CN109023236A - 蒸镀系统以及oled发光器件的制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种蒸镀系统和OLED发光器件的制备方法，包括掩模板，掩模板包括至少一个对应于OLED基板的蒸镀区域和设置在蒸镀区域上的用于形成子像素图案的子像素的蒸镀孔，蒸镀孔呈矩阵式排列，子像素的数量为蒸镀孔的数量的N倍，N≥2(N为整数)，蒸镀孔配合蒸镀机的偏移用于制备完整的子像素图案。本申请通过减少掩模板上蒸镀孔的数量，提高了掩模板的强度，降低了张网时产生褶皱的风险，同时在OLED发光器件的制备方法中避免了在蒸镀时，OLED发光器件出现彩色不均的现象，另采用OLED基板或掩模板偏移的方式，来提高发光子像素整体的蒸镀精度。

Description

蒸镀系统以及OLED发光器件的制备方法

技术领域

本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种蒸镀系统以及OLED发光器件的制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有主动发光、可视角大、色域宽、亮度高、响应速度快等越来越受到市场的欢迎。同时人们对OLED显示器的解析度越来越高。但是目前生产高分辨率，高解析度的OLED显示屏仍然面临着许多技术难度需要克服。

目前OLED发光器件的制作方法最普遍的是采用真空蒸镀的方法进行制作，有机发光材料在坩埚中受热，由固态变成气态，然后通过精细金属掩模板的开孔，沉积在阵列基板上对应的像素定义层PDL(Pixel Definition Layer)开口中。精细金属掩模板具有跟R/G/B子像素一一对应的开孔，蒸镀某种颜色时，便采用对应颜色的精细金属掩模板。

但是，由于OLED显示器对高解析度的要求越来越高，导致子像素的数目越来越多，同时子像素之间的间距越来越小，相应的精细金属掩模板中蒸镀区域的开孔数目越来越多。因此导致精细金属掩模板的强度变弱，因此在张网的过程中，精细金属掩模板容易发生褶皱等不良现象，而利用该精细金属掩模板蒸镀有机发光材料制作出来的显示屏容易产生彩色不均等外观不良现象。

发明内容

本申请实施例提供一种蒸镀系统和OLED发光器件的制备方法；以解决现有的OLED发光器件的制备方法由于精细金属掩模板开孔数较多，引起精细金属掩模板强度变弱容易发生褶皱，进而导致OLED发光器件出现彩色不均等外观不良的技术问题。

本申请实施例提供一种蒸镀系统，用于形成OLED发光器件的子像素图案，所述OLED发光器件包括用于设置所述子像素图案的OLED基板，所述子像素图案包括呈多行多列式排列的子像素，所述蒸镀系统包括蒸镀机和活动设置在所述蒸镀机上的掩模组件，所述OLED基板位于所述掩模组件的上方且活动设置在所述蒸镀机上，所述掩模组件包括：

边框；

掩模板，间隔且固定设置在所述边框上，所述掩模板之间具有缝隙；

遮挡条，固定设置在所述边框上且位于相邻的所述掩模板之间，用于遮挡所述缝隙；以及

支撑条，固定设置在所述边框上，且所述支撑条的延伸方向垂直于所述遮挡条的延伸方向，用于支撑所述掩模板；

其中所述掩模板包括至少一个对应于所述OLED基板的蒸镀区域和设置在所述蒸镀区域上的用于形成所述子像素图案的子像素的蒸镀孔，所述蒸镀孔呈矩阵式排列，所述子像素的数量为所述蒸镀孔的数量的N倍，N≥2(N为整数)，

其中所述蒸镀机包括一用于对位所述OLED基板和所述掩模组件位置的对位机构，所述掩模组件和所述OLED基板通过所述对位机构进行相对偏移，以制备完整的子像素图案。

在本申请的蒸镀系统中，所述对位机构包括用于固定并驱动所述OLED基板移动的第一对位单元和用于固定并驱动所述掩模组件的第二对位单元；

当所述OLED基板不动时，所述掩模组件通过所述第二对位单元移动，以实现所述OLED基板和所述掩模组件的相对偏移；

当所述掩模组件不动时，所述OLED基板通过所述第一对位单元移动，以实现所述OLED基板和所述掩模组件的相对偏移。

在本申请的蒸镀系统中，当所述子像素图案包括呈矩阵式排布的所述子像素，每行所述子像素之间的距离为A1时，所述蒸镀孔呈矩阵式排布，每行所述蒸镀孔之间的距离为A2，其中A2＝A1*N。

在本申请的蒸镀系统中，当所述子像素图案包括呈矩阵式排布的所述子像素，每列所述子像素之间的距离为B1时，所述蒸镀孔呈矩阵式排布，每列所述蒸镀孔之间的距离为B2，其中B2＝B1*N。

在本申请的蒸镀系统中，所述掩模板的厚度为15微米～30微米。

在本申请的蒸镀系统中，所述蒸镀孔通过蚀刻工艺形成。

在本申请的蒸镀系统中，N≤4。优选的，N等于2。

本申请还涉及一种OLED发光器件的制备方法，所述OLED发光器件的制备方法的步骤包括：

步骤S1：提供蒸镀机、掩模组件及OLED基板；

所述掩模组件包括掩模板，所述掩模板包括至少一个对应于OLED基板的蒸镀区域和设置在所述蒸镀区域上的用于形成子像素图案中的子像素的蒸镀孔，所述蒸镀孔呈矩阵式排列，所述子像素的数量为所述蒸镀孔的数量的N倍，N≥2(N为整数)；

步骤S2：将所述掩模组件和所述OLED基板分别安装在所述蒸镀机上，并通过所述蒸镀机的对位机构对所述掩模组件和所述OLED基板进行定位并固定；

步骤S3：透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行第一次蒸镀成膜，形成矩阵式排列的第一子像素图案；

步骤S4：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板通过所述对位机构进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板通过所述对位机构进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案。

在本申请的OLED发光器件的制备方法中，所述对位机构包括用于固定并驱动所述OLED基板移动的第一对位单元和用于固定并驱动所述掩模组件的第二对位单元；

所述步骤S4包括：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板通过所述第一对位单元进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板通过所述第二对位单元进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案。

在本申请的OLED发光器件的制备方法中，当所述子像素图案包括呈矩阵式排布的所述子像素，每行所述子像素之间的距离为A1，所述蒸镀孔呈矩阵式排布，每行所述蒸镀孔之间的距离为A2，其中A2＝A1*N时，

所述步骤S4中：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板沿着所述第一子像素图像的列项延伸方向进行一次或多次偏移；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板沿着所述蒸镀孔的列项延伸方向进行一次或多次偏移。

在本申请的OLED发光器件的制备方法中，当所述子像素图案包括呈矩阵式排布的所述子像素，每列所述子像素之间的距离为B1，所述蒸镀孔呈矩阵式排布，每列所述蒸镀孔之间的距离为B2，其中B2＝B1*N时，

所述步骤S4中：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板沿着所述第一子像素图像的行项延伸方向进行一次或多次偏移；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板沿着所述蒸镀孔的行项延伸方向进行一次或多次偏移。

在本申请的OLED发光器件的制备方法中，N≤4。

在本申请的OLED发光器件的制备方法中，所述掩模板的厚度为15微米～30微米。

相较于现有技术的掩模组件和OLED发光器件的制备方法，本申请的蒸镀系统和OLED发光器件的制备方法通过减少掩模板上蒸镀孔的数量，提高了掩模板的强度，降低了张网时产生褶皱的风险，同时降低掩模板上蒸镀孔的密度，提高了掩模板的蒸镀孔刻蚀的均匀性，大大降低了制造的风险，提高了生产的良率；

进一步的，在OLED发光器件的制备方法中避免了在蒸镀时，OLED发光器件出现彩色不均的现象，另外采用OLED基板或掩模板偏移的方式，来提高发光子像素整体的蒸镀精度；

解决了现有的OLED发光器件的制备方法由于精细金属掩模板开孔数较多，引起精细金属掩模板强度变弱容易发生褶皱，进而导致OLED发光器件出现彩色不均等外观不良的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1为本申请的蒸镀系统的第一实施例的结构示意图；

图2为本申请的蒸镀系统的第一实施例的掩模组件结构示意图；

图3为本申请的蒸镀系统的第一实施例的掩模板的蒸镀区域的结构示意图；

图4为本申请的蒸镀系统的第一实施例中对应于掩模板的子像素图像的结构示意图；

图5为本申请的蒸镀系统的第二实施例的掩模板的蒸镀区域的结构示意图；

图6为本申请的蒸镀系统的第二实施例中对应于掩模板的子像素图像的结构示意图；

图7为本申请的OLED发光器件的制备方法的第一实施例的流程图；

图8为本申请的OLED发光器件的制备方法的第一实施例的第一子像素图像和子像素图像的结构示意图；

图9为本申请的OLED发光器件的制备方法的第二实施例的第一子像素图像和子像素图像的结构示意图。

具体实施方式

请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。

请参照图1至图4，图1为本申请的蒸镀系统的第一实施例的结构示意图；图2为本申请的蒸镀系统的第一实施例的掩模组件结构示意图；图3为本申请的蒸镀系统的第一实施例的掩模板的蒸镀区域的结构示意图；图4为本申请的蒸镀系统的第一实施例中对应于掩模板的子像素图像的结构示意图。

蒸镀系统用于形成OLED发光器件的子像素图案，OLED发光器件包括用于设置子像素图案的OLED基板20，子像素图案包括呈多行多列式排列的子像素，蒸镀系统包括蒸镀机30和活动设置在蒸镀机30上的掩模组件10，OLED基板20位于掩模组件10的上方且活动设置在蒸镀机30上，掩模组件10包括边框11、掩模板12、遮挡条13和支撑条14。

具体的，掩模板12间隔且固定设置在边框上11，掩模板12之间具有缝隙；遮挡条13固定设置在边框11上且位于相邻的掩模板12之间，用于遮挡缝隙；支撑条14固定设置在边框11上，且支撑条14的延伸方向垂直于遮挡条13的延伸方向，用于支撑掩模板12；

其中掩模板12包括至少一个对应于OLED基板20的蒸镀区域12a和设置在蒸镀区域12a上的用于形成子像素图案21的子像素211的蒸镀孔121，蒸镀孔121呈矩阵式排列，子像素211的数量为蒸镀孔121的数量的N倍，N≥2(N为整数)，

其中蒸镀机30包括一用于对位OLED基板20和掩模组件10位置的对位机构31，掩模组件10和OLED基板20通过对位机构31进行相对偏移，以制备完整的子像素图案21。

在本蒸镀系统的第一实施例中，通过减少掩模板12上蒸镀孔121的数量，提高了掩模板12的强度，降低了张网时产生褶皱的风险，同时降低掩模板12上蒸镀孔121的密度，提高了掩模板12的蒸镀孔121刻蚀的均匀性，大大降低了制造的风险，提高了生产的良率。

进一步的，当本第一实施例用于制备OLED发光器件时，由于降低了张网时产生褶皱的风险，从而避免了在蒸镀时出现彩色不均的问题。

另外，由于掩模板12中一个蒸镀区域12a中的蒸镀孔121的数量为对应的OLED发光器件的子像素211的1/N倍，因此便需要通过OLED基板20和掩模板12相对移动的方式来得到完整的子像素图案21。

其中，可选的N≤4。如果N越大，则说明对应于子像素图案21中的子像素211的蒸镀孔121的数量越少，虽然可以提高掩模板12的强度，但是在进行OLED发光器件蒸镀的过程中，便需要进行多次的偏移，来实现完整的子像素图案21，从而降低了制备OLED发光器件的效率。因此为了在保证掩模板12具有一定强度的情况下，确保制备OLED发光器件的效率，N≤4。

其中，优选的，N等于2。即子像素211的数量为蒸镀孔121的数量的2倍。这样使得掩模板12在具有一定强度的情况下，进一步提高了制备OLED发光器件的效率。

在本第一实施例中，掩模板12的厚度为15微米～30微米。由于掩模板12中蒸镀孔121数量的减少，因此提高了掩模板12的强度，因此相较于蒸镀孔数量没有减少的掩模板，本第一实施例的掩模板12可以保证强度的情况下适当的减少厚度，达到节约成本的目的。其中蒸镀孔121通过蚀刻工艺形成。

对位机构31包括用于固定并驱动OLED基板20移动的第一对位单元311和用于固定并驱动掩模组件10的第二对位单元312；

当OLED基板20不动时，掩模组件10通过第二对位单元312移动，以实现所述OLED基板和所述掩模组件的相对偏移；

当掩模组件10不动时，OLED基板20通过第一对位单元31移动，以实现OLED基板20和掩模组件10的相对偏移。

在本第一实施例中，当子像素图案21包括呈矩阵式排布的子像素211，每行子像素211之间的距离为A1时，蒸镀孔121呈矩阵式排布，每行蒸镀孔121之间的距离为A2，其中A2＝A1*N。在本第一实施例中，N为2，因此A2＝2*A1。

需要说明的是，每行子像素211之间的距离A1为每行子像素211中心点之间的距离，每行蒸镀孔121之间的距离为A2为每行蒸镀孔121中心点之间的距离。在本实施例中，以子像素211和蒸镀孔121为正方形进行说明，但并非限于此。

因此，当进行OLED发光器件的蒸镀时，需要将OLED基板或掩模板沿着列项方向偏移一次，以实现完整子像素图案21。

请参照图5和图6，在本第二实施例中，与第一实施例的不同之处在于，当子像素图案41包括呈矩阵式排布的子像素411，每列所述子像素之间的距离为B1时，蒸镀孔321呈矩阵式排布，每列蒸镀孔321之间的距离为B2，其中B2＝B1*N。其中N为2。

需要说明的是，每列子像素411之间的距离B1为每列子像素411中心点之间的距离，每列蒸镀孔321之间的距离为B2为每列蒸镀孔321中心点之间的距离。

因此，当进行OLED发光器件的蒸镀时，需要将OLED基板或掩模板沿着行项方向偏移一次，以实现完整子像素图案41。

在本申请中的第三实施例中，即子像素图案包括两个矩阵式排布的子像素，两个子像素矩阵相嵌设置形成一整体，使得相邻行中的子像素相错设置，相邻列中的子像素相错设置；掩模板的蒸镀孔呈矩阵式排列。

其中，每列蒸镀孔之间的距离和每列子像素之间的距离相等，每行蒸镀孔之间的距离和每行蒸镀孔之间的距离相等。

因此当N为2时，掩模板或OLED基板需要向列项方向偏移一次，和向行项方向偏移一次，以实现完整子像素图案。

当然，本申请中蒸镀孔的排列和子像素图案是相关的，因此蒸镀孔和子像素图案可以有多种不同的排列方式，并不限于本申请的三个实施例。

请参照图1、图3、图7和图8，图7为本申请的OLED发光器件的制备方法的第一实施例的流程图；图8为本申请的OLED发光器件的制备方法的第一实施例的第一子像素图像和子像素图像的结构示意图。本申请还涉及一种OLED发光器件的制备方法，所述OLED发光器件的制备方法的第一实施例的步骤包括：

步骤S1：提供蒸镀机30、掩模组件10及OLED基板20；

所述掩模组件10包括掩模板12，掩模板12包括至少一个对应于OLED基板20的蒸镀区域12a和设置在蒸镀区域12a上的用于形成子像素图案21中的子像素211的蒸镀孔121，蒸镀孔121呈矩阵式排列，子像素211的数量为蒸镀孔121的数量的N倍，N≥2(N为整数)；

步骤S2：将掩模板12和所述OLED基板分别安装在蒸镀机30上，并通过所述蒸镀机30的对位机构31对所述掩模板12和所述OLED基板20进行定位并固定；

步骤S3：透过所述掩模板12的蒸镀孔121对所述OLED基板进行第一次蒸镀成膜，形成矩阵式排列的第一子像素图案21a；

步骤S4：保持所述掩模组件10不动，所述OLED基板20通过所述对位机构31进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板12的蒸镀孔121对所述OLED基板20进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案2a；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模组件10通过所述对位机构31进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板12的蒸镀孔121对所述OLED基板20进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案2a。

在步骤S1中，掩模组件10的结构和第一实施例的结构一致。具体请参照图2-图3。通过减少掩模板12上蒸镀孔121的数量，提高了掩模板12的强度，降低了张网时产生褶皱的风险，同时降低掩模板12上蒸镀孔121的密度，提高了掩模板12的蒸镀孔121刻蚀的均匀性，大大降低了制造的风险，提高了生产的良率。

进一步的，由于降低了张网时产生褶皱的风险，从而避免了在蒸镀时出现彩色不均的问题。

另外，由于掩模板12中一个蒸镀区域12a中的蒸镀孔121的数量为对应的OLED发光器件的子像素211的1/N倍，因此便需要通过OLED基板20和掩模板相对移动的方式来得到完整的子像素图案21。

其中，可选的N≤4。如果N越大，则说明对应于子像素图案21中的子像素211的蒸镀孔121的数量越少，虽然可以提高掩模板12的强度，但是在进行OLED发光器件蒸镀的过程中，便需要进行多次的偏移，来实现完整的子像素图案21，从而降低了制备OLED发光器件的效率。因此为了在保证掩模板12具有一定强度的情况下，确保制备OLED发光器件的效率，N≤4。

其中，优选的，N等于2。即子像素211的数量为蒸镀孔121的数量的2倍。这样使得掩模板12在具有一定强度的情况下，进一步提高了制备OLED发光器件的效率。

在本申请的OLED发光器件的制备方法中，所述对位机构31包括用于固定并驱动OLED基板20移动的第一对位单元311和用于固定并驱动所述掩模组件10的第二对位单元312；

所述步骤S4包括：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板20通过所述第一对位单元311进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板20进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案21；或

保持所述OLED基板20不动，所述掩模组件通过所述第二对位单元312进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板12的蒸镀孔对所述OLED基板20进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案21。

其中，掩模板固定设置在掩模组件上，及掩模板随掩模组件移动。

在本方法的第一实施例中，当子像素图案21包括呈矩阵式排布的子像素211，每行子像素211之间的距离为A1，蒸镀孔121呈矩阵式排布，每行蒸镀孔121之间的距离为A2，其中A2＝A1*N时，

所述步骤S4中：保持所述掩模组件10不动，所述OLED基板沿着第一子像素图像21a的列项延伸方向进行一次或多次偏移；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板12沿着所述蒸镀孔121的列项延伸方向进行一次或多次偏移。

在本方法的第一实施例中，N等于2，因此在步骤S4中，保持所述掩模组件10不动，所述OLED基板沿着第一子像素图像21a的列项延伸方向进行一次偏移；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板12沿着所述蒸镀孔121的列项延伸方向进行一次偏移。

以提高了制备OLED发光器件的效率。

在本申请的OLED发光器件的制备方法的第一实施例中，所述掩模板的厚度为15微米～30微米。

请参照图9和图5，在本申请的OLED发光器件的制备方法的第二实施例中，当子像素图案4a包括呈矩阵式排布的子像素411，每列子像素411之间的距离为B1，蒸镀孔321呈矩阵式排布，每列蒸镀孔321之间的距离为B2，其中B2＝B1*N时，

所述步骤S4中：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板沿着所述第一子像素图像41a的行项延伸方向进行一次或多次偏移；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板沿着蒸镀孔321的行项延伸方向进行一次或多次偏移。

在本方法的第二实施例中，N等于2，因此在步骤S4中，保持所述掩模组件不动，所述OLED基板沿着第一子像素图像41a的行项延伸方向进行一次偏移；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板沿着所述蒸镀孔321的行项延伸方向进行一次偏移。

以提高了制备OLED发光器件的效率。

在本方法中的第三实施例中，即子像素图案包括两个矩阵式排布的子像素，两个子像素矩阵相嵌设置形成一整体，使得相邻行中的子像素相错设置，相邻列中的子像素相错设置；掩模板的蒸镀孔呈矩阵式排列。

其中，每列蒸镀孔之间的距离和每列子像素之间的距离相等，每行蒸镀孔之间的距离和每行蒸镀孔之间的距离相等。

因此当N为2时，掩模板或OLED基板需要向列向方向偏移一次和向行向方向偏移一次，以实现完整子像素图案。

当然，本申请的方法中蒸镀孔的排列和子像素图案是相关的，因此蒸镀孔和子像素图案可以有多种不同的排列方式，并不限于本申请的三个实施例。

通过以上的蒸镀工艺，从而有效的完成了OLED发光器件的阵列基板的制备，有利于提高子像素的蒸镀精度，降低蒸镀过程中的偏位等不良。

相较于现有技术的蒸镀系统和OLED发光器件的制备方法，本申请的蒸镀系统和OLED发光器件的制备方法通过减少掩模板上蒸镀孔的数量，提高了掩模板的强度，降低了张网时产生褶皱的风险，同时降低掩模板上蒸镀孔的密度，提高了掩模板的蒸镀孔刻蚀的均匀性，大大降低了制造的风险，提高了生产的良率；

进一步的，在OLED发光器件的制备方法中避免了在蒸镀时，OLED发光器件出现彩色不均的现象，另外采用OLED基板或掩模板偏移的方式，来提高发光子像素整体的蒸镀精度；

解决了现有的OLED发光器件的制备方法由于精细金属掩模板开孔数较多，引起精细金属掩模板强度变弱容易发生褶皱，进而导致OLED发光器件出现彩色不均等外观不良的技术问题。

本申请尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本公开，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本公开包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。此外，尽管本公开的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。

综上所述，虽然本申请已以实施例揭露如上，实施例前的序号，如“第一”、“第二”等仅为描述方便而使用，对本申请各实施例的顺序不造成限制。并且，上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种蒸镀系统，用于形成OLED发光器件的子像素图案，所述OLED发光器件包括用于设置所述子像素图案的OLED基板，所述子像素图案包括呈多行多列式排列的子像素，其特征在于，所述蒸镀系统包括蒸镀机和活动设置在所述蒸镀机上的掩模组件，所述OLED基板位于所述掩模组件的上方且活动设置在所述蒸镀机上，所述掩模组件包括掩模板，

所述掩模板包括至少一个对应于所述OLED基板的蒸镀区域和设置在所述蒸镀区域上的用于形成所述子像素图案的子像素的蒸镀孔，所述蒸镀孔呈矩阵式排列，所述子像素的数量为所述蒸镀孔的数量的N倍，N≥2(N为整数)，

其中所述蒸镀机包括一用于对位所述OLED基板和所述掩模组件位置的对位机构，所述掩模组件和所述OLED基板通过所述对位机构进行相对偏移，以制备完整的子像素图案。

2.根据权利要求1所述的蒸镀系统，其特征在于，所述对位机构包括用于固定并驱动所述OLED基板移动的第一对位单元和用于固定并驱动所述掩模组件的第二对位单元；

当所述OLED基板不动时，所述掩模组件通过所述第二对位单元移动，以实现所述OLED基板和所述掩模组件的相对偏移；

当所述掩模组件不动时，所述OLED基板通过所述第一对位单元移动，以实现所述OLED基板和所述掩模组件的相对偏移。

3.根据权利要求1所述的蒸镀系统，其特征在于，当所述子像素图案包括呈矩阵式排布的所述子像素，每行所述子像素之间的距离为A1时，所述蒸镀孔呈矩阵式排布，每行所述蒸镀孔之间的距离为A2，其中A2＝A1*N。

4.根据权利要求1所述的蒸镀系统，其特征在于，所述掩模板的厚度为15微米～30微米。

5.根据权利要求1所述的蒸镀系统，其特征在于，所述蒸镀孔通过蚀刻工艺形成。

6.一种OLED发光器件的制备方法，其特征在于，所述OLED发光器件的制备方法的步骤包括：

步骤S1：提供蒸镀机、掩模组件及OLED基板；

所述掩模组件包括掩模板，所述掩模板包括至少一个对应于OLED基板的蒸镀区域和设置在所述蒸镀区域上的用于形成子像素图案中的子像素的蒸镀孔，所述蒸镀孔呈矩阵式排列，所述子像素的数量为所述蒸镀孔的数量的N倍，N≥2(N为整数)；

步骤S2：将所述掩模组件和所述OLED基板分别安装在所述蒸镀机上，并通过所述蒸镀机的对位机构对所述掩模组件和所述OLED基板进行定位并固定；

步骤S3：透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行第一次蒸镀成膜，形成矩阵式排列的第一子像素图案；

步骤S4：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板通过所述对位机构进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板通过所述对位机构进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案。

7.根据权利要求6所述的OLED发光器件的制备方法，其特征在于，所述对位机构包括用于固定并驱动所述OLED基板移动的第一对位单元和用于固定并驱动所述掩模组件的第二对位单元；

所述步骤S4包括：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板通过所述第一对位单元进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板通过所述第二对位单元进行一次或多次偏移，相应的透过所述掩模板的蒸镀孔对所述OLED基板进行二次或多次蒸镀成膜，以形成完整的子像素图案。

8.根据权利要求6所述的OLED发光器件的制备方法，其特征在于，当所述子像素图案包括呈矩阵式排布的所述子像素，每行所述子像素之间的距离为A1，所述蒸镀孔呈矩阵式排布，每行所述蒸镀孔之间的距离为A2，其中A2＝A1*N时，

所述步骤S4中：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板沿着所述第一子像素图像的列项延伸方向进行一次或多次偏移；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板沿着所述蒸镀孔的列项延伸方向进行一次或多次偏移。

9.根据权利要求6所述的OLED发光器件的制备方法，其特征在于，当所述子像素图案包括呈矩阵式排布的所述子像素，每列所述子像素之间的距离为B1，所述蒸镀孔呈矩阵式排布，每列所述蒸镀孔之间的距离为B2，其中B2＝B1*N时，

所述步骤S4中：保持所述掩模组件不动，所述OLED基板沿着所述第一子像素图像的行项延伸方向进行一次或多次偏移；或

保持所述OLED基板不动，所述掩模板沿着所述蒸镀孔的行项延伸方向进行一次或多次偏移。

10.根据权利要求6所述的OLED发光器件的制备方法，其特征在于，所述掩模板的厚度为15微米～30微米。