TW201800810A - 顯示裝置 - Google Patents

顯示裝置

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TW201800810A TW106119338A TW106119338A TW201800810A TW 201800810 A TW201800810 A TW 201800810A TW 106119338 A TW106119338 A TW 106119338A TW 106119338 A TW106119338 A TW 106119338A TW 201800810 A TW201800810 A TW 201800810A
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成泰鉉
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Abstract

本發明提供一種顯示裝置，其包括：包括下表面和與下表面相對的上表面之顯示面板；位於顯示面板的下表面下方，並且包括定義在其中的薄膜槽之第一薄膜；在顯示面板的上表面上方之第二薄膜；以及位於顯示面板的下表面及第一薄膜之間，並包括定義於其中以與薄膜槽重疊的黏合槽之黏合層。此外，顯示面板包括定義下表面的基底基板，且基底基板的第一部分由薄膜槽露出。此外，由薄膜槽和黏合槽所暴露的基底基板的第一部分的結晶度與跟第一薄膜和黏合層重疊的基底基板的第二部分的結晶度差約為5%。

Description

顯示裝置
相關申請案的交互參照
本申請案主張於2011年6月10日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2016-0072734的優先權和權益，其全部內容於此併入作為參考。
本公開關於一種顯示裝置。更具體地說，本公開關於一種有機發光顯示裝置和製造有機發光顯示裝置的方法。
一種有機發光顯示裝置包括複數個像素。每個像素包括有機發光二極體和控制有機發光二極體的電路部分。電路部分至少包括控制電晶體、驅動電晶體和存儲電容器。
有機發光二極體包括陽極、陰極和設置在陽極和陰極之間的有機發光層。當在陽極和陰極之間施加大於有機發光層的閾值電壓的電壓時，有機發光二極體發光。
根據一個態樣，本公開提供一種顯示裝置，其包括藉由在第一薄膜和黏合層中設置與彎曲區域重疊的溝槽而容易在彎曲區域彎曲並具有小的曲率半徑之顯示模組。
根據另一個態樣，本公開提供一種製造顯示裝置的方法，其中可以選擇性地去除第一薄膜和黏合層而不損壞基底基板。
根據本發明構思的一個或多個實施例的一種製造顯示裝置的方法，其包括：形成包括其中定義有第一區域的顯示模組，顯示模組包括包含下表面和與下表面相對的上表面之顯示面板、位於顯示面板的下表面下方之第一薄膜、位於顯示面板的上表面上方之第二薄膜以及位於顯示面板的下表面和第一薄膜之間之黏合層；以及從顯示面板的下表面延伸到顯示面板的上表面的上方向照射雷射束，以沿著第一區域的至少一個邊緣切割第一薄膜和黏合層。
在一個實施例中，提供至顯示面板以用於切割第一薄膜和黏合層的雷射束具有等於或小於約1W的雷射功率。
在一個實施例中，雷射束是CO2 雷射束或UV雷射束。
在一個實施例中，CO2 雷射束具有約9.1μm至約10.7μm的波長，而UV雷射束具有等於或小於約360nm的波長。
在一個實施例中，當在平面圖中觀察時，第一區域在第一方向上跨越顯示模組。照射雷射束以切割第一薄膜和黏合層的步驟包括：將雷射束照射到在第一方向上延伸的第一區域的至少一個邊緣中的第一邊緣，以及將雷射束照射到在第一方向上延伸並與第一區域的第一邊緣隔開的第一區域的至少一個邊緣中的第二邊緣。
在一個實施例中，此方法還包括在定義在第一區域並於第一方向延伸的參考軸的周圍彎曲顯示模組。
在一個實施例中，此方法還包括將另一雷射束照射到第一邊緣和第二邊緣之間的第一區域，以切割第一薄膜和黏合層。
在一個實施例中，當照射雷射束以切割第一薄膜和黏合層時，顯示面板的下表面的形狀不變形。
在一個實施例中，顯示面板包括定義下表面並包括聚醯亞胺的基底基板。在一個實施例中，第一薄膜包括聚對苯二甲酸乙二醇酯。
在一個實施例中，顯示面板的基底基板的下表面的第一部分藉由照射切割第一薄膜和黏合層的雷射束來暴露，並且第一部分可以是平坦的。
在一個實施例中，此方法還包括去除位於第一區域中的第一薄膜的一部分和黏合層的一部分。
根據本發明構思的一個或多個實施例，顯示裝置包括顯示面板、第一薄膜、第二薄膜和黏合層。顯示面板包括下表面和與下表面相對的上表面。第一薄膜在顯示面板的下表面下方，並且包括定義在其中的薄膜槽。第二薄膜位於顯示面板的上表面。黏合層位於顯示面板的下表面和第一薄膜之間，並且包括定義在其中並與第一區域重疊的黏合槽。
在一個實施例中，顯示面板包括提供下表面並包括聚醯亞胺的基底基板。
在一個實施例中，基底基板的第一部分由薄膜槽和黏合槽暴露，且與第一薄膜和黏合層重疊的基底基板的第二部分具有約5%的結晶度差異。
在一個實施例中，第二部分具有大於第一部分的結晶度的結晶度。
在一個實施例中，基底基板的第一部分連接到黏合槽的內表面。
在一個實施例中，第一部分的結晶度比藉由薄膜槽和黏合槽暴露且藉由第一部分與第二部分間隔開的第三部分的結晶度小約5%。
在一個實施例中，第二部分具有與第三部分相同的結晶度。
在一個實施例中，第三部分的下表面的表面粗糙度大於第一部分的下表面的表面粗糙度。
在一個實施例中，基底基板的第二部分與提供薄膜槽的第一薄膜的內表面和提供黏合槽的黏合層的內表面的每一個之間的角度是銳角。
