CN103337279A - 透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板 - Google Patents
透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103337279A CN103337279A CN2013102627681A CN201310262768A CN103337279A CN 103337279 A CN103337279 A CN 103337279A CN 2013102627681 A CN2013102627681 A CN 2013102627681A CN 201310262768 A CN201310262768 A CN 201310262768A CN 103337279 A CN103337279 A CN 103337279A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- nesa coating
- close work
- thickness
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
本发明公开一种透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板。所述透明导电膜，包括基材层、密著层及导电层，所述密著层设于所述基材层及所述导电层之间，所述导电层的厚度为15-60nm，所述密著层是由硅材料制得。本发明还提供一种具有上述导电膜的触摸面板。本发明所述的透明导电膜的密著性良好，尤其是其水煮测试性能良好，且透明性好。
Description
技术领域
本发明涉及高分子材料领域，尤其涉及一种透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板。
背景技术
触控面板中常用的透明导电膜，其性能直接影响所述触控面板的性能，现有技术中，所述透明导电膜一般包括基材层及导电层，但由于所述基材层与导电层之间的密著性较差，有研究指出，于光学层与基材层之间多增加一密著层，届由与有机材料及无机材料均有不错接著效果的特殊材料，来改善两者之间的密著性问题，一般的密著层材料为硅的氧化物、硅的氮化物、钛的氧化物、钛的氮化物或者硅的氮氧化物。此法虽然可提升一般高温高湿条件下的密著效果，但其水煮测试仍然无法达到要求。通常高温高湿测试的密著性测试，是在85℃/85%RH的条件下，将样条悬挂测试，避免积水至样条上，而水煮测试需将样条直接置于沸水中，若样条的密著性不佳的话水较易从两相邻层的界面间渗透，造成剥落，相对而言，水煮测试对样条的密著性要求更为严苛，通过水煮测试的样条能运用于更高端的工控、军用或强调防水性能的产品。
发明内容
综上所述，本发明有必要提供一种能通过水煮测试的透明导电膜。
此外，本发明还有必要提供一种具有上述导电膜的触摸面板。
一种透明导电膜，包括基材层、密著层及导电层，所述密著层设于所述基材层及所述导电层之间，所述导电层的厚度为15-60nm，所述密著层是由硅材料制得。
其中，所述密著层的厚度优选为0.1-7nm。
其中，所述密著层的厚度进一步优选为0.1-5nm。
其中，所述基材层与所述密著层之间和/或所述基材层相对所述密著层的一侧设有硬涂层（HC）。
其中，所述硬涂层可以为以下物质中的至少一种：密胺树脂、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、丙烯酸系树脂、聚硅氧树脂。
其中，所述硅材料可以为单晶硅或多晶硅。
其中，所述基材层可以包括以下材料制得：聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚酰亚胺（PI）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、或环烯烃类共聚物（COP或COC）。
其中，所述导电层可以包括以下材料制得：铟锡氧化物（ITO）、氧化锡锑（ATO）、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃（AZO）、或氧化铟镓锌（IGZO）。
其中，所述铟锡氧化物中，氧化铟与氧化锡的质量比可以为85:15-99:1。
一种透明导电膜，包括基材层、密著层、光学层及导电层，所述密著层设于所述基材层及所述导电层之间，所述光学层设于所述密著层及所述导电层之间，所述导电层的厚度为15-60nm，所述密著层是由硅材料制得。
其中，所述密著层的厚度优选为0.1-7nm。
其中，所述密著层的厚度进一步优选为0.1-5nm。
其中，所述光学层的折射率优选为1.4-1.55。
其中，所述光学层的厚度优选为5-70nm。
其中，所述光学层可以包括以下材料制得：氟化镁（MgF2）、硅的氧化物，硅的氮氧化物，进一步优选二氧化硅（SiO2）。
其中，上述透明导电膜可以采用现有技术常用的技术手段制备得到，如溅镀、蒸镀、溅射、电子枪等方法。具体为：在氩气100%、压强0.4Pa的条件下，使用硅材料在所述基材的表面上溅射形成密著层；在氩气95%、氧气5%、压强0.4Pa的条件下，采用反应溅镀法在所述密著层的表面形成导电层。
本发明所述的透明导电膜可广泛应用于电子电器领域，特别是应用于触控面板上，尤其是电阻式触控面板。
本发明还提供一种触摸面板，具有以上所述的透明导电膜。
相较现有技术，本发明所述的透明导电膜，采用由硅材料制成密著层，提高了所述透明导电膜的密著性及耐候性，达到水煮测试的要求。
具体实施方式
下面结合一些具体实施方式对本发明透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板做进一步描述。具体实施例为进一步详细说明本发明，非限定本发明的保护范围。
本发明所述的透明导电膜按照以下标准进行性能测试：
密著性测试：百格试验，ASTM D3359-02。
表面电阻测试：低阻抗计搭配四点探针，ASTM D991。
透光率测试：全光线雾度计，ASTM D1003。
水煮试验：将片材置于100℃沸水中煮24小时。
水煮试验前后电阻变化率测试：水煮试验前测量表面电阻为R1，水煮试验后再测量一次表面电阻为R2，以R2/R1的值为水煮试验前后电阻变化率。
