JP4397814B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4397814B2
JP4397814B2 JP2004542811A JP2004542811A JP4397814B2 JP 4397814 B2 JP4397814 B2 JP 4397814B2 JP 2004542811 A JP2004542811 A JP 2004542811A JP 2004542811 A JP2004542811 A JP 2004542811A JP 4397814 B2 JP4397814 B2 JP 4397814B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light
light emitting
panels
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004542811A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2004034746A1 (ja
Inventor
舜平 山崎
雅一 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JPWO2004034746A1 publication Critical patent/JPWO2004034746A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4397814B2 publication Critical patent/JP4397814B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/028—Generation of voltages supplied to electrode drivers in a matrix display other than LCD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、基板上に発光素子を有する発光装置を製造するための製造方法および製造システムに関する。特に、本発明は有機化合物を含む層を発光層とする発光装置の製造方法および製造システムに関する。
近年、発光型の素子としてＥＬ素子を有した発光装置の研究が活発化しており、特に、ＥＬ材料として有機材料を用いた発光装置が注目されている。この発光装置は有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ ＥＬ Ｄｉｓｐｌａｙ）又は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）とも呼ばれている。
なお、ＥＬ素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の成膜装置および成膜方法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。
また、発光装置としては、互いに直交するように設けられた２種類のストライプ状電極の間にＥＬ層を形成する方式（単純マトリクス方式）、又はＴＦＴに接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電極との間にＥＬ層を形成する方式（アクティブマトリクス方式）の２種類がある。
ＥＬ素子は一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのＴａｎｇらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。
また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料を用いて形成しても良いし、一部の層に高分子系の材料を用いて形成しても良い。
発光装置は、液晶表示装置と異なり自発光型であるため視野角の問題がないという特徴がある。即ち、屋外に用いられるディスプレイとしては、液晶ディスプレイよりも適しており、様々な形での使用が提案されている。
なお、液晶ディスプレイパネルの製造ラインでは、製造コストを低減するために基板のサイズも年々大型化する傾向にある。また、１枚の基板で製造する表示パネルの数（面取り数）も多くなってきている。
基板上に画素ＴＦＴがマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス型の液晶パネルの製造ラインにおいては、画素電極を形成した段階で検査を行い、非接触で画素電極を利用して容量を形成し、その容量値で画素ＴＦＴの不良を判別している。
また、抜き取り検査を行う場合、抜き取った基板は検査後、最終的にパネル化されないため、１枚の基板における面取り数が多い場合、大幅な歩留まりの低減になる。
また、検査用の回路または端子をＴＦＴと同一基板上に設け、画素ＴＦＴの不良を判別する方法もあるが、余分なパターンが増え、複雑な回路配置となってしまう。
検査を行った後、対向基板を貼り合わせ、液晶を注入し、ＦＰＣを貼りつけることで液晶パネルが完成し、出荷、もしくは引き続き組み立てを行って最終製品とする。
また、ＦＰＣを貼り付けるまで、検査を一切行わない場合、除去すべき不良の表示パネルが大量に発生してしまう。
以上の製造方法は、液晶表示パネルの製造方法であって、未だアクティブマトリクス型の発光表示装置の製造方法は確立していない。
液晶表示パネルにおいては、画素電極上に配向膜を形成するため、画素電極を形成した段階で検査を行っても問題はほとんどなかったが、アクティブマトリクス型の発光表示装置においては、画素電極上に極薄い膜厚の有機化合物を含む層を形成するため、画素電極を形成した段階で検査を行った場合、検査中に微小なゴミが画素電極に付着しただけで表示不良を生じる恐れがある。さらに、有機化合物を含む層は酸素や水分に弱いため、即座に封止処理を行うことが望ましい。
また、発光素子に使用される有機化合物は非常に高価であり、有機化合物を含む層を形成する蒸着法は、最初にルツボに入れたＥＬ材料のうち、全体の３分の１から４分の１、またはそれ以下しか使用しないため、利用効率は非常に低い。
本発明は、１枚の基板で製造する表示パネルの数（面取り数）を多くし、且つ、表示パネルを歩留まりよく大量生産する発光素子（有機化合物を含む層を発光層とする）を備えた表示パネルの製造方法を提供する。本発明の製造方法を実施することにより、最終製品の原価引き下げを図るものである。
本発明は、ＴＦＴおよび発光素子を作製し、さらに封止までを行った後、ＴＦＴおよび発光素子の検査を行い、出荷（または異なる場所に搬送）し、出荷先で各々分断を行った後、ＦＰＣを貼り付ける。即ち、本発明は、封止まで検査を行わないことによりゴミの混入を防ぎ歩留まりを向上させる。なお、検査（発光検査および駆動検査）を行うのは一部のパネルのみとし、検査を行って異常のなかったパネルも最終製品まで組立てる。例えば、１枚の基板に２インチパネルを５行×８列配置させた場合、そのうちの１列（８個分のパネル）のみを検査する。検査する際には、封止基板を一部分断し、ＦＰＣの端子部を露呈させ、検査用の電極針または検査用のＦＰＣが接触できるようにする。また、検査用のパッドは、後に貼り付けるＦＰＣの端子部でよいため、検査用の回路や端子は必要ないものとすることができる。即ち、本発明は、検査を行ったものも引き続き組立てを行い、最終製品とすることが可能となるため、歩留まりを向上させることができる。
また、出荷する際、検査を行ったＦＰＣ端子部に接するよう帯電防止材が設けられたキャリアボックスにセットする。仮に、帯電防止が不十分であった場合、１枚の基板内で検査を行った一部（ＦＰＣ接続端子が露呈している部分）が破壊してしまうかもしれないが、１枚の基板内においてその他の部分にある発光領域は封止基板で覆われており、保護されている。即ち、一つ一つの発光領域をばらばらに分割して出荷するのではなく、出荷する際には複数の発光領域を一体化させたままにしておき、出荷先で一つ一つの発光領域をばらばらに分割する。特に発光領域が小さいサイズ、例えば対角２インチの表示パネルである場合に搬送が便利となる。そして、出荷先で分割した後は、ＦＰＣを貼り付け、一つ一つ検査する。検査をパスした良品は、そのまま最終製品に組み込むことで発光装置を完成させる。
本発明は、複数の発光領域が形成された基板を切り出してそれぞれＦＰＣを貼り付けてから出荷するのではなく、切り出す前、即ち未完成な状態（半完成品とも呼べる）で出荷することを特徴としている。ただし、出荷する前には一部検査を行うことができる構成となっている。
本明細書で開示する発明の構成は、図１にその一例を示すように、
基板を複数のブロックに区画し、さらに各ブロックを複数の発光領域に区画して製造する発光装置の製造方法であって、
第１の場所にて、
第１の基板上に発光領域および端子部を複数形成する第１段階と、
前記発光素子を第２の基板で封止する第２段階と、
複数の端子部のうち、一部の端子部と重なる第２の基板の一部を分断により除去して、一部の端子部を露呈させる第３段階と、