在一個實施例中，顯示裝置還包括在與薄膜槽相鄰的第一薄膜的下表面上的毛邊(burr)。
在一個實施例中，顯示面板包括用於顯示影像的顯示區域和與顯示區域相鄰的非顯示區域，並且薄膜槽和黏合槽位在非顯示區域中。
在一個實施例中，顯示面板包括顯示影像的顯示區域和與顯示區域相鄰的非顯示區域，並且當在平面圖中觀察時，薄膜槽和黏合槽跨過顯示區域。
在一個實施例中，薄膜槽和黏合槽在第一方向上跨過顯示面板，並且顯示裝置在與薄膜槽和黏合槽重疊並在第一方向上延伸的參考軸的周圍彎曲。
在一個實施例中，第一薄膜包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。第二薄膜包括的偏光板。
根據本發明構思的一個或多個實施例，顯示裝置包括顯示面板、第一薄膜、第二薄膜和黏合層。顯示面板包括定義在其中的第一區域，並且包括下表面和與下表面相對的上表面。第一薄膜位在顯示面板的下表面下。第二薄膜位於顯示面板的上表面上。黏合層位於顯示面板的下表面和第一薄膜之間。顯示面板包括定義顯示面板的下表面的基底基板，複數個溝槽定義在第一區域的第一薄膜及黏合層中，以暴露基底基板，並且第一薄膜的第一部分和黏合層的第一部分藉由第一區域中的複數個溝槽的一溝槽與第一薄膜的第二部分及黏合層的第二部分分離。
在一個實施例中，基底基板包括聚醯亞胺。
在一個實施例中，複數個溝槽包括沿著第一區域的第一邊緣在第一方向延伸的第一槽、沿著與第一邊緣間隔開的第一區域的第二邊緣在第一方向延伸的第二槽以及在第一邊緣與第二邊緣之間且在第一方向延伸的至少一個第三槽。
在一個實施例中，第一區域於定義在第一區域中並在第一方向延伸的參考軸的周圍彎曲。
根據一個態樣，溝槽提供在第一薄膜和黏合層，以與彎曲區域重疊，因此顯示模組可以在彎曲區域中容易地彎曲，並且顯示模組的曲率半徑可變小。
根據顯示裝置的製造方法，可以選擇性地去除第一薄膜和黏合層而不損壞基底基板。
提供了參考附圖的以下描述，以幫助全面了解由申請專利範圍及其等效物所定義的本公開的各種實施例。其包括各種具體細節來幫助理解，但這些細節將僅視為例示性。因此，所屬領域中具有通常知識者將認識到，在不脫離本公開的範圍和精神的情況下，可以對本文所述的各種實施例進行各種改變和修改。
應當理解，當元件或層被稱為「在其上(on)」、「連接到(connected to)」或「耦合到(coupled to)」另一元件或層時，其可以直接在另一元件或層上，或連接或耦合至另一元件或層，或者可以存在中間的元件或層。相反，當元件被稱為「直接在其上(directly on) 」、「直接連接到(directly connected to) 」或「直接耦合到(directly coupled to) 」另一個元件或層時，不存在中間元件或層。
以下，參照附圖對本發明進行更詳細的說明。
第1圖是示出根據本公開的例示性實施例的顯示裝置的製造方法的流程圖；第2圖是示出根據本公開的例示性實施例的母基板的平面圖；第3圖是示出第2圖的顯示模組的平面圖；以及第4圖、第7圖和第8圖是沿著第3圖的I-I'線截取的截面圖。
參考第1圖和第2圖，形成包括顯示模組1000的母基板2000(S10)。
母基板2000包括複數個顯示模組1000和虛擬部分DM(dummy part)。顯示模組1000使用一個基板形成。
在第2圖中，示出了包括六個顯示模組1000的母基板2000，但是顯示模組1000的數量不限於六個。也就是說，包含在一個母基板2000中的顯示模組1000的數量可以大於或小於六個。
顯示模組1000和虛擬部分DM可以是可撓性的。因此，母基板2000可以是可撓性的。
每個顯示模組1000可以回應於施加到其上的信號來顯示影像。顯示模組1000中的每一個可以包括各種類型的顯示面板中的任一種，但在下文中將描述包括有機發光顯示面板的顯示模組1000。
虛擬部分DM可以設置在顯示模組1000之間。虛擬部分DM可以設置成與每個顯示模組1000的邊緣相鄰，以圍繞顯示模組1000。顯示裝置的製造製程最終可以去除虛擬部分DM。
在下文中，顯示模組1000的兩個相鄰側面的延伸方向分別被稱為第一方向DR1和第二方向DR2。在第2圖中，第一方向DR1對應於顯示模組1000的短邊延伸的方向，且第二方向DR2對應於顯示模組1000的長邊延伸的方向。然而，根據實施例，可以相對於彼此改變第一方向DR1和第二方向DR2。
參考第3圖，當在平面圖中觀察時，顯示模組1000包括顯示區域DA和定義在其中的非顯示區域NA。影像透過顯示區域DA顯示，並且不透過非顯示區域NA顯示。非顯示區域NA鄰近於顯示區域DA設置。
在第3圖中，非顯示區域NA鄰近顯示區域DA的一側設置。在一個實施例中，顯示區域DA和非顯示區域NA在第二方向DR2上彼此相鄰設置，但不限於此。也就是說，非顯示區域可以進一步定義成與顯示區域DA的其他三個側面中的一個或複數個相鄰。
可以在非顯示區域NA中定義焊墊區域PDA。焊墊區域PDA連接到可撓性印刷電路板(未示出)，並且顯示模組1000透過焊墊區域PDA接收用來驅動自身所需的信號。
可以在非顯示區域NA中進一步定義第一區域GRA。第一區域GRA可以被定義在焊墊區域PDA和顯示區域DA之間，並且與焊墊區域PDA和顯示區域DA間隔開。第一區域GRA可以對應於根據本公開的有機發光顯示裝置製造完成時定義溝槽的區域。
在平面圖中觀察時，第一區域GRA在第一方向DR1穿過顯示模組1000。第一區域GRA的第一邊緣EG1和第二邊緣EG2在第一方向DR1上延伸並且彼此間隔開。
參考第4圖，顯示模組1000包括顯示面板100、第一薄膜200、第二薄膜300和黏合層400。
