JP2017219848A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】表示モジュールがベンディング領域において容易にベンディングされることができ、より小さい曲率半径を有する表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、互いに対向する下面と上面を有する表示パネル１００、表示パネル１００の下面の下部に配置された第１フィルム２００、表示パネル１００の上面に配置された第２フィルム３００、及び表示パネル１００の下面と第１フィルム２００の間に配置されフィルム溝と重畳する粘着溝が配置された粘着層４００を含み、表示パネル１００は、下面に配置されたポリイミドを含むベース基板１１０を含み、露出されたベース基板１１０の第１部分１１と、第１フィルム２００及び粘着層４００と重畳するベース基板１１０の第２部分１２と、は互いに５％以内の結晶化度の違いを有する。【選択図】図７

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
有機発光表示装置は、複数個の画素を含む。複数個の画素の各々は有機発光ダイオード及び有機発ダイオードを制御する回路部を含む。回路部は少なくとも制御トランジスタ、駆動トランジスタ、及び保持容量を含む。
有機発光ダイオードは陽極、陰極、及び陽極と陰極の間に配置された有機発光層を含む。有機発光ダイオードは陽極と陰極との間に有機発光層のスレショルド電圧以上の電圧が加えると発光される。
本発明は、第１フィルム及び粘着層にベンディング領域に重畳する溝を設けることによって、表示モジュールはベンディング領域において容易にベンディングされることができ、より小さい曲率半径を有する表示装置を提供することを目的とする。
本発明はベース基板の損傷なしに第１フィルム及び粘着層を選択的に除去することができる表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の表示装置の製造方法は、互いに対向する下面と上面を有する表示パネル、表示パネルの下面の下部に配置された第１フィルム、表示パネルの上面に配置された第２フィルム、及び表示パネルの下面と第１フィルムの間に配置された粘着層を含み、第１領域が定められた表示モジュールを形成するステップと、第１領域の境界に沿って表示パネルの下面において上面方向である上部方向にレーザ光を照射して第１フィルム及び粘着層を切断するステップと、を含み、第１フィルム及び粘着層を切断するステップにおいて、表示パネルに伝達されるレーザ光のパワーが１Ｗ以下であってもよい。
レーザ光は、ＣＯ２レーザ光又はＵＶレーザ光であってもよい。
ＣＯ２レーザ光は、９．１μｍから１０．７μｍの波長を有し、ＵＶレーザ光は３６０ｎｍ以下の波長を有してもよい。
第１領域は、平面上において表示モジュールを第１方向に横切ることができる。第１フィルム及び粘着層を切断するステップは、第１方向に延長する第１領域の第１境界にレーザ光を照射するステップと、第１方向に延長し、第１領域の第１境界と向き合う第１領域の第２境界にレーザ光を照射するステップを含めてもよい。
第１フィルム及び粘着層を切断するステップにより、表示パネルの下面の形状が変形されなくてもよい。
表示パネルは、下面に配置されたポリイミドを含むベース基板を含めることができる。第１フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを含めてもよい。
第１フィルム及び粘着層を切断するステップにより、ベース基板の下面の第１部分が露出され、第１部分は平坦であってもよい。
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、第１領域内に配置された第１フィルムの一部及び粘着層の一部を除去するステップをさらに含めてもよい。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示パネル、第１フィルム、第２フィルム、及び粘着層を含めることができる。
第１フィルムは、表示パネルの下面の下部に配置され、フィルム溝が提供されてもよい。
第２フィルムは、表示パネルの上面上に配置されてもよい。
粘着層は表示パネルの下面と前記第１フィルムの間に配置され、フィルム溝と重畳する粘着溝が提供されてもよい。
表示パネルは、下面に配置されたポリイミドを含むベース基板を含めてもよい。
フィルム溝及び粘着溝によって露出されたベース基板の第１部分と、第１フィルム及び粘着層と重畳するベース基板の第２部分とは互いに５％以内の結晶化度の違いを有してもよい。
第１部分は第２部分に対してより低い結晶化度を有してもよい。
ベース基板の第１部分は粘着溝の内面に連結されてもよい。
第１部分は、フィルム溝及び粘着溝によって露出され第１部分によって第２部分から離隔された第３部分によって５％以内においてより低い結晶化度を有してもよい。
第２部分と第３部分は互いに同じ結晶化度を有してもよい。
第１部分の下面の表面粗さは第３部分の下面の表面粗さより小さくてもよい。
フィルム溝を提供する第１フィルムの内面及び粘着溝を提供する粘着層の内面各々とベース基板の第２部分がなす角度は鋭角であってもよい。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、フィルム溝に接する第１フィルムの下面に提供されたバリ（Ｂｕｒｒ）をさらに含んでいてもよい。
表示パネルに映像を表示する表示領域と表示領域に接している非表示領域とを有し、フィルム溝及び粘着溝は非表示領域内に設けられていてもよい。
表示パネルに映像を表示する表示領域と表示領域に接している非表示領域が定義され、表面上においてフィルム溝及び粘着溝は表示領域を横切るように提供されてもよい。
フィルム溝及び粘着溝は、平面上において表示パネルを第１方向に横切ってもよい。フィルム溝及び粘着溝と重畳に設定され第１方向に延長された基準軸を基準として曲げることができる。
第１フィルムはＰＥＴを含まれてもよい。第２フィルムは偏光板を含むことができる。
本発明の実施形態による表示装置は第１フィルム、第２フィルム、粘着層を含めてもよい。
表示パネルは、互いに対向する下面と上面を有し、第１領域が画定されることができる。
第１フィルムは、表示パネルの下面の下部に配置され、第１領域と重畳する第１溝が設けられてもよい。
