WO2018235206A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 - Google Patents
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Abstract
発光素子を含む発光素子層（５）と、前記発光素子層（５）よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層（４）と、前記発光素子層を覆う封止層（６）とを備え、前記封止層には、第１無機封止膜（２６）およびこれよりも上層の第２無機封止膜（２８）が含まれ、前記第２無機封止膜が前記ＴＦＴ層の端面（４ｔ）を覆う。
Description
本発明は、表示デバイスに関する。
有機ＥＬ素子等の発光素子は、水、酸素等の異物への耐性が低い。特許文献１には、表示デバイスにおける有機ＥＬ素子の封止構成が開示されている。
従来の封止構成は効果が低く、浸透した異物によって発光素子が劣化するという問題がある。
発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層と、前記発光素子層を覆う封止層とを備え、前記封止層には、第１無機封止膜およびこれよりも上層の第２無機封止膜が含まれ、前記第２無機封止膜が前記ＴＦＴ層の端面の少なくとも一部を覆う表示デバイスとする。
前記封止層は封止効果が高く、発光素子層が劣化しにくい。
〔実施形態１〕
図１および図２は、実施形態１に係る表示デバイス２を示す断面図である。図１においては端子部４４の周囲、図２においては発光素子層５を含む画素領域の周囲における断面図を示す。
図１および図２は、実施形態１に係る表示デバイス２を示す断面図である。図１においては端子部４４の周囲、図２においては発光素子層５を含む画素領域の周囲における断面図を示す。
本実施形態に係る表示デバイスの製造方法を、図３に示すフローチャートに従い、図１および図２を参照して説明する。
図２の（ｂ）に示すように、まず、基材１０上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０および有機層間膜２１を含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、無機封止膜２６、有機封止膜２７、および無機封止膜２８を含む封止層６を形成し、積層体７とする（ステップＳ５）。次いで、基材１０とともに積層体７を分断し、個片化する（ステップＳ１０）。次いで、接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１１）。次いで、ＴＦＴ層４の端部に電子回路基板を実装する（ステップＳ１２）。これにより、図２に示す表示デバイス２を得る。なお、前記各ステップは表示デバイスの製造装置が行う。
なお、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合には、図２の（ａ）に示すように、例えば、始めにガラス基板５０上に積層体７（樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５および封止層６）を形成する。次いで、上面フィルムを貼り付け（ステップＳ６）ガラス基板５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ７）。ここでは、樹脂層１２の下面（ガラス基板５０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２およびガラス基板５０間の結合力が低下する。次いで、ガラス基板５０を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。次いで、樹脂層１２の下面に、接着層１１を介して基材１０（例えば、ＰＥＴ等で構成された下面フィルム）を貼り付ける（ステップＳ９）。その後上記ステップＳ１０に移行する。
樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分または不純物等の異物が、ＴＦＴ層４または発光素子層５に到達することを防ぐ層である。バリア層３は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層に形成されるゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６よりも上層に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上層に形成されるパッシベーション膜１８・２０と、パッシベーション膜１８よりも上層に形成される容量電極Ｃおよび端子ＴＭと、パッシベーション膜２０よりも上層に形成される、ソース配線Ｓ、およびドレイン配線極Ｄと、ソース配線Ｓおよびドレイン配線Ｄよりも上層に形成される有機層間膜（平坦化膜）２１とを含む。半導体膜１５、ゲート絶縁膜１６、およびゲート電極Ｇを含むように薄層トランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。非アクティブ領域において、ＴＦＴ層４が備える金属層には、電子回路基板との接続に用いられる複数の端子ＴＭが形成される。