所有本发明提供的实施例中，提供的原材料均可从市面采购获得。
实施例1-7
以厚度为125um的PET(日本三菱树脂制造)作为基材层，在氩气100%、压强0.4Pa的条件下，使用多晶硅在所述基材的表面上溅射形成密著层；在氩气95%、氧气5%、压强0.4Pa的条件下，采用反应溅镀法在所述密著层的表面形成导电层，该导电层的材料选用ITO。
对比例1-5
以厚度为125um的PET(日本三菱树脂制造)作为基材层，在氩气100%、压强0.4Pa的条件下，使用SiOx（x为1.5）、SiO2、Si3N4、SiON、TiO2中的任意一种在所述基材的表面上溅射形成密著层；在氩气95%、氧气5%、压强0.4Pa的条件下，采用反应溅镀法在所述密著层的表面形成导电层，该导电层的材料选用ITO。
将上述实施例1-7及对比例1-5中制备得到的透明导电膜进行性能测试并将结果分别记录于表1、表2中。
表1
表2
其中，上表1、2中以“⊙○△×”依次表示性能从优到劣，其中，所述“×”表示未达到标准要求，“△”表示及格，能够达到标准要求，“○”表示性能良好，“⊙”表示性能优秀。后文中出现“⊙○△×”，均同此解释。
由实施例1、实施例3-5及实施例7与对比例1-5对比可以看出，本发明实施例所述透明导电膜的密著层采用硅材料制得，对比例中的密著层采用硅的氧化物或氮化物、或钛的氧化物或氮化物制得，具体如SiOx（x为1.5）、SiO2、Si3N4、SiON、TiO2等，本发明所述透明导电膜的水煮测试的密著性明显好于对比例的透明导电膜。
由实施例1-7中可以看出，当所述硅材料制得的密著层的厚度为0.1nm时，其水煮测试得到明显提高；随着所述硅材料制得的密著层的厚度增加，所述透明导电膜的水煮测试提高，所述透明导电膜的透光率下降，尤其是所述密著层厚度增加至10nm时，所述透明导电膜的透光率降低至71%，不能满足所述透明导电膜对透光率的要求。因此，本发明所述透明导电膜优选0.1-7nm厚度的密著层，其透光率大于75%，满足所述透明导电膜对透光率的要求。更进一步地优选0.1-5nm厚度的密著层，其透光率大于80%。
实施例8-10
以厚度为60um的聚环烯薄膜（Polycycloolefin film，日本ZEON制造）作为基材层，在氩气100%、压强0.4Pa的条件下，使用多晶硅在所述基材的表面上溅射形成密著层；在真空环境下，用多晶硅材料在所述密著层表面上反应溅镀形成光学层；在氩气100%、压强0.4Pa的条件下，采用反应溅镀法在所述光学层的表面形成导电层，该导电层的材料选用AZO(具体为ZnO-Al2O3)。
表3
由实施例8-10中可以看出，在其他条件不变的情况下，随着所述光学层的厚度的增加，所述透明导电膜的透光率提高。
实施例11-13
以厚度为50umPET（含硬涂层，日本东山制）为基材层，在氩气100%、压强0.4Pa的条件下，使用单晶硅在所述基材的表面上溅射形成密著层；在真空环境下，用多晶硅材料在所述密著层表面上反应溅镀形成光学层；在氩气95%、氧气5%、压强0.4Pa的条件下，采用反应溅镀法在所述光学层的表面形成导电层，该导电层的材料选用ITO。
对比例6-8
以厚度为50umPET（含硬涂层，日本东山制）作为基材层，采用有机材料形成150nm厚的固化覆膜作为密著层，该有机材料由以下重量比的组分组成：密胺树脂：烷基醇酸树脂：有机硅烷缩合物=2:2:1；在真空环境下，用多晶硅材料在所述密著层表面上反应溅镀形成光学层；在氩气100%、压强0.4Pa的条件下，采用反应溅镀法在所述光学层的表面形成导电层，该导电层的材料选用ITO。
表4
从上述实施例11-13及对比例6-8可以看出，本发明实施例所述透明导电膜的密著层采用硅材料制得，对比例中的密著层采用有机材料制得且对比例中有机层的厚度为本领域技术人员的常用厚度（150nm左右），本发明所述透明导电膜的水煮测试的密著性明显好于对比例的透明导电膜。
从上述实施例1-13与对比例1-8相对比，可以看出，本发明所述透明导电膜的水煮试验前后电阻变化率明显小于对比例，并且，透明导电膜应用于触摸面板时，要求水煮试验前后电阻变化率需要小于或等于1.3，本发明所述透明导电膜的水煮试验前后电阻变化率满足上述要求。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (13)
1.一种透明导电膜，包括基材层、密著层及导电层，所述密著层设于所述基材层及所述导电层之间，所述导电层的厚度为15-60nm，其特征在于：所述密著层是由硅材料制得。
2.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述密著层的厚度为0.1-7nm。
3.如权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于：所述密著层的厚度为0.1-5nm。
4.如权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于：所述基材层与所述密著层之间和/或所述基材层相对所述密著层的一侧设有硬涂层。
5.如权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于：所述硬涂层为以下物质中的至少一种：密胺树脂、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、丙烯酸系树脂、聚硅氧树脂。
6.如权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于：所述基材层包括以下材料制得：聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、或环烯烃类共聚物。
7.如权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于：所述导电层包括以下材料制得：铟锡氧化物、氧化锡锑、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃、或氧化铟镓锌。
8.一种透明导电膜，包括基材层、密著层、光学层及导电层，所述密著层设于所述基材层及所述导电层之间，所述光学层设于所述密著层及所述导电层之间，所述导电层的厚度为15-60nm，其特征在于：所述密著层是由硅材料制得。
9.如权利要求8所述的透明导电膜，其特征在于：所述密著层的厚度为0.1-7nm。