顯示面板100包括下表面101和上表面102。在下文中，與顯示面板100的下表面101或上表面102實質上垂直並且從顯示面板100的下表面101朝向上表面102延伸的方向被稱為上方向(upper direction)DR3。
第一薄膜200被設置在顯示面板100的下表面101下方。第二薄膜300設置在顯示面板100的上表面102的上方。黏合層400設置在顯示面板100的下表面101和第一薄膜200之間。
第一薄膜200可以保護顯示面板100。第一薄膜200可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚碸(PSul)、聚乙烯(PE)、聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide，PPA)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚芳酯(polyarylate，PAR)、聚碳酸酯氧化物(polycarbonate oxide，PCO)或改性聚伸苯氧化物(modified polythenylene oxide，MPPO)。在本例示性實施例中，第一薄膜200可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)作為代表性實施例。
第二薄膜300可以包括偏光板(polarizing plate)。偏光板可以阻擋入射到其上的外部光。偏光板可以包括線性偏光層(linear plarizing layer)和λ/4阻滯層(retardation layer)。在進一步的細節中，線性偏光層可以設置在λ/4阻滯層上。依次穿過線性偏光層和λ/4阻滯層的外部光可以被偏光板的下部(例如，顯示面板100的陰極)反射，並且反射的外部光可因反射的外部光在穿過λ/4阻滯層之後不穿過線性偏光層而消散(extinct)。
黏合層400將顯示面板100黏合至第一薄膜200。黏合層400可以包括氨基甲酸乙酯類材料(urethane-based material)、丙烯酸類材料(acrylic-based material)或矽類材料。黏合層400可以是壓敏黏合層(pressure-sensitive adhesive layer)。
第5圖是示出顯示面板100的層疊結構的截面圖；以及第6圖是示出對應於一個像素區域的顯示面板100的一部分的截面圖。如第6圖所示，一個像素設置在一個像素區域PA中。
參考第5圖和第6圖，顯示面板100包括基底基板110、驅動層120、有機發光元件層130和密封層140。
基底基板110提供了顯示面板100的下表面101。基底基板110可以是但不限於可撓性基板，並且可以包括具有優異的耐熱性和耐久性的塑料材料，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚芳酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醚碸(PES)、聚醯亞胺(PI)等。基底基板110可以包括聚醯亞胺作為代表性實施例。
驅動層120包括用來施加信號到有機發光元件層130的裝置。驅動層120包括各種信號線，例如掃描線(未示出)、數據線(未示出)、電源線(未示出)、發光線(未示出)等。驅動層120包括複數個電晶體和電容器。電晶體包括設置在每一個像素(未示出)中的開關電晶體(未示出)和驅動電晶體Qd。
第6圖示出了作為代表性實施例的驅動層120的驅動電晶體Qd。驅動電晶體Qd包括主動層211、閘極電極213、源極電極215和汲極電極217。
主動層211設置在基底基板110上。驅動層120還包括設置在主動層211和閘極電極213之間的第一絕緣層221。第一絕緣層221將主動層211與閘極電極213絕緣。源極電極215和汲極電極217設置在閘極電極213上。驅動層120還包括設置在閘極電極213和源極電極215之間以及閘極電極213和汲極電極217之間的第二絕緣層223。源極電極215和汲極電極217分別透過形成穿過第一絕緣層221和第二絕緣層223的接觸孔CH1和CH2連接到主動層211。
驅動層120還包括設置在源極電極215和汲極電極217上的保護層230。
本公開不限於第6圖所示的驅動電晶體Qd的結構，且主動層211、閘極電極213、源極電極215和汲極電極217的位置可以以各種方式改變。例如，如第6圖所示，閘極電極213設置在主動層211上，但是根據實施例，閘極電極213可以設置在主動層211的下方。
雖然第6圖中未示出開關電晶體的結構，但是開關電晶體(未示出)可以具有與驅動電晶體Qd實質上相同的結構。然而，開關電晶體可以具有與根據本實施例的驅動電晶體Qd不同的結構。例如，開關電晶體(未示出)的主動層(未示出)可以設置在與設置有驅動電晶體Qd的主動層211的層不同的層上。
有機發光元件層130可以包括有機發光二極體LD。在本例示性實施例中，有機發光二極體LD可以是前表面發光型有機發光二極體LD，因此有機發光二極體LD可向上方向DR3發光。
有機發光二極體LD包括第一電極AE、有機層OL和第二電極CE。
第一電極AE被設置在保護層230上。第一電極AE透過形成在保護層230上的接觸孔CH3連接到汲極電極217。
第一電極AE可以是像素電極或正極。第一電極AE可以是半透射電極或反射電極。在第一電極AE是半透射電極或反射電極的情況下，第一電極AE可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其混合物。