半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
ゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。有機層間膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、有機層間膜２１よりも上層に形成される第１電極２２（例えば、アノード電極）と、第１電極２２のエッジを覆う有機絶縁膜２３と、第１電極２２よりも上層に形成されるＥＬ（electroluminescence）層２４と、ＥＬ層２４ｅよりも上層に形成される第２電極２５とを含み、第１電極２２、ＥＬ層２４ｅ、および第２電極２５によって発光素子（例えば、有機発光ダイオード）が構成される。アクティブ領域ＤＡの有機絶縁膜２３は、サブピクセルを規定するバンク（画素隔壁）として機能する。
有機絶縁膜２３は、例えば、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。有機絶縁膜２３は、例えば、アクティブ領域ＤＡおよび非アクティブ領域ＮＡに対してスリットコート方式で塗布することができる。
非アクティブ領域ＮＡには、アクティブ領域を取り囲むバンク状の凸部ＴａおよびＴｂが設けられる。凸部Ｔａは有機封止膜２７（例えば、インクジェット方式で形成される膜）のエッジを規定する。凸部Ｔｂは凸部Ｔａよりも基板の周囲側に設けられている。したがって、インクジェット方式によって塗布された有機封止膜２７が凸部Ｔａを乗り越えた場合であっても、凸部Ｔｂによって有機封止膜２７が堰き止められる。凸部ＴａおよびＴｂは、例えば、有機層間膜２１および有機絶縁膜２３の少なくとも一方を含むように構成される。
ＥＬ層２４ｅは、隔壁２３ｃによって囲まれた領域（サブピクセル領域）に、蒸着法あるいはインクジェット法によって形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ層２４ｅは、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。なお、ＥＬ共通層２４ｉのように、ＥＬ層２４ｅの１以上の層を（複数の画素で共有する）共通層とすることもできる。
第１電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。第２電極（例えば、カソード電極）２５は、共通電極であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明金属で構成することができる。
発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、第１電極２２および第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４ｅ内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。
発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
封止層６は発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防ぐ。封止層６は、有機絶縁膜２３および第２電極２５を含む、アクティブ領域ＤＡの全面を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層に形成され、アクティブ領域ＤＡの全面を覆い、バッファ膜として機能する有機封止膜２７と、無機封止膜２６および有機封止膜２７を覆う無機封止膜２８とを含む。特に、無機封止膜２８は、無機封止膜２６と有機封止膜２７との端面を覆う。また、無機封止膜２８は、ＴＦＴ層４の複数の無機絶縁膜の端面４ｔの少なくとも一部を覆い、バリア層３の端部の上面と接触する。
