CN111244330A - 蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置 - Google Patents

蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111244330A
CN111244330A CN202010040141.1A CN202010040141A CN111244330A CN 111244330 A CN111244330 A CN 111244330A CN 202010040141 A CN202010040141 A CN 202010040141A CN 111244330 A CN111244330 A CN 111244330A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mask plate
evaporation
vapor deposition
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010040141.1A
Other languages
English (en)
Inventor
杨付强
杜骁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010040141.1A priority Critical patent/CN111244330A/zh
Publication of CN111244330A publication Critical patent/CN111244330A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Abstract

本发明提供一种蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置,所述蒸镀方法包括至少一像素蒸镀步骤,在一基板表面蒸镀出红色像素和/或绿色像素和/或蓝色像素。本发明的技术效果在于,提高像素的像素密度,进一步提高显示面板的分辨率。

Description

蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置
技术领域
本发明涉及掩膜板领域,特别涉及一种蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)由于具有自主发光、可视角大、色域宽、反应时间短、对比度高的显示特性,且具有轻薄、柔性等优点,已成为继液晶显示器后的第三代显示技术。
目前OLED显示面板多用蒸镀法制备,主要是透过高精密金属掩模板(FineMetalMask,FMM)在基板上的相应的像素位置蒸镀上有机发光膜层,结合其他功能层构成发光器件。由于红、绿、蓝三基色发光子像素的有机发光材料不同,在制作过程中,需要通过FMM上精密微小的开孔定义红、绿、蓝三种子像素的位置、尺寸和形状。
然而,红、绿、蓝三种子像素的尺寸都在微米量级,这对FMM的加工精度提出了较高要求。在蒸镀过程中,同一种像素采用一块Mask进行蒸镀,受制于技术和工艺条件,FMM的加工精度存在物理极限,其开口精度直接限定了OLED显示面板的分辨率。
目前所采用的FMM在OLED面板生产中很难实现高于QHD(约600ppi)的分辨率,因为这将导致超过800ppi的UHD中的RGB像素重叠。而随着显示面板向高分辨率的发展,进一步优化Mask蒸镀制程以及像素排布成为提高面板分辨率的有效途径。
发明内容
本发明的目的在于,解决采用现有掩膜板蒸镀像素时,显示面板的像素密度不高的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种蒸镀方法,包括至少一像素蒸镀步骤,在一基板表面蒸镀出红色像素和/或绿色像素和/或蓝色像素。
进一步地,所述像素蒸镀步骤包括以下步骤:掩膜板设置步骤,将一掩膜板传入一蒸镀装置的机台处;基板设置步骤,将一基板传入所述蒸镀装置的腔体内部;对位步骤,将所述掩膜板与所述基板对位处理;蒸镀步骤,蒸镀所述基板;以及掩膜板更换步骤,更换另一掩膜版,重复执行2~5次所述掩膜板设置步骤、所述基板设置步骤、所述对位步骤及所述蒸镀步骤。
进一步地,在所述掩膜板更换步骤中,更换的另一掩膜板的开口在所述基板表面的正投影与所述掩膜板在所述基板表面的正投影相离。
进一步地,所述像素蒸镀步骤包括以下步骤:掩膜板设置步骤,将第一掩膜板传入一蒸镀装置的第一机台处,将第二掩膜板传入所述蒸镀装置的第二机台处,将第三掩膜板传入所述蒸镀装置的第三机台处;基板设置步骤,将一基板传入所述蒸镀装置的一腔室内部,所述腔室与所述第一机台相对设置;对位步骤,将所述掩膜板与所述基板对位处理;蒸镀步骤,蒸镀所述基板;以及基板传递步骤,将基板传送至所述蒸镀装置的另一腔室内,重复执行2~5次所述对位步骤及所述蒸镀步骤。
