导电薄膜存在对于某些特殊的高温高湿环境,功能层的密着性变差,且电阻值变化率增大,使透明导电薄膜的触控灵敏性变差,甚至造成触控无法操作的缺陷。技术方案要点:由薄膜基材和附着在薄膜基材一面的透明导电层构成,其特征是:所述薄膜基材与透明导电层之间附着有一个纯Si(硅)材料的密着层。

Description

一种透明导电薄膜
技术领域
本发明涉及设备或日用产品的触控技术器件的制造材料,具体是一种透明导电薄膜。
背景技术
透明导电薄膜,目前已经广泛应用于平板显示、屏式触控技术、太阳能电池板、太阳能控制膜、防止起雾除去霜玻璃、冰玻璃、防静电涂层等诸多领域。
透明导电薄膜的基本结构是由其一面或两面附着或不附着有加硬层的薄膜基材,在薄膜基材的一面附着有透明导电层构成。其中薄膜基材通常可以采用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET薄膜);透明导电层通常可以采用氧化铟锡(ITO)为材料。附着加硬层、透明导电层等功能层可以采用磁控溅射、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积、溶胶凝胶法等技术手段来实现。
因为氧化铟锡与薄膜基材之间的密着性不是很理想,并且为了降低片电阻值而往往会增加氧化铟锡层的厚度,因此会出现透明导电薄膜透光率降低的问题,解决此问题的方法通常是在薄膜基材和透明导电层之间增加一层或两层光学层,来提高其透光率。光学层通常可以采用二氧化硅(SiO2)为材料。
为了使得透明导电薄膜具有优良的耐候性和环境适应性,有研究提出在透明导电层与薄膜基材之间增加一个密着层,通过选择与有机材料和无机材料都有着良好附着性能的特殊材料,提高光学层及薄膜基材之间的密着性,从而改善透明导电薄膜的耐候性和环境适应性。密着层可以采用氧化硅(SiOX)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiOXNY)、氧化钛(TiOX)或氮化钛(TiNX)为材料。
虽然上述密着层改善了透明导电薄膜的耐候性和环境适应性,包括了耐高温高湿性能的改善,但是对于某些特殊的高温高湿环境,如放入沸水中测试,透明导电薄膜上附着的功能层的密着性变差,且电阻值变化率增大,从而会导致透明导电薄膜的触控灵敏性变差,甚至造成触控无法操作。
发明内容
为了克服现有透明导电薄膜存在对于某些特殊的高温高湿环境,如放入沸水中,透明导电薄膜功能层的密着性变差,且电阻值变化率增大,使透明导电薄膜的触控灵敏性变差,甚至造成触控无法操作的缺陷,本申请人为此经过无数次的实验和测试,现通过本发明提供出一种改进的透明导电薄膜,可以克服现有技术的缺陷。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种透明导电薄膜,由薄膜基材和附着在薄膜基材一面的透明导电层构成,其特征是:所述薄膜基材与透明导电层之间附着有一个纯Si(硅)材料的密着层。
上述技术方案所述的薄膜基材可以采用PET薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜)、PEN薄膜(聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜)、PI薄膜(聚酰亚胺薄膜)、PC薄膜(聚碳酸酯薄膜)、PO薄膜(聚烯烃薄膜)、TAC薄膜(三醋酸纤维素薄膜)、COC薄膜(环烯烃共聚物薄膜)、COP薄膜(环烯烃聚合物薄膜)中的一种。
上述技术方案所述的纯Si(硅),可以采用单晶硅或多晶硅。
上述技术方案所述的纯Si(硅)材料的密著层厚度可以掌握在0.1nm~7nm;更佳的厚度可以掌握在0.3nm~5nm。
上述技术方案所述的透明导电层材料可以采用ITO(氧化铟锡)、IGZO(氧化铟镓锌)、ITiO(氧化铟钛)、AZO(氧化铝锌)、ZnO(氧化锌)中的一种。
上述技术方案所述薄膜基材的一面或两面上,在未附着有其它功能层之前,可以附着有加硬层。
上述技术方案所述的密着层与透明导电层之间,可以附着有光学层。光学层可以是一层以上。光学层材料可以采用SiO2(二氧化硅)。
上述技术方案所述的光学层为单层光学层时,光学层的折射率可以掌握在1.4~1.55。
上述技术方案所述的加硬层材料可以采用MF(密胺树脂)、CARBAMATE (胺基甲酸酯树脂)、ALKYD RESIN(醇酸树脂)、APP(丙烯酸系树脂)、POLYSILOXANE(聚硅氧烷树脂)中的一种。
上述技术方案所述的附着其中任何一个功能层均可以采用磁控溅射、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积、溶胶凝胶法等技术手段来实现。
上述技术方案所述的加硬层、光学层和透明导电层的成型上的其他工艺和参数,可以参照已有技术进行适用性选择和采用。
本发明的有益效果:经实验证明,本发明在薄膜基材与透明导电层之间附着一个纯Si(硅)材料的密着层,可以使得透明导电薄膜在某些特殊的高温高湿环境,如放入沸水中,能够有效防止透明导电薄膜上附着的功能层的密着性变差和电阻值变化率增大的问题,从而明显提高了透明导电薄膜的耐候性和环境适应性。
以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
附图说明
图1是本发明一种实施例的局部纵剖放大示意图。
图2是本发明另一种实施例的局部纵剖放大示意图。
图3是本发明又一种实施例的局部纵剖放大示意图。
图中:1、薄膜基材;2、透明导电层;3、密着层;4、薄膜基材;5、透明导电层;6、密着层;7、加硬层;8、薄膜基材;9、透明导电层;10、密着层;11、加硬层;12、加硬层;13、光学层。
具体实施方式
参照图1,本透明导电薄膜,由薄膜基材1和附着在薄膜基材1一面的透明导电层2构成,其特征是:所述薄膜基材1与透明导电层2之间附着有一个纯Si(硅)材料的密着层3。
参照图2,本透明导电薄膜,由薄膜基材4和附着在薄膜基材4一面的透明导电层5构成,其特征是:所述薄膜基材4与透明导电层5之间附着有一个纯Si(硅)材料的密着层6。另外,薄膜基材4的另一面附着有一个加硬层7。
参照图3,本透明导电薄膜,由薄膜基材8和附着在薄膜基材8一面的透明导电层9构成,其特征是:所述薄膜基材8与透明导电层9之间附着有一个纯Si(硅)材料的密着层10。另外,薄膜基材4的另一面附着有一个加硬层11,薄膜基材4与密着层10之间也附着有一个加硬层12,密着层10与透明导电层9之间还附着有一个SiO2(二氧化硅)材料的光学层13。
所述薄膜基材1、4、8的材料各采用PET薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜)、PEN薄膜(聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜)、PI薄膜(聚酰亚胺薄膜)、PC薄膜(聚碳酸酯薄膜)、PO薄膜(聚烯烃薄膜)、TAC薄膜(三醋酸纤维素薄膜)、COC薄膜(环烯烃共聚物薄膜)、COP薄膜(环烯烃聚合物薄膜)中的一种。
所述透明导电层2、5、9的材料各采用ITO(氧化铟锡)、IGZO(氧化铟镓锌)、ITiO(氧化铟钛)、AZO(氧化铝锌)、ZnO(氧化锌)中的一种。
所述纯Si(硅)采用单晶硅或多晶硅,密着层6厚度掌握在0.1nm~7nm;更佳的厚度掌握在0.3nm~5nm。
所述光学层13的折射率掌握在1.4~1.55。
所述加硬层11、13的材料各采用MF(密胺树脂)、CARBAMATE (胺基甲酸酯树脂)、ALKYD RESIN(醇酸树脂)、APP(丙烯酸系树脂)、POLYSILOXANE(聚硅氧烷树脂)中的一种。
以下通过表格给出实验数据,将本发明的实验例和已有技术的对比例进行性能对比:
从上述表格中可以看出,设有纯Si密着层的透明导电薄膜,在沸水中煮过后,其密着性好于无密着层的和采用其他材料作密着层的透明导电薄膜,其电阻值变化率也大大小于无密着层的和采用其他材料作密着层的透明导电薄膜。由此可见设置纯Si密着层能有效防止透明导电薄膜上附着的材料层的密着性变差和电阻值变化率增大的问题,明显提高了透明导电薄膜的耐候性和环境适应性。