10.如权利要求8或9所述的透明导电膜，其特征在于：所述密著层的厚度为0.1-5nm。
11.如权利要求8或9所述的透明导电膜，其特征在于：所述光学层的折射率为1.4-1.55。
12.如权利要求8或9所述的透明导电膜，其特征在于：所述光学层的厚度为5-70nm。
13.一种触摸面板，其特征在于：具有如权利要求1至12中任一项所述的透明导电膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013102627681A CN103337279A (zh) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | 透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013102627681A CN103337279A (zh) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | 透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103337279A true CN103337279A (zh) | 2013-10-02 |
Family
ID=49245418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013102627681A Pending CN103337279A (zh) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | 透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103337279A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104766647A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-08 | 江苏双星彩塑新材料股份有限公司 | Ito透明导电薄膜 |
| CN104820518A (zh) * | 2015-03-20 | 2015-08-05 | 汕头万顺包装材料股份有限公司 | 一种透明导电层合板体 |
| WO2016154846A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Transparent pressure sensing film composition |
| CN108121468A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 联享光电股份有限公司 | 透明导电膜 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1875473A (zh) * | 2003-11-03 | 2006-12-06 | 国际商业机器公司 | 绝缘体上硅锗(sgoi)和绝缘体上锗(goi)衬底的制造方法 |
| JP2007299534A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Sony Corp | 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル |
| CN101225543A (zh) * | 2007-10-09 | 2008-07-23 | 兰州大成自动化工程有限公司 | 单晶硅薄膜及其组件的制备方法 |
| CN101442184A (zh) * | 2007-11-20 | 2009-05-27 | 三菱电机株式会社 | 氮化物半导体装置及其制造方法 |
| CN101476109A (zh) * | 2008-01-02 | 2009-07-08 | 甘国工 | 柔性高阻多层透明导电膜的制备方法 |
| CN101868837A (zh) * | 2007-10-26 | 2010-10-20 | 帝人株式会社 | 透明导电性层叠体及透明触摸面板 |
| CN103069505A (zh) * | 2010-09-17 | 2013-04-24 | 乐金华奥斯有限公司 | 可见性优秀的透明导电性膜及其制备方法 |
-
2013
- 2013-06-26 CN CN2013102627681A patent/CN103337279A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1875473A (zh) * | 2003-11-03 | 2006-12-06 | 国际商业机器公司 | 绝缘体上硅锗(sgoi)和绝缘体上锗(goi)衬底的制造方法 |
| JP2007299534A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Sony Corp | 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル |
| CN101225543A (zh) * | 2007-10-09 | 2008-07-23 | 兰州大成自动化工程有限公司 | 单晶硅薄膜及其组件的制备方法 |
| CN101868837A (zh) * | 2007-10-26 | 2010-10-20 | 帝人株式会社 | 透明导电性层叠体及透明触摸面板 |
| CN101442184A (zh) * | 2007-11-20 | 2009-05-27 | 三菱电机株式会社 | 氮化物半导体装置及其制造方法 |
| CN101476109A (zh) * | 2008-01-02 | 2009-07-08 | 甘国工 | 柔性高阻多层透明导电膜的制备方法 |
| CN103069505A (zh) * | 2010-09-17 | 2013-04-24 | 乐金华奥斯有限公司 | 可见性优秀的透明导电性膜及其制备方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104820518A (zh) * | 2015-03-20 | 2015-08-05 | 汕头万顺包装材料股份有限公司 | 一种透明导电层合板体 |