前記一部の端子部のみに対して電流を流して検査する第４段階と、
第１の場所から第２の場所に搬送する第５段階と、
第２の場所にて、
第１の基板および第２の基板を分断して各発光領域を分割する第６段階と、
一つの発光領域に接続されている端子部にＦＰＣを貼り付ける第７段階と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
また、上記構成において、前記第１の基板には、ｎ×ｍ個（ｎ＞１、且つ、ｍ＞１）の発光領域がｎ行ｍ列に配置されていることを特徴としている。
また、他の発明の構成は、図２、図３にその一例を示すように、
基板を複数のブロックに区画し、さらに各ブロックを複数の発光領域に区画して製造する発光装置の製造方法であって、
第１の場所にて、
第１の基板上に発光領域および端子部を複数形成する第１段階と、
前記発光素子を複数の第２の基板で封止する第２段階と、
前記第１の基板を分割する第３段階と、
複数の端子部のうち、一部の端子部と重なる第２の基板の一部を分断により除去して、一部の端子部を露呈させる第４段階と、
前記一部の端子部のみに対して電流を流して検査する第５段階と、
第１の場所から第２の場所に搬送する第６段階と、
第２の場所にて、
第１の基板および第２の基板を分断して各発光領域を分割する第７段階と、
一つの発光領域に接続されている端子部にＦＰＣを貼り付ける第８段階と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
また、上記各構成において、前記発光領域には、複数の発光素子と複数のＴＦＴとが設けられていることを特徴としている。
また、上記各構成において、前記第２の基板は前記第１の基板と同じサイズ、または前記第１の基板よりもサイズが小さいことを特徴としている。
また、本明細書において、第１の場所（または第２の場所）とは、生産工場、或いは、生産会社を指している。なお、第１の場所は、第２の場所とは異なることが原則であるが、距離が離れていれば特に限定されず、例えば、同一会社内の異なる工場であってもよいし、例えば、第１の場所が子会社で、第２の場所が親会社であってもよい。
なお、本明細書において、陰極と陽極との間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層という。したがって、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、全てＥＬ層に含まれる。
また、本明細書において、ＥＬ素子とはＥＬ材料ならびにこのＥＬ材料にキャリアを注入するための有機材料もしくは無機材料を含む層（以下、ＥＬ層という）を二つの電極（陽極および陰極）で挟んだ構造からなる発光素子であり、陽極、陰極およびＥＬ層からなるダイオードを指す。
また、本発明は、有機化合物を含む層を有する発光デバイスであれば、アクティブマトリクス型の発光装置に限定されず、カラー表示パネルとなるパッシブマトリクス型の発光装置や、面光源または電飾用装置となるエリアカラーの発光装置に適用することができる。
図１は、実施の形態１を示すフロー図である。
図２は、実施の形態２を示す図である。
図３は、実施の形態２を示す図である。
図４は、実施の形態３を示す図である。
図５は、実施例１を示す図である。
図６は、実施例２を示す図である。
図７は、発光装置を示す図である。（実施例３）
図８は、発光装置を示す図である。（実施例３）
図９は、ＴＦＴと第１の電極との接続、隔壁形状を説明する図である。（実施例４）
図１０は、電子機器の一例を示す図である。（実施例５）
図１１は、電子機器の一例を示す図である。（実施例５）
図１２は、モジュールを示す図である。（実施例６）
図１３は、ブロック図を示す図である。（実施例６）
本発明の実施形態について、以下に説明する。
（実施の形態１）
多面取りでパネルを作製する本発明のフローの一例を図１に示す。
本発明は、例えば、基板サイズが、３２０ｍｍ×４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのような大面積基板に対して、効率よく発光装置を作製できる方法を提供するものである。
まず、絶縁表面を有する大面積基板上に公知の技術を用いてＴＦＴを作製する。なお、マトリクス状にＴＦＴが配置された基板をアクティブマトリクス基板と呼ぶ。
このＴＦＴを作製する途中で従来通り、抜き取り検査を行ってもよい。この抜き取り検査によって何らかのトラブルを発見した場合、トラブルに応じた処理を行えば、除去すべき不良の基板が大量に発生することを未然に防ぐことができ、最終製品の品質低下を防ぐことにも繋がる。基板上に設けられたＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャネル型ＴＦＴ）は、発光するＥＬ層に流れる電流を制御する素子であり、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設ける。また、ＴＦＴからなる駆動回路も同一基板上に形成してもよい。
次いで、一対の電極（陽極、陰極）間に有機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を設け、一対の電極間に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を形成する。まず、陽極または陰極となる第１の電極を形成する。ここでは第１の電極として仕事関数の大きい透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用い、陽極として機能させる例を示す。
なお、ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極をそのまま第１電極とする場合、またはソース領域またはドレイン領域に接して第１電極を別途形成する場合には、ＴＦＴとは第１電極を含める。
次いで、第１電極（陽極）の両端には、第１電極の周縁を囲むように隔壁（バンク、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。カバレッジを良好なものとするため、隔壁の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、隔壁の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
次いで、必要であれば、多孔質なスポンジ（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製、ナイロン製）に界面活性剤（弱アルカリ性）を含ませ、陽極表面を擦って洗浄する。次いで、有機化合物を含む層を形成する直前に、ＴＦＴ及び隔壁が設けられた基板全体の吸着水分を除去するための真空加熱を行う。さらに有機化合物を含む層を形成する直前に、第１電極に対して紫外線照射を行ってもよい。
次いで、第１電極（陽極）上に、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって有機化合物を含む層を選択的に形成する。有機化合物を含む層としては、高分子材料、低分子材料、無機材料、またはこれらを混合させた層、またはこれらを分散させた層、またはこれらの層を適宜組み合わせた積層とすればよい。
さらに、有機化合物を含む層上には第２電極（陰極）を形成する。陰極としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、またはＣａＮ）を用いればよい。また、必要であれば、第２電極を覆ってスパッタ法または蒸着法により形成する保護層を形成する。保護層としてはスパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）を用いることができる。
次いで、封止材となるガラス基板にシール材を所望のパターンに描画する。次いで、シールが描画された封止基板とアクティブマトリクス基板とを貼り合わせ、封止基板に設けられたシールパターンがアクティブマトリクス基板に設けられた発光領域を囲む位置になるように封止する。なお、パネルの信頼性を高めるには、隔壁形成後から封止までの工程は、大気にふれることなく処理を行うことが好ましい。
なお、多面取りを行うため、１枚の基板には発光領域が複数設けられ、最終的には発光領域の数と同数個の表示パネルが得られる。また、封止基板は、アクティブマトリクス基板と同じサイズまたはそれより小さいサイズのものを何枚かに分けて貼り合わせてもよい。
次いで、ダイヤモンドカッターなどによって、両基板の分断を行うためのスクライブラインを描画する。なお、後に行われる分断が良好となるようにシール材からなるダミーパターンを前もって形成することが好ましい。
次いで、第１の分断を行い、封止基板の一部のみを切り離す。ここで切り離す部分は、後にＦＰＣと貼り付ける端子部と重なる部分である。ただし、全ての発光領域に対してそれぞれ行うのではなく、一部の発光領域、例えば１列分のパネルに対して行い、２列目以降のパネルの端子部は封止基板と重なったままとする。