Claims (9)

1.一种透明导电薄膜,由薄膜基材和附着在薄膜基材一面的透明导电层构成,其特征是:所述薄膜基材与透明导电层之间附着有一个纯Si材料的密着层。
2.按权利要求1所述的透明导电薄膜,其特征是所述密着层与透明导电层之间附着有一层以上的光学层。
3.按权利要求1或2所述的透明导电薄膜,其特征是所述纯Si(硅)材料的密著层厚度掌握在0.1nm~7nm。
4.按权利要求3所述的透明导电薄膜,其特征是所述纯Si(硅)材料的密著层厚度掌握在0.3nm~5nm。
5.按权利要求1或2所述的透明导电薄膜,其特征是所述薄膜基材的一面或两面上,在未附着有其它功能层之前,先附着有加硬层。
6.按权利要求2所述的透明导电薄膜,其特征是所述光学层为单层光学层时,光学层的折射率掌握在1.4~1.55。
7.按权利要求1或2所述的透明导电薄膜,其特征是所述薄膜基材采用PET薄膜、PEN薄膜、PI薄膜、PC薄膜、PO薄膜、TAC薄膜、COC薄膜、COP薄膜中的一种。
8.按权利要求1或2所述的透明导电薄膜,其特征是所述透明导电层材料采用ITO、IGZO、ITiO、AZO、ZnO中的一种。
9.按权利要求5所述的透明导电薄膜,其特征是所述加硬层材料采用MF、CARBAMATE、ALKYD RESIN、APP、POLYSILOXANE中的一种。
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