| CN104820518B (zh) * | 2015-03-20 | 2018-07-10 | 汕头万顺包装材料股份有限公司 | 一种透明导电层合板体 |
| WO2016154846A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Transparent pressure sensing film composition |
| CN104766647A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-08 | 江苏双星彩塑新材料股份有限公司 | Ito透明导电薄膜 |
| CN104766647B (zh) * | 2015-04-02 | 2017-02-01 | 江苏双星彩塑新材料股份有限公司 | Ito透明导电薄膜 |
| CN108121468A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 联享光电股份有限公司 | 透明导电膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5572932B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル | |
| US9423912B2 (en) | Touch panel | |
| JP2010026938A (ja) | タッチパネル | |
| JP4871846B2 (ja) | タッチパネル用透明導電膜付フィルムとこれを用いたタッチパネル | |
| CN103337279A (zh) | 透明导电膜及具有该导电膜的触摸面板 | |
| KR101879220B1 (ko) | 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 | |
| TWM472252U (zh) | 觸控面板 | |
| US9146647B2 (en) | Touch panel | |
| CN109219895A (zh) | 带有透明电极的压电薄膜和压力传感器 | |
| KR20140137631A (ko) | 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 | |
| JP7143141B2 (ja) | 透明電極積層体及びその製造方法 | |
| TWI473720B (zh) | 可視性優秀的雙面透明導電性膜及其製備方法 | |
| US20150169104A1 (en) | Touch panel | |
| CN105045451B (zh) | 触控显示面板及其制造方法 | |
| CN103280256A (zh) | 一种透明导电薄膜 | |
| KR20150048944A (ko) | 유연성 투명전극 및 그 제조방법 | |
| KR20140137823A (ko) | 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 | |
| CN202782000U (zh) | 一种增透型防指纹膜 | |
| CN211591645U (zh) | 一种醇系纳米银线油墨涂布用的复合膜及纳米银线导电膜 | |
| CN206400520U (zh) | 一种耐候性石墨烯电容式触摸屏功能片 | |
| CN111933330A (zh) | 一种高抗弯折性ito透明导电膜 | |
| CN111916250A (zh) | 高抗弯折性的ito透明导电膜 | |
| US10784464B2 (en) | Inorganic film and encapsulating film | |
| CN202486750U (zh) | 电容式触摸屏 | |
| CN204904291U (zh) | 触控装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: OPTOELECTRONIC FILM BRANCH COMPANY, SHANTOU WANSHU Effective date: 20150522 Owner name: SHANTOU WANSHUN PACKAGE MATERIAL CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: OPTOELECTRONIC FILM BRANCH COMPANY, SHANTOU WANSHUN PACKING MATERIAL CO., LTD. Effective date: 20150522 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20150522 Address after: Shantou Free Trade Zone Wanshun Industrial Park, Haojiang District 515078 Guangdong city of Shantou Province Applicant after: Shantou Wanshun Packaging Materials Co., Ltd. Applicant after: Optical and Electrical Films Branch Company of Shantou Wanshun Package Material Stock Co., Ltd. Address before: 515078 Guangdong city of Shantou province Haojiang District in the bonded area 1, 2, A01-2 block 3 Applicant before: Optical and Electrical Films Branch Company of Shantou Wanshun Package Material Stock Co., Ltd. |
|
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20131002 |