第２フィルムは、表示パネルの上面上に配置されることができる。
粘着層は、表面パネルの下面と前記第１フィルムとの間に配置され、第１領域と重畳する第２溝を設けることができる。
表示パネルは、下面を提供し、ポリイミドを含むベース基板を含むことができる。
第１領域内で第１フィルム及び粘着層にベース基板を露出する複数の溝が設けることができる。
第１領域内で溝により第１フィルムの第１部分及び粘着層の第１部分は第１フィルムの第２部分及び粘着層の第２部分と分離することができる。
本発明の実施形態による表示装置によると、第１フィルム及び粘着層にベンディング領域に重畳する溝を提供することによって、表示モジュールはベンディング領域で容易にベンディングされることができ、さらに小さい曲率半径を有することができる。
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法によると、ベース基板の損傷なしに第１フィルム及び粘着層を選択的に除去することができる。
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るマザー基板の平面図である。 図２の表示モジュールを示す平面図である。 図３のＩ−Ｉ’線を工程の進行に従って切断した断面図である。 図４の表示パネルの積層構造を示す図である。 一つの画素領域に該当する表示パネルを例示的に示す断面図である。 図３のＩ−Ｉ’線を工程の進行に従って切断した断面図である。 図３のＩ−Ｉ’線を工程の進行に従って切断した断面図である。 実験対象に１Ｗ超過のレーザ光を照射した後の写真である。 実験対象に１Ｗ以下のレーザ光を照射した後の写真である。 レーザパワーによるポリイミドの結晶化の程度を示すグラフである。 本発明の他の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の他の一実施形態に係る他の表示装置の製造方法を説明するための表示モジュールの平面図である。 図１３のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す斜視図である。 図１５の有機発光表示装置を示す平面図である。 図１６のＩＩ−ＩＩ’線による断面図である。 有機発光表示装置が曲げられた状態において図１６のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示モジュールを示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示モジュールを示す断面図である。 本発明の他の一実施形態に係る表示モジュールを示す平面図である。 図２１の表示モジュール曲げられた状態を示す平面図である。 本発明の他の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す斜視図である。 図２３の有機発光表示装置を示す平面図である。 図２４のＩＩＩ−ＩＩＩ’線による断面図である。 有機発光表示装置が曲げられた状態において図２４のＩＩＩ−ＩＩＩ’線による断面図である。
本発明は多様な変形することができたような形態を有することができるところ、特定の実施形態を図面を例示して詳しく説明する。しかし、本発明は、本発明を特定するために開示される実施形態によって限定して解釈されるべきでなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変形、均等物及び代替物を含むことに理解されなければならない。
以下の説明において「上部」と「下部」は図面を基準に方向性を説明するものである。また、層、膜、領域、板などの部分が異なる部分「上部に」あるとする場合、これは他の部分「すぐ上部に」ある場合のみならず、その間に他の部分がある場合も含む。逆に層、膜、領域、板などの部分が他の部分「下部に」あるとする場合、これは他の部分「すぐ下部に」ある場合のみならず、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
以下、図１乃至図８を参照して表示装置を製造する方法を説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図２は本発明の一実施形態に係るマザー基板の平面図であって、図３は図２の表示モジュールを示す平面図であり、図４、図７及び図８は工程の進行に従って図３のＩ−Ｉ’線を切断した断面図である。
図１及び図２を参照すると、表示モジュール１０００を含むマザー基板２０００を形成する（Ｓ１０）。
マザー基板２０００は、複数の表示モジュール１０００とダミー部分ＤＭを含むことができる。表示モジュール１０００は一つの基板を共有して形成することができる。
図２には、６個の表示モジュール１０００が一つのマザー基板２０００に含まれることを例示的に示しているが、これに制限されるものではなく、６個より少ないかまたは多い表示モジュール１０００が一つのマザー基板２０００に含まれてもよい。
表示モジュール１０００とダミー部分ＤＭは曲げることができる。よってマザー基板２０００は曲げることができる。
表示モジュール１０００各々は、加えられた信号によって映像を表示することができる。表示モジュール１０００は多様な形態の表示パネルを含めることができるが、以下で表示モジュール１０００は有機発光表示パネルを含むことを例示的に説明する。
ダミー部分ＤＭは、表示モジュール１０００の間に配置されることができる。ダミー部分ＤＭは、表示モジュール１０００各々の縁に配置されて表示モジュール１０００の各々を囲んでもよい。ダミー部分ＤＭは製造工程上に最終的に除去される構成であってもよい。
以下において、平面上で表示モジュール１０００の互いに隣接した二辺の延長方向を第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２と定義する。図２において、第１方向ＤＲ１は表示モジュール１０００の短辺の延長方向であって、第２方向ＤＲ２は表示モジュール１０００の長辺の延長方向であることを示している。ただし、これに制限されるものではなく、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２は互いに切り替えてもよい。