第一電極AE具有金屬氧化物或金屬的單層結構，或者具有由複數個單層形成的多層結構。例如，第一電極AE可以具有ITO、Ag或金屬混合物，例如Ag和Mg的混合物的單層結構、ITO/Mg或ITO/MgF的雙層結構，或者ITO/Ag/ITO的三層結構，但不限於此。
有機層OL可以包括含有低分子量或高分子量有機材料的有機發光層。有機發光層可以發光。除了有機發光層之外，有機層OL還可以選擇性地包括電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層和電子注入層。
將電洞和電子從第一電極AE和第二電極CE注入到有機層OL的有機發光層中，並且電洞與電子在有機發光層中再結合，以產生激子(exciton)。當從激發態回到基態時，激子釋放出能量作為光。
第二電極CE設置在有機層OL上。第二電極CE可以是共用電極或負極。第二電極CE可以是透射電極或半透射電極。在第二電極CE是透射電極或半透射電極的情況下，第二電極CE可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag、其化合物或其混合物，例如Ag和Mg的混合物。
第二電極CE可以包括輔助電極。輔助電極可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化鋅(ITZO)、Mo、Ti、Ag等。
有機發光元件層130還可以包括設置在保護層230上的像素定義層PDL。像素定義層PDL可以被設置為在平面圖中觀察時與像素區域PA的邊界重疊。
密封層140設置在有機發光元件層130的上方。密封層140提供在顯示面板100的上表面102。密封層140為有機發光元件層130阻擋外部濕氣和氧氣。密封層140包括密封基板141和密封元件(未示出)。密封元件(未示出)沿密封基板141的邊緣設置，並與密封基板141一起密封有機發光二極體LD。由密封基板141和密封元件(未示出)定義的內部空間143保持在真空狀態。然而，內部空間143可以填充氮(N2 )或填充絕緣材料的填充元件。
與第6圖所示的顯示面板100不同，密封層140可以具有有機層和無機層多次堆疊的結構。
參考第1圖、第3圖、第4圖和第7圖，沿著第一區域GRA的邊緣切割第一薄膜200和黏合層400(S20)。
在切割第一薄膜200和黏合層400時(S20)，從顯示模組1000的下側往上方向DR3照射雷射束，以切割第一薄膜200和黏合層400。
可以使用具有高能量效率的CO2 雷射源或UV雷射源照射雷射束。在一個實施例中，從CO2 雷射源發射的雷射束具有約9.1μm至約10.7μm的波長。在一個實施例中，從UV雷射源發射的雷射束具有等於或小於約360nm的波長。
切割第一薄膜200和黏合層400(S20)可以包括沿著第一區域GRA的第一邊緣EG1照射雷射束LZ1並且沿著第一區域GRA的第二邊緣EG2照射雷射束LZ2。
在切割第一薄膜200和黏合層400之後(S20)，在第一薄膜200和黏合層400中形成第一槽G1，以與第一區域GRA的第一邊緣EG1重疊，並且在第一薄膜200和黏合層400中形成第二槽G2，以與第一區域GRA的第二邊緣EG2重疊。
第一槽G1和第二槽G2中的每一個可以具有寬度沿著上方向DR3向上逐漸減小的形狀，並且第一槽G1的內表面GS1和第二槽G2的內表面GS2可以是斜面。
由於在第一薄膜200和黏合層400的切割中照射雷射束LZ1和LZ2(S20)，所以在與第一槽G1和第二槽G2相鄰的第一薄膜200的下表面上形成有毛邊BR。毛邊BR可以由第一薄膜200被雷射束LZ1和LZ2的熱能熔化的部分形成。
在切割第一薄膜200和黏合層400(S20)，每個雷射束LZ1和LZ2的功率可以等於或小於約1W。當每個雷射束LZ1和LZ2的功率等於或小於約1W時，顯示面板100的下表面101可以不被損壞，並且顯示面板100的下表面101的形狀可不變形。
由於形成第一槽G1和第二槽G2，所以基底基板110的下表面101的第一部分11被暴露。此外，由於基底基板110的下表面101的第一部分11不因照射的雷射束而物理性損壞，所以基底基板110的下表面101的第一部分11可以是平的。位於第一槽G1和第二槽G2之間的基底基板110的下表面101的第二部分12可以是平坦的。
第一邊緣EG1和第二邊緣EG2可以定義在基底基板110的下表面101的第一部分11中。
儘管在附圖中未示出，但是在第一薄膜200和黏合層400的切割之前或之後(S20)，設置在第一區域GRA中的黏合層400的黏合力可能變弱。藉由向第一區域GRA照射紫外線，可以使設置在第一區域GRA中的黏合層400的黏合力變弱。
參考第1圖、第4圖和第8圖，去除設置在第一區域GRA中的第一薄膜200和黏合層400的部分(S30)。
由於去除第一薄膜200的部分和黏合層400的部分(S30)，所以形成溝槽GR。透過溝槽GR露出的基底基板110的下表面101的第三部分13的面積可以大於第一區域GRA的面積。
根據本例示性實施例的顯示裝置的製造方法，在顯示面板100的整個表面上形成黏合層400和第一薄膜200，然後設置在目標區域中的黏合層400的一部分和第一薄膜200的一部分可以容易地去除。與將與目標區域對應的部分移除的第一薄膜附加到顯示面板100的製造方法相比，根據本例示性實施例的顯示裝置的製造方法可以簡化製造製程並且可以降低製造成本。
第9圖是示出用超過約1W的雷射束照射的實驗對象的照片；且第10圖是示出用等於或小於約1W的雷射束照射的實驗對象的照片。第9圖和第10圖是實驗對象的平面圖。