次いで、封止基板の一部が除去され、露呈した端子部に電極針を接触させる、もしくはＦＰＣを仮接着して発光領域に電流を流し、発光検査および駆動検査を行う。なお、基板に形成された発光領域の一部、例えば１列分のパネルのみが検査される。検査の結果が正常であった基板は、そのまま工程が続けられる一方、異常が発見された基板は破棄、もしくは不良解析のために使用される。
次いで、検査の結果が正常であった基板を出荷、または搬送する。この段階では、１つ１つのパネル毎に分断していないため、搬送が便利である。なお、搬送の際には静電破壊が生じないようにすることが好ましく、前の工程で検査した端子部を帯電防止材などで保護することが望ましい。帯電防止材は簡単に除去可能な材料とすることが好ましい。
次いで、出荷先、または搬送先で個別に分断を行う。なお、ここでスクライブを行った後、分断してもよいし、予め封止基板の貼り合わせ直後のスクライブ工程時に行っていてもよい。
次いで、端子部にそれぞれＦＰＣを貼りつける。次いで、ＦＰＣを貼り付けた後に再度検査（発光検査、駆動検査）を行う。なお、ここでの検査は全てのパネルに対して行うものである。
以上の工程でＦＰＣが接続された表示パネルが形成され、その後、適宜、電子機器に組み込むことによって最終製品を完成させる。
本発明により、検査用の回路や端子を設けることなく、多面取りを行うことができる。また、本発明では、検査を行ったパネルも最終製品に組み込むことができるため、歩留まりが向上する。
（実施の形態２）
ここでは、アクティブマトリクス基板より小さいサイズの封止基板を複数枚用意し、アクティブマトリクス基板に貼り合わせた例を示す。
例えば、図２（Ａ）にその一例を示すように、アクティブマトリクス基板２０１に対して、サイズがひと回り小さい４枚の封止基板を貼り付けてもよい。アクティブマトリクス基板２０１上にはシール材（図示しない）でそれぞれ囲まれた発光領域２０２が複数形成され、封止基板２０３で封止されている。図２（Ａ）では、１枚のアクティブマトリクス基板（６００ｍｍ×７２０ｍｍ）を４分割し、それぞれに５行８列（４０パネル）、即ち合計１６０パネル（対角２インチ）を製造することができる。また、ここではマトリクス状にパネルを配置した例を示したが、後に検査する一列は少なくとも端子部の位置を揃えれば、特に限定されず、様々なサイズのパネルを１枚の基板に設けてもよい。
まず、４枚の封止基板を貼り合わせた後、１枚のアクティブマトリクス基板（６００ｍｍ×７２０ｍｍ）を４分割する第１の分断を行う。（（図２（Ａ））
次いで、端子部と重なる封止基板の一部を切り離す第２の分断を行う。（（図２（Ｂ））なお、図２（Ｂ）は１枚のアクティブマトリクス基板を４分割したうちの一つの上面図を示しており、その断面図を図２（Ｃ）に示している。図２（Ｃ）中、２０４はシール材、２０５は端子部、２０６は切り取られた片、２０７はダミーシールである。第２の分断を行うためには、ダミーシール２０７を設けておいた方が分断しやすい。
次いで、一部、ここでは一列目にある８個のパネルのみ検査を行う。図２（Ｄ）は検査時におけるパネルの状態上面図を示している。検査を行う際には図２（Ｅ）に示すように検査用の電極針２０８を端子部に接触させ、電極針に接続した電流源を備えた検査装置（図示しない）によって電流を流す。
次いで、８個のパネルの端子部を帯電防止材２０９で覆い、出荷または搬送を行う。この時の上面図を図３（Ａ）、断面図を図３（Ｂ）に示す。帯電防止材２０９としては、導電性の被膜、例えば界面活性剤系の塗料が塗布されたもの、塩化リチウムや塩化マグネシウムのような無機塩や、カルボン酸基やスルホン酸基を含む高分子電解質のようなイオン伝導性物質を合成樹脂やシリケートなどの造膜性物質に分散させてなる組成物を成膜したもの、または導電性ポリマーを用いればよい。
次いで、第３の分断を行い、１つ１つのパネルに分断する。この時の上面図を図３（Ｃ）、断面図を図３（Ｄ）に示す。なお、簡略化のため、図３（Ｃ）では４パネル分しか図示していない。
最後に端子部と電気的に接続するように異方性導電材を用い、ＦＰＣ２１０を貼り付けてパネルを完成させる。この時の上面図を図３（Ｅ）、断面図を図３（Ｆ）に示す。なお、簡略化のため、図３（Ｅ）では１パネル分しか図示していない。
（実施の形態３）
実施の形態１または実施の形態２では、パネルに帯電防止材を設け、出荷または搬送する例を示したが、ここでは、搬送または出荷の際に使用する基板のキャリアボックスに帯電防止材を設けた例を示す。
図４（Ａ）にキャリアボックスの斜視図を示し、その上面図を図４（Ｂ）に示す。キャリアボックスの側壁４０１に溝が設けられており、アクティブマトリクス基板４００に設けられた端子部と接する箇所に帯電防止材４０２が設けてある。なお、帯電防止材４０２は、基板とキャリアボックスとの接触領域に配置される緩衝材の役目をも果たす。
また、図４（Ａ）に示すキャリアボックスに上蓋を設けてもよい。
図４（Ａ）に示すキャリアボックスを用いて出荷、または搬送することによって静電破壊を防止することができ、実施の形態２における工程（帯電防止材の形成、除去）を削減できる。
また、図４（Ｃ）に示すようにアクティブマトリクス基板に設けられた端子部がキャリアボックスの底部に位置するようにしてもよい。この場合、底部において、端子部と接する部分に帯電防止材を設けておけばよい。
図４（Ａ）または図４（Ｃ）に示すキャリアボックスにより、静電破壊や基板の破損なく搬送、保持および収納を実行することができる。
また、本実施の形態は実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
本実施例では、１枚の基板（対角５インチ基板）で３行３列、合計９パネルを作製する例を図５に示す。
まず、絶縁表面を有する基板上に、陽極と陰極とその間に挟まれた有機化合物を含む層とで構成される発光素子と、該発光素子に流す電流を制御するためのＴＦＴとをそれぞれ設ける。複数の発光素子をマトリクス状に配置して１つの発光領域５０２を構成し、その発光領域５０２を複数設ける。また、外部回路と接続するための端子部５０５ａ、５０５ｂもＴＦＴと同時に形成する。ここでは、複数の発光領域５０２および端子部を設けた基板をアクティブマトリクス基板５０１と呼ぶ。最終的には、この１つの発光領域が１パネルの表示領域となる。
また、発光素子を封止するため、発光領域５０２の外縁周辺に発光領域５０２を囲むように設けられたシール材で封止基板を貼り付ける。封止基板としては、ガラス基板、または表面に封止膜がコートされたプラスチック基板を用いる。なお、分断が行われやすくなるように分断ライン５０３となる付近にダミーシールを形成してもよい。
特に発光素子は酸素や水分に弱いため、大気にふれることなく、且つ、発光素子の形成から封止基板で貼り合せるまでの時間はできるだけ短縮することが好ましい。
封止基板を貼り合わせた後、検査を行うために封止基板の一部のみを分断、除去する。分断する工程は、ダイヤモンドカッター等で分断ラインを描いた後、ブレイカーで圧力をかけることによって基板を分断ラインに沿って切断する。本実施例では、図５（Ａ）に示すように、切り離された封止基板５０７を分離し、３パネル分の端子部５０５ａを露呈させる。なお、それ以外の端子部５０５ｂは封止基板とアクティブマトリクス基板とで挟まれている。
そして、露呈している端子部５０５ａから電流を流して駆動状態、発光状態を検査する。端子部５０５ａに電極針を接触させて検査してもよいし、自由に取り外し可能な接着材で検査用のＦＰＣを貼りつけて検査してもよい。本実施例では、露呈している端子部５０５ａに接続されているパネルは３つであり、この３つのみを検査する。全てを検査するのではないので検査に要する時間や手間を削減することができる。また、検査するための回路や端子を別途設ける必要がない。
検査を行った後、良品であったものは出荷または搬送する。本実施例においては、９個のパネルが一体化したままの状態で出荷される。一体化されているため搬送が便利となる。また、搬送中において、端子部５０５ｂにおいては、封止基板と重なっているため、ゴミ等が付着することを防ぐこともできる。
次いで、出荷先で分断を行い、それぞれＦＰＣ５０８を貼り合せることによって図５（Ｂ）に示すようなパネルを複数作製する。本実施例では、検査を行った３つのパネルを含め、９個のパネルを完成させることができる。検査を行ったパネルをも完成品とするため、歩留まりが向上する。
最後に、図５（Ｂ）に示すようなパネルを電子機器に組み込み、電子機器を完成させることができる。
また、本実施例は実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、１枚の基板で異なるサイズのパネルを作製する例を図６に示す。
また、本実施例では、実施の形態２に示したような電極針を備えた検査装置でＴＦＴを検査するのではなく、ＦＰＣを仮接着して電流源を備えた装置で検査する例を示す。
図６（Ａ）では、サイズの異なる２種類のパネルを作製する。小型のパネルを８個、中型のパネルを６個、合計１４個のパネルを１枚の基板から作製する。なお、少なくとも検査するパネルを１列に配置すればよく、他の検査しないパネルの向きは特に限定されない。