機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。これらの１以上の機能を有する層が発光素子層５よりも上層に積層されている場合には、機能フィルム３９を薄くしたり、除いたりすることもできる。電子回路基板は、例えば、図１に示す端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）である。
図１に示すように、端子部４４は非アクティブ領域ＮＡに複数の端子ＴＭを備える。端子ＴＭは、外部との接続に使用され、アクティブ領域ＤＡの各トランジスタに信号を伝送するための外部接続端子である。端子ＴＭはＴＦＴ層４の形成と同時に形成されてもよい。端子ＴＭは、端子配線ＴＷ、迂回配線ＬＷ、および引出配線ＤＷを介して、ＴＦＴ層４のそれぞれのＴＦＴと接続される。端子配線ＴＷ、および引出配線ＤＷは、パッシベーション膜２０の上面に設けられるが、迂回配線ＬＷは、パッシベーション膜２０の上面に設けられる。迂回配線ＬＷは、パッシベーション膜２０に形成されたホールを介して、端子配線ＴＷおよび引出配線ＤＷと接続する。このため、端子ＴＭと他層との間からの異物が、端子と接続する配線を介して内部に侵入する可能性を低減できる。
図１に示すように、無機封止膜２８は端子ＴＭの端面を覆う。端子ＴＭの上面に形成された無機封止膜２８には、端子ＴＭの上面の一部が無機封止膜２８から露出するように、端子ＴＭの上面と重なる位置に無機封止膜２８の開口２８ｋが設けられている。
本実施形態に係る表示デバイスの製造時における、端子部周囲の製造方法、ならびに封止層の製造方法を、図３および図４に示すフローチャートに従い、図５から図１０を参照して詳細に説明する。
まず、図５の（ａ）に示すように、ステップＳ１からＳ３までを実行し、ガラス基板５０上に、樹脂層１２と、バリア層３と、端子部４４を含むＴＦＴ層４とを形成する。このとき、有機層間膜２１を、露出した端子配線ＴＷ、引出配線ＤＷ、および端子ＴＭのエッジを覆う位置においても配置する。
次いで、発光素子層５の形成を行う。まず、図５の（ｂ）に示すように、ＴＦＴ層４のドレイン電極と接続する第１電極２２を形成する。この際、端子配線ＴＷ、引出配線ＤＷ、および端子ＴＭのエッジが有機層間膜２１に覆われているため、第１電極２２の形成に、ドライエッチング等を使用しても、端子配線ＴＷ、引出配線ＤＷ、および端子ＴＭが端面から腐食されることがない。
次いで、図６の（ａ）に示すように、有機絶縁膜２３を塗布し、図６の（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ等を使用して有機絶縁膜２３をパターニングする。このとき、引出配線ＤＷ上に有機絶縁膜２３を一部残すことにより、凸部Ｔａを形成する。また、引出配線ＤＷのエッジを覆う位置に配置した有機層間膜２１の上に、有機絶縁膜２３を一部残すことにより、凸部Ｔｂを形成する。なお、有機絶縁膜２３のパターニングの際に、端子配線ＴＷ、および端子ＴＭのエッジを覆う有機層間膜２１を除去する。
次いで、図７の（ａ）に示すように、ＥＬ層２４ｅおよび第２電極２５を形成し、発光素子層５を形成する。この際、ＥＬ層２４ｅはマスクを用いた蒸着により形成されてもよく、発光素子層５はマスクを用いたスパッタリングにより形成されてもよい。
次いで、封止層６を形成する。封止層６の形成工程ステップＳ５の詳細を、図４にフローチャートとして示す。まず、図７の（ｂ）に示すように、無機封止膜２６と有機封止膜２７とを形成する（ステップＳ５－１およびステップＳ５－２）。
無機封止膜２６は、例えば、マスクを用いたＣＶＤにより製膜される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
有機封止膜２７は、無機封止膜２６および無機封止膜２８よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。
インクジェット塗布された有機封止膜２７は、図７の（ｂ）に示すように、凸部Ｔａによって堰き止められる。このため、有機封止膜２７が端子部４４まで塗布されることを防止できる。なお、凸部Ｔａによって有機封止膜２７の塗布が止まらなかった場合であっても、凸部Ｔｂによって有機封止膜２７の塗布を止めることが可能である。
次いで、図８の（ａ）に示すように、無機封止膜２８を、有機封止膜２７の上に成膜する（ステップＳ５－３）。この際、例えば、無機封止膜２８を、ＣＶＤを使用して製膜してもよく、端子部４４を含む額縁領域においても成膜してもよい。
次いで、図８の（ｂ）に示すように、フォトレジストＲを無機封止膜２８の上から塗布する（ステップＳ５－４）。本実施形態においては、フォトレジストＲは、露光により現像液に対する溶解性が向上する、ポジ型のフォトレジストである。しかしながら、フォトレジストＲは、露光により現像液に対する溶解性が低下する、ネガ型のフォトレジストであってもよい。