在第9圖和第10圖中，實驗對象被構成為包括包含聚醯亞胺(PI)的第一元件30和包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的第二元件40。雷射束沿水平方向DRH照射到雷射照射區域LRA。
參考第9圖，第一元件30和第二元件40在雷射照射區域LRA中進行物理處理(physically processed)。參照第10圖，第二元件40在雷射照射區域LRA中進行物理處理，且第一元件30在雷射照射區域LRA中沒有進行物理處理。
參考第7圖、第9圖、第10圖，在黏合層400具有約10μm的厚度的情況下，當考慮由雷射源控制的深度裕度時，難以精確地僅切割黏合層400。根據本例示性實施例，在施加到聚醯亞胺的雷射束的功率等於或小於約1W的情況下，聚醯亞胺不被物理處理。因此，可以選擇性地去除第一薄膜200和黏合層400(例如，壓敏黏合層)而不損壞基底基板110。
然後，藉由從母基板2000中除去虛擬部分DM，顯示模組1000可以與母基板2000分開，但不限於此。也就是說，顯示模組1000與母板2000的分離可以在第一薄膜200和黏合層400的切割處理(S20)以及去除第一薄膜200的部分和黏合層400(S30)之前進行。
在一個實施例中，顯示模組1000於定義在第一區域GRA中並在第一方向DR1上延伸的參考軸周圍彎曲。顯示模組1000可以被彎曲，使得由溝槽GR分隔開的第一薄膜200的兩個部分彼此更靠近。
第11圖是示出根據雷射束的功率的聚醯亞胺的結晶的程度(以下稱為「結晶度」)的圖表。
在第11圖中，「ref」表示雷射束不照射聚醯亞胺時的參考條件，且參考條件的結晶度設定為100%。雷射照射以約0.3W、約0.36W、約0.42W、約0.48W、約0.54W及約0.6W的每個雷射功率執行三次。透過依次增加雷射源的重複率而不改變雷射束的光斑尺寸來控制雷射功率。
參考第11圖，即使雷射功率增加，聚醯亞胺的結晶度保持在參考條件的約95%或95%以上。此外，在以相同雷射功率的雷射束照射三次的情況下，聚醯亞胺的結晶度保持在參考條件的約95%或95%以上。此外，在照射雷射的情況下，聚醯亞胺的結晶度比參考條件低約5%。
參考第9圖至第11圖，雖然將特定雷射功率的雷射束照射到聚醯亞胺，但是聚醯亞胺並沒有受到物理處理，但聚醯亞胺的結晶度可以約5%的變化。
第12圖是示出根據本公開的另一例示性實施例的顯示裝置的製造方法的流程圖；第13圖是示出根據本公開的另一例示性實施例的顯示裝置的製造方法的顯示模組的平面圖；以及第14圖是沿第13圖的II-II'線所截取的截面圖。
參考第12圖，操作(S11) 與參照第1圖和第2圖描述的形成處理(S10) 實質上相同，因此將省略其細節。
參照第12圖至第14圖，第一薄膜和黏合層的切割(S21)可以包括沿著第一區域GRA的第一邊緣EG1照射雷射束LZ11，沿著實質上平行於第一邊緣EG1的虛線AG1及AG2對第一區域GRA照射雷射束LZ12和LZ13至少一次，並且沿著第一區域GRA的第二邊緣EG2照射雷射束LZ14。
在第13圖和第14圖中，雷射束LZ12和LZ13沿著第一區域GRA中的兩條虛線AG1和AG2照射，但是虛線的數量不限於兩個。例如，雷射可以沿著三條或三條以上的虛線照射。
在切割第一薄膜200和黏合層400(S21)，提供給基底基板110的各雷射束LZ11、LZ12、LZ13以及LZ14的雷射功率可以等於或小於約1W。
在切割第一薄膜200和黏合層400之後(S21)，第一槽G11形成在第一薄膜200和黏合層400中，以與第一區域GRA的第一邊緣EG1重疊，第二槽G12形成在第一薄膜200和黏合層400中，以與第一虛線AG1重疊，第三槽G13形成在第一薄膜200和黏合層400中，以與第二虛線AG2重疊，以及第四槽G14形成在第一薄膜200和黏合層400中，以與第一區域GRA的第二邊緣EG2重疊。
第一槽G11至第四槽G14中的每一個可以具有寬度沿著上方向DR3向上逐漸減小的形狀。
不同於參照第1圖描述的顯示裝置的製造方法，顯示裝置的製造方法不包括去除設置在第一區域GRA中的第一薄膜200的部分和黏合層400的部分。
在第13圖和第14圖所示的顯示模組1001中，第一薄膜200的第一部分201和黏合層400的第一部分401可以設置在第一槽G11和第二槽G12之間。此外，第一薄膜200的第二部分202和黏合層400的第二部分402可以設置在第二槽G12和第三槽G13之間。此外，第一薄膜200的第三部分203和黏合層400的第三部分403可以設置在第三槽G13和第四槽G14之間。
第一薄膜200的第一部分201和黏合層400的第一部分401可以藉由第二槽G12與第一薄膜200的第二部分202和黏合層400的第二部分402分離。第一薄膜200的第二部分202和黏合層400的第二部分402可以藉由第三槽G13與第一薄膜200的第三部分203和黏合層400的第三部分403分離。
根據參照第12圖至第14圖描述的顯示裝置的製造方法，儘管設置在第一區域GRA中的第一薄膜200的部分和黏合層400的部分沒有被去除，但是由於形成了溝槽G11至G14，所以顯示模組1001可在第一區域GRA中可容易地彎曲。
然而，透過第12圖所示的方法製造的顯示裝置的結構不限於第14圖所示的顯示裝置的結構。在切割第一薄膜200和黏合層400(S21)中，雷射束沿著第一區域GRA中的三條或更多條虛線照射，因此設置在第一區域GRA中的第一薄膜200的部分和黏合層400的一部分可以被完全去除。也就是說，由於在第一區域GRA中形成與第一薄膜200和黏合層400重疊的溝槽，所以設置在第一區域GRA中第一薄膜200的部分和黏合層400的部分可完全地移除，而不執行另外的附加製程。