まず、実施の形態２と同様にして、アクティブマトリクス基板６０１上に発光領域６０２ａ、６０２ｂを形成し、シール材６０４で封止基板６０３を貼り合わせて封止する。この段階での上面図を図６（Ａ）に示す。
次いで、発光領域６０２ａを検査するため、端子部６０５と重なる封止基板６０３の一部を除去するとともに、アクティブマトリクス基板の一部も除去する。この段階での断面図を図６（Ｂ）に示す。
次いで、発光領域６０２ａを検査する。この段階での上面図を図６（Ｃ）に示す。また、検査時の断面図を図６（Ｄ）に示す。検査は、取り外し可能な導電性接着材でＦＰＣ（検査用ＦＰＣ６１０）を貼り、さらにＦＰＣと検査装置とを接続させて検査する。
検査を行った後、良品であったものは、検査用ＦＰＣを外して出荷する。本実施例においては、１４個のパネルが一体化したままの状態で出荷される。
次いで、出荷先で分断を行う。この時の上面図を図６（Ｅ）、断面図を図６（Ｆ）に示す。なお、簡略化のため、図６（Ｅ）では４パネル分しか図示していない。
そして、それぞれＦＰＣ６１１を貼り合せることによって図６（Ｇ）に示すような異なるサイズのパネルを複数作製する。なお、断面図を図６（Ｈ）に示す。本実施例では、検査を行った８つのパネルを含め、１４個のパネルを完成させることができる。検査を行ったパネルをも完成品とするため、歩留まりが向上する。
最後に、パネルを電子機器に組み込み、電子機器を完成させることができる。
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、絶縁表面を有する基板上に、有機化合物層を発光層とする発光素子を備えた発光装置（上面出射構造）を作製する例を図７に示す。
なお、図７（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された１１０１はソース信号線駆動回路、１１０２は画素部、１１０３はゲート信号線駆動回路である。また、１１０４は透明な封止基板、１１０５は第１のシール材であり、第１のシール材１１０５で囲まれた内側は、透明な第２のシール材１１０７で充填されている。なお、第１のシール材１１０５には基板間隔を保持するためのギャップ材が含有されている。
なお、１１０８はソース信号線駆動回路１１０１及びゲート信号線駆動回路１１０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１１０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
次に、断面構造について図７（Ｂ）を用いて説明する。基板１１１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路１１０１と画素部１１０２が示されている。
なお、ソース信号線駆動回路１１０１はｎチャネル型ＴＦＴ１１２３とｐチャネル型ＴＦＴ１１２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。また、ポリシリコン膜を活性層とするＴＦＴの構造は特に限定されず、トップゲート型ＴＦＴであってもよいし、ボトムゲート型ＴＦＴであってもよい。
また、画素部１１０２はスイッチング用ＴＦＴ１１１１と、電流制御用ＴＦＴ１１１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）１１１３を含む複数の画素により形成される。電流制御用ＴＦＴ１１１２としてはｎチャネル型ＴＦＴであってもよいし、ｐチャネル型ＴＦＴであってもよいが、陽極と接続させる場合、ｐチャネル型ＴＦＴとすることが好ましい。また、保持容量（図示しない）を適宜設けることが好ましい。なお、ここでは無数に配置された画素のうち、一つの画素の断面構造のみを示し、その一つの画素に２つのＴＦＴを用いた例を示したが、３つ、またはそれ以上のＴＦＴを適宜、用いてもよい。
ここでは第１の電極１１１３がＴＦＴのドレインと直接接している構成となっているため、第１の電極１１１３の下層はシリコンからなるドレインとオーミックコンタクトのとれる材料層とし、有機化合物を含む層と接する最上層を仕事関数の大きい材料層とすることが望ましい。例えば、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造とすると、配線としての抵抗も低く、且つ、良好なオーミックコンタクトがとれ、且つ、陽極として機能させることができる。また、第１の電極１１１３は、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層としてもよいし、３層以上の積層を用いてもよい。
また、第１の電極（陽極）１１１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）１１１４が形成される。絶縁物１１１４は有機樹脂膜もしくは珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。ここでは、絶縁物１１１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いて図７に示す形状の絶縁物を形成する。
カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１１１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１１１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物１１１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１１１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
また、絶縁物１１１４を窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆ってもよい。
また、第１の電極（陽極）１１１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって有機化合物を含む層１１１５を選択的に形成する。さらに、有機化合物を含む層１１１５上には第２の電極（陰極）１１１６が形成される。陰極としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、またはＣａＮ）を用いればよい。ここでは、発光が透過するように、第２の電極（陰極）１１１６として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いる。こうして、第１の電極（陽極）１１１３、有機化合物を含む層１１１５、及び第２の電極（陰極）１１１６からなる発光素子１１１８が形成される。ここでは発光素子１１１８は白色発光とする例であるので着色層１１３１と遮光層（ＢＭ）１１３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、ここではオーバーコート層は図示しない）を設けている。
また、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光が得られる有機化合物を含む層をそれぞれ選択的に形成すれば、カラーフィルターを用いなくともフルカラーの表示を得ることができる。
また、発光素子１１１８を封止するために透明保護層１１１７を形成する。この透明保護層１１１７としては実施の形態１に示した透明保護積層とする。透明保護積層は、第１の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第２の無機絶縁膜との積層からなっている。第１の無機絶縁膜および第２の無機絶縁膜としては、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）を用いることができる。これらの無絶縁膜は水分に対して高いブロッキング効果を有しているが、膜厚が厚くなると膜応力が増大してピーリングや膜剥がれが生じやすい。しかし、第１の無機絶縁膜と第２の無機絶縁膜との間に応力緩和膜を挟むことで、応力を緩和するとともに水分を吸収することができる。また、成膜時に何らかの原因で第１の無機絶縁膜に微小な穴（ピンホールなど）が形成されたとしても、応力緩和膜で埋められ、さらにその上に第２の無機絶縁膜を設けることによって、水分や酸素に対して極めて高いブロッキング効果を有する。また、応力緩和膜としては、無機絶縁膜よりも応力が小さく、且つ、吸湿性を有する材料が好ましい。加えて、透光性を有する材料であることが望ましい。また、応力緩和膜としては、α―ＮＰＤ（４，４’−ビス−［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル）、ＢＣＰ（バソキュプロイン）、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）トリフェニルアミン）、Ａｌｑ３（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）などの有機化合物を含む材料膜を用いてもよく、これらの材料膜は、吸湿性を有し、膜厚が薄ければ、ほぼ透明である。また、ＭｇＯ、ＳｒＯ２、ＳｒＯは吸湿性及び透光性を有し、蒸着法で薄膜を得ることができるため、応力緩和膜に用いることができる。本実施例では、シリコンターゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で成膜した膜、即ち、水分やアルカリ金属などの不純物に対してブロッキング効果の高い窒化珪素膜を第１の無機絶縁膜または第２の無機絶縁膜として用い、応力緩和膜として蒸着法によりＡｌｑ３の薄膜を用いる。また、透明保護積層に発光を通過させるため、透明保護積層のトータル膜厚は、可能な限り薄くすることが好ましい。