図３を参照すると、平面上において表示モジュール１０００には、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＡが定義されることができる。表示領域ＤＡは映像が表示される領域であって、非表示領域ＮＡは映像が表示されない領域であってもよい。非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡと接して配置されてもよい。
図３において非表示領域ＮＡは、表示領域ＤＡの一辺に接して配置されることを例示的に示した。具体的に、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＡは第２方向ＤＲ２に互いに接して配置されることを例示的に示した。ただし、これに制限されるものではなく、表示領域ＤＡの残り３辺と接して非表示領域がさらに定義されてもよい。
非表示領域ＮＡ内には、パッド領域ＰＤＡが定義されてもよい。パッド領域ＰＤＡは、フレキシブルプリント回路基板（図示せず）と接続される領域であって、表示モジュール１０００はパッド領域ＰＤＡを介して動作に要する信号を受信することができる。
非表示領域ＮＡ内には、第１領域ＧＲＡがさらに画定されることができる。第１領域ＧＲＡはパッド領域ＰＤＡと表示領域ＤＡの間に画定されて、パッド領域ＰＤＡ及び表示領域ＤＡと離隔されることができる。第１領域ＧＲＡは本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造が完了されたときに、溝が設けられる領域であってもよい。
平面上において、第１領域ＧＲＡは、第１方向ＤＲ１に表示モジュール１０００を横切ることができる。第１領域ＧＲＡの第１境界ＥＧ１及び第２境界ＥＧ２は、第１方向ＤＲ１に延長し、互いに離隔されることができる。
図４を参照すると、表示モジュール１０００は、表示パネル１００、第１フィルム２００、第２フィルム３００、及び粘着層４００を含めることができる。
表示パネル１００は、下面１０１と上面１０２を有することができる。以下、表示パネル１００の下面１０１又は上面１０２に垂直であって、表示パネル１００の下面１０１から上面１０２に向かう方向を上部方向ＤＲ３として定義する。
第１フィルム２００は、表示パネル１００の下面１０１の下部に配置されることができる。第２フィルム３００は表示パネル１００の上面１０２の上部に配置されることができる。粘着層４００は、表示パネル１００の下面１０１と第１フィルム２００の間に配置されることができる。
第１フィルム２００は、表示パネル１００を保護することができる。第１フィルム２００はポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ ＰＥＮ）、ポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ＰＰ）、ポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ ＰＣ）、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ ＰＳ）、ポリスルフォン（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ ＰＳｕｌ）、ポリエチレン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ＰＥ）、ポリフタラミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ ＰＰＡ）、ポリエテールスルフォン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ ＰＥＳ）、ポリアリレート（Ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ ＰＡＲ）、ポリカーボネートオキサイド（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ ｏｘｉｄｅ ＰＣＯ）、変性ポリフェニレンオキサイド（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ ＭＰＰＯ）などに構成されることができる。以下において、第１フィルム２００はポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ ＰＥＴ）を含むことを例示的に説明する。
第２フィルム３００は、偏光板を含むことができる。偏光板は外部から入射される外光を遮断することができる。偏光板は直線偏光層及びλ／４位相差層を含むことができる。具体的に、λ／４位相差層の上に直線偏光層が配置されることができる。直線偏光層とλ／４位相差層を順に通過した外光は偏光板の下部（例えば、表示パネル１００の陰極）にて反射されてλ／４位相差層を通過した後、直線偏光層を通過できず消滅される。
粘着層４００は、表示パネル１００と第１フィルム２００を粘着させることができる。粘着層４００はウレタン系、アクリル系、シリコン系の材料などからなってもよい。
図５は、図４の表示パネル１００の積層構造を示す図であって、図６は一つの画素領域に該当する表示パネルを例示的に示す図である。図６において一つの画素領域ＰＡ内に一つの画素が配置されることができる。
図５及び図６を参照すると、表示パネル１００はベース基板１１０、駆動素子層１２０、有機発光素子層１３０、及び封止層１４０を含むことができる。
ベース基板１１０は、表示パネル１００の下面１０１に配置される。ベース基板１１０は可撓性基板であってもよく、ポリエチレンエテールフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエテールスルフォン及び、ポリイミドなどのように耐熱性及び耐久性が優れたプラスチックから構成されることができる。以下において、ベース基板１１０はポリイミドを含むことを例示的に説明する。
駆動素子層１２０は、有機発光素子層１３０に信号を提供するための素子を含む。駆動素子層１２０は多様な信号ライン、例えば、スキャンライン（図示せず）、データライン（図示せず）、電源ライン（図示せず）、発光ライン（図示せず）を含めることができる。駆動素子層１２０は複数のトランジスタとキャパシタを含めることができる。トランジスタは一つの画素（図示せず）ごとに具備されたスイッチングトランジスタ（図示せず）と駆動トランジスタＱｄを含めることができる。
図６には、駆動素子層１２０の駆動トランジスタＱｄを例示的に示した。駆動トランジスタＱｄは活性層２１１、ゲート電極２１３、ソース電極２１５、及びドレイン電極２１７を含む。
活性層２１１はベース基板１１０上に配置されることができる。駆動素子層１２０は活性層２１１とゲート電極２１３の間に配置された第１絶縁膜２２１をさらに含めることができる。第１絶縁膜２２１は活性層２１１とゲート電極２１３を互いに絶縁させることができる。ソース電極２１５及びドレイン電極２１７は、ゲート電極２１３上に配置されることができる。駆動素子層１２０はゲート電極２１３とソース電極２１５間及びゲート電極２１３とドレイン電極２１７の間に配置された第２絶縁膜２２３をさらに含めることができる。ソース電極２１５とドレイン電極２１７各々は第１絶縁膜２２１及び第２絶縁膜２２３に具備されたコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を介して活性層２１１に接続されることができる。
駆動素子層１２０はソース電極２１５及びドレイン電極２１７上に配置された保護膜２３０をさらに含めることができる。
本発明は、図６に図示された駆動トランジスタＱｄの構造に限定されるものではなく、活性層２１１、ゲート電極２１３、ソース電極２１５、及びドレイン電極２１７の位置は多様な形態に変形可能である。例えば、図６においてゲート電極２１３は活性層２１１上に配置されることに図示しているが、ゲート電極２１３が活性層２１１の下部に配置されてもよい。
図６においてスイッチングトランジスタの構造を図示していないが、スイッチングトランジスタ（図示せず）と駆動トランジスタＱｄは互いに同じ構造を有してもよい。ただ、これに制限されることではなくスイッチングトランジスタ（図示せず）と駆動トランジスタＱｄは互いに異なる構造を有することができる。例えば、スイッチングトランジスタ（図示せず）の活性層（図示せず）と駆動トランジスタＱｄの活性層２１１は互いに異なる層上に配置されてもよい。
有機発光素子層１３０は有機発光ダイオードＬＤを含めることができる。本発明の一実施形態において、有機発光ダイオードＬＤは全面発光型が用いられ、上部方向ＤＲ３に光を放出することができる。
有機発光ダイオードＬＤは第１電極ＡＥ、有機層ＯＬ、及び第２電極ＣＥを含めることができる。
第１電極ＡＥは保護膜２３０上に配置される。第１電極ＡＥは保護膜２３０に形成されたコンタクトホールＣＨ３を介してドレイン電極２１７に接続される。
第１電極ＡＥは画素電極又は陽極であってもよい。第１電極ＡＥは半透過型電極又は反射型電極であってもよい。第１電極ＡＥが半透過型電極又は反射型電極である場合、第１電極ＡＥはＡｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ又は金属の混合物を含めることができる。
第１電極ＡＥは、金属酸化物又は金属からなる単一層または複数層を有する多層構造であってもよい。例えば、第１電極ＡＥはＩＴＯ、Ａｇ又は金属混合物（例えば、ＡｇとＭｇの混合物）単一層構造、ＩＴＯ／ＭｇまたはＩＴＯ／ＭｇＦの２層構造又はＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を有してもよく、これに限定されるものではない。
有機層ＯＬは、低分子有機物又は高分子有機物からなる有機発光層（ＥＭＬ；Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を含めてもよい。有機発光層は光を発することができる。有機層ＯＬは有機発光層の以外に、正孔輸送層（ＨＴＬ；Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、正孔注入層（ＨＩＬ；Ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（ＥＩＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）などを選択的に含めることができる。
第１電極ＡＥ及び第２電極ＣＥから各々の正孔と電子が有機層ＯＬ内部の有機発光層に注入される。有機発光層においては正孔と電子が結合された励起子（Ｅｘｉｔｏｎ）が形成され励起子が励起状態から基底状態に落ちると同時に光を放出する。
第２電極ＣＥは有機層ＯＬ上に設けることができる。第２電極ＣＥは共通電極又は陰極であってもよい。第２電極ＣＥは透過型電極又は半透過型電極であってもよい。第２電極ＣＥが透過型または半透過型電極である場合、第２電極ＣＥはＬｉ、Ｌｉｇ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、ＢａＦ、Ｂａ、Ａｇまたはこれらの化合物又は混合物（例えば、ＡｇとＭｇの混合物）を含めることができる。
第２電極ＣＥは補助電極を含めることができる。補助電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）を含めてもよく、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｇなどを含めてもよい。
有機発光素子層１３０は保護膜２３０上に配置された画素定義膜ＰＤＬをさらに含めることができる。画素定義膜ＰＤＬは平面上において画素領域ＰＡの境界に重畳に配置されることができる。
封止層１４０は有機発光素子層１３０の上部に配置されることができる。封止層１４０は表示パネル１００の上面１０２に設けられる。封止層１４０は有機発光素子層１３０を外部の水分および空気から遮断することができる。封止層１４０は封止基板１４１とシーリング部材（図示せず）を含めることができる。シーリング部材（図示せず）は封止基板１４１の縁に沿って配置されて封止基板１４１とともに有機発光ダイオードＬＤを密封することができる。封止基板１４１及びシーリング部材（図示せず）により形成された内部空間１４３は真空で形成されることができる。ただ、これに制限されるものではなく、内部空間１４３は窒素Ｎ２で満たされるか、絶縁物質からなる充填部材で満たされることができる。
図６に示した実施形態と異なり、封止層１４０は薄膜状態の有機膜及び無機膜が複数積層された態様で提供されることができる。
図１、図３、図４及び図７を参照すると、第１領域ＧＲＡの境界に沿って第１フィルム２００及び粘着層４００を切断する（Ｓ２０）。
ステップＳ２０は、表示モジュール１０００の下部から上部方向ＤＲ３にレーザ光を照射して第１フィルム２００及び粘着層４００を切断することができる。
レーザ光としては高いエネルギー効率のＣＯ２レーザ装置を使用するか、ＵＶレーザ装置を利用して照射することができる。ＣＯ２レーザ装置から出射される光の波長は９．１μｍから１０．７μｍであり得る。ＵＶレーザ装置から出射される光の波長は３６０ｎｍ以下であり得る。
ステップＳ２０は、第１領域ＧＲＡの第１境界ＥＧ１に沿ってレーザ光ＬＺ１を照射するステップと、第１領域ＧＲＡの第２境界ＥＧ２に沿ってレーザ光ＬＺ２を照射するステップと、を含めることができる。
ステップＳ２０の後に、第１フィルム２００及び粘着層４００には第１領域ＧＲＡの第１境界ＥＧ１に重畳する第１溝Ｇ１が形成され、第１領域ＧＲＡの第２境界ＥＧ２に重畳する第２溝Ｇ２が形成される。
第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２は、上部方向ＤＲ３に行くほど小さくなる幅を有する形状を有することができる。第１溝Ｇ１の内面ＧＳ１及び第２溝Ｇ２の内面ＧＳ２は傾斜を有することができる。
ステップＳ２０において、レーザ光ＬＺ１、ＬＺ２を照射することによって、第１及び第２溝Ｇ１、Ｇ２に接する第１フィルム２００の下面に、バリ（Ｂｕｒｒ、ＢＲ）が形成されることができる。バリ（Ｂｕｒｒ）はレーザ光（ＬＺ１、ＬＺ２）の熱エネルギーによって第１フィルム２００の一部が溶融（Ｍｅｌｔｉｎｇ）され形成されるものであってもよい。
ステップＳ２０において、ベース基板１１０に伝達されるレーザ光ＬＺ１、ＬＺ２の各々のパワーは１Ｗ以下であってもよい。ベース基板１１０に伝達されるレーザ光ＬＺ１、ＬＺ２の各々のパワーが１Ｗ以下である場合、表示パネル１００の下面１０１が損傷なしで形状が変形されないようにすることができる。
第１及び第２溝Ｇ１、Ｇ２が形成されることに応じて、ベース基板１１０の下面１０１の第１部分１１が露出される。ベース基板１１０の下面１０１の第１部分１１には物理的に損傷を受けない範囲内のレーザ光が照射されるので、ベース基板１１０の下面１０１の第１部分１１を平坦にさせることができる。ベース基板１１０の下面１０１の第２部分１２も平坦にさせることができる。
ベース基板１１０の下面１０１の第１部分１１内に第１境界ＥＧ１及び第２境界ＥＧ２が設定されることができる。
図示していないが、ステップＳ２０以前又は以後に、第１領域ＧＲＡ内に配置された粘着層４００の粘着力を緩和させることができる。第１領域ＧＲＡ内に紫外線を照射することによって第１領域ＧＲＡ内に配置された粘着層４００の粘着力を緩和させることができる。
図１、図４及び図８を参照すると、第１領域ＧＲＡ内に配置された第１フィルム２００の一部及び粘着層４００の一部を除去する（Ｓ３０）。
ステップＳ３０において第１領域ＧＲＡ内に第１フィルム２００の一部及び粘着層４００の一部が除去された溝ＧＲが形成されることができる。溝ＧＲによって露出されたベース基板１１０の下面１０１の第３部分１３は第１領域ＧＲＡより大きい面積を有することができる。
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法によると、表示パネル１００に粘着層４００と第１フィルム２００を全面的に形成した後、ターゲット領域内に配置された粘着層４００の一部と第１フィルム２００の一部を容易に除去することができる。本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法によると、表示パネル１００にターゲット領域を除去して粘着層と第１フィルムを付着する工程に比べてその工程が単純化され、製造費用を削減することができる。
図９は、実験対象に１Ｗ超過のレーザ光を照射した後の写真であって、図１０は実験対象に１Ｗ以下のレーザ光を照射した後の写真である。図９及び図１０は実験対象の写真である。
図９及び図１０において、実験対象はポリイミドＰＩからなる第１部材３０とポリエチレンテレフタレートＰＥＴからなる第１部材４０を含めるように構成した。レーザ光は横方向ＲＤＨに沿ってレーザ照射領域ＬＲＡ内に照射された。
図９を参照すると、レーザ照射領域ＬＲＡ何において、第１部材３０及び第２部材４０と物理的に加工されたことがわかる。図１０を参照すると、レーザ照射領域ＬＲＡ内において第２部材４０が物理的に加工され、第１部材３０が物理的に加工されないことがわかる。
図７、図９及び図１０を参照すると、粘着層４００の厚さが１０μｍ程度であり、レーザ装置で除去できるマージンを考慮する場合、粘着層４００まで正確に切断することが困難である。本発明の一実施形態によれば、ポリイミドに伝達されるレーザパワーが１Ｗである場合、ポリイミドは物理的に加工されるので、ベース基板１１００に損傷なしに第１フィルム２００及び粘着層４００を選択的に除去することができる。
以後、マザー基板２０００においてダミー部分ＤＭを除去して表示モジュール１０００をマザー基板２０００から分離することができる。ただ、これに制限されるものではなく、表示モジュール１０００をマザー基板２０００から分離する工程はステップＳ２０からＳ４０より以前に行ってもよい。
以後、表示モジュール１０００を第１領域ＧＲＡ内に設定され第１方向ＤＲ１に延長された基準軸を中心にベンディングする。この際、表示モジュール１０００は溝ＧＲによって分離された第１フィルム２００の二つの部分が互いに近づく様にベンディングされることができる。
図１１は、レーザパワーによるポリイミドの結晶化の程度を示したグラフである。
図１１において、ｒｅｆはポリイミドにレーザを照射しない基準条件であり、この際の結晶化程度を１００％に設定した。０．３Ｗ、０．３６Ｗ、０．４２Ｗ、０．４８Ｗ、０．５４Ｗ、０．６Ｗのレーザパワーで各々３回ずつレーザを照射した。レーザパワーは、レーザビームのスポットサイズの変更なしにレーザ装置の反復率（ｒｅｐ ｒａｔｅ）を順次に増加させることによって制御した。
図１１を参照すると、レーザのパワーを増加させてもポリイミドの結晶化の程度が基準条件の９５％以上を維持することができ、同じレーザパワーに３回照射した場合にもポリイミドの結晶化程度が基準条件の９５％以上を維持した。また、レーザを照射した場合、ポリイミドの結晶化程度は５％以内で基準条件より低いことを示した。
図９乃至図１１を参照すると、ポリイミドに特定範囲以内のパワーを有するレーザ光が照射された場合に物理的に加工されてないが、５％以内で結晶化度が変形されないことができる。
図１２は本発明の他の実施形態による表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図１３は本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための表示モジュールの平面図であって、図１４は図１３のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
図１２を参照すると、ステップＳ１１は図１及び図２を参照して説明したステップＳ１０と実質的に同じであるため具体的な説明を省略する。
図１２乃至図１４を参照すると、ステップＳ２１は第１領域ＧＲＡの第１境界ＥＧ１にそってレーザ光ＬＺ１１を照射するステップ、第１境界ＥＧ１に平行な仮想線ＡＧ１、ＡＧ２に沿って第１領域ＧＲＡ内に少なくとも一回以上のレーザ光ＬＺ１２、ＬＺ１３を照射するステップ、及び第１領域ＧＲＡの第２境界ＥＧ２にそってレーザ光ＬＺ１４を照射するステップを含めることができる。
図１３及び図１４において、第１領域ＧＲＡ内に２個の仮想線ＡＧ１、ＡＧ２に沿ってレーザ光ＬＺ１２、ＬＺ１３を照射することに示しているが、これに制限するものではなく、３個以上の仮想線に沿ってレーザ光が照射されることができる。
ステップＳ２１においてベース基板１１０に伝達されるレーザ光ＬＺ１１、ＬＺ１２、ＬＺ１３、ＬＺ１４各々のパワーは１Ｗ以下であってもよい。
ステップＳ２１が行った後、第１フィルム２００及び粘着層４００には第１領域ＧＲＡの第１境界ＥＧ１に重畳する第１溝Ｇ１１が形成され、第１仮想線ＡＧ１に重畳する第２溝Ｇ１２が形成され、第１仮想線ＡＧ２に重畳する第３溝Ｇ１３が形成され、第１領域ＧＲＡの第２境界ＥＧ２に重畳する第４溝Ｇ１４が形成される。
第１溝から第４溝Ｇ１１〜Ｇ１４は上部方向ＤＲ３に行くほど小さくなる幅を有する形状を有することができる。
図１２乃至図１４を参照して説明した表示装置の製造方法は、図１を参照して説明した表示装置の製造方法と比べて、第１領域ＧＲＡ何に配置された第１フィルム２００の一部及び粘着層４００の一部を除去しない。
図１３及び図１４に図示された表示モジュール１００１において第１及び第２モジュールＧ１１、Ｇ１２の間に第１フィルム２００の第１部分２０１と粘着層４００の第１部分４０１が配置されることができる。また、第２及び第３溝Ｇ１２、Ｇ１３の間に第１フィルム２００の第２部分２０２と粘着層４００の第２部分４０２が配置されることができる。第３及び第４溝Ｇ１３、Ｇ１４の間に第１フィルム２００の第３部分２０３と粘着層４００の第３部分４０３が配置されることができる。
第２溝Ｇ１２により第１フィルム２００の第１部分２０１と粘着層４００の第１部分４０１は第１フィルム２００の第２部分２０２と粘着層４００の第２部分４０３と分離されることができる。第３溝Ｇ１３によって第１フィルム２００の第２部分２０２と粘着層４００の第２部分４０２は第１フィルム２００の第３部分２０３と粘着層４００の第３部分４０３と分離されることができる。
図１２乃至図１４を参照して説明して表示装置の製造方法によると、第１領域ＧＲＡ内に配置された第１フィルム２００の一部、粘着層４００の一部を除去しなくても複数の溝Ｇ１１〜Ｇ１４を形成して表示モジュール１００１は第１領域ＧＲＡ内において容易にベンディングされることができる。
ただし、図１２の表示装置の製造方法による構造が図１４の構造に限定されるものではない。ステップＳ２１において、第１領域ＧＲＡ内に３個以上の仮想線に沿ってレーザ光を照射することによって、第１領域ＧＲＡ内に配置された第１フィルム２００の一部及び粘着層４００の一部をすべて除去することができる。即ち、第１領域ＧＲＡ内に第１フィルム２００及び粘着層４００に重畳する多数の溝を形成することによって、実際的に第１領域ＧＲ内に配置された第１フィルム２００の一部及び粘着層４００の一部を別途の工程を介して外す必要なしに十分に除去することができる。
図１５は本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す斜視図であって、図１６は図１５の有機発光表示装置を示す平面図であり、図１７は図１６のＩＩ−ＩＩ’線による断面図で、図１８は有機発光表示装置がベンディングされた状態において図１６のＩＩ−ＩＩ’線による断面図である。
図１５乃至図１８を参照すると、有機発光表示装置ＤＰは表示モジュール１０００、フレキブルプリント回路基板ＦＰＣ、及びプリント回路基板ＰＣＢを含めることができる。
フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣはフレキシブル配線基板１２２及び駆動回路チップ１２５を含む。駆動回路チップ１２５はフレキシブル配線基板１２２の配線に電気的に接続される。
フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣが駆動回路チップ１２５を含める場合、表示パネル１００のパッド領域（図示せず）にはデータ配線に電気的に接続されるデータパッド及び制御信号の配線と電気的に接続される制御信号のパッドが配置されることができる。データ配線は画素内に配置されたトランジスタに接続され、制御信号の配線はスキャン駆動回路に接続されることができる。本実施形態において、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣはチップオンフィルム（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）構造を有することに示しているが、これに制限されるものではない。他の実施形態において、駆動回路チップは表示パネル１００の非表示領域ＮＡに実装され、フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣはフレキシブル配線基板からなり得る。
プリント回路基板ＰＣＢはフレキシブル配線基板１２２を介して表示パネル１００に電気的に接続され、駆動回路チップ１２５と信号を送受信することができる。プリント回路基板ＰＣＢは表示パネル１００又はフレキシブルプリント回路基板ＦＰＣで映像データ、制御信号、電源電圧などを提供することができる。プリント回路基板ＰＣＢは能動素子及び受動素子を含めることができる。プリント回路基板ＰＣＢはフレキシブルプリント回路基板ＦＰＣに接続されるパッド部（図示せず）を含めることができる。
表示モジュール１０００は上部方向ＤＲ３に映像を表示する。
表示モジュール１０００は本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を使用して形成された構造を有する。以下、表示モジュール１０００に対して具体的に説明し、説明されていない内容は図１乃至図８を参照して説明した内容に従う。
表示モジュール１０００は第１方向ＤＲ１に延長された基準軸ＡＸを中心に曲げることができる。基準軸ＡＸは表示モジュール１０００の下部に設定されることができる。表示モジュール１０００は溝ＧＲにより分離された第１フィルム２００の二つの部分が互いに近づくように曲げることができる。
表示モジュール１０００は第１領域ＧＲＡ内で曲げることができる。表示モジュール１０００に曲げられたベンディング領域ＢＡを設けることができる。ベンディング領域ＢＡ以外の領域で表示モジュール１０００は平坦にすることができる。ベンディング領域ＢＡは第１領域ＧＲＡより小さい幅を有していてもよい。
粘着層４００及び第１フィルム２００は曲げられた場合、復元力を有し、表示モジュール１０００は厚さが厚くなるほど曲げられた状態を維持することにより大きい力を要するので、ベンディング領域ＢＡ内に粘着層４００及び第１フィルム２００を除去するほうが表示モジュール１０００を曲げることに有利である。本発明の一実施形態に係る表示装置によると、第１フィルム２００及び粘着層４００にベンディング領域ＢＡに重畳する溝ＧＲが提供されることによって、表示モジュール１０００はベンディング領域ＢＡにおいて容易に曲げることができ、より小さい曲率半径を有することができる。
図１９及び図２０は本発明の一実施形態に係る表示モジュールを示す断面図である。
表示モジュール１００２は表示パネル１００、第１フィルム２００、第２フィルム３００、及び粘着層４００を含めることができる。第１フィルム２００には第１領域ＧＲＡと重畳するフィルム溝ＧＲ１が提供されることができる。粘着層４００には第１領域ＧＲＡと重畳する粘着溝ＧＲ２が提供されることができる。
ベース基板１１０は第１部分１１１、第２部分１１２、第３部分１１３に分けることができる。第１部分１１１はフィルム溝ＧＲ１及び粘着溝ＧＲ２によって露出され、粘着溝ＧＲ２の内面４０１に連結されることができる。第２部分１１２は第１フィルム２００及び粘着層４００と重畳することができる。第３部分１１３はフィルム溝ＧＲ１及び粘着溝ＧＲ２によって露出され、第１部分１１１によって第２部分１１２から離隔され得る。
第１部分１１１は図１及び図７を参照して説明したステップＳ２０においてレーザ光ＬＺ１、ＬＺ２が照射されたベース基板１１０の一部であってもよい。第２部分１１２及び第３部分１１３は図１及び図７を参照して説明したステップＳ２０においてレーザ光ＬＺ１、ＬＺ２が照射されてないベース基板１１０の一部であってもよい。
ベース基板１１０の第１部分１１１はベース基板１１０の第２部分１１２及び第３部分１１３の各々に対して５％以内の結晶化度の違いを有することができる。具体的に、ベース基板１１０の第１部分１１１はベース基板１１０の第２部分１１２及び第３部分１１３各々に対して５％以内でより小さい結晶化度を有する。第２部分１１２及び第３部分１１３は互いに同じ結晶化度を有することができる。
フィルム溝ＧＲ１が設けられる第１フィルム２００の内面２０１及び粘着溝ＧＲ２が設けられる粘着層４００の内面４０１は互いに連結されることができる。図１９において第１フィルム２００の内面２０１と粘着層４００の内面４０１は直線形状を有することを示しているが、これに制限されるものではなく、屈曲された形状を有することができる。
第１フィルム２００の内面２０１と粘着層４００の内面４０１各々とベース基板１１０の第２部分１１２の下面がなす角度θは鋭角であってもよい。図１及び図７を参照して説明したステップＳ２０が上部方向ＤＲ３にレーザ光を照射して行われるためである。
表示モジュール１００２はフィルム溝ＧＲ１と接する第１フィルム２００の下面に配置されたバリＢＲを含めることができる。バリＢＲはステップＳ２０を介して形成されることができる。
図２０に示された表示モジュール１００３によると、ベース基板１１０の第１部分１１１の下面の表面粗さはベース基板１１０の第３部分１１３の下面の表面粗さより小さいことができる。
第１部分１１１の下面は図１及び図７を参照して説明したステップＳ２０から形成され、第３部分１１３の下面は図１及び図８を参照して説明したステップＳ３０から形成される。ステップＳ３０において、粘着層４００をベース基板１１０から取りながらベース基板１１０の第３部分１１３の下面の表面粗さが増加し得る。
図２１は本発明の他の実施形態に係る表示モジュールを示した平面図であって、図２２は図２１の表示モジュールがベンディングされた状態を示した平面図である。
図２１を参照すると、表示モジュール１００４に表示領域ＤＡと非表示領域ＮＡが定義されることができる。非表示領域ＮＡは表示領域ＤＡを囲むことができる。非表示領域ＮＡには第１領域から第４領域ＧＲＡ１〜ＧＲＡ４が定義されることができる。
表示モジュール１００４の層構造は、図１４、図１９、図２０を参照して説明した表示モジュール１００１〜１００３のうち、ある一つと実質的に同じであることができる。
第１領域から第４領域ＧＲＡ１〜ＧＲＡ４に、図１のステップＳ２０及びＳ３０が行えることができる。よって、表示モジュール１００４は第１領域から第４領域ＧＲＡ１〜ＧＲＡ４から第１フィルム２００及び粘着層４００が除去された形状を有することができる。
表示モジュール１００４に第１切開線から第４切開線ＣＬ１〜ＣＬ４が提供される。第１切開線から第４切開線ＣＬ１〜ＣＬ４に従って表示モジュール１００４は切断され得る。
図２１及び図２２を参照すると、表示モジュール１００４は第１領域及び第２領域ＧＲＡ１、ＧＲＡ２各々内で第１方向ＤＲ１に延長された線を基準としてベンディングされることができる。また、表示モジュール１００４は第３及び第４領域ＧＲＡ３、ＧＲＡ４各々の内で第２方向ＤＲに延長された線を基準としてベンディングされることができる。
図２１及び図２２には表示モジュール１００４の４辺によって定義された第１領域から第４領域ＧＲＡ１〜ＧＲＡ４で第１フィルム２００及び粘着層４００が除去され、表示モジュール１００４が４辺によってベンディングされることを例示的に説明したが、これに制限されるものではない。他の実施形態において、表示モジュールの２又は３辺に従って第１フィルム及び粘着層が除去され、表示モジュールが２又は３辺に従ってベンディングされることができる。
図２３は本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置を示した斜視図で、図２４は図２３の有機発光表示装置を示した平面図であって、図２５は図２４のＩＩＩ−ＩＩＩ’線による断面図であり、図２６は有機発光表示装置がベンディングされた状態において図２４のＩＩＩ−ＩＩＩ’線による断面図である。
図２３乃至図２６に示した有機発光表示装置ＤＰ１は図１５乃至図１８を参照して説明した有機発光表示装置ＤＰと比較して第１領域の位置、すなわち溝が提供され位置が相違する。
有機発光表示装置ＤＰ１は表示モジュール１１００を含む。表示モジュール１１００には表示領域ＤＡと非表示領域ＮＡが定義されることができる。表示モジュール１１００には第１領域ＧＲＲが定義されることができる。
第１領域ＧＲＲは表示モジュールＤＡと重畳することができる。第１領域ＧＲＲは表示領域ＤＡを横切るように定義されることができる。第１領域ＧＲＲに重畳する粘着層４００及び第１フィルム２００は除去されることができる。即ち、第１フィルム２００及び粘着層４００に第１領域ＧＲＲに重畳する溝ＧＲＡＸが提供されることができる。
表示モジュール１１００は第１方向ＤＲ１に延長された基準軸ＡＸ１を中心に曲げることができる。基準軸ＡＸ１は表示モジュール１１００の下部に設定されることができる。表示モジュール１１００は溝ＧＲＸによって分離された第１フィルム２００の二つの部分が互いに近づくように曲げることができる。
表示モジュール１１００は第１領域ＧＲＲ内で曲げることができる。表示モジュール１１００に曲げられたベンディング領域ＢＡ１が定義されることができる。ベンディング領域ＢＡ１以外の領域で表示モジュール１１００は平坦にさせることができる。ベンディング領域ＢＡ１は第１領域ＧＲＲより小さい幅を有することができる。第１フィルム２００及び粘着層４００にベンディング領域ＢＡ１重畳する溝ＧＲＸが提供されることによって、表示モジュール１１００はベンディング領域ＢＡ１でより小さい曲率半径を有することができる。
一方、本発明は記載された実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想及び範囲を逸脱することなく、多様に修正および変形ができることはこの技術分野で通常の知識持つ者には自明である。よって、その変形例または修正例は本発明の特許請求範囲に属するといえる。
１００：表示パネル
１１０：ベース基板
１２０：駆動素子層
１３０：有機発光素子層
１４０：封止層
２００：第１フィルム
３００：第２フィルム
４００：粘着層

Claims (10)

  1. 互いに対向する下面と上面が定義された表示パネルと、
    前記表示パネルの前記下面の下部に配置され、フィルム溝が配置された第１フィルムと、
    前記表示パネルの前記上面に配置された第２フィルムと、
    前記表示パネルの前記下面と前記第１フィルムの間に配置され、前記フィルム溝と重畳する粘着溝が配置された粘着層を含み、
    前記表示パネルは、前記下面に配置されたポリイミドを含むベース基板を含み、
    前記フィルム溝及び前記粘着溝により露出された前記ベース基板の第１部分と、前記第１フィルム及び前記粘着層と重畳する前記ベース基板の第２部分と、は互いに５％以内の結晶化度の違いを有する、表示装置。
  2. 前記第１部分は、前記第２部分に対してより低い結晶化度を有する請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記ベース基板の前記第１部分は前記粘着溝の内面に連結され、
    前記第１部分は、前記フィルム溝及び前記粘着溝により露出されて前記第１部分によって前記第２部分から離隔された第３部分に対して５％以内でより小さい結晶化度を有する請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第２部分と前記第３部分とは、互いに同じ結晶化度を有する請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記第１部分の下面の表面粗さは、前記第３部分の下面の表面粗さより小さい請求項３に記載の表示装置。
  6. 前記フィルム溝を提供する前記第１フィルムの内面及び前記粘着溝を提供する前記粘着層の内面各々と前記ベース基板の前記第２部分がなす角度は鋭角である請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記フィルム溝に接する前記第１フィルムの下面に提供されたバリ（Ｂｕｒｒ）をさらに含む請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記表示パネルに映像を表示する表示領域と前記表示領域に隣接した非表示領域が定義され、前記フィルム溝及び前記粘着溝は前記非表示領域内に提供された請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記表示パネルに映像を表示する表示領域と、前記表示領域に隣接した非表示領域が定義され、平面上で前記フィルム溝及び前記粘着溝は、前記表示領域を横切るように配置された請求項１に記載の表示装置。
  10. 互いに対向する下面と上面を有し、第１領域が定められた表示パネルと、
    前記表示パネルの前記下面の下部に配置され、前記第１領域と重畳する第１溝が提供された第１フィルムと、
    前記表示パネルの前記上面上に配置された第２フィルムと、
    前記表示パネルの前記下面と前記第１フィルムの間に配置され、前記第１領域と重畳する第２溝が提供された粘着層を含み、
    前記表示パネルは前記下面を提供してポリイミドを含むベース基板を含み、
    前記第１領域内で前記第１フィルム及び前記粘着層に前記ベース基板を露出する複数の溝が提供され、
    前記第１領域内で前記溝により前記第１フィルムの第１一部及び前記粘着層の第１部分は前記第１フィルムの第２部分と、前記粘着層の第２部分とに分離される表示装置。
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