第15圖是示出根據本公開的例示性實施例的有機發光顯示裝置的透視圖；第16圖是示出第15圖的有機發光顯示裝置的平面圖；第17圖是沿第16圖的III-III'線所截取的截面圖；以及第18圖是當有機發光顯示裝置彎曲時沿著第16圖的III-III'線所截取的截面圖。
參考第15圖至第18圖，有機發光顯示裝置DP包括顯示模組1000、可撓性印刷電路板FPC和印刷電路板PCB。
可撓性印刷電路板FPC包括可撓性佈線板122和驅動電路晶片125。驅動電路晶片125電連接到可撓性佈線板122的佈線。
當可撓性印刷電路板FPC包括驅動電路晶片125的情況下，數據焊墊電連接到數據線且控制信號焊墊電連接到排列在顯示面板100的焊墊區域(未示出)的控制信號線。數據線連接到排列在像素中的電晶體，並且控制信號線連接到掃描驅動電路。在本例示性實施例中，可撓性印刷電路板FPC設置在薄膜覆晶(chip-on-film)封裝中，但不限於此。根據另一實施例，驅動電路晶片125可以安裝在顯示面板100的非顯示區域NA上，並且可撓性印刷電路板FPC可以是可撓性佈線板。
印刷電路板PCB電透過可撓性佈線板122電連接到顯示面板100，以對驅動電路晶片125發送信號和自驅動電路晶片125接收信號。印刷電路板PCB向顯示面板100或可撓性印刷電路板FPC提供影像數據、控制信號和電源電壓中的至少一個。印刷電路板PCB可以包括主動元件和被動元件。印刷電路板PCB可以包括連接到可撓性印刷電路板FPC的焊墊部分(未示出)。
顯示模組1000向上方向DR3顯示影像。
顯示模組1000具有由根據本公開的實施例的有機發光顯示裝置的製造方法形成的結構。在此，將更詳細地描述顯示模組1000，並且將不再重複與第1圖至第8圖相同的描述。
顯示模組1000可在第一方向DR1延伸的參考軸線AX的周圍彎曲。參考軸線AX可以被定義在顯示模組1000下方。顯示模組1000可以被彎曲，使得由溝槽GR劃分的第一薄膜200的兩個部分彼此更靠近。
顯示模組1000可以在第一區域GRA中彎曲。在顯示模組1000中可以定義彎曲區域BA。顯示模組1000在彎曲區域BA以外的區域可以是平坦的。彎曲區域BA的寬度可以小於第一區域GRA的寬度。
由於黏合層400和第一薄膜200具有彈性，當黏合層400和第一薄膜200彎曲時，並且隨著顯示模組1000的厚度增加，顯示模組1000需要更多的力來保持彎曲狀態，除去彎曲區域BA中的黏合層400和第一薄膜200有助於顯示模組1000的彎曲。根據本例示性實施例的顯示裝置，溝槽GR設置在第一薄膜200和黏合層400，以與彎曲區域BA重疊，因此顯示模組1000可以在彎曲區域BA中容易地彎曲，並且顯示模組1000的曲率半徑在彎曲區域BA中變小。
第19圖和第20圖是示出根據本公開的例示性實施例的顯示模組的截面圖。
顯示模組1002可以包括顯示面板100、第一薄膜200、第二薄膜300和黏合層400。薄膜槽GR1可以定義在第一薄膜200中，以與第一區域GRA重疊。黏合槽GR2可以定義在黏合層400中，以與第一區域GRA重疊。
基底基板110可以包括第一部分111、第二部分112和第三部分113。第一部分111藉由薄膜槽GR1和黏合槽GR2暴露並連接到黏合槽GR2的內表面401。第二部分112與第一薄膜200和黏合層400重疊。第三部分113藉由薄膜槽GR1和黏合槽GR2暴露，並且透過第一部分111與第二部分112間隔開。
第一部分111可以是在參照第1圖和第7圖描述的第一薄膜200和黏合層400的切割(S20)中照射雷射束LZ1和LZ2的基底基板110的一部分。第二部分112和第三部分113可以是在參照第1圖和第7圖描述的第一薄膜200和黏合層400的切割(S20)中不照射雷射束LZ1和LZ2的基底基板110的部分。
基底基板110的第一部分111與第二部分112和第三部分113中的每一個相比，可以具有約5%的結晶度的差異。更詳細地說，與第二部分112和第三部分113中的每一個相比，基底基板110的第一部分111具有在約5%內相對小的結晶度。第二部分112和第三部分113可以具有實質上相同的結晶度。
提供薄膜槽GR1的第一薄膜200的內表面201可以連接到提供黏合槽GR2的黏合層400的內表面401。如第19圖所示，其為顯示模組1002沿著對應於第3圖的線I-I'的相同部分的線所截取的顯示模組1002之截面圖，第一薄膜200的內表面201和黏合層400的內表面401可以具有直線形狀，但根據其他實施例中也可以具有彎曲形狀。
基底基板110的第二部分112的下表面(例如，顯示面板100的下表面)與第一薄膜200的內表面201和第一薄膜200及黏合層400的內表面401中的每一個之間的角度(θ)可以是銳角。這是因為第一薄膜200和黏合層400的切割(S20)是透過向上方向DR3照射雷射束來進行。
顯示模組1002可以包括設置在與薄膜槽GR1相鄰的第一薄膜200的下表面上的毛邊BR。毛邊BR可以透過切割第一薄膜200和黏合層400(S20)而形成。
根據第20圖所示的顯示模組1003，其為沿著對應於與第3圖的I-I’線的相同部分的線所截取的顯示模組1003的截面圖，基底基板110的第一部分111的下表面可以具有比基底基板110的第三部分113的下表面小的表面粗糙度。