また、発光素子１１１８を封止するために不活性気体雰囲気下で第１シール材１１０５、第２シール材１１０７により封止基板１１０４を貼り合わせる。なお、第１シール材１１０５、第２シール材１１０７としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１シール材１１０５、第２シール材１１０７はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
また、本実施例では封止基板１１０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、第１シール材１１０５、第２シール材１１０７を用いて封止基板１１０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うように第３のシール材で封止することも可能である。
以上のようにして発光素子を透明保護層１１１７、第１シール材１１０５、第２シール材１１０７に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
また、第１の電極１１１３として透明導電膜を用いれば両面発光型の発光装置を作製することができる。
また、本実施例では陽極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透明電極である陰極を形成するという構造（以下、上面出射構造とよぶ）とした例を示したが、陽極上に有機化合物を含む層が形成され、有機化合物層上に陰極が形成される発光素子を有し、有機化合物を含む層において生じた発光を透明電極である陽極からＴＦＴの方へ取り出す（以下、下面出射構造とよぶ）という構造としてもよい。
ここで、下面出射構造の発光装置の一例を図８に示す。
なお、図８（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された１２０１はソース信号線駆動回路、１２０２は画素部、１２０３はゲート信号線駆動回路である。また、１２０４は封止基板、１２０５は密閉空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されているシール材であり、シール材１２０５で囲まれた内側は、不活性気体（代表的には窒素）で充填されている。シール材１２０５で囲まれた内側の空間は乾燥剤１２０７によって微量な水分が除去され、十分乾燥している。
なお、１２０８はソース信号線駆動回路１２０１及びゲート信号線駆動回路１２０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１２０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。
次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。基板１２１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路１２０１と画素部１２０２が示されている。なお、ソース信号線駆動回路１２０１はｎチャネル型ＴＦＴ１２２３とｐチャネル型ＴＦＴ１２２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。
また、画素部１２０２はスイッチング用ＴＦＴ１２１１と、電流制御用ＴＦＴ１２１２とそのドレインに電気的に接続された透明な導電膜からなる第１の電極（陽極）１２１３を含む複数の画素により形成される。
ここでは第１の電極１２１３が接続電極と一部重なるように形成され、第１の電極１２１３はＴＦＴのドレイン領域と接続電極を介して電気的に接続している構成となっている。第１の電極１２１３は透明性を有し、且つ、仕事関数の大きい導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いることが望ましい。
また、第１の電極（陽極）１２１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）１２１４が形成される。カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１２１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。また、絶縁物１２１４を窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆ってもよい。
また、第１の電極（陽極）１２１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって有機化合物を含む層１２１５を選択的に形成する。さらに、有機化合物を含む層１２１５上には第２の電極（陰極）１２１６が形成される。陰極としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、またはＣａＮ）を用いればよい。こうして、第１の電極（陽極）１２１３、有機化合物を含む層１２１５、及び第２の電極（陰極）１２１６からなる発光素子１２１８が形成される。発光素子１２１８は、図８中に示した矢印方向に発光する。ここでは発光素子１２１８はＲ、Ｇ、或いはＢの単色発光が得られる発光素子の一つであり、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光が得られる有機化合物を含む層をそれぞれ選択的に形成した３つの発光素子でフルカラーとする。
また、発光素子１２１８を封止するために保護層１２１７を形成する。
また、発光素子１２１８を封止するために不活性気体雰囲気下でシール材１２０５により封止基板１２０４を貼り合わせる。封止基板１２０４には予めサンドブラスト法などによって形成した凹部が形成されており、その凹部に乾燥剤１２０７を貼り付けている。なお、シール材１２０５としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール材１２０５はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
また、本実施例では凹部を有する封止基板１２０４を構成する材料として金属基板、ガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１、実施例２のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、一つの画素の断面構造、特に発光素子およびＴＦＴの接続、画素間に配置する隔壁の形状について説明する。
図９（Ａ）中、４０は基板、４１は隔壁（土手とも呼ばれる）、４２は絶縁膜、４３は第１の電極（陽極）、４４は有機化合物を含む層、４５は第２の電極（陰極）４６はＴＦＴである。
ＴＦＴ４６において、４６ａはチャネル形成領域、４６ｂ、４６ｃはソース領域またはドレイン領域、４６ｄはゲート電極、４６ｅ、４６ｆはソース電極またはドレイン電極である。ここではトップゲート型ＴＦＴを示しているが、特に限定されず、逆スタガ型ＴＦＴであってもよいし、順スタガ型ＴＦＴであってもよい。なお、４６ｆは第１の電極４３と一部接して重なることによりＴＦＴ４６とを接続する電極である。
また、図９（Ａ）とは一部異なる断面構造を図９（Ｂ）に示す。
図９（Ｂ）においては、第１の電極と電極との重なり方が図９（Ａ）の構造と異なっており、第１の電極をパターニングした後、電極を一部重なるように形成することでＴＦＴと接続させている。
また、図９（Ａ）とは一部異なる断面構造を図９（Ｃ）に示す。
図９（Ｃ）においては、層間絶縁膜がさらに１層設けられており、第１の電極がコンタクトホールを介してＴＦＴの電極と接続されている。
また、隔壁４１の断面形状としては、図９（Ｄ）に示すようにテーパー形状としてもよい。フォトリソグラフィ法を用いてレジストを露光した後、非感光性の有機樹脂や無機絶縁膜をエッチングすることによって得られる。
また、ポジ型の感光性有機樹脂を用いれば、図９（Ｅ）に示すような形状、上端部に曲面を有する形状とすることができる。
また、ネガ型の感光性樹脂を用いれば、図９（Ｆ）に示すような形状、上端部および下端部に曲面を有する形状とすることができる。