次いで、図９の（ａ）に示すように、フォトマスクＭをフォトレジストＲの上方に設置する（ステップ５－５）。フォトマスクＭは、無機封止膜２８を残存させる位置に対応した形状を有する。フォトレジストＲがネガ型の場合、無機封止膜２８を除去する位置に対応した形状を有するフォトマスクＭを配置すればよい。本実施形態においては、端子ＴＭおよび端子配線ＴＷにおいて、エッジを除く位置に空孔を有するマスクを配置する。
図９の（ａ）に示す状態において、フォトマスクＭの上方からフォトレジストＲに光を照射し、フォトレジストＲを露光する（ステップＳ５－６）。フォトマスクＭに遮蔽されず、光を照射されたフォトレジストＲは、現像液に対する溶解性が向上する。次いで、フォトレジストＲを現像液により洗浄し、フォトレジストＲを現像する（ステップＳ５－７）。これにより、図９の（ｂ）に示すように、フォトレジストＲが、端子ＴＭおよび端子配線ＴＷにおいて、エッジを除く位置のみから除去するように、フォトレジストＲをパターニングする。
次いで、無機封止膜２８をドライエッチングする（ステップＳ５－８）。このとき、無機封止膜２８は、フォトレジストＲが配置されていない位置においてのみエッチングが行われる。このため、図１０の（ａ）に示すように、無機封止膜２８が、端子ＴＭおよび端子配線ＴＷにおいて、エッジを除く位置のみから除去される。このため、無機封止膜２８に開口２８ｋが形成され、端子ＴＭの上面が露出する。なお、発光素子層５は、既に無機封止膜２６と有機封止膜２７とにより覆われているため、無機封止膜２８のドライエッチングする際、発光素子層５へのダメージを低減することが可能である。
次いで、無機封止膜２８上からフォトレジストＲを剥離除去する（ステップＳ５－９）。これにより、図１０の（ｂ）に示す封止層６が得られる。この後、ステップＳ６からステップＳ１１までを行うことにより、図１に示す表示デバイス２が得られる。
図１に示す表示デバイス２においては、端子ＴＭのエッジに有機層間膜２１が存在せず、無機封止膜２８のみが形成されている。このため、この後、ステップＳ１２において、端子ＴＭと実装基板との実装を行う際、端子ＴＭと実装基板との距離をより近接可能であるため、端子ＴＭと実装基板との実装精度が向上する。また、端子ＴＭと端子配線ＴＷとのエッジに無機封止膜２８が設けられているため、端子ＴＭと他の層との間から、発光素子層５へ異物が侵入する可能性を低減することが可能である。
図１１は、本実施形態に係る、ステップＳ１０において個片化される直前の表示デバイス２を示す上面図である。
本実施形態に係る表示デバイス２は、バリア層３から上の層の端面が、無機封止膜２８によって覆われている。このため、バリア層３から上の層の界面から、異物が発光素子層５に侵入する可能性を低減できる。特に、バリア層３の端部の上面と無機封止膜２８とは接触しているため、発光素子層５への異物の侵入を防止し、発光素子層５の信頼性をより向上させることができる。
また、本実施形態に係る表示デバイス２は、封止層６のうち、最上層である無機封止膜２８を、マスクを用いたフォトリソグラフィにより形成する。このため、無機封止膜２８を、マスクを用いたＣＶＤにより形成するよりも、形成位置の精度を高めて形成することが可能である。
これにより、無機封止膜２８を形成する端部において、必要な形成マージンを小さくすることができる。したがって、図１１に示す、表示デバイス２の形成領域ＤＬから、画素およびＴＦＴが形成されるアクティブ領域ＤＡを除いた額縁領域を低減することが可能である。また、本実施形態に係る表示デバイス２は、端子ＴＭと端子配線ＴＷとのエッジにのみ無機封止膜２８を設けるように、限られた領域に複雑な構造の無機封止膜２８を形成可能である。
図１２は、図１１における領域Ａの拡大上面図を示し、すなわち、端子ＴＭの上面を示している。端子ＴＭはＴＦＴ層４の金属層から構成され、非アクティブ領域ＮＡに複数設けられる。無機封止膜２８は、端子ＴＭの端面を覆い、かつ端子ＴＭの上面と重なる位置に開口２８ｋをそれぞれ有する。端子ＴＭは、開口２８ｋを介して、外部との接続が可能である。
図１３は本実施形態に係る表示デバイス製造装置７０を示すブロック図である。表示デバイス製造装置７０は、コントローラ７２と、分断装置７４と、成膜装置７６と、実装装置８０とを備える。分断装置７４は、表示デバイス２のマザー基板からの分断を行う。成膜装置７６は、表示デバイス２の各層の形成を行う。実装装置８０は、表示デバイス２の端子ＴＭへの実装基板の実装を行う。コントローラ７２は、分断装置７４と、成膜装置７６と、実装装置８０との制御を行う。