第一部分111的下表面在參照第1圖和第7圖描述的第一薄膜200和黏合層400的切割(S20)中形成，並且第三部分113的下表面在參照第1圖和第8圖描述的去除第一薄膜200的部分和黏合層400的部分(S30)中形成。在除去第一薄膜200的部分和黏合層400的部分(S30)中，當黏合層400從基底基板110被除去時，可以增加基底基板110的第三部分113的下表面的表面粗糙度。
第21圖是示出根據本公開的另一例示性實施例的顯示模組的平面圖；以及第22圖是示出第21圖的顯示模組處於彎曲狀態的平面圖。
參考第21圖，顯示模組1004可以包括定義在其中的顯示區域DA和非顯示區域NA。非顯示區域NA圍繞顯示區域DA。非顯示區域NA可以包括定義在其中的第一區域GRA1至第四區域GRA4。
顯示模組1004可以具有與參照第14圖、第19圖和第20圖描述的顯示模組1001至1003之一的實質上相同的層狀結構。
可以在第一區域GRA1至第四區域GRA4上執行第1圖所示的切割操作(S20)和除去操作(S30)。因此，顯示模組1004可以具有從第一區域GRA1至第四區域GRA4移除第一薄膜200和黏合層400的形狀。
第一切割線CL1至第四切割線CL4提供給顯示模組1004。可以沿著第一切割線CL1至第四切割線CL4切割顯示模組1004。
參考第21圖和第22圖，顯示模組1004可以在第一區域GRA1和第二區域GRA2中的每一個中於第一方向DR1延伸的線的周圍彎曲。此外，顯示模組1004可以在第三區域GRA3和第四區域GRA4中的每一個中於第二方向DR2延伸的線的周圍彎曲。
根據第21圖和第22圖所示的顯示模組1004，第一薄膜200和黏合層400從分別沿著顯示模組1004的四個側邊所定義的第一區域GRA1至第四區域GRA1移除，且顯示模組1004沿著四個側邊彎曲，但不限於此。例如，第一薄膜200和黏合層400可以從顯示模組1004的兩個側邊或三個側邊移除，並且顯示模組1004可以沿著兩個側邊或三個側邊彎曲。
第23圖是示出本公開的另一實施方式的有機發光顯示裝置的透視圖；第24圖是示出第23圖的有機發光顯示裝置的平面圖；第25圖是沿第24圖的IV-IV'線所截取的截面圖；而第26圖是當有機發光顯示裝置彎曲時沿第24圖的IV-IV'線截取的截面圖。
第23圖至第26圖所示的有機發光顯示裝置DP1可以具有與參照第15圖至第18圖所述的有機發光顯示裝置DP相同的結構和功能，除了第一區域的位置，亦即，溝槽的位置。
有機發光顯示裝置DP1可以包括顯示模組1100。顯示模組1100可以包括定義在其中的顯示區域DA和非顯示區域NA。顯示模組1100可以包括定義在其中的第一區域GRR。
第一區域GRR可以與顯示區域DA重疊。第一區域GRR可以定義為跨越顯示區域DA。可以去除與第一區域GRR重疊的黏合層400(例如，壓敏黏合層)和第一薄膜200。也就是說，與第一區域GRR重疊的溝槽GRX可以設置在第一薄膜200和黏合層400中。
顯示模組1100可以在第一方向DR1上延伸的參考軸線AX1的周圍彎曲。參考軸線AX1可以被定義在顯示模組1100下方。顯示模組1100可以被彎曲，使得由溝槽GRX劃分的第一薄膜200的兩個部分彼此更靠近。
顯示模組1100可以在第一區域GRR中彎曲。彎曲區域BA1可以定義在顯示模組1100中。顯示模組1100在彎曲區域BA1以外的區域中可以是平坦的。彎曲區域BA1可以具有小於第一區域GRR寬度的寬度。如上所述，由於與彎曲區域BA1重疊的溝槽GRX設置在第一薄膜200和黏合層400中，所以顯示模組1100可以在彎曲區域BA1中容易地彎曲，並且顯示模組1100的曲率半徑可能變小。
雖然已經描述了本發明的一些例示性實施例，但是將理解的是，本發明不限於這些例示性實施例，而所屬領域具有通常知識者可以在如本文所請求的本發明之精神和範圍內進行各種改變和修改。
11、111、201、401‧‧‧第一部分
12、112、202、402‧‧‧第二部分
13、113、203、403‧‧‧第三部分
30‧‧‧第一元件
40‧‧‧第二元件
100‧‧‧顯示面板
101‧‧‧下表面
102‧‧‧上表面
110‧‧‧基底基板
120‧‧‧驅動層
122‧‧‧可撓性佈線板
125‧‧‧驅動電路晶片
130‧‧‧有機發光元件層
140‧‧‧密封層
141‧‧‧密封基板
143‧‧‧內部空間
200‧‧‧第一薄膜
211‧‧‧主動層
213‧‧‧閘極電極
215‧‧‧源極電極
217‧‧‧汲極電極
221‧‧‧第一絕緣層
223‧‧‧第二絕緣層
230‧‧‧保護層
300‧‧‧第二薄膜
400‧‧‧黏合層
1000、1001、1002、1003、1004、1100‧‧‧顯示模組
2000‧‧‧母基板
AE‧‧‧第一電極
AG1‧‧‧第一虛線
AG2‧‧‧第二虛線
AX、AX1‧‧‧參考軸線
BA、BA1‧‧‧彎曲區域
BR‧‧‧毛邊
CE‧‧‧第二電極
CH1、CH2、CH3‧‧‧接觸孔
CL1~CL4‧‧‧第一切割線至第四切割線
DA‧‧‧顯示區域
DM‧‧‧虛擬部分
DP、DP1‧‧‧有機發光顯示裝置
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
DR3‧‧‧上方向
DRH‧‧‧水平方向
EG1‧‧‧第一邊緣
EG2‧‧‧第二邊緣
FPC‧‧‧可撓性印刷電路板
G1、G11‧‧‧第一槽
G2、G12‧‧‧第二槽
G13‧‧‧第三槽
G14‧‧‧第四槽
GR、GRX‧‧‧溝槽
GR1‧‧‧薄膜槽
GR2‧‧‧黏合槽
GRA、GRA1、GRR‧‧‧第一區域
GRA2‧‧‧第二區域
GRA3‧‧‧第三區域
GRA4‧‧‧第四區域
GS1、GS2‧‧‧內表面
LD‧‧‧有機發光二極體
LRA‧‧‧雷射照射區域
LZ1、LZ11、LZ12、LZ13、LZ14、LZ2‧‧‧雷射束
NA‧‧‧非顯示區
OL‧‧‧有機層
PA‧‧‧像素區域
PCB‧‧‧印刷電路板
PDA‧‧‧焊墊區域
PDL‧‧‧像素定義層
Qd‧‧‧驅動電晶體
S10、S11、S20、S21、S30‧‧‧步驟
透過結合附圖參考以下詳細描述，本公開的上述和其它態樣和優點將變得顯而易見，其中：
第1圖是示出根據本公開的例示性實施例的顯示裝置的製造方法的流程圖；
第2圖是示出根據本公開的例示性實施例的母基板的平面圖；
第3圖是示出第2圖的顯示模組的平面圖；
第4圖是沿第3圖的I-I'線所截取的截面圖；
第5圖是示出第4圖的顯示面板的層疊結構的截面圖；
第6圖是示出與一個像素區域對應的顯示面板的一部分的截面圖；
第7圖和第8圖是沿著第3圖的I-I'線所截取的截面圖；
第9圖是示出用超過約1W的雷射束照射的實驗對象的照片；
第10圖是示出用等於或小於約1W的雷射束照射的實驗對象的照片；
第11圖是示出根據雷射束的功率的聚醯亞胺的結晶的程度的圖表；
第12圖是示出根據本公開的另一例示性實施例的顯示裝置的製造方法的流程圖；
第13圖是示出根據本公開的另一例示性實施例的顯示裝置的製造方法的顯示模組的平面圖；
第14圖是沿第13圖的II-II'線所截取的截面圖；
第15圖是示出根據本公開的例示性實施例的有機發光顯示裝置的透視圖；
第16圖是示出第15圖的有機發光顯示裝置的平面圖；
第17圖是沿第16圖的III-III'線所截取的截面圖；
第18圖是有機發光顯示裝置彎曲時沿第16圖的III-III'線所截取的截面圖；
第19圖和第20圖是示出根據本公開的例示性實施例的顯示模組的截面圖；
第21圖是示出根據本公開的另一例示性實施例的顯示模組的平面圖；
第22圖是示出第21圖的顯示模組處於彎曲狀態的平面圖；
第23圖是示出本公開的另一例示性實施例的有機發光顯示裝置的透視圖；
第24圖是示出第23圖的有機發光顯示裝置的平面圖；
第25圖是沿第24圖的IV-IV'線所截取的截面圖；以及
第26圖是當有機發光顯示裝置彎曲時沿第24圖的IV-IV'線截取的截面圖。
S10、S20、S30‧‧‧步驟

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，其包括： 一顯示面板，其包括一下表面和與該下表面相對的一上表面； 一第一薄膜，係位於該顯示面板的該下表面下方，並且包括定義在其中的一薄膜槽； 一第二薄膜，係位於該顯示面板的該上表面上；以及 一黏合層，位於在該顯示面板的該下表面和該第一薄膜之間，並且包括定義在其中以與該薄膜槽重疊的一黏合槽， 其中該顯示面板包括定義該下表面的一基底基板，且由該薄膜槽和該黏合槽暴露的該基底基板的一第一部分、及與該第一薄膜和該黏合層重疊的該基底基板的一第二部分具有約5%的結晶度差異。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第二部分具有大於該第一部分的結晶度的結晶度。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該基底基板的該第一部分連接到該黏合槽的內表面，並且該第一部分具有比由該薄膜槽和該黏合槽暴露並且藉由該第一部分與該第二部分間隔開的一第三部分的結晶度還小約5%的結晶度。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中該第二部分具有與該第三部分相同的結晶度。
  5. 依據申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中該第三部分的下表面的表面粗糙度大於該第一部分的下表面的表面粗糙度。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該基底基板的該第二部分與提供該薄膜槽的該第一薄膜的一內表面之間的角度為銳角，且該基底基板的該第二部分和提供該黏合槽的該黏合層的一內表面之間的角度為銳角。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其還包括在與該薄膜槽相鄰之該第一薄膜的一下表面上的一毛邊。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該顯示面板包括顯示影像的一顯示區域和與該顯示區域相鄰的一非顯示區域，並且該薄膜槽和該黏合槽位於該非顯示區域中。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該顯示面板包括顯示影像的一顯示區域和與該顯示區域相鄰的一非顯示區域，並且當從平面圖中觀察時，該薄膜槽和該黏合槽跨過該顯示區域。
  10. 一種顯示裝置，其包括： 一顯示面板，其包括定義在其中的一第一區域，並且包括一下表面和與該下表面相對的一上表面； 一第一薄膜，係位於該顯示面板的該下表面下方； 一第二薄膜，係位於該顯示面板的該上表面上；及 一黏合層，係位於該顯示面板的該下表面與該第一薄膜之間， 其中該顯示面板包括定義該顯示面板的該下表面的一基底基板，複數個溝槽定義在該第一區域的該第一薄膜及該黏合層中，以露出該基底基板，且該第一薄膜的一第一部分及該黏合層的一第一部分藉由該第一區域中的該複數個溝槽的一溝槽與該第一薄膜的一第二部分及該黏合層的一第二部分分隔。
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