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
本発明を実施して様々なモジュール（アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）を完成させることができる。即ち、本発明を実施することによって、それらを組み込んだ全ての電子機器が完成される。
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１０、図１１に示す。
図１０（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
図１０（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
図１０（Ｃ）はゲーム機器であり、本体２２０１、表示部２２０５等を含む。
図１０（Ｄ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
図１０（Ｅ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
図１１（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。
図１１（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
図１１（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
ちなみに図１１（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態１乃至３、実施例１乃至４のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
実施例５において示した電子機器には、発光素子が封止された状態にあるパネルに、コントローラ、電源回路等を含むＩＣが実装された状態にあるモジュールが搭載されている。モジュールとパネルは、共に発光装置の一形態に相当する。本実施例では、モジュールの具体的な構成について説明する。
図１２（Ａ）に、コントローラ１８０１及び電源回路１８０２がパネル１８００に実装されたモジュールの外観図を示す。パネル１８００には、発光素子が各画素に設けられた画素部１８０３と、前記画素部１８０３が有する画素を選択する走査線駆動回路１８０４と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路１８０５とが設けられている。
またプリント基板１８０６にはコントローラ１８０１、電源回路１８０２が設けられており、コントローラ１８０１または電源回路１８０２から出力された各種信号及び電源電圧は、ＦＰＣ１８０７を介してパネル１８００の画素部１８０３、走査線駆動回路１８０４、信号線駆動回路１８０５に供給される。
プリント基板１８０６への電源電圧及び各種信号は、複数の入力端子が配置されたインターフェース（Ｉ／Ｆ）部１８０８を介して供給される。
なお、本実施例ではパネル１８００にプリント基板１８０６がＦＰＣを用いて実装されているが、必ずしもこの構成に限定されない。ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式を用い、コントローラ１８０１、電源回路１８０２をパネル１８００に直接実装させるようにしても良い。
また、プリント基板１８０６において、引きまわしの配線間に形成される容量や配線自体が有する抵抗等によって、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることがある。そこで、プリント基板１８０６にコンデンサ、バッファ等の各種素子を設けて、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりするのを防ぐようにしても良い。
図１２（Ｂ）に、プリント基板１８０６の構成をブロック図で示す。インターフェース１８０８に供給された各種信号と電源電圧は、コントローラ１８０１と、電源回路１８０２に供給される。
コントローラ１８０１は、Ａ／Ｄコンバータ１８０９と、位相ロックドループ（ＰＬＬ：Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）１８１０と、制御信号生成部１８１１と、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１８１２、１８１３とを有している。なお本実施例ではＳＲＡＭを用いているが、ＳＲＡＭの代わりに、ＳＤＲＡＭや、高速でデータの書き込みや読み出しが可能であるならばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）も用いることが可能である。
インターフェース１８０８を介して供給されたビデオ信号は、Ａ／Ｄコンバータ１８０９においてパラレル−シリアル変換され、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するビデオ信号として制御信号生成部１８１１に入力される。また、インターフェース１８０８を介して供給された各種信号をもとに、Ａ／Ｄコンバータ１８０９においてＨｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣ Ｃｏｎｔ）が生成され、制御信号生成部１８１１に入力される
位相ロックドループ１８１０では、インターフェース１８０８を介して供給される各種信号の周波数と、制御信号生成部１８１１の動作周波数の位相とを合わせる機能を有している。制御信号生成部１８１１の動作周波数は、インターフェース１８０８を介して供給された各種信号の周波数と必ずしも同じではないが、互いに同期するように制御信号生成部１８１１の動作周波数を位相ロックドループ１８１０において調整する。
制御信号生成部１８１１に入力されたビデオ信号は、一旦ＳＲＡＭ１８１２、１８１３に書き込まれ、保持される。制御信号生成部１８１１では、ＳＲＡＭ１８１２に保持されている全ビットのビデオ信号のうち、全画素に対応するビデオ信号を１ビット分づつ読み出し、パネル１８００の信号線駆動回路１８０５に供給する。
また制御信号生成部１８１１では、各ビット毎の、発光素子が発光する期間に関する情報を、パネル１８００の走査線駆動回路１８０４に供給する。
また電源回路１８０２は所定の電源電圧を、パネル１８００の信号線駆動回路１８０５、走査線駆動回路１８０４及び画素部１８０３に供給する。
次に電源回路１８０２の詳しい構成について、図１３を用いて説明する。本実施例の電源回路１８０２は、４つのスイッチングレギュレータコントロール１８６０を用いたスイッチングレギュレータ１８５４と、シリーズレギュレータ１８５５とからなる。
一般的にスイッチングレギュレータは、シリーズレギュレータに比べて小型、軽量であり、降圧だけでなく昇圧や正負反転することも可能である。一方シリーズレギュレータは、降圧のみに用いられるが、スイッチングレギュレータに比べて出力電圧の精度は良く、リプルやノイズはほとんど発生しない。本実施例の電源回路１８０２では、両者を組み合わせて用いる。
図１３に示すスイッチングレギュレータ１８５４は、スイッチングレギュレータコントロール（ＳＷＲ）１８６０と、アテニュエイター（減衰器：ＡＴＴ）１８６１と、トランス（Ｔ）１８６２と、インダクター（Ｌ）１８６３と、基準電源（Ｖｒｅｆ）１８６４と、発振回路（ＯＳＣ）１８６５、ダイオード１８６６と、バイポーラトランジスタ１８６７と、可変抵抗１８６８と、容量１８６９とを有している。
スイッチングレギュレータ１８５４において外部のＬｉイオン電池（３．６Ｖ）等の電圧が変換されることで、陰極に与えられる電源電圧と、スイッチングレギュレータ１８５４に供給される電源電圧が生成される。
またシリーズレギュレータ１８５５は、バンドギャップ回路（ＢＧ）１８７０と、アンプ１８７１と、オペアンプ１８７２と、電流源１８７３と、可変抵抗１８７４と、バイポーラトランジスタ１８７５とを有し、スイッチングレギュレータ１８５４において生成された電源電圧が供給されている。
シリーズレギュレータ１８５５では、スイッチングレギュレータ１８５４において生成された電源電圧を用い、バンドギャップ回路１８７０において生成された一定の電圧に基づいて、各色の発光素子の陽極に電流を供給するための配線（電流供給線）に与える直流の電源電圧を、生成する。
なお電流源１８７３は、ビデオ信号の電流が画素に書き込まれる駆動方式の場合に用いる。この場合、電流源１８７３において生成された電流は、パネル１８００の信号線駆動回路１８０５に供給される。なお、ビデオ信号の電圧が画素に書き込まれる駆動方式の場合には、電流源１８７３は必ずしも設ける必要はない。
なお、スイッチングレギュレータ、ＯＳＣ、アンプ、オペアンプは、ＴＦＴを用いて形成することが可能である。
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１乃至５のいずれか一と自由に組みあわせることができる。