図１４は、本実施形態に係る表示デバイス２の端子部４４の存在しない額縁領域の周囲における断面図を示す。表示デバイス２の端子部４４の存在しない額縁領域においても、無機封止膜２８は、ＴＦＴ層４の複数の無機絶縁膜の端面４ｔの少なくとも一部を覆い、バリア層３の端部の上面と接触する。
〔実施形態２〕
実施形態２に係る表示デバイス２の製造方法を、図１５から図１７を参照して説明する。なお、図１５から図１７においては、マザー基板上の隣接する二つの表示デバイス２のうち、一方の表示デバイス２の端子部４４の周囲と、他方の表示デバイス２の端子部の存在しない額縁領域の周囲との断面を示す。
実施形態２に係る表示デバイス２の製造方法を、図１５から図１７を参照して説明する。なお、図１５から図１７においては、マザー基板上の隣接する二つの表示デバイス２のうち、一方の表示デバイス２の端子部４４の周囲と、他方の表示デバイス２の端子部の存在しない額縁領域の周囲との断面を示す。
まず、図１５の（ａ）に示すように、前実施形態の表示デバイス２の製造方法と同様に、有機絶縁膜２３の塗布までを行う。次いで、有機絶縁膜２３のパターニングを行う。本実施形態においても、有機絶縁膜２３のパターニングによって、端子ＴＭのエッジを覆う有機層間膜２１を除去する。
次いで、積層体７の一部において、マザーガラス基板５０の上側に形成したマザーバリア層３およびマザーＴＦＴ層４を除去し、第１貫通孔１０３を設ける。次いで、積層体７の一部において、マザーＴＦＴ層４を除去し、第２貫通孔１０４を設け、図１５の（ｂ）に示す構造を得る。第２貫通孔１０４は、平面視において、第２貫通孔１０４の開口の内側に前記第１貫通孔１０３の開口が位置するように形成される。
次いで、図１６の（ａ）に示すように、封止層６の形成を行う。封止層６は前実施形態と同一の方法によって形成されてもよい。この際、無機封止膜２８を、第２貫通孔１０４の内側壁１０４ｓにおいても形成する。また、フォトリソグラフィを用いたパターニングにより、第１貫通孔１０３の底面１０３ｂの少なくとも一部には無機封止膜２８を形成しない。この状態から、ガラス基板５０を剥離し、接着層１１を介して、下面フィルム１０を表示デバイス２の下方から貼り付けることにより、図１６の（ｂ）に示す構造を得る。
次いで、図１７の（ａ）に示すように、カッターＣによって二つの表示デバイス２を分断する。カッターＣは、例えば、レーザカッターであってもよい。この際、第１貫通孔１０３の底面１０３ｂを通るように、マザーガラス基板５０、マザーバリア層３およびマザーＴＦＴ層４を分断する。これにより、カッターＣによって分断するべき積層物が、下面フィルム１０と、接着層１１と、樹脂層１２とのみとできる。このため、表示デバイス２の分断の容易性が向上する。分断によって、図１７の（ｂ）に示す、複数の表示デバイス２を得る。
図１８は、上述の表示デバイス２の製造時における、マザー基板の分断位置と無機封止膜２８との位置について示す上面図である。無機封止膜２８は、マザー基板の分断位置に沿ってパターニングされ、第１貫通孔１０３が形成される。また、無機封止膜２８は、端子部４４においても、端子ＴＭの上面と重なる位置において開口２８ｋを有する。
本実施形態によって得られた表示デバイス２においても、前実施形態に係る表示デバイス２と同様の効果を奏する。本実施形態においても、表示デバイス２の製造は、表示デバイス製造装置７０が行ってもよい。
〔実施形態３〕
図１９は、実施形態３に係る表示デバイス２を示す図である。本実施形態に係る表示デバイス２が、前実施形態に係る表示デバイス２と異なる点は、無機封止膜２８が、バリア層３の端部において、バリア層３の側面と接触する点である。
図１９は、実施形態３に係る表示デバイス２を示す図である。本実施形態に係る表示デバイス２が、前実施形態に係る表示デバイス２と異なる点は、無機封止膜２８が、バリア層３の端部において、バリア層３の側面と接触する点である。
本実施形態に係る表示デバイス２の製造は、実施形態２において示した製造方法と同様に製造可能である。ただし、本実施形態においては、図１５の（ｂ）において示す第１貫通孔１０３および第２貫通孔１０４のうち、第１貫通孔１０３のみを形成し、無機封止膜２８を形成すればよい。このため、複数の貫通孔を設けるために、複数のマスクを必要とせず、複数の追加工程を行う必要が無い。したがって、本実施形態に係る表示デバイス２は、より簡便であり、製造コストを引き下げた製造方法により製造できる。
〔まとめ〕
様態１の表示デバイスは、発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層と、前記発光素子層を覆う封止層とを備え、前記封止層には、第１無機封止膜およびこれよりも上層の第２無機封止膜が含まれ、前記第２無機封止膜が前記ＴＦＴ層の端面の少なくとも一部を覆う。