进一步地,在基板传递步骤中,所述第二掩膜板的开口在所述基板表面的正投影与所述第一掩膜板在所述基板表面的正投影相离。
为实现上述目的,本发明还提供一种蒸镀装置,包括:机台,用于放置基板;边框,用以安装掩膜板;以及至少一掩膜板,包括第一掩膜板和/或第二掩膜板和/或第三掩膜板;其中,所述第一掩膜板安装至所述框架,且与所述基板相对设置,用以将红色像素蒸镀至所述基板;所述第二掩膜板安装至所述框架,且与所述基板相对设置,用以将蓝色像素蒸镀至所述基板;所述第三掩膜板安装至所述框架,且与所述基板相对设置,用以将绿色像素蒸镀至所述基板。
进一步地,每一掩膜板包括若干开口;蒸镀同一像素的若干掩膜板的开口形状相同;蒸镀同一像素的至少一掩膜板的若干开口排列成矩阵。
进一步地,一掩膜板的开口在所述基板下表面的正投影与另一掩膜板在所述基板下表面的正投影相离。
进一步地,所述基板包括显示区和非显示区;所述掩膜板包括开口区,所述开口区设有排成矩阵的若干开口,所述开口区的边界与所述矩阵的边缘一致。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示装置,包括采用所述蒸镀方法制成的基板。
本发明的技术效果在于,多次使用掩膜板蒸镀同一种颜色的像素,可提高该像素的像素数量及像素密度,进一步提高显示面板的分辨率。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例所述蒸镀装置的示意图;
图2为本发明实施例所述基板第一次蒸镀后的俯视图;
图3为本发明实施例所述基板第二次蒸镀后的俯视图;
图4为本发明实施例所述基板三种像素蒸镀后的俯视图;
图5为本发明实施例所述蒸镀方法的流程图;
图6为本发明实施例所述红色像素蒸镀步骤的流程图。
部分组件标识如下:
1、掩膜板;2、基板;3、绿色像素;4、蓝色像素;5、红色像素;
11、开口;12、遮挡区;
31、第一绿色像素;32、第二绿色像素。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示,本实施例提供一种蒸镀装置,包括机台、框架及掩膜板1。
所述机台用以放置待蒸镀的基板2。
掩膜板1通过激光点焊固定至所述框架,所述框架的大小由掩膜板1的大小决定,掩膜板1的大小由基板2的大小决定,具体地,基板2包括显示区和非显示区,掩膜板1包括开口区,在开口区内设有排成矩阵的若干开口11,所述开口区的边界与所述矩阵的边界相同,在蒸镀过程中,掩膜板1与基板2相对设置,此时,掩膜板1的开口区的边界在基板2上的正投影在基板2的显示区的边界的外部,掩膜板1的开口区的边界在基板2上的正投影与基板2的显示区的边界的间距为10μm~1000μm,以保证在蒸镀过程中,掩膜板1能将基板2的显示区完全蒸镀。
掩膜板1为精密掩膜板(Fine Metal Mask,FMM),掩膜板1的厚度为0.01mm~0.2mm,精密掩膜板上遮蔽区12可由电铸、蚀刻或金属拉丝等方法构筑。
每一掩膜板1上的若干开口11的形状及大小都相同,开口11排列成矩阵,掩膜板1的开口11在基板2上的正投影与另一掩膜板在基板2下表面的正投影相离,可参见图2~图3,以蒸镀绿色像素为例,第一绿色像素31为采用一掩膜板的开口在基板2上第一次蒸镀所得,第二绿色像素为采用另一掩膜板的开口在基板2上第二次蒸镀所得。
第一掩膜板用以在基板2上蒸镀红色像素4,第二掩膜板在基板2上用以蒸镀蓝色像素5,第三掩膜板用以在基板2上蒸镀绿色像素3,蒸镀完成后的基板参见图4。
本实施例所述蒸镀装置的技术效果在于,蒸镀同一种颜色的像素,可采用开口形状相同的多块掩膜板进行多次蒸镀,每一次蒸镀所得的像素相离,在掩膜板本身的开口密度已经难以进一步增大的时候,多次蒸镀使得基板上的像素密度进一步增大,进一步提高显示面板的分辨率,用以满足用户对高分辨率显示器件的要求。
如图5所示,本实施例还提供一种蒸镀方法,包括至少一像素蒸镀步骤,在一基板的表面蒸镀出红色像素和/或绿色像素和/或蓝色像素,所述红色像素蒸镀步骤、所述绿色像素蒸镀步骤及所述蓝色像素蒸镀步骤的蒸镀顺序可调换,在本实施例中的顺序依次为红色像素蒸镀步骤、绿色像素蒸镀步骤及蓝色像素蒸镀步骤,具体包括步骤S1~S3。
S1红色像素蒸镀步骤,在所述基板的表面蒸镀出红色像素,如图6所示,包括步骤S11~S15。
S11掩膜板设置步骤,将第一掩膜板传入一蒸镀装置的腔体内部。S12基板设置步骤,将一基板传入所述蒸镀装置的机台处,使得所述第一掩膜板与所述基板相对设置。S13对位步骤,利用CCD对位作用,将所述第一掩膜板的开口区与所述基板的显示区对准。S14蒸镀步骤,蒸镀所述基板,在所述基板的下表面蒸镀出红色像素。S15掩膜板更换步骤,当所述蒸镀装置为单腔体时,需更换另一第一掩膜板,重复执行S11~S14步骤2~5次;当所述蒸镀装置为多腔体时,只需将所述基板传入下一腔体内重复执行S11~S14步骤即可,可传入2~5个腔体内执行,每一第一掩膜板在所述基板上蒸镀出的红色像素点相离,蒸镀出一层高像素密度的红色像素。
S2绿色像素蒸镀步骤,更换成第二掩膜板,在所述基板的表面蒸镀出绿色像素,包括步骤S21~S25。
S21掩膜板设置步骤,将第二掩膜板传入所述蒸镀装置的腔体内部。S22基板设置步骤,将所述基板传入所述蒸镀装置的机台处,使得所述第二掩膜板与所述基板相对设置。S23对位步骤,利用CCD对位作用,将所述第二掩膜板的开口区与所述基板的显示区对准。S24蒸镀步骤,蒸镀所述基板,在所述基板的下表面蒸镀出绿色像素。S25掩膜板更换步骤,当所述蒸镀装置为单腔体时,需更换另一第二掩膜板,重复执行S21~S24步骤2~5次;当所述蒸镀装置为多腔体时,只需将所述基板传入下一腔体内重复执行S21~S24步骤即可,可传入2~5个腔体内执行,每一第二掩膜板在所述基板上蒸镀出的绿色像素点相离,蒸镀出一层高像素密度的绿色像素。
S3蓝色像素蒸镀步骤,更换成第三掩膜板,在所述基板的表面蒸镀出蓝色像素,包括步骤S31~S35。
S31掩膜板设置步骤,将第三掩膜板传入所述蒸镀装置的腔体内部。S32基板设置步骤,将所述基板传入所述蒸镀装置的机台处,使得所述第三掩膜板与所述基板相对设置。S33对位步骤,利用CCD对位作用,将所述第三掩膜板的开口区与所述基板的显示区对准。S34蒸镀步骤,蒸镀所述基板,在所述基板的下表面蒸镀出蓝色像素。S35掩膜板更换步骤,当所述蒸镀装置为单腔体时,需更换另一第三掩膜板,重复执行S31~S34步骤2~5次;当所述蒸镀装置为多腔体时,只需将所述基板传入下一腔体内重复执行S31~S34步骤即可,可传入2~5个腔体内执行,每一第三掩膜板在所述基板上蒸镀出的蓝色像素点相离,蒸镀出一层高像素密度的蓝色像素。
完成所述红色像素、所述绿色像素及所述蓝色像素的蒸镀后,可将所述基板传入其他腔体内,进行显示装置制备的后续制程,进而完成整个显示装置的制备制程,获得一显示装置。
本实施例所述蒸镀方法的技术效果在于,采用开口形状相同的多块掩膜板进行同一种颜色的像素的多次蒸镀,每一次蒸镀所得的像素相离,在掩膜板本身的开口密度已经难以进一步增大的时候,多次蒸镀使得基板上的像素密度得到进一步增大,进一步提高显示面板的分辨率,用以满足用户对高分辨率显示器件的要求。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种蒸镀方法,其特征在于,包括
至少一像素蒸镀步骤,在一基板表面蒸镀出红色像素和/或绿色像素和/或蓝色像素。
2.如权利要求1所述的蒸镀方法,其特征在于,
所述像素蒸镀步骤包括以下步骤:
掩膜板设置步骤,将一掩膜板传入一蒸镀装置的机台处;
基板设置步骤,将一基板传入所述蒸镀装置的腔体内部;
对位步骤,将所述掩膜板与所述基板对位处理;
蒸镀步骤,蒸镀所述基板;以及
掩膜板更换步骤,更换另一掩膜版,重复执行2~5次所述掩膜板设置步骤、所述基板设置步骤、所述对位步骤及所述蒸镀步骤。
3.如权利要求2所述的蒸镀方法,其特征在于,
在所述掩膜板更换步骤中,
更换的另一掩膜板的开口在所述基板表面的正投影与所述掩膜板在所述基板表面的正投影相离。
4.如权利要求1所述的蒸镀方法,其特征在于,
所述像素蒸镀步骤包括以下步骤:
掩膜板设置步骤,将第一掩膜板传入一蒸镀装置的第一机台处,将第二掩膜板传入所述蒸镀装置的第二机台处,将第三掩膜板传入所述蒸镀装置的第三机台处;
基板设置步骤,将一基板传入所述蒸镀装置的一腔室内部,所述腔室与所述第一机台相对设置;
对位步骤,将所述掩膜板与所述基板对位处理;
蒸镀步骤,蒸镀所述基板;以及
基板传递步骤,将基板传送至所述蒸镀装置的另一腔室内,重复执行2~5次所述对位步骤及所述蒸镀步骤。
5.如权利要求4所述的蒸镀方法,其特征在于,
在基板传递步骤中,
所述第二掩膜板的开口在所述基板表面的正投影与所述第一掩膜板在所述基板表面的正投影相离。
6.一种显示装置,包括如权利要求1~5中任一项所述的蒸镀方法制成的基板。
7.一种蒸镀装置,其特征在于,包括:
机台,用于放置基板;
边框,用以安装掩膜板;以及
至少一掩膜板,包括第一掩膜板和/或第二掩膜板和/或第三掩膜板;
其中,所述第一掩膜板安装至所述框架,且与所述基板相对设置,用以将红色像素蒸镀至所述基板;
所述第二掩膜板安装至所述框架,且与所述基板相对设置,用以将蓝色像素蒸镀至所述基板;
所述第三掩膜板安装至所述框架,且与所述基板相对设置,用以将绿色像素蒸镀至所述基板。
8.如权利要求7所述的蒸镀装置,其特征在于,
每一掩膜板包括若干开口;
蒸镀同一像素的若干掩膜板的开口形状相同;
蒸镀同一像素的至少一掩膜板的若干开口排列成矩阵。
9.如权利要求8所述的蒸镀装置,其特征在于,
一掩膜板的开口在所述基板下表面的正投影与另一掩膜板在所述基板下表面的正投影相离。
10.如权利要求7所述的蒸镀装置,其特征在于,
所述基板包括显示区和非显示区;
所述掩膜板包括开口区,所述开口区设有排成矩阵的若干开口,所述开口区的边界与所述矩阵的边缘一致。
CN202010040141.1A 2020-01-15 2020-01-15 蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置 Pending CN111244330A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010040141.1A CN111244330A (zh) 2020-01-15 2020-01-15 蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010040141.1A CN111244330A (zh) 2020-01-15 2020-01-15 蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111244330A true CN111244330A (zh) 2020-06-05

Family

ID=70864894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010040141.1A Pending CN111244330A (zh) 2020-01-15 2020-01-15 蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111244330A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090309108A1 (en) * 2008-06-11 2009-12-17 Seung Wook Chang Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
CN103484818A (zh) * 2013-09-25 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法、蒸镀装置和发光器件
CN104299974A (zh) * 2014-09-29 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、掩膜板、显示装置
CN104630703A (zh) * 2015-01-29 2015-05-20 四川虹视显示技术有限公司 Oled器件的掩膜板组及基板
US20160276416A1 (en) * 2014-07-09 2016-09-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Oled display device, manufacturing method thereof, display device and mask for vaporization
CN107604314A (zh) * 2017-09-18 2018-01-19 联想(北京)有限公司 一种蒸镀方法以及蒸镀系统
US20180090548A1 (en) * 2016-04-08 2018-03-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing display substrate, display substrate and display device
CN109023236A (zh) * 2018-08-20 2018-12-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀系统以及oled发光器件的制备方法
CN109957754A (zh) * 2019-04-09 2019-07-02 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板组件、oled显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090309108A1 (en) * 2008-06-11 2009-12-17 Seung Wook Chang Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
CN103484818A (zh) * 2013-09-25 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法、蒸镀装置和发光器件
US20160276416A1 (en) * 2014-07-09 2016-09-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Oled display device, manufacturing method thereof, display device and mask for vaporization
CN104299974A (zh) * 2014-09-29 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、掩膜板、显示装置
CN104630703A (zh) * 2015-01-29 2015-05-20 四川虹视显示技术有限公司 Oled器件的掩膜板组及基板
US20180090548A1 (en) * 2016-04-08 2018-03-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for manufacturing display substrate, display substrate and display device
CN107604314A (zh) * 2017-09-18 2018-01-19 联想(北京)有限公司 一种蒸镀方法以及蒸镀系统
CN109023236A (zh) * 2018-08-20 2018-12-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀系统以及oled发光器件的制备方法
CN109957754A (zh) * 2019-04-09 2019-07-02 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板组件、oled显示面板及其制作方法、显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108807457B (zh) 阵列基板以及制作方法、oled器件及其制作方法、显示装置
US10811476B2 (en) Pixel definition layer, manufacturing method thereof, display substrate and display device
EP2151866B1 (en) Method of depositing light emitting layer of organic EL device and method of manufacturing organic EL device
CN109346505B (zh) 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
CN108695361A (zh) Oled显示装置的制造方法、掩模及掩模的设计方法
CN107994117B (zh) 制备oled显示器件的方法、oled显示器件和oled显示设备
CN110581160B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN107086239A (zh) 像素结构及其制备方法和显示装置
CN111640772B (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN111584605B (zh) 阵列基板、制备方法、显示面板及显示装置
WO2017118003A1 (zh) Oled像素阵列、制备oled像素阵列的方法、oled显示面板和显示装置
CN108598123A (zh) 一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
CN113286916B (zh) 微型精密掩膜板及其制作方法和amoled显示器件
US11037998B2 (en) Pixel defining layer, pixel structure, display panel and display device
CN111370451A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111584576A (zh) 显示面板
CN108400153B (zh) 一种oled基板及其制备方法、显示装置
US11456342B2 (en) Organic light emitting diode back plate and method of manufacturing same
CN111244330A (zh) 蒸镀方法、蒸镀装置以及显示装置
KR101818256B1 (ko) 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
CN211654826U (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN109817692B (zh) 像素界定层、彩色滤光膜及制造方法、自发光显示面板
CN110600519B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN114335097A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN111710696A (zh) 显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200605