本実施例ではパッシブマトリクス型の発光装置（単純マトリクス型の発光装置とも呼ぶ）を作製する例を示す。
まず、基板上にストライプ状に複数の第１配線をＩＴＯなどの材料（陽極となる材料）で形成する。次いで、レジストまたは感光性樹脂からなる隔壁を発光領域となる領域を囲んで形成する。次いで、蒸着法またはインクジェット法により、隔壁で囲まれた領域に有機化合物を含む層を形成する。フルカラー表示とする場合には、適宜、材料を選択して有機化合物を含む層を形成する。次いで、隔壁および有機化合物を含む層上に、ＩＴＯからなる複数の第１配線と交差するようにストライプ状の複数の第２配線をＡｌまたはＡｌ合金などの金属材料（陰極となる材料）で形成する。以上の工程で有機化合物を含む層を発光層とした発光素子を形成することができる。
次いで、シール材で封止基板を貼り付ける、或いは第２配線上に保護膜を設けて封止する。
次いで、実施の形態１と同様に、１枚の基板には複数の発光領域が設けられ、封止基板を貼り付けた後、封止基板の一部を除去して、一部のみ検査（発光検査）を行う。
次いで、検査で良品であったものは出荷する。そして、出荷先でそれぞれ分断を行い、複数のパネルを作製する。本発明により、検査用の回路や端子を設けることなく、多面取りを行うことができる。また、本発明では、検査を行ったパネルも最終製品に組み込むことができるため、歩留まりが向上し、効率よくパネルを製造することができる。
また、フルカラーの表示装置に限らず、単色カラーの発光装置、例えば、面光源、電飾用装置にも本発明を実施することができる。
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１、実施例２、実施例５のいずれか一と自由に組みあわせることができる。
本発明により、検査用の回路や端子を設けることなく、多面取りを行うことができる。また、本発明では、検査を行ったパネルも最終製品に組み込むことができるため、歩留まりが向上し、効率よくパネルを製造することができる。

Claims (4)

  1. 第１の場所にて、一対の電極間に挟まれた有機化合物層で構成される発光素子がマトリクス状に配置された画素部および端子部を有する複数のパネルを、第１の基板上に形成する第１段階と、
    第１の場所にて、前記画素部を第２の基板で封止する第２段階と、
    第１の場所にて、前記複数のパネルのうち、一部のパネルの端子部と重なる前記第２の基板の一部を除去し、前記一部のパネルの端子部を露呈させる第３段階と、
    第１の場所にて、前記一部の端子部に対して電流を流して検査する第４段階と、
    第１の場所から第２の場所に基板を搬送する第５段階と、
    第２の場所にて、前記複数のパネルをパネルごとに分割するように、前記第１の基板および前記第２の基板を分断する第６段階と、
    第２の場所にて、前記複数のパネル各々の端子部にＦＰＣを貼り付ける第７段階と、
    を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 請求項１において、
    前記複数のパネルは、ｎ×ｍ個（ｎ＞１、かつ、ｍ＞１）のパネルがｎ行ｍ列に配置されたものであることを特徴とする発光装置の製造方法。
  3. 請求項２において、
    前記第４段階の検査は、ｍ列目に配置されたパネルに対して行うことを特徴とする発光装置の製造方法。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
    前記第４段階後に、前記一部のパネルの端子部に接するように帯電防止材を設けることを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2004542811A 2002-10-09 2003-09-12 発光装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4397814B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002296668 2002-10-09
JP2002296668 2002-10-09
PCT/JP2003/011702 WO2004034746A1 (ja) 2002-10-09 2003-09-12 発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2004034746A1 JPWO2004034746A1 (ja) 2006-02-09
JP4397814B2 true JP4397814B2 (ja) 2010-01-13

Family

ID=32089242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004542811A Expired - Fee Related JP4397814B2 (ja) 2002-10-09 2003-09-12 発光装置の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6919215B2 (ja)
JP (1) JP4397814B2 (ja)
KR (1) KR101003406B1 (ja)
CN (1) CN100565902C (ja)
AU (1) AU2003268640A1 (ja)
TW (1) TWI307182B (ja)
WO (1) WO2004034746A1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4397814B2 (ja) * 2002-10-09 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の製造方法
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100554494B1 (ko) * 2003-12-30 2006-03-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR101270180B1 (ko) * 2004-01-30 2013-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 검사장치 및 검사방법과, 반도체장치 제작방법
US7348738B2 (en) * 2004-09-02 2008-03-25 General Electric Company OLED area illumination source
JP2006351382A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネル及びその製造方法、自発光パネル用封止部材
JP2007059209A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Toyota Industries Corp エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法
EP1818860B1 (en) 2006-02-08 2011-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. RFID device
US20090058293A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Norihisa Maeda Display device
KR101016759B1 (ko) * 2007-11-06 2011-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
DE102008054288A1 (de) * 2008-11-03 2010-05-06 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines flexiblen Leuchtbands
TWI616707B (zh) 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR101329456B1 (ko) * 2009-11-06 2013-11-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP2012043689A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Toshiba Tec Corp 有機ｅｌ装置の製造方法
CN102879926B (zh) 2012-09-19 2014-12-10 深圳市华星光电技术有限公司 实现两种显示面板共用治具的排版结构及其方法
CN105379422B (zh) * 2013-07-16 2017-05-31 夏普株式会社 柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置