様態１の表示デバイスは、発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層と、前記発光素子層を覆う封止層とを備え、前記封止層には、第１無機封止膜およびこれよりも上層の第２無機封止膜が含まれ、前記第２無機封止膜が前記ＴＦＴ層の端面の少なくとも一部を覆う。
様態２においては、前記ＴＦＴ層が、外部接続用の端子を含む金属層を備え、前記第２無機封止膜が前記端子の端面を覆い、かつ前記端子の上面と重なる位置に開口を有する。
様態３においては、前記ＴＦＴ層よりも下層の樹脂層を備え、前記ＴＦＴ層と前記樹脂層との間にバリア層を備え、前記第２無機封止膜が前記バリア層の端部に接触する。
様態４においては、前記第２無機封止膜と前記バリア層の端部の上面とが接触する。
様態５においては、前記第２無機封止膜と前記バリア層の端部の側面とが接触する。
様態６においては、前記第１無機封止膜はアクティブ領域の全面を覆い、前記第２無機封止膜が前記第１無機封止膜の端面を覆う。
様態７においては、前記封止層が、前記第１無機封止膜および前記第２無機封止膜の間に配された有機封止膜を含み、前記有機封止膜はアクティブ領域の全面を覆い、前記第２無機封止膜が前記有機封止膜の端面を覆う。
様態８においては、前記ＴＦＴ層に複数の無機絶縁膜が含まれ、前記第２無機封止膜が前記複数の無機絶縁膜それぞれの端面を覆う。
様態９の表示デバイスの製造方法は、発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層と、前記発光素子層を覆う封止層とを備える表示デバイスの製造方法であって、前記第１無機封止膜を形成した後に、前記第２無機封止膜をフォトリソグラフィ法を用いて形成する。
様態１０においては、前記第１無機封止膜の形成にはフォトリソグラフィ法を用いず、マスク越しの成膜によって前記第１無機封止膜をパターン形成する。
様態１１においては、前記第２無機封止膜を前記ＴＦＴ層の端面の少なくとも一部を覆うように形成する。
様態１２においては、発光素子層のバンクを形成する際に、前記ＴＦＴ層の端子を覆う有機層間膜を除去する。
様態１３においては、前記端子を覆うように前記第２無機封止膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ法を用いて前記第２無機封止膜に開口を形成することで前記端子の上面を露出させる。
様態１４においては、マザーガラスの上側に形成したマザーバリア層およびマザーＴＦＴ層の前者に第１貫通孔を設け、後者に、前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔を設け、前記第２貫通孔の内側壁に前記第２無機封止膜を形成する。
様態１５においては、平面視においては、前記第２貫通孔の開口の内側に前記第１貫通孔の開口が位置する。
様態１６においては、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、前記第１貫通孔の底面の少なくとも一部には前記第２無機封止膜を形成しない。
様態１７においては、前記第１貫通孔の底面の少なくとも一部を通るように、前記マザーガラス、前記マザーバリア層および前記マザーＴＦＴ層を分断する。
様態１８においては、前記分断の分断位置に沿って、前記第２無機封止膜のパターニングを行う。
様態１９のデバイスの製造装置は、発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層と、前記発光素子層を覆う封止層とを備える表示デバイスの製造装置であって、前記第１無機封止膜を形成した後に、前記第２無機封止膜をフォトリソグラフィ法を用いて形成する。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２ 表示デバイス
３ バリア層
４ ＴＦＴ層
５ 発光素子層
６ 封止層
７ 積層体
２１ 有機層間膜
２４ｅ ＥＬ層
２６ 無機封止膜（第１無機封止膜）
２７ 有機封止膜
２８ 無機封止膜（第２無機封止膜）
４４ 端子部
７０ 表示デバイス製造装置
ＴＭ 端子
ＴＷ 端子配線
３ バリア層
４ ＴＦＴ層
５ 発光素子層
６ 封止層
７ 積層体
２１ 有機層間膜
２４ｅ ＥＬ層
２６ 無機封止膜（第１無機封止膜）
２７ 有機封止膜
２８ 無機封止膜（第２無機封止膜）
４４ 端子部
７０ 表示デバイス製造装置
ＴＭ 端子
ＴＷ 端子配線
Claims (19)
- 発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層と、前記発光素子層を覆う封止層とを備え、
前記封止層には、第１無機封止膜およびこれよりも上層の第２無機封止膜が含まれ、
前記第２無機封止膜が前記ＴＦＴ層の端面の少なくとも一部を覆う表示デバイス。 - 前記ＴＦＴ層は、外部接続用の端子を含む金属層を備え、
前記第２無機封止膜が前記端子の端面を覆い、かつ前記端子の上面と重なる位置に開口を有する請求項１に記載の表示デバイス。 - 前記ＴＦＴ層よりも下層の樹脂層を備え、
前記ＴＦＴ層と前記樹脂層との間にバリア層を備え、
前記第２無機封止膜が前記バリア層の端部に接触する請求項１または２に記載の表示デバイス。 - 前記第２無機封止膜と前記バリア層の端部の上面とが接触する請求項３に記載の表示デバイス。
- 前記第２無機封止膜と前記バリア層の端部の側面とが接触する請求項３に記載の表示デバイス。
- 前記第１無機封止膜はアクティブ領域の全面を覆い、前記第２無機封止膜が前記第１無機封止膜の端面を覆う請求項１～５のいずれか１項に記載の表示デバイス。
- 前記封止層は、前記第１無機封止膜および前記第２無機封止膜の間に配された有機封止膜を含み、
前記有機封止膜はアクティブ領域の全面を覆い、前記第２無機封止膜が前記有機封止膜の端面を覆う請求項６に記載の表示デバイス。 - 前記ＴＦＴ層には複数の無機絶縁膜が含まれ、
前記第２無機封止膜が前記複数の無機絶縁膜それぞれの端面を覆う請求項１～７のいずれか１項に記載の表示デバイス。 - 発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層と、前記発光素子層を覆い、第１無機封止膜およびこれよりも上層の第２無機封止膜を含む封止層とを備える表示デバイスの製造方法であって、
前記第１無機封止膜を形成した後に、前記第２無機封止膜をフォトリソグラフィ法を用いて形成する表示デバイスの製造方法。 - 前記第１無機封止膜の形成にはフォトリソグラフィ法を用いず、マスク越しの成膜によって前記第１無機封止膜をパターン形成する請求項９記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記第２無機封止膜を前記ＴＦＴ層の端面の少なくとも一部を覆うように形成する請求項９または１０に記載の表示デバイスの製造方法。
- 発光素子層のバンクを形成する際に、前記ＴＦＴ層の端子を覆う有機層間膜を除去する請求項９～１１のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記端子を覆うように前記第２無機封止膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ法を用いて前記第２無機封止膜に開口を形成することで前記端子の上面を露出させる請求項１２に記載の表示デバイスの製造方法。
- マザーガラスの上側に形成したマザーバリア層およびマザーＴＦＴ層の前者に第１貫通孔を設け、後者に、前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔を設け、
前記第２貫通孔の内側壁に前記第２無機封止膜を形成する請求項１１に記載の表示デバイスの製造方法。 - 平面視においては、前記第２貫通孔の開口の内側に前記第１貫通孔の開口が位置する請求項１４に記載の表示デバイスの製造方法。
- フォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、前記第１貫通孔の底面の少なくとも一部には前記第２無機封止膜を形成しない請求項１４に記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記第１貫通孔の底面の少なくとも一部を通るように、前記マザーガラス、前記マザーバリア層および前記マザーＴＦＴ層を分断する請求項１６に記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記分断の分断位置に沿って、前記第２無機封止膜のパターニングを行う請求項１７に記載の表示デバイスの製造方法。
- 発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層よりも下層に形成され、前記発光素子の駆動に使用されるトランジスタを含むＴＦＴ層と、前記発光素子層を覆い、第１無機封止膜およびこれよりも上層の第２無機封止膜を含む封止層とを備える表示デバイスの製造装置であって、
前記第１無機封止膜を形成した後に、前記第２無機封止膜をフォトリソグラフィ法を用いて形成する表示デバイスの製造装置。
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