KR102122528B1 (ko) * 2013-08-06 2020-06-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102126276B1 (ko) * 2013-08-30 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104090677A (zh) * 2014-06-20 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏和显示装置
JP6999434B2 (ja) * 2018-01-29 2022-01-18 シャープ株式会社 表示装置、表示システム、および表示装置の製造方法
KR102569929B1 (ko) * 2018-07-02 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11295755A (ja) 1998-04-09 1999-10-29 Seiko Epson Corp 配線基板の検査方法及び液晶装置の製造方法
US6839108B1 (en) * 1998-05-16 2005-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2000002872A (ja) * 1998-06-16 2000-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
JP3653200B2 (ja) * 1998-10-02 2005-05-25 シャープ株式会社 表示装置の製造方法
US6489952B1 (en) * 1998-11-17 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type semiconductor display device
TW459275B (en) * 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2001100167A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Seiko Epson Corp 液晶表示装置の製造方法
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6828587B2 (en) * 2000-06-19 2004-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6734924B2 (en) * 2000-09-08 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US6924594B2 (en) * 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
SG143946A1 (en) * 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002277860A (ja) * 2001-03-15 2002-09-25 Sharp Corp 液晶パネルおよびその製造方法
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003017259A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法
JP4323115B2 (ja) * 2001-07-06 2009-09-02 シャープ株式会社 機能性パネルの製造方法
JP2003258210A (ja) * 2001-12-27 2003-09-12 Canon Inc 表示装置及びその製造方法
JP2003248208A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示パネルの製造方法
JP2003271067A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
JP4397814B2 (ja) * 2002-10-09 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060090568A (ko) 2006-08-14
TW200503301A (en) 2005-01-16
US20050070039A1 (en) 2005-03-31
US6919215B2 (en) 2005-07-19
JPWO2004034746A1 (ja) 2006-02-09
CN1689375A (zh) 2005-10-26
CN100565902C (zh) 2009-12-02
WO2004034746A1 (ja) 2004-04-22
US20050233488A1 (en) 2005-10-20
US7393708B2 (en) 2008-07-01
TWI307182B (en) 2009-03-01
KR101003406B1 (ko) 2010-12-23
AU2003268640A1 (en) 2004-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7393708B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP6402209B2 (ja) アクティブマトリクス型発光装置
US6882102B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US7517551B2 (en) Method of manufacturing a light-emitting device
US7554263B2 (en) Light emitting device having transparent film varying refractive index and manufacturing method thereof
JP2019061256A (ja) 発光装置
US20060160456A1 (en) Lighting emitting element and method for manufacturing the same
US20050231123A1 (en) Semiconductor device
US20070152579A1 (en) Display device
JP2017219848A (ja) 表示装置及びその製造方法
US20070228382A1 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US20050258741A1 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
KR20130053433A (ko) 발광 장치 및 발광 장치 제조 방법
JP2001345179A (ja) 発光装置およびその作製方法
JP2003233329A (ja) 表示装置のリペア方法
JP2008078014A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2001085156A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置
JP4643138B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR102627283B1 (ko) 측변 구부림 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시 장치
JP2007114477A (ja) 表示装置
JP2003202817A (ja) 画像表示装置
KR100740134B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20240069304A (ko) 표시 장치
JP2005116253A (ja) 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
JP2005327745A (ja) 発光装置及びその作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060817

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090721

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091020

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091021

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